TWI771610B - 電子封裝件及其承載結構與製法 - Google Patents

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TWI771610B
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Abstract

一種承載結構，係於配置有線路層之絕緣板體中形成間隔部，且該間隔部未電性連接該線路層，以藉由該間隔部之設計斷開該絕緣板體，使該絕緣板體之結構應力不會連續集中於該絕緣板體之硬材處，故可避免翹曲之問題。

Description

電子封裝件及其承載結構與製法
本發明係有關一種半導體封裝結構，尤指一種電子封裝件及其承載結構與製法。
習知半導體封裝件1，如第1圖所示，係先將一半導體晶片11以其作用面11a利用覆晶接合方式(即透過導電凸塊110與底膠111)設於一封裝基板10上，再將一散熱件13以其頂片130藉由TIM層12(其包含銲錫層與助焊劑)回銲結合於該半導體晶片11之非作用面11b上，且該散熱件13之支撐腳131透過黏著層14架設於該封裝基板10上，以供該半導體晶片11所產生之熱能經由該非作用面11b、TIM層12而傳導至該散熱件13之頂片130以散熱至該半導體封裝件1之外部。
惟，習知半導體封裝件1中，因該封裝基板10的材料特性，而於封裝製程的熱處理期間(thermal cycle)，容易因熱脹冷縮的現象而造成該封裝基板10變形，致使該封裝基板10發生翹曲(warpage)的問題，導致該些導電凸塊110無法有效或精確接合於該封裝基板10上。
再者，隨著科技的演進，電子產品需求趨勢朝向異質整合邁進，多晶片封裝結構(MCM/MCP)興起，其將多顆半導體晶片封裝成一顆半導體晶片的特性，使其具有較多的I/O數，且可以大幅增加處理器的運算能力，減少訊號傳遞的延遲時間，以應用於高密度線路/高傳輸速度/高疊層數/大尺寸設計之高階產品，然而，產品功能的多元化使封裝結構更加複雜，而複雜的結構在更小的體積內實現，這就導致結構變得更加脆弱，當封裝結構發生翹曲或者其它形變時，更加容易發生失效，此外，因其多晶片集結於一基板的結構特色，隨著市場規格需求日新月變，其整體封裝結構尺寸也隨之愈做愈大，使得因翹曲所導致的脫層、球裂及晶片崩裂等問題日益嚴重。
因此，如何克服上述習知技術之種種問題，實已成為目前業界亟待克服之難題。
鑑於上述習知技術之種種缺失，本發明提供一種承載結構，係包括：絕緣板體；線路層，係設於該絕緣板體上；以及第一間隔部，係設於該絕緣板體中而未電性連接該線路層。
本發明亦提供一種承載結構之製法，係包括：提供一基材；形成凹部於該基材中；形成金屬層於該基材上以遮蓋該凹部，使該凹部作為間隔部；以及藉由該金屬層形成線路層，且該間隔部未電性連接該線路層。
前述之承載結構及其製法中，該基材係包含核心層，其具有絕緣芯部，且該間隔部貫穿該絕緣芯部。例如，該核心層復具有至少一形成於該絕緣芯部上之絕緣部。進一步，該絕緣部藉由加壓加溫製程以形成於該間隔部中。
前述之承載結構及其製法中，該基材係定義有置晶區及圍繞該置晶區周圍之外圍區，以令該間隔部位於該外圍區上。例如，該間隔部係位於該外圍區之輪廓邊緣及/或輪廓角落上。或者，該外圍區係定義有底膠邊界線，以將該外圍區分為鄰接該置晶區之第一區域與最外側之第二區域。進一步，該間隔部係位於該外圍區之第一區域及/或第二區域上。
前述之承載結構及其製法中，該間隔部係為溝槽、孔洞或其組合。
前述之承載結構及其製法中，該間隔部之輪廓係呈直線狀、曲線狀、波浪狀、鋸齒狀或其組合。
本發明更提供一種電子封裝件，係包括：前述之承載結構；電子元件，係設於該承載結構上且電性連接該線路層；以及散熱件，係設於該承載結構上，其中，該散熱件具有第二間隔部。
前述之電子封裝件中，該散熱件係包含有一結合該電子元件之散熱體，且該第二間隔部係位於該散熱體結合該電子元件之側。例如，該第二間隔部係位於該散熱體結合該電子元件之區域之外。
前述之電子封裝件中，該第二間隔部係為溝槽、孔洞或其組合。
前述之電子封裝件中，該第二間隔部的輪廓係呈直線狀、曲線狀、波浪狀、鋸齒狀或其組合。
由上可知，本發明之電子封裝件及其承載結構與製法，主要藉由該間隔部之設計，以破壞(或斷開)該絕緣板體或該基材，使該絕緣板體或該基材之結構應力不會連續集中於該絕緣板體或該基材之材質較硬處，故相較於習知技術，本發明之承載結構可避免或降低翹曲之問題。
再者，該間隔部中填充軟質膠材(即該絕緣體)，不僅可吸收該絕緣板體或該基材之硬質材的應力釋放，且可吸收於後續的高溫製程所造成的熱形變。
1‧‧‧半導體封裝件
10‧‧‧封裝基板
11‧‧‧半導體晶片
11a,31a‧‧‧作用面
11b,31b‧‧‧非作用面
110,310‧‧‧導電凸塊
111,311‧‧‧底膠
12‧‧‧TIM層
13,33,43,53,63‧‧‧散熱件
130‧‧‧頂片
131,331‧‧‧支撐腳
14‧‧‧黏著層
2,2’,2”,4,5,6‧‧‧承載結構
2a‧‧‧基材
2b‧‧‧絕緣板體
20‧‧‧核心層
200‧‧‧絕緣芯部
201‧‧‧第一金屬層
202‧‧‧第二金屬層
203‧‧‧絕緣體
203’,203”‧‧‧中空部
203a‧‧‧第一絕緣部
203b‧‧‧第二絕緣部
21,21’‧‧‧第一間隔部
21a,21b,21c,21d,21e,21f,41b,41a,46,51,56,61,66‧‧‧凹部
22‧‧‧線路層
220‧‧‧導電通孔
23‧‧‧介電層
24‧‧‧絕緣保護層
25‧‧‧表面處理層
3,3’,3”‧‧‧電子封裝件
31‧‧‧電子元件
32‧‧‧結合層
330‧‧‧散熱體
34‧‧‧膠體
36,36’,36a,36b,36c,36d,36e,36f,36g,36h‧‧‧第二間隔部
91‧‧‧第一承載件
92‧‧‧第二承載件
A‧‧‧置晶區
B‧‧‧外圍區
B1‧‧‧第一區域
B2‧‧‧第二區域
C‧‧‧區域
L‧‧‧底膠邊界線
第1圖係為習知半導體封裝件之剖視示意圖。
第2A至2E圖係為本發明之承載結構之製法之剖視示意圖。
第2A’圖係為第2A圖之整體上視示意圖。
第2B’圖係為第2B圖之整體上視示意圖。
第2C’及2C”圖係為第2C圖之不同實施方式示意圖。
第2E’及2E”圖係為第2E圖之不同實施方式示意圖。
第2F及2F’圖係為第2E圖之絕緣板體之整體上視示意圖。
第3A及3A’圖係為第2E圖之後續製程之不同實施例之剖視示意圖。
第3B圖係為本發明之電子封裝件之剖視示意圖。
第3B’及3B”圖係為第3B圖之不同實施例之局部上視示意圖。
第4A及4B圖係為第3B圖之第一實施例之不同處的局部上視圖。
第5A及5B圖係為第3B圖之第二實施例之不同處的局部上視圖。
第6A及6B圖係為第3B圖之第三實施例之不同處的局部上視圖。
以下藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本發明之其他優點及功效。
須知，本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示之內容，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，並非用以限定本發明可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本發明所能產生之功效及所能達成之目的下，均應仍落在本發明所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。同時，本說明書中所引用之如「上」、「第一」、「第二」及「一」等之用語，亦僅為便於敘述之明瞭，而非用以限定本發明可實施之範圍，其相對關係之改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本發明可實施之範疇。
第2A至2E圖係為本發明之承載結構2之製法之剖面示意圖。
如第2A及2A’圖所示，提供一基材2a，其定義有一置晶區A及一圍繞該置晶區A周圍之外圍區B。
於本實施例中，該基材2a係設於第一承載件91上，且該基材2a係包含依序疊設於該第一承載件91上之第一金屬層201及核心層20，而該核心層20係具有依序疊設於該第一金屬層201上之第一絕緣部203a、絕緣芯部200及第二絕緣部203b。例如，該第一承載件91係為如不銹鋼之金屬壓板，該第一金屬層201係為銅箔，該第一與第二絕緣部203a,203b係為如環氧樹脂(epoxy)之膠體，該絕緣芯部200係含有玻纖及如BT(Bismaleimide Triazine)、FR4或FR5等之有機樹脂。
再者，於製作該基材2a時，可先於該第一承載件91上鋪設該第一金屬層201，再將已製作完成之黏合片作為該核心層20，以令該核心層20以其第一絕緣部203a黏貼於該第一金屬層201上。
又，該外圍區B係定義有一如環狀之底膠(underfill)邊界線L，以將該外圍區B分為鄰接該置晶區A之第一區域B1與最外側之第二區域B2，其中，該第二區域B2環繞該第一區域B1。
如第2B圖所示，形成凹部於該基材2a之外圍區B上，以作為第一間隔部21，使該第一金屬層201外露於該第一間隔部21。
於本實施例中，該第一間隔部21係貫穿該核心層20(或該絕緣芯部200)而未貫穿該第一金屬層201。例如，該第一金屬層201保持完整。具體地，採用雷射方式進行挖槽孔作業以形成該第一間隔部21，且所用之 雷射強度係符合不會破壞(或破壞極少)銅箔的波長範圍，使該第一金屬層201作為挖槽孔作業之止擋層。
再者，該第一間隔部21係位於該外圍區B，例如位於該外圍區B之輪廓邊緣(如第一區域B1)及/或輪廓角落上，且可如第2B’圖所示之凹部21a,21b,21c,21d；應可理解地，該第一間隔部21係位於該外圍區B之第一區域B1及/或第二區域B2上。
因此，可沿該置晶區A之輪廓邊緣與該底膠邊界線L之輪廓邊緣之間的區間形成該第一間隔部21；或者，沿鄰近該底膠邊界線L之輪廓邊緣處形成該第一間隔部21’；亦或，於該基材2a的四個角落處形成凹部21a,21b,21c,21d以作為該第一間隔部21，其中，凹部21c還具有如第2B’圖所示之對角線態樣。應可理解地，各角落所揭示之態樣可依需求配搭於單一核心層20上，如四個角落都是同一種態樣或至少二種態樣的凹部組合。
如第2C圖所示，形成一第二金屬層202於該基材2a上，以令該第二金屬層202遮蓋該第一間隔部21。
於本實施例中，藉由第二承載件92將該第二金屬層202壓合於該基材2a之核心層20之第二絕緣部203b上。例如，該第二承載件92係為如不銹鋼之金屬壓板，該第二金屬層202係為銅箔，以形成銅箔基板，其中，該第一絕緣部203a、絕緣芯部200及第二絕緣部203b係作為該銅箔基板中之絕緣板體2b。
再者，於壓合該第二金屬層202之過程中，該第一絕緣部203a及/或第二絕緣部203b之部分材質可填入該第一間隔部21中，以於該第一間隔部21中形成絕緣體203。具體地，如第2C圖所示，該絕緣體203可填 滿該第一間隔部21中；或者，如第2C’圖所示，該絕緣體203未填滿該第一間隔部21中，以於該第一間隔部21中形成中空部203’。應可理解地，該第一絕緣部203a及/或第二絕緣部203b亦可未填入該第一間隔部21中，如第2C”圖所示，使該第一間隔部21作為中空部203”。
又，藉由該第一與第二承載件91,92作為加壓板，以於加壓加溫製程中，使該第一絕緣部203a及/或第二絕緣部203b之膠材因高溫高壓之作用而呈熔融狀，進而填入該第一間隔部21中。
如第2D圖所示，接續第2C圖之製程，移除該第一承載件91與第二承載件92，以外露該第一金屬層201與第二金屬層202。
如第2E圖所示，進行圖案化製程，以將該第一金屬層201與第二金屬層202製成未電性連接該第一間隔部21(或絕緣體203)之線路層22，且形成至少一電性連接該些線路層22之導電通孔220，以製得所需之承載結構2。
於本實施例中，該導電通孔220係形成於置晶區A，但亦可依需求形成於該外圍區B。
再者，該承載結構2可依需求配置至少一介電層23於該絕緣板體2b(或該核心層20)上，且令該線路層22外露於該介電層23上。
又，若接續第2C’及2C”圖之製程，該承載結構2’於該外圍區B上之第一間隔部21會具有中空部203’，如第2E’圖所示。
另外，可依線路數量需求接續疊加核心層、形成間隔部、壓合金屬層及形成圖案化線路層，以形成另一承載結構2”，如第2E”圖所示，其中，可於最外側之線路層22上形成一如鎳金材之表面處理層25，並於最 外側之介電層23上形成一如防銲材之絕緣保護層24，且令該最外側之線路層22外露於該絕緣保護層24。例如，依需求重複進行配置核心層20、間隔部、如銅箔之金屬層等製程及圖案化製程。具體地，於多個絕緣板體2b相疊合時，每一層個絕緣板體2b之間隔部位置(或體積大小)可依據不同的疊紋(moire)狀況而不同。
本發明之承載結構2,2’,2”之製法主要藉由第一間隔部21之設計以破壞(或斷開)該絕緣板體2b之絕緣芯部200，使結構應力不會連續集中於材質較硬(玻纖)的絕緣芯部200，故相較於習知技術，本發明之承載結構2,2’,2”利用應力截斷之原理以避免或降低翹曲(warpage)之問題，且透過各個應力截斷點(複數第一間隔部21)作為該承載結構2,2’,2”之變形自由度調控點，以適當補償翹曲方向。
再者，該第一間隔部21中填充軟質膠材(該絕緣體203)，不僅可吸收硬質材(玻纖)的應力釋放，且可吸收於後續的高溫製程所造成的熱形變。
又，該軟質膠材(該絕緣體203)可作為斷開該絕緣芯部200之分隔物，使該絕緣芯部200斷開後之相鄰兩區塊不會因熱變形而相抵靠，因而提升應力截斷的效果，即應力截斷的功效能持續。
另外，於該承載結構2,2’,2”之較佳實施例中，最佳的凹部設計為全溝槽式設計；次佳的設計係沿該置晶區A之輪廓邊緣與該底膠邊界線L之輪廓邊緣之間的區間、及沿鄰近該底膠邊界線L之輪廓邊緣處形成該第一間隔部21，如第2F圖所示，於此兩處的凹部設計係於邊角處採用溝槽狀凹部21e，而於邊緣直線段處採用孔洞狀凹部21f，且係於四個角落處形 成該第一間隔部21，且該凹部設計採用溝槽狀；或者，如第2F’圖所示，亦可設計為全孔洞式凹部21f設計。
第3A及3A’圖係為應用所述之承載結構2,2’,2”之電子封裝件3,3’之不同態樣之剖面示意圖。
如第3A及3A’圖所示，於該承載結構2,2’上設置至少一電子元件31及一散熱件33。
所述之電子元件31係設於該承載結構2,2’之置晶區A上，且該電子元件31係為主動元件、被動元件、封裝元件或其三者之組合。
於本實施例中，該主動元件係例如半導體晶片，該被動元件係例如電阻、電容及電感，且該封裝元件係包含基板、設於該基板上之晶片及包覆該晶片之封裝層。例如，該電子元件31係為半導體晶片，其具有相對之作用面31a及非作用面31b，使該電子元件31藉複數導電凸塊310以覆晶方式結合並電性連接該承載結構2,2’之線路層22，並以底膠311包覆該些導電凸塊310。於其它實施例中，該電子元件31亦可藉由打線方式或其它方式電性連接該線路層22。
再者，該底膠311之佈設範圍係限制於該底膠邊界線L內，即該底膠311不會超出該底膠邊界線L。
所述之散熱件33係藉由一結合層32設於該電子元件31之非作用面31b上。
於本實施例中，該散熱件33係具有一散熱體330與複數設於該散熱體330下側之支撐腳331。例如，該散熱體330係為散熱片並以下側接 觸該結合層32，且該支撐腳331係以膠體34結合於該承載結構2,2’之外圍區B上，並相對位於該承載結構2,2’之上表面。
再者，該結合層32係為導熱介面材(TIM)或一般導熱膠，並無特別限制。
又，於該散熱件33上可依需求形成第二間隔部36，如第3B圖所示之電子封裝件3”。例如，該散熱體330係於朝向該結合層32(或該電子元件31)之一側形成有凹部以做為該第二間隔部36，使該支撐腳331與該第二間隔部36位於該散熱體33之同一側。
進一步，如第3B’及3B”圖所示，該第二間隔部36係位於該結合層32(或該電子元件31)之佈設區域(如第3B’及3B”圖所示之虛線框)之外，即位於該散熱體330結合該結合層32(或該電子元件31)之區域之外。因此，可沿該散熱體330結合該電子元件31之處的輪廓邊緣(如該結合層32之輪廓邊緣外之區域C)形成凹部，以作為該第二間隔部36；或者，於該散熱體330與該支撐腳331之間的轉折角處上形成該第二間隔部36’，如第3B’圖所示；亦或，於該散熱體330之四個角落處形成該第二間隔部36a,36b,36c,36d,36e,36f,36g,36h。應可理解地，各角落所揭示之態樣可依需求配搭於單一散熱體330上，如四個角落都是同一種態樣或至少二種態樣的凹部組合。
另一方面，所述之凹部(即第一間隔部21與第二間隔部36)係為溝槽(slot)或孔洞(如第6A圖所示之承載結構6之凹部61及第6B圖所示之散熱件63之凹部66)，且該凹部(間隔部)係呈直線狀(如第5A圖所示之承載結構5之凹部51及第5B圖所示之散熱件53之凹部56)、曲線狀(如第 4A圖所示之承載結構4之凹部41b)、波浪狀(如第4A圖所示之承載結構4之凹部41a及第4B圖所示之散熱件43之凹部46)或鋸齒狀，並可依需求混合搭配成各種圖案型態，如環形。例如，該凹部(間隔部)可為連續線段形成之溝槽，或以多個孔洞排列成所需之圖案。因此，有關該凹部圖案可依需求設計，並無特別限制。
進一步，第4A及4B圖之基板4與散熱件43的結構組合係為第一最佳組合；第5A及5B圖之基板5與散熱件53的結構組合係為第二最佳組合；第6A及6B圖之基板6與散熱件63的結構組合係為第三最佳組合。
本發明之電子封裝件3,3’,3”係藉由該第一間隔部21與第二間隔部36之設計，以提升防翹曲的效果。具體地，第一最佳組合之防翹曲效果優於第二最佳組合之防翹曲效果，且第二最佳組合之防翹曲效果優於第三最佳組合之防翹曲效果。
本發明復提供一種電子封裝件3,3’,3”，係包括：一承載結構2,2’,2”、一設於該承載結構2,2’,2”上且電性連接該線路層22之電子元件31、及一設於該承載結構2,2’,2”上之散熱件33，其中，該散熱件33設有第二間隔部36，且該承載結構2,2’,2”係包括一絕緣板體2b、至少一設於該絕緣板體2b上之線路層22、以及設於該絕緣板體2b中而未電性連接該線路層22之第一間隔部21。
於一實施例中，該絕緣板體2b係包含一核心層20，其具有一絕緣芯部200，且該第一間隔部21貫穿該絕緣芯部200。進一步，該核心層20復具有至少一形成於該絕緣芯部200上之第一絕緣部203a與第二絕緣部 203b。例如，該第一絕緣部203a與第二絕緣部203b復形成於該第一間隔部21中。
於一實施例中，該絕緣板體2b係定義有一置晶區A及一圍繞該置晶區A周圍之外圍區B，以令該第一間隔部21位於該外圍區B。例如，該第一間隔部21係位於該外圍區B之輪廓邊緣及/或輪廓角落上。進一步，該外圍區B係定義一底膠邊界線L，以將該外圍區B分為鄰接該置晶區A之第一區域B1與最外側之第二區域B2，例如，該第一間隔部21係位於該外圍區B之第一區域B1及/或第二區域B2上。
於一實施例中，該第一間隔部21係為溝槽、孔洞或其組合。例如，該第一間隔部21的輪廓係呈直線狀、曲線狀、波浪狀、鋸齒狀或其組合。
於一實施例中，該散熱件33係包含有一結合該電子元件31之散熱體330與至少一設於該散熱體330上之支撐腳331，以令該散熱體330藉由該支撐腳331設於該承載結構2,2’,2”上，且該第二間隔部36係位於該散熱體330結合該電子元件31之側。
於一實施例中，該第二間隔部36係位於該散熱體330結合該電子元件31之區域之外。
於一實施例中，該第二間隔部36係為溝槽、孔洞或其組合。例如，該第二間隔部36的輪廓係呈直線狀、曲線狀、波浪狀、鋸齒狀或其組合。
綜上所述，本發明之電子封裝件及其承載結構與製法，係藉由該絕緣板體之間隔部之設計，以破壞(或斷開)該絕緣板體內部結構， 使結構應力不會連續集中於絕緣板體內，故本發明之承載結構能有效避免或降低翹曲之問題。
再者，該絕緣板體之間隔部中填充該絕緣體，不僅能吸收絕緣板體中之硬質材之應力釋放，且能吸收於後續的高溫製程所造成的熱形變。
上述實施例係用以例示性說明本發明之原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修改。因此本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。
2‧‧‧承載結構
2b‧‧‧絕緣板體
203‧‧‧絕緣體
21‧‧‧第一間隔部
22‧‧‧線路層
220‧‧‧導電通孔
23‧‧‧介電層
A‧‧‧置晶區
B‧‧‧外圍區

Claims (14)

  1. 一種承載結構，係包括：絕緣板體，係定義有置晶區及圍繞該置晶區周圍之外圍區，其中，該絕緣板體係包含核心層，其具有絕緣芯部及至少一形成於該絕緣芯部上之絕緣部；線路層，係設於該絕緣板體上；以及第一間隔部，係為溝槽、孔洞或其組合以設於該絕緣板體中且未電性連接該線路層，以令該第一間隔部貫穿該絕緣芯部，俾斷開該絕緣板體，使該絕緣板體內之結構應力不會連續集中，其中，該第一間隔部位於該絕緣板體之外圍區之輪廓邊緣及/或輪廓角落上，且該絕緣部復形成於該第一間隔部中。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之承載結構，其中，該外圍區係定義有底膠邊界線，以將該外圍區分為鄰接該置晶區之第一區域與最外側之第二區域。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之承載結構，其中，該第一間隔部係位於該外圍區之第一區域及/或第二區域上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之承載結構，其中，該第一間隔部的輪廓係呈直線狀、曲線狀、波浪狀、鋸齒狀或其組合。
  5. 一種承載結構之製法，係包括：提供一基材，該基材係定義有置晶區及圍繞該置晶區周圍之外圍區，其中，該基材係包含核心層，其具有絕緣芯部及至少一形成於該絕緣芯部上之絕緣部； 形成凹部於該基材中，且該凹部係為溝槽、孔洞或其組合，以令該凹部位於該外圍區之輪廓邊緣及/或輪廓角落上，其中，該凹部貫穿該核心層；形成金屬層於該基材上以遮蓋該凹部，並令該凹部作為間隔部，以斷開該基材，使該基材內之結構應力不會連續集中，其中，於形成該金屬層時，該絕緣部之部分材質填入該間隔部中，以於該間隔部中形成絕緣體；以及藉由該金屬層形成線路層，且該間隔部未電性連接該線路層。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之承載結構之製法，其中，該絕緣部藉由加壓加溫製程以形成於該間隔部中。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之承載結構之製法，其中，該外圍區係定義有底膠邊界線，以將該外圍區分為鄰接該置晶區之第一區域與最外側之第二區域。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之承載結構之製法，其中，該間隔部係位於該外圍區之第一區域及/或第二區域上。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之承載結構之製法，其中，該間隔部的輪廓係呈直線狀、曲線狀、波浪狀、鋸齒狀或其組合。
  10. 一種電子封裝件，係包括：如申請專利範圍第1項所述之承載結構；電子元件，係設於該承載結構之絕緣板體之置晶區上且電性連接該線路層；以及散熱件，係設於該承載結構上，其中，該散熱件具有第二間隔部。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之電子封裝件，其中，該散熱件係包含有一結合該電子元件之散熱體，且該第二間隔部係位於該散熱體結合該電子元件之側。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之電子封裝件，其中，該第二間隔部係位於該散熱體結合該電子元件之區域之外。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之電子封裝件，其中，該第二間隔部係為溝槽、孔洞或其組合。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之電子封裝件，其中，該第二間隔部的輪廓係呈直線狀、曲線狀、波浪狀、鋸齒狀或其組合。
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