TWI771474B - 雷射光束剖析器單元以及雷射加工裝置 - Google Patents
雷射光束剖析器單元以及雷射加工裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI771474B TWI771474B TW107129271A TW107129271A TWI771474B TW I771474 B TWI771474 B TW I771474B TW 107129271 A TW107129271 A TW 107129271A TW 107129271 A TW107129271 A TW 107129271A TW I771474 B TWI771474 B TW I771474B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- laser beam
- penetrating
- prism
- laser
- light
- Prior art date
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 90
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 31
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 39
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 30
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
- B23K26/702—Auxiliary equipment
- B23K26/705—Beam measuring device
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/0648—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/0652—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising prisms
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/0665—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by beam condensation on the workpiece, e.g. for focusing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/073—Shaping the laser spot
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
- B23K26/702—Auxiliary equipment
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
- G01J1/0477—Prisms, wedges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/4257—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to monitoring the characteristics of a beam, e.g. laser beam, headlamp beam
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/02—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the intensity of light
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
- G02B27/281—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising used for attenuating light intensity, e.g. comprising rotatable polarising elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
- B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
[課題] 提供一種雷射光束剖析器單元以及雷射加工裝置,可以正確地測量實際上照射在工件上之聚光後的雷射光束的輪廓。[解決手段] 一種剖析器單元,測量雷射振盪器24所振盪的雷射光線的強度分佈,該剖析器單元包含:擴大光學系統73,擴大雷射振盪器24所振盪並用聚光透鏡26聚光的雷射光線的光點直徑;第1穿透棱鏡72,使雷射光線衰減;第2穿透棱鏡74,進一步使該第1穿透棱鏡72所反射的雷射光線衰減;攝像元件77,接收此第2穿透棱鏡74所反射的雷射光線;以及解析部,從攝像元件77的受光資料解析雷射光線201的光點的強度分佈。
Description
本發明是有關於測量雷射振盪器所振盪的雷射光束的強度分佈之雷射光束剖析器單元以及雷射加工裝置。
一般而言,將雷射光束照射在由半導體元件晶圓等各種元件所形成的工件上,並沿著分割預定線在工件上形成雷射加工槽或改質層之雷射加工裝置已廣爲人知。在這種雷射加工裝置中,雷射光束的光點直徑、光點形狀(圓形或橢圓形等)及功率密度會因應工件而調整成最適當條件,使用於各種加工中。
另一方面,雷射振盪器及光學系統所使用的光學元件由於例如隨著時間變化而劣化,會慢慢地從調整好的最佳條件進行變化。因此,以往提出一種測量雷射光束的光點形狀及強度分佈等的狀況(輪廓)之技術(參照例如專利文獻1、2)。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利特開2010-249727號公報 [專利文獻2] 日本專利特開2016-41437號公報
[發明所欲解決的課題] 然而,專利文獻1的技術並非測量照射在工件之聚光後的雷射光束,而是測量聚光前的雷射光束的輪廓。雷射光束在光路中具有容易變動的性質,因此在這種構成中,會有一種缺點,即無法正確取得有關實際照射在工件上之雷射光束的資訊。又,專利文獻2的技術爲了測量將振盪的雷射光束用凹面鏡反射的回光的輪廓,聚光前的雷射光束及測量對象的回光會重疊,會有無法保證測量精度之虞。
由此,本發明的目的是提供一種雷射光束剖析器單元以及雷射加工裝置,可以正確地測量實際照射在工件上之聚光後的雷射光束的輪廓。
[解決課題的技術手段] 依據本發明的一個方案,是提供一種雷射光束剖析器單元,測量從配備在雷射加工裝置中的雷射振盪器所振盪的雷射光束的強度分佈,該雷射光束剖析器單元具備:擴大光學系統,擴大該雷射振盪器所振盪並用聚光透鏡聚光的該雷射光束的光點直徑;第1穿透棱鏡,使該雷射光束衰減;第2穿透棱鏡,進一步使該第1穿透棱鏡所反射的雷射光束衰減;攝像元件,接收該第2穿透棱鏡所反射的該雷射光束;以及解析部,從該攝像元件的受光資料解析雷射光束的光點的強度分佈。
根據此構成,聚光後的雷射光束不用回到加工光學系統,藉由衰減時擴大而拍攝,可以正確地測量實際照射在工件上的雷射光束的光點的強度分佈及光點的形狀。
較佳為,由該第1穿透棱鏡及該第2穿透棱鏡構成一對穿透棱鏡,藉由該對穿透棱鏡的其中一方的P偏光的衰減率高,另一方的該穿透棱鏡的S偏光的衰減率高,藉此P偏光及S偏光相同地衰減。根據此構成,由於P偏光及S偏光相同地衰減,可以正確地測量P偏光及S偏光混合的雷射光束的光點的強度分佈。
較佳為,第1及第2穿透棱鏡是以直角等腰三角形爲底面之三角柱狀的棱鏡,該雷射光束射入三角柱的側面,該三角柱包含形成直角等腰三角形的直角的邊。根據此構成,將雷射光束射入三角柱的側面,該三角柱包含形成直角等腰三角形的直角的邊,藉此透射穿透棱鏡的光的一部分即使在穿透棱鏡內進行內部反射,此內部反射光也不會在上述側面上與反射的反射光交叉,因此可以抑制鬼影的產生,並正確地僅測量反射光。
依據本發明的另一個方案,是提供一種雷射加工裝置,具備:雷射光束照射單元,將雷射光束照射至保持在卡盤台上的工件;控制單元,控制該雷射光束照射單元的雷射光束照射條件;以及雷射光束剖析器單元,測量該雷射光束的光點的強度分佈;該雷射光束剖析器單元包含:擴大光學系統,擴大該雷射振盪器所振盪並用聚光透鏡聚光的該雷射光束的光點直徑;第1穿透棱鏡,使該雷射光束衰減;第2穿透棱鏡,進一步使該第1穿透棱鏡所反射的雷射光束衰減;受光元件,接收該第2穿透棱鏡所反射的該雷射光束;及解析部,從該受光元件的受光資料解析該雷射光束的光點直徑的強度分佈。
在此構成中,該雷射光束照射單元具備:雷射振盪器,將雷射光束振盪;聚光透鏡,將該雷射光束聚光;及擴大光學系統,從該雷射振盪器引導該雷射光束往該聚光透鏡;該擴大光學系統將該雷射光束的光點形狀進行整形。
[發明功效] 根據本發明,聚光後的雷射光束不用回到加工光學系統,藉由衰減並擴大而拍攝,可以正確地測量實際照射在工件上的雷射光束的光點的強度分佈及光點的形狀。
以下參照圖式並詳細說明關於用來實施本發明的方式(實施方式)。本發明並不限於以下實施方式所記載的內容。又,以下所記載的構成要素中包含本領域習知技術者可以容易思及的要素、實質上相同的要素。再者,以下所記載的構成可以適宜地進行組合。又,在不超出本發明的主旨的範圍內,可以進行構成的各種省略、取代或變更。
圖1是表示本實施方式之雷射加工裝置的立體圖。如圖1所示,雷射加工裝置1具備:卡盤台10,保持住作爲工件的晶圓100;及雷射照射部(雷射照射單元)20,將雷射光線(雷射光束)照射至晶圓100。晶圓100是以矽爲母材的圓板狀的半導體晶圓、以藍寶石或SiC(矽碳化物)等爲母材的光元件晶圓、元件被樹脂封裝的封裝基板、或陶瓷基板等的板狀物等。晶圓100在藉由正面上形成之格子狀的多條分割預定線所劃分的多個區域上形成元件103。晶圓100透過黏貼在背面的黏著膠帶105而被環狀框架106所支撐。
雷射加工裝置1沿著被卡盤台10保持的晶圓100的分割預定線,從雷射照射部20照射雷射光線而形成雷射加工槽。又,也可以在晶圓100的分割預定線上照射雷射光線而在分割預定線上形成改質層。改質層是指在晶圓100中的密度、折射率、機械強度或其他物理特性與周圍成不同狀態的區域。
又,雷射加工裝置1具備:X軸移動部(加工進給部)30,將卡盤台10沿著X軸方向(加工進給方向)移動;及Y軸移動部(分度進給部)40,將卡盤台10沿著Y軸方向(分度進給方向)移動。藉此,卡盤台10與雷射照射部20成爲在上述X軸方向及Y軸方向上可以各自相對移動的構成。
雷射加工裝置1具備:卡匣載置台55,載置卡匣50,該載置卡匣50容納被環狀框架106支撐的晶圓100;旋轉洗浄部60,洗淨雷射加工後的晶圓100;及搬送部65,將晶圓100搬送至上述的各部位。又,在本構成中,雷射加工裝置1具備剖析器單元(雷射光束剖析器單元、強度分佈單元)70,測量雷射照射部20照射的雷射光線的光點形狀及強度分佈等的輪廓。
在對晶圓100進行雷射加工時,卡盤台10保持該晶圓100。在本構成中,晶圓100在藉由黏著膠帶105而被環狀框架106保持的形態下被卡盤台10保持。卡盤台10具有:保持面11,載置並吸引晶圓100及環狀框架106;及夾具部12,配置多個在此保持面11的外周側,固定環狀框架106。
雷射照射部20固定在裝置本體2的壁部3,朝向被卡盤台10保持的晶圓100照射雷射光線。雷射照射部20具備:照射頭(聚光器)21,將雷射光線朝向晶圓100照射;攝像部22,與該照射頭21在X軸方向上並列配置;及本體部23,保持該些照射頭21及攝像部22。攝像部22是照相機,拍攝卡盤台10上的晶圓100的配置狀況及對晶圓100的加工狀況等,在本實施方式中使用一般的照相機或紅外線照相機。關於照射頭21及本體部23的內部構成,會在之後敘述。
X軸移動部30具備:滾珠螺桿31,延伸在X軸方向上;導軌32,與滾珠螺桿31平行配設;脈衝馬達33,連結在滾珠螺桿31的一端,用來使滾珠螺桿31旋動;及滑動板34,下部與導軌32滑接並且在內部具有與滾珠螺桿31螺合的螺帽(未圖示)。滑動板34會隨着滾珠螺桿31的旋動,被導軌32引導而在X軸方向上移動。又,在內部具備有脈衝馬達(未圖示)的旋轉驅動部35固定在滑動板34上,旋轉驅動部35可以使卡盤台10旋轉預定的角度。在本實施方式中,例如依據攝像部22所拍攝的晶圓100的影像,旋轉卡盤台10(晶圓100)而使互相交叉的分割預定線各自朝向X軸方向及Y軸方向。
Y軸移動部40具備:滾珠螺桿41,延伸在Y軸方向上;導軌42,與滾珠螺桿41平行配設;脈衝馬達43,連結在滾珠螺桿41的一端,使滾珠螺桿41旋動;及滑動板44,下部與導軌42滑接並且在內部具有與滾珠螺桿41螺合的螺帽(未圖示)。Y軸移動部40載置在裝置本體2上,隨著滾珠螺桿41的旋動,滑動板44會被導軌42導引而在Y軸方向上移動。在滑動板44上配設有上述的X軸移動部30,隨著滑動板44在Y軸方向的移動,X軸移動部30也會在相同方向上移動。
卡匣50容納有多片晶圓100,該晶圓100爲透過黏著膠帶105而被環狀框架106支撐的形態。卡匣載置台55設置在裝置本體2上,可在Z軸方向上升降自如。剖析器單元70具備:單元本體71,可以接收照射頭21所照射的雷射光線;及解析部80,從該單元本體71所接收的雷射光線來解析該雷射光線的強度分佈。
接著,針對剖析器單元70進行說明。單元本體71如圖2及圖3所示,懸吊支撐在從裝置本體2的壁部3沿著Y軸方向延伸的導軌4上。單元本體71具有延伸在上方的支撐部71A,該支撐部71A連結至導軌4內所容納的滾珠螺桿的螺帽部(未圖示)。並且,該滾珠螺桿藉由馬達(未圖示)而旋轉,藉此單元本體71可以沿著導軌4移動的構成。又,單元本體71具備受光部71B,其位在與照射頭21對向的面的下部,受光照射頭21所照射的雷射光線。在測量雷射光線的輪廓之測量時,單元本體71如圖2所示,沿著導軌4朝向箭頭Y1方向移動而將受光部71B定位在照射頭21與卡盤台10之間的測量位置上。又,在雷射加工時,單元本體71如圖3所示,沿著導軌4朝向箭頭Y2方向移動而將受光部71B定位在從照射頭21的下方退避的退避位置上。此外,作爲使剖析器單元70的單元本體71移動之構成,除了使用上述的滾珠螺桿及馬達的直動機構外,使用例如汽缸的進退機構亦可。又,在本實施方式中,將使單元本體71移動的構成視爲固定在裝置本體2的壁部3的構成而進行了說明,但是並不受此所限,例如固定在裝置本體2的上面部等亦可。
如圖5所示,在雷射照射部20的本體部23容納有:雷射振盪器24,振盪雷射光線200;及光學系統(未圖示),傳送該振盪的雷射光線200。該雷射振盪器24藉由控制單元(未圖示),因應晶圓100的類型、加工形態等,適宜地調整振盪的雷射光線的波長(頻率)、輸出及重複頻率。照射頭21被構成爲包含有將雷射振盪器24所振盪的雷射光線200的行進方向朝向下方變更的全反射鏡25,及將雷射光線200聚光的聚光透鏡26等。該聚光透鏡26是由組合多個凸透鏡及凹透鏡的組合透鏡所構成,將聚光後的雷射光線201輸出。照射頭21藉由聚光透鏡26等的光學系統的調整,可以將雷射光線201的聚光位置(焦點位置)在Z軸方向(圖1;鉛直方向)上調整,或藉由柱面透鏡或遮罩等將光點形狀修正成橢圓或矩形等任意的形狀。
單元本體71如圖4及圖5所示,具備:4個穿透棱鏡72、74、75、76,將照射頭21所照射的雷射光線201衰減並傳送;攝像元件77,接收傳送來的雷射光線206;擴大光學系統73,配置在穿透棱鏡(第1穿透棱鏡)72與穿透棱鏡(第2穿透棱鏡)74之間。穿透棱鏡72配置在單元本體71的受光部71B上。
穿透棱鏡72、74、75、76如圖4所示,都是以直角等腰三角形爲底面之三角柱狀的棱鏡,將包含形成直角等腰三角形的直角的邊之三角柱的側面72A、74A、75A、76A各自作爲雷射光線的入射面。穿透棱鏡72、74、75、76使射入之雷射光線的大部分(例如約96%)穿透,將剩下的些許量(約2~4%)反射並傳送,藉此使該雷射光線的能量密度衰減至不會損傷攝像元件77並可以拍攝的程度。在本構成中,可以將傳送至攝像元件77之雷射光線206的能量密度衰減至被聚光透鏡26聚光之雷射光線201的約1/40萬。
穿透棱鏡72如圖5及圖6所示,在使包含直角等腰三角形的斜邊之三角柱的側面72B沿著垂直方向的形態下被保持構件78保持。穿透棱鏡72利用側面72A將從照射頭21朝向鉛直下方照射的雷射光線201朝水平方向反射。該反射的雷射光線202在擴大光學系統73成爲光點直徑擴大的雷射光線203,並傳送至穿透棱鏡74。穿透棱鏡74如圖4及圖5所示,在使三角柱的側面74B沿著水平方向的形態下被保持構件78保持。穿透棱鏡74將雷射光線203的行進方向藉由側面74A在水平面內彎曲90°反射,並將該反射的雷射光線204傳送至穿透棱鏡75。
在本實施方式中,穿透棱鏡72與穿透棱鏡74構成一對的穿透棱鏡。一般而言,已知雷射光線具有相位90°差異的S偏光與P偏光。此種S偏光與P偏光由於反射率不同,在使多個穿透棱鏡反射並傳送的構成中,會有在S偏光與P偏光的衰減率上產生偏移之虞。在本實施方式中可以構成爲:藉由使穿透棱鏡72之包含直角等腰三角形的斜邊的側面72B沿著垂直方向配置,且使穿透棱鏡74之三角柱的端面74C沿著水平方向配置,在穿透棱鏡72中其中一方的偏光的衰減率高,在穿透棱鏡74中另一方的偏光的衰減率高。藉由使該些穿透棱鏡72與穿透棱鏡74成爲一對的穿透棱鏡,可以得到S偏光與P偏光平衡良好地相同衰減的雷射光線204。
相同地,穿透棱鏡(第2穿透棱鏡)75與穿透棱鏡(第1穿透棱鏡)76構成一對的穿透棱鏡。穿透棱鏡75如圖4所示,在使三角柱的端面75C沿著水平方向的形態下被保持構件78(圖5)保持。穿透棱鏡75將雷射光線204的行進方向藉由側面75A在水平面內彎曲90°反射,並將此反射的雷射光線205傳送至穿透棱鏡76。穿透棱鏡76在使包含直角等腰三角形的斜邊之三角柱的側面76B沿著鉛直方向的形態下被保持構件78(圖5)保持。穿透棱鏡76將雷射光線205利用側面76A反射至鉛直上方,並將該反射雷射光線206傳送至攝像元件77。藉由此種構成,可以得到S偏光與P偏光平衡良好地相同衰減的雷射光線206。
攝像元件77是具有檢測雷射光線206並使電荷產生之光電變換元件的元件,例如CCD元件。擴大光學系統73是將射入的雷射光線的光點直徑擴大的系統,具備有將多個的凹透鏡及凸透鏡組合而構成之所謂的對物透鏡的構成。在本構成中藉由擴大光學系統73,具有擴大後的光點直徑的雷射光線被傳送至攝像元件77並被拍攝,因此可以正確地測量光點直徑的形狀。在本實施方式中,擴大光學系統73是配置在穿透棱鏡72與穿透棱鏡74之間的構成,但是並不受此所限,只要是在雷射照射部20的照射頭21與攝像元件77之間,可以將順序自由變更。
解析部80如圖4所示,具備:影像處理部81及資料接收部82。資料接收部82會接收攝像元件77所拍攝的影像。攝像元件77所拍攝的影像是表示衰減後之雷射光線206的強度分佈的影像,例如成爲強度最強的中心明亮並隨著往周圍擴散而漸漸變暗的影像。影像處理部81是例如將拍攝的影像的濃淡值變換處理爲有限等級的離散值。解析部80依據從變換的離散值所算出的雷射光線206的強度分佈,解析衰減前,即照射頭21所照射的雷射光線201的強度分佈、光點直徑及光點形狀。
依據本構成,藉由穿透棱鏡72、74、75、76及擴大光學系統73,由於將照射頭21所照射的雷射光線201衰減並擴大光點直徑且拍攝此衰減及擴大的雷射光線206,因此該雷射光線201不用回到加工光學系統,即可正確地測量實際照射至晶圓100的雷射光線201的輪廓。
又,由於被構成爲由穿透棱鏡72與穿透棱鏡74構成一對的穿透棱鏡,在穿透棱鏡72中其中一方(S偏光)的衰減率高,在穿透棱鏡74中另一方(P偏光)的衰減率高,因此可以得到S偏光與P偏光平衡良好地相同衰減的雷射光線204,而可以正確地測量P偏光與S偏光混合的雷射光線201的光點的強度分佈。
又,穿透棱鏡72、74、75、76是以直角等腰三角形爲底面(端面)的三角柱狀的棱鏡,由於雷射光線射入包含形成直角等腰三角形的直角的邊的三角柱的側面72A、74A、75A、76A,即使穿透各穿透棱鏡72、74、75、76的光的一部分在穿透棱鏡72、74、75、76內進行內部反射,此內部反射光也不會與在上述側面72A、74A、75A、76A反射的反射光交叉,因此可以抑制鬼影的產生,正確地只測量到反射光。
此處,在本構成中,在穿透棱鏡72、74、75、76的配置上進行了苦心改良。一般而言,會有將穿透棱鏡之面積大的面作爲雷射光線的入射面而使用的傾向。因此,穿透棱鏡72如圖8所示,設想的構成爲以包含直角等腰三角形的斜邊的三角柱的側面72B作爲雷射光線射入的面。此時,由於將雷射光線201利用側面72B朝水平方向反射,因此穿透棱鏡72被配置成雷射光線201與側面72B的入射角θ成45°。
在此構成中,從穿透棱鏡72穿透的穿透光210的一部分在穿透棱鏡72內進行內部反射,可能會產生此內部反射光211與雷射光線202重疊之鬼影光線的問題。若內部反射光211與雷射光線202重疊,則可設想將無法測量正確的輪廓。
針對這點,在本構成中,如圖7所示,穿透棱鏡72以包含形成直角等腰三角形的直角的邊之三角柱的側面72A作爲各個雷射光線射入的面,穿透棱鏡72被配置成雷射光線201對側面72A的入射角θ成45°。在此構成中,即使穿透光210的一部分在穿透棱鏡72內進行內部反射,由於此內部反射光211朝與雷射光線202不同的方向射出,因此內部反射光211與雷射光線202重疊的鬼影光線的問題不會產生。因此,取得了藉由反射的雷射光線202(含204、205、206)即可測量正確的輪廓之效果。
再者,本發明並不受限於上述實施方式。亦即,可在不脫離本發明主旨的範圍內,進行各種變形並實施。例如,在本實施方式中,爲了將S偏光與P偏光平衡良好地相同衰減,其構成爲具備一對的穿透棱鏡72、74及另一對的穿透棱鏡75、76,但是只要能將傳送至攝像元件77的雷射光線衰減至期望的衰減率,即可適宜地變更穿透棱鏡的對數。
1‧‧‧雷射加工裝置10‧‧‧卡盤台20‧‧‧雷射照射部(雷射照射單元)21‧‧‧照射頭24‧‧‧振盪器(雷射振盪器)25‧‧‧全反射鏡(光學系統)26‧‧‧聚光透鏡70‧‧‧剖析器單元(雷射光束剖析器單元)71‧‧‧單元本體71B‧‧‧受光部72、76‧‧‧穿透棱鏡(第1穿透棱鏡)72A、74A、75A、76A‧‧‧側面72B、74B、75B、76B‧‧‧側面74C、75C‧‧‧端面73‧‧‧擴大光學系統74、75‧‧‧穿透棱鏡(第2穿透棱鏡)77‧‧‧攝像元件80‧‧‧解析部81‧‧‧影像處理部82‧‧‧資料接收部100‧‧‧晶圓(工件)200、201、202、203、204、205、206‧‧‧雷射光線(雷射光束)210‧‧‧穿透光211‧‧‧內部反射光
圖1是表示本實施方式之雷射加工裝置的立體圖。 圖2是表示剖析器單元的單元本體移動至照射頭之下方的測量位置之狀態的概略圖。 圖3是表示單元本體從照射頭移動至退避的退避位置之狀態的概略圖。 圖4是表示雷射照射部及剖析器單元之內部構成的立體圖。 圖5是表示雷射照射部及剖析器單元之內部構成的側面圖。 圖6是表示聚光透鏡、穿透棱鏡及擴大光學系統之配置關係的圖。 圖7是表示在穿透棱鏡中以包含形成直角等腰三角形的直角的邊之三角柱的側面作爲光的入射面時在該面反射的反射光與穿透棱鏡的內部反射光之關係的圖。 圖8是表示在穿透棱鏡中以包含直角等腰三角形的斜邊之三角柱的側面作爲光的入射面時在該面反射的反射光與穿透棱鏡的內部反射光之關係的圖。
20‧‧‧雷射照射部(雷射照射單元)
21‧‧‧照射頭
23‧‧‧本體部
24‧‧‧振盪器(雷射振盪器)
25‧‧‧全反射鏡(光學系統)
26‧‧‧聚光透鏡
71‧‧‧單元本體
71B‧‧‧受光部
72、76‧‧‧穿透棱鏡(第1穿透棱鏡)
72A、76A‧‧‧側面
72B、76B‧‧‧側面
73‧‧‧擴大光學系統
74、75‧‧‧穿透棱鏡(第2穿透棱鏡)
77‧‧‧攝像元件
78‧‧‧保持構件
80‧‧‧解析部
200、201、202、203、205、206‧‧‧雷射光線(雷射光束)
Claims (17)
- 一種雷射光束剖析器單元,測量配備在雷射加工裝置中的雷射振盪器所振盪的雷射光束的強度分佈,該雷射光束剖析器單元具備:擴大光學系統,擴大該雷射振盪器所振盪並用聚光透鏡聚光的該雷射光束的光點直徑;第1穿透棱鏡,使該雷射光束衰減;第2穿透棱鏡,進一步使該第1穿透棱鏡所反射的雷射光束衰減;攝像元件,接收該第2穿透棱鏡所反射的該雷射光束;以及解析部,從該攝像元件的受光資料解析雷射光束的光點的強度分佈。
- 如申請專利範圍第1項所述之雷射光束剖析器單元,其中由該第1穿透棱鏡及該第2穿透棱鏡構成一對穿透棱鏡,而使相位差異之偏光相同地衰減。
- 如申請專利範圍第1項所述之雷射光束剖析器單元,其中該擴大光學系統配置於該第1穿透棱鏡之前。
- 如申請專利範圍第1項所述之雷射光束剖析器單元,進一步具備:第3穿透棱鏡,進一步使該第2穿透棱鏡所反射的雷射光束衰減;以及第4穿透棱鏡,進一步使該第3穿透棱鏡所反射的雷射光束衰減。
- 如申請專利範圍第1項所述之雷射光束剖析器單元,其中該第1穿透棱鏡與該第2穿透棱鏡將射入之雷射光束的些許量約2~4%反射。
- 如申請專利範圍第1項所述之雷射光束剖析器單元,其中該第1穿透棱鏡與該第2穿透棱鏡將該雷射光束衰減至該雷射振盪器所振盪而被該聚光透鏡聚光之該雷射光束的能量密度的至少1/40萬。
- 如申請專利範圍第1項所述之雷射光束剖析器單元,其中該第1穿透棱鏡與該第2穿透棱鏡分別將該雷射光束彎曲90°反射。
- 一種雷射光束剖析器單元,測量配備在雷射加工裝置中的雷射振盪器所振盪的雷射光束的強度分佈,該雷射光束剖析器單元具備: 擴大光學系統,擴大該雷射振盪器所振盪並用聚光透鏡聚光的該雷射光束的光點直徑;第1穿透棱鏡,使該雷射光束衰減;第2穿透棱鏡,進一步使該第1穿透棱鏡所反射的雷射光束衰減;攝像元件,接收該第2穿透棱鏡所反射的該雷射光束;以及解析部,從該攝像元件的受光資料解析雷射光束的光點的強度分佈,由該第1穿透棱鏡及該第2穿透棱鏡構成一對穿透棱鏡,藉由該對穿透棱鏡的其中一方的P偏光的衰減率高,另一方的該穿透棱鏡的S偏光的衰減率高,藉此P偏光及S偏光相同地衰減。
- 如申請專利範圍第1項或第8項所述之雷射光束剖析器單元,其中該對穿透棱鏡是以直角等腰三角形為底面之三角柱狀的棱鏡,該雷射光束射入三角柱的側面,該三角柱包含形成直角等腰三角形的直角的邊。
- 如申請專利範圍第8項所述之雷射光束剖析器單元,進一步具備至少一對追加的穿透棱鏡,每對該追加的穿透棱鏡使P偏光與S偏光相同地衰減。
- 一種雷射加工裝置,具備:雷射光束照射單元,將雷射光束照射至保持在卡盤台上的工件;控制單元,控制該雷射光束照射單元的雷射光束照射條件;以及雷射光束剖析器單元,測量該雷射光束的光點的強度分佈;該雷射光束剖析器單元包含:擴大光學系統,擴大雷射振盪器所振盪並用聚光透鏡聚光的該雷射光束的光點直徑;第1穿透棱鏡,使該雷射光束衰減;第2穿透棱鏡,進一步使該第1穿透棱鏡所反射的雷射光束衰減;受光元件,接收該第2穿透棱鏡所反射的該雷射光束;以及解析部,從該受光元件的受光資料解析該雷射光束的光點直徑的強度分佈。
- 如申請專利範圍第11項所述之雷射加工裝置,其中該雷射光束照射單元具備:雷射振盪器,將雷射光束振盪;聚光透鏡,將該雷射光束聚光;以及擴大光學系統,從該雷射振盪器引導該雷射光束至該聚光透鏡;該擴大光學系統將該雷射光束的光點形狀進行整形。
- 如申請專利範圍第11項所述之雷射加工裝置,其中該擴大光學系統配置於該第1穿透棱鏡之前。
- 如申請專利範圍第11項所述之雷射加工裝置,其中由該第1穿透棱鏡及該第2穿透棱鏡構成一對穿透棱鏡,而使相位差異之偏光相同地衰減。
- 如申請專利範圍第11項所述之雷射加工裝置,其中該第1穿透棱鏡與該第2穿透棱鏡將射入之雷射光束的些許量約2~4%反射。
- 如申請專利範圍第11項所述之雷射加工裝置,其中該第1穿透棱鏡與該第2穿透棱鏡將該雷射光束衰減至該雷射振盪器所振盪而被該聚光透鏡聚光之該雷射光束的能量密度的至少1/40萬。
- 如申請專利範圍第11項所述之雷射加工裝置,其中該第1穿透棱鏡與該第2穿透棱鏡分別將該雷射光束彎曲90°反射。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017162558A JP6955932B2 (ja) | 2017-08-25 | 2017-08-25 | レーザービームプロファイラユニット及びレーザー加工装置 |
JP2017-162558 | 2017-08-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201913049A TW201913049A (zh) | 2019-04-01 |
TWI771474B true TWI771474B (zh) | 2022-07-21 |
Family
ID=65321925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107129271A TWI771474B (zh) | 2017-08-25 | 2018-08-22 | 雷射光束剖析器單元以及雷射加工裝置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10532433B2 (zh) |
JP (1) | JP6955932B2 (zh) |
KR (1) | KR102480251B1 (zh) |
CN (1) | CN109454324B (zh) |
DE (1) | DE102018214335A1 (zh) |
SG (1) | SG10201807226RA (zh) |
TW (1) | TWI771474B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022537450A (ja) * | 2019-06-22 | 2022-08-25 | オフィール-スピリコン エルエルシー | レーザビームプロファイリング及びレーザビーム特性評価システムとともに使用されるナノテクスチャ減衰器及びその使用方法 |
WO2021220477A1 (ja) * | 2020-04-30 | 2021-11-04 | 株式会社ニコン | 加工システム |
CN112769026A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-05-07 | 洛阳鼎铭光电科技有限公司 | 一种激光反射透镜组及方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4660975A (en) * | 1983-07-22 | 1987-04-28 | Crosfield Electronics Limited | Controlling light beam spectrum |
US5951891A (en) * | 1997-03-24 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | Optical apparatus for monitoring profiles of textured spots during a disk texturing process |
TW201012579A (en) * | 2008-09-09 | 2010-04-01 | Electro Scient Ind Inc | Adaptive optic beamshaping in laser processing systems |
CN103155106A (zh) * | 2011-06-15 | 2013-06-12 | 株式会社日本制钢所 | 激光处理装置和激光处理方法 |
CN104697649A (zh) * | 2015-03-02 | 2015-06-10 | 中国科学院物理研究所 | 单发激光脉冲检测装置 |
TW201719126A (zh) * | 2015-11-09 | 2017-06-01 | 耐諾股份有限公司 | 用於樣本之光譜成像之光學計量系統 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5258821A (en) * | 1990-04-20 | 1993-11-02 | Photon, Inc. | Laser beam profiler having a multimode laser diode interferometer |
JPH0474934A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-10 | Canon Inc | ビーム特性測定装置 |
JPH04333846A (ja) * | 1991-05-09 | 1992-11-20 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | レチクルマスクの異物検出光学系 |
JP3594706B2 (ja) * | 1995-08-22 | 2004-12-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光源位置調整装置 |
IT1290575B1 (it) * | 1997-03-07 | 1998-12-10 | Cise Spa | Dispositivo per la caratterizzazione di fasci laser |
JP2001068829A (ja) * | 1999-06-21 | 2001-03-16 | Fine Device:Kk | プリント配線板の短絡部分の切断方法及び装置 |
US6624424B2 (en) * | 2000-02-09 | 2003-09-23 | Lambda Physik Ag | VUV laser beam characterization system |
JP2004512690A (ja) * | 2000-10-26 | 2004-04-22 | エグシル テクノロジー リミテッド | レーザ加工の制御 |
JP2002188975A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 圧力センサモジュール |
JP2002188957A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Ando Electric Co Ltd | 光パワーセンサ |
US7846152B2 (en) * | 2004-03-24 | 2010-12-07 | Amo Manufacturing Usa, Llc. | Calibrating laser beam position and shape using an image capture device |
US7244906B2 (en) * | 2005-08-30 | 2007-07-17 | Electro Scientific Industries, Inc. | Energy monitoring or control of individual vias formed during laser micromachining |
US7885167B2 (en) * | 2005-11-29 | 2011-02-08 | Konica Minolta Opto, Inc. | Objective lens for optical pickup apparatus, objective lens unit for optical pickup apparatus and optical pickup apparatus using the same |
JP2007240254A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | レーザ装置、レーザ照射装置の強度プロファイル計測方法、レーザ照射装置 |
JP4514767B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2010-07-28 | 日立ビアメカニクス株式会社 | レーザエネルギ測定装置とレーザ加工装置 |
JP4402708B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2010-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法 |
CN101318264B (zh) * | 2008-07-07 | 2011-01-12 | 苏州德龙激光有限公司 | 用于晶圆切割的紫外激光加工设备 |
JP2010249727A (ja) | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ光強度測定方法およびカメラ付き携帯電話 |
JP2011243642A (ja) * | 2010-05-14 | 2011-12-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置および光装置 |
SG177786A1 (en) * | 2010-07-13 | 2012-02-28 | Semiconductor Tech & Instr Inc | System and method for capturing illumination reflected in multiple directions |
FR2974176B1 (fr) * | 2011-04-14 | 2014-01-17 | Centre Nat Rech Scient | Analyseur spatial de faisceau laser a reglage automatique |
JP5902490B2 (ja) * | 2012-01-25 | 2016-04-13 | 株式会社ディスコ | レーザー光線のスポット形状検出方法およびスポット形状検出装置 |
JP5902540B2 (ja) * | 2012-04-02 | 2016-04-13 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
KR20140142856A (ko) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 장치 및 이를 이용한 결정화 방법 |
WO2015033494A1 (ja) * | 2013-09-09 | 2015-03-12 | 三菱電機株式会社 | レーザー走査装置 |
WO2015115301A1 (ja) * | 2014-01-30 | 2015-08-06 | 三菱電機株式会社 | ビーム結合装置およびビーム結合装置の出力回復方法 |
JP6328521B2 (ja) * | 2014-08-18 | 2018-05-23 | 株式会社ディスコ | レーザー光線のスポット形状検出方法 |
CN107431327B (zh) * | 2015-03-13 | 2018-10-30 | 日产自动车株式会社 | 光衰减装置 |
JP6576061B2 (ja) * | 2015-03-13 | 2019-09-18 | 日産自動車株式会社 | レーザビームの強度分布測定装置およびレーザビームの強度分布測定方法 |
GB2541412B (en) * | 2015-08-18 | 2018-08-01 | M Solv Ltd | Method and Apparatus for Forming a Conductive Track |
CN105387933B (zh) * | 2015-12-24 | 2019-02-26 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种宽波段布儒斯特窗口调节装置及方法 |
CN106938370B (zh) * | 2015-12-30 | 2019-12-24 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种激光加工系统及方法 |
-
2017
- 2017-08-25 JP JP2017162558A patent/JP6955932B2/ja active Active
-
2018
- 2018-08-14 KR KR1020180094764A patent/KR102480251B1/ko active IP Right Grant
- 2018-08-22 TW TW107129271A patent/TWI771474B/zh active
- 2018-08-23 CN CN201810965621.1A patent/CN109454324B/zh active Active
- 2018-08-24 DE DE102018214335.8A patent/DE102018214335A1/de active Pending
- 2018-08-24 US US16/111,413 patent/US10532433B2/en active Active
- 2018-08-24 SG SG10201807226RA patent/SG10201807226RA/en unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4660975A (en) * | 1983-07-22 | 1987-04-28 | Crosfield Electronics Limited | Controlling light beam spectrum |
US5951891A (en) * | 1997-03-24 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | Optical apparatus for monitoring profiles of textured spots during a disk texturing process |
TW201012579A (en) * | 2008-09-09 | 2010-04-01 | Electro Scient Ind Inc | Adaptive optic beamshaping in laser processing systems |
CN103155106A (zh) * | 2011-06-15 | 2013-06-12 | 株式会社日本制钢所 | 激光处理装置和激光处理方法 |
CN104697649A (zh) * | 2015-03-02 | 2015-06-10 | 中国科学院物理研究所 | 单发激光脉冲检测装置 |
TW201719126A (zh) * | 2015-11-09 | 2017-06-01 | 耐諾股份有限公司 | 用於樣本之光譜成像之光學計量系統 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109454324A (zh) | 2019-03-12 |
US10532433B2 (en) | 2020-01-14 |
JP2019039830A (ja) | 2019-03-14 |
TW201913049A (zh) | 2019-04-01 |
US20190061063A1 (en) | 2019-02-28 |
SG10201807226RA (en) | 2019-03-28 |
CN109454324B (zh) | 2021-11-30 |
DE102018214335A1 (de) | 2019-02-28 |
KR20190022337A (ko) | 2019-03-06 |
JP6955932B2 (ja) | 2021-10-27 |
KR102480251B1 (ko) | 2022-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI771474B (zh) | 雷射光束剖析器單元以及雷射加工裝置 | |
TW201922395A (zh) | 雷射加工裝置及輸出確認方法 | |
JP6955893B2 (ja) | レーザー加工装置の高さ位置検出ユニットの評価用治具及びレーザー加工装置の高さ位置検出ユニットの評価方法 | |
TW201341097A (zh) | 雷射加工裝置 | |
KR102232092B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
TW202046393A (zh) | 雷射振盪器支撐工作台、雷射加工裝置及雷射振盪器支撐工作台之調整方法 | |
KR20210070909A (ko) | 레이저 빔 조정 기구 및 레이저 가공 장치 | |
JP6388522B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
TWI785048B (zh) | 反射率檢測裝置 | |
JP2020163466A (ja) | アフォーカル光学系、レーザ加工装置及び亀裂検出装置 | |
CN112091412B (zh) | 反射率测量装置和激光加工装置 | |
JP7164584B2 (ja) | 光電子ユニット用測定装置 | |
JP7475211B2 (ja) | レーザー加工装置の検査方法 | |
JP6625928B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
JP7292798B2 (ja) | 傾き確認方法 | |
JP7292797B2 (ja) | 傾き確認方法 | |
JP7296834B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
WO2021215064A1 (ja) | 撮像装置 | |
JP7433715B2 (ja) | レーザー加工装置及び集光レンズの状態確認方法 | |
CN108982536B (zh) | 一种颗粒检测装置及方法 | |
JP5940936B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
TW202232590A (zh) | 雷射加工裝置 | |
TW202110563A (zh) | 光軸調整治具及雷射加工裝置之光軸確認方法 | |
TW202346014A (zh) | 雷射加工裝置和雷射加工方法 | |
TW202110562A (zh) | 雷射加工裝置之光軸確認方法 |