TWI771150B - 半導體發光元件晶片集成裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

半導體發光元件晶片集成裝置具有：安裝基板100，在一主面具有下部電極120；晶片結合部，由下部電極120的上面的一部分等所構成；縱型半導體發光元件晶片10，結合於此晶片結合部且上下具有複數個p側電極17及一個n側電極；以及上部電極140，於縱型半導體發光元件晶片10上層且具有藉由薄膜熔絲143彼此連接的上部電極主線部141與複數個上部電極支線部142；半導體發光元件晶片10係使n側電極朝向晶片結合部而結合，n側電極和下部電極120係彼此電性連接，至少一個p側電極17和上部電極140的上部電極支線部142係彼此電性連接。

Description

半導體發光元件晶片集成裝置及其製造方法
本發明係關於半導體發光元件晶片集成裝置及其製造方法，例如較佳為應用在於基板上集成複數個微小化的縱型(或垂直型)或橫型微型發光二極體(LED)晶片而成的微型LED顯示器。
現在，薄型電視或智慧型手機等顯示裝置(顯示器)的主流，為液晶顯示器(LCD)及有機EL顯示器(OLED)。其中，在LCD的情況，伴隨像素的微細化，所輸出的光量為背光的光量之10分1左右。OLED也是，雖然理論上的電效率(electrical efficiency)高，但實際的製品止於與LCD同等的水準。
作為遠遠凌駕LCD及OLED之高亮度、高效率(低耗電)的顯示器，微型LED顯示器備受矚目。直接發光的微型LED顯示器雖然效率高，但為了實現微型LED顯示器，必須在安裝基板上配列數千萬個數μm至數十μm等級之尺寸的微型LED晶片。
就以此方式使大量的微型LED晶片配列於安裝基板上的方法而言，以往有提出：使用晶片挑揀機(chip sorter)的方法、使用多晶片轉印裝置的方法(參照專利文獻1、2)，利用藉由雷射照射所致之晶片吐出與液體的晶片配列方法(參照專利文獻3)、利用磁性體膜之元件(晶片)的配列方法(參照專利文獻4、5)等。
然而，專利文獻1～5所提出的方法中，要以低成本實現微型LED顯示器是困難的。
在上述的背景下，本案發明人有提出一種能夠以低成本實現微型LED顯示器之半導體晶片集成裝置的製造方法(參照專利文獻6)。專利文獻6中，例如藉由使印墨(ink)吐出到基板主面的晶片結合部，從基板的下方施加外部磁場，而使微型LED晶片的p側電極側與晶片結合部結合，藉此來製造微型LED顯示器，該印墨係使以p側電極側比n側電極側被磁場更強地吸引之方式所構成的微型LED晶片分散於液體而成。
另一方面，為了進行LED顯示器的修理，提出有一種具備有設成可在一個次像素內安裝複數個LED晶片的冗餘架構(redundancy scheme)之面板構造(參照專利文獻7)。又，提出一種顯示裝置(參照專利文獻8)，將粒子狀發光二極體散佈於像素，關於不良像素的修復方法方面具有藉由過電流切斷導通之熔絲部(fuse portion)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特表2017-531915號公報 [專利文獻2]日本特表2017-500757號公報 [專利文獻3]日本特開2005-174979號公報 [專利文獻4]日本特開2003-216052號公報 [專利文獻5]日本特開2016-25205號公報 [專利文獻6]日本特許第6694222號公報 [專利文獻7]日本特表2016-512347號公報 [專利文獻8]日本特開2010-87452號公報
[發明欲解決之課題]
根據專利文獻6所記載的微型LED顯示器之製造方法，雖能夠以低成本實現微型LED顯示器，但是在透過檢查發現了微型LED晶片的不良時，未必容易進行其修理，尚有改善的餘地。
又，專利文獻7所記載的方法中，伴隨著因採用冗餘架構所致之LED晶片材料費的大幅上升，會對低成本化造成妨礙。又，專利文獻8所記載的方法，難以進行對粒子狀發光二極體的半導體層進行蝕刻之工程的控制，實用化有其困難性。
於是，本發明所欲解決之課題在於：提供一種不僅能夠使用多晶片轉印方式等以低成本製造以微型LED顯示器為首的各種半導體發光元件晶片集成裝置，而且在將微型LED晶片等半導體發光元件晶片安裝於基板上後，在半導體發光元件晶片有漏電缺陷(leakage failure)等不良狀況時，也可容易進行其修理之半導體發光元件晶片集成裝置及其製造方法。 [用以解決課題之手段]
為了解決上述課題，本發明係一種半導體發光元件晶片集成裝置，具有： 基板，在一主面具有下部電極； 晶片結合部，藉由上述下部電極的上面的一部分或設置於上面的一部分之凸部或凹部所構成； 縱型半導體發光元件晶片，結合於上述晶片結合部且上下具有複數個p側電極及一個n側電極；以及 上部電極，在上述半導體發光元件晶片的上層且具有藉由薄膜熔絲彼此連接或彼此直接連接的主線部和複數個支線部， 上述半導體發光元件晶片係使上述n側電極朝向上述晶片結合部而結合於上述晶片結合部，上述n側電極和上述下部電極係彼此電性連接，上述半導體發光元件晶片之至少一個上述p側電極與上述上部電極的上述支線部係彼此電性連接。
基板(或安裝基板)無特別限定，而為例如Si基板、玻璃基板、玻璃環氧基板、樹脂膜、印刷基板等。基板可為剛體也可為撓性，再者，亦可為透明、半透明、不透明，可適當選擇。設於基板的一主面所設置之下部電極的上面之晶片結合部的配列圖案、大小、平面形狀、間隔等，係以依據所安裝之半導體發光元件晶片的大小及平面形狀、半導體發光元件晶片集成裝置的用途或要求的機能等，可供半導體發光元件晶片結合之方式適宜地選擇。若舉基板之晶片結合部的配列圖案的一例時，晶片結合部設成二維陣列狀。下部電極係成為用以將結合於晶片結合部的半導體發光元件晶片間電性連接之配線。下部電極係以既定圖案、配置、間隔設置。
半導體發光元件晶片的半導體發光元件，除了發光二極體(LED)外，也可以是雷射二極體(LD)(尤其是垂直共振腔面射型雷射(VCSEL))或有機EL元件等。半導體發光元件係為AlGaInN系半導體發光元件或AlGaInP系半導體發光元件等，但不限定於此。AlGaInN系半導體發光元件係在由藍紫、藍色得到綠色波長範圍(波長390nm～550nm)的發光的情況下使用，AlGaInP系半導體發光元件係在得到紅色波長範圍(波長600nm～650nm)的發光時使用。為了得到藍色、綠色、紅色的波長範圍，亦可將AlGaInN系半導體發光元件與螢光體組合來實現。半導體發光元件晶片的p側電極及n側電極係由以往週知的材料形成，可依需要選擇。半導體發光元件晶片的一個典型例為氮化鎵(GaN)系發光二極體。
半導體發光元件晶片所具有的複數個p側電極，典型而言係設成一列或複數列，但不限定於此，亦可為一部分或全部的p側電極以不規則的配置設置。p側電極的數量、或將p側電極設成一列或複數列時的列數及各列的個數係可依需要選擇。例如，將p側電極設成一列或複數列的情況，假定晶片尺寸設成相同，考量到半導體發光元件晶片對晶片結合部發生位偏的情況，一般來說，在確實地進行半導體發光元件晶片的p側電極與上部電極的支線部之電性連接上，比一列更多的複數列及各列的個數多者較佳。
半導體發光元件晶片的形狀，典型而言為長方形，但並不限定於此。晶片尺寸可依需要選擇，一般來說，係選擇為(30～100)μm×(10～50)μm以下。又，半導體發光元件晶片的厚度也可依需要選擇，但一般來說為100μm以下。半導體發光元件晶片係以在基板上進行構成半導體發光元件之半導體層的結晶成長後，將基板從半導體層分離者較佳，此時的厚度為例如20μm以下。
作為半導體發光元件晶片的上層而形成的上部電極，係以相對於一個晶片結合部，跨越此晶片結合部的方式，適合為具有涵蓋此晶片結合部的區域的大致整個區域延伸之複數個支線部。此等複數個支線部，典型而言，各支線部的寬度為5～20μm，支線部之間的間隙的寬度為1～10μm，支線部的條數為3～10條，而此等數值係可配合包含與晶片結合部結合的半導體發光元件晶片之一個電路單元或像素的大小、晶片結合部的區域的面積或形狀、晶片尺寸等而適宜設計。典型而言，此等複數個支線部係在晶片結合部上彼此平行設置，此等支線部係相對於主線部呈垂直設置，但並不限定於此。此等複數個支線部的每一者，一般來說，係與結合於晶片結合部之半導體發光元件晶片所包含的至少一個p側電極電性連接。主線部典型而言係沿著複數個晶片結合部延伸而設置。
將主線部和複數個支線部彼此連接的薄膜熔絲，係以藉由對和半導體發光元件晶片的p側電極連接之上部電極的支線部與下部電極之間施加修理用電壓以流通既定的電流，而可熔化並切斷之方式選擇材料、寬度、厚度、形狀等。在為了切斷薄膜熔絲而需要過多的電流之情況，因為在此所產生的焦耳熱的影響的關係，會有對周圍的電路造成熱破壞之可能性。若考量對電路周邊產生的熱影響，期望薄膜熔絲係藉數百μA至數mA左右的電流切斷。作為該條件，期望薄膜熔絲之剖面積(寬度×厚度)的最小值為0.5μm 2以下，但不限定於此。薄膜熔絲係藉由大致上具有150℃以上350℃以下的熔點之金屬所構成。此種金屬，在單體金屬方面可例舉In、Sn等，在合金(共晶合金)方面可例舉InSn、InSnAg、AgSn、AgSn等，但並不限定於此。主線部和複數個支線部彼此直接連接的情況，例如係以p側電極成為比n側電極更高電位之方式施加檢查用電壓，藉此通過各半導體發光元件晶片所包含的p側電極而流動電流以將各半導體發光元件晶片的發光進行影像解析，特定因半導體發光元件晶片的漏電缺陷而具有光量不良的支線部。接著，將以此方式特定之具有光量不良的支線部利用雷射束的照射等予以切斷，藉此可得到與薄膜熔絲的切斷同樣的結果。
典型而言，基板具有可彼此獨立驅動的複數個電路單元，對此等複數個電路單元的每一者設置上述之下部電極及上部電極。
尤其，在半導體發光元件晶片集成裝置為彩色顯示器的情況，典型而言，藉由包含彼此鄰接的三個以上的電路單元之區域構成1像素。此1像素的面積係可依需要選擇。1像素的面積，典型而言，選擇為500μm×500μm左右，惟亦可比500μm×500μm大或小。於此情況，藉由三個以上的電路單元，可進行紅色、綠色、藍色的3色發光。
在半導體發光元件晶片集成裝置使用於液晶顯示器的背光之情況，可進行非常精細的區域調光(local dimming)，此時亦可在數mm見方以上的區域形成一個電路單元。
半導體發光元件晶片集成裝置，基本上可以是任何類型，可依半導體發光元件晶片的種類適當設計。半導體發光元件晶片集成裝置，不僅為集成有一種半導體發光元件晶片者，亦可集成有二種以上的半導體發光元件晶片者或與螢光體組合者。半導體發光元件晶片集成裝置係為例如發光二極體照明裝置、發光二極體背光、發光二極體顯示器等，但不限定於此。半導體發光元件晶片集成裝置之大小、平面形狀等係可依半導體發光元件晶片集成裝置的用途、半導體發光元件晶片集成裝置所要求的機能等而適當選擇。
由此半導體發光元件晶片集成裝置取出光的方法有各式各樣。例如，p側電極及上部電極的支線部的每一者由透明電極構成，由半導體發光元件晶片發出的光係穿透p側電極及上部電極的支線部而取出。或者，n側電極及與下部電極中之晶片結合部對應的部分的每一者係由透明電極構成，基板為透明，由半導體發光元件晶片發出的光係穿透n側電極、與下部電極中的晶片結合部對應的部分及基板而取出。
半導體發光元件晶片，典型而言為氮化鎵系的半導體發光元件晶片。半導體發光元件晶片亦可為AlGaInP系的半導體發光元件晶片。
又，一種半導體發光元件晶片集成裝置，具有： 基板，在一主面具有包含藉由薄膜熔絲彼此連接的主線部和複數個支線部之下部電極； 晶片結合部，藉由包含上述下部電極之每一者的上述支線部的上面的至少一部分的區域所構成； 縱型半導體發光元件晶片，結合於上述晶片結合部且上下具有複數個p側電極及一個n側電極；及 上述半導體發光元件晶片之上層的上部電極， 上述半導體發光元件晶片係使上述p側電極朝向上述晶片結合部而結合於上述晶片結合部，至少一個上述p側電極與上述下部電極的上述支線部係彼此電性連接，上述半導體發光元件晶片的上述n側電極與上述上部電極係彼此電性連接。
由此半導體發光元件晶片集成裝置取出光的方法有各式各樣。例如，在n側電極及上部電極中的至少半導體發光元件晶片上方延伸的部分之每一者係由透明電極構成，從半導體發光元件晶片發出的光係穿透在n側電極及上部電極的至少半導體發光元件晶片的上方延伸之部分而取出。或者，p側電極及下部電極的支線部之每一者係由透明電極構成，基板係透明，從半導體發光元件晶片發出的光係穿透p側電極、下部電極的支線部及基板而取出。
在此半導體發光元件晶片集成裝置的發明中，上述以外的情況，只要不特別與其性質相反，與上述的半導體發光元件晶片集成裝置的發明相關連的說明就可成立。
又，本發明係一種半導體發光元件晶片集成裝置，具有： 基板，在一主面具有包含藉由薄膜熔絲彼此連接的主線部和複數個支線部之下部電極； 上述下部電極之上層的上部電極； 晶片結合部，藉由包含上述下部電極之每一者的上述支線部的上面的至少一部分及上述上部電極的上面的一部分之區域所構成； 橫型半導體發光元件晶片，結合於上述晶片結合部且在一面側具有複數個p側電極及一個n側電極， 上述半導體發光元件晶片係使上述p側電極及上述n側電極朝向上述晶片結合部而結合於上述晶片結合部，至少一個上述p側電極與上述下部電極的上述支線部係彼此電性連接，上述半導體發光元件晶片的上述n側電極與上述上部電極係彼此電性連接。
從此半導體發光元件晶片集成裝置取出光的方法有各式各樣。例如，從半導體發光元件晶片發出的光係在基板的相反側取出。或者，p側電極及下部電極的支線部之每一者係由透明電極構成，基板係透明，從半導體發光元件晶片發出的光係穿透p側電極、下部電極的支線部及基板而取出。
又，本發明係一種半導體發光元件晶片集成裝置，具有： 基板，在一主面具有下部電極； 上部電極，在上述下部電極的上層且具有藉由薄膜熔絲彼此連接或彼此直接連接的主線部和複數個支線部； 晶片結合部，藉由包含上述下部電極的上面的一部分及上述上部電極的每一者之上述支線部的上面的至少一部分的區域所構成；及 橫型半導體發光元件晶片，結合於上述晶片結合部且在一面側具有複數個p側電極及一個n側電極， 上述半導體發光元件晶片係使上述p側電極及上述n側電極朝向上述晶片結合部而結合於上述晶片結合部，至少一個上述p側電極與上述上部電極的上述支線部係彼此電性連接，上述半導體發光元件晶片的上述n側電極與上述下部電極係彼此電性連接。
又，本發明係一種半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法，具有： 將上下具有複數個p側電極及一個n側電極的縱型半導體發光元件晶片，以上述n側電極朝向晶片結合部的方式結合於該晶片結合部，且將上述n側電極和下部電極彼此電性連接之工程，該晶片結合部係藉由在一主面具有該下部電極之基板的上述下部電極的上面的一部分或設置於上面的一部分之凸部或凹部所構成；以及 作為上述半導體發光元件晶片的上層，將具有藉由薄膜熔絲彼此連接或彼此直接連接的主線部和複數個支線部之上部電極，以上述半導體發光元件晶片之至少一個上述p側電極和上述上部電極的上述支線部彼此電性連接的方式形成之工程。
此半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法，典型而言係進一步具有：在形成有上述上部電極後，於上述支線部與上述主線部之間施加修理用電壓以使電流流通之工程。依此方式，由於可將因p側電極部的缺陷等而發生漏電缺陷等之半導體發光元件晶片之其p側電極所連接的支線部與主線部之間的薄膜熔絲切斷，或可將其支線部的一部分切斷，所以可排除該不良的影響，而可進行修理。在半導體發光元件晶片沒有不良的情況，薄膜熔絲不會被切斷，或者支線部的一部分不會被切斷乃無庸贅述。
典型而言，將半導體發光元件晶片以多晶片轉印方式結合於晶片結合部，但不限定於此。
在此半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法的發明中，上述以外的情況，只要不特別與其性質相反，與上述的半導體發光元件晶片集成裝置的發明相關連的說明就可成立。
又，本發明係一種半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法，具有： 將上下具有複數個p側電極及一個n側電極之縱型半導體發光元件晶片，以上述p側電極朝向晶片結合部的方式結合於該晶片結合部，且將至少一個上述p側電極與下部電極的上述支線部彼此電性連接之工程，該晶片結合部係藉由包含基板的上述下部電極的每一者的上述支線部上面的至少一部分之區域所構成，該基板在一主面具有包含藉由薄膜熔絲彼此連接的主線部和複數個支線部之上述下部電極；以及 作為上述半導體發光元件晶片的上層，將上部電極以上述半導體發光元件晶片的上述n側電極和上述上部電極彼此電性連接之方式形成的工程。
在此半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法的發明中，不僅是上部電極，將下部電極以具有藉由薄膜熔絲彼此連接之主線部和複數個支線部的方式形成這點，係與上述的半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法的發明不同。依需要，上部電極也可與下部電極同樣地，設成具有藉由薄膜熔絲彼此連接之主線部和複數個支線部。在此半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法的發明中，只要不特別與其性質相反，與上述的半導體發光元件晶片集成裝置的發明相關連的說明就可成立。
又，本發明係一種半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法，具有︰ 形成在基板的一主面具有藉由薄膜熔絲彼此連接的主線部和複數個支線部之下部電極及該下部電極上層的上部電極之工程； 將一面側具有複數個p側電極及一個n側電極之橫型半導體發光元件晶片，以上述p側電極及上述n側電極朝向晶片結合部的方式結合於該晶片結合部，且將至少一個上述p側電極與上述下部電極的上述支線部彼此電性連接，同時將上述n側電極與上述上部電極彼此電性連接之工程，該晶片結合部係藉由包含上述下部電極之每一者的上述支線部的上面的至少一部分及上述上部電極上面的一部分之區域所構成。
此半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法，典型而言，進一步具有：將半導體發光元件晶片結合於晶片結合部，將至少一個p側電極與下部電極的支線部彼此電性連接，並且將n側電極與上部電極彼此電性連接後，在支線部和主線部之間施加修理用電壓以使電流流通之工程。
在此半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法的發明中，只要不特別與其性質相反，與上述的半導體發光元件晶片集成裝置及其製造方法的各發明相關連的說明就可成立。
又，本發明係一種半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法，具有︰ 在基板的一主面形成下部電極及上部電極之工程，該上部電極係在該下部電極的上層且具有藉由薄膜熔絲彼此連接或彼此直接連接的主線部和複數個支線部；及 將一面側具有複數個p側電極及一個n側電極的橫型半導體發光元件晶片，以上述p側電極及上述n側電極朝向晶片結合部的方式結合於該晶片結合部，且將上述n側電極與上述下部電極彼此電性連接，並將至少一個上述p側電極與上述上部電極的上述支線部彼此電性連接之工程，該晶片結合部係藉由包含上述下部電極的上面的一部分及上述上部電極之每一者的上述支線部上面的至少一部分之區域所構成。
在此半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法的發明中，只要不特別與其性質相反，與上述的半導體發光元件晶片集成裝置及其製造方法的各發明相關連的說明就可成立。 [發明之效果]
根據本發明，由於係將上下或一面側具有複數個p側電極及一個n側電極之縱型或橫型半導體發光元件晶片，結合於具有藉由薄膜熔絲彼此連接或彼此直接連接的主線部和複數個支線部之上部電極或下部電極的複數個支線部的上面等所設置的晶片結合部，在上部電極和下部電極之間連接有半導體發光元件晶片，所以藉由對該等支線部和主線部之間施加修理用電壓以流通電流，可將在p側電極部等發生了某些不良之半導體發光元件晶片之其p側電極所連接的支線部與主線部間的薄膜熔絲予以切斷，或者將透過檢查特定有不良關係的支線部利用雷射束的照射等予以切斷，將該支線部從主線部切離，藉此可容易地修理，可實現修復(repair)作業的簡化及半導體發光元件晶片集成裝置的高良率化。根據此方法，例如在發光二極體顯示器等的情況，在像素中有漏電缺陷的半導體發光元件晶片的情況，藉由將引起該漏電缺陷之p側電極所連接之支線部切離，可使用與剩餘的支線部連接之p側電極的區域的發光元件，因此不需要修復用的不良晶片的替換或採用冗餘構造，也有抑制材料費上升之優點。以往，一個半導體發光元件晶片的p側電極及n側電極分別為一個，所以當晶片發生漏電缺陷等不良時，晶片全體就無法使用。本方式中，藉由將p側電極分割成複數個，將1個晶片內的不良部分分離，可使用正常部分。又，在採用使用黏著性印模的多晶片轉印方式使半導體發光元件晶片結合於晶片結合部時，有晶片尺寸愈小，轉印良率愈有降低的傾向，因此考量到工程的穩定性，期望晶片尺寸為數10μm見方以上。對於數10μm見方以上的半導體發光元件晶片，可以數μm見方形成複數個p側電極。即便是原本成為漏電缺陷的晶片，藉由分割p側電極，也可使用漏電部的電極除外的部分。在多晶片轉印方式中，如何修復晶片不良是一大課題，但藉由採用本方式，可使包含不良狀況之晶片的更換等修復作業大幅減少，例如可以低成本容易實現發光二極體照明裝置、大面積的發光二極體背光、大畫面的發光二極體顯示器等。
[用以實施發明的形態]
以下，就用以實施發明的形態(以下，稱為「實施形態」)進行說明。
〈第1實施形態〉 第1實施形態的微型LED集成裝置係藉由在安裝基板上安裝有多數個縱型微型LED晶片而製造，但最初首先係針對上下具有複數個p側電極及一個n側電極，且此等p側電極配列成一列或複數列而成的縱型微型LED晶片進行說明。
[微型LED集成裝置的製造方法] 圖1A及圖1B係顯示縱型微型LED晶片10。在此，圖1A為立體圖，圖1B為沿著圖1A的p側電極列之剖面圖。此縱型微型LED晶片10係使用AlGaInN系半導體或AlGaInP系半導體。如圖1A及圖1B所示，此縱型微型LED晶片10具有長方形的平面形狀。在此縱型微型LED晶片10中，依序積層有n +型半導體層11、發光層12及p型半導體層13。p型半導體層13係彼此分離而設有複數個，但在厚度小且電阻係數也比較高的情況，經由p型半導體層13之電流的擴展不大，所以根據情況的不同，亦可相接。圖1A及圖1B所示的例子中，作為一例，雖設有呈一列設置的4個圓形p型半導體層13，但不限定於此，p型半導體層13的列數及各列的個數係依需要選擇。在n +型半導體層11的背面，設有一個n側電極14作為全面電極，進行歐姆接觸。在n側電極14上，設有將縱型微型LED晶片10安裝於安裝基板上時所使用的Sn膜15。Sn膜15的厚度係為例如0.5μm左右，但並不限定於此。以覆蓋各p型半導體層13的方式設有絕緣膜16。絕緣膜16係由例如SiO 2膜構成。絕緣膜16係在與各p型半導體層13對應的部分具有開口16a。開口16a具有例如圓形的形狀。通過開口16a在各p型半導體層13上設有p側電極17，進行歐姆接觸。與p型半導體層13在一列設有4個相對應，p側電極17係在一列設有4個。p側電極17係延伸於各開口16a周邊的絕緣膜16上，延伸於絕緣膜16上之部分的平面形狀為例如圓形，但不限定於此。p側電極17亦可與通過此p側電極17將光取出到外部對應地藉由透明電極材料例如ITO膜構成。縱型微型LED晶片10的晶片尺寸係依需要選擇，而較佳選擇數10μm見方以上，具體而言，例如與p側電極17的配列方向之邊的長度a為例如30～100μm，與p側電極17的配列方向垂直之邊的長度b為例如10～50μm。
在縱型微型LED晶片10是使用AlGaInN系半導體的藍色發光或綠色發光者之情況，例如，n +型半導體層11係n +型GaN層，發光層12係具有作為障壁層的In xGa 1-xN層與作為井層的In yGa 1-yN層交替積層而成的In xGa 1-xN/In yGa 1-yN多重量子井(MQW)構造(x＜y，0≦x＜1，0≦y＜1)的構成(In組成比x、y係依據縱型微型LED晶片10之各微型LED的發光波長來選擇)，p型半導體層13為p型GaN層。在縱型微型LED晶片10係使用AlGaInP系半導體的紅色發光者的情況，例如，n +型半導體層11為n +型AlGaInP層，發光層12具有In xGa 1-xP/In yGa 1-yP MQW構造，p型半導體層13為p型AlGaInP層。此等縱型微型LED晶片10係可藉由以往週知的方法來製造。
圖2A及圖2AB係顯示使用於微型LED集成裝置的製造之安裝基板100的一部分。在此，圖2A為平面圖，圖2B為沿著下部電極的剖面圖。如圖2A及圖2B所示，基板110的一主面設置有具有既定形狀的下部電極120。下部電極120實際上雖設置多數個，但在圖2A及圖2B中係顯示其中的一個。基板110可為具有剛性者，也可為具有撓性者，又，可為透明，也可為不透明，可依需要選擇。基板110，除了例如Si基板、玻璃基板、玻璃環氧基板等之外，亦可為樹脂膜等。下部電極120係可藉由例如在基板110的全面利用濺鍍法或真空蒸鍍法等形成有金屬膜後，將此金屬膜利用微影及蝕刻圖案化成既定形狀而形成。作為金屬膜，雖使用例如Ti/Al/Ti/Au積層膜，但亦可使用Cu(或Cu合金)/Au/Ti積層膜。構成Ti/Al/Ti/Au積層膜之膜的厚度，例如從下方依序為5～10nm、300～1000nm、50nm、5～100nm。在下部電極120上設有晶片結合部121。晶片結合部121係以設計決定之使縱型微型LED晶片10結合的區域。在此晶片結合部121中，有時縱型微型LED晶片10是以完全包含於此晶片結合部121的狀態結合，有時是縱型微型LED晶片10的一部分以從此晶片結合部121突出的狀態結合。晶片結合部121，實際上係以例如二維陣列狀設置多數個，而在圖2A及圖2B中係顯示其中的三個。晶片結合部121，在下部電極120的上面為平坦的情況下，係該平坦上面的一部分區域，圖2A中該區域的輪廓係以一點鏈線顯示。如圖3A所示，晶片結合部121，在與下部電極120上面的晶片結合部121對應之部分設有凸部的情況下，係為該凸部的上面。如圖3B所示，晶片結合部121，在與下部電極120上面的晶片結合部121對應之部分設有凹部的情況下，係為該凹部的底面。
如圖4A及圖4B所示，藉由使用印模(stamp)等的多晶片轉印方式，將縱型微型LED晶片10以其Sn膜15成為下方的方式接合(bonding)於安裝基板100的下部電極120的各晶片結合部121。在此，圖4A為平面圖，圖4B為剖面圖。例如，在認為微型LED集成裝置為彩色微型LED顯示器的情況，假如圖4A係顯示由三個縱型微型LED晶片10所構成的一像素時，則例如圖4A中左方、中央及右方的縱型微型LED晶片10分別形成藍色(B)發光區域、紅色(R)發光區域及綠色(G)發光區域。在縱型微型LED晶片10為藍色發光的情況，藉由在與各像素之R的發光區域中之各晶片結合部121結合的縱型微型LED晶片10的上方及與G的發光區域中之各晶片結合部121結合的縱型微型LED晶片10的上方分別塗佈紅色螢光體及綠色螢光體，可實現RGB的發光；在縱型微型LED晶片10為紫外發光的情況，藉由在與各像素之R的發光區域之各晶片結合部121結合的縱型微型LED晶片10的上方，與G的發光區域之各晶片結合部121結合的縱型微型LED晶片10的上方及與B的發光區域中之各晶片結合部121結合之縱型微型LED晶片10的上方分別塗佈紅色螢光體、綠色螢光體及藍色螢光體，可實現RGB的發光。
接著，藉由透過燈(lamp)或雷射等進行加熱，使各縱型微型LED晶片10的Sn膜15熔融。其後，藉由熔融Sn冷卻，各縱型微型LED晶片10的n側電極14以電性及機械方式與下部電極120的晶片結合部121結合。
如圖5A及圖5B所示，在縱型微型LED晶片10結合於晶片結合部121而成的安裝基板100的全面，以絕緣膜130的表面成為大致平坦的方式形成絕緣膜130後，藉由將此絕緣膜130利用RIE法等予以蝕刻而使p側電極17露出。
如圖6A及圖6B所示，在絕緣膜130上，形成與後述的上部電極主線部141與複數個上部電極支線部142之間分別連接的薄膜熔絲(thin film fuse)143。薄膜熔絲143係與各晶片結合部121對應，而形成與包含於縱型微型LED晶片10之p側電極17的個數相等的個數(此例中為4個)。薄膜熔絲143係例如在絕緣膜130上藉由光微影形成具有與薄膜熔絲143對應的既定形狀的開口之光阻劑，由其上藉由真空蒸鍍形成有金屬膜後，可藉由將光阻劑掀離(lift off)而形成。薄膜熔絲143係由熔點為150℃以上350℃以下的金屬薄膜構成。金屬薄膜，具體而言係由例如In、Sn等的單體金屬或InSn、InSnAg、AgSn、AuSn等的合金構成。
接著，如圖7A及圖7B所示，在絕緣膜130上，將與下部電極120正交的方向上彼此平行延伸的複數個上部電極主線部141以與薄膜熔絲143的一端部重疊的方式形成。其次，在絕緣膜130上，將上部電極支線部142依每個晶片結合部121，形成與包含於縱型微型LED晶片10的p側電極17的個數相等的條數(此例中為4條)，該上部電極支線部142係隔介薄膜熔絲143連接縱型微型LED晶片10的p側電極17與上部電極主線部141。各上部電極支線部142係與薄膜熔絲143的另一端部重疊，且在晶片結合部121及其附近與下部電極120的延伸方向平行地延伸，以與包含於縱型微型LED晶片10的各p側電極17接觸的方式形成。各上部電極支線部142的薄膜熔絲143側的部分係相對於晶片結合部121及其附近的直線狀部分朝外側彎折，此彎折的部分的前端係與薄膜熔絲143的另一端部重疊。各上部電極支線部142，至少與縱型微型LED晶片10重疊的部分，典型而言與各晶片結合部121重疊的部分係由ITO等透明電極材料構成，除此以外的部分亦可由其他不透明電極材料例如Ti/Al/Ti/Au積層膜等構成，上部電極支線部142的全體亦可由透明電極材料構成。藉由隔介薄膜熔絲143相互連接的上部電極主線部141和上部電極支線部142，構成上部電極140。圖7A中，以一點鏈線顯示可電性地開(on)/關(off)控制的一個電路單元所覆蓋的區域。形成於一個縱型微型LED晶片10內的複數個p側電極17下的發光面積，典型而言係選擇為一個電路單元所覆蓋的區域的面積的1000分之1以下。圖8A中將薄膜熔絲143及其附近的上部電極主線部141及上部電極支線部142予以放大顯示。圖8A所示的薄膜熔絲143雖具有長方形的形狀，但薄膜熔絲143亦可為如圖8B所示之中央部變細的平面形狀。如圖8A及圖8B所示，將薄膜熔絲143之最窄部分的寬度設為W min、厚度設為T min時，W min、T min係以W min×T min＜0.5μm 2成立的方式選擇。
其後，在以上述方式製得的微型LED集成裝置的上部電極支線部142與上部電極主線部141之間，施加縱型微型LED晶片10之閾值電壓以下的電壓(例如3V左右)作為修理用電壓。其結果，例如，在圖9A及圖9B中，產生了漏電缺陷的縱型微型LED晶片10的p側電極17與上部電極支線部142A、142B連接的情況，在此等上部電極支線部142A、142B、和隔介薄膜熔絲143而與此等上部電極支線部142A、142B連接的上部電極主線部141之間流動大量的電流，藉此薄膜熔絲143熔化而被切斷。圖10A及圖10B係顯示上部電極主線部141與上部電極支線部142A、142B之間的薄膜熔絲143被切斷的狀態。如此就可進行微型LED集成裝置的修理。
[微型LED集成裝置的構造] 如圖7A及圖7B所示，此微型LED集成裝置具有：安裝基板100，在一主面具有下部電極120；晶片結合部121，設於下部電極120上；縱型微型LED晶片10，與晶片結合部121結合且上下具有複數個p側電極17及一個n側電極14；及上部電極140，在此等縱型微型LED晶片10的上層，且具有上部電極主線部141和隔介薄膜熔絲143與此上部電極主線部141連接的複數個上部電極支線部142。且，縱型微型LED晶片10係以n側電極14側朝向晶片結合部121而結合於此晶片結合部121，n側電極14與下部電極120係彼此電性連接，縱型微型LED晶片10的各p側電極17與上部電極140的上部電極支線部142係彼此電性連接。來自縱型微型LED晶片10的光係穿透p側電極17及上部電極支線部142而在基板110的相反側取出。
如以上，根據此第1實施形態，使用上下具有複數個p側電極17及一個n側電極14的縱型微型LED晶片10，並在安裝基板100的下部電極120上將晶片結合部121呈例如二維陣列狀設置複數個，利用印模等的多晶片轉印方式將縱型微型LED晶片10以n側電極14側成為下方的方式與安裝基板100的下部電極120的晶片結合部121結合，然後，藉由使Sn膜15熔融固化，而使縱型微型LED晶片10的n側電極14和下部電極120的晶片結合部121以電性及機械方式結合，藉此，無關乎縱型微型LED晶片10的集成度，能夠以低成本容易地實現微型LED集成裝置，例如微型LED顯示器、微型LED背光、微型LED照明裝置等。又，即便在縱型微型LED晶片10所含的p側電極17產生了不良的情況，藉由將連接有該不良的p側電極17之上部電極支線部142與上部電極主線部141之間的薄膜熔絲143切斷，便可容易地修理。此外，也可得到如次之優點。亦即，在藉由印模進行多晶片轉印時，用於將所轉印的晶片暫時地保持的轉印用黏著性印模是必要的，而此印模的凸部形狀係形成與晶片相同形狀。在縱型微型LED晶片10中，由於如上述般可將晶片尺寸加大為例如(30～100)μm×(10～50)μm，所以如圖11所示，可加大印模200的凸部201，而可加大與縱型微型LED晶片10的密接面積，因此，可防止密接不良或凸部201的形狀的崩塌，進而可穩定地維持高良率的轉印。
〈第2實施形態〉 第1實施形態中係針對從上部電極140側取出光之微型LED集成裝置進行說明，而在此第2實施形態中係針對從安裝基板100側取出光之微型LED集成裝置進行說明。
[微型LED集成裝置的製造方法] 圖12A及圖12B係顯示使用於微型LED集成裝置的製造之安裝基板100。在此，圖12A為平面圖，圖12B為沿著下部電極的剖面圖。如圖12A及圖12B所示，在此第2實施形態中，安裝基板100係與第1實施形態不同。亦即，在此安裝基板100中，與下部電極120的晶片結合部121對應的部分係藉由透明電極122構成，此透明電極122的表面構成晶片結合部121這點、以及基板110對於縱型微型LED晶片10所發出的光呈透明這點，係不同於第1實施形態。安裝基板100的其他部分則與第1實施形態相同。
如圖13A及圖13B所示，藉由印模等的多晶片轉印方式，將縱型微型LED晶片10以其Sn膜15成為下方的方式結合於安裝基板100的下部電極120的各晶片結合部121。在此，圖13A為平面圖，圖13B為剖面圖。雖未特別圖示，但光的取出為Sn膜15側，所以n側電極14及Sn膜15沒有覆蓋縱型微型LED晶片10的n +型半導體層11的下部全體，而僅形成於一部分。
接著，藉由利用燈或雷射等進行加熱，使各縱型微型LED晶片10的Sn膜15熔融。然後，藉由熔融Sn冷卻，使各縱型微型LED晶片10的n側電極14以電性及機械方式結合於下部電極120的晶片結合部121。
其次，在縱型微型LED晶片10結合於晶片結合部121而成的安裝基板100的全面，以絕緣膜130的表面成為大致平坦的方式形成絕緣膜130後，藉由將此絕緣膜130利用RIE法等予以蝕刻而使p側電極17露出。
如圖14A及圖14B所示，與第1實施形態同樣地，在絕緣膜130上，形成薄膜熔絲143、上部電極主線部141及上部電極支線部142。藉由上部電極主線部141及上部電極支線部142構成上部電極140。
然後，與第1實施形態同樣地，對微型LED集成裝置進行必要的修理。
[微型LED集成裝置的構造] 如圖14A及圖14B所示，此微型LED集成裝置具有：安裝基板100，在對於來自縱型微型LED晶片10的光呈透明的基板110的一主面具有下部電極120；晶片結合部121，設置在局部地設於下部電極120的透明電極122上；縱型微型LED晶片10，與晶片結合部121結合；以及上部電極140，在此等縱型微型LED晶片10的上層，且具有上部電極主線部141和隔介薄膜熔絲143與此上部電極主線部141連接的複數個上部電極支線部142。且，縱型微型LED晶片10係以n側電極14側朝向晶片結合部121而結合於此晶片結合部121，n側電極14和下部電極120係彼此電性連接，縱型微型LED晶片10的各p側電極17和上部電極140的上部電極支線部142係彼此電性連接。來自縱型微型LED晶片10的光係穿透下部電極120的晶片結合部121的透明電極122及基板110而取出到外部。
根據此第2實施形態，與下部電極120的晶片結合部121對應的部分係由透明電極122構成，藉由使基板110對來自縱型微型LED晶片10的光呈透明，可使來自縱型微型LED晶片10的光穿透下部電極120的晶片結合部121的透明電極122及基板110而取出到外部。此外，可得到與第1實施形態同樣的優點。
〈第3實施形態〉 第1實施形態中，係針對在上部電極140的上部電極主線部141與複數個上部電極支線部142之間連接有薄膜熔絲143而成的微型LED集成裝置進行說明，而在第3實施形態中，係針對在下部電極120的下部電極主線部與複數個下部電極支線部之間連接有薄膜熔絲而成的微型LED集成裝置進行說明。
[微型LED集成裝置的製造方法] 使用於微型LED集成裝置的製造之縱型微型LED晶片10係與第1實施形態大致相同，但是p側電極17係由對來自縱型微型LED晶片10的光之反射率高的Ag等材料形成這點、n側電極14沒有覆蓋縱型微型LED晶片10的n +型半導體層11的下部全體而僅形成於一部分這點、以及Sn膜15沒有形成於n側電極14側而是形成於p側電極17上這點是不同的。
圖15A及圖15B係顯示使用於此微型LED集成裝置的製造之安裝基板100。在此，圖15A係平面圖，圖15B係將下部電極支線部與其附近的下部電極主線部橫切之剖面圖。如圖15A及圖15B所示，在基板110的一主面設有下部電極120。於此情況，下部電極120係包含︰延伸於一方向之寬幅的下部電極主線部1201；複數個下部電極主線部1202，由此下部電極主線部1201在與此下部電極主線部1201正交的方向上分支且較此下部電極主線部1201窄幅；及複數個下部電極支線部1203，與此下部電極主線部1202接近設置，且包含在與此下部電極主線部1202正交的方向、亦即在與下部電極主線部1201平行的方向延伸成直線狀的部分和相對於此部分朝外側彎折的部分。在下部電極主線部1202、與和此下部電極主線部1202接近的複數個下部電極支線部1203之間連接有薄膜熔絲1204。藉由包含各下部電極支線部1203上面的一部分的區域，構成有晶片結合部121。下部電極支線部1203係藉由例如Ti/Al/Ti/Au/Ti積層膜等形成。關於基板110的詳情，係與第1實施形態同樣。薄膜熔絲1204係與第1實施形態的薄膜熔絲143相同。又，下部電極支線部1203的條數、寬度、間隔等係與第1實施形態的上部電極支線部142相同。
如圖16A及圖16B所示，藉由使用印模等的多晶片轉印方式，使各縱型微型LED晶片10以各p側電極17側位於各下部電極支線部1203上的方式結合於晶片結合部121。
其次，如圖17A及圖17B所示，在縱型微型LED晶片10結合於晶片結合部121而成的安裝基板100的全面，以絕緣膜130的表面成為大致平坦的方式形成絕緣膜130後，藉由將此絕緣膜130利用RIE法等予以蝕刻而使n側電極14露出。
其次，圖18A及圖18B所示，在絕緣膜130上形成寬幅的單一上部電極支線部142，以將隔介薄膜熔絲1204連接於1條下部電極主線部1202的複數個下部電極支線部1203的大致全體覆蓋。上部電極支線部142係由ITO等的透明電極材料構成。其次，與下部電極120的各下部電極主線部1202對應地，將與此下部電極主線部1202平行的複數個上部電極主線部141以和上部電極支線部142局部重疊而電性連接的方式形成。
其後，與第1實施形態同樣地對微型LED集成裝置進行必要的修理。
[微型LED集成裝置的構造] 如圖18A及圖18B所示，此微型LED集成裝置具有：安裝基板100，在一主面具有包含藉由薄膜熔絲1204彼此連接的下部電極主線部1202和下部電極支線部1203之下部電極120；晶片結合部121，藉由包含各下部電極支線部1203上面的一部分的區域所構成；結合於晶片結合部121的縱型微型LED晶片10；及上部電極140，在此等縱型微型LED晶片10的上層且具有上部電極主線部141和與此上部電極主線部141連接的上部電極支線部142。且，縱型微型LED晶片10係以p側電極17側朝向晶片結合部121而結合於此晶片結合部121，各p側電極17與各下部電極支線部1203係彼此電性連接，縱型微型LED晶片10的n側電極14與上部電極140的上部電極支線部142係彼此電性連接。來自縱型微型LED晶片10的光係穿透上部電極支線部142而在基板110的相反側取出。此時，縱型微型LED晶片10的p側電極17係藉由反射率高的Ag等材料形成，所以來自縱型微型LED晶片10的光係藉由p側電極17朝上方反射，因此可加大取出的光量。
根據此第3實施形態，可得到與第1實施形態同樣的優點。
〈第4實施形態〉 相對於第3實施形態中針對從上部電極140側取出光的微型LED集成裝置進行說明，此第4實施形態中針對從安裝基板100側取出光的微型LED集成裝置進行說明。
[微型LED集成裝置的製造方法] 使用於微型LED集成裝置的製造之縱型微型LED晶片10係與第1實施形態大致相同，但Sn膜15不是形成於n側電極14側而是形成於p側電極17上這點是不同的。
使用於微型LED集成裝置的製造之安裝基板100係與第3實施形態大致相同，但在橫切下部電極支線部1203的晶片結合部121之直線部由ITO等的透明電極材料構成這點、以及基板110對由縱型微型LED晶片10發出的光呈透明這點，係與第3實施形態不同。
與第3實施形態同樣地，將縱型微型LED晶片10結合於安裝基板100的下部電極120的各晶片結合部121，形成絕緣膜130，使縱型微型LED晶片10的n側電極14露出，形成具有上部電極主線部141和與此上部電極主線部141連接的上部電極支線部142之上部電極140。於此情況，上部電極支線部142係由例如Ti/Al/Ti/Au/Ti積層膜等形成。
其後，與第1實施形態同樣地對微型LED集成裝置進行必要的修理。
[微型LED集成裝置的構造] 此微型LED集成裝置具有：安裝基板100，在對於來自縱型微型LED晶片10的光呈透明的基板110的一主面具有包含藉由薄膜熔絲1204彼此連接的下部電極主線部1202和下部電極支線部1203之下部電極120；晶片結合部121，藉由包含各下部電極支線部1203上面的一部分的區域構成；結合於晶片結合部121的縱型微型LED晶片10；以及上部電極140，在此等縱型微型LED晶片10的上層，且具有上部電極主線部141和與此上部電極主線部141連接的上部電極支線部142。且，縱型微型LED晶片10係以p側電極17側朝向晶片結合部121而結合於此晶片結合部121，各p側電極17與各下部電極支線部1203係彼此電性連接，縱型微型LED晶片10的n側電極14與上部電極140的上部電極支線部142係彼此電性連接。來自縱型微型LED晶片10的光，係穿透下部電極支線部1203及基板110而取出到外部。
根據此第4實施形態，藉由下部電極支線部1203及基板110對來自縱型微型LED晶片10的光呈透明，可將來自縱型微型LED晶片10的光穿透此等下部電極支線部1203及基板110而取出到外部。此外，可獲得與第1實施形態同樣的優點。
〈第5實施形態〉 第1實施形態中，係使用上下具有複數個p側電極17及一個n側電極14，且p側電極17配列成一列的縱型微型LED晶片10，但在此第5實施形態中，使用上下具有複數個p側電極17及一個n側電極14，且p側電極17呈二列配列有複數個而成的縱型微型LED晶片10這點是不同的。圖19係顯示此縱型微型LED晶片10。
[微型LED集成裝置的製造方法] 此微型LED集成裝置的製造方法，除了在圖4A及圖4B所示的工程中，使上下具有複數個p側電極17及一個n側電極14且p側電極17呈二列配列有複數個而成的縱型微型LED晶片10結合於晶片結合部121這點、以及圖7A及圖7B所示的工程中使各上部電極支線部142與縱型微型LED晶片10的短邊方向之兩個p側電極17接觸這點以外，其餘係與根據第1實施形態之微型LED集成裝置的製造方法相同。圖20係顯示各上部電極支線部142與縱型微型LED晶片10的短邊方向的兩個p側電極17接觸之狀態下的微型LED集成裝置的上部電極支線部142附近。
[微型LED集成裝置] 如圖20所示，此微型LED集成裝置除了上下具有複數個p側電極17及一個n側電極14且p側電極17呈二列配列有複數個而成的縱型微型LED晶片10接合於晶片結合部121，且各上部電極支線部142與縱型微型LED晶片10的短邊方向的兩個p側電極17接觸這點，與第1實施形態不同之外，其餘具有與根據第1實施形態的微型LED集成裝置同樣的構成。
根據此第5實施形態，可得到與第1實施形態同樣的優點。
〈第6實施形態〉 第1實施形態中，係使用上下具有複數個p側電極17及一個n側電極14且p側電極17呈一列配列有複數個而成的縱型微型LED晶片10，但在此第6實施形態中，使用上下具有複數個p側電極17及一個n側電極14且p側電極17呈三列配列有複數個而成的縱型微型LED晶片10這點是不同的。圖21係顯示此縱型微型LED晶片10。
[微型LED集成裝置的製造方法] 此微型LED集成裝置的製造方法，除了在圖4A及圖4B所示的工程中，使上下具有複數個p側電極17及一個n側電極14且p側電極17呈三列配列有複數個而成的縱型微型LED晶片10結合於晶片結合部121這點、以及圖7A及圖7B所示的工程中使各上部電極支線部142與縱型微型LED晶片10的短邊方向之兩個以上的p側電極17接觸這點，係與根據第1實施形態之微型LED集成裝置的製造方法相同。圖22係顯示各上部電極支線部142與縱型微型LED晶片10的短邊方向之兩個以上的p側電極17接觸之狀態下的微型LED集成裝置之上部電極支線部142的附近。
[微型LED集成裝置] 圖22所示，此微型LED集成裝置，除了上下具有複數個p側電極17及一個n側電極14且p側電極17呈三列配列有複數個而成的縱型微型LED晶片10結合於晶片結合部121，且各上部電極支線部142與縱型微型LED晶片10的短邊方向的兩個以上的p側電極17接觸這點，係與第1實施形態不同外，其餘具有與第1實施形態的微型LED集成裝置同樣的構成。
根據此第6實施形態，可得到與第1實施形態同樣的優點。
〈第7實施形態〉 [微型LED集成裝置的製造方法] 第7實施形態中，如圖23A及圖23B所示，係使用在基板110的一主面設有由下部電極主線部1201和從此下部電極主線部1201在與此下部電極主線部1201正交的方向上分支的複數個下部電極主線部1202所構成的下部電極120之安裝基板100。在此，圖23A為平面圖，圖23B為沿著圖23A的一點鏈線之剖面圖。下部電極支線部1202的前端部係形成寬幅，在此前端部的上面設有晶片結合部121。且，藉由已述的方法，將縱型微型LED晶片10以n側電極14朝向晶片結合部121的方式結合於此晶片結合部121。圖23A及圖23B係顯示縱型微型LED晶片10於上下具有複數個p側電極17及一個n側電極14且p側電極17呈二列各配列有四個的情況作為一例，但不限定於此，亦可將p側電極17設成一列或三列以上。如圖23A及圖23B所示，於此情況，在結合於晶片結合部121的縱型微型LED晶片10中，係有結合在相對於晶片結合部121些微旋轉的位置之構成。
其次，圖24A及圖24B所示，在縱型微型LED晶片10結合於晶片結合部121而成的安裝基板100的全面，以絕緣膜130的表面成為大致平坦的方式形成絕緣膜130後，藉由將此絕緣膜130利用RIE法等予以蝕刻而使p側電極17露出。在此，圖24A為平面圖，圖24B為剖面圖。
其次，如圖25A、圖25B及圖25C所示，與第1實施形態同樣，在絕緣膜130上，形成上部電極主線部141、上部電極支線部142及薄膜熔絲143。在此，圖25A係平面圖，圖25B係與圖23A同樣的剖面圖，圖25C係在與圖25B所示的剖面正交之方向上橫切晶片結合部121之剖面圖。上部電極支線部142係由ITO等的透明電極材料構成。藉由上部電極主線部141和上部電極支線部142構成有上部電極140。於此情況，由於縱型微型LED晶片10的p側電極17係於二列各具有四個，所以在包含結合在相對於晶片結合部121些微旋轉的位置而成的縱型微型LED晶片10之所有的縱型微型LED晶片10中，各上部電極支線部142必須連接於至少一個p側電極17。
其後，與第1實施形態同樣地對微型LED集成裝置進行必要的修理。
[微型LED集成裝置的構造] 如圖25A、圖25B及圖25C所示，此微型LED集成裝置具有：安裝基板100，在一主面具有由下部電極主線部1201、和在與此下部電極主線部1201正交的方向上分支的複數個下部電極支線部1202所構成的下部電極120；晶片結合部121，由下部電極支線部1202之寬幅的前端部的上面所構成；結合於晶片結合部121的縱型微型LED晶片10；以及上部電極主線部140，在此等縱型微型LED晶片10的上層且由隔介薄膜熔絲143彼此連接的上部電極主線部141和上部電極支線部142所構成。且，縱型微型LED晶片10係以n側電極14側朝向晶片結合部121而結合於此晶片結合部121，n側電極14和下部電極支線部1202係彼此電性連接，p側電極17和上部電極支線部142係彼此電性連接。來自縱型微型LED晶片10的光係穿透上部電極支線部142而在基板110的相反側取出。
根據此第7實施形態，可得到與第1實施形態同樣的優點。
〈第8實施形態〉 [微型LED集成裝置的製造方法] 圖26A及圖26B係顯示橫型微型LED晶片300。在此，圖26A為立體圖，圖26B為沿著圖26A的p側電極列之剖面圖。此橫型微型LED晶片300係使用AlGaInN系半導體。如圖26A及圖26B所示，此橫型微型LED晶片300具有長方形的平面形狀。在此橫型微型LED晶片300中，依序積層有n +型半導體層301、發光層302及p型半導體層303。發光層302係局部地設在n +型半導體層301上，未被發光層302覆蓋之部分的n +型半導體層301會露出。p型半導體層303係彼此分離而設有複數個。圖26A及圖26B所示的例子，係設有呈二列各設有4個的8個圓形p型半導體層303作為一例，但不限定於此，p型半導體層303的列數及各列的個數係依需要選擇。在n +型半導體層301上設有一個n側電極304，進行歐姆接觸。在各p型半導體層303上設有p側電極305，進行歐姆接觸。對應於p型半導體層303呈二列各設有4個，p側電極305係呈二列各設有4個。n側電極304與p側電極305係成為彼此相同的高度。在n側電極304及p側電極305上，設有將橫型微型LED晶片300安裝於安裝基板上時所使用的Sn膜，但省略了圖示。在橫型微型LED晶片300係使用AlGaInN系半導體之藍色發光或綠色發光的構成的情況，n +型半導體層301、發光層302及p型半導體層303的詳情係與第1實施形態中說明的縱型微型LED晶片10相同。
在此第8實施形態中，與第3實施形態同樣地，係使用如圖27A及圖27B所示之安裝基板100。在此，圖27A為平面圖，圖27B為沿著下部電極之剖面圖。如圖27A及圖27B所示，在基板110的一主面，設有由下部電極主線部1201、下部電極主線部1202及下部電極支線部1203所構成的下部電極120。在下部電極主線部1202與下部電極支線部1203之間連接有薄膜熔絲1204。
在此安裝基板100上形成有絕緣膜(未圖示)後，在此絕緣膜上，與下部電極主線部1202平行地形成上部電極140，俾通過從隔介薄膜熔絲1204連接於1條下部電極主線部1202的複數個下部電極支線部1203偏離的位置。上部電極140的厚度係設成與下部電極支線部1203相同厚度。絕緣膜僅形成在下部電極主線部1201與上部電極140的交叉部附近，下部電極主線部1201與上部電極140係藉由此絕緣膜彼此絕緣。在上部電極140，長方形支線部140a係在與上部電極140正交的方向突出而設置，俾在與隔介薄膜熔絲1204連接於1條下部電極主線部1202的複數個下部電極支線部1203接近之位置延伸。於此情況，藉由包含複數個下部電極支線部1203各者的上面的至少一部分及上部電極140的支線部140a的上面的一部分之長方形區域，形成有晶片結合部121。
其次，如圖28A、圖28B及圖28C所示，藉由已述的方法，將橫型微型LED晶片300以n側電極304及p側電極305朝向晶片結合部121的方式結合於晶片結合部121。此時，設成n側電極304位於上部電極140的支線部140a上，且p側電極305位於下部電極支線部1203上。在此，圖28A係平面圖，圖28B係沿著下部電極的剖面圖，圖28C係通過晶片結合部的剖面圖。
然後，與第1實施形態同樣地對微型LED集成裝置進行必要的修理。
[微型LED集成裝置的構造] 如圖28A、圖28B及圖28C所示，此微型LED集成裝置具有：安裝基板100，在一主面，具有包含藉由薄膜熔絲1204彼此連接的下部電極主線部1202和下部電極支線部1203之下部電極120、及此下部電極120的上層之上部電極140；晶片結合部121，藉由包含下部電極120各者之下部電極支線部1203的上面的一部分、及上部電極140的支線部140a的上面的一部分之區域所構成；及橫型微型LED晶片300，以n側電極304及p側電極305朝向晶片結合部121的方式結合於晶片結合部121。且，橫型微型LED晶片300係為，各p側電極305與各下部電極支線部1203彼此電性連接，n側電極304與上部電極140的支線部140a彼此電性連接。來自橫型微型LED晶片300的光係在與基板110的相反側被取出。
根據此第8實施形態，使用橫型微型LED晶片300可得到與第1實施形態同樣的優點。
〈第9實施形態〉 [彩色微型LED顯示器] 第9實施形態中，係針對被動矩陣驅動方式的彩色微型LED顯示器進行說明。
圖29係顯示此彩色微型LED顯示器的安裝基板100上之下部電極120。如圖29所示，於行方向設有彼此平行的複數個下部電極120。沿著各下部電極120配列有RGB的各發光區域彼此鄰接配置而構成的RGB-1像素單位，作為安裝基板100全體，像素係配列成二維矩陣狀。在各像素中，於下部電極120上形成有三個晶片結合部121A、121B、121C，例如分別成為B、R、G的發光區域。
圖30係顯示在安裝基板100上與第1實施形態同樣地安裝RGB之各發光用的縱型微型LED晶片，而形成有上部電極140的狀態。具體而言，在晶片結合部121A結合藍色發光的縱型微型LED晶片510，在晶片結合部121B結合紅色發光的縱型微型LED晶片520，在晶片結合部121C結合有綠色發光的縱型微型LED晶片530。沿著列方向的各晶片結合部121A設有上部電極140。隔介薄膜熔絲143與各上部電極140的上部電極主線部141連接之上部電極支線部142，係在晶片結合部121A上與縱型微型LED晶片510的p側電極連接，在晶片結合部121B上與縱型微型LED晶片520的p側電極連接，在晶片結合部121C上與縱型微型LED晶片530的p側電極連接。各像素的發光區域的選擇係藉由下部電極120及上部電極140的選擇進行。圖30係顯示1電路單元。
藍色發光的縱型微型LED晶片510及綠色發光的縱型微型LED晶片530係發光層的組成彼此不同，但具有與根據第1實施形態之縱型微型LED晶片10同樣的構造。又，紅色發光的縱型微型LED晶片520係使用AlGaInP系半導體，具有與第1實施形態的縱型微型LED晶片10同樣之構造。
根據此第9實施形態，可將RGB之各發光用的縱型微型LED晶片容易且在極短時間有效率地安裝在安裝基板100上，不良的縱型微型LED晶片之影響也可容易去除，藉此能夠以低成本實現高性能之被動驅動方式的彩色微型LED顯示器。
〈第10實施形態〉 [彩色微型LED顯示器] 第10實施形態中，針對主動矩陣驅動方式的彩色微型LED顯示器進行說明。
圖31係顯示此彩色微型LED顯示器之安裝基板100上的下部電極配線。下部電極配線中，下部電極120係與第9實施形態同樣地，於行方向彼此平行地設有複數個。且，沿著各下部電極120配列有RGB的各發光區域彼此鄰接配置而構成的RGB-1像素單位，作為安裝基板100全體，像素係配列成二維矩陣狀。在各像素中，於下部電極120上形成有三個晶片結合部121A、121B、121C，例如分別成為B、R、G的發光區域。作為下部電極配線，除了設有延伸於列方向之電源線610及資料線620外，亦設有延伸於行方向的掃描線630。構成為在各資料線620與各像素的各發光區域之間可設置主動驅動電路，藉由此主動驅動電路可選擇各像素的各發光區域。主動驅動電路係由電晶體T1、T2及電容器(condenser)C所構成。電晶體T1、T2一般係藉由使用多結晶Si薄膜等半導體薄膜的薄膜電晶體而構成，電容器C係藉由積層下部電極、絕緣膜及上部電極而構成。電晶體T1的源極連接於資料線620，汲極連接於電晶體T2的閘極，閘極連接於掃描線630。電晶體T2的源極連接於電源線610，汲極連接於下部電極120。電容器C連接於電晶體T1的汲極與電源線610之間。藉由掃描線630與資料線620的選擇，選擇各像素的各發光區域。
圖32係顯示在安裝基板100上與第9實施形態同樣地安裝藍色發光的縱型微型LED晶片510、紅色發光的縱型微型LED晶片520及綠色發光的縱型微型LED晶片530，而形成有上部電極140的狀態。上部電極140具有連接各上部電極主線部141之共通電極部144。圖32係顯示1電路單元。典型而言，1電路單元中的縱型微型LED晶片的數量為3個以上。
藍色發光的縱型微型LED晶片510、紅色發光的縱型微型LED晶片520及綠色發光的縱型微型LED晶片530係與第9實施形態中使用者同樣。
根據此第10實施形態，可將RGB之各發光用的縱型微型LED晶片容易且在極短時間有效率地安裝在安裝基板100上，不良的縱型微型LED晶片的影響也可容易去除，藉此能夠以低成本實現高性能的主動驅動方式之彩色微型LED顯示器。
〈第11實施形態〉 [微型LED集成裝置的製造方法] 第1實施形態中，係將上部電極主線部141與上部電極支線部142隔介薄膜熔絲143連接，但在此第11實施形態中，如圖33A及圖33B所示，將上部電極主線部141與上部電極支線部142彼此直接連接這點係與第1實施形態不同。於此情況，在上部電極140與下部電極120之間以下部電極120成為比上部電極140低電位的方式施加電壓，藉此通過各縱型微型LED晶片10所包含的p側電極17，流動例如1μA左右的電流以對各縱型微型LED晶片10的發光進行影像解析，特定因縱型微型LED晶片10的漏電缺陷而具有光量不良之上部電極支線部202。其次，藉由將以此方式所特定之具有光量不良的上部電極支線部142的一部分利用雷射束的照射等加以切斷，可得到與薄膜熔絲143的切斷同樣的結果。其他係與第1實施形態同樣。
[微型LED集成裝置] 微型LED集成裝置除了上部電極主線部141與上部電極支線部142彼此直接連接這點外，係與第1實施形態同樣。
根據此第11實施形態，可得到與第1實施形態同樣的優點。
以上，就本發明的實施形態具體地說明，但本發明並不限定於上述實施形態，可進行依據本發明的技術思想之各種變形。
例如，上述實施形態中所列舉的數值、構成、形狀、材料、方法等只不過是舉例，亦可依需要使用與此等不同的數值、構成、形狀、材料、方法等。
又，雖未以實施形態圖示出，但亦可在三個晶片結合部121A、121B、121C的全部結合例如藍色發光的縱型微型LED晶片510，於上部電極形成、檢查及修理後，於晶片結合部121B、121C上分別塗佈紅色螢光體、綠色螢光體以實現RGB的發光，亦可在晶片結合部121A、121B結合藍色發光的縱型微型LED晶片510，在晶片結合部121C結合綠色發光的縱型微型LED晶片530，於上部電極形成、檢查及修理後，於晶片結合部121B上塗佈紅色螢光體以實現RGB的發光。
10:縱型微型LED晶片 11:n +型半導體層 12:發光層 13:p型半導體層 14:n側電極 15:Sn膜 16:絕緣膜 17:p側電極 100:安裝基板 110:基板 120:下部電極 121:晶片結合部 122:透明電極 130:絕緣膜 140:上部電極 141:上部電極主線部 142:上部電極支線部 143:薄膜熔絲 200:印模 201:凸部 300:橫型微型LED晶片 301:n +型半導體層 302:發光層 303:p型半導體層 314:n側電極 305:p側電極 1201,1202:下部電極主線部 1203:下部電極支線部 1204:薄膜熔絲
圖1A係顯示使用於根據本發明的第1實施形態的微型LED集成裝置之縱型微型LED晶片的立體圖。 圖1B係顯示使用於根據本發明的第1實施形態的微型LED集成裝置之縱型微型LED晶片的剖面圖。 圖2A係顯示使用於根據本發明的第1實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之安裝基板之平面圖。 圖2B係顯示使用於根據本發明的第1實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之安裝基板之剖面圖。 圖3A係顯示使用於根據本發明的第1實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之安裝基板的下部電極上面的晶片結合部之例子的剖面圖。 圖3B係顯示使用於根據本發明的第1實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之安裝基板的下部電極上面的晶片結合部之其他例子的剖面圖。 圖4A係顯示根據本發明第1實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之平面圖。 圖4B係顯示根據本發明第1實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之剖面圖。 圖5A係顯示根據本發明第1實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之平面圖。 圖5B係顯示根據本發明第1實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之剖面圖。 圖6A係顯示根據本發明第1實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之平面圖。 圖6B係顯示根據本發明第1實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之剖面圖。 圖7A係顯示根據本發明第1實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之平面圖。 圖7B係顯示根據本發明第1實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之剖面圖。 圖8A係將圖7A及圖7B所示之薄膜熔絲及其附近予以放大顯示之平面圖。 圖8B係將具有與圖8A所示薄膜熔絲不同形狀的薄膜熔絲及其附近予以放大顯示之平面圖。 圖9A係用以說明藉由根據本發明第1實施形態的微型LED集成裝置的製造方法所製造之微型LED集成裝置的修理方法之平面圖。 圖9B係用以說明藉由根據本發明的第1實施形態的微型LED集成裝置的製造方法所製造之微型LED集成裝置的修理方法之剖面圖。 圖10A係用以說明藉由根據本發明第1實施形態的微型LED集成裝置的製造方法所製造之微型LED集成裝置的修理方法之平面圖。 圖10B係用以說明藉由根據本發明的第1實施形態的微型LED集成裝置的製造方法所製造之微型LED集成裝置的修理方法之剖面圖。 圖11係用以說明在根據本發明的第1實施形態的微型LED集成裝置的製造方法中使用黏著性印模藉由多晶片轉印方式將縱型微型LED晶片轉印時所獲得的優點之略線圖。 圖12A係顯示使用於根據本發明第2實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之安裝基板的平面圖。 圖12B係顯示使用於根據本發明第2實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之安裝基板的剖面圖。 圖13A係顯示根據本發明第2實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之平面圖。 圖13B係顯示根據本發明第2實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之剖面圖。 圖14A係顯示根據本發明第2實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之平面圖。 圖14B係顯示根據本發明第2實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之剖面圖。 圖15A係顯示使用於根據本發明第3實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之安裝基板的平面圖。 圖15B係顯示使用於根據本發明第3實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之安裝基板的剖面圖。 圖16A係顯示根據本發明第3實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之平面圖。 圖16B係顯示根據本發明第3實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之剖面圖。 圖17A係顯示根據本發明第3實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之平面圖。 圖17B係顯示根據本發明第3實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之剖面圖。 圖18A係顯示根據本發明第3實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之平面圖。 圖18B係顯示根據本發明第3實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之剖面圖。 圖19係顯示使用於根據本發明第5實施形態的微型LED集成裝置之縱型微型LED晶片之平面圖。 圖20係顯示根據本發明第5實施形態的微型LED集成裝置之平面圖。 圖21係顯示使用於根據本發明第6實施形態的微型LED集成裝置之縱型微型LED晶片之平面圖。 圖22係顯示根據本發明第6實施形態的微型LED集成裝置之平面圖。 圖23A係顯示根據本發明第7實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之平面圖。 圖23B係顯示根據本發明第7實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之剖面圖。 圖24A係顯示根據本發明第7實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之平面圖。 圖24B係顯示根據本發明第7實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之剖面圖。 圖25A係顯示根據本發明第7實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之平面圖。 圖25B係顯示根據本發明第7實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之剖面圖。 圖25C係顯示根據本發明第7實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之剖面圖。 圖26A係顯示使用於根據本發明第8實施形態的微型LED集成裝置之橫型微型LED晶片之立體圖。 圖26B係顯示使用於根據本發明第8實施形態的微型LED集成裝置之橫型微型LED晶片之剖面圖。 圖27A係顯示根據本發明第8實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之平面圖。 圖27B係顯示根據本發明第8實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之剖面圖。 圖28A係顯示根據本發明第8實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之平面圖。 圖28B係顯示根據本發明第8實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之剖面圖。 圖28C係顯示根據本發明第8實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之剖面圖。 圖29係顯示根據本發明第9實施形態的被動驅動方式之彩色微型LED顯示器的安裝基板之平面圖。 圖30係顯示根據本發明第9實施形態的被動驅動方式之彩色微型LED顯示器之平面圖。 圖31係顯示根據本發明第10實施形態的主動驅動方式的彩色微型LED顯示器的安裝基板之平面圖。 圖32係顯示根據本發明第10實施形態的主動驅動方式的彩色微型LED顯示器之平面圖。 圖33A係顯示根據本發明第11實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之平面圖。 圖33B係顯示根據本發明第11實施形態的微型LED集成裝置的製造方法之剖面圖。
10:縱型微型LED晶片
17:p側電極
100:安裝基板
110:基板
120:下部電極
130:絕緣膜
140:上部電極
141:上部電極主線部
142:上部電極支線部
143:薄膜熔絲

Claims (20)

  1. 一種半導體發光元件晶片集成裝置，具有： 基板，在一主面具有下部電極； 晶片結合部，藉由上述下部電極的上面的一部分或設置於上面的一部分之凸部或凹部所構成； 縱型半導體發光元件晶片，結合於上述晶片結合部且上下具有複數個p側電極及一個n側電極；以及 上部電極，在上述半導體發光元件晶片的上層且具有藉由薄膜熔絲彼此連接或彼此直接連接的主線部和複數個支線部， 上述半導體發光元件晶片係使上述n側電極朝向上述晶片結合部而結合於上述晶片結合部，上述n側電極和上述下部電極係彼此電性連接，上述半導體發光元件晶片之至少一個上述p側電極與上述上部電極的上述支線部係彼此電性連接。
  2. 如請求項1之半導體發光元件晶片集成裝置，其中 上述p側電極及上述上部電極的上述支線部的每一者係由透明電極構成，從上述半導體發光元件晶片發出的光係穿透上述p側電極及上述上部電極的上述支線部而取出。
  3. 如請求項1之半導體發光元件晶片集成裝置，其中 上述n側電極及與上述下部電極中之上述晶片結合部對應的部分的每一者係由透明電極構成，上述基板係透明，從上述半導體發光元件晶片發出的光係穿透上述n側電極、與上述下部電極中的上述晶片結合部對應的部分及上述基板而取出。
  4. 一種半導體發光元件晶片集成裝置，具有： 基板，在一主面具有包含藉由薄膜熔絲彼此連接的主線部和複數個支線部之下部電極； 晶片結合部，藉由包含上述下部電極之每一者的上述支線部的上面的至少一部分的區域所構成； 縱型半導體發光元件晶片，結合於上述晶片結合部且上下具有複數個p側電極及一個n側電極；及 上述半導體發光元件晶片之上層的上部電極， 上述半導體發光元件晶片係使上述p側電極朝向上述晶片結合部而結合於上述晶片結合部，至少一個上述p側電極與上述下部電極的上述支線部係彼此電性連接，上述半導體發光元件晶片的上述n側電極與上述上部電極係彼此電性連接。
  5. 如請求項4之半導體發光元件晶片集成裝置，其中 在上述n側電極及上述上部電極中的至少上述半導體發光元件晶片上方延伸的部分之每一者係由透明電極構成，從上述半導體發光元件晶片發出的光係穿透在上述n側電極及上述上部電極的至少上述半導體發光元件晶片的上方延伸之部分而取出。
  6. 如請求項4之半導體發光元件晶片集成裝置，其中 上述p側電極及上述下部電極的上述支線部之每一者係由透明電極構成，上述基板係透明，從上述半導體發光元件晶片發出的光係穿透上述p側電極、上述下部電極的上述支線部及上述基板而取出。
  7. 一種半導體發光元件晶片集成裝置，具有： 基板，在一主面具有包含藉由薄膜熔絲彼此連接的主線部和複數個支線部之下部電極； 上述下部電極之上層的上部電極； 晶片結合部，藉由包含上述下部電極之每一者的上述支線部的上面的至少一部分及上述上部電極的上面的一部分之區域所構成； 橫型半導體發光元件晶片，結合於上述晶片結合部且在一面側具有複數個p側電極及一個n側電極， 上述半導體發光元件晶片係使上述p側電極及上述n側電極朝向上述晶片結合部而結合於上述晶片結合部，至少一個上述p側電極與上述下部電極的上述支線部係彼此電性連接，上述半導體發光元件晶片的上述n側電極與上述上部電極係彼此電性連接。
  8. 如請求項7之半導體發光元件晶片集成裝置，其中 從上述半導體發光元件晶片發出的光係在上述基板的相反側取出。
  9. 如請求項7之半導體發光元件晶片集成裝置，其中 上述p側電極及上述下部電極的上述支線部之每一者係由透明電極構成，上述基板係透明，從上述半導體發光元件晶片發出的光係穿透上述p側電極、上述下部電極的上述支線部及上述基板而取出。
  10. 一種半導體發光元件晶片集成裝置，具有： 基板，在一主面具有下部電極； 上部電極，在上述下部電極的上層且具有藉由薄膜熔絲彼此連接或彼此直接連接的主線部和複數個支線部； 晶片結合部，藉由包含上述下部電極的上面的一部分及上述上部電極的每一者之上述支線部的上面的至少一部分的區域所構成；及 橫型半導體發光元件晶片，結合於上述晶片結合部且在一面側具有複數個p側電極及一個n側電極， 上述半導體發光元件晶片係使上述p側電極及上述n側電極朝向上述晶片結合部而結合於上述晶片結合部，至少一個上述p側電極與上述上部電極的上述支線部係彼此電性連接，上述半導體發光元件晶片的上述n側電極與上述下部電極係彼此電性連接。
  11. 一種半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法，具有： 將上下具有複數個p側電極及一個n側電極的縱型半導體發光元件晶片，以上述n側電極朝向晶片結合部的方式結合於該晶片結合部，且將上述n側電極和下部電極彼此電性連接之工程，該晶片結合部係藉由在一主面具有該下部電極之基板的上述下部電極的上面的一部分或設置於上面的一部分之凸部或凹部所構成；以及 作為上述半導體發光元件晶片的上層，將具有藉由薄膜熔絲彼此連接或彼此直接連接的主線部和複數個支線部之上部電極，以上述半導體發光元件晶片之至少一個上述p側電極和上述上部電極的上述支線部彼此電性連接的方式形成之工程。
  12. 如請求項11之半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法，其進一步具有：在形成有上述上部電極後，於上述支線部與上述主線部之間施加修理用電壓以使電流流通之工程。
  13. 如請求項11之半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法，其中將上述半導體發光元件晶片以多晶片轉印方式結合於上述晶片結合部。
  14. 一種半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法，具有： 將上下具有複數個p側電極及一個n側電極之縱型半導體發光元件晶片，以上述p側電極朝向晶片結合部的方式結合於該晶片結合部，且將至少一個上述p側電極與下部電極的支線部彼此電性連接之工程，該晶片結合部係藉由包含基板的上述下部電極的每一者的上述支線部上面的至少一部分之區域所構成，該基板在一主面具有包含藉由薄膜熔絲彼此連接的主線部和複數個支線部之上述下部電極；以及 作為上述半導體發光元件晶片的上層，將上部電極以上述半導體發光元件晶片的上述n側電極和上述上部電極彼此電性連接之方式形成的工程。
  15. 如請求項14之半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法，其進一步具有：在形成有上述上部電極後，於上述支線部與上述主線部之間施加修理用電壓以使電流流通之工程。
  16. 如請求項14之半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法，其中 將上述半導體發光元件晶片以多晶片轉印方式結合於上述晶片結合部。
  17. 一種半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法，具有︰ 形成在基板的一主面具有藉由薄膜熔絲彼此連接的主線部和複數個支線部之下部電極及該下部電極上層的上部電極之工程； 將一面側具有複數個p側電極及一個n側電極之橫型半導體發光元件晶片，以上述p側電極及上述n側電極朝向晶片結合部的方式結合於該晶片結合部，將至少一個上述p側電極與上述下部電極的上述支線部彼此電性連接，且將上述n側電極與上述上部電極彼此電性連接之工程，該晶片結合部係藉由包含上述下部電極之每一者的上述支線部的上面的至少一部分及上述上部電極上面的一部分之區域所構成。
  18. 如請求項17之半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法，其進一步具有： 將上述半導體發光元件晶片結合於上述晶片結合部，將至少一個上述p側電極與上述下部電極的上述支線部彼此電性連接，並且將上述n側電極與上述上部電極彼此電性連接後，在上述支線部和上述主線部之間施加修理用電壓以使電流流通之工程。
  19. 如請求項17之半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法，其中 將上述半導體發光元件晶片以多晶片轉印方式結合於上述晶片結合部。
  20. 一種半導體發光元件晶片集成裝置的製造方法，具有︰ 在基板的一主面形成下部電極及上部電極之工程，該上部電極係在該下部電極的上層且具有藉由薄膜熔絲彼此連接或彼此直接連接的主線部和複數個支線部；及 將一面側具有複數個p側電極及一個n側電極的橫型半導體發光元件晶片，以上述p側電極及上述n側電極朝向晶片結合部的方式結合於該晶片結合部，且將上述n側電極與上述下部電極彼此電性連接，並將至少一個上述p側電極與上述上部電極的上述支線部彼此電性連接之工程，該晶片結合部係藉由包含上述下部電極的上面的一部分及上述上部電極之每一者的上述支線部上面的至少一部分之區域所構成。
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