TWI767135B - 硬化性組成物、該組成物之硬化物，及使用該硬化物之半導體裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題在於以提供賦予硬度、機械強度及耐龜裂性為高，短波長區域之光透過性、氣體阻障性優異之硬化物的硬化性組成物為目的。
其解決手段為一種硬化性組成物，其係包含下述(A)、(B)及(C)。(A)式(1)所示之有機矽化合物與式(2)所示之有機矽化合物之加成反應物且係1分子中具有3個以上SiH基之加成反應物，(B)1分子中具有2個以上烯基之有機矽氧烷化合物、(C)矽氫化反應觸媒：相對於組成物全體質量而鉑族金屬原子為1~500ppm。
(式中，R1
係獨立為取代或未取代之碳數1~12之2價烴基)
(式中，R2
係獨立為取代或未取代之碳數1~12之1價烴基，R3
為單鍵或未取代之碳數1~4之2價烴基)。
Description
本發明係關於硬化性組成物、其硬化物，及使用前述硬化物之半導體裝置。
過往作為光學裝置或光學零件用材料，尤其係作為發光二極體(LED)元件之密封材料，一般係使用環氧樹脂。又，聚矽氧樹脂也係嘗試使用作為LED元件之模具構件等(專利文獻1、2)，及嘗試使用作為濾色器材料(專利文獻3)，但實際上之使用例為少。
近年來在白色LED受到矚目當中，至今並未視為問題之環氧密封材之因紫外線等造成之黃變，或伴隨小型化而發熱量增加所導致之龜裂產生等逐漸成為問題，而迫切需要對策。作為該等之對策，已檢討有使用分子中具有大量苯基之聚矽氧樹脂硬化物。然而，現況之LED所使用之基板諸多係使用銀基板，但銀會被存在於空氣中之硫化合物所腐蝕，因此會有LED發光效率降低的情況。此現象即便係具有苯基之聚矽氧樹脂硬化物仍會某種程度受到抑制，但仍比環氧密封材還差。作為該對策，已提出藉
由使用具有多環式烴基之硬化組成物，而兼具銀之腐蝕與耐熱性之材料(專利文獻4)。然而，該組成物由於作為樹脂之變化點在室溫附近，則會由於高溫‧低溫之溫度變化而容易產生龜裂。
[專利文獻1]日本特開平10-228249號公報
[專利文獻2]日本特開平10-242513號公報
[專利文獻3]日本特開2000-123981號公報
[專利文獻4]日本特開2005-133073號公報
本發明係為了解決上述問題所完成者，其目的在於提供一種硬化性組成物，其係會賦予硬度、機械強度、及耐龜裂性為高，短波長區域之光透過性、氣體阻障性優異之硬化物。
為了達成上述課題，本發明提供一種硬化性組成物，其係包含下述(A)、(B)及(C)。
(A)下述式(1)所示之有機矽化合物與下述式(2)所示之有機矽化合物之加成反應物且係1分子中具有3個以上SiH
基之加成反應物，
(式中，R1係獨立為取代或未取代之碳數1~12之2價烴基。)
(式中，R2係獨立為取代或未取代之碳數1~12之1價烴基，R3為單鍵或未取代之碳數1~4之2價烴基。)
(B)1分子中具有2個以上烯基之有機矽氧烷化合物、
(C)矽氫化反應觸媒：相對於組成物全體質量而鉑族金屬原子為1~500ppm。
若係本發明之硬化性組成物，就能提供一種會賦予硬度、機械強度、及耐龜裂性為高，短波長區域之光透過性、氣體阻障性優異之硬化物的硬化性組成物。
本發明之硬化性組成物中，上述R1可為伸苯基，上述R2可為甲基或苯基。
本發明之硬化性組成物係更以前述(B)為下述式(3)所示之化合物為佳。
(式中，R4係獨立為未取代或取代之1價烴基，R5係獨立為甲基或苯基，a為0~50之整數，b為0~100之整數。但，a為0時，R5為苯基，且，b為1~100。附加有括弧之矽氧烷單位之排列順序為任意者。)
又本發明提供一種硬化物，其係使前述硬化性組成物硬化而成。
若為本發明之硬化物，則硬度、機械強度、及耐龜裂性為高，且短波長區域之光透過性、氣體阻障性優異。
本發明之硬化物係以在厚度2mm下波長400nm之光穿透率(25℃)為80%以上為佳。
若為具有此種光穿透率之硬化物，則能適宜使用於保護、密封或接著發光二極體元件、變更或調整波長或透鏡等之用途。
並且，本發明提供一種半導體裝置，其係藉
由前述硬化物來被覆半導體元件者。
若為本發明之半導體裝置，由於使用之硬化物之硬度、機械強度、及耐龜裂性為高，其氣體阻障性優異，故會成為具有高耐久性之半導體裝置。並且，由於短波長區域之光透過性亦為優異，故也係可有用作為發光二極體元件等之需要光透過性之半導體裝置。
若為本發明之硬化性組成物，即可賦予硬度、機械強度、及耐龜裂性為高，短波長區域之光透過性、氣體阻障性優異之硬化物。因此，可適宜使用於保護、密封或接著發光二極體元件、變更或調整波長或透鏡等之用途。又，也係有用作為透鏡材料、光學裝置或光學零件用密封材、顯示器材料等之各種之光學零件用材料、電子裝置或電子零件用絕緣材料，以及塗覆材料。
1:半導體裝置
2:鍍銀基板
3:封裝
4:半導體晶片
5:接合線
6:硬化性組成物之硬化物
[圖1]展示使用本發明硬化性組成物之硬化物之光半導體裝置之一例的示意剖面圖。
[圖2]合成例1取得之加成反應物(A-1)之1H-NMR光譜。
[圖3]合成例1取得之加成反應物(A-1)之GPC圖譜。
[圖4]合成例2取得之加成反應物(A-2)之1H-NMR光
譜。
[圖5]合成例2取得之加成反應物(A-2)之GPC圖譜。
[圖6]合成例3取得之加成反應物(A-3)之1H-NMR光譜。
[圖7]合成例3取得之加成反應物(A-3)之GPC圖譜。
如上所述，要求開發會賦予硬度、機械強度、及耐龜裂性為高，短波長區域之光透過性、氣體阻障性優異之硬化物的硬化性組成物。
本發明者等針對上述課題經過重複精心之結果，發現若為包含特定成分之硬化性組成物，即能解決上述課題，進而完成了本發明。
即，本發明為一種硬化性組成物，其係包含下述(A)、(B)及(C)。
(A)下述式(1)所示之有機矽化合物與下述式(2)所示之有機矽化合物之加成反應物且係1分子中具有3個以上SiH基之加成反應物，
(式中，R1係獨立為取代或未取代之碳數1~12之2價烴
基。)
(式中，R2係獨立為取代或未取代之碳數1~12之1價烴基，R3為單鍵或未取代之碳數1~4之2價烴基。)
(B)1分子中具有2個以上烯基之有機矽氧烷化合物、(C)矽氫化反應觸媒：相對於組成物全體質量而鉑族金屬原子為1~500ppm。
以下，詳細說明關於本發明，但本發明並非係受到該等所限定者。
本發明之硬化性組成物係含有下述(A)~(C)成分而成。本發明之硬化性組成物(加成硬化型聚矽氧組成物)係能以過往公知之方法來混合下述(A)~(C)成分，及因應必要之其他成分而進行調製。
以下，詳細說明關於各成分。
本發明之硬化性組成物中之(A)成分係藉由與後述之(B)成分引起矽氫化反應而有交聯劑之功能。
(A)成分為下述式(1)所示之有機矽化合物與下述式(2)所示之有機矽化合物之加成反應物且係1分子中具有3個以上SiH基之加成反應物。
(式中，R1係獨立為取代或未取代之碳數1~12之2價烴基。)
(式中，R2係獨立為取代或未取代之碳數1~12之1價烴基，R3為單鍵或未取代之碳數1~4之2價烴基。)
作為R1所示之碳數1~12之2價烴基，可舉出如亞甲基、伸乙基、n-伸丙基、n-伸丁基、n-伸戊基、n-伸己基、伸環己基、n-伸辛基等之伸烷基、伸苯基、伸萘基等之伸芳基等，或該等基之氫原子之一部分或全部被氟、溴、氯等之鹵素原子等取代者，且作為R1，以伸苯基為特佳。
作為R2所示之碳數1~12之1價烴基，可舉出如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、新戊基、己基、辛基等之烷基、環己基等之環烷基、乙烯基、烯丙基、丙烯基等之烯基、苯基、甲苯基、茬基、萘基等之芳基、苄基、苯基乙基、苯基丙基等之芳烷基等，或該等基之氫原子之一部分或全部被氟、
溴、氯等之鹵素原子等取代者，且作為R2，以甲基或苯基為佳，以苯基為特佳。
作為R3所示之未取代之碳數1~4之2價烴基，可舉出如亞甲基、伸乙基、n-伸丙基、n-伸丁基等之伸烷基。R3為單鍵時，則表示矽原子上直接鍵結乙烯基之有機矽化合物。作為R3，以單鍵或伸乙基為特佳。
以下展示上述式(1)所示之有機矽化合物之適宜具體例，但並非係受到該等所限定者。又，上述式(1)所示之有機矽化合物係可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。
以下展示上述式(2)所示之化合物之適宜具體例，但並非係受到該等所限定者。又，上述式(2)所示之化合物係可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。
作為上述式(1)所示之有機矽化合物與上述式(2)所示之有機矽化合物之加成反應物，即(A)成分之較佳例，可舉出如下述單位式所示之化合物。
(式中，n為1~10之整數。)
作為前述單位式所示之化合物之具體例，可
舉出如下述式所示之化合物等，但並非係受到該等所限定者。
又，(A)成分係可單獨使用1種上述單位式所示之化合物，亦可組合使用2種以上。
本發明之硬化性組成物中之(A)成分係相對於上述式(2)所示之化合物1莫耳，以過剩量，較佳係超過3莫耳且30莫耳以下，更佳係超過4.5莫耳且15莫耳以下來混合上述式(1)所示之化合物，並藉由在兩者之存在下進行矽氫化反應而可取得。
作為前述矽氫化反應所使用之觸媒，可使用公知者。可舉出例如，已載持鉑金屬之碳粉末、鉑黑、四氯化鉑、氯化鉑酸、氯化鉑酸與一價醇之反應生成物、氯化鉑酸與烯烴類之錯合物、鉑雙乙醯乙酸酯等之鉑系觸媒；鈀系觸媒、銠系觸媒等之鉑族金屬系觸媒。又，加成反應條件、純化條件、溶劑之使用等並無特別限定，使用公知之方法即可。
本發明之硬化性組成物中之(A)成分可為由1種之化合物所構成者，亦可為2種以上之化合物組合(混合物)所構成者。
構成(A)成分之化合物是否1分子中具有3個以上SiH基係可藉由選擇適當測量手段進行確認。構成(A)成分之化合物在2種以上時，可藉由選擇適當測量手段之組合(例如，1H-NMR與GPC等)，而可確認每個化合物是否於1分子中具有3個以上SiH基。
本發明之硬化性組成物中之(B)成分為1分子中具有2
個以上烯基之有機矽氧烷化合物。
作為(B)成分之具體例，並無特別限定，可舉出如分子鏈兩末端三甲基矽氧基封閉二甲基矽氧烷‧甲基乙烯基矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端三甲基矽氧基封閉二甲基矽氧烷‧二苯基矽氧烷‧甲基乙烯基矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端二甲基乙烯基矽氧基封閉二甲基矽氧烷‧二苯基矽氧烷共聚物等，(B)成分係可單獨使用1種亦可組合2種以上使用。
作為(B)成分，以下述式(3)所示之直鏈狀之有機聚矽氧烷為佳。
(式中，R4係獨立為未取代或取代之1價烴基，R5係獨立為甲基或苯基，a為0~50之整數，b為0~100之整數。但，a為0時，R5為苯基，且，b為1~100。附加有括弧之矽氧烷單位之排列順序為任意者。)
作為R4所示之未取代或取代之1價烴基，可
舉出如前述脂肪族不飽和基，及前述脂肪族不飽和基以外之1價烴基，例如、甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、sec-丁基、t-丁基等之碳原子數1~6之烷基；氯甲基、3,3,3-三氟丙基等之碳原子數1~4之鹵烷基；苯基、甲苯基等之碳原子數6~10之芳基。其中，以碳原子數1~6之烷基、苯基、乙烯基為佳，特佳為甲基。
上述式(3)中，a為0~50之整數，以1~10為佳，以1~7為較佳，以2~4為更佳。b為0~100之整數，以0~50為佳，以1~10為較佳，以2~4為更佳。
式(3)所示之有機聚矽氧烷係可藉由例如使二氯二苯基矽烷或二烷氧基二苯基矽烷等之二官能性矽烷進行水解‧縮合後，或進行水解‧縮合之同時並藉由使用含有脂肪族不飽和基之矽氧烷單位來封密末端而得。
(B)成分之配合量係可作成SiH基對組成物中之脂肪族不飽和基的莫耳比(SiH基/脂肪族不飽和基)為0.5以上5以下，較佳作成0.8以上2以下之量。前述莫耳比(SiH基/脂肪族不飽和基)若在0.5以上5以下，則能使本發明之組成物充分硬化。
本發明之(C)成分之矽氫化反應觸媒係可使用與調製上述(A)成分所使用者為相同者。
本發明之硬化性組成物中之(C)成分之配合量係相對於組成物全體質量而鉑族金屬原子為
1~500ppm，以1~100ppm程度為佳，較佳為2~12ppm之量。將(C)成分之配合量作成相對於組成物全體質量而鉑族金屬原子為未滿1ppm，或作成超過500ppm時，則硬化反應所需要之時間會變得過長，或變得過短，且有產生硬化物著色等之問題的情況。
本發明之硬化性組成物中除了上述(A)~(C)成分之外，因應必要亦可配合防氧化劑、無機填充劑等之成分。
本發明之硬化性組成物之硬化物中會有上述(B)成分中之加成反應性碳-碳雙鍵並未反應而殘留之情況，且其藉由大氣中之氧而被氧化，進而可能成為硬化物著色之原因。因此，因應必要藉由對本發明之硬化性組成物配合防氧化劑，就能事先防止此種著色。
作為防氧化劑，可使用公知者，可舉出例如，2,6-二-t-丁基-4-甲基酚、2,5-二-t-戊基氫醌、2,5-二-t-丁基氫醌、4,4‘-亞丁基雙(3-甲基-6-t-丁基酚)、2,2’-亞甲基雙(4-甲基-6-t-丁基酚)、2,2‘-亞甲基雙(4-乙基-6-t-丁基酚)等。該等係可單獨使用1種亦可組合2種以上使用。
尚且，在使用該防氧化劑之情況，其配合量並無特別限制，相對於上述(A)成分與(B)成分之合計質量，通常係以配合1~10,000ppm，特別係以配合
10~1,000ppm程度為佳。藉由作成前述範圍內之配合量，可取得防氧化能力充分受到發揮，無著色、白濁、氧化劣化等之產生，且光學特性優異之硬化物。
為了調整本發明之硬化性組成物之黏度，或由本發明之硬化性組成物所得之硬化物之硬度等，或提升該等之強度，或使螢光體之分散變得良好等，亦可添加奈米二氧化矽，或溶融二氧化矽、結晶性二氧化矽、氧化鈦、奈米氧化鋁、氧化鋁等之無機填充劑。
本發明之硬化性組成物中亦可配合接著性提升劑。作為接著性提升劑，可例示如矽烷耦合劑或其寡聚物、具有與烷耦合劑相同之反應性基之聚矽氧烷等。
接著性提升劑係以下述式(4)所示之化合物為佳。
(式中，s為1~3之整數，t為0~3之整數，u為0~3之整數，但s+t+u為4~5之整數。附加有括弧之矽氧烷單位之排
列順序為任意者。)
接著性提升劑係為了提升本發明之硬化性組成物及其硬化物對基材之接著性而配合於組成物之任意成分。在此，基材係指金、銀、銅、鎳等之金屬材料、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦等之陶瓷材料、聚矽氧樹脂、環氧樹脂等之高分子材料。接著性提升劑係可單獨使用1種亦可組合2種以上使用。
使用接著性提升劑時之配合量在相對於上述(A)成分與(B)之合計100質量份而言，以1~30質量份為佳，較佳為1~10質量份。若為此種配合量時，有效地提升本發明之熱硬化性聚矽氧組成物及其硬化物對基材之接著性，又，不易引起著色。
作為接著性提升劑之適宜具體例，可舉出如下述式所示者，但並非係受限於該等者。
又，為了確保使用期限，可配合如1-乙炔基環己醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇等之加成反應控制劑。
並且，為了針對太陽光線、螢光燈等之光能量所造成之光劣化賦予抵抗性，也能使用光安定劑。作為該光安定劑，適合為捕捉因光氧化劣化而生成之自由基的受阻胺系安定劑，藉由與防氧化劑併用，而防氧化效果更加提升。作為光安定劑之具體例，可舉出如雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、4-苄醯基-2,2,6,6-四甲基哌啶等。
使本發明之硬化性組成物硬化而作出本發明之硬化物。前述硬化物之硬度、機械強度、及耐龜裂性為高，且短波長區域之光透過性、氣體阻障性優異。尚且，本發明之硬化性組成物之硬化條件並無特別限制，以作成60~180℃、5~180分之條件為佳。
由本發明之硬化性組成物所得之硬化物位於波長589nm之光之折射率(25℃)係以1.5以上為佳。
又，由本發明之硬化性組成物所得之硬化物在厚度2mm下波長400nm之光穿透率(25℃)係以80%以上為佳。
若為具有此種光學特性之本發明之硬化物，除了可適宜使用在保護、密封或接著發光二極體元件、變更或調整波長或透鏡等之用途以外，作為透鏡材料、光學裝置或光學零件用密封材、顯示器材料等之各種光學零件用材料、電子裝置或電子零件用絕緣材料，以及塗覆材料，也係有用之材料。
本發明更提供一種半導體裝置，其係被從上述硬化性組成物所得之硬化物所被覆之半導體元件。
以下，參照圖1說明關於使用本發明硬化性組成物之硬化物的半導體裝置(以下，亦稱為「本發明之半導體裝置」)，但本發明並非係受到該等所限定者。
圖1為展示本發明之半導體裝置之一例的示意剖面圖。本發明之半導體裝置1係為在已形成鍍銀基板2之封裝3上，半導體晶片4已被晶片接合，該半導體晶片4係藉由接合線5而被引線接合。且，藉由上述本發明之硬化性組成物之硬化物6而被覆半導體晶片4。半導體晶片4之被覆藉由塗布上述之本發明之硬化性組成物(加成硬化型聚矽氧組成物)並藉由加熱而使硬化性組成物硬化來實施。尚且，亦可在其他公知之硬化條件下藉由公知之硬化方法使其硬化。
於此情況，從作成不易受到外部應力之影響，又極力抑制灰塵等之附著的觀點，上述硬化性組成物係以藉由硬化而形成JIS規定之硬度以蕭耳(Shore)D計為30以上之硬化物者為佳。
本發明之硬化性組成物由於會形成硬度及耐龜裂性為高，且短波長區域之光透過性、氣體阻障性優異之硬化物，故使用該硬化性組成物之本發明之半導體裝置會成為信賴性優異者。
以下，使用實施例及比較例具體地說明本發明，但本發明並非係受到該等所限定者。
又，實施例中，1H-NMR測量係使用Bruker Biospin公司製AVANCE III。GPC(凝膠滲透層析)測量係使用東曹(股)製HLC-8320 GPC，使用四氫呋喃(THF)作為移
動相，並以聚苯乙烯換算來進行。
對具備攪拌裝置、冷卻管、滴下漏斗及溫度計之1L之4頸燒瓶添加1,4-雙(二甲基矽基)苯(信越化學工業股份有限公司製)350.0g(1.8莫耳)、5% Pt碳粉末(N.E.Chemcat股份有限公司製)0.18g，使用油浴加熱至85℃。對此滴下三乙烯基苯基矽烷(信越化學工業股份有限公司製)74.5g(0.4莫耳)。滴下結束後，在90~100℃之間攪拌5小時。攪拌後結束後返回25℃，添加活性碳4.2g並攪拌1小時。攪拌後過濾、減壓濃縮，而取得(A-1)成分250.7g(無色透明，收率81%，25℃之黏度：400Pa‧s)。
藉由1H-NMR(圖2)、GPC(圖3)等分析反應生成物之結果，取得之反應生成物為具有下述式(a)~(e)所示構造之化合物的混合物，各化合物之比例為(a)：(b)：(c)：(d)：(e)=30：20：15：10：25(mol%)。又，前述化合物分別係1分子中具有3個以上SiH基之化合物，混合物全體之SiH基之含有比例為0.0030mol/g。
對具備攪拌裝置、冷卻管、滴下漏斗及溫度計之1L之4頸燒瓶，添加1,4-雙(二甲基矽基)苯(信越化學工業股份有限公司製)194.4g(1.0莫耳)、5% Pt碳粉末(N.E.Chemcat股份有限公司製)0.097g，使用油浴加熱至85℃。對此滴下三乙烯基苯基矽烷(信越化學工業股份有限公司製)37.3g(0.2莫耳)。滴下結束後，在90~100℃之間攪拌5小時。攪拌後結束後返回25℃，添加活性碳4.2g並攪拌1小時。攪拌後過濾、減壓濃縮，而取得(A-2)成分131.0g(無色透明，收率85%，25℃之黏度：150Pa‧s)。
藉由1H-NMR(圖4)、GPC(圖5)等分析反應生成物之結果，取得之反應生成物為具有上述式(a)~(e)所示構造之化合物的混合物，各化合物之比例為(a)：(b)：(c)：(d)：(e)=36：24：15：10：15(mol%)。又，前述化合物分別係1分子中具有3個以上SiH基之化合物，混合物全體之SiH基之含有比例為0.0032mol/g。
對具備攪拌裝置、冷卻管、滴下漏斗及溫度計之1L之4頸燒瓶添加1,4-雙(二甲基矽基)苯(信越化學工業股份有限公司製)262.8g(1.35莫耳)、5% Pt碳粉末(N.E.Chemcat股份有限公司製)0.12g，使用油浴加熱至85℃。對此滴下三乙烯基苯基矽烷(信越化學工業股份有限公司製)28.0g(0.15莫耳)。滴下結束後，在90~100℃之間攪拌5小時。攪拌後結束後返回25℃，添加活性碳2.9g並攪拌1小時。攪拌後過濾、減壓濃縮，而取得(A-3)成分99.7g(無色透明，收率87%，25℃之黏度：30Pa‧s)。
藉由1H-NMR(圖6)、GPC(圖7)等分析反應生成物之結果，該物為具有下述式(a)~(c)、(f)所示構造之化合物的混合物，各化合物之比例為(a)：(b)：(c)：(f)=55：25：10：10(mol%)。又，前述化合物分別係1分子中具有3個以上SiH基之化合物，前述混合物全體之SiH基之含有比例為0.0035莫耳/g。
以表1、2所示之組成比(數值代表質量份)混合下述之各成分，而調製出聚矽氧組成物。下述之例中，表示有機聚矽氧烷組成之記號係如以下所示。
MVi：(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2
MΦVi：(CH2=CH)(CH3)(C6H5)SiO1/2
MH：H(CH3)2SiO1/2
D2Φ：(C6H5)2SiO2/2
TΦ：(C6H5)SiO3/2
Q：SiO4/2
(A-1)上述合成例1取得之化合物
(A-2)上述合成例2取得之化合物
(A-3)上述合成例3取得之化合物
(A-4)MH 3TΦ 1所示之分枝型有機聚矽氧烷
(B-1)平均單位式MΦVi 2D2Φ 3所示之每100g具有乙烯基0.23莫耳之黏度2,000mPa‧s之有機聚矽氧烷
(B-2)平均單位式MVi 2D2Φ所示之每100g具有乙烯基0.50莫耳之黏度10mPa‧s之有機聚矽氧烷
(B-3)平均單位式MΦVi 20D2Φ 37.5Q42.5所示之每100g具有乙烯基0.16莫耳之25℃下固體之有機聚矽氧烷
鉑1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物之聚矽氧烷稀釋品(鉑含量：1重量%)
下述構造式(5)所示之接著性提升劑
對於上述實施例及比較例取得之硬化性組成物，依據
下述手法，評價該硬化物之性能。
使硬化性組成物成為6mm厚之方式流入於以玻璃板組成之模具中，在150℃下進行4小時後硬化而取得硬化物。將依據ASTM D 2240，在23℃下測量各硬化物之硬度(Shore D或Type A)之結果展示於表3。尚且，蕭耳(Shore)D硬度係在數值之前註記D，A型硬度係在數值之前註記A。
對於與上述硬度測量同樣地調製而成之2mm厚之硬化物，使用分光光度計測量各硬化物之400nm光穿透率。將測量結果展示於表3。
對於與上述硬度測量同樣地調製而成之2mm厚之硬化物，依據JIS-K-6249在23℃下測量各硬化物之伸長率，及拉伸強度。將測量結果展示於表3。
在圖1所示之半導體裝置(LED裝置)中流入硬化性組成物，在100℃下保持1小時後，在150℃ 4小時之條件下進行硬化。使取得之LED裝置暴露於260℃ 3分鐘後，確認有無
硬化物之龜裂。其後，將各LED裝置放入將-40℃ 15分、125℃ 15分設為1循環之熱衝撃試驗機，並確認500循環後之各LED裝置中之硬化性組成物之硬化物部分有無龜裂。將其結果展示於表3。
針對使硬化性組成物成為1mm厚之方式流入於以玻璃板組成之模具中，在150℃下進行4小時後硬化而得之硬化物，使用氧氣穿透裝置(伊利諾伊儀器公司製型號8000)進行測量。將其結果展示於表3。
根據表3，本發明之硬化性組成物之硬化物展現優異之透明性、伸長率、拉伸強度、耐龜裂性、氣體阻障性。故，本發明之透明熱硬化性聚矽氧組成物之硬化物係有用作為光學元件密封材料，特別係有用作為白色LED用之密封材料。
如比較例1~3所示般，在使用具有矽氧烷鍵之交聯劑之(A-4)時，在與本發明之硬化性組成物相比，
伸長率及氧氣穿透率皆成為較差之結果。
尚且，本發明並非係受到上述實施形態所限定者。上述實施形態僅為例示，具有與本發明之申請專利範圍記載之技術思想為實質相同之構成，且具有相同作用效果者，無論何種型態皆係包含在本發明之技術範圍內。
1:半導體裝置
2:鍍銀基板
3:封裝
4:半導體晶片
5:接合線
6:硬化性組成物之硬化物
Claims (5)
- 一種硬化性組成物，其特徵為包含下述(A)、(B)及(C)；(A)下述式(1)所示之有機矽化合物與下述式(2)所示之有機矽化合物之加成反應物且係1分子中具有3個以上SiH基之加成反應物，
- 如請求項1之硬化性組成物，其中R1為伸苯基，R2為甲基或苯基。
- 一種硬化物，其特徵為使如請求項1或請求項2之硬化性組成物硬化而成。
- 如請求項3之硬化物，其中在厚度2mm下波長400nm之光穿透率(25℃)為80%以上。
- 一種半導體裝置，其特徵為藉由如請求項3或請求項4之硬化物被覆半導體元件者。
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