TWI766981B - 塗佈處理裝置、塗佈處理方法，及光學膜形成裝置 - Google Patents

塗佈處理裝置、塗佈處理方法，及光學膜形成裝置 Download PDF

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Abstract

[課題]將包含光學材料的塗佈液，對基板以任意角度適切地塗佈。 　　[解決手段]塗佈處理裝置(10)具有：保持基板並使其在水平的一方向移動的基板移動部(12、13)、在與基板移動部的移動方向垂直的方向延伸，對保持於基板移動部的基板吐出塗佈液的長條狀的塗佈噴嘴(14)、在塗佈噴嘴(14)的延伸方向使塗佈噴嘴(14)移動的塗佈噴嘴移動部(16)、藉由控制基板移動部及塗佈噴嘴移動部的移動速度，來控制對保持於基板移動部的基板的塗佈方向的控制部(18)。

Description

塗佈處理裝置、塗佈處理方法，及光學膜形成裝置
本發明係有關於在基板塗佈包含光學材料的塗佈液的塗佈處理裝置、利用該塗佈處理裝置的塗佈處理方法及利用該塗佈處理裝置的光學膜形成裝置。
例如在有機發光二極體(OLED：Organic Light Emitting Diode)，為了防止外光反射會使用圓偏光板。圓偏光板藉由將線偏光板與波長板(相位差板)以其偏光軸呈45度交叉的方式層積而製作。又，在液晶顯示器(LCD：Liquid Crystal Display)，也會為了控制顯示的旋光性及雙折射性等，而使用該等線偏光板及波長板。
又，也有例如僅將波長板，使其偏光軸呈15度或75度傾斜的方式形成的情形。因此，有將偏光板及波長板以任意角度形成的必要。再者，為了使偏光板及波長板的偏光軸以任意角度交叉，有將該等偏光板及波長板個別形成的必要。
從前，這種偏光板及波長板，例如使用延伸薄膜來製作。延伸薄膜為藉由使薄膜在一方向延伸並貼附，而使該材料中的分子在一方向配向者。
此外，近年來，隨著OLED及LCD等的薄型化，也要求偏光板及波長板的薄膜化。但是，當製作偏光板及波長板時，如從前那樣使用延伸薄膜時，使延伸薄膜自體的膜厚薄化具有極限，無法得到充足的薄膜。
因此，藉由在基板上塗佈具有預定材料的塗佈液，形成必要的膜厚的偏光板及波長板，以達到薄膜化。具體來說，例如將作為預定材料而具有液晶性的塗佈液塗佈於基板，並其流延・配向。液晶化合物在塗佈液中形成超分子聚集體，施加剪切應力同時使塗佈液流動後，超分子聚集體的長軸方向在流動方向配向。
為了能夠以此方式對基板塗佈塗佈液，從前已提案有各種裝置。
例如，專利文獻1中記載的偏光膜印刷裝置，具有：用以保持基板的平台、對基板吐出墨水液的狹縫模具。平台以在挖空定盤的一部分的框板將定盤嵌入的構成，藉此使定盤周邊部的高度與固著於定盤的基板的表面的高度相同。狹縫模具以至少覆蓋定盤的方式延伸。接著，以將定盤配置於印刷方向的狀態使基板固著，再使定盤旋轉，將基板在相對印刷方向以預定角度傾斜後，使狹縫模具在印刷方向移動並對基板塗佈墨水液。
又，例如，在專利文獻2記載的塗佈裝置中，對具備向上方開口並在水平方向延伸的帶狀的狹縫的塗佈頭供應塗佈液，使該塗佈液從狹縫吐出形成珠粒，使平面形狀為矩形的被塗佈基板幾乎沿著其1個對角線方向將塗佈頭的上方傾斜往上方向相對移動，從在塗佈頭與被塗佈基板之間形成的珠粒在被塗佈基板的塗佈面使塗佈液附著。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2005-62502號公報 　　[專利文獻2]特開平10-5677號公報
[發明所欲解決的問題]
不過，使用專利文獻1記載的偏光膜印刷裝置時，因為狹縫模具至少以覆蓋定盤的方式延伸，當對基板塗佈墨水液時，在對固著於定盤的基板吐出墨水液的同時，也會對定盤周圍的框板吐出墨水液而附著。因此，在基板的每次塗佈處理需要以枚葉將框板洗淨，花上勞力和時間。
又，在專利文獻1的偏光膜印刷裝置中，雖使固著基板的定盤旋轉，但該定盤的旋轉是用以將基板在預定的位置(與印刷方向平行的位置)接收，並非用來控制塗佈方向。換言之，對基板的墨水液的塗佈方向是固定的，該塗佈方向無法自由控制。
又，使用專利文獻2記載的塗佈裝置時，利用表面張力在基板塗佈塗佈液。在相關的情形中，有因應塗佈液附著於基板的面積，亦即因應塗佈塗佈液的角度，調整來自塗佈頭的塗佈液的吐出壓力等塗佈條件的必要，該控制會變得煩雜。
其中，塗佈時的剪切應力(剪切速率)，為將塗佈速度除以基板與塗佈頭的距離(間隙)之值。不過，在專利文獻2的塗佈裝置中，因為利用表面張力，增加對基板的塗佈液的塗佈速度會有極限。因此，會有無法得到足夠的剪切應力之虞。
本發明為鑑於相關點而完成者，目的為將包含光學材料的塗佈液，對基板以任意角度適切地塗佈。 [解決問題的手段]
為達成前述目的，本發明為一種塗佈處理裝置，係在基板塗佈包含光學材料的塗佈液的塗佈處理裝置，具有：保持前述基板使其在水平的一方向移動的基板移動部；在與前述基板移動部的移動方向垂直的方向延伸，對保持於前述基板移動部的前述基板吐出前述塗佈液的長條狀的塗佈噴嘴；在前述塗佈噴嘴的延伸方向使前述塗佈噴嘴移動的塗佈噴嘴移動部；藉由控制前述基板移動部及前述塗佈噴嘴移動部的移動速度，來控制對保持於前述基板移動部的前述基板的塗佈方向的控制部。
別的觀點的本發明為一種塗佈處理方法，係在基板塗佈包含光學材料的塗佈液的塗佈處理方法，包含：將以長條狀延伸的塗佈噴嘴配置於前述基板的一端的第1工程；從前述塗佈噴嘴使前述塗佈液吐出的第2工程；使吐出前述塗佈液的前述塗佈噴嘴在前述塗佈噴嘴的延伸方向移動，同時使前述基板在與前述延伸方向垂直的方向移動，並對該基板進行塗佈處理的第3工程。
又，其他觀點的本發明為一種光學膜形成裝置，係在基板形成光學膜的光學膜形成裝置，具有：前述塗佈處理裝置；使由前述塗佈處理裝置塗佈的前述塗佈液所形成的光學膜乾燥的乾燥處理裝置；在前述光學膜的預定區域，塗佈前述光學膜的固著材的膜固著裝置；將未塗佈前述固著材的區域的前述光學膜除去的膜除去裝置。 [發明的效果]
根據本發明，能夠將包含光學材料的塗佈液，對基板以任意角度適切且有效率地塗佈。又，根據本發明，能夠在基板適切地形成光學膜。
以下，說明關於本發明的實施形態。
首先，說明有關本實施形態的光學膜形成裝置的構成。在本實施形態中，當製作用於OLED的圓偏光板時，作為光學膜，將線偏光膜(線偏光板)與λ/4波長膜(λ/4波長板)形成於矩形玻璃基板(之後，表記為基板G)的情形作為例子說明。此外，在形成線偏光膜與λ/4波長膜之前的基板上，例如層積複數有機膜(圖未示)等而形成。
如圖1所示，光學膜形成裝置1具有：塗佈處理裝置10、減壓乾燥裝置100、加熱處理裝置300、膜固著裝置400、及膜除去裝置500。又，光學膜形成裝置1具有用以搬送基板的圖未示的基板搬送部，能以塗佈處理裝置10、減壓乾燥裝置100、加熱處理裝置300、膜固著裝置400、及膜除去裝置500的順序搬送基板。
又，光學膜形成裝置1具有控制部18，由控制部18進行光學膜形成裝置1的動作的控制。控制部18例如控制：塗佈處理裝置10、減壓乾燥裝置100、加熱處理裝置300、膜固著裝置400、膜除去裝置500及圖未示的基板搬送部等的動作。
＜塗佈處理裝置＞ 　　接著，說明關於塗佈處理裝置10的構成。在塗佈處理裝置10中，於基板G的上面進行塗佈液的塗佈處理。圖2為表示塗佈處理裝置10的構成的概略的橫剖面圖。圖3為表示塗佈處理裝置10的構成的概略的縱剖面圖。
塗佈處理裝置10具有處理容器11。在處理容器11的側面形成圖未示的基板G的搬入出口。
在處理容器11的內部，設有保持基板G的保持部即載台12。載台12將塗佈塗佈液的基板G的表面朝向上方保持。又，載台12俯視時(XY平面)具有比基板G還小的形狀。
塗佈處理裝置10具有用以使載台12在X軸方向移動的載台驅動部13，藉由載台驅動部13，載台12在X軸方向以往復移動自由的方式構成。載台12在X軸負方向側的端部(一端，基板位置A1)與X軸正方向側的端部(另一端，基板位置A2)之間移動。又，載台12以能夠移動比2枚基板G的長度還長的距離的方式構成，在基板位置A1的基板G與在基板位置A2的基板G在俯視時沒有重疊部分。此外，載台12及載台驅動部13相當於將基板G保持，並使其以水平且直線移動的基板移動部。
在載台12的上方設有在保持於載台12的基板G塗佈塗佈液的塗佈噴嘴14。塗佈噴嘴14為在與保持於載台12的基板G的移動方向(X軸方向)垂直的方向即Y軸方向延伸的長條狀狹縫噴嘴。在塗佈噴嘴14的下端面，形成有對基板G吐出塗佈液的吐出口15。如圖2所示，吐出口15為在塗佈噴嘴14的長邊的方向(Y軸方向)，以比基板G的Y軸方向的寬度還長的方式延伸的長條狀吐出口。
塗佈處理裝置10具有用以使塗佈噴嘴14在塗佈噴嘴14的延伸方向(Y軸方向)移動的噴嘴驅動部16(相當於塗佈噴嘴移動部)。藉由噴嘴驅動部16，塗佈噴嘴14在塗佈噴嘴14的延伸方向(Y軸方向)以往復移動自如的方式構成。塗佈噴嘴14在Y軸負方向側的端部(一端，噴嘴位置B1)與Y軸正方向側的端部(另一端，噴嘴位置B2)之間移動。
如同上述，載台12在X軸方向，塗佈噴嘴14在Y軸方向分別移動自如，載台12及塗佈噴嘴14的移動方向互相垂直。接著，藉由從塗佈噴嘴14吐出塗佈液，同時使塗佈噴嘴14與載台12相對移動，能夠在保持於載台12的基板G上塗佈塗佈液。又，藉由控制載台12的移動速度與塗佈噴嘴14的移動速度，能夠任意地控制塗佈於基板G的塗佈液的塗佈方向(載台12與塗佈噴嘴14的相對移動方向)。
此外，從吐出口15吐出的塗佈液為包含光學材料的塗佈液。具體來說，為用以形成線偏光膜的偏光膜用塗佈液、及用以形成λ/4波長膜的波長膜用塗佈液，例如作為光學材料包含向液性液晶化合物或向熱性液晶化合物等任意的液晶化合物。
在載台12及塗佈噴嘴14的下方設有回收塗佈液的回收部17。從塗佈噴嘴14吐出而未塗佈至基板G的塗佈液，由回收部17回收，再利用於之後處理的基板G。
塗佈處理裝置10的動作由前述的控制部18控制。控制部18例如為具有CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、輸入輸出端子的電腦，藉由將儲存於ROM(程式儲存部)的程式讀出並執行，控制塗佈處理裝置10中的塗佈處理。該程式，例如為儲存於電腦可讀取的硬碟(HD)、可撓性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等的電腦可讀取的記憶媒體中者，從該記憶媒體安裝至控制部18者也可以。
接著，說明關於利用塗佈處理裝置10進行的光學膜的塗佈方法。
＜塗佈工程(工程S1)＞ 　　首先，說明關於線偏光膜的塗佈。圖4A～圖5B為表示線偏光膜的塗佈工程即工程S1中，基板G與塗佈噴嘴14的動作的說明圖。
如圖4A所示，使載台12位於基板位置A1，將基板G收授至載台12。接著，使塗佈噴嘴14位於噴嘴位置B1。此時，塗佈噴嘴14位於基板G的一端。將塗佈噴嘴14配置於噴嘴位置B1時，塗佈噴嘴14配置於因應後述的塗佈液P1的目標膜厚的高度。
接著，如圖4B及圖5A所示，從吐出口15使塗佈液P1吐出，使基板G在X軸正方向移動。基板G從基板位置A1朝向基板位置A2移動。此時，使塗佈噴嘴14的位置維持於噴嘴位置B1。接著，於基板G的上面塗佈塗佈液P1。此時的塗佈液P1為用以形成線偏光膜的偏光膜用塗佈液。
接著，如圖4C及圖5B所示，基板G移動至基板位置A2後，在基板G的上面的全面塗佈塗佈液P1。
此時，塗佈液P1在被施加剪切應力(圖4B及圖4C的反白箭頭)的同時被塗佈。因為塗佈噴嘴14未移動而基板G向X軸正方向移動，剪切應力被施加於X軸負方向。
如同前述，剪切應力(剪切速率)，為將塗佈速度除以基板G與塗佈噴嘴14的吐出口15間的距離(間隙)之值。關於間隙，因為在塗佈噴嘴14使用狹縫噴嘴，不會傷害基板G，而能夠使塗佈噴嘴14充分接近基板G，因此能夠使間隙縮小。接著，藉由控制基板G的移動速度(=塗佈速度)，能對塗佈液P1施加充分的剪切應力。又，其結果，能使塗佈液P1中的分子在一方向(X軸方向)配向。
此外，塗佈噴嘴14雖然可以使用狹縫噴嘴以外的其他噴嘴，但如上述從能使間隙盡量縮小的觀點來看，狹縫噴嘴較適合。又，因為塗佈於基板G的塗佈液P1的膜厚薄(例如膜厚為1～5μm左右)，從此觀點來看狹縫噴嘴也較適合。
此外，從塗佈噴嘴14吐出的塗佈液P1中，未塗佈於基板G的塗佈液P1在回收部17被回收。經回收的塗佈液P1，再利用於之後處理的基板G。又，因為載台12比基板G還小，故塗佈液P1也不會附著於載台12。因此，能夠控制在每個基板G以枚葉洗淨載台12。
＜塗佈工程(工程S6)＞ 　　首先，說明關於λ/4波長膜的塗佈。圖6A～圖6C為表示λ/4波長膜的塗佈工程即工程S6中基板G與塗佈噴嘴14的動作的說明圖。
在工程S6中，在藉由工程S1形成有線偏光膜的基板G的上面，進行塗佈液的塗佈。此時的塗佈液為用以形成λ/4波長膜的波長膜用塗佈液。
如圖6A所示，於基板位置A1，將已形成有線偏光膜的基板G收授至載台12。接著，使塗佈噴嘴14位於噴嘴位置B1。此時，塗佈噴嘴14位於基板G的一端。將塗佈噴嘴14配置於噴嘴位置B1時，塗佈噴嘴14配置於因應後述的塗佈液Q1的目標膜厚的高度。
接著，如圖6B所示，從塗佈噴嘴14使塗佈液Q1吐出，使基板G從基板位置A1朝向基板位置A2在X軸正方向移動。與此同時，使塗佈噴嘴14從噴嘴位置B1朝向噴嘴位置B2在Y軸正方向移動。
接著，如圖6C所示，從塗佈噴嘴14使塗佈液Q1吐出，同時使基板G移動至基板位置A2。與此同時，使塗佈噴嘴14移動至噴嘴位置B2。之後，於基板G的上面全面塗佈塗佈液Q1。
以此方式，在使基板G從基板位置A1向基板位置A2移動的同時，使塗佈噴嘴14從噴嘴位置B1向噴嘴位置B2移動。接著，分別以預定的速度控制基板G的移動速度及塗佈噴嘴14的移動速度。
接著，塗佈液Q1在被施加剪切應力(圖6B及圖6C的反白箭頭)的同時被塗佈。藉由分別以預定的速度控制基板G的移動速度及塗佈噴嘴14的移動速度，剪切應力從Y軸正方向及X軸正方向例如向傾斜45度的方向施加。
又，藉由控制基板G的移動速度與塗佈噴嘴14的移動速度，能對塗佈液Q1施加充分的剪切應力。其結果，能使塗佈液Q1中的分子在一方向(上述傾斜45度方向)配向。
以此方式，在塗佈處理裝置10中，於基板G上塗佈塗佈液Q1，而塗佈λ/4波長膜。
藉由上述的塗佈方法，相對於線偏光膜的分子的方向(配列方向)，λ/4波長膜的分子的方向為在XY平面配置於傾斜方向。接著，使塗佈液P1的塗佈方向與塗佈液Q1的塗佈方向在傾斜方向，例如45度交叉，能夠將線偏光膜P1與λ/4波長膜Q1以其偏光軸呈45度的方式交叉形成。
此外，線偏光膜P1與λ/4波長膜Q1的偏光軸的交叉角度並不限於45度，以其他的角度交叉的方式塗佈線偏光膜及λ/4波長膜也可以。
＜塗佈處理裝置的其他實施形態＞ 　　接著，說明關於塗佈處理裝置10的其他實施形態。圖7為表示塗佈處理裝置10的其他實施形態的構成的概略的橫剖面圖。圖8為表示塗佈處理裝置10的其他實施形態的構成的概略的縱剖面圖。
塗佈處理裝置10如圖7及圖8所示更具有將塗佈液回收的第2回收部20。
第2回收部20，將從塗佈噴嘴14吐出至基板G的外側，而未塗佈於基板G的塗佈液回收。如圖7所示，各第2回收部20在俯視時配置於基板G通過區域以外的區域，具體來說，分別配置於長條狀的塗佈噴嘴14的一端側，例如噴嘴位置B1附近、及塗佈噴嘴14的另一端側，例如噴嘴位置B2附近。第2回收部20與塗佈噴嘴14一樣為在Y軸方向延伸的形狀。接著，第2回收部20在噴嘴位置B1及噴嘴位置B2配置於能夠將從塗佈噴嘴14吐出至基板G的外側的塗佈液回收的位置。又，如圖8所示，第2回收部20位於塗佈噴嘴14的下方。
接著，第2回收部20將從塗佈噴嘴14吐出至基板G的外側的塗佈液回收，由第2回收部20回收的塗佈液，再利用於之後處理的基板G。
又，塗佈處理裝置10更具有：在基板G的周緣部進行預定的處理的基板周緣處理部。其中，作為基板周緣處理部之例，利用洗淨基板G的周圍部的洗淨處理部21來說明。
例如，從塗佈噴嘴14吐出的塗佈液，可能會有附著於基板G的裏面的周緣之虞。在此，如圖7及圖8所示，設置洗淨處理部21，進行附著於基板G的裏面的周緣的塗佈液的除去。
洗淨處理部21分別配置於能夠將與矩形的基板G的進行方向(X軸方向)平行的2邊的周圍部及其附近洗淨的位置。
在本實施形態中，在比塗佈噴嘴14還更靠近基板G的進行方向下游側(X軸正方向側)，且與X軸平行的2邊所通過的位置的周邊，配置洗淨處理部21。
圖9為表示洗淨處理部21的概略的縱剖面圖。洗淨處理部21具有：對基板G的表裏面的周緣吐出洗淨液的洗淨液吐出部22、將洗淨後的洗淨液吸引回收的洗淨液回收部23。
洗淨液吐出部22可以對基板G的表裏面周緣，從基板G的上下向基板G的表裏面的垂直方向或基板G的向外側的傾斜方向吐出洗淨液。又，洗淨液回收部23位於基板G的側方，能夠以負壓吸引使用完的洗淨液，將其回收。
接著，說明關於利用洗淨處理部21的基板G周緣的洗淨工程。在使基板G從基板位置A1向基板位置A2移動的同時，在基板G的上面塗佈塗佈液。此時，從塗佈噴嘴14吐出的塗佈液，可能會有迴繞至基板G的周緣的裏面之虞。在這裡，當塗佈處理中的基板G的2邊通過洗淨處理部21時，從洗淨液吐出部22吐出洗淨液，將基板G的周緣洗淨，將使用完的洗淨液從洗淨液回收部23吸引回收。
以此方式，藉由配置洗淨處理部21，在對基板G進行塗佈處理的同時，也能夠同時進行基板G的周緣的洗淨處理，能將附著於基板G的周緣的剩餘塗佈液除去。
此外，洗淨處理部21的構成並不限定於上述實施形態，可以有各種變形。洗淨處理部21的位置僅為一例，配置於其他位置也可以。又，雖示出對基板G的表裏面的周緣吐出洗淨液並洗淨之例，但僅利用基板G的下側的洗淨液吐出部22，僅對基板G的裏面的周緣吐出洗淨液來洗淨基板G的周緣的裏面也可以。
又，為了使附著於基板G的剩餘的洗淨液乾燥，再將圖未示的氣體噴射噴嘴追加於例如洗淨處理部21，以對基板G的周緣噴射氣體也可以。
作為基板周緣處理部的一例，說明關於利用洗淨處理部21進行的基板G的周緣的洗淨處理。不過，於基板周緣處理部的處理並不限於洗淨處理，例如調整基板G的周緣的塗佈膜的膜厚的周緣膜厚調整處理也可以。
作為進行周緣膜厚調整處理的周緣膜厚調整部(圖未示)，例如有僅對基板G的周緣吐出塗佈液或塗佈液的溶劑或塗佈液的溶劑氛圍的吐出噴嘴等。又，作為周緣膜厚調整部的其他例，有能僅將基板的周緣加熱的加熱部、或能僅將基板的周緣冷卻的冷卻部等，若是能調整塗佈膜厚的構成，都可以轉用。
基板G的周緣與基板G的其他區域比較，會有塗佈膜的膜厚變厚或變薄等成為膜厚的特異點的風險。在此，利用上述的周緣膜厚調整部，以使基板G的周緣的膜厚成為與基板G其他區域同等的方式，在塗佈處理中進行基板G的周緣的膜厚的調整也可以。
此外，作為基板周緣處理部，配置洗淨處理部21與周緣膜厚調整部任一者都可以。又，基板周緣處理部進行的處理並不限於洗淨處理及膜厚調整處理，是其他的處理也可以。將進行其他處理的處理部配置於與洗淨處理部21一樣的位置，在基板G的周緣進行其他的處理也可以。
在本實施形態中，如圖7及圖8所示，塗佈處理裝置10成為容易配置洗淨處理部21(=基板周緣處理部)的構成。接著，藉由設置基板周緣處理部來施加塗佈處理，能夠對塗佈處理中的基板G的周緣同時進行基板周緣的處理。
又，若是基板G能從基板位置A1移動至基板位置A2的塗佈處理裝置的話，並不限於上述的塗佈處理裝置10的構成，能夠適用於本發明。例如特開2006-199483等記載的，能夠在將基板G浮上搬送的同時進行塗佈處理的塗佈處理裝置中，適用本案發明的塗佈噴嘴14、第2回收部20、洗淨處理部21等。
又，雖設置第1回收部17及第2回收部20，但省去第1回收部17也可以。
以此方式，能夠利用塗佈處理裝置10在基板G上塗佈線偏光膜及λ/4波長膜。
接著，說明關於在光學膜形成裝置1中，除了塗佈處理裝置10的剩餘裝置。
＜減壓乾燥裝置＞ 　　圖10為表示第1乾燥裝置即減壓乾燥裝置的構成的概略的縱剖面圖。在圖10所示的減壓乾燥裝置100中，將塗佈於基板G的光學膜(線偏光膜與λ/4波長膜)進行減壓乾燥。
減壓乾燥裝置100具有處理容器101。處理容器101具有蓋體102及本體103。蓋體102藉由圖未示的升降機構以升降自如的方式構成。在將基板G搬入搬出至處理容器101時，蓋體102從本體103向上方分離，在處理容器101的內部進行減壓乾燥處理時，蓋體102與本體103成為一體，形成密閉的空間。
在處理容器101的內部，設有將基板G載置的載置台110。載置台110以形成光學膜的表面朝向上方的方式載置基板G。在處理容器101的底部，設有氣體供應部120及排氣部121。氣體供應部120與排氣部121包夾載置台110而對向配置。從氣體供應部120供應不活性氣體，在基板G上能使不活性氣體的氣流通過與基板G平行的氣流通過方向(X軸方向)。又，藉由從排氣部121排氣，能夠使處理容器101的內部成為減壓環境。
此外，減壓乾燥裝置的構成並不限於本實施形態的減壓乾燥裝置100的構成，是公知的減壓乾燥裝置的構成也可以。
＜加熱處理裝置＞ 　　圖11為表示第2乾燥裝置即加熱處理裝置的構成的概略的縱剖面圖。在加熱處理裝置300中，將塗佈於基板G的光學膜(線偏光膜與λ/4波長膜)加熱乾燥。
加熱處理裝置300具有處理容器301。處理容器301具有蓋體302及本體303。蓋體302藉由圖未示的升降機構以升降自如的方式構成。在將基板G搬入搬出至處理容器301時，蓋體302從本體303向上方分離，在處理容器301的內部進行加熱處理時，蓋體302與本體303成為一體，形成密閉的空間。蓋體302的上面中央部設有排氣部304。處理容器301的內部從排氣部304排氣。
在處理容器301的內部，設有將基板G載置並加熱的熱板310。熱板310以形成光學膜的表面朝向上方的方式載置基板G。熱板310中內藏有由供電發熱的加熱器311。
此外，加熱處理裝置的構成並不限於本實施形態的加熱處理裝置300的構成，是公知的加熱處理裝置的構成也可以。
＜膜固著裝置＞ 　　圖12為表示膜固著裝置的構成的概略的縱剖面圖。在膜固著裝置400中，以噴墨方式將固著材塗佈於預定區域，在本實施形態中為選擇塗佈於基板G的畫素區域。
膜固著裝置400具有處理容器401。在處理容器401的側面形成基板G的搬入出口(圖未示)，在搬入出口設有開關閘門(圖未示)。
在處理容器401的內部，設有保持基板G的載台410。載台410以將在基板G塗佈固著材的表面朝向上方的方式，將其裏面吸附保持。
載台410安裝於設在載台410的下面側並在X軸方向延伸的一對軌道411、411。軌道411設於在X軸方向延伸的平台412。接著，載台410以能沿著軌道411、411自由移動的方式構成。
又，軌道411包夾後述的塗佈噴嘴420，以至少為2枚基板G的長度以上在X軸方向延伸。藉此，載台410位於X軸負方向的端部時的基板G(圖中的實線，基板位置C1)與載台410位於X軸正方向的端部時的基板G(圖中的虛線，基板位置C2)在俯視時不重疊。
載台410的上方設有在保持於載台410的基板G塗佈固著材的塗佈噴嘴420。塗佈噴嘴420例如是噴墨噴嘴，能夠選擇塗佈固著材於基板G的預定區域。此外，塗佈噴嘴420藉由圖未示的移動機構以在鉛直方向也能移動自如的方式構成。
此外，從塗佈噴嘴420吐出的固著材，若是能在基板G的預定區域使光學膜固著者，可以使用任意的材料。例如，將光學膜末端的官能基置換、或引起收縮反應使其高分子化，使光學膜不活性化(不溶化)而固著也可以。或固化光學膜使其固著也可以。
又，膜固著裝置的構成並不限於本實施形態的膜固著裝置400的構成，是公知的噴墨方式的裝置的構成也可以。再來，在膜固著裝置中選擇塗佈固著材的方法並不限於噴墨方式，使用其他的方法也可以 。作為其他的方法，例如藉由在預定區域以外的區域設置遮罩，從其之上吐出固著材，僅在預定區域選擇塗佈固著材也可以。
＜膜除去裝置＞ 　　圖13為表示膜除去裝置的構成的概略的縱剖面圖。在膜除去裝置500中，對基板G供應洗淨液，將未由膜固著裝置400固著的光學膜(在本實施形態中，除了畫素區域以外的區域的光學膜)除去。
膜除去裝置500具有處理容器501。在處理容器501的側面形成基板G的搬入出口(圖未示)，在搬入出口設有開關閘門(圖未示)。
在處理容器501的內部，設有將基板G保持並旋轉的轉盤510。轉盤510以將在基板G供應洗淨液的表面朝向上方的方式，將其裏面吸附保持。又，轉盤510例如藉由馬達等的夾盤驅動部511來以預定的速度旋轉。
在轉盤510的周圍，設有接收從基板G飛散或落下的洗淨液並回收的罩杯520。在罩杯520的下面，連接有將回收的固著材排出的排出管521、將罩杯520的內部排氣的排氣管522。
在轉盤510的上方設有在保持於轉盤510的基板G供應洗淨液的洗淨噴嘴530。洗淨噴嘴530藉由移動機構531以在水平方向及鉛直方向也能移動自如的方式構成。
此外，從洗淨噴嘴530供應的洗淨液，使用因應膜固著裝置400塗佈的固著材的溶劑之材料。例如固著材的溶劑為水時，洗淨液使用水，固著材的溶劑為有機溶劑時，洗淨液使用有機溶劑。
又，膜除去裝置的構成並不限於本實施形態的膜除去裝置500的構成，是公知的旋轉塗佈方式的裝置的構成也可以。再來，在膜除去裝置中選擇除去光學膜的方法並不限於旋轉塗佈方式，使用其他的方法也可以。作為其他的方法，例如在儲留洗淨液的洗淨槽中，使基板G浸漬，並將光學膜選擇地除去也可以。又，進行雷射剝離選擇除去光學膜也可以、或進行光微影處理及蝕刻處理選擇除去光學膜也可以。
接著，說明有關利用如以上的方式構成的光學膜形成裝置1進行的光學膜形成方法。圖14為表示相關的光學膜形成處理的主要工程之例的流程圖。
在本實施形態中，如同上述作為光學膜將線偏光膜與λ/4波長膜以其偏光軸呈45度交叉的方式層積於基板G形成。工程S1～S5為形成線偏光膜的工程，工程S6～S10為形成λ/4波長膜的工程。
＜工程S1＞ 　　如同前述，在塗佈處理裝置10中，於基板G的全面塗佈用於形成線偏光膜P1的偏光膜用塗佈液(工程S1)。
＜工程S2＞ 　　接著，在減壓乾燥裝置100中，將基板G的線偏光膜P1進行減壓乾燥。具體來說，在載置台110載置基板G，關閉蓋體102而在處理容器101的內部形成密閉的空間。之後，在從氣體供應部120供應惰性氣體的同時，從排氣部121將處理容器101的內部排氣，使處理容器101的內部成為減壓環境。接著，乾燥線偏光膜P1。
乾燥線偏光膜P1後，膜中的溶劑被除去。在上述的工程S1中雖因施加剪切應力使分子在一方向配向，但維持該狀態放置的話，會有分子的配向變回原來混亂的配向的風險。因此，藉由工程S2將膜中的溶劑除去，將分子的配向狀態適切地維持。
又，從適切地維持分子的配向狀態的觀點來看，在塗佈處理裝置10與減壓乾燥裝置100之間，以例如無向下流、無風的狀態將基板G搬送。因向下流而線偏光膜P1的分子配向狀態沒有混亂的風險，在分子以一方向配向的狀態下，從塗佈處理裝置10向減壓乾燥裝置100將基板G搬送。
＜工程S3＞ 　　接著，在加熱處理裝置300中，使基板G的線偏光膜P1加熱乾燥。具體來說，在熱板310載置基板G，關閉蓋體302而在處理容器301的內部形成密閉的空間。接著，藉由熱板310的加熱器311，將線偏光膜P1以預定溫度，例如50℃加熱。
例如即便在工程S2中將線偏光膜P1進行減壓乾，也有無法在膜中將溶劑完全除去的情形。在工程S3中的線偏光膜P1的加熱將這樣在膜中殘留的溶劑確實地除去。此外，在工程S2中能將膜中的溶劑完全除去時，省略工程S3也可以。
＜工程S4＞ 　　接著，在膜固著裝置400中，在基板G的預定區域，在本實施形態中為畫素區域塗佈固著材。
在膜固著裝置400中，於基板位置C1將基板G保持在載台410。接著，使基板G從基板位置C1向基板位置C2移動。
在基板G的移動中，如圖15A所示從塗佈噴嘴420塗佈固著材F於在基板G的畫素區域形成的線偏光膜P1。此時，因為膜固著裝置400採用噴墨方式，能夠在畫素區域的線偏光膜P1正確地塗佈固著材F。
固著材F將線偏光膜P1不活性化(不溶化)。具體來說，將線偏光膜P1中的OH基等水溶性的末端置換成別的官能基。接著，將經不活性化的線偏光膜P1固著於基板G。以下，將塗佈固著材F而固著的線偏光膜作為P2說明。亦即，在除了基板G的畫素區域以外的區域，線偏光膜P1未被不活性化而未固著。另一方面，在畫素區域，線偏光膜P2被不活性化而固著。
接著，如圖15A及圖15B所示，能夠在基板G的所有畫素區域，形成不活性化的線偏光膜P2。此外，因為圖示的方便，例示了基板G的畫素區域，亦即線偏光膜P2為20處的情形，但畫素區域之數不在此限。實際上畫素區域相對於1枚基板G約位於100處。
＜工程S5＞ 　　接著，在膜除去裝置500中，對基板G供應洗淨液，將在工程S4中未固著的線偏光膜P1選擇除去。
在膜除去裝置500中，基板G被吸附保持於轉盤510。之後，在使保持於轉盤510的基板G旋轉的同時，從洗淨噴嘴530供應洗淨液至基板G的中心部。被供應的洗淨液因離心力而在基板G上擴散。此時，塗佈有固著材F的線偏光膜P2因為已固著，不會被洗淨液除去。另一方面，未塗佈固著材F的線偏光膜P1因為未固著，會被洗淨液除去。藉此，如圖16A及圖16B所示，僅將線偏光膜P1選擇除去，在基板G上於畫素區域僅形成線偏光膜P2。
＜工程S6＞ 　　如以上的方式在基板G形成線偏光膜P2後，在基板G上再形成λ/4波長膜。如同前述，在塗佈處理裝置10，於形成線偏光膜P2的基板G的上面塗佈塗佈液。此時的塗佈液為用以形成λ/4波長膜的波長膜用塗佈液。
＜工程S7＞ 　　接著，在減壓乾燥裝置100中，使基板G的λ/4波長膜Q1減壓乾燥。具體的減壓乾燥處理因為與工程S2相同，故將說明省略。因此，λ/4波長膜Q1的溶劑被除去，膜中的分子的配向狀態適切地維持。
＜工程S8＞ 　　接著，在加熱處理裝置300中，將基板G的λ/4波長膜Q1加熱乾燥。具體的加熱處理因為與工程S3相同，故將說明省略。因此，λ/4波長膜Q1的溶劑被完全除去。此外，在工程S7中能將膜中的溶劑完全除去時，省略工程S8也可以。
＜工程S9＞ 　　接著，在膜固著裝置400中，如圖17A及圖17B所示，從塗佈噴嘴420將固著材F選擇塗佈在形成於基板G的畫素區域的λ/4波長膜Q1。具體的固著材F的選擇塗佈處理因為與工程S4相同，故將說明省略。
固著材F將λ/4波長膜Q1不活性化(不溶化)，被不活性化的λ/4波長膜Q1固著於基板G。以下，將塗佈固著材F而固著的λ/4波長膜作為Q2說明。亦即，在除了基板G的畫素區域以外的區域，λ/4波長膜Q1未被不活性化而未固著。另一方面，在畫素區域(線偏光膜P2)中，λ/4波長膜Q2被不活性化而固著。
＜工程S10＞ 　　接著，在膜除去裝置500中，對基板G供應洗淨液，將在工程S9中未固著的λ/4波長膜Q1選擇除去。具體的λ/4波長膜Q1的選擇除去處理因為與工程S5相同，故將說明省略。接著，如圖18A及圖18B所示在基板G上於畫素區域僅形成λ/4波長膜Q2。以此方式，在基板G上於畫素區域層積線偏光膜P2及λ/4波長膜Q2而形成。
根據以上的實施形態，在塗佈處理裝置10中，使工程S1中的塗佈液P1的塗佈方向與工程S6中的塗佈液Q1的塗佈方向以45度交叉，能夠將線偏光膜P1與λ/4波長膜Q1以其偏光軸呈45度的方式交叉形成。
又，因為在工程S2中將線偏光膜P1減壓乾燥，能夠將線偏光膜P1中的分子的配向狀態適切地維持。同時的，因為在工程S7中將λ/4波長膜Q1減壓乾燥，能夠將λ/4波長膜Q1中的分子的配向狀態適切地維持。
此外，工程S2及工程S7若是使線偏光膜P1與λ/4波長膜Q1乾燥的工程的話，並不限於減壓乾燥。例如使線偏光膜P1及λ/4波長膜Q1分別自然乾燥也可以，進行加熱處理使其乾燥也可以、或藉由將氣體吹送使其乾燥也可以。
但是，因為減壓乾燥與自然乾燥相比，能在短時間進行而較佳。又，例如進行加熱處理或氣體的吹送時，膜中的溶劑產生對流，會有使膜中的分子的配向狀態混亂的風險。但是，因為減壓乾燥能夠抑制膜中的溶劑的對流而較佳。
又，因為在工程S4中在畫素區域的線偏光膜P1選擇塗佈固著材F，在工程S5中選擇除去未塗布固著材F而未固著的線偏光膜P1，僅在畫素區域形成線偏光膜P2。同樣的，藉由進行工程S9及工程S10，僅於畫素區域形成λ/4波長膜Q2。
其中，例如製作圓偏光板時，線偏光膜與λ/4波長膜僅在畫素區域形成即可。在除了畫素區域以外的區域形成膜的話，設於畫素區域的周圍的端子等會有無法適切作用的風險。在本實施形態中，因為僅在畫素區域形成膜，在使畫素區域的線偏光膜P2與λ/4波長膜Q2的機能發揮的同時，也能使畫素區域周圍的部件機能發揮。
又，在工程S1及S6，雖分別施加剪切應力並塗佈塗佈液P1、Q1，但此時僅在畫素區域塗佈塗佈液P1、Q1是困難的。因此，進行工程S4、S5、S9、S10，在畫素區域選擇形成線偏光膜P2及λ/4波長膜Q2是有用的。
再來，假如在工程S1中於基板G塗佈塗佈液P1而形成線偏光膜P1後，省略工程S4中的固著材F的選擇塗佈時，在之後的工程S6中對基板G塗佈塗佈液Q1時，線偏光膜P1會溶於塗佈液Q1，會有溶解的線偏光膜P1與塗佈液Q1混合的風險。關於這點，如同本實施形態，藉由進行工程S4而形成不溶化的線偏光膜P2，能夠抑制線偏光膜P2與塗佈液Q1的混合。其結果，能夠適切地形成線偏光膜P2與λ/4波長膜Q2。
此外，未必一定要進行工程S4、S5、S9、S10。如同本實施形態在基板G具有複數畫素區域時，進行工程S4、S5、S9、S10是有用的，但例如在基板G的全面形成線偏光膜與λ/4波長膜時，省略工程S4、S5、S9、S10也可以。
又，在工程S4與工程S9中，膜固著裝置400雖塗佈固著材使線偏光膜與λ/4波長膜固著，但使用其他方法也可以。作為其他方法，例如預先在線偏光膜與λ/4波長膜添加與光反應的材料，藉由光照射使線偏光膜與λ/4波長膜的結晶聚合，能夠使線偏光膜與λ/4波長膜不溶化而固著。
在以上的實施形態中，當製作用於OLED的圓偏光板時，以在玻璃基板作為光學膜形成線偏光膜(線偏光板)與λ/4波長膜(λ/4波長板)的情形作為例子說明，但其他也能適用本發明。例如在用於LCD的偏光板及波長板也能夠適用本發明。又，波長板未限於λ/4波長膜，例如λ/2波長膜等其他的波長板也能夠適用本發明。
以上，雖參照附加的圖式說明有關本發明的適合的實施形態，但與本發明相關的例子並不以此為限，各種變更例也都屬於本發明的技術範圍。
1‧‧‧光學膜形成裝置10‧‧‧塗佈處理裝置12‧‧‧載台(基板移動部)13‧‧‧載台驅動部(基板移動部)14‧‧‧塗佈噴嘴15‧‧‧吐出口16‧‧‧噴嘴驅動部(塗佈噴嘴移動部)17‧‧‧回收部18‧‧‧控制部20‧‧‧第2回收部(回收部)21‧‧‧洗淨處理部(基板周緣處理部)100‧‧‧減壓乾燥裝置(第1乾燥裝置)300‧‧‧加熱處理裝置(第2乾燥裝置)400‧‧‧膜固著裝置500‧‧‧膜除去裝置G‧‧‧玻璃基板P1‧‧‧線偏光膜(塗佈液)P2‧‧‧線偏光膜Q1‧‧‧λ/4波長膜(塗佈液)Q2‧‧‧λ/4波長膜
[圖1]圖1為表示本實施形態的光學膜形成裝置的構成的概略的平面圖。 　　[圖2]圖2為表示本實施形態的塗佈處理裝置的構成的概略的橫剖面圖。 　　[圖3]圖3為表示本實施形態的塗佈處理裝置的構成的概略的縱剖面圖。 　　[圖4A]圖4A為表示工程S1中的玻璃基板與塗佈噴嘴的動作的說明圖。 　　[圖4B]圖4B為表示工程S1中的玻璃基板與塗佈噴嘴的動作的說明圖。 　　[圖4C]圖4C為表示工程S1中的玻璃基板與塗佈噴嘴的動作的說明圖。 　　[圖5A]圖5A為表示工程S1中的玻璃基板與塗佈噴嘴的動作的說明圖。 　　[圖5B]圖5B為表示工程S1中的玻璃基板與塗佈噴嘴的動作的說明圖。 　　[圖6A]圖6A為表示工程S6中的玻璃基板與塗佈噴嘴的動作的說明圖。 　　[圖6B]圖6B為表示工程S6中的玻璃基板與塗佈噴嘴的動作的說明圖。 　　[圖6C]圖6C為表示工程S6中的玻璃基板與塗佈噴嘴的動作的說明圖。 　　[圖7]圖7為表示其他實施形態的塗佈處理裝置的構成的概略的橫剖面圖。 　　[圖8]圖8為表示其他實施形態的塗佈處理裝置的構成的概略的縱剖面圖。 　　[圖9]圖9為表示其他實施形態的塗佈處理裝置中的洗淨處理部的概略的縱剖面圖。 　　[圖10]圖10為表示本實施形態的減壓乾燥裝置的構成的概略的縱剖面圖。 　　[圖11]圖11為表示本實施形態的加熱處理裝置的構成的概略的縱剖面圖。 　　[圖12]圖12為表示本實施形態的膜固著裝置的構成的概略的縱剖面圖。 　　[圖13]圖13為表示本實施形態的膜除去裝置的構成的概略的縱剖面圖。 　　[圖14]圖14為表示本實施形態的光學膜形成處理的主工程之例的流程圖。 　　[圖15A]圖15A為表示在工程S4中塗佈固著材使線偏光膜固著的樣子的說明圖。 　　[圖15B]圖15B為表示在工程S4中塗佈固著材使線偏光膜固著的樣子的說明圖。 　　[圖16A]圖16A為表示在工程S5中除去未固著的線偏光膜的樣子的說明圖。 　　[圖16B]圖16B為表示在工程S5中除去未固著的線偏光膜的樣子的說明圖。 　　[圖17A]圖17A為表示在工程S9中塗佈固著材使λ/4波長膜固著的樣子的說明圖。 　　[圖17B]圖17B為表示在工程S9中塗佈固著材使λ/4波長膜固著的樣子的說明圖。 　　[圖18A]圖18A為表示在工程S10中除去未固著的λ/4波長膜的樣子的說明圖。 　　[圖18B]圖18B為表示在工程S10中除去未固著的λ/4波長膜的樣子的說明圖。
10‧‧‧塗佈處理裝置
12‧‧‧載台(基板移動部)
11‧‧‧處理容器
13‧‧‧載台驅動部(基板移動部)
14‧‧‧塗佈噴嘴
15‧‧‧吐出口
16‧‧‧噴嘴驅動部(塗佈噴嘴移動部)
17‧‧‧回收部
18‧‧‧控制部
A1、A2‧‧‧基板位置
B1、B2‧‧‧噴嘴位置
G‧‧‧玻璃基板

Claims (8)

  1. 一種塗佈處理裝置，係在基板將包含光學材料的塗佈液以施加剪切應力同時使塗佈液中的分子在一方向配向的方式塗佈的塗佈處理裝置，具有：保持前述基板使其在水平的一方向移動的基板移動部；在與前述基板移動部的移動方向垂直的方向延伸，對保持於前述基板移動部的前述基板吐出前述塗佈液的長條狀狹縫噴嘴即塗佈噴嘴；在前述塗佈噴嘴的延伸方向使前述塗佈噴嘴移動的塗佈噴嘴移動部；藉由控制前述基板移動部及前述塗佈噴嘴移動部的移動速度，能夠將對保持於前述基板移動部的前述基板的塗佈方向控制成傾斜方向的控制部。
  2. 如請求項1所記載的塗佈處理裝置，更具有：配置於前述塗佈噴嘴的下方，將從前述塗佈噴嘴吐出至保持於前述基板移動部的前述基板的外側的塗佈液回收的回收部。
  3. 如請求項2所記載的塗佈處理裝置，其中，前述回收部，在長條狀的前述塗佈噴嘴的一端及另一端的下方，分別分割配置。
  4. 如請求項1~3中任一項所記載的塗佈處理裝置，更具有：在塗佈處理中的前述基板的周緣進行預定的處理的基板周緣處理部。
  5. 如請求項4所記載的塗佈處理裝置，其中，前述基板周緣處理部，為將塗佈處理中的前述基板的周緣洗淨的洗淨處理部。
  6. 如請求項4所記載的塗佈處理裝置，其中，前述基板周緣處理部，為調整塗佈處理中的前述基板的周緣的塗佈膜的膜厚的周緣膜厚調整部。
  7. 一種塗佈處理方法，係在基板將包含光學材料的塗佈液以施加剪切應力同時使塗佈液中的分子在一方向配向的方式塗佈的塗佈處理方法，包含：將以長條狀延伸的狹縫噴嘴即塗佈噴嘴配置於前述基板的一端的第1工程；從前述塗佈噴嘴使前述塗佈液吐出的第2工程；使吐出前述塗佈液的前述塗佈噴嘴在前述塗佈噴嘴的延伸方向移動，同時使前述基板在與前述延伸方向垂直的方向移動，並能夠相對於該基板在傾斜方向進行塗佈處理 的第3工程。
  8. 一種光學膜形成裝置，係在基板形成光學膜的光學膜形成裝置，具有：如請求項1~6中任一項所記載的塗佈處理裝置；使由前述塗佈處理裝置塗佈的前述塗佈液所形成的光學膜乾燥的乾燥處理裝置；在前述光學膜的預定區域，塗佈前述光學膜的固著材的膜固著裝置；將未塗佈前述固著材的區域的前述光學膜除去的膜除去裝置。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200702198A (en) * 2005-01-21 2007-01-16 Seiko Epson Corp Pattern forming method, droplet discharge head, pattern forming device, method for manufacturing color filter substrate, color filter substrate, method for manufacturing electro-optical device, and electro-optical device
TW200709942A (en) * 2005-07-20 2007-03-16 Seiko Epson Corp Method for forming film pattern, and method for manufacturing device, electro-optical device, electronic apparatus and active matrix substrate
TW200727988A (en) * 2005-11-11 2007-08-01 Seiko Epson Corp Discharge amount measurement method, pattern formation method, device, electro-optical device, and electronic instrument
TW200738351A (en) * 2006-02-22 2007-10-16 Seiko Epson Corp Method for forming pattern, droplet ejection apparatus, electro-optic device, method for forming alignment film, apparatus for forming alignment film, and liquid crystal display
TW201020034A (en) * 2008-11-19 2010-06-01 Top Eng Co Ltd Paste dispenser and method for dispensing paste using the same
JP2011167655A (ja) * 2010-02-22 2011-09-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布装置
CN105032708A (zh) * 2014-04-17 2015-11-11 芝浦机械电子装置株式会社 涂布装置、工件制造方法、显示装置用构件制造装置及方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3869497B2 (ja) 1996-06-27 2007-01-17 大日本印刷株式会社 塗布方法
US6248168B1 (en) * 1997-12-15 2001-06-19 Tokyo Electron Limited Spin coating apparatus including aging unit and solvent replacement unit
JP2003053235A (ja) 2001-08-17 2003-02-25 Fuji Photo Film Co Ltd 塗布装置
JP4243455B2 (ja) * 2002-05-21 2009-03-25 日本電気株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JP2005062502A (ja) 2003-08-13 2005-03-10 Nakan Corp 偏光膜印刷装置
JP2005313106A (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Toshiba Corp インクジェット塗布装置
JP2007061784A (ja) * 2005-09-02 2007-03-15 Seiko Epson Corp 液状体の吐出装置および液状体の吐出方法、電気光学装置の製造装置および電気光学装置の製造方法
JP2007283275A (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Dainippon Printing Co Ltd 薄膜の製造方法及び薄膜製造装置
JP2008170844A (ja) * 2007-01-15 2008-07-24 Seiko Epson Corp 液晶表示装置の製造方法及び液滴吐出装置
CN101464595A (zh) * 2007-12-17 2009-06-24 伸昌光电材料股份有限公司 光学膜片的制作方法
JP2013094685A (ja) * 2011-10-28 2013-05-20 Tokyo Electron Ltd ノズルメンテナンス装置及びそれを用いた塗布処理装置
JP2013187236A (ja) * 2012-03-06 2013-09-19 Tokyo Electron Ltd 太陽電池製造用のスリットノズル及び薬液塗布装置
JP2014063700A (ja) * 2012-09-24 2014-04-10 Toppan Printing Co Ltd 塗布装置、塗布方法及び有機機能性素子の製造方法
JP5993800B2 (ja) * 2013-05-21 2016-09-14 東京エレクトロン株式会社 塗布装置および液面検出方法
JP6272138B2 (ja) * 2014-05-22 2018-01-31 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置
US11378728B2 (en) * 2016-06-30 2022-07-05 Tokyo Electron Limited Coating processing apparatus, coating processing method, and storage medium

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200702198A (en) * 2005-01-21 2007-01-16 Seiko Epson Corp Pattern forming method, droplet discharge head, pattern forming device, method for manufacturing color filter substrate, color filter substrate, method for manufacturing electro-optical device, and electro-optical device
TW200709942A (en) * 2005-07-20 2007-03-16 Seiko Epson Corp Method for forming film pattern, and method for manufacturing device, electro-optical device, electronic apparatus and active matrix substrate
TW200727988A (en) * 2005-11-11 2007-08-01 Seiko Epson Corp Discharge amount measurement method, pattern formation method, device, electro-optical device, and electronic instrument
TW200738351A (en) * 2006-02-22 2007-10-16 Seiko Epson Corp Method for forming pattern, droplet ejection apparatus, electro-optic device, method for forming alignment film, apparatus for forming alignment film, and liquid crystal display
TW201020034A (en) * 2008-11-19 2010-06-01 Top Eng Co Ltd Paste dispenser and method for dispensing paste using the same
JP2011167655A (ja) * 2010-02-22 2011-09-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布装置
CN105032708A (zh) * 2014-04-17 2015-11-11 芝浦机械电子装置株式会社 涂布装置、工件制造方法、显示装置用构件制造装置及方法

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