JP6854884B2 - 塗布処理装置、塗布処理方法及び光学膜形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板に光学材料を含む塗布液を塗布する塗布処理装置、当該塗布処理装置を用いた塗布処理方法及び当該塗布処理装置を用いた光学膜形成装置に関する。

例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）には、外光の反射防止のために円偏光板が用いられている。円偏光板は、直線偏光板と波長板（位相差板）を、その偏光軸が４５度で交差するように積層して作製される。また、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）にも、表示における旋光性や複屈折性を制御するために、これら直線偏光板と波長板が用いられている。

また、例えば波長板のみを、その偏光軸が１５度や７５度に傾くように形成する場合もある。したがって、偏光板や波長板を任意の角度で形成する必要がある。さらに、偏光板や波長板の偏光軸を任意の角度で交差させるため、これら偏光板や波長板を個別に形成する必要もある。

従来、このような偏光板や波長板は、例えば延伸フィルムを用いて作製されている。延伸フィルムは、フィルムを一方向に延伸させて貼り付けることで、その材料中の分子を一方向に配向させたものである。

ところで、近年、ＯＬＥＤやＬＣＤの薄型化に伴い、偏光板や波長板の薄膜化も求められている。しかしながら、偏光板や波長板を作製するにあたり、従来のように延伸フィルムを用いた場合、延伸フィルム自体の膜厚を薄くするのに限界があり、十分な薄膜を得ることができない。

そこで、基板上に所定材料を有する塗布液を塗布し、必要な膜厚の偏光板や波長板を形成することで、薄膜化が図られている。具体的には、例えば所定材料として液晶性を有する塗布液を基板に塗布し、流延・配向させる。液晶化合物は塗布液中で超分子会合体を形成しており、せん断応力を加えながら塗布液を流動させると超分子会合体の長軸方向が流動方向に配向する。

このように基板に対して塗布液を塗布できるようにするため、従来、種々の装置が提案されている。

例えば、特許文献１に記載された偏光膜印刷装置は、基板を保持するためのテーブルと、基板にインク液を吐出するスロットダイとを有している。テーブルは、定盤の部分をくり抜いた枠板に定盤を嵌め込む構成で、これにより定盤周辺部の高さを定盤に定着した基板の表面と同じ高さにする。スロットダイは、少なくとも定盤を覆うように延伸している。そして、定盤を印刷方向に配置した状態で基板を定着させ、さらにその定盤を回転させて、基板を印刷方向に対して所定の角度傾けた後、スロットダイを印刷方向に移動させて基板にインク液を塗布する。

また、例えば、特許文献２に記載された塗布装置では、上方に向って開口すると共に水平方向に延びる帯状のスリットを備えた塗布ヘッドに塗布液を供給し、この塗布液をスリットから吐出させてビードを形成し、平面形状が矩形の被塗布基板をその１つの対角線方向にほぼ沿って塗布ヘッドの上方を斜め上方向に相対的に移動させ、塗布ヘッドと被塗布基板との間に形成されたビードから被塗布基板の塗布面に塗布液を付着させている。

特開２００５−６２５０２号公報 特開平１０−５６７７号公報

しかしながら、特許文献１に記載された偏光膜印刷装置を用いた場合、スロットダイが少なくとも定盤を覆うように延伸しているので、基板にインク液を塗布する際、定盤に定着された基板にインク液が吐出されると共に、定盤周囲の枠板にもインク液が吐出されて付着する。このため、基板の塗布処理毎に枚葉で枠板を洗浄する必要があり、手間がかかる。

また、特許文献１の偏光膜印刷装置では、基板を定着させた定盤を回転させているが、この定盤の回転は基板を所定の位置（印刷方向と平行になる位置）で受け取るためのものであって、塗布方向を制御するものではない。換言すれば、基板に対するインク液の塗布方向は固定されており、その塗布方向を自由に制御することはできない。

また、特許文献２に記載された塗布装置を用いた場合、表面張力を用いて基板に塗布液を塗布する。かかる場合、塗布液が基板に付着している面積に応じて、すなわち、塗布液を塗布する角度に応じて、塗布ヘッドからの塗布液の吐出圧力などの塗布条件を調整する必要があり、その制御が煩雑になる。

ここで、塗布時のせん断応力（シアレート）は、塗布速度を、基板と塗布ヘッドの距離（ギャップ）で割った値である。しかしながら、特許文献２の塗布装置では、表面張力を用いるため、基板への塗布液の塗布速度を大きくするには限界がある。このため、十分なせん断応力が得られないおそれがある。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、光学材料を含む塗布液を、基板に対して任意の角度で適切に塗布することを目的とする。

前記の目的を達成するため、本発明は、基板に光学材料を含む塗布液を塗布する塗布処理装置であって、前記基板を保持して水平な一方向に移動させる基板移動部と、前記基板移動部の移動方向と直交する方向に延伸し、前記基板移動部に保持された前記基板に対して前記塗布液を吐出する長尺状の塗布ノズルと、前記塗布ノズルの延伸方向に前記塗布ノズルを移動させる塗布ノズル移動部と、前記基板移動部および前記塗布ノズル移動部の移動速度を制御することで、前記基板移動部に保持された前記基板に対する塗布方向を制御する制御部と、を有する。

別な観点による本発明は、基板に光学材料を含む塗布液を塗布する塗布処理方法であって、長尺状に延伸する塗布ノズルを、前記基板の一端に配置する第１の工程と、前記塗布ノズルから、前記塗布液を吐出させる第２の工程と、前記塗布液を吐出している前記塗布ノズルを前記塗布ノズルの延伸方向に移動させながら、前記延伸方向と直交する方向に前記基板を移動させて該基板に塗布処理を行う第３の工程と、を含む。

また、他の観点による本発明は、基板に光学膜を形成する光学膜形成装置であって、前述の塗布処理装置と、前記塗布処理装置で塗布された前記塗布液からなる光学膜を乾燥させる乾燥処理装置と、前記光学膜の所定領域に、前記光学膜の定着材を塗布する膜定着装置と、前記定着材を塗布していない領域の前記光学膜を除去する膜除去装置と、を有する。

本発明によれば、光学材料を含む塗布液を、基板に対して任意の角度で適切かつ効率よく塗布することができる。また、本発明によれば、基板に光学膜を適切に形成することができる。

図１は、本実施の形態にかかる光学膜形成装置の構成の概略を示す平面図である。 図２は、本実施の形態にかかる塗布処理装置の構成の概略を示す横断面図である。 図３は、本実施の形態にかかる塗布処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 図４Ａは、工程Ｓ１におけるガラス基板と塗布ノズルの動作を示す説明図である。 図４Ｂは、工程Ｓ１におけるガラス基板と塗布ノズルの動作を示す説明図である。 図４Ｃは、工程Ｓ１におけるガラス基板と塗布ノズルの動作を示す説明図である。 図５Ａは、工程Ｓ１におけるガラス基板と塗布ノズルの動作を示す説明図である。 図５Ｂは、工程Ｓ１におけるガラス基板と塗布ノズルの動作を示す説明図である。 図６Ａは、工程Ｓ６におけるガラス基板と塗布ノズルの動作を示す説明図である。 図６Ｂは、工程Ｓ６におけるガラス基板と塗布ノズルの動作を示す説明図である。 図６Ｃは、工程Ｓ６におけるガラス基板と塗布ノズルの動作を示す説明図である。 図７は、他の実施の形態にかかる塗布処理装置の構成の概略を示す横断面図である。 図８は、他の実施の形態にかかる塗布処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 図９は、他の実施の形態にかかる塗布処理装置における洗浄処理部の概略を示す縦断面図である。 図１０は、本実施の形態にかかる減圧乾燥装置の構成の概略を示す縦断面図である。 図１１は、本実施の形態にかかる加熱処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 図１２は、本実施の形態にかかる膜定着装置の構成の概略を示す縦断面図である。 図１３は、本実施の形態にかかる膜除去装置の構成の概略を示す縦断面図である。 図１４は、本実施の形態にかかる光学膜形成処理の主な工程の例を示すフローチャートである。 図１５Ａは、工程Ｓ４において定着材を塗布して直線偏光膜を定着させた様子を示す説明図である。 図１５Ｂは、工程Ｓ４において定着材を塗布して直線偏光膜を定着させた様子を示す説明図である。 図１６Ａは、工程Ｓ５において定着していない直線偏光膜を除去した様子を示す説明図である。 図１６Ｂは、工程Ｓ５において定着していない直線偏光膜を除去した様子を示す説明図である。 図１７Ａは、工程Ｓ９において定着材を塗布してλ／４波長膜を定着させる様子を示す説明図である。 図１７Ｂは、工程Ｓ９において定着材を塗布してλ／４波長膜を定着させる様子を示す説明図である。 図１８Ａは、工程Ｓ１０において定着していないλ／４波長膜を除去した様子を示す説明図である。 図１８Ｂは、工程Ｓ１０において定着していないλ／４波長膜を除去した様子を示す説明図である。

以下、本発明の実施の形態について説明する。

まず、本実施の形態における光学膜形成装置の構成について説明する。本実施の形態では、ＯＬＥＤに用いられる円偏光板を作製する場合において、光学膜として、直線偏光膜（直線偏光板）とλ／４波長膜（λ／４波長板）を矩形のガラス基板（以後、基板Ｇと表記）に形成する場合を例にとって説明する。なお、直線偏光膜とλ／４波長膜が形成される前の基板上には、例えば複数の有機膜（図示せず）などが積層して形成されている。

図１に示すように、光学膜形成装置１は、塗布処理装置１０、減圧乾燥装置１００、加熱処理装置３００、膜定着装置４００、及び膜除去装置５００を有する。また、光学膜形成装置１は、基板を搬送するための図示しない基板搬送部を有し、塗布処理装置１０、減圧乾燥装置１００、加熱処理装置３００、膜定着装置４００、及び膜除去装置５００の順に基板を搬送可能である。

また、光学膜形成装置１は、制御部１８を有し、制御部１８により光学膜形成装置１の動作の制御を行う。制御部１８は、例えば塗布処理装置１０、減圧乾燥装置１００、加熱処理装置３００、膜定着装置４００、膜除去装置５００および図示しない基板搬送部などの動作を制御する。

＜塗布処理装置＞
次に、塗布処理装置１０の構成について説明する。塗布処理装置１０において、基板Ｇの上面に塗布液の塗布処理を行う。図２は、塗布処理装置１０の構成の概略を示す横断面図である。図３は、塗布処理装置１０の構成の概略を示す縦断面図である。

塗布処理装置１０は、処理容器１１を有する。処理容器１１の側面には図示しない基板Ｇの搬入出口が形成されている。

処理容器１１の内部には、基板Ｇを保持する保持部であるステージ１２が設けられる。ステージ１２は、塗布液が塗布される基板Ｇの表面を上向きに保持する。また、ステージ１２は、平面視（ＸＹ平面）において基板Ｇよりも小さい形状を有する。

塗布処理装置１０は、ステージ１２をＸ軸方向に移動させるためのステージ駆動部１３を有し、ステージ駆動部１３によりステージ１２はＸ軸方向に往復移動自在に構成されている。ステージ１２は、Ｘ軸負方向側の端部（一端、基板位置Ａ１）とＸ軸正方向側の端部（他端、基板位置Ａ２）との間を移動する。また、ステージ１２は、基板Ｇの２枚の長さより長い距離を移動できるように構成されており、基板位置Ａ１における基板Ｇと基板位置Ａ２における基板Ｇとは、平面視において重なる部分が無い。なお、ステージ１２およびステージ駆動部１３が、基板Ｇを保持し、水平かつ直線に移動させる基板移動部に相当する。

ステージ１２の上方には、ステージ１２に保持された基板Ｇに塗布液を塗布する塗布ノズル１４が設けられている。塗布ノズル１４は、ステージ１２に保持された基板Ｇの移動方向（Ｘ軸方向）と直交する方向であるＹ軸方向に延伸する長尺状のスリットノズルである。塗布ノズル１４の下端面には、基板Ｇに塗布液を吐出する吐出口１５が形成されている。図２に示すように、吐出口１５は、塗布ノズル１４の長手方向（Ｙ軸方向）に、基板ＧのＹ軸方向の幅より長く延伸するスリット状の吐出口である。

塗布処理装置１０は、塗布ノズル１４を塗布ノズル１４の延伸方向（Ｙ軸方向）に移動させるためのノズル駆動部１６（塗布ノズル移動部に相当）を有する。ノズル駆動部１６により、塗布ノズル１４は、塗布ノズル１４の延伸方向（Ｙ軸方向）に往復移動自在に構成されている。塗布ノズル１４は、Ｙ軸負方向側の端部（一端、ノズル位置Ｂ１）とＹ軸正方向側の端部（他端、ノズル位置Ｂ２）との間を移動する。

上述したように、ステージ１２はＸ軸方向に、塗布ノズル１４はＹ軸方向にそれぞれ移動自在であり、ステージ１２および塗布ノズル１４の移動方向は、直交している。そして、塗布ノズル１４から塗布液を吐出しつつ、塗布ノズル１４とステージ１２とを相対移動させることにより、ステージ１２に保持された基板Ｇ上に塗布液を塗布することができる。また、ステージ１２の移動速度と塗布ノズル１４の移動速度を制御することで、基板Ｇに塗布される塗布液の塗布方向（ステージ１２と塗布ノズル１４との相対移動方向）を任意に制御することができる。

なお、吐出口１５から吐出される塗布液は、光学材料を含む塗布液である。具体的には、直線偏光膜を形成するための偏光膜用塗布液と、λ／４波長膜を形成するための波長膜用塗布液であり、それぞれ例えば光学材料としてリオトロピック液晶化合物やサーモトロピック液晶化合物など、任意の液晶化合物が含まれる。

ステージ１２及び塗布ノズル１４の下方には、塗布液を回収する回収部１７が設けられる。塗布ノズル１４から吐出され、基板Ｇに塗布されなかった塗布液は、回収部１７で回収され、次回以降に処理される基板Ｇに再利用される。

塗布処理装置１０の動作は、前述した制御部１８により制御される。制御部１８は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するコンピュータであり、ＲＯＭ（プログラム格納部）に格納されているプログラムを読み出して実行することにより、塗布処理装置１０における塗布処理を制御する。このプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部１８にインストールされたものでもよい。

次に、塗布処理装置１０を用いて行われる光学膜の塗布方法について説明する。

＜塗布工程（工程Ｓ１）＞
まず、直線偏光膜の塗布について説明する。図４Ａ〜図５Ｂは、直線偏光膜の塗布工程である工程Ｓ１における、基板Ｇと塗布ノズル１４の動作を示す説明図である。

図４Ａに示すように、ステージ１２を基板位置Ａ１に位置させ、ステージ１２に基板Ｇが受け渡される。次に、塗布ノズル１４をノズル位置Ｂ１に位置させる。このとき、塗布ノズル１４は、基板Ｇの一端に位置する。塗布ノズル１４をノズル位置Ｂ１に配置する際、塗布ノズル１４は、後述する塗布液Ｐ１の目標膜厚に応じた高さに配置される。

続いて、図４Ｂ及び図５Ａに示すように、吐出口１５から塗布液Ｐ１を吐出させ、基板ＧをＸ軸正方向に移動させる。基板Ｇは、基板位置Ａ１から基板位置Ａ２に向けて移動する。このとき、塗布ノズル１４の位置は、ノズル位置Ｂ１のままとする。そして、基板Ｇの上面に、塗布液Ｐ１が塗布される。この場合の塗布液Ｐ１は、直線偏光膜を形成するための偏光膜用塗布液である。

続いて、図４Ｃ及び図５Ｂに示すように、基板Ｇが基板位置Ａ２まで移動すると、基板Ｇの上面の全てに塗布液Ｐ１が塗布される。

このとき、塗布液Ｐ１はせん断応力（図４Ｂと図４Ｃの白ヌキ矢印）が加えられながら塗布される。塗布ノズル１４は移動せず、基板ＧはＸ軸正方向に移動するので、せん断応力はＸ軸負方向に加えられる。

前述したように、せん断応力（シアレート）は、塗布速度を、基板Ｇと塗布ノズル１４の吐出口１５との距離（ギャップ）で割った値である。ギャップに関しては、塗布ノズル１４にスリットノズルを用いることで、基板Ｇを傷つけることなく、塗布ノズル１４を基板Ｇに十分に近接できるので、ギャップを小さくすることができる。そして、基板Ｇの移動速度（＝塗布速度）を制御することで、塗布液Ｐ１に十分なせん断応力を加えることができる。またその結果、塗布液Ｐ１中の分子を一方向（Ｘ軸方向）に配向させることができる。

なお、塗布ノズル１４には、スリットノズル以外の他のノズルを用いることもできるが、上述したようにギャップをできるだけ小さくできるという観点から、スリットノズルが好適である。また、基板Ｇに塗布される塗布液Ｐ１の膜厚が薄い（例えば膜厚１〜５μｍほど）ので、かかる観点からもスリットノズルが好適である。

なお、塗布ノズル１４から吐出された塗布液Ｐ１のうち、基板Ｇに塗布されなかった塗布液Ｐ１は、回収部１７にて回収される。回収された塗布液Ｐ１は、次回以降に処理される基板Ｇに再利用される。また、ステージ１２は基板Ｇより小さいので、塗布液Ｐ１がステージ１２に付着することもない。よって、ステージ１２を基板Ｇ毎に枚葉で洗浄するのを抑制することができる。

＜塗布工程（工程Ｓ６）＞
次に、λ／４波長膜の塗布について説明する。図６Ａ〜図６Ｃは、λ／４波長膜の塗布工程である工程Ｓ６における、基板Ｇと塗布ノズル１４の動作を示す説明図である。

工程Ｓ６では、工程Ｓ１により直線偏光膜が形成された基板Ｇの上面に、塗布液の塗布を行う。このときの塗布液は、λ／４波長膜を形成するための、波長膜用塗布液である。

図６Ａに示すように、基板位置Ａ１において、既に直線偏光膜が形成された基板Ｇがステージ１２に受け渡される。次に、塗布ノズル１４をノズル位置Ｂ１に位置させる。このとき、塗布ノズル１４は、基板Ｇの一端に位置する。塗布ノズル１４をノズル位置Ｂ１に配置する際に、塗布ノズル１４は、後述する塗布液Ｑ１の目標膜厚に応じた高さに配置される。

続いて、図６Ｂに示すように、塗布ノズル１４から塗布液Ｑ１を吐出させ、基板Ｇを基板位置Ａ１から基板位置Ａ２に向けて、Ｘ軸正方向に移動させる。それと共に、塗布ノズル１４をノズル位置Ｂ１からノズル位置Ｂ２に向けて、Ｙ軸正方向に移動させる。

続いて、図６Ｃに示すように、塗布ノズル１４から塗布液Ｑ１を吐出させつつ、基板Ｇを基板位置Ａ２まで移動させる。それと共に、塗布ノズル１４をノズル位置Ｂ２まで移動させる。すると、基板Ｇの上面の全てに塗布液Ｑ１が塗布される。

このように、基板Ｇを基板位置Ａ１から基板位置Ａ２に移動させると共に、塗布ノズル１４をノズル位置Ｂ１からノズル位置Ｂ２に移動させる。そして、基板Ｇの移動速度および塗布ノズル１４の移動速度が、それぞれ所定の速度に制御される。

そして、塗布液Ｑ１はせん断応力（図６Ｂおよび図６Ｃ中の白ヌキ矢印）が加えられながら塗布される。基板Ｇの移動速度と塗布ノズル１４の移動速度とを、それぞれ所定の速度に制御することにより、せん断応力はＹ軸正方向及びＸ軸正方向から例えば斜め４５度の方向に加えられる。

また、基板Ｇの移動速度と塗布ノズル１４の移動速度を制御することで、塗布液Ｑ１に十分なせん断応力を加えることができる。その結果、塗布液Ｑ１中の分子を一方向（上述した斜め４５度方向）に配向させることができる。

このようにして、塗布処理装置１０において、基板Ｇ上に塗布液Ｑ１が塗布されて、λ／４波長膜が塗布される。

上述した塗布方法により、直線偏光膜の分子の方向（配列方向）に対して、λ／４波長膜の分子の方向は、ＸＹ平面において、斜め方向に配置される。そして、塗布液Ｐ１の塗布方向と塗布液Ｑ１の塗布方向を斜め方向、例えば４５度で交差させ、直線偏光膜Ｐ１とλ／４波長膜Ｑ１を、その偏光軸を４５度で交差するように形成することができる。

なお、直線偏光膜Ｐ１とλ／４波長膜Ｑ１との偏光軸の交差角度は、４５度に限定されず、他の角度で交差するように直線偏光膜およびλ／４波長膜を塗布してもよい。

＜塗布処理装置の他の実施の形態＞
次に、塗布処理装置１０の他の実施の形態について説明する。図７は、塗布処理装置１０の他の実施の形態の構成の概略を示す横断面図である。図８は、塗布処理装置１０の他の実施の形態の構成の概略を示す縦断面図である。

塗布処理装置１０は、図７および図８に示すように塗布液を回収する第２の回収部２０をさらに有する。

第２の回収部２０は、塗布ノズル１４から基板Ｇの外側に吐出され、基板Ｇに塗布されなかった塗布液を回収する。図７に示すように、各第２の回収部２０は、平面視において、基板Ｇが通過する領域以外の領域、具体的には、長尺状の塗布ノズル１４の一端側、例えばノズル位置Ｂ１付近、および塗布ノズル１４の他端側、例えばノズル位置Ｂ２付近に、それぞれ配置される。第２の回収部２０は、塗布ノズル１４と同様に、Ｙ軸方向に延伸する形状である。そして、第２の回収部２０は、ノズル位置Ｂ１およびノズル位置Ｂ２において、塗布ノズル１４から基板Ｇの外側に吐出された塗布液を回収することができる位置に配置される。また、図８に示すように、第２の回収部２０は、塗布ノズル１４の下方に位置する。

そして、第２の回収部２０は、塗布ノズル１４から基板Ｇの外側に吐出された塗布液を回収し、第２の回収部２０で回収された塗布液は、次回以降に処理される基板Ｇに再利用される。

また、塗布処理装置１０は、基板Ｇの周縁部に所定の処理を行う基板周縁処理部をさらに有する。ここでは、基板周縁処理部の例として、基板Ｇの周縁部を洗浄する洗浄処理部２１を用いて説明する。

例えば、塗布ノズル１４から吐出された塗布液が、基板Ｇの裏面の周縁に回りこんで付着するおそれが考えられる。そこで、図７および図８に示すように、洗浄処理部２１を設けて、基板Ｇの裏面の周縁に付着した塗布液の除去を行う。

洗浄処理部２１は、矩形の基板Ｇの進行方向（Ｘ軸方向）と平行な２辺の周縁部およびその付近を洗浄することができる位置に、それぞれ配置される。

本実施の形態では、塗布ノズル１４よりも基板Ｇの進行方向下流側（Ｘ軸正方向側）で、かつＸ軸と平行な２辺が通過する位置の周辺に、洗浄処理部２１を配置した。

図９は、洗浄処理部２１の概略を示す縦断面図である。洗浄処理部２１は、基板Ｇの表裏面の周縁に洗浄液を吐出する洗浄液吐出部２２と、洗浄後の洗浄液を吸引回収する洗浄液回収部２３とを有する。

洗浄液吐出部２２は、基板Ｇの表裏面周縁に対して、基板Ｇの上下から基板Ｇの表裏面の直交方向または基板Ｇの外側向きの斜め方向に洗浄液を吐出することができる。また洗浄液回収部２３は、基板Ｇの側方に位置し、使用済みの洗浄液を負圧により吸引し、回収することができる。

次に、洗浄処理部２１を用いた基板Ｇ周縁の洗浄工程について説明する。基板Ｇを基板位置Ａ１から基板位置Ａ２に移動させながら、基板Ｇの上面に塗布液が塗布される。その際に、塗布ノズル１４から吐出された塗布液が、基板Ｇの周縁の裏面に廻りこむおそれも考えられる。そこで、塗布処理中の基板Ｇの２辺が洗浄処理部２１を通過するときに、洗浄液吐出部２２から洗浄液を吐出し、基板Ｇの周縁を洗浄し、使用済みの洗浄液を洗浄液回収部２３から吸引回収する。

このように、洗浄処理部２１を配置することにより、基板Ｇに対して塗布処理を行いながら、基板Ｇの周縁の洗浄処理も同時に行うことが可能であり、基板Ｇの周縁に付着した余剰な塗布液を除去することができる。

なお、洗浄処理部２１の構成は、上述した実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。洗浄処理部２１の位置は、一例であって、他の位置に配置してもよい。また、基板Ｇの表裏面の周縁に洗浄液を吐出して洗浄する例を示したが、基板Ｇの下側の洗浄液吐出部２２のみを用いて、基板Ｇの裏面の周縁のみに洗浄液を吐出して基板Ｇの周縁の裏面を洗浄してもよい。

また、基板Ｇに付着した余剰な洗浄液を乾燥させるために、基板Ｇの周縁に気体を噴射する、図示しない気体噴射ノズルを、例えば洗浄処理部２１にさらに追加してもよい。

基板周縁処理部の一例として、洗浄処理部２１を用いて、基板Ｇの周縁の洗浄処理について説明した。しかし、基板周縁処理部での処理は、洗浄処理に限定されず、例えば基板Ｇの周縁の塗布膜の膜厚を調整する周縁膜厚調整処理でもよい。

周縁膜厚調整処理を行う周縁膜厚調整部（図示せず）として、例えば基板Ｇの周縁のみに塗布液または塗布液の溶媒または塗布液の溶媒雰囲気を吐出するノズル等が考えられる。また、周縁膜厚調整部の他の例として、基板の周縁のみを加熱できる加熱部、または基板の周縁のみを冷却できる冷却部など、塗布膜厚を調整できる構成であれば、転用可能である。

基板Ｇの周縁は、基板Ｇの他の領域と比較して、塗布膜の膜厚が厚いまたは薄い等の、膜厚の特異点となるおそれがある。そこで、上述した周縁膜厚調整部を用いて、基板Ｇの周縁の膜厚が基板Ｇの他の領域と同等になるように、塗布処理中に基板Ｇの周縁の膜厚の調整も行ってもよい。

なお、基板周縁処理部として、洗浄処理部２１と周縁膜厚調整部、どちらも配置してもよい。また、基板周縁処理部が行う処理は、洗浄処理や膜厚調整処理に限定されず、その他の処理であってもよい。他の処理を行う処理部を、洗浄処理部２１と同様の位置に配置して、他の処理を基板Ｇの周縁に行ってもよい。

本実施の形態においては、図７や図８に示すように、塗布処理装置１０は、洗浄処理部２１（＝基板周縁処理部）を配置し易い構成となっている。そして、基板周縁処理部を設けることにより、塗布処理に加え、塗布処理中の基板Ｇの周縁に対して、基板周縁の処理も同時に行うことができる。

また、基板Ｇが基板位置Ａ１から基板位置Ａ２に移動する塗布処理装置であれば、上述した塗布処理装置１０の構成に限定されずに、本発明を適用可能である。例えば特開２００６−１９９４８３号公報等に記載された、基板Ｇを浮上搬送しながら塗布処理を行う塗布処理装置に、本願発明の塗布ノズル１４、第２の回収部２０、洗浄処理部２１等を適用することも可能である。

また、第１の回収部１７と第２の回収部２０とを設けたが、第１の回収部１７を省いてもよい。

このようにして、塗布処理装置１０を用いて、基板Ｇ上に直線偏光膜およびλ／４波長膜を塗布することができる。

次に、光学膜形成装置１における、塗布処理装置１０を除く、残りの装置について説明する。

＜減圧乾燥装置＞
図１０は、第１の乾燥装置である減圧乾燥装置の構成の概略を示す縦断面図である。図１０に示す減圧乾燥装置１００では、基板Ｇに塗布された光学膜（直線偏光膜とλ／４波長膜）を減圧乾燥する。

減圧乾燥装置１００は、処理容器１０１を有している。処理容器１０１は、蓋体１０２と本体１０３を有している。蓋体１０２は、図示しない昇降機構により昇降自在に構成されている。処理容器１０１に基板Ｇを搬入出する際には、蓋体１０２は本体１０３から上方に分離し、処理容器１０１の内部で減圧乾燥処理を行う際には、蓋体１０２と本体１０３が一体となって、密閉された空間を形成する。

処理容器１０１の内部には、基板Ｇを載置する載置台１１０が設けられている。載置台１１０は、光学膜が形成された表面が上方を向くように、基板Ｇを載置する。処理容器１０１の底部には、ガス供給部１２０と排気部１２１が設けられている。ガス供給部１２０と排気部１２１は、載置台１１０を挟んで対向して配置されている。ガス供給部１２０から不活性ガスを供給して、基板Ｇ上で基板Ｇと平行な気流通過方向（Ｘ軸方向）に不活性ガスの気流を通過させることができる。また、排気部１２１から排気することで、処理容器１０１の内部を減圧雰囲気とすることができる。

なお、減圧乾燥装置の構成は本実施の形態の減圧乾燥装置１００の構成に限定されず、公知の減圧乾燥装置の構成でもよい。

＜加熱処理装置＞
図１１は、第２の乾燥装置である加熱処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。加熱処理装置３００では、基板Ｇに塗布された光学膜（直線偏光膜とλ／４波長膜）を加熱し乾燥する。

加熱処理装置３００は、処理容器３０１を有している。処理容器３０１は、蓋体３０２と本体３０３を有している。蓋体３０２は、図示しない昇降機構により昇降自在に構成されている。処理容器３０１に基板Ｇを搬入出する際には、蓋体３０２は本体３０３から上方に分離し、処理容器３０１の内部で加熱処理を行う際には、蓋体３０２と本体３０３が一体となって、密閉された空間を形成する。蓋体３０２の上面中央部には、排気部３０４が設けられている。処理容器３０１の内部は排気部３０４から排気される。

処理容器３０１の内部には、基板Ｇを載置して加熱する熱板３１０が設けられている。熱板３１０は、光学膜が形成された表面が上方を向くように、基板Ｇを載置する。熱板３１０には、給電により発熱するヒータ３１１が内蔵されている。

なお、加熱処理装置の構成は本実施の形態の加熱処理装置３００の構成に限定されず、公知の加熱処理装置の構成でもよい。

＜膜定着装置＞
図１２は、膜定着装置の構成の概略を示す縦断面図である。膜定着装置４００では、インクジェット方式で定着材を所定領域、本実施の形態では基板Ｇの画素エリアに選択的に塗布する。

膜定着装置４００は、処理容器４０１を有している。処理容器４０１の側面には基板Ｇの搬入出口（図示せず）が形成され、搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。

処理容器４０１の内部には、基板Ｇを保持するステージ４１０が設けられている。ステージ４１０は、基板Ｇに定着材が塗布される表面が上方を向くように、その裏面を吸着保持する。

ステージ４１０は、ステージ４１０の下面側に設けられ、Ｘ軸方向に延伸する一対のレール４１１、４１１に取り付けられている。レール４１１は、Ｘ軸方向に延伸するテーブル４１２に設けられている。そして、ステージ４１０は、レール４１１、４１１に沿って移動自在に構成されている。

また、レール４１１は、後述する塗布ノズル４２０を挟んで、少なくとも基板Ｇの２枚の長さ以上でＸ軸方向に延伸している。これにより、ステージ４１０がＸ軸の−方向の端部に位置している場合の基板Ｇ（図中の実線、基板位置Ｃ１）と、ステージ４１０がＸ軸正方向の端部に位置している場合の基板Ｇ（図中の点線、基板位置Ｃ２）とが、平面視において重ならない。

ステージ４１０の上方には、ステージ４１０に保持された基板Ｇに定着材を塗布する塗布ノズル４２０が設けられている。塗布ノズル４２０は、例えばインクジェットノズルであり、基板Ｇの所定領域に定着材を選択的に塗布することができる。なお、塗布ノズル４２０は、図示しない移動機構によって鉛直方向にも移動自在に構成されている。

なお、塗布ノズル４２０から吐出される定着材は、基板Ｇの所定領域に光学膜を定着させるものであれば、任意の材料を用いることができる。例えば光学膜の末端の官能基を置換したり、或いは収縮反応を起こして高分子化させて、光学膜を不活性化（不溶化）させて定着させてもよい。或いは光学膜を固めて定着させてもよい。

また、膜定着装置の構成は本実施の形態の膜定着装置４００の構成に限定されず、公知のインクジェット方式の装置の構成でもよい。さらに、膜定着装置において定着材を選択的に塗布する方法はインクジェット方式に限定されず、他の方法を用いてもよい。他の方法として、例えば所定領域以外の領域にマスクを設け、その上から定着材を吐出することで、所定領域のみに定着材を選択的に塗布してもよい。

＜膜除去装置＞
図１３は、膜除去装置の構成の概略を示す縦断面図である。膜除去装置５００では、基板Ｇに洗浄液を供給し、膜定着装置４００で定着させていない光学膜（本実施の形態では、画素エリアを除く領域の光学膜）を除去する。

膜除去装置５００は、処理容器５０１を有している。処理容器５０１の側面には基板Ｇの搬入出口（図示せず）が形成され、搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。

処理容器５０１の内部には、基板Ｇを保持して回転させるスピンチャック５１０が設けられている。スピンチャック５１０は、基板Ｇに洗浄液が供給される表面が上方を向くように、その裏面を吸着保持する。また、スピンチャック５１０は、例えばモータなどのチャック駆動部５１１により所定の速度に回転できる。

スピンチャック５１０の周囲には、基板Ｇから飛散又は落下する洗浄液を受け止め、回収するカップ５２０が設けられている。カップ５２０の下面には、回収した定着材を排出する排出管５２１と、カップ５２０の内部を排気する排気管５２２が接続されている。

スピンチャック５１０の上方には、スピンチャック５１０に保持された基板Ｇに洗浄液を供給する洗浄ノズル５３０が設けられている。洗浄ノズル５３０は、移動機構５３１によって水平方向及び鉛直方向に移動自在に構成されている。

なお、洗浄ノズル５３０から供給される洗浄液は、膜定着装置４００で塗布される定着材の溶媒に応じた材料が用いられる。例えば定着材の溶媒が水であれば、洗浄液には水が用いられ、定着材の溶媒が有機溶剤であれば、洗浄液には有機溶剤が用いられる。

また、膜除去装置の構成は本実施の形態の膜除去装置５００の構成に限定されず、公知のスピン塗布方式の装置の構成でもよい。さらに、膜除去装置において光学膜を選択的に除去する方法はスピン塗布方式に限定されず、他の方法を用いてもよい。他の方法として、例えば洗浄液を貯留する洗浄槽に、基板Ｇを浸漬させて、光学膜を選択的に除去してもよい。また、レーザーアブレーションを行って光学膜を選択的に除去してもよいし、あるいはフォトリソグラフィー処理及びエッチング処理を行って光学膜を選択的に除去してもよい。

次に、以上のように構成された光学膜形成装置１を用いて行われる、光学膜形成方法について説明する。図１４は、かかる光学膜形成処理の主な工程の例を示すフローチャートである。

本実施の形態では、上述したように光学膜として直線偏光膜とλ／４波長膜を、その偏光軸が４５度で交差するように基板Ｇに積層して形成する。工程Ｓ１〜Ｓ５は直線偏光膜を形成する工程であり、工程Ｓ６〜Ｓ１０はλ／４波長膜を形成する工程である。

＜工程Ｓ１＞
前述したように、塗布処理装置１０において、基板Ｇの全面に直線偏光膜Ｐ１を形成するための偏光膜用塗布液を塗布する（工程Ｓ１）。

＜工程Ｓ２＞
次に、減圧乾燥装置１００において、基板Ｇの直線偏光膜Ｐ１を減圧乾燥させる。具体的には、載置台１１０に基板Ｇを載置し、蓋体１０２を閉じて、処理容器１０１の内部に密閉された空間を形成する。その後、ガス供給部１２０から不活性ガスを供給すると共に、排気部１２１から処理容器１０１の内部が排気され、処理容器１０１の内部を減圧雰囲気にする。そして、直線偏光膜Ｐ１が乾燥される。

直線偏光膜Ｐ１が乾燥されると、膜中の溶媒が除去される。上述した工程Ｓ１ではせん断応力を加えることで分子を一方向に配向させているが、そのままの状態で放置しておくと、分子の配向が元に戻って乱れるおそれがある。このため、工程Ｓ２で膜中の溶媒を除去することで、分子の配向状態が適切に維持される。

また、分子の配向状態を適切に維持する観点から、塗布処理装置１０と減圧乾燥装置１００の間は、例えばダウンフローの無い、無風状態で基板Ｇを搬送する。ダウンフローによって直線偏光膜Ｐ１の分子の配向状態が乱れるおそれも無く、分子が一方向に配向した状態で、塗布処理装置１０から減圧乾燥装置１００に、基板Ｇが搬送される。

＜工程Ｓ３＞
次に、加熱処理装置３００において、基板Ｇの直線偏光膜Ｐ１を加熱し乾燥させる。具体的には、熱板３１０に基板Ｇを載置し、蓋体３０２を閉じて、処理容器３０１の内部に密閉された空間を形成する。そして、熱板３１０のヒータ３１１によって、直線偏光膜Ｐ１が所定の温度、例えば５０℃で加熱される。

例えば工程Ｓ２で直線偏光膜Ｐ１を減圧乾燥しても、膜中に溶媒が完全に除去されない場合がある。工程Ｓ３における直線偏光膜Ｐ１の加熱は、このように膜中に残存する溶媒を確実に除去する。なお、工程Ｓ２において膜中の溶媒を完全に除去できる場合には、工程Ｓ３は省略してもよい。

＜工程Ｓ４＞
次に、膜定着装置４００において、基板Ｇの所定領域、本実施の形態では画素エリアに定着材を塗布する。

膜定着装置４００では、基板位置Ｃ１において基板Ｇがステージ４１０に保持される。そして、基板Ｇを基板位置Ｃ１から基板位置Ｃ２に移動させる。

基板Ｇの移動中、図１５Ａに示すように基板Ｇの画素エリアに形成された直線偏光膜Ｐ１に塗布ノズル４２０から定着材Ｆを塗布する。このとき、膜定着装置４００はインクジェット方式を採用しているため、画素エリアの直線偏光膜Ｐ１に正確に定着材Ｆを塗布することができる。

定着材Ｆは直線偏光膜Ｐ１を不活性化（不溶化）する。具体的には、直線偏光膜Ｐ１におけるＯＨ基などの水溶性の末端を、別の官能基に置換する。そして、不活性化された直線偏光膜Ｐ１は基板Ｇに定着する。以下、定着材Ｆが塗布されて定着した直線偏光膜をＰ２として説明する。すなわち、基板Ｇの画素エリアを除く領域において、直線偏光膜Ｐ１は不活性化されておらず定着していない。一方、画素エリアにおいて、直線偏光膜Ｐ２は不活性化されて定着している。

そして、図１５Ａおよび図１５Ｂに示すように、基板Ｇの全ての画素エリアに、不活性化した直線偏光膜Ｐ２を形成することができる。なお、図示の都合上、基板Ｇの画素エリア、すなわち直線偏光膜Ｐ２は２０箇所である場合を例示しているが、画素エリアの数はこれに限定されない。実際には画素エリアは、１枚の基板Ｇに対して約１００箇所にある。

＜工程Ｓ５＞
次に、膜除去装置５００において、基板Ｇに洗浄液を供給し、工程Ｓ４で定着していない直線偏光膜Ｐ１を選択的に除去する。

膜除去装置５００では、基板Ｇがスピンチャック５１０に吸着保持される。その後、スピンチャック５１０に保持された基板Ｇを回転させながら、洗浄ノズル５３０から基板Ｇの中心部に洗浄液を供給する。供給された洗浄液は、遠心力によって基板Ｇ上を拡散する。このとき、定着材Ｆが塗布された直線偏光膜Ｐ２は定着しているので、洗浄液によって除去されない。一方、定着材Ｆが塗布されていない直線偏光膜Ｐ１は定着していないので、洗浄液によって除去される。こうして、図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように直線偏光膜Ｐ１のみが選択的に除去され、基板Ｇ上には画素エリアに直線偏光膜Ｐ２のみが形成される。

＜工程Ｓ６＞
以上のように基板Ｇに直線偏光膜Ｐ２が形成された後に、基板Ｇ上にλ／４波長膜をさらに形成する。前述したように塗布処理装置１０にて、直線偏光膜Ｐ２が形成された基板Ｇの上面に塗布液を塗布する。この場合の塗布液は、λ／４波長膜を形成するための波長膜用塗布液である。

＜工程Ｓ７＞
次に、減圧乾燥装置１００において、基板Ｇのλ／４波長膜Ｑ１を減圧乾燥させる。具体的な減圧乾燥処理は、工程Ｓ２と同様であるので、説明を省略する。そして、λ／４波長膜Ｑ１の溶媒が除去され、膜中の分子の配向状態が適切に維持される。

＜工程Ｓ８＞
次に、加熱処理装置３００において、基板Ｇのλ／４波長膜Ｑ１を加熱し乾燥する。具体的な加熱処理は、工程Ｓ３と同様であるので、説明を省略する。そして、λ／４波長膜Ｑ１の溶媒が完全に除去される。なお、工程Ｓ７において膜中の溶媒を完全に除去できる場合には、工程Ｓ８は省略してもよい。

＜工程Ｓ９＞
次に、膜定着装置４００において、図１７Ａおよび図１７Ｂに示すように、基板Ｇの画素エリアに形成されたλ／４波長膜Ｑ１に、塗布ノズル４２０から定着材Ｆを選択的に塗布する。具体的な定着材Ｆの選択的塗布処理は、工程Ｓ４と同様であるので、説明を省略する。

定着材Ｆはλ／４波長膜Ｑ１を不活性化（不溶化）し、不活性化されたλ／４波長膜Ｑ１は基板Ｇに定着する。以下、定着材Ｆが塗布されて定着したλ／４波長膜をＱ２として説明する。すなわち、基板Ｇの画素エリアを除く領域において、λ／４波長膜Ｑ１は不活性化されておらず定着していない。一方、画素エリア（直線偏光膜Ｐ２）において、λ／４波長膜Ｑ２は不活性化されて定着している。

＜工程Ｓ１０＞
次に、膜除去装置５００において、基板Ｇに洗浄液を供給し、工程Ｓ９で定着していないλ／４波長膜Ｑ１を選択的に除去する。具体的なλ／４波長膜Ｑ１の選択的除去処理は、工程Ｓ５と同様であるので、説明を省略する。そして、図１８Ａ及び図１８Ｂに示すように基板Ｇ上の画素エリアにλ／４波長膜Ｑ２が形成される。このようにして、基板Ｇ上の画素エリアに、直線偏光膜Ｐ２とλ／４波長膜Ｑ２とが積層して形成される。

以上の実施の形態によれば、塗布処理装置１０において、工程Ｓ１における塗布液Ｐ１の塗布方向と工程Ｓ６における塗布液Ｑ１の塗布方向を４５度で交差させ、直線偏光膜Ｐ１とλ／４波長膜Ｑ１を、その偏光軸が４５度で交差するように形成することができる。

また、工程Ｓ２において直線偏光膜Ｐ１を減圧乾燥しているので、直線偏光膜Ｐ１における分子の配向状態を適切に維持することができる。同様に、工程Ｓ７においてλ／４波長膜Ｑ１を減圧乾燥しているので、λ／４波長膜Ｑ１における分子の配向状態を適切に維持することができる。

なお、工程Ｓ２と工程Ｓ７は、直線偏光膜Ｐ１とλ／４波長膜Ｑ１を乾燥させるものであれば、減圧乾燥に限定されない。例えば直線偏光膜Ｐ１とλ／４波長膜Ｑ１をそれぞれ、自然乾燥させてもよいし、加熱処理を行って乾燥させてもよいし、或いは気体を吹き付けることで乾燥させてもよい。

但し、減圧乾燥は、自然乾燥よりも短時間で行うことができ、より好ましい。また、例えば加熱処理や気体の吹き付けを行う場合、膜中の溶媒が対流して、膜中の分子の配向状態が乱れるおそれがある。しかし、減圧乾燥は、膜中の溶媒の対流を抑制することができるため、より好ましい。

また、工程Ｓ４において画素エリアの直線偏光膜Ｐ１に定着材Ｆを選択的に塗布し、工程Ｓ５において定着材Ｆが塗布されず定着していない直線偏光膜Ｐ１を選択的に除去しているので、画素エリアのみに直線偏光膜Ｐ２が形成される。同様に、工程Ｓ９と工程Ｓ１０を行うことで、画素エリアのみにλ／４波長膜Ｑ２が形成される。

ここで、例えば円偏光板を作製する場合、直線偏光膜とλ／４波長膜は、画素エリアだけに形成されていればよい。画素エリアを除いた領域に膜が形成されると、画素エリアの周囲に設けられた端子等が適切に機能しないおそれがある。本実施の形態では、画素エリアのみに膜が形成されるので、画素エリアの直線偏光膜Ｐ２とλ／４波長膜Ｑ２の機能を発揮させつつ、画素エリアの周囲にある部品の機能も発揮させることができる。

また、工程Ｓ１及びＳ６では、それぞれせん断応力を加えながら塗布液Ｐ１、Ｑ１を塗布するが、この際、画素エリアのみに塗布液Ｐ１、Ｑ１を塗布するのは困難である。したがって、工程Ｓ４、Ｓ５、Ｓ９、Ｓ１０を行い、画素エリアに選択的に直線偏光膜Ｐ２とλ／４波長膜Ｑ２を形成することは有用である。

さらに、仮に工程Ｓ１において基板Ｇに塗布液Ｐ１を塗布して直線偏光膜Ｐ１を形成した後、工程Ｓ４における定着材Ｆの選択的塗布を省略した場合、その後の工程Ｓ６において基板Ｇに塗布液Ｑ１を塗布したときに、直線偏光膜Ｐ１が塗布液Ｑ１に溶けて、溶けた直線偏光膜Ｐ１が塗布液Ｑ１と混ざるおそれがある。この点、本実施の形態のように工程Ｓ４を行って不溶化した直線偏光膜Ｐ２を形成することで、直線偏光膜Ｐ２と塗布液Ｑ１が混ざるのを抑制することができる。その結果、直線偏光膜Ｐ２とλ／４波長膜Ｑ２とを適切に形成することができる。

なお、これら工程Ｓ４、Ｓ５、Ｓ９、Ｓ１０を行うことは必ずしも必須ではない。本実施の形態のように基板Ｇに複数の画素エリアがある場合、工程Ｓ４、Ｓ５、Ｓ９、Ｓ１０を行うことは有用であるが、例えば基板Ｇの全面に直線偏光膜とλ／４波長膜を形成する場合は、工程Ｓ４、Ｓ５、Ｓ９、Ｓ１０は省略してもよい。

また、工程Ｓ４と工程Ｓ９において、膜定着装置４００では、定着材を塗布することで直線偏光膜とλ／４波長膜を定着させていたが、他の方法を用いることもできる。他の方法として、例えば予め、直線偏光膜とλ／４波長膜に光と反応する材料を添加しておけば、光照射によって、直線偏光膜とλ／４波長膜の結晶を重合させ、直線偏光膜とλ／４波長膜を不溶化させて定着させることができる。

以上の実施の形態では、ＯＬＥＤに用いられる円偏光板を作製する場合において、ガラス基板に光学膜として、直線偏光膜（直線偏光板）とλ／４波長膜（λ／４波長板）を形成する場合を例にとって説明したが、本発明は他にも適用できる。例えばＬＣＤに用いられる偏光板や波長板にも、本発明を適用することができる。また、波長板もλ／４波長膜に限定されず、例えばλ／２波長膜などの他の波長板にも、本発明を適用することができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されず、各種の変更例についても本発明の技術的範囲に属する。

１ 光学膜形成装置
１０ 塗布処理装置
１２ ステージ（基板移動部）
１３ ステージ駆動部（基板移動部）
１４ 塗布ノズル
１５ 吐出口
１６ ノズル駆動部（塗布ノズル移動部）
１７ 回収部
１８ 制御部
２０ 第２の回収部（回収部）
２１ 洗浄処理部（基板周縁処理部）
１００ 減圧乾燥装置（第１の乾燥装置）
３００ 加熱処理装置（第２の乾燥装置）
４００ 膜定着装置
５００ 膜除去装置
Ｇ ガラス基板
Ｐ１ 直線偏光膜（塗布液）
Ｐ２ 直線偏光膜
Ｑ１ λ／４波長膜（塗布液）
Ｑ２ λ／４波長膜

Claims (10)

1. 基板に光学材料を含む塗布液を塗布する塗布処理装置であって、
   前記基板を保持して水平な一方向に移動させる基板移動部と、
   前記基板移動部の移動方向と直交する方向に延伸し、前記基板移動部に保持された前記基板に対して前記塗布液を吐出する長尺状の塗布ノズルと、
   前記塗布ノズルの延伸方向に前記塗布ノズルを移動させる塗布ノズル移動部と、
   前記基板移動部および前記塗布ノズル移動部の移動速度を制御することで、前記基板移動部に保持された前記基板に対する塗布方向を制御する制御部と、
   塗布処理中の前記基板の周縁に所定の処理を行う、基板周縁処理部と
   を有する、塗布処理装置。
2. 前記基板周縁処理部は、
   塗布処理中の前記基板における周縁を洗浄する洗浄処理部である、請求項１に記載の塗布処理装置。
3. 前記基板周縁処理部は、
   塗布処理中の前記基板における周縁の塗布膜の膜厚を調整する周縁膜厚調整部である、請求項１または２に記載の塗布処理装置。
4. 基板に光学材料を含む塗布液を塗布する塗布処理装置であって、
   前記基板を保持して水平な一方向に移動させる基板移動部と、
   前記基板移動部の移動方向と直交する方向に延伸し、前記基板移動部に保持された前記基板に対して前記塗布液を吐出する長尺状の塗布ノズルと、
   前記塗布ノズルの延伸方向に前記塗布ノズルを移動させる塗布ノズル移動部と、
   前記基板移動部および前記塗布ノズル移動部の移動速度を制御することで、前記基板移動部に保持された前記基板に対する塗布方向を制御する制御部と、
   を有し、
   前記塗布ノズルの前記直交する方向における長さは、前記基板の前記直交する方向における幅よりも長い、塗布処理装置。
5. 前記制御部は、
   前記基板移動部を用いて前記基板を前記移動方向に移動させるとともに、前記塗布ノズルを前記直交する方向に移動させながら前記基板に対して前記塗布液を吐出させる、請求項４に記載の塗布処理装置。
6. 前記塗布ノズルの下方に配置され、前記塗布ノズルから前記基板移動部に保持された前記基板の外側に吐出された塗布液を回収する回収部
   をさらに有する、請求項１〜５のいずれか一つに記載の塗布処理装置。
7. 前記回収部は、
   長尺状の前記塗布ノズルの一端および他端の下方に、それぞれ分割して配置される、請求項６に記載の塗布処理装置。
8. 基板に光学材料を含む塗布液を塗布する塗布処理方法であって、
   長尺状に延伸する塗布ノズルを、前記基板の一端に配置する第１の工程と、
   前記塗布ノズルから、前記塗布液を吐出させる第２の工程と、
   前記塗布液を吐出している前記塗布ノズルを前記塗布ノズルの延伸方向に移動させながら、前記延伸方向と直交する方向に前記基板を移動させて該基板に塗布処理を行う第３の工程と、
   前記基板の周縁に所定の処理を行う基板周縁処理部を用いて、塗布処理中の前記基板の周縁に所定の処理を行う第４の工程と
   を含む、塗布処理方法。
9. 基板に光学材料を含む塗布液を塗布する塗布処理方法であって、
   前記基板の幅よりも長く延伸する長尺状の塗布ノズルを、前記基板の一端に配置する第１の工程と、
   前記塗布ノズルから、前記塗布液を吐出させる第２の工程と、
   前記塗布液を吐出している前記塗布ノズルを前記塗布ノズルの延伸方向に移動させながら、前記延伸方向と直交する方向に前記基板を移動させて該基板に塗布処理を行う第３の工程と、
   を含む、塗布処理方法。
10. 基板に光学膜を形成する光学膜形成装置であって、
    前記基板に光学材料を含む塗布液を塗布する塗布処理装置と、
    前記塗布処理装置で塗布された前記塗布液からなる光学膜を乾燥させる乾燥処理装置と、
    前記光学膜の所定領域に、前記光学膜の定着材を塗布する膜定着装置と、
    前記定着材を塗布していない領域の前記光学膜を除去する膜除去装置と、
    を有し、
    前記塗布処理装置は、
    前記基板を保持して水平な一方向に移動させる基板移動部と、
    前記基板移動部の移動方向と直交する方向に延伸し、前記基板移動部に保持された前記基板に対して前記塗布液を吐出する長尺状の塗布ノズルと、
    前記塗布ノズルの延伸方向に前記塗布ノズルを移動させる塗布ノズル移動部と、
    前記基板移動部および前記塗布ノズル移動部の移動速度を制御することで、前記基板移動部に保持された前記基板に対する塗布方向を制御する制御部と、
    を有する、光学膜形成装置。

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