CN110573264A - 涂敷处理装置、涂敷处理方法和光学膜形成装置 - Google Patents

Abstract

涂敷处理装置(10)包括：保持基片并使其在水平的一个方向移动的基片移动部(12、13)；长条状的涂敷喷嘴(14)，其在与基片移动部的移动方向正交的方向延伸，对基片移动部所保持的基片排出涂敷液；使涂敷喷嘴在涂敷喷嘴的延伸方向移动的涂敷喷嘴移动部(16)；和控制部(18)，其通过控制基片移动部和涂敷喷嘴移动部的移动速度，来控制相对于基片移动部所保持的基片的涂敷方向。

Description

涂敷处理装置、涂敷处理方法和光学膜形成装置

技术领域

本发明涉及在基片上涂敷含有光学材料的涂敷液的涂敷处理装置、使用该涂敷处理装置的涂敷处理方法和使用该涂敷处理装置的光学膜形成装置。

背景技术

例如，在有机发光二极管(OLED：Organic Light Emitting Diode)中，为了防止外光的反射而使用了圆偏光片。圆偏光片是将直线偏光片和波长片(相位差片)以它们的偏光轴45度交叉的方式层叠地制作而成。另外，在液晶显示器(LCD：Liquid Crystal Display)中，为了控制显示中的旋光性、双折射性，也使用了上述直线偏光片和波长片。

另外，也存在例如仅将波长片以其偏光轴倾斜15度、75度的方式形成的情况。因此，需要将偏光片、波长片以任意的角度形成。而且，为了使偏光片、波长片的偏光轴以任意的角度交叉，也需要单独地形成上述偏光片、波长片。

一直以来，这样的偏光片、波长片例如使用延伸膜来制作。延伸膜是通过使膜在一个方向延伸并粘贴，来使其材料中的分子在一个方向上取向的膜。

然而，近年来，随着OLED、LCD的薄型化，也追求偏光片、波长片的薄膜化。但是，在制作偏光片、波长片时，在如一直以来那样使用延伸膜的情况下，使延伸膜本身的膜厚减薄的作法存在极限，不能够得到足够薄的膜。

因此，在基片上涂敷具有规定材料的涂敷液，形成所需的膜厚的偏光片、波长片，来实现薄膜化。具体而言，例如将作为规定材料的具有液晶性的涂敷液涂敷到基片，使其流延、取向。液晶化合物在涂敷液中形成了超分子聚合体，当一边施加剪切应力一边使涂敷液流动时，超分子聚合体的长轴方向取向为流动方向。

这样一来，使得能够在基片上涂敷涂敷液，因此现有技术中提出了多种装置。

例如，专利文献1所记载的偏光膜印刷装置具有用于保持基片的保持台和对基片排出墨液的涂敷模头(slot die)。保持台为在挖出了台面的部分的框板中嵌入台面的结构，由此使台面周边部的高度与固定于台面的基片的表面为相同的高度。涂敷以至少覆盖台面的方式延伸。而且，以将台面配置于印刷方向的状态下在其上固定基片，然后使该台面旋转，使基片相对于印刷方向倾斜规定的角度后，使涂敷模头在印刷方向移动以在基片上涂敷墨液。

另外，例如，在专利文献2所记载的涂敷装置中，当向上方开口时用具有在水平方向延伸的带状的狭缝的涂敷头供给涂敷液，将该涂敷液从狭缝排出而形成液滴，使平面形状为矩形的被涂敷基片大致沿其一条对角线方向在涂敷头的上方朝向斜上方相对地移动，用形成于涂敷头与被涂敷基片之间的液滴使涂敷液附着到被涂敷基片的涂敷面。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-62502号公报。

专利文献2：日本特开平10-5677号公报。

发明内容

发明要解决的技术问题

然而，在使用专利文献1所记载的偏光膜印刷装置的情况下，由于涂敷模头以至少覆盖台面的方式延伸，因此，在基片上涂敷墨液时，将墨液排出到固定于台面的基片，并且将墨液也排出到台面周围的框板而附着在此处。因此，对每个基片的涂敷处理需要逐片地清洗框板，耗费工夫。

另外，在专利文献1的偏光膜印刷装置中，使固定了基片的台面旋转，不过该台面的旋转是为了在规定的位置(与印刷方向平行的位置)接收基片的动作，不是控制涂敷方向的动作。换言之，在基片上涂敷墨液的涂敷方向被固定了，不能够自由地控制该涂敷方向。

另外，在使用专利文献2所记载的涂敷装置的情况下，利用表面张力在基片上涂敷涂敷液。该情况下，需要根据涂敷液附着于基片的面积，即根据涂敷涂敷液的角度，调节来自涂敷头的涂敷液的排出压力等涂敷条件，该控制变得复杂。

此处，涂敷时的剪切应力(剪切速率)是将涂敷速度除以基片与涂敷头的距离(间隔)而得的。然而，专利文献2的涂敷装置中，由于利用表面张力，因此将去向基片的涂敷液的涂敷速度增大的作法存在极限。因此，存在不能得到足够的剪切应力的可能性。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于将含有光学材料的涂敷液以任意的角度适当地涂敷到基片。

用于解决技术问题的技术手段

为了达成上述目的，本发明为一种能够在基片上涂敷含有光学材料的涂敷液的涂敷处理装置，其包括：基片移动部，其能够保持所述基片并使其在水平的一个方向上移动；长条状的涂敷喷嘴，其在与所述基片移动部的移动方向正交的方向上延伸，对所述基片移动部所保持的所述基片排出所述涂敷液；涂敷喷嘴移动部，其能够使所述涂敷喷嘴在所述涂敷喷嘴的延伸方向上移动；和控制部，其通过控制所述基片移动部和所述涂敷喷嘴移动部的移动速度，来控制对所述基片移动部所保持的所述基片进行涂敷的涂敷方向。

本发明的另一方面为一种在基片上涂敷含有光学材料的涂敷液的涂敷处理方法，其包括：将以长条状延伸的涂敷喷嘴配置在所述基片的一端的第一步骤；使所述涂敷液从所述涂敷喷嘴排出的第二步骤；和一边使排出着所述涂敷液的所述涂敷喷嘴在所述涂敷喷嘴的延伸方向上移动，一边在与所述延伸方向正交的方向上使所述基片移动，以对该基片进行涂敷处理的第三步骤。

另外，本发明的又一方面为一种在基片上形成光学膜的光学膜形成装置，其包括：上述的涂敷处理装置；干燥处理装置，其使光学膜干燥，该光学膜由所述涂敷处理装置所涂敷的所述涂敷液形成；膜固定装置，其在所述光学膜的规定区域涂敷所述光学膜的固定材料；和膜除去装置，其将没有涂敷所述固定材料的区域的所述光学膜除去。

发明效果

依照本发明，能够将含有光学材料的涂敷液以任意的角度适当且高效地涂敷到基片。此外，依照本发明，能够适当地在基片上形成光学膜。

附图说明

图1是表示本实施方式的光学膜形成装置的结构的概略的俯视图。

图2是表示本实施方式的涂敷处理装置的结构的概略的横截面图。

图3是表示本实施方式的涂敷处理装置的结构的概略的纵截面图。

图4A是表示步骤S1中的玻璃基片和涂敷喷嘴的动作的说明图。

图4B是表示步骤S1中的玻璃基片和涂敷喷嘴的动作的说明图。

图4C是表示步骤S1中的玻璃基片和涂敷喷嘴的动作的说明图。

图5A是表示步骤S1中的玻璃基片和涂敷喷嘴的动作的说明图。

图5B是表示步骤S1中的玻璃基片和涂敷喷嘴的动作的说明图。

图6A是表示步骤S6中的玻璃基片和涂敷喷嘴的动作的说明图。

图6B是表示步骤S6中的玻璃基片和涂敷喷嘴的动作的说明图。

图6C是表示步骤S6中的玻璃基片和涂敷喷嘴的动作的说明图。

图7是表示另一实施方式的涂敷处理装置的结构的概略的横截面图。

图8是表示另一实施方式的涂敷处理装置的结构的概略的纵截面图。

图9是表示另一实施方式的涂敷处理装置中的清洗处理部的概略的纵截面图。

图10是表示本实施方式的减压干燥装置的结构的概略的纵截面图。

图11是表示本实施方式的加热处理装置的结构的概略的纵截面图。

图12是表示本实施方式的膜固定装置的结构的概略的纵截面图。

图13是表示本实施方式的膜除去装置的结构的概略的纵截面图。

图14是表示本实施方式的光学膜形成处理的主要步骤的例的流程图。

图15A是表示在步骤S4中涂敷固定材料而固定了直线偏光膜的样子的说明图。

图15B是表示在步骤S4中涂敷固定材料而固定了直线偏光膜的样子的说明图。

图16A是表示在步骤S5中除去了没有固定的直线偏光膜的样子的说明图。

图16B是表示在步骤S5中除去了没有固定的直线偏光膜的样子的说明图。

图17A是表示在步骤S9中涂敷固定材料而使λ/4波长膜固定的样子的说明图。

图17B是表示在步骤S9中涂敷固定材料而使λ/4波长膜固定的样子的说明图。

图18A是表示在步骤S10中除去了没有固定的λ/4波长膜的样子的说明图。

图18B是表示在步骤S10中除去了没有固定的λ/4波长膜的样子的说明图。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行说明。

首先，对本实施方式中的光学膜形成装置的结构进行说明。在本实施方式中，在制作OLED所使用的圆偏光片的情况下，以将作为光学膜的直线偏光膜(直线偏光片)和λ/4波长膜(λ/4波长片)形成在矩形的玻璃基片(下面，记为基片G)上的情况为例进行说明。此外，在直线偏光膜和λ/4波长膜形成之前的基片上，层叠地形成有例如多层有机膜(未图示)等。

如图1所示，光学膜形成装置1包括涂敷处理装置10、减压干燥装置100，加热处理装置300、膜固定装置400和膜除去装置500。此外，光学膜形成装置1具有用于输送基片的未图示的基片输送部，能够按照涂敷处理装置10、减压干燥装置100、加热处理装置300、膜固定装置400和膜除去装置500的顺序输送基片。

另外，光学膜形成装置1具有控制部18，用控制部18进行光学膜形成装置1的动作的控制。控制部18例如控制涂敷处理装置10、减压干燥装置100、加热处理装置300、膜固定装置400、膜除去装置500和未图示的基片输送部等的动作。

＜涂敷处理装置＞

下面，对涂敷处理装置10的结构进行说明。在涂敷处理装置10中，在基片G的上表面进行涂敷液的涂敷处理。图2是表示涂敷处理装置10的结构的概略的横截面图。图3是表示涂敷处理装置10的结构的概略的纵截面图。

涂敷处理装置10具有处理容器11。在处理容器11的侧面形成有未图示的基片G的送入送出口。

在处理容器11的内部，设置有作为保持基片G的保持部的工作台12。工作台12将用于涂敷涂敷液的基片G的表面保持为朝向上方。此外，工作台12在俯视时(XY平面)具有比基片G小的形状。

涂敷处理装置10具有用于使工作台12在X轴方向移动的工作台驱动部13，工作台12通过工作台驱动部13而构成为能够在X轴方向往返移动。工作台12在X轴负方向侧的端部(一端，基片位置A1)与X轴正方向侧的端部(另一端，基片位置A2)之间移动。此外，工作台12构成为能够在比2个基片G的长度长的距离上移动，基片位置A1的基片G与基片位置A2的基片G在俯视时没有重叠的部分。此外，工作台12和工作台驱动部13相当于保持基片G并使之水平且直线地移动的基片移动部。

在工作台12的上方设置有在工作台12所保持的基片G上涂敷涂敷液的涂敷喷嘴14。涂敷喷嘴14是在与工作台12所保持的基片G的移动方向(X轴方向)正交的方向即Y轴方向延伸的长条状的狭缝喷嘴。在涂敷喷嘴14的下端面形成有对基片G排出涂敷液的排出口15。如图2所示，排出口15是在涂敷喷嘴14的长边方向(Y轴方向)以比基片G的Y轴方向的尺寸长的方式延伸的狭缝状的排出口。

涂敷处理装置10具有用于使涂敷喷嘴14在涂敷喷嘴14的延伸方向(Y轴方向)移动的喷嘴驱动部16(相当于涂敷喷嘴移动部)。涂敷喷嘴14通过喷嘴驱动部16而构成为能够在涂敷喷嘴14的延伸方向(Y轴方向)往返移动。涂敷喷嘴14在Y轴负方向侧的端部(一端，喷嘴位置B1)与Y轴正方向侧的端部(另一端，喷嘴位置B2)之间移动。

如上所述，工作台12能够在X轴方向移动，涂敷喷嘴14能够在Y轴方向移动，工作台12和涂敷喷嘴14的移动方向正交。而且，通过一边从涂敷喷嘴14排出涂敷液一边使涂敷喷嘴14与工作台12相对移动，能够在工作台12所保持的基片G上涂敷涂敷液。此外，通过控制工作台12的移动速度和涂敷喷嘴14的移动速度，能够任意地控制在基片G上涂敷的涂敷液的涂敷方向(工作台12与涂敷喷嘴14的相对移动方向)。

此外，从排出口15排出的涂敷液是含有光学材料的涂敷液。具体而言，用于形成直线偏光膜的偏光膜用涂敷液和用于形成λ/4波长膜的波长膜用涂敷液分别含有例如作为光学材料的溶致液晶化合物或热致液晶化合物等任意的液晶化合物。

在工作台12和涂敷喷嘴14的下方，设置回收涂敷液的回收部17。从涂敷喷嘴14排出而没有涂敷到基片G的涂敷液被回收部17回收，再次用于下次及以后要处理的基片G。

涂敷处理装置10的动作由上述的控制部18控制。控制部18例如是具有CPU(Central Processing Unit：中央处理器)、ROM(Read OnlyMemory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、输入输出端口的计算机，通过读取并执行存储于ROM(程序存储部)的程序，来控制涂敷处理装置10中的涂敷处理。该程序例如也可以记录于计算机可读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等能够由计算机读取的存储介质中，从该存储介质安装到控制部18。

接着，说明对使用涂敷处理装置10进行的光学膜的涂敷方法。

＜涂敷步骤(步骤S1)＞

首先，对直线偏光膜的涂敷进行说明。图4A～图5B是表示直线偏光膜的涂敷步骤即步骤S1中的基片G和涂敷喷嘴14的动作的说明图。

如图4A所示，使工作台12位于基片位置A1，将基片G交接到工作台12。接着，使涂敷喷嘴14位于喷嘴位置B1。此时，涂敷喷嘴14位于基片G的一端。在将涂敷喷嘴14配置在喷嘴位置B1时，涂敷喷嘴14被配置在与后述的涂敷液P1的目标膜厚相对应的高度。

接着，如图4B和图5A所示，从排出口15排出涂敷液P1，使基片G向X轴正方向移动。基片G从基片位置A1向基片位置A2移动。此时，涂敷喷嘴14的位置仍然在喷嘴位置B1。然后，在基片G的上表面涂敷涂敷液P1。该情况的涂敷液P1是用于形成直线偏光膜的偏光膜用涂敷液。

接着，如图4C和图5B所示，当基片G移动至基片位置A2时，在基片G的上表面全部涂敷涂敷液P1。

此时，涂敷液P1一边被施加剪切应力(图4B和图4C的白底箭头)一边被涂敷。涂敷喷嘴14不移动，而基片G向X轴正方向移动，因此剪切应力被施加在X轴负方向。

如上所述，剪切应力(剪切速率)是将涂敷速度除以基片G与涂敷喷嘴14的排出口15的距离(间隔)而得的值。关于间隔，通过使用狭缝喷嘴作为涂敷喷嘴14，能够不损伤基片G地使涂敷喷嘴14充分接近基片G，能够减小间隔。而且，通过控制基片G的移动速度(＝涂敷速度)，能够对涂敷液P1施加充分的剪切应力。于是，其结果，能够使涂敷液P1中的分子在一个方向(X轴方向)取向。

此外，关于涂敷喷嘴14，也能够使用狭缝喷嘴以外的其他喷嘴，不过从如上述那样尽可能减小间隔的观点出发，优选狭缝喷嘴。此外，由于在基片G上涂敷的涂敷液P1的膜厚较薄(例如膜厚1～5μm等)，从上述观点出发也优选狭缝喷嘴。

此外，从涂敷喷嘴14排出的涂敷液P1中的没有被涂敷到基片G的涂敷液P1被回收部17回收。所回收的涂敷液P1再次用于下次及以后要处理的基片G。此外，工作台12小于基片G，因此涂敷液P1也不会附着在工作台12。因此，能够抑制对每个基片G逐片地清洗工作台12的动作。

＜涂敷步骤(步骤S6)＞

接着，对λ/4波长膜的涂敷进行说明。图6A～图6C是表示λ/4波长膜的涂敷步骤即步骤S6中的基片G和涂敷喷嘴14的动作的说明图。

在步骤S6中，在利用步骤S1而形成了直线偏光膜的基片G的上表面，进行涂敷液的涂敷。此时的涂敷液是用于形成λ/4波长膜的波长膜用涂敷液。

如图6A所示，在基片位置A1，将已经形成了直线偏光膜的基片G交接到工作台12。接着，使涂敷喷嘴14位于喷嘴位置B1。此时，涂敷喷嘴14位于基片G的一端。在将涂敷喷嘴14配置在喷嘴位置B1时，涂敷喷嘴14被配置在与后述的涂敷液Q1的目标膜厚相对应的高度。

接着，如图6B所示，使涂敷喷嘴14排出涂敷液Q1，并使基片G从基片位置A1朝向基片位置A2向X轴正方向移动。并且，使涂敷喷嘴14从喷嘴位置B1朝向喷嘴位置B2向Y轴正方向移动。

接着，如图6C所示，一边从涂敷喷嘴14排出涂敷液Q1，一边使基片G移动到基片位置A2。并且，使涂敷喷嘴14移动到喷嘴位置B2。于是，在基片G的上表面全部涂敷涂敷液Q1。

这样一来，使基片G从基片位置A1移动到基片位置A2，并且使涂敷喷嘴14从喷嘴位置B1移动到喷嘴位置B2。而且，将基片G的移动速度和涂敷喷嘴14的移动速度分别控制为规定的速度。

并且，对涂敷液Q1一边施加剪切应力(图6B和图6C中的白底箭头)一边涂敷。通过将基片G的移动速度和涂敷喷嘴14的移动速度分别控制为规定的速度，剪切应力从Y轴正方向和X轴正方向在例如倾斜45度的方向被施加。

另外，通过控制基片G的移动速度和涂敷喷嘴14的移动速度，能够对涂敷液Q1施加充分的剪切应力。其结果，能够使涂敷液Q1中的分子在一个方向(上述的倾斜45度方向)取向。

这样一来，在涂敷处理装置10中，在基片G上涂敷涂敷液Q1，涂敷λ/4波长膜。

通过上述的涂敷方法，相对于直线偏光膜的分子的方向(排列方向)，将λ/4波长膜的分子的方向在XY平面上配置为倾斜方向。于是，使涂敷液P1的涂敷方向与涂敷液Q1的涂敷方向在倾斜方向，例如以45度交叉，能够使直线偏光膜P1与λ/4波长膜Q1以其偏光轴以45度交叉的方式形成。

此外，直线偏光膜P1与λ/4波长膜Q1的偏光轴的交叉角度不限于45度，也可以为以其他角度交叉的方式涂敷直线偏光膜和λ/4波长膜。

＜涂敷处理装置的另一实施方式＞

接着，对涂敷处理装置10的另一实施方式进行说明。图7是表示涂敷处理装置10的另一实施方式的结构的概略的横截面图。图8是表示涂敷处理装置10的另一实施方式的结构的概略的纵截面图。

涂敷处理装置10如图7和图8所示还具有回收涂敷液的第二回收部20。

第二回收部20回收从涂敷喷嘴14被排出到基片G的外侧，没有涂敷到基片G上的涂敷液。如图7所示，各第二回收部20配置在俯视时供基片G通过的区域以外的区域，具体而言，分别配置在长条状的涂敷喷嘴14的一端侧例如喷嘴位置B1附近，和涂敷喷嘴14的另一端侧例如喷嘴位置B2附近。第二回收部20与涂敷喷嘴14同样，是在Y轴方向延伸的形状。而且，第二回收部20配置在能够在喷嘴位置B1和喷嘴位置B2回收从涂敷喷嘴14排出到基片G的外侧的涂敷液的位置。此外，如图8所示，第二回收部20位于涂敷喷嘴14的下方。

于是，第二回收部20回收从涂敷喷嘴14排出到基片G的外侧的涂敷液，由第二回收部20回收的涂敷液再次用于下次及以后要处理的基片G。

另外，涂敷处理装置10还具有对基片G的周缘部进行规定的处理的基片周缘处理部。此处，作为基片周缘处理部的例子，使用清洗基片G的周缘部的清洗处理部21进行说明。

例如，考虑从涂敷喷嘴14排出的涂敷液绕至基片G的背面的周缘而附着于此处的可能性。因此，如图7和图8所示，设置清洗处理部21，来除去附着于基片G的背面的周缘的涂敷液。

清洗处理部21分别配置在能够清洗与矩形的基片G的行进方向(X轴方向)平行的2边的周缘部以及附近的位置。

在本实施方式中，在比涂敷喷嘴14靠基片G的行进方向下流侧(X轴正方向侧)且供与X轴平行的2边通过的位置的周边，配置了清洗处理部21。

图9是表示清洗处理部21的概略的纵截面图。清洗处理部21包括：对基片G的正背面的周缘排出清洗液的清洗液排出部22；和吸引并回收清洗后的清洗液的清洗液回收部23。

清洗液排出部22能够对基片G的正背面周缘从基片G的上下在基片G的正背面的正交方向或者朝向基片G的外侧的倾斜方向排出清洗液。此外，清洗液回收部23位于基片G的侧方，能够用负压吸引、回收已使用的清洗液。

接着，对使用清洗处理部21的基片G周缘的清洗步骤进行说明。一边使基片G从基片位置A1向基片位置A2移动，一边在基片G的上表面涂敷涂敷液。此时，也考虑从涂敷喷嘴14排出的涂敷液绕至基片G的周缘的背面的可能性。因此，在涂敷处理中的基片G的2边通过清洗处理部21时，从清洗液排出部22排出清洗液，清洗基片G的周缘，由清洗液回收部23吸引、回收已使用的清洗液。

这样一来，通过配置清洗处理部21，能够在对基片G进行涂敷处理时，也同时进行基片G的周缘的清洗处理，能够除去附着于基片G的周缘的剩余的涂敷液。

另外，清洗处理部21的结构不限于上述的实施方式，也可以为各种变形。清洗处理部21的位置是一例，也可以配置在其他位置。此外，给出了对基片G的正背面的周缘排出清洗液进行清洗的例子，不过也可以仅使用基片G的下侧的清洗液排出部22，仅对基片G的背面的周缘排出清洗液来清洗基片G的周缘的背面。

另外，为了使附着于基片G的剩余的清洗液干燥，还可以在例如清洗处理部21追加对基片G的周缘喷射气体的未图示的气体喷射喷嘴。

作为基片周缘处理部的一例，使用清洗处理部21对基片G的周缘的清洗处理进行了说明。然而，基片周缘处理部中的处理不限于清洗处理，例如也可以为调节基片G的周缘的涂敷膜的膜厚的周缘膜厚调节处理。

作为进行周缘膜厚调节处理的周缘膜厚调节部(未图示)，考虑例如仅对基片G的周缘排出涂敷液、或涂敷液的溶剂、或涂敷液的溶剂气氛的喷嘴等。此外，作为周缘膜厚调节部的另一例，只要是能够仅加热基片的周缘的加热部或者能够仅冷却基片的周缘的冷却部等能够调节涂敷膜厚的结构即可，可以转用。

基片G的周缘与基片G的其他区域相比，存在涂敷膜的膜厚度厚或薄等膜厚的差异点的可能性。因此，也使用上述的周缘膜厚调节部，在涂敷处理中进行基片G的周缘的膜厚的调节，以使得基片G的周缘的膜厚与基片G的其他区域相同。

另外，作为基片周缘处理部，也可以清洗处理部21和周缘膜厚调节部都配置。此外，基片周缘处理部进行处理不限于清洗处理、膜厚调节处理，也可以为其他处理。也可以将进行其他处理的处理部配置在与清洗处理部21同样的位置，在基片G的周缘进行其他处理。

在本实施方式中，如图7、图8所示，涂敷处理装置10构成为容易配置清洗处理部21(＝基片周缘处理部)。而且，通过设置基片周缘处理部，除了涂敷处理之外，对涂敷处理中的基片G的周缘也能够同时进行基片周缘的处理。

另外，在只要是基片G从基片位置A1移动到基片位置A2的涂敷处理装置而不限于上述的涂敷处理装置10的结构中，能够应用本发明。例如日本特开2006-199483号公报等中记载的一边上浮地输送基片G一边进行涂敷处理的涂敷处理装置中，也能够应用本申请公开的涂敷喷嘴14、第二回收部20、清洗处理部21等。

另外，设置了第一回收部17和第二回收部20，不过也可以省去第一回收部17。

这样一来，能够使用涂敷处理装置10，在基片G上涂敷直线偏光膜和λ/4波长膜。

接着，对光学膜形成装置1中的除涂敷处理装置10之外的装置进行说明。

＜减压干燥装置＞

图10是表示作为第一干燥装置的减压干燥装置的结构的概略的纵截面图。在图10所示的减压干燥装置100中，对涂敷于基片G的光学膜(直线偏光膜和λ/4波长膜)进行减压干燥。

减压干燥装置100具有处理容器101。处理容器101具有盖体102和主体103。盖体102构成为能够通过未图示的升降机构来升降。在对处理容器101送入送出基片G时，盖体102从主体103在上方分离，在处理容器101的内部进行减压干燥处理时，盖体102与主体103成为一体而形成密闭的空间。

在处理容器101的内部设置有载置基片G的载置台110。载置台110以形成有光学膜的表面朝向上方的方式载置基片G。在处理容器101的底部设置有气体供给部120和排气部121。气体供给部120和排气部121以隔着载置台110而相对的方式配置。从气体供给部120供给非活性气体，能够使非活性气体的气流在基片G上方与基片G平行的气流通过方向(X轴方向)通过。此外，通过从排气部121排气，能够使处理容器101的内部成为减压气氛。

此外，减压干燥装置的结构不限于本实施方式的减压干燥装置100的结构，也可以为公知的减压干燥装置的结构。

＜加热处理装置＞

图11是表示作为第二干燥装置的加热处理装置的结构的概略的纵截面图。在加热处理装置300中，对涂敷于基片G的光学膜(直线偏光膜和λ/4波长膜)进行加热、干燥。

加热处理装置300具有处理容器301。处理容器301具有盖体302和主体303。盖体302构成为能够通过未图示的升降机构来升降。在对处理容器301送入送出基片G时，盖体302从主体303在上方分离，在处理容器301的内部进行加热处理时，盖体302和主体303成为一体而形成密闭的空间。在盖体302的上表面中央部设置有排气部304。处理容器301的内部从排气部304被排气。

在处理容器301的内部设置有载置并加热基片G的热板310。热板310以形成有光学膜的表面朝向上方的方式载置基片G。在热板310中内置有通过供电而发热的加热器311。

另外，加热处理装置的结构不限于本实施方式的加热处理装置300的结构，也可以为公知的加热处理装置的结构。

＜膜固定装置＞

图12是表示膜固定装置的结构的概略的纵截面图。在膜固定装置400中，通过喷墨方式将固定材料有选择地涂敷在规定区域，本实施方式中为基片G的像素区域。

膜固定装置400具有处理容器401。在处理容器401的侧面形成有基片G的送入送出口(未图示)，在送入送出口设置有开闭件(未图示)。

在处理容器401的内部设置有保持基片G的工作台410。工作台410以使基片G中涂敷固定材料的表面朝向上方的方式吸附保持其背面。

工作台410设置于工作台410的下表面侧，安装于在X轴方向延伸的一对导轨411、411上。导轨411设置于在X轴方向延伸的台座412上。而且，工作台410构成为能够沿导轨411、411移动。

另外，导轨411夹着后述的涂敷喷嘴420在X轴方向延伸至少2个基片G的长度。由此，工作台410位于X轴的一个方向的端部的情况的基片G(图中的实线，基片位置C1)与工作台410位于X轴正方向的端部的情况的基片G(图中的点线，基片位置C2)在俯视时不重叠。

在工作台410的上方设置有在工作台410所保持的基片G涂敷固定材料的涂敷喷嘴420。涂敷喷嘴420例如是喷墨喷嘴，能够将固定材料有选择地涂敷在基片G的规定区域。此外，涂敷喷嘴420构成为通过未图示的移动机构也能够在铅垂方向移动。

另外，从涂敷喷嘴420排出的固定材料只要是使光学膜固定在基片G的规定区域材料即可，可以使用任意的材料。例如也可以将光学膜的末端的官能基团置换，或者引起收缩反应而高分子化，使光学膜非活性化(不溶化)而固定。或者，使光学膜固化而固定。

另外，膜固定装置的结构不限于本实施方式的膜固定装置400的结构，也可以是公知的喷墨方式的装置的结构。而且，在膜固定装置中有选择地涂敷固定材料的方法不限于喷墨方式，也可以使用其他方法。作为其他方法，例如也可以在规定区域以外的区域设置掩模，从其上排出固定材料，从而仅在规定区域有选择地涂敷固定材料。

＜膜除去装置＞

图13是表示膜除去装置的结构的概略的纵截面图。在膜除去装置500中，对基片G供给清洗液，在膜固定装置400中除去没有被固定的光学膜(本实施方式中，为除了像素区域之外的区域的光学膜)。

膜除去装置500具有处理容器501。在处理容器501的侧面形成基片G的送入送出口(未图示)，在送入送出口设置有开闭件(未图示)。

在处理容器501的内部设置有保持基片G并使其旋转的旋转吸盘510。旋转吸盘510以使基片G中被供给清洗液的表面朝向上方的方式吸附并保持其背面。此外，旋转吸盘510例如能够通过电机等吸盘驱动部511以规定的速度旋转。

在旋转吸盘510的周围，设置有承接从基片G飞散或落下的清洗液并将其回收的杯体520。在杯体520的下表面，连接有排出所回收的固定材料的排出管521和对杯体520的内部进行排气的排气管522。

在旋转吸盘510的上方，设置有对旋转吸盘510所保持的基片G供给清洗液的清洗喷嘴530。清洗喷嘴530构成为通过移动机构531能够在水平方向和铅垂方向移动。

另外，从清洗喷嘴530供给的清洗液使用与由膜固定装置400涂敷的固定材料的溶剂相应的材料。例如当固定材料的溶剂为水时，清洗液使用水，当固定材料的溶剂为有机溶剂，清洗液使用有机溶剂。

另外，膜除去装置的结构不限于本实施方式的膜除去装置500的结构，也可以为公知的旋涂方式的装置的结构。而且，在膜除去装置中有选择地除去光学膜的方法不限于旋涂方式，也可以为其他方法。作为其他方法，例如可以将基片G浸渍在储存清洗液的清洗槽中，来有选择地除去光学膜。此外，可以进行激光消融来有选择地除去光学膜，或者也可以进行光刻处理和蚀刻处理来有选择地除去光学膜。

接着，说明用如以上构成的光学膜形成装置1进行的光学膜形成方法。图14是表示上述光学膜形成处理的主要步骤的例子的流程图。

在本实施方式中，如上所述将作为光学膜的直线偏光膜和λ/4波长膜以其偏光轴以45度交叉的方式层叠地形成在基片G上。步骤S1～S5是形成直线偏光膜的步骤，步骤S6～S10是形成λ/4波长膜的步骤。

＜步骤S1＞

如上所述，在涂敷处理装置10中，在基片G的正面涂敷用于形成直线偏光膜P1的偏光膜用涂敷液(步骤S1)。

＜步骤S2＞

接着，在减压干燥装置100中，使基片G的直线偏光膜P1减压干燥。具体而言，在载置台110载置基片G，关闭盖体102，在处理容器101的内部形成密闭的空间。然后，从气体供给部120供给非活性气体，并且从排气部121对处理容器101的内部进行排气，使处理容器101的内部成为减压气氛。于是，直线偏光膜P1被干燥。

当直线偏光膜P1被干燥时，膜中的溶剂被除去。在上述的步骤S1中通过施加剪切应力而使分子在一个方向取向，不过当照原样放置时，存在分子的取向回到原本状态而混乱的可能性。因此，通过在步骤S2中除去膜中的溶剂，能够适当地维持分子的取向状态。

另外，从适当地维持分子的取向状态的观点出发，在涂敷处理装置10与减压干燥装置100之间例如在无下降流、无风的状态下输送基片G。也不存在因下降流而直线偏光膜P1的分子的取向状态混乱的可能性，在分子取向于一个方向的状态下，将基片G从涂敷处理装置10输送到减压干燥装置100。

＜步骤S3＞

接着，在加热处理装置300中，对基片G的直线偏光膜P1进行加热并干燥。具体而言，在热板310载置基片G，关闭盖体302，在处理容器301的内部形成密闭的空间。然后，利用热板310的加热器311以规定的温度，例如50℃加热直线偏光膜P1。

例如，有时在步骤S2中对直线偏光膜P1进行减压干燥，也不能在膜中完全除去溶剂。步骤S3中的直线偏光膜P1的加热能够可靠地除去这样残留在膜中的溶剂。此外，在步骤S2中能够完全除去膜中的溶剂的情况下，也可以省略步骤S3。

＜步骤S4＞

接着，在膜固定装置400中，在基片G的规定区域，在本实施方式中为像素区域，涂敷固定材料。

在膜固定装置400中，在基片位置C1将基片G保持在工作台410。然后使，基片G从基片位置C1移动到基片位置C2。

在基片G的移动中，如图15A所示对形成于基片G的像素区域的直线偏光膜P1从涂敷喷嘴420涂敷固定材料F。此时，膜固定装置400采用喷墨方式，因此能够正确地将固定材料F涂敷到像素区域的直线偏光膜P1。

固定材料F使直线偏光膜P1非活性化(不溶化)。具体而言，将直线偏光膜P1中的OH基(羟基)等水溶性的末端置换为其他官能基。然后，将非活性化后的直线偏光膜P1固定在基片G。以下，将涂敷固定材料F而固定了的直线偏光膜作为P2进行说明。即，在基片G的除了像素区域之外的区域中，直线偏光膜P1没有被非活性化而没有固定。另一方面，在像素区域中，直线偏光膜P2被非活性化而固定。

然后，如图15A和图15B所示，能够在基片G的所有的像素区域形成非活性化的直线偏光膜P2。此外，为了方便图示，例示了基片G的像素区域，即直线偏光膜P2为20处的情况，不过像素区域的数量不限于此。实际上，对于1个基片G，像素区域存在于大约100处。

＜步骤S5＞

接着，在膜除去装置500中，对基片G供给清洗液，有选择地除去步骤S4中没有固定的直线偏光膜P1。

在膜除去装置500中，将基片G吸附并保持在旋转吸盘510。然后，一边使旋转吸盘510所保持的基片G旋转，一边从清洗喷嘴530将清洗液供给到基片G的中心部。所供给的清洗液因离心力而在基片G上扩散。此时，涂敷了固定材料F的直线偏光膜P2固定，因此没有被清洗液除去。另一方面，没有涂敷固定材料F的直线偏光膜P1没有固定，因此被清洗液除去。这样一来，如图16A和图16B所示，仅有选择地除去直线偏光膜P1，在基片G上在像素区域仅形成直线偏光膜P2。

＜步骤S6＞

如以上所述，在基片G形成了直线偏光膜P2后，在基片G上还形成λ/4波长膜。如上述那样在涂敷处理装置10中，在形成有直线偏光膜P2的基片G的上表面涂敷涂敷液。该情况的涂敷液是用于形成λ/4波长膜的波长膜用涂敷液。

＜步骤S7＞

接着，在减压干燥装置100中，使基片G的λ/4波长膜Q1减压干燥。具体的减压干燥处理与步骤S2相同，因此省略说明。于是，λ/4波长膜Q1的溶剂被除去，能够适当地维持膜中的分子的取向状态。

＜步骤S8＞

接着，在加热处理装置300中，对基片G的λ/4波长膜Q1进行加热并干燥。具体的加热处理与步骤S3相同，因此省略说明。于是，λ/4波长膜Q1的溶剂被完全除去。此外，在步骤S7中能够完全地除去膜中的溶剂的情况下，也可以省略步骤S8。

＜步骤S9＞

接着，在膜固定装置400中，如图17A和图17B所示，从涂敷喷嘴420将固定材料F有选择地涂敷到形成于基片G的像素区域的λ/4波长膜Q1。具体的固定材料F的选择性的涂敷处理与步骤S4相同，因此省略说明。

固定材料F使λ/4波长膜Q1非活性化(不溶化)，非活性化后的λ/4波长膜Q1固定在基片G。以下，将涂敷固定材料F而固定了的λ/4波长膜作为Q2进行说明。即，在基片G的除去像素区域之外的区域中，λ/4波长膜Q1没有被非活性化而没有固定。另一方面，在像素区域(直线偏光膜P2)中，λ/4波长膜Q2被非活性化而固定。

＜步骤S10＞

接着，在膜除去装置500中，对基片G供给清洗液，有选择地除去步骤S9中没有固定的λ/4波长膜Q1。具体的λ/4波长膜Q1的选择性的除去处理与步骤S5相同，因此省略说明。于是，如图18A和图18B所示在基片G上的像素区域形成λ/4波长膜Q2。这样一来，在基片G上的像素区域层叠地形成直线偏光膜P2和λ/4波长膜Q2。

依照以上的实施方式，在涂敷处理装置10中，使步骤S1中的涂敷液P1的涂敷方向与步骤S6中的涂敷液Q1的涂敷方向以45度交叉，能够使直线偏光膜P1与λ/4波长膜Q1以其偏光轴以45度交叉的方式形成。

另外，在步骤S2中对直线偏光膜P1进行了减压干燥，因此能够适当地维持直线偏光膜P1中的分子的取向状态。同样，在步骤S7中对λ/4波长膜Q1进行了减压干燥，因此能够适当地维持λ/4波长膜Q1中的分子的取向状态。

此外，步骤S2和步骤S7只要能够使直线偏光膜P1和λ/4波长膜Q1干燥即可，不限于减压干燥。例如可以使直线偏光膜P1和λ/4波长膜Q1分别自然干燥，可以进行加热处理来使其干燥，或者也可以通过喷吹气体来使其干燥。

但是，减压干燥能够在比自然干燥更短的时间内进行，而更为优选。此外，例如在进行加热处理、气体的喷吹的情况下，膜中的溶剂对流而存在膜中的分子的取向状态混乱的可能性。然而，减压干燥能够抑制膜中的溶剂的对流，因而更为优选。

另外，在步骤S4中在像素区域的直线偏光膜P1有选择地涂敷固定材料F，在步骤S5中不涂敷固定材料F而有选择地除去没有固定的直线偏光膜P1，因此仅在像素区域形成直线偏光膜P2。同样，通过进行步骤S9和步骤S10，而仅在像素区域形成λ/4波长膜Q2。

此处，例如在制作圆偏光片的情况下，直线偏光膜和λ/4波长膜仅形成在像素区域即可。当在除了像素区域之外的区域形成膜时，存在设置于像素区域的周围的端子等不能适当地发挥作用的可能性。在本实施方式中，仅在像素区域形成膜，因此能够发挥像素区域的直线偏光膜P2和λ/4波长膜Q2的功能，并且也能够发挥位于像素区域的周围的部件的功能。

另外，在步骤S1和S6中，对涂敷液P1、Q1分别一边施加剪切应力一边涂敷，不过此时仅在像素区域涂敷涂敷液P1、Q1是困难的。因此，进行步骤S4、S5、S9、S10，像素区域有选择地形成直线偏光膜P2和λ/4波长膜Q2是有用的。

而且，假设在步骤S1中在基片G涂敷涂敷液P1而形成了直线偏光膜P1后，省略了步骤S4中的固定材料F的选择性的涂敷的情况下，在之后的步骤S6中在基片G涂敷了涂敷液Q1时，存在直线偏光膜P1溶解于涂敷液Q1，所溶解的直线偏光膜P1与涂敷液Q1混杂的可能性。这一点，能够通过如本实施方式那样进行步骤S4而形成没有溶化直线偏光膜P2，来抑制直线偏光膜P2与涂敷液Q1混杂。其结果，能够适当地形成直线偏光膜P2和λ/4波长膜Q2。

此外，不是必须进行上述的步骤S4、S5、S9、S10。如本实施方式所示，在基片G存在多个像素区域的情况下，进行步骤S4、S5、S9、S10是有用的，不过例如在基片G的整面形成直线偏光膜和λ/4波长膜的情况下，也可以省略步骤S4、S5、S9、S10。

另外，在步骤S4和步骤S9中，在膜固定装置400中，通过涂敷固定材料来固定了直线偏光膜和λ/4波长膜，不过也可以使用其他方法。作为其他方法，例如预先在直线偏光膜和λ/4波长膜中添加了与光反应的材料时，通过照射光，使直线偏光膜与λ/4波长膜的结晶重合，能够使直线偏光膜和λ/4波长膜不溶化而固定。

在以上的实施方式中，以在制作OLED中使用的圆偏光片时，在玻璃基片形成作为光学膜的直线偏光膜(直线偏光片)和λ/4波长膜(λ/4波长片)的情况为例进行了说明，不过本发明也能够应用于其他器件中。例如在LCD中使用的偏光片、波长片，也能够应用本发明。另外，波长片也不限于λ/4波长膜，例如在λ/2波长膜等其他波长片，也能够应用本发明。

以上，参照附图，对本发明的优选的实施方式进行了说明，不过本发明不限于此上述例子，各种变形例也属于本发明的技术范围。

附图标记说明

1 光学膜形成装置

10 涂敷处理装置

12 工作台(基片移动部)

13 工作台驱动部(基片移动部)

14 涂敷喷嘴

15 排出口

16 喷嘴驱动部(涂敷喷嘴移动部)

17 回收部

18 控制部

20 第二回收部(回收部)

21 清洗处理部(基片周缘处理部)

100 减压干燥装置(第一干燥装置)

300 加热处理装置(第二干燥装置)

400 膜固定装置

500 膜除去装置

G 玻璃基片

P1 直线偏光膜(涂敷液)

P2 直线偏光膜

Q1 λ/4波长膜(涂敷液)

Q2 λ/4波长膜。

Claims (8)

1.一种在基片上涂敷含有光学材料的涂敷液的涂敷处理装置，其特征在于，包括：

基片移动部，其能够保持所述基片并使其在水平的一个方向上移动；

长条状的涂敷喷嘴，其在与所述基片移动部的移动方向正交的方向上延伸，对所述基片移动部所保持的所述基片排出所述涂敷液；

涂敷喷嘴移动部，其能够使所述涂敷喷嘴在所述涂敷喷嘴的延伸方向上移动；和

控制部，其通过控制所述基片移动部和所述涂敷喷嘴移动部的移动速度，来控制对所述基片移动部所保持的所述基片进行涂敷的涂敷方向。

2.如权利要求1所述的涂敷处理装置，其特征在于：

还包括回收部，其配置在所述涂敷喷嘴的下方，回收从所述涂敷喷嘴排出到所述基片移动部所保持的所述基片的外侧的涂敷液。

3.如权利要求2所述的涂敷处理装置，其特征在于：

所述回收部分体地配置在长条状的所述涂敷喷嘴的一端和另一端的下方。

4.如权利要求1～3中任一项所述的涂敷处理装置，其特征在于：

还包括基片周缘处理部，其对涂敷处理中的所述基片的周缘进行规定的处理。

5.如权利要求4所述的涂敷处理装置，其特征在于：

所述基片周缘处理部是清洗涂敷处理中的所述基片的周缘的清洗处理部。

6.如权利要求4或5所述的涂敷处理装置，其特征在于：

所述基片周缘处理部是调节涂敷处理中的所述基片的周缘的涂敷膜的膜厚的周缘膜厚调节部。

7.一种在基片上涂敷含有光学材料的涂敷液的涂敷处理方法，其特征在于，包括：

将以长条状延伸的涂敷喷嘴配置在所述基片的一端的第一步骤；

使所述涂敷液从所述涂敷喷嘴排出的第二步骤；和

一边使排出着所述涂敷液的所述涂敷喷嘴在所述涂敷喷嘴的延伸方向上移动，一边在与所述延伸方向正交的方向上使所述基片移动，来对该基片进行涂敷处理的第三步骤。

8.一种在基片上形成光学膜的光学膜形成装置，其特征在于，包括：

权利要求1～6中任一项所述的涂敷处理装置；

干燥处理装置，其使光学膜干燥，该光学膜由所述涂敷处理装置所涂敷的所述涂敷液形成；

膜固定装置，其在所述光学膜的规定区域涂敷所述光学膜的固定材料；和

膜除去装置，其将没有涂敷所述固定材料的区域的所述光学膜除去。