TWI758198B - 用於顯示裝置的膜、包括其之顯示裝置以及聚醯亞胺系膜 - Google Patents

用於顯示裝置的膜、包括其之顯示裝置以及聚醯亞胺系膜 Download PDF

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Abstract

揭露一種用於顯示裝置的膜、包括其之顯示裝置以及一 種聚醯亞胺系膜。所述用於顯示裝置的膜包括:基板;以及第一塗層,設置於所述基板上,其中基於藉由量測380奈米至780奈米波長範圍內的反射率而獲得的反射率圖,所述膜具有為1.0或小於1.0的反射率振盪比Or、以及為0.122或小於0.122的反射率圖斜率Gr

Description

用於顯示裝置的膜、包括其之顯示裝置以及聚 醯亞胺系膜
本揭露是有關於用於顯示裝置的膜、包括其之顯示裝置以及聚醯亞胺系膜。
具有優異的不溶性、耐化學性、耐熱性、耐輻射性及低溫特性的聚合物樹脂被用作汽車材料、航空材料、航天器材料、絕緣塗層、絕緣膜、保護膜及類似物。
最近,為減小顯示裝置的厚度及重量並增加可撓性,已考慮使用由聚合物樹脂形成的聚合物膜代替玻璃作為顯示裝置的覆蓋窗。為使聚合物膜用作顯示裝置的覆蓋窗,聚合物膜需要具有優異的物理性質,例如硬度、耐磨性及可撓性。為賦予顯示裝置所需的物理性能,在基板上形成塗層。
然而,由於塗層與基板之間的光學性質的差異,在包括形成在基板上的塗層的膜中會發生光學干涉。因此,在膜的表面上會產生像彩虹光般的干涉條紋,且因此存在膜的可見性劣化的 問題。
因此,鑑於上述問題而做出了本揭露,並且本揭露的一個目的是提供一種反射率振盪比(Or)為1.0或小於1.0的膜。
本揭露的另一目的是提供一種具有為0.122或小於0.122的反射率圖斜率(Gr)的膜。
根據本揭露,上述及其他目的可藉由提供包括基板及設置於所述基板上的第一塗層的膜來實現,其中基於藉由量測380奈米至780奈米波長範圍內的反射率而獲得的反射率圖,所述膜具有使用以下等式1計算的為1.0或小於1.0的反射率振盪比Or、以及使用以下等式2計算的為0.122或小於0.122的反射率圖斜率Gr:<等式1>Or=[(Om1*Om2)-(Om1+Om2)]/Min(Om1,Om2)
<等式2>Gr=|(Rm1-Rm2)|/Rm2
其中在等式1中,Om1是在500奈米至550奈米波長範圍內的反射率振盪值的平均值Om,且Om2是在650奈米至780奈米波長範圍內的反射率振盪值的平均值Om,其中反射率振盪值的所述平均值Om1及Om2是使用以下等式 3計算的,並且Min(Om1,Om2)是反射率振盪值的所述平均值Om1及Om2中較小的平均值Om,其中在等式2中,Rm1是在所述反射率圖中在500奈米至780奈米的波長範圍內對應於第一峰值P1的反射率及對應於第一谷值V1的反射率的算術平均值,且Rm2是在所述反射率圖中在500奈米至780奈米的所述波長範圍內對應於最終峰值Pf的反射率值及對應於最終谷值Vf的反射率值的算術平均值,<等式3>Om=(1/n)*Σ(Ok)
其中在等式3中,Ok是對應波長範圍內的振盪值,且n是所述對應波長範圍內的振盪值的數量,並且其中所述振盪值中的每一者是對應於彼此相鄰的一對峰值Pk及谷值Vk的反射率值之差(|對應於Pk的反射率-對應於Vk的反射率|)。
所述基板可為雙折射的。
所述基板可具有為1.57至1.67的X軸方向折射率Nx、為1.57至1.67的Y軸方向折射率Ny及為1.53至1.57的Z軸方向折射率Nz
所述第一塗層可具有滿足以下等式4的折射率N1
Figure 110122706-A0305-02-0005-3
所述膜可更包括設置於所述基板上的第二塗層。
所述第二塗層可設置於所述基板與所述第一塗層之間。
所述第一塗層可設置於所述基板與所述第二塗層之間。
所述第二塗層可具有滿足以下等式5的折射率N2
Figure 110122706-A0305-02-0006-4
所述膜可更包括設置於所述基板上的第三塗層。
所述第三塗層可具有滿足以下等式6的折射率(N3):
Figure 110122706-A0305-02-0006-5
所述第一塗層可包括透光基質及分散在所述透光基質中的顆粒。
所述透光基質可包含矽氧烷系樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂或環氧系樹脂中的至少一者。
所述顆粒可包含氧化鋯(ZrO2)、二氧化矽(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、苯乙烯或丙烯酸中的至少一者。
所述第一塗層可具有0.01至3.4微米的厚度。
所述第二塗層可具有1至14微米的厚度。
所述第三塗層可具有1微米或小於1微米的厚度。
根據本揭露的另一態樣,提供一種聚醯亞胺系膜,所述聚醯亞胺系膜包括:聚醯亞胺系基板;及第一塗層,設置於所述聚醯亞胺系基板上,其中基於藉由量測380奈米至780奈米波長範圍內的反射率而獲得的反射率圖,所述膜具有使用以下等式1 計算的為1.0或小於1.0的反射率振盪比Or、以及使用以下等式2計算的為0.122或小於0.122的反射率圖斜率Gr:<等式1>Or=[(Om1*Om2)-(Om1+Om2)]/Min(Om1,Om2)
<等式2>Gr=|(Rm1-Rm2)|/Rm2
其中在等式1中,Om1是在500奈米至550奈米波長範圍內的反射率振盪值的平均值Om,且Om2是在650奈米至780奈米波長範圍內的反射率振盪值的平均值Om,其中反射率振盪值的所述平均值Om1及Om2是使用以下等式3計算的,並且Min(Om1,Om2)是反射率振盪值的所述平均值Om1及Om2中較小的平均值Om,其中在等式2中,Rm1是在所述反射率圖中在500奈米至780奈米的波長範圍內對應於第一峰值P1的反射率及對應於第一谷值V1的反射率的算術平均值,且Rm2是在所述反射率圖中在500奈米至780奈米的所述波長範圍內對應於最終峰值Pf的反射率值及對應於最終谷值Vf的反射率值的算術平均值,<等式3>Om=(1/n)*Σ(Ok)
其中在等式3中,Ok是對應波長範圍內的振盪值,且n是所述對應波長範圍內的振盪值的數量,並且其中所述振盪值中的每一者是對應於彼此相鄰的一對峰值Pk 及谷值Vk的反射率值之差(|對應於Pk的反射率-對應於Vk的反射率|)。
根據本揭露的另一態樣,提供一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:顯示面板;以及設置於所述顯示面板上的膜。
一般而言,與玻璃不同,聚合物膜包括位於基板上的塗層,以提高例如硬度、耐磨性及可撓性等物理性質,但由於基板與塗層之間光學性質的差異,在包括基板及塗層的膜中可能出現干涉條紋。
根據本揭露的實施例,可藉由將膜的反射率振盪比Or調節至1.0或小於1.0、並將膜的反射率圖斜率Gr調節至0.122或小於0.122來製造防止干涉條紋形成並提高可見性的膜。
此外,根據本揭露實施例的膜具有優異的光學性質及機械性質,且因此當用作顯示裝置的覆蓋窗時,有效地保護顯示裝置的顯示表面。
10:基板
11:殘留基板層
12:溶脹層
20:第一塗層
21:透光基質
22:顆粒
30:第二塗層
40:第三塗層
100、101、102、103:膜
O1、O2、On:振盪值
P1:第一峰值/峰值
P2、Pn:峰值
Pf:最終峰值
Rm1、Rm2:平均值/算術平均值
V1:第一谷值/谷值
V2、Vn:谷值
Vf:最終谷值
W1、W2:波長範圍
Wx:任意波長範圍
藉由結合附圖閱讀以下詳細說明,將更清楚地理解本揭露的上述及其他目的、特徵及其他優點,在附圖中: 圖1是示出根據本揭露實施例的膜100的示意圖。
圖2是藉由使用日立有限公司(Hitachi,Ltd)的UH4150儀器量測膜在380奈米至780奈米波長範圍內的光反射率而獲得的 所述膜的反射率圖。
圖3是膜在任意波長範圍Wx內的放大反射率圖。
圖4示出在膜的反射率圖中在500奈米至780奈米波長範圍內的斜率。
圖5是示出根據本揭露實施例的第一塗層20的放大視圖。
圖6是示出根據本揭露的另一實施例的更包括溶脹層12的膜101的示意圖。
圖7是示出根據本揭露另一實施例的更包括第二塗層30的膜102的示意圖。
圖8是示出根據本揭露另一實施例的更包括第二塗層30的膜102的另一配置的示意圖。
圖9是示出根據本揭露另一實施例的更包括第三塗層40的膜103的示意圖。
在下文中,將參照附圖更詳細地描述本揭露的較佳實施例。提供該些實施例是為進行例示,使得本揭露將為透徹及完整的,並且不應被解釋為限制本揭露的範圍。
在附圖中揭露的用於描述本揭露的實施例的形狀、大小、比率、角度、數量等是示例性的,且因此本揭露不限於在附圖中所示的項目。在對附圖的整個說明中,相同的參考編號指代相同的元件。當對相關眾所習知技術的詳細說明可能不必要地使本揭露的標的模糊清楚時,可省略所述詳細說明。
當使用在本文中提及的用語「包括」、「具有」及「由...組成」等時,可添加另一元件,除非使用表述「僅」。單數形式旨在亦包括複數形式,除非上下文另有明確說明。此外,即使未明確描述,構成元件亦將被解釋為包括誤差範圍。
在位置關係的描述中,舉例而言,當使用「在...上」、「上部」、「下部」及「靠近」來描述兩個元件之間的位置關係時,至少一個其他元件可存在於所述兩個元件之間,除非使用術語「緊接(immediately)」或「直接」。
例如「下方」、「之下」、「下部」、「之上」或「上部」等空間相對用語在本文中可用於描述如圖所示的裝置或元件與另一裝置或另一元件的關係。應理解,除圖中繪示的定向之外,空間相對用語還旨在包括在裝置的使用或操作期間裝置的不同定向。舉例而言,若其中一個圖中的裝置上下顛倒,則被描述為在其他元件「下方」或在其他元件「之下」的元件此時將被定向為在其他元件「之上」。因此,示例性用語「下方」或「之下」可涵蓋下方及上方兩種定向。同樣地,示例性用語「之上」或「上部」可涵蓋上方及下方兩種定向。
在描述時間關係時,舉例而言,當時間順序被描述為「之後」、「隨後」、「接下來」及「之前」時,除非使用「恰好」或「直接」,否則可包括不連續的情況。
應理解,儘管在本文中可能使用用語「第一」、「第二」等來描述各種元件,但該些元件不應受該些用語限制。該些用語 僅用於區分一個元件與另一元件。因此,在本揭露的技術思想內,以下闡述的第一元件可被稱為第二元件。
應理解,用語「至少一者」包括與任一項目相關的所有組合。舉例而言,「第一元件、第二元件及第三元件中的至少一者」可包括自第一元件、第二元件及第三元件中選擇的二或更多個元件、以及第一元件、第二元件及第三元件中的每一元件的所有組合。
如熟習此項技術者將容易理解,本揭露的各種實施例的特徵可部分地或完全地彼此耦合或組合,並且可以不同方式彼此相互操作及在技術上驅動。本揭露的實施例可彼此獨立地實行,或者可以相互關聯的方式一起實行。
圖1是示出根據本揭露實施例的膜100的示意圖。
如圖1所示,根據本揭露實施例的膜100包括基板10及第一塗層20。
在一個態樣中,基於藉由量測380奈米至780奈米波長範圍內的反射率而獲得的反射率圖,所述膜具有使用以下等式1計算的為1.0或小於1.0的反射率振盪比Or、以及使用以下等式2計算的為0.122或小於0.122的反射率圖斜率Gr:<等式1>Or=[(Om1*Om2)-(Om1+Om2)]/Min(Om1,Om2)
<等式2>Gr=|(Rm1-Rm2)|/Rm2
在下文中,將參照圖2及圖3描述膜的反射率振盪比Or。在本揭露中,振盪亦被稱為「振幅」。
圖2是藉由使用日立有限公司的UH4150儀器量測膜在380奈米至780奈米波長範圍內的光反射率而獲得的所述膜的反射率圖。圖2的圖僅被提供作為實例,並且圖的形狀及所得值可依據每種膜而變化,且因此本揭露不限於此。
圖3是膜在任意波長範圍Wx內的放大反射率圖。
膜的反射率振盪比Or可根據以上等式1自圖2的膜的反射率圖中計算得出。
在等式1中,Om1是在500奈米至550奈米波長範圍內的反射率振盪值的平均值Om,且Om2是在650奈米至780奈米波長範圍內的反射率振盪值的平均值Om,並且Min(Om1,Om2)是反射率振盪值的所述平均值Om1及Om2中較小的平均值Om
反射率振盪值Om1及Om2的平均值使用以下等式3計算得出:<等式3>Om=(1/n)*Σ(Ok)
其中Ok是對應波長範圍內的振盪值,且n是所述對應波長範圍內的振盪值的數量。
在下文中,將參照圖2及圖3更詳細地描述根據等式3計算反射率振盪值的平均值Om1及Om2的方法。
在圖2的圖中,在每個光波長下,自膜反射的光的程度 被表示為百分比(%)。如圖2所示,由於基板與塗層之間的光學性質的差異,在包括塗層的膜中會發生光學干涉。因此,出現反射率的峰值及谷值不規則地重複的振幅(振盪)。取決於波長的反射率的振幅在膜的表面上產生干涉條紋。
如圖3所示,隨著在具有任意波長範圍(Wx)的膜的反射率圖中波長增加,峰值(Pk=P1、P2、P3、...、Pn)及谷值(Vk=V1、V2、V3、...、Vn)反復出現。在此種情形中,彼此相鄰的一對峰值(Pk)及谷值(Vk)構成一個振盪,並且對應於彼此相鄰的一對峰值(Pk)及谷值(Vk)的反射率值之差(|對應於Pk的反射率-對應於Vk的反射率|)構成一個振盪值。藉由將所計算出的n個振盪值(Ok=O1、O2、O3、...、On)應用於以上等式3,可計算出反射率振盪值的平均值Om
可使用以上等式1,使用在500奈米至550奈米W1的波長範圍內使用等式3計算的反射率振盪值的平均值Om1、以及在650奈米至780奈米W2的波長範圍內使用等式3計算的反射率振盪值的平均值Om2來計算反射率振盪比Or
根據本揭露的實施例,反射率振盪比Or為1.0或小於1.0。
本揭露的反射率振盪比Or是指當波長改變時,由光學干涉引起的膜的反射率的改變程度,並且隨著反射率振盪比Or增加,光學干涉增加,並且當反射率振盪比Or減少時,光學干涉減少。
當反射率振盪比為1.0或小於1.0時,反射率根據波長變 化而變化的程度減小,反射光對於人眼而言看起來是均勻的,且因此未觀察到干涉條紋。另一方面,當反射率振盪比Or高於1.0時,反射率根據波長變化而變化的程度增加,反射光對於人眼而言看起來是不均勻的,並且可在膜的表面上產生以窄間隔形成的具有各種顏色的干涉條紋。
在下文中,將參照圖4闡述反射率圖斜率Gr
圖4示出在膜的反射率圖中在500奈米至780奈米波長範圍內圖的斜率。圖4的圖僅被提供作為實例,並且圖的形狀及所得值可依據每種膜而變化,且因此本揭露不限於此。
膜的反射率圖斜率Gr可根據以上等式2自圖4的膜的反射率圖中計算得出。
在等式2中,Rm1是在反射率圖中在500奈米至780奈米的波長範圍內對應於第一峰值P1的反射率值及對應於第一谷值V1的反射率值的算術平均值,且Rm2是在反射率圖中在500奈米至780奈米的波長範圍內對應於最終峰值Pf的反射率值及對應於最終谷值Vf的反射率值的算術平均值。
如圖4所示,關於包括塗層的膜的反射率,振幅隨著波長增加而變得不規則。因此,可量測在反射率圖的任何特定點處的斜率,但難以量測在500奈米至780奈米的遍及整個波長範圍內的斜率。
因此,在本揭露的實施例中,可用於確定500奈米至780奈米的遍及整個波長範圍內的斜率行為的反射率圖斜率Gr可根據 以上等式2藉由以下方式來計算:自反射率圖獲得在波長區中對應於第一峰值P1的反射率及對應於第一谷值V1的反射率的平均值Rm1、以及對應於最終峰值Pf的反射率及對應於最終谷值Vf的反射率的平均值Rm2
根據本揭露的實施例,反射率圖斜率Gr為0.122或小於0.122。
本揭露的反射率圖斜率Gr意指膜的反射率根據波長增加或減少的程度,並且當反射率根據波長的變化快速增加或減少時,反射率圖斜率Gr增加。隨著反射率圖斜率Gr增加,反射光對於人眼而言看起來是不均勻的,因此在寬的區域內出現具有各種顏色的干涉條紋。另一方面,隨著反射率圖斜率Gr減小,反射光對於人眼而言看起來是均勻的。
當反射率圖斜率Gr為0.122或小於0.122時,光學干涉減少並且不產生干涉條紋。另一方面,當反射率圖斜率Gr高於0.122時,光學干涉可能增加,並且可能在膜的表面上產生干涉條紋。
根據本揭露的實施例,基板10包含透明聚合物。根據本揭露的實施例,任何透明聚合物皆可用作基板10,對此無任何特別限制。聚合物的實例包含均聚物,例如聚醯亞胺系聚合物、聚酯系聚合物、聚烯烴系聚合物、降冰片烯系聚合物、聚碳酸酯系聚合物、聚醚碸系聚合物、聚芳酯系聚合物、聚丙烯酸系聚合物、聚對苯二甲酸乙二醇酯系聚合物及纖維素系聚合物、其共聚物、 其環氧樹脂系聚合物及類似物。
具體而言,聚醯亞胺系聚合物具有優異的物理性質(例如,熱性質、硬度、耐磨性及可撓性)以及光學性質(例如,透光率及霧度),且因此較佳用作膜的基板,所述基板用作顯示裝置的覆蓋窗,但本揭露不限於此。在本揭露中,聚醯亞胺系聚合物是指包括在主鏈結構中具有醯亞胺官能基的重複單元的聚合物,並且通常藉由胺與羧酸酐之間的縮合形成。此外,聚醯亞胺系聚合物可包括醯胺重複單元。舉例而言,根據本揭露實施例的聚醯亞胺系聚合物是聚醯胺-醯亞胺聚合物。
膜100的類型可根據基板10的聚合物而變化。舉例而言,包括含有聚醯亞胺系聚合物的基板10的膜100可被稱為「聚醯亞胺系膜」。
根據本揭露的實施例,聚合物是光學各向異性的,且因此基板10是雙折射的。
基板10具有為1.57至1.67的X軸方向折射率Nx、為1.57至1.67的Y軸方向折射率Ny及為1.53至1.57的Z軸方向折射率Nz
在本揭露中,基板的Z軸方向指的是基板的高度方向,並且基板的X軸方向及Y軸方向根據水平方向及垂直方向上的折射率來確定。在本揭露中,在水平方向上的折射率及在垂直方向上的折射率中,具有較大值的折射率的方向是X軸方向,且具有較小值的折射率的方向是Y軸方向。
因此,基板的在X軸方向上的折射率Nx是指基板的在水平方向上的折射率及在垂直方向上的折射率中較大的折射率,且基板的在Y軸方向上的折射率Ny是指基板的在水平方向上的折射率及在垂直方向上的折射率中較小的折射率,並且基板的在Z軸方向上的折射率Nz是指基板的在高度方向上的折射率。
當基板的在每個方向上的折射率不在上述範圍內時,由於基板與塗層之間的折射率差異,可能會產生干涉條紋。
根據本揭露的實施例,基板10可具有100微米或小於100微米的厚度。
在下文中,將參照圖5詳細描述本揭露的第一塗層20。
圖5是示出根據本揭露實施例的第一塗層20的放大圖。
第一塗層20設置於基板10上,並用於控制膜的反射率振盪比Or及反射率圖斜率Gr
根據本揭露的實施例,第一塗層20可包括透光基質21及分散在透光基質21中的顆粒22。
圖5中示出包括透光基質21及分散在透光基質21中的顆粒22的第一塗層20。
分散在第一塗層20的透光基質中的顆粒22控制膜的反射率振盪比Or及膜的反射率圖斜率Gr,且因此控制第一塗層20的折射率。
根據本揭露的實施例,第一塗層20的透光基質21可包含矽氧烷系樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂或環氧系樹 脂中的至少一者。
在本揭露的實施例中,顆粒包含氧化鋯(ZrO2)、二氧化矽(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、苯乙烯或丙烯酸中的至少一者。具體而言,藉由控制第一塗層的折射率並控制膜的反射率振盪比Or及膜的反射率圖斜率Gr,氧化鋯有利於防止干涉條紋的產生。
第一塗層20可使用第一塗料組成物形成。第一塗料組成物可包含矽氧烷系樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂或環氧系樹脂中的至少一者。第一塗料組成物可包含顆粒。第一塗料組成物可包含溶劑。
為生產具有為1.0或小於1.0的反射率振盪比Or的膜100,可控制第一塗層20的透光基質21的類型、第一塗層20中包含的顆粒22的類型、第一塗層20中包含的顆粒22的含量、第一塗層20的折射率、第一塗層20的厚度以及用於形成第一塗層20的「第一塗料組成物的溶劑」。
根據本揭露的實施例,可控制第一塗層20的透光基質21的類型,以便生產具有為1.0或小於1.0的反射率振盪比Or及為0.122或小於0.122的反射率圖斜率Gr的膜100。
第一塗層20的透光基質21可包含矽氧烷系樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂或環氧系樹脂中的至少一者。
依據第一塗層20的透光基質21的類型,第一塗層20的折射率可變化,並且可控制反射率振盪比Or及反射率圖斜率Gr
根據本揭露的實施例,可控制包含在第一塗層20中的顆粒22,以便生產具有為1.0或小於1.0的反射率振盪比Or及為0.122或小於0.122的反射率圖斜率Gr的膜100。
顆粒22可包含氧化鋯、二氧化矽、氧化鋁、二氧化鈦、苯乙烯或丙烯酸中的至少一者。較佳地,顆粒22可包含氧化鋯。
第一塗層20中的顆粒22可控制第一塗層20的折射率,藉此將膜的反射率振盪比Or調節至為1.0或小於1.0,並且將膜的反射率圖斜率Gr調節至0.122或小於0.122。具體而言,氧化鋯的使用使得易於控制第一塗層20的折射率。
根據本揭露的實施例,可控制包含在第一塗層20中的顆粒22的含量,以便產生具有為1.0或小於1.0的反射率振盪比Or及為0.122或小於0.122的反射率圖斜率Gr的膜100。
根據本揭露的實施例,以100重量份的透光基質21計,顆粒22以10至50重量份的量存在於第一塗層20中。
以100重量份的透光基質21計,當顆粒22以小於10重量份或大於50重量份的量存在於第一塗層20中時,膜的反射率振盪比Or高於1,或者膜的反射率圖斜率Gr高於0.122。
根據本揭露的實施例,第一塗層20可具有考量基板的X軸及Y軸折射率使用以下等式4確定的折射率N1
Figure 110122706-A0305-02-0019-6
當第一塗層20的折射率N1不在上述範圍內時,膜100 的反射率振盪比Or高於1,或者膜100的反射率圖斜率Gr高於0.122。
因此,為將膜100的反射率振盪比Or調節至1.0或小於1.0,並將反射率圖斜率Gr調節至0.122或小於0.122,可將第一塗層20的折射率控制在上述等式4的範圍內。
根據本揭露的實施例,第一塗層20可具有為0.01至3.4微米的厚度,較佳地為0.07至1.3微米的厚度,以便生產具有為1.0或小於1.0的反射率振盪比Or及為0.122或小於0.122的反射率圖斜率Gr的膜100。
藉由將第一塗層20的厚度控制在0.01至3.4微米的範圍內,可生產具有為1.0或小於1.0的反射率振盪比Or及為0.122或小於0.122的反射率圖斜率Gr的膜100。
當第一塗層20的厚度小於0.01微米時,溶脹層12的塗層穩定性及厚度降低,因此控制反射率振盪比Or的效果不足。此外,當第一塗層20的厚度高於3.4微米時,反射率振盪比Or高於1.0。
根據本揭露的實施例,藉由控制用於形成第一塗層20的第一塗料組成物的溶劑,可生產具有為1.0或小於1.0的反射率振盪比Or及為0.122或小於0.122的反射率圖斜率Gr的膜。
具體而言,第一塗料組成物的溶劑可包含甲基乙基酮(methyl ethyl ketone,MEK)、甲基異丁基酮(methyl isobutyl ketone,MIBK)、丙二醇甲醚(propylene glycol methyl ether,PGME) 或乙酸乙酯(ethyl acetate,EA)中的至少一者。具體而言,溶劑較佳地包含MEK。
根據本揭露的實施例,第一塗料組成物的溶劑可包含MEK、以及MIBK、PGME或EA中的至少一者。
根據本揭露的實施例,在第一塗料組成物的溶劑中,MEK對MIBK、PGME或EA中的至少一者的質量比可為8:2至6:4。
溶脹層可由第一塗料組成物的溶劑形成。
根據本揭露的另一實施例,膜101可更包括溶脹層12。
溶脹層12可設置於殘留基板層11與第一塗層20之間。
圖6是示出根據本揭露另一實施例的更包括溶脹層12的膜101的示意圖。
在下文中,將參照圖6描述溶脹層12。
溶脹層12可由第一塗料組成物的溶劑形成。
如圖6所示,溶脹層12是設置於殘留基板層11與第一塗層20之間的層,並且在使用第一塗料組成物在基板上形成第一塗層20的製程中,包含在第一塗料組成物中的溶劑可溶脹膜101的基板10。因此,溶脹層12可形成在基板10上。在此種情況下,基板10的未溶脹的部分被稱為「殘留基板層11」。
根據本揭露的實施例,基板10可包括殘留基板層11及溶脹層12。
藉由將溶脹層12設置於殘留基板層11與第一塗層20 之間,膜101的反射率振盪比Or可被設置為1.0或小於1.0,並且其反射率圖斜率Gr可被設置為0.122或小於0.122。
溶脹層12可具有為1.66或小於1.66的折射率。
為將膜101的反射率振盪比Or及反射率圖斜率Gr分別調節至1.0或小於1.0及0.122或小於0.122,可將溶脹層12的折射率控制為1.66或小於1.66。
當溶脹層12的折射率大於1.66時,不利地,反射率振盪比Or大於1.0,並且在膜101的表面上觀察到干涉條紋。
溶脹層12的厚度可為第一塗層20厚度的10%至50%。
為將膜101的反射率振盪比Or及反射率圖斜率Gr分別調節至1.0或小於1.0及0.122或小於0.122,可將溶脹層12的厚度控制在第一塗層20的厚度的10%至50%的範圍內。
當溶脹層12的厚度小於第一塗層20的厚度的10%時,基板10與第一塗層20之間的黏附性可能會劣化。另一方面,當溶脹層12的厚度高於50%時,膜101的可撓性可能會降低。
溶脹層12的厚度可依據「第一塗料組成物的溶劑」的類型、含量及含量比以及第一塗層20的乾燥時間及溫度而變化。
為將溶脹層12的厚度調節至第一塗層20的厚度的10%至50%,第一塗料組成物的溶劑包括MEK以及MIBK、PGME或EA中的至少一者。
為將溶脹層12的厚度調節至第一塗層20的厚度的10%至50%,可以8:2至6:4的重量比混合第一塗料組成物的溶劑的 MEK及MIBK、PGME或EA中的至少一者。
為將溶脹層12的厚度調節至第一塗層20的厚度的10%至50%,可將第一塗層20的厚度調節至0.01至3.4微米。
當第一塗層20的厚度小於0.01微米時,塗層穩定性劣化,且溶脹層12的厚度減小,因此控制反射率振盪比Or的效果不足。此外,當第一塗層20的厚度高於3.4微米時,反射率振盪比Or高於1.0,產生干涉條紋,並且膜的可見性可能會劣化。
為將溶脹層12的厚度調節至第一塗層20的厚度的10%至50%,可以逐步的方式執行分級乾燥,包括在製備第一塗層20的製程中在50℃至60℃下乾燥1至2分鐘,在70℃至80℃下乾燥2至3分鐘,以及在90℃至100℃下乾燥2至3分鐘。
當每個步驟中的溫度高於生產第一塗層20的製程中的上限時,可能出現溶劑快速揮發並且溶脹層12未充分形成的問題,並且當每個步驟中的溫度低於下限時,可能出現溶脹層12的厚度大於在本揭露中界定的範圍的問題。
當第一塗層20的乾燥時間長於每個步驟中的上限時,可能出現溶脹層12的厚度大於在本揭露中界定的範圍的問題,並且當時間短於每個步驟中的下限時,可能出現溶脹層12未充分形成的問題。
可控制生產方法,以便生產具有為1.0或小於1.0的反射率振盪比Or及為0.122或小於0.122的反射率圖斜率Gr的膜100。舉例而言,為生產具有為1.0或小於1.0的反射率振盪比Or 及為0.122或小於0.122的反射率圖斜率Gr的膜100,可在生產第一塗層20的製程期間控制乾燥方法。
舉例而言,當製備第一塗層20時,可以逐步的方式執行分級乾燥,在50℃至60℃下乾燥1至2分鐘,在70℃至80℃下乾燥2至3分鐘,且然後在90℃至100℃下乾燥2至3分鐘。
因此,藉由調整第一塗層20的組分、折射率、厚度及生產方法,可控制膜的反射率振盪比Or及反射率圖斜率Gr,並且可控制第一塗層的折射率。
根據本揭露的另一實施例,膜102可更包括位於基板10上的第二塗層30。
圖7及圖8是示出根據本揭露另一實施例的更包括第二塗層30的膜102的示意圖。
如圖7所示,第二塗層30可設置於基板10與第一塗層20之間。
如圖8所示,第一塗層20可設置於基板10與第二塗層30之間。
亦可使用第二塗層30來控制膜102的反射率振盪比Or及反射率圖斜率Gr
第二塗層30是保護基板10或第一塗層20以及膜102所貼附的被黏物免受外部環境影響的層,並且第二塗層30可為硬塗層。
根據本揭露的實施例,基於基板的X軸及Y軸折射率, 第二塗層30可具有根據以下等式5確定的折射率N2
Figure 110122706-A0305-02-0025-7
當第二塗層30的折射率N2不在上述範圍內時,膜的反射率振盪比Or高於1,或者膜的反射率圖斜率Gr高於0.122。
根據本揭露的另一實施例,第二塗層30可包含透光基質。
第二塗層30的透光基質可包含矽氧烷系樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂或環氧系樹脂中的至少一者。第二塗層30的透光基質可與第一塗層20的透光基質相同或不同,但本揭露不限於此。然而,較佳地使用相同的透光基質,乃因第一塗層與第二塗層之間的黏附性增加。
根據本揭露的另一實施例,第二塗層30可具有為1至14微米的厚度,較佳地為3至7微米的厚度,但本揭露不限於此。
藉由控制第二塗層30的厚度,可控制膜102的反射率振盪比Or及膜的反射率圖斜率Gr,並且可控制第二塗層30的折射率。
第二塗層30可使用第二塗料組成物形成。第二塗料組成物可包含矽氧烷系樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂或環氧系樹脂中的至少一者。第二塗料組成物可包含溶劑。
根據本揭露的另一實施例,膜103可更包括位於基板10上的第三塗層40。
圖9是示出根據本揭露的另一實施例的更包括第三塗層40的膜103的示意圖。
根據本揭露的另一實施例,基於基板的X軸及Y軸折射率,第三塗層40可具有滿足以下等式6的折射率N3
Figure 110122706-A0305-02-0026-8
當第三塗層40的折射率N3不在上述範圍內時,膜的反射率振盪比Or高於1,或者膜的反射率圖斜率Gr高於0.122。
根據本揭露的另一實施例,第三塗層40可包括透光基質。
第三塗層40的透光基質可包含矽氧烷系樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂或環氧系樹脂中的至少一者。第三塗層40的透光基質可與第一塗層20或第二塗層30的透光基質相同或不同,但本揭露不限於此。
根據本揭露的另一實施例,第三塗層40可具有為1微米或小於1微米的厚度,較佳地為0.1微米或小於0.1微米的厚度,但本揭露不限於此。
藉由控制第三塗層40的厚度,可控制膜102的反射率振盪比Or及膜的反射率圖斜率Gr,並且可控制第二塗層30的折射率。
第三塗層40可使用第三塗料組成物形成。第三塗料組成物可包含矽氧烷系樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂或 環氧系樹脂中的至少一者。第三塗料組成物可包含溶劑。
另一方面,本揭露是有關於一種顯示裝置,所述顯示裝置包括顯示面板及設置於顯示面板上的膜。顯示裝置的膜可包括根據本揭露的一個實施例的膜。
顯示面板包括基板、位於基板上的薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)及連接至薄膜電晶體(TFT)的有機發光裝置。所述有機發光裝置包括第一電極、位於第一電極上的有機發光層及位於有機發光層上的第二電極。顯示裝置可為有機發光顯示裝置。
基板可由玻璃或塑膠製成。具體而言,基板可由例如聚醯亞胺系樹脂或聚醯亞胺系膜等塑膠製成。緩衝層可設置於基板上。
薄膜電晶體(TFT)設置於基板上。薄膜電晶體(TFT)包括半導體層、與半導體層絕緣並與半導體層的至少一部分交疊的閘電極、連接至半導體層的源電極、以及與源電極間隔開並連接至半導體層的汲電極。
閘極絕緣膜設置於閘電極與半導體層之間。層間絕緣層可設置於閘電極上,並且源電極及汲電極可設置於層間絕緣層上。
平坦化層設置於薄膜電晶體TFT上,以平坦化薄膜電晶體TFT的頂部。
第一電極設置於平坦化層上。第一電極經由設置於平坦化層中的接觸孔連接至薄膜電晶體TFT。
堤層(bank layer)設置於平坦化層上的第一電極的一部分中,以界定畫素區域或發光區域。舉例而言,堤層以基質的形式設置於多個畫素之間的對應邊界中,以界定相應的畫素區。
有機發光層設置於第一電極上。有機發光層亦可設置於堤層上。有機發光層可包括在垂直方向上堆疊的一個發光層或兩個發光層。具有紅色、綠色及藍色中的任何一種顏色的光可自有機發光層發射,並且可自其發射白光。
第二電極設置於有機發光層上。
第一電極、有機發光層及第二電極可堆疊以構成有機發光裝置。
當有機發光層發射白光時,每個畫素可包括濾色器,用於基於各自的波長過濾自有機發光層發射的白光。濾色器形成於光的通道上。
薄膜封裝層可設置於第二電極上。薄膜封裝層可包括至少一個有機層及至少一個無機層,並且至少一個有機層及至少一個無機層可交替設置。
根據本揭露實施例的膜設置於具有上述堆疊結構的顯示面板上。
在下文中,將參照製備例及實例更詳細地描述本揭露。提供製備例及實例僅為更佳地理解本揭露,且不應被解釋為限制本揭露的範圍。
<製備例1:製備高折射率聚醯亞胺系基板>
將735.264克N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)充入配有攪拌器、氮氣注射器、滴液漏斗、溫度控制器及冷卻器的1升反應器中,當氮氣穿過反應器時,將反應器的溫度調節至25℃,將54.439克(0.17莫耳)2,2'-雙(三氟甲基)聯苯胺(2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine,TFDB)溶解在其中,並將所得溶液保持在25℃下。向其中添加10.003克(0.034莫耳)聯苯-四羧酸二酐(BPDA),隨後攪拌3小時以完全溶解BPDA,且然後向其中添加了15.105克(0.034莫耳)4,4'-(六氟異亞丙基)二鄰苯二甲酸酐(4,4'-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic anhydride,6FDA),並完全溶解在其中。將反應器溫度降至10℃,向其中添加20.716克(0.102莫耳)對苯二甲醯氯(terephthaloyl chloride,TPC),並使反應在25℃下進行12小時,以獲得固體含量為12重量%的聚合物溶液。
向所獲得的聚合物溶液中添加11.833克吡啶及15.110克乙酸酐,然後攪拌30分鐘,且然後在70℃下進一步攪拌1小時。使所得產物冷卻至室溫,向所得聚合物溶液中添加20升甲醇以沈澱固體粉末,且對所沈澱的固體粉末進行過濾,粉碎,用2升甲醇再次洗滌,且然後在真空中於100℃下乾燥了6小時以獲得粉末狀聚醯亞胺系聚合物固體。在本文中製備的聚醯亞胺系聚合物固體粉末是聚醯胺-醯亞胺聚合物固體粉末。
將550克DMAc充入1升反應器中,且然後攪拌達預定的時間段,同時將反應器的溫度保持在了10℃。然後,向其中添 加了75克所製備的聚醯亞胺系聚合物固體粉末,將所得混合物攪拌了1小時,並將溫度升高至25℃以製備液體聚醯亞胺系樹脂溶液。
使用施用器將所獲得的聚醯亞胺系樹脂溶液施加至玻璃基板上,並在130℃下用熱空氣乾燥了30分鐘以製備膜,且然後將所製備的膜自玻璃基板上剝離並使用銷固定至框架。
將固定有膜的框架置於真空爐中,並在2小時內自100℃緩慢加熱至300℃,然後緩慢冷卻並與框架分離,以獲得高折射率聚醯亞胺系基板。在250℃下將高折射率聚醯亞胺系基板熱處理5分鐘。
高折射率聚醯亞胺系基板的厚度為50微米,是透光的,並且是雙折射的。所述基板的折射率為Nx=Ny=1.65且Nz=1.55。
<製備例2:製備低折射率聚醯亞胺系基板>
將734.06克N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)充入配有攪拌器、氮氣注射器、滴液漏斗、溫度控制器及冷卻器的1升反應器中,當氮氣穿過反應器時,將反應器的溫度調節至25℃,將44.832克(0.14莫耳)TFDB溶解在其中,並將所得溶液保持在25℃下。向其中添加8.238克(0.028莫耳)BPDA,隨後攪拌3小時以完全溶解BPDA,且然後向其中添加了49.756克(0.112莫耳)6FDA,並使反應在25℃下進行12小時,以獲得固體含量為12重量%的聚合物溶液。
向所獲得的聚合物溶液中添加24.36克吡啶及31.11克 乙酸酐,然後攪拌30分鐘,且然後在70℃下進一步攪拌1小時。使所得物冷卻至室溫,向所得聚合物溶液中添加20升甲醇以沈澱固體粉末,且對所沈澱的固體粉末進行過濾,粉碎,用2升甲醇再次洗滌,且然後在真空中於100℃下乾燥了6小時以獲得粉末狀聚醯亞胺系聚合物固體。在本文中製備的聚醯亞胺系聚合物固體粉末是聚醯胺-醯亞胺聚合物固體粉末。
然後,使用所製備的聚醯亞胺系聚合物固體粉末,以與製備例1相同的方式製備了低折射率聚醯亞胺系基板。
低折射率聚醯亞胺系基板的厚度為50微米,是透光的,並且是雙折射的。所述基板的折射率為Nx=Ny=1.57且Nz=1.53。
<製備例3:製備中折射率聚醯亞胺系基板>
將776.655克N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)充入配有攪拌器、氮氣注射器、滴液漏斗、溫度控制器及冷卻器的1升反應器中,當氮氣穿過反應器時,將反應器的溫度調節至25℃,將54.439克(0.17莫耳)TFDB溶解在其中,並將所得溶液保持在25℃下。向其中添加15.005克(0.051莫耳)BPDA,隨後攪拌3小時以完全溶解BPDA,且然後向其中添加了22.657克(0.051莫耳)6FDA,並完全溶解在其中,將反應器溫度降至10℃,向其中添加13.805克(0.068莫耳)TPC,並使反應在25℃下進行12小時,以獲得固體含量為12重量%的聚合物溶液。
向所獲得的聚合物溶液中添加17.75克吡啶及22.92克乙酸酐,然後攪拌30分鐘,且然後在70℃下進一步攪拌1小時。 使所得物冷卻至室溫,向所得聚合物溶液中添加20升甲醇以沈澱固體粉末,且對所沈澱的固體粉末進行過濾,粉碎,用2升甲醇再次洗滌,且然後在真空中於100℃下乾燥了6小時以獲得粉末狀聚醯亞胺系聚合物固體。在本文中製備的聚醯亞胺系聚合物固體粉末是聚醯胺-醯亞胺聚合物固體粉末。
然後,使用所製備的聚醯亞胺系聚合物固體粉末,以與製備例1相同的方式製備了中折射率聚醯亞胺系基板。
中折射率聚醯亞胺系基板的厚度為50微米,是透光的,並且是雙折射的。所述基板的折射率為Nx=Ny=1.62且Nz=1.54。
<實例1>
以747.66毫升:38.28毫升:93.88毫升的比率混合2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷(TCI有限公司(TCI CO.,LTD.))、原矽酸四乙酯(TEOS,西格瑪-奧德裡奇公司(Sigma-Aldrich,Inc.))及H2O,將所得混合物添加至1,500毫升燒瓶中,且然後向其中添加0.1克氫氧化鈉作為觸媒,接著在60℃下攪拌了10小時。然後,使用0.45微米特氟隆過濾器過濾所得的產物,以獲得環氧系樹脂。
然後,將600毫升比率為8:2的甲基乙基酮(MEK)及甲基異丁基酮(MIBK)的稀釋液添加至所製備的環氧系樹脂中,並將作為光起始劑的易璐佳(IRGACURE)250(巴斯夫公司(BASF Corporation))以相對於環氧系樹脂的重量為3重量份的量添加至所製備的環氧系樹脂中,並以基於固體相對於環氧系樹脂為30重 量份的量向其中添加作為氧化鋯分散體的KT-300Z-S-KR(固體含量為42重量%,環己酮+MIBK+脂族溶劑,東洋化學有限公司(Toyochem Co.,Ltd.),以獲得固化時折射率為1.57的第一塗料組成物。
將在製備例1中生產的高折射率聚醯亞胺系基板用作基板10。
使用棒將第一塗料組成物施加至製備例1的高折射率聚醯亞胺系基板的上表面,且然後在60℃下乾燥2分鐘,在80℃下乾燥3分鐘,且在100℃下乾燥3分鐘,以在基板上將由溶劑產生的溶脹層形成至25奈米的平均厚度。
然後,自紫外燈以1焦耳/平方公分的劑量輻射波長為315奈米的光,以產生包括厚度為100奈米的第一塗層的初級膜。
然後,藉由自第一塗料組成物中排除作為氧化鋯分散體的KT-300Z-S-KR(東洋化學有限公司)而製備了固化時折射率為1.50的第二塗料組成物。使用棒將第二塗料組成物施加至初級膜的固化膜的上表面,並在100℃下乾燥了10分鐘,且自紫外燈以2焦耳/平方公分向其輻射波長為315奈米的光,以產生包括厚度為5微米的第二塗層的透明聚醯亞胺系膜。
<實例2>
除了以基於固體相對於所製備的環氧系樹脂為43重量份的量添加氧化鋯分散體KT-300Z-S-KR(東洋化學有限公司)之外,以與實例1相同的方式製備了第一塗料組成物。第一塗料組 成物固化時的折射率為1.60。
以與實例1相同的方式製備了第二塗料組成物。
使用所製備的第一塗料組成物及第二塗料組成物,以與實例1相同的方式,在製備例1中生產的高折射率聚醯亞胺系基板的上表面上生產了包括第一塗層及第二塗層的透明聚醯亞胺系膜。
<實例3>
除了以基於固體相對於所製備的環氧系樹脂為17重量份的量添加氧化鋯分散體KT-300Z-S-KR(東洋化學有限公司)之外,以與實例1相同的方式製備了第一塗料組成物。第一塗料組成物固化時的折射率為1.54。
以與實例1相同的方式製備了第二塗料組成物。
使用所製備的第一塗料組成物及第二塗料組成物,以與實例1相同的方式,在製備例1中生產的高折射率聚醯亞胺系基板的上表面上生產了包括第一塗層及第二塗層的透明聚醯亞胺系膜。
<實例4>
除了以基於固體相對於所製備的環氧系樹脂為13重量份的量添加氧化鋯分散體KT-300Z-S-KR(東洋化學有限公司)之外,以與實例1相同的方式製備了第一塗料組成物。第一塗料組成物固化時的折射率為1.53。
以與實例1相同的方式製備了第二塗料組成物。
使用所製備的第一塗料組成物及第二塗料組成物,以與實例1相同的方式,在製備例2中生產的低折射率聚醯亞胺系基板的上表面上生產了包括第一塗層及第二塗層的透明聚醯亞胺系膜。
<實例5>
除了以基於固體相對於所製備的環氧系樹脂為22重量份的量添加氧化鋯分散體KT-300Z-S-KR(東洋化學有限公司)之外,以與實例1相同的方式製備了第一塗料組成物。第一塗料組成物固化時的折射率為1.55。
以與實例1相同的方式製備了第二塗料組成物。
使用所製備的第一塗料組成物及第二塗料組成物,以與實例1相同的方式,在製備例3中生產的中折射率聚醯亞胺系基板的上表面上生產了包括第一塗層及第二塗層的透明聚醯亞胺系膜。
<實例6>
以與實例1相同的方式生產了具有第一塗層及第二塗層的次級膜。
然後,使用棒將第二塗料組成物施加至次級膜的另一表面,且然後在60℃下乾燥了2分鐘,在80℃下乾燥了3分鐘,且在100℃下乾燥了3分鐘,以在基板上將由溶劑產生的溶脹層形成至0.2微米的平均厚度。然後,使用紫外燈以2焦耳/平方公分的劑量向其輻射波長為315奈米的光,以生產包括厚度為0.8微米的 第三塗層的透明聚醯亞胺系膜。
<實例7>
以747.66毫升:38.28毫升:93.88毫升的比率混合甲基丙烯酸3-(三甲氧基甲矽烷基)丙酯(西格瑪-奧德裡奇公司)、TEOS(西格瑪-奧德裡奇公司)及H2O,將所得混合物添加至1,500毫升燒瓶中,且然後向其中添加0.1克氫氧化鈉作為觸媒,接著在60℃下攪拌了10小時。然後,使用0.45微米特氟隆過濾器過濾所得的產物,以獲得丙烯酸系樹脂。
然後,將600毫升比率為8:2的甲基乙基酮(MEK)及甲基異丁基酮(MIBK)的稀釋液添加至所製備的丙烯酸系樹脂中,並將作為光起始劑的易璐佳(IRGACURE)250(巴斯夫公司)以相對於丙烯酸系樹脂為3重量份的量添加至所製備的丙烯酸系樹脂中,並以基於固體相對於丙烯酸系樹脂為30重量份的量向其中添加作為氧化鋯分散體的KT-300Z-S-KR(固體含量為42重量%,環己酮+MIBK+脂族溶劑,東洋化學有限公司(Toyochem Co.,Ltd.),以獲得固化時折射率為1.57的第一塗料組成物。
將在製備例1中生產的高折射率聚醯亞胺系基板用作基板10。
使用棒將第一塗料組成物施加至製備例1的高折射率聚醯亞胺系基板的上表面,且然後在60℃下乾燥2分鐘,在80℃下乾燥3分鐘,且在100℃下乾燥3分鐘,以在基板上將由溶劑產生的溶脹層形成至25奈米的平均厚度。
然後,使用紫外燈以1焦耳/平方公分的劑量輻射波長為315奈米的光,以產生包括厚度為100奈米的第一塗層的初級膜。
然後,藉由自第一塗料組成物中排除作為氧化鋯分散體的KT-300Z-S-KR(東洋化學有限公司)而製備了固化時折射率為1.50的第二塗料組成物。使用棒將第二塗料組成物施加至初級膜的固化膜的上表面,並在100℃下乾燥了10分鐘,且自紫外燈以2焦耳/平方公分輻射波長為315奈米的光,以產生具有厚度為5微米的第二塗層的透明聚醯亞胺系膜。
<比較例1>
以747.66毫升:38.28毫升:93.88毫升的比率混合2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷(TCI有限公司(TCI CO.,LTD.))、原矽酸四乙酯(TEOS,西格瑪-奧德裡奇公司)及H2O,將所得混合物添加至1,500毫升燒瓶中,且然後向其中添加0.1克氫氧化鈉作為觸媒,接著在60℃下攪拌了10小時。然後,使用0.45微米特氟隆過濾器過濾所得的產物,以獲得環氧系樹脂。
然後,將600毫升比率為8:2的甲基乙基酮(MEK)及甲基異丁基酮(MIBK)的稀釋液添加至所製備的環氧系樹脂中,並將作為光起始劑的易璐佳(IRGACURE)250(巴斯夫公司)以相對於環氧系樹脂為3重量份的量添加至所製備的環氧系樹脂中,以獲得固化時折射率為1.50的環氧系樹脂組成物。
將在製備例1中生產的高折射率聚醯亞胺系基板用作基板10。
使用棒將環氧系組成物施加至製備例1的高折射率聚醯亞胺系基板的上表面,且然後在60℃下乾燥2分鐘,在80℃下乾燥3分鐘,且在100℃下乾燥3分鐘,以在基板上將由溶劑產生的溶脹層形成至25奈米的平均厚度。
然後,自紫外燈以2焦耳/平方公分的劑量輻射波長為315奈米的光,以產生包括厚度為5微米的單個塗層的透明聚醯亞胺系膜。
<比較例2>
除了以基於固體相對於所製備的環氧系樹脂為60重量份的量添加氧化鋯分散體KT-300Z-S-KR(東洋化學有限公司)之外,以與實例1相同的方式製備了第一塗料組成物。第一塗料組成物固化時的折射率為1.64。
以與實例1相同的方式製備了第二塗料組成物。
使用所製備的第一塗料組成物及第二塗料組成物,以與實例1相同的方式,在製備例1中生產的高折射率聚醯亞胺系基板的上表面上生產了包括第一塗層及第二塗層的透明聚醯亞胺系膜。
<比較例3>
除了以基於固體相對於所製備的環氧系樹脂為5重量份的量添加氧化鋯分散體KT-300Z-S-KR(東洋化學有限公司)之外,以與實例1相同的方式製備了第一塗料組成物。第一塗料組成物固化時的折射率為1.51。
以與實例1相同的方式製備了第二塗料組成物。
使用所製備的第一塗料組成物及第二塗料組成物,以與實例1相同的方式,在製備例1中生產的高折射率聚醯亞胺系基板的上表面上生產了包括第一塗層及第二塗層的透明聚醯亞胺系膜。
<比較例4>
以與實例1相同的方式製備了第一塗料組成物。第一塗料組成物固化時的折射率為1.57。
進一步以26重量份(總共56重量份)的量向第一塗料組成物中添加氧化鋯分散體KT-300Z-S-KR(東洋化學有限公司),以製備固化時折射率為1.63的第二塗料組成物。
使用所製備的第一塗料組成物及第二塗料組成物,以與實例1相同的方式,在製備例1中生產的高折射率聚醯亞胺系基板的上表面上生產包括第一塗層及第二塗層的透明聚醯亞胺系膜。
<比較例5>
以與實例1相同的方式製備了第一塗料組成物。第一塗料組成物固化時的折射率為1.57。
使用棒將第一塗料組成物施加至製備例1的高折射率聚醯亞胺系基板的上表面,且然後在60℃下乾燥2分鐘,在80℃下乾燥3分鐘,且在100℃下乾燥3分鐘,以在基板上將由溶劑產生的溶脹層形成至1.25奈米的平均厚度。
然後,自紫外燈以1焦耳/平方公分的劑量輻射波長為315奈米的光,以產生包括厚度為100奈米的第一塗層的初級膜。
然後,以與實例1相同的方式製備第二塗料組成物。
使用所製備的第二塗料組成物,以與實例1相同的方式,藉由在固化的初級膜的上表面上形成第二塗層而生產了包括第一塗層及第二塗層的透明聚醯亞胺系膜。
<比較例6>
以與實例1相同的方式生產了包括第一塗層及第二塗層的次級膜。
然後,進一步以26重量份(總共56重量份)的量向第一塗料組成物中添加氧化鋯分散體KT-300Z-S-KR(東洋化學有限公司),以製備固化時折射率為1.63的第二塗料組成物。
然後,使用棒將第三塗料組成物施加至次級膜的另一表面,且然後在60℃下乾燥2分鐘,在80℃下乾燥3分鐘,且在100℃下乾燥3分鐘,以在基板上將由溶劑產生的溶脹層形成至0.2微米的平均厚度。然後,自紫外燈以2焦耳/平方公分的劑量輻射波長為315奈米的光,以產生包括厚度為0.8微米的第三塗層的透明聚醯亞胺系膜。
<比較例7>
以與實例1相同的方式生產包括第一塗層及第二塗層的次級膜。
然後,使用棒將第二塗料組成物施加至次級膜的另一表 面,且然後在60℃下乾燥2分鐘,在80℃下乾燥3分鐘,並在100℃下乾燥3分鐘,以在基板上將由溶劑產生的溶脹層形成至1.25微米的平均厚度。然後,自紫外燈以2焦耳/平方公分的劑量輻射波長為315奈米的光,以產生包括厚度為5微米的第三塗層的透明聚醯亞胺系膜。
<量測實例>
量測了在實例1至實例7及比較例1至比較例7中生產的膜的以下特性。
(1)黏附性
使用來自TQC有限公司的CC1000模型,量測根據ASTM D3359切割成網格圖案後的剝離程度。
(2)透射率及霧度
將根據實例及比較例生產的最終膜中的每一者切割成50毫米×50毫米的大小,根據ASTM D1003使用來自村上色彩研究實驗室(Murakami Color Research Lab.)的HM-150霧度量測儀量測其透射率及霧度5次,並確定其平均值。
(3)反射率振盪比(Or)及反射率圖斜率(Gr)
使用日立有限公司的UH4150設備在380至780奈米的波長範圍內量測光反射率。使用以下等式1計算的反射率振盪比Or及使用以下等式2計算的反射率圖斜率Gr是自膜的量測反射率圖計算的。
<等式1> Or=[(Om1*Om2)-(Om1+Om2)]/Min(Om1,Om2)
<等式2>Gr=|(Rm1-Rm2)|/Rm2
其中在等式1中,Om1是在500奈米至550奈米波長範圍內的反射率振盪值的平均值(Om),且Om2是在650奈米至780奈米波長範圍內的反射率振盪值的平均值(Om),其中反射率振盪值的所述平均值Om1及Om2是使用以下等式3計算的,並且Min(Om1,Om2)是反射率振盪值的所述平均值Om1及Om2中較小的平均值,且在等式2中,Rm1是在反射率圖中在500奈米至780奈米的波長範圍內對應於第一峰值P1的反射率及對應於第一谷值V1的反射率的算術平均值,且Rm2是在反射率圖中在500奈米至780奈米的所述波長範圍內對應於最終峰值Pf的反射率值及對應於最終谷值Vf的反射率值的算術平均值。
<等式3>Om=(1/n)*Σ(Ok)
在等式3中,Ok是對應波長範圍內的振盪值,且n是所述對應波長範圍內的振盪值的數量,其中所述振盪值中的每一者是對應於彼此相鄰的一對峰值Pk及谷值Vk的反射率值之差(|對應於Pk的反射率-對應於Vk的反射率|)。
(4)干涉條紋
在三波長燈下對實例及比較例的膜進行視覺評估,並基於以下等級進行評估。
A:用肉眼難以觀察到膜。
B:少數專家肉眼可見,但使用上可能無不便。
C:少數專家肉眼可見,且在對於堆疊結構的有用性方面可能受限。
D:大量普通人肉眼可見,且無法使用。
E:大量普通人肉眼清晰可見,且無法使用。
量測結果如下表1所示。
Figure 110122706-A0305-02-0043-9
如自表1所示的量測結果可看出,根據本揭露實施例的膜表現出優異的光學性質,例如透射率及霧度、以及基板與塗層之間的黏附性及可撓性。
如自實例1及比較例1中可看出,藉由在第二塗層與基 板之間施加第一塗層而在本揭露界定的範圍內設置有反射率振盪比Or及反射率圖斜率Gr的膜表現出比未施加塗層的膜更佳的干涉條紋。
比較實例1至實例3與比較例2至比較例3,即使在第二塗層與基板之間施加第一塗層的結構中,亦可看出,當折射率不在本揭露中界定的範圍內時(換言之,當反射率振盪比Or高於1.0時),無法獲得減輕干涉條紋的效果。
此外,如自實例1及比較例5可看出,即使在第二塗層與基板之間施加第一塗層,當第一塗層的厚度偏離預定範圍並且因此反射率圖斜率Gr高於0.122時,類似地,亦無法獲得減輕干涉條紋的效果。
類似地,比較實例1與比較例4,可看出,儘管在第二塗層與基板之間施加具有適當折射率及厚度的第一塗層,但當第一塗層的折射率偏離預定範圍並且因此反射率振盪比Or高於1.0時,無法獲得減輕干涉條紋的效果。
此外,可看出,比較實例6與比較例6及比較例7,當在結構的另一表面上形成第三塗層時(其中在第二塗層與基板之間施加具有適當折射率及厚度的第一塗層),在第三塗層的折射率及厚度偏離預定範圍並且反射率振盪比Or高於1.0的情況下,無法獲得改善干涉條紋的效果。
此外,如自實例4及實例5可看出,當基板的折射率變化但滿足預定範圍、且因此反射率振盪比Or及反射率圖斜率Gr 滿足本揭露的範圍時,獲得了減輕干涉條紋的效果。
此外,如自實例1及實例7可看出,即使當第一塗層組成物及第二塗層組成物不僅是環氧系樹脂組成物,而且是丙烯酸系樹脂組成物時,亦可獲得相同的結果。
10:基板
20:第一塗層
100:膜

Claims (18)

  1. 一種用於顯示裝置的膜,包括:基板;以及第一塗層,設置於所述基板上,其中基於藉由量測380奈米至780奈米波長範圍內的反射率而獲得的反射率圖,所述膜具有使用以下等式1計算的為1.0或小於1.0的反射率振盪比Or、以及使用以下等式2計算的為0.122或小於0.122的反射率圖斜率Gr:<等式1>Or=[(Om1*Om2)-(Om1+Om2)]/Min(Om1,Om2)<等式2>Gr=|(Rm1-Rm2)|/Rm2其中在等式1中,Om1是在500奈米至550奈米波長範圍內的反射率振盪值的平均值Om,且Om2是在650奈米至780奈米波長範圍內的反射率振盪值的平均值Om,其中反射率振盪值的所述平均值Om1及Om2是使用以下等式3計算的,並且Min(Om1,Om2)是反射率振盪值的所述平均值Om1及Om2中較小的平均值Om,其中在等式2中,Rm1是在所述反射率圖中在500奈米至780奈米的波長範圍內對應於第一峰值P1的反射率及對應於第一谷值V1的反射率的算術平均值,且Rm2是在所述反射率圖中在500奈米至780奈米的所述波長範圍內對應於最終峰值Pf的反射率值及 對應於最終谷值Vf的反射率值的算術平均值,<等式3>Om=(1/n)*Σ(Ok)其中在等式3中,Ok是對應波長範圍內的振盪值,且n是所述對應波長範圍內的振盪值的數量,並且其中所述振盪值中的每一者是對應於彼此相鄰的一對峰值Pk及谷值Vk的反射率值之差(|對應於Pk的反射率-對應於Vk的反射率|)。
  2. 如請求項1所述的用於顯示裝置的膜,其中所述基板是雙折射的。
  3. 如請求項1所述的用於顯示裝置的膜,其中所述基板具有為1.57至1.67的X軸方向折射率Nx、為1.57至1.67的Y軸方向折射率Ny及為1.53至1.57的Z軸方向折射率Nz
  4. 如請求項3所述的用於顯示裝置的膜,其中所述第一塗層具有滿足以下等式4的折射率N1
    Figure 110122706-A0305-02-0048-10
  5. 如請求項3所述的用於顯示裝置的膜,更包括設置於所述基板上的第二塗層。
  6. 如請求項5所述的用於顯示裝置的膜,其中所述第二塗層設置於所述基板與所述第一塗層之間。
  7. 如請求項5所述的用於顯示裝置的膜,其中所述第一塗層設置於所述基板與所述第二塗層之間。
  8. 如請求項5所述的用於顯示裝置的膜,其中所述第二塗層具有滿足以下等式5的折射率N2
    Figure 110122706-A0305-02-0049-11
  9. 如請求項3所述的用於顯示裝置的膜,更包括設置於所述基板上的第三塗層。
  10. 如請求項9所述的用於顯示裝置的膜,其中所述第三塗層具有滿足以下等式6的折射率N3
    Figure 110122706-A0305-02-0049-12
  11. 如請求項1所述的用於顯示裝置的膜,其中所述第一塗層包括透光基質及分散在所述透光基質中的顆粒。
  12. 如請求項11所述的用於顯示裝置的膜,其中所述透光基質包含矽氧烷系樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂或環氧系樹脂中的至少一者。
  13. 如請求項11所述的用於顯示裝置的膜,其中所述顆粒包括氧化鋯(ZrO2)、二氧化矽(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、苯乙烯或丙烯酸中的至少一者。
  14. 如請求項1所述的用於顯示裝置的膜,其中所述第一塗層具有0.01至3.4微米的厚度。
  15. 如請求項5所述的用於顯示裝置的膜,其中所述第二塗層具有1至14微米的厚度。
  16. 如請求項9所述的用於顯示裝置的膜,其中所述第三塗層具有1微米或小於1微米的厚度。
  17. 一種聚醯亞胺系膜,包括:聚醯亞胺系基板;及第一塗層,設置於所述聚醯亞胺系基板上,其中基於藉由量測380奈米至780奈米波長範圍內的反射率而獲得的反射率圖,所述聚醯亞胺系膜具有使用以下等式1計算的為1.0或小於1.0的反射率振盪比Or、以及使用以下等式2計算的為0.122或小於0.122的反射率圖斜率Gr:<等式1>Or=[(Om1*Om2)-(Om1+Om2)]/Min(Om1,Om2)<等式2>Gr=|(Rm1-Rm2)|/Rm2其中在等式1中,Om1是在500奈米至550奈米波長範圍內的反射率振盪值的平均值Om,且Om2是在650奈米至780奈米波長範圍內的反射率振盪值的平均值Om,其中反射率振盪值的所述平均值Om1及Om2是使用以下等式3計算的,並且Min(Om1,Om2)是反射率振盪值的所述平均值Om1及Om2中較小的平均值Om,其中在等式2中,Rm1是在所述反射率圖中在500奈米至780 奈米的波長範圍內對應於第一峰值P1的反射率及對應於第一谷值V1的反射率的算術平均值,且Rm2是在所述反射率圖中在500奈米至780奈米的所述波長範圍內對應於最終峰值Pf的反射率值及對應於最終谷值Vf的反射率值的算術平均值,<等式3>Om=(1/n)*Σ(Ok)其中在等式3中,Ok是對應波長範圍內的振盪值,且n是所述對應波長範圍內的振盪值的數量,並且其中所述振盪值中的每一者是對應於彼此相鄰的一對峰值Pk及谷值Vk的反射率值之差(|對應於Pk的反射率-對應於Vk的反射率|)。
  18. 一種顯示裝置,包括:顯示面板;以及如請求項1至16中任一項所述的用於顯示裝置的膜,設置於所述顯示面板上。
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