TWI757412B - 銀奈米粒子的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可由黏性高的草酸銀-胺錯合物於短時間內大量製造粒度分佈窄的銀奈米粒子的銀奈米粒子的製造方法。本發明的銀奈米粒子的製造方法包括：將胺與草酸銀混合而獲得於草酸銀上配位有胺的草酸銀-胺錯合物的混合步驟；以及對所述草酸銀-胺錯合物照射微波並將其加熱而進行所述草酸銀-胺錯合物的還原的加熱步驟，所述胺包含選自烷基胺及烷氧基胺的至少一者中的至少一種化合物。

Description

銀奈米粒子的製造方法

本發明是有關於一種銀奈米粒子的製造方法。

近年來，藉由將含有金屬微粒子的導電性墨水(ink)印刷並煅燒於基材上來形成極微細的電子電路或器件的印刷電子學(Printed electronics)技術受到關注。導電性墨水中所使用的金屬微粒子為較先前已知的導電膏中的導電填料小得多的奈米尺寸(nanometer size)的粒子，故有可藉由奈米粒子特有的熔點降低而於低溫下進行燒結，且可實現與金屬箔接近的高導電性這一特徵。此種導電性墨水中所使用的金屬的種類可列舉：銀、金、銅等。

專利文獻1中揭示有一種方法，其是有關於一種奈米尺寸的銀超微粒子的製造方法。該方法中，使草酸銀與油烯基胺反應而生成至少包含銀、油烯基胺與草酸根離子的錯合物，並將所生成的錯合物加熱分解而生成銀超微粒子。

另外，專利文獻2中揭示有一種方法等，其是有關於一種金屬奈米粒子的製造方法。該方法中，將包含羧酸鎳及一級胺的混合物加熱為100℃~165℃的範圍內的溫度而獲得錯合反應液之後，藉由微波照射將錯合反應液加熱為170℃以上的溫度並將錯合反應液中的鎳離子還原，從而獲得經一級胺被覆的鎳奈米粒子 的漿料。

另外，專利文獻3及專利文獻4中揭示有一種如下方法：對分散有金屬氧化物或金屬氫氧化物的有機溶媒照射微波並將其加熱，藉此製造金屬微粒子。

另外，專利文獻5中揭示有一種金屬奈米粒子的製作方法，其特徵在於，於溶液中藉由化學反應形成金屬奈米粒子的金屬奈米粒子的製作方法中，包括：使作為金屬源的無機化合物的粉末分散於溶液中的步驟；添加分散劑的步驟；以及照射熱與空化(cavitation)中的至少一者而將無機化合物還原的步驟，且熱的照射方法可列舉微波。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

專利文獻1：日本專利特開2009-270146號公報

專利文獻2：日本專利特開2013-87308號公報

專利文獻3：日本專利特開2011-12290號公報

專利文獻4：日本專利特開2013-23699號公報

專利文獻5：日本專利特開2010-65265號公報

於製造導電性墨水中所使用的金屬微粒子的方法中，使用胺與草酸銀的混合物作為起始原料，並藉由加熱來產生銀的還原反應而製造銀奈米粒子的方法有如下優點：與使用碳酸銀的情 況等相比，可於低溫下製造銀奈米粒子，且可容易地獲得雜質少的銀奈米粒子。然而，草酸銀-胺錯合物的黏性高，於藉由油浴等通常方法進行加熱還原的情況下，銀奈米粒子的合成耗費時間，故生產性低。另外，若增大合成規模，則由於黏性高而容易引起反應系統內的加熱不均，藉此容易形成粗大粒子，難以於短時間內製造粒度分佈窄的銀奈米粒子。

專利文獻1中記載著藉由使用油烯基胺而可獲得粒度分佈窄且保存穩定性優異的銀超微粒子，但實施例均於150℃對10毫莫耳(mmol)以下的少量草酸銀進行1小時加熱還原，於生產性方面存在改善的餘地。尤其為了以量產水準進行銀奈米粒子的製造，要求針對伴隨加入量的增加而粒子合成困難來採取對策。

另外，專利文獻2中，為了進行錯合反應液的生成與加熱還原，不僅進行了二階段的加熱，而且於非常高的溫度下實施加熱還原，與使用草酸銀-胺錯合物於低溫下製造銀奈米粒子的方法不同，並非製造印刷電子學用的導電性及低溫燒結性優異的銀奈米粒子。若進行如專利文獻2般的高溫下的加熱還原，則胺的揮發會過度進行，並且配位於粒子上的胺發生脫落。

另外，專利文獻3及專利文獻4中，對使金屬氧化物或金屬氫氧化物分散於微波的吸收性(加熱性)良好的有機溶媒中而成的液體照射微波並將其加熱，但並非對黏性高的草酸銀-胺錯合物進行加熱。專利文獻5中亦揭示有對溶液照射微波並將其加熱的方法，但並非對黏性高的草酸銀-胺錯合物進行加熱。

本發明是鑒於所述現狀而成者，目的在於提供一種可由黏性高的草酸銀-胺錯合物於短時間內大量製造粒度分佈窄的銀奈米粒子的銀奈米粒子的製造方法。

本發明者等人對於銀奈米粒子的製造方法進行了諸多研究，結果著眼於自草酸銀-胺錯合物獲得銀奈米粒子的方法。然而，由於草酸銀-胺錯合物的黏性高，因此於油浴等通常方法中，加入量越增加，越難以於短時間內製造粒度分佈窄的銀奈米粒子。相對於此，本發明者等人進行了努力研究，結果發現烷基胺及烷氧基胺的微波吸收性良好，並發現若將烷基胺及烷氧基胺的至少一者與藉由微波照射的加熱組合來進行還原，則可於僅僅幾分鐘內合成銀奈米粒子，從而完成了本發明。

本發明的銀奈米粒子的製造方法的特徵在於包括：混合步驟，將胺與草酸銀混合而獲得於草酸銀上配位有胺的草酸銀-胺錯合物；以及加熱步驟，對所述草酸銀-胺錯合物照射微波並將其加熱而進行所述草酸銀-胺錯合物的還原，且所述胺包含選自烷基胺及烷氧基胺的至少一者中的至少一種化合物。

本發明的銀奈米粒子的製造方法亦可於所述混合步驟與所述加熱步驟之間具有對所述草酸銀-胺錯合物添加溶媒的步驟。

所述胺較佳為包含選自碳數5以下的烷基胺、及碳數5以下的烷氧基胺的至少一者中的至少一種化合物。

根據本發明，可由黏性高的草酸銀-胺錯合物於短時間內大量製造粒度分佈窄的銀奈米粒子。

本發明的銀奈米粒子的製造方法的特徵在於包括：混合步驟，將胺與草酸銀混合而獲得於草酸銀上配位有胺的草酸銀-胺錯合物；以及加熱步驟，對所述草酸銀-胺錯合物照射微波並將其加熱而進行所述草酸銀-胺錯合物的還原，且所述胺包含選自烷基胺及烷氧基胺的至少一者中的至少一種化合物。

(混合步驟)

本發明的銀奈米粒子的製造方法包括：混合步驟，將胺與草酸銀混合而獲得於草酸銀上配位有胺的草酸銀-胺錯合物。

所述胺包含選自烷基胺及烷氧基胺的至少一者中的至少一種化合物。具體而言，可僅使用被分類為烷基胺的1種化合物，或者亦可使用被分類為烷基胺的2種以上的化合物，或者可僅使用被分類為烷氧基胺的1種化合物，或者亦可使用被分類為烷氧基胺的2種以上的化合物，或者亦可將被分類為烷基胺的1種以上的化合物與被分類為烷氧基胺的1種以上的化合物併用。

另外，與草酸銀混合的胺較佳為僅為烷基胺及烷氧基胺的至少一者，但只要於加熱步驟之前不會引起還原反應，則亦可 添加烷基胺及烷氧基胺以外的胺。例如，烷醇胺之類的具有羥基的胺用作配位子時的極性高，於調配量多的情況下，有可能於加熱步驟之前引起還原反應。於添加有烷基胺及烷氧基胺以外的胺的情況下，較佳為相對於所使用的草酸銀的莫耳(mol)數而設為5當量以下。

烷基胺只要於分子內具有烷基及胺官能基即可，亦可為於分子內具有兩個胺官能基的二胺。另外，烷基胺亦可為一級胺、二級胺及三級胺中的任一者，但就促進錯合物的形成的觀點而言，較佳為一級胺。烷基可為直鏈狀，亦可為分支鏈狀，亦可於一部分中含有飽和碳環，但較佳地使用直鏈狀烷基胺。烷基胺的具體例可列舉：乙胺、丙胺、丁胺、戊胺、己胺、1,2-乙烷二胺、1,4-丁烷二胺、1,5-戊烷二胺等。其中，就促進錯合物的形成的觀點以及提高朝極性高的溶媒的分散性的觀點而言，較佳地使用碳數5以下的烷基胺。

烷氧基胺只要於分子內具有烷氧基及胺官能基即可。另外，烷氧基胺亦可為一級胺、二級胺及三級胺中的任一者，但就促進錯合物的形成的觀點而言，較佳為一級胺。烷氧基可為直鏈狀，亦可為分支鏈狀，亦可於一部分中含有飽和碳環或不飽和碳環，但較佳地使用直鏈狀烷氧基胺。烷氧基胺的具體例例如可列舉：N-(3-甲氧基丙基)丙烷-1,3-二胺、2-甲氧基乙胺、3-甲氧基丙胺、3-乙氧基丙胺等。其中，就促進錯合物的形成的觀點以及提高朝極性高的溶媒的分散性的觀點而言，較佳地使用碳數5以下 的烷氧基胺。

所述草酸銀為最單純的二羧酸銀，使用草酸銀所合成的草酸銀-胺錯合物於低溫且短時間內進行還原，故適於銀奈米粒子(奈米尺寸的銀微粒子)的合成。進而，若使用草酸銀，則於合成時不產生副產物，而僅於系統外產生源於草酸根離子的二氧化碳，故亦存在合成後精製的工時少這一優點。

所述胺與所述草酸銀的混合比率較佳為相較於銀原子的莫耳數而使所述胺的莫耳數增多，更佳為相對於銀原子1mol而添加2mol以上的所述胺。藉此，可使胺適量附著於藉由還原所生成的銀奈米粒子的表面，且可對銀奈米粒子賦予相對於各種分散介質優異的分散性與低溫燒結性。

所述胺與所述草酸銀的混合方法並無特別限定，但藉由胺與草酸銀進行錯合而黏度上升，故例如可利用使用磁力攪拌器等旋轉體來攪拌胺與草酸銀的混合液的方法。攪拌較佳為於室溫(10℃~30℃)下進行。可藉由有黏性的白色物質的生成而於外觀上確認獲得了草酸銀-胺錯合物。

所述混合步驟中，於不妨礙草酸銀-胺錯合物的形成的範圍內，亦可添加胺及草酸銀以外的物質，例如，亦可使用高分子分散劑。高分子分散劑可使用市售的高分子分散劑。市售的高分子分散劑例如可列舉：索思帕(SOLSPERSE)11200、索思帕13940、索思帕16000、索思帕17000、索思帕18000、索思帕20000、索思帕24000、索思帕26000、索思帕27000、索思帕28000(以 上，日本路博潤(Lubrizol)公司製造)；迪斯帕畢克(DISPERBYK)-102、110、111、170、190.194N、2015、2090、2096(以上，畢克化學日本(BYK-Chemie Japan)公司製造)；埃夫卡(EFKA)-46、埃夫卡-47、埃夫卡-48、埃夫卡-49(以上，埃夫卡化學(EFKA Chemical)公司製造)；聚合物(Polymer)100、聚合物120、聚合物150、聚合物400、聚合物401、聚合物402、聚合物403、聚合物450、聚合物451、聚合物452、聚合物453(以上，埃夫卡化學公司製造)；阿吉斯帕(Ajisper)PB711、阿吉斯帕PA111、阿吉斯帕PB811、阿吉斯帕PW911(以上，味之素公司製造)；弗洛蘭(Flowlen)DOPA-15B、弗洛蘭DOPA-22、弗洛蘭DOPA-17、弗洛蘭TG-730W、弗洛蘭G-700、弗洛蘭TG-720W(以上，共榮社化學工業公司製造)；迪高迪斯帕(TEGO Dispers)系列的610、610S、630、651、655、750W、755W(贏創(Evonik)公司製造)、迪斯帕隆(Disparlon)系列的DA-375、DA-1200(楠本化成公司製造)等。

(溶媒添加步驟)

本發明的銀奈米粒子的製造方法亦可於混合步驟與加熱步驟之間，包括對草酸銀-胺錯合物添加溶媒的步驟。草酸銀-胺錯合物為膏狀的增稠物，因此，藉由於加熱前添加溶媒來預先降低黏度，可使加熱步驟後所獲得的銀奈米粒子的粒徑更小，或者實現銀奈米粒子的分散性的提升。

所述溶媒只要可使混合步驟中所獲得的草酸銀-胺錯合 物分散並降低黏度，則無特別限定，但較佳為與製作導電性墨水時的分散介質相容者(極性相近者)、或者可成為所製造的銀奈米粒子的良溶媒的溶媒，例如可使用有機溶媒。另外，若於加熱步驟之前發生草酸銀-胺錯合物的還原，則妨礙藉由加熱來合成均勻的銀奈米粒子，故所述溶媒理想為相對於草酸銀-胺錯合物而不作為還原劑起作用的溶媒。所述有機溶媒例如可列舉：N-甲基吡咯啶酮、萜烯、萜品醇(terpineol)、乙酸二氫萜品酯、異佛爾酮、三丙二醇二甲醚、甲苯、三癸烷等良溶媒。所述溶媒可僅使用一種，亦可使用混合溶媒。

再者，本發明的銀奈米粒子的製造方法中，亦可於加熱步驟中對草酸銀-胺錯合物添加溶媒。

再者，根據本發明的銀奈米粒子的製造方法，於以下方面優異：由於可對草酸銀-胺錯合物自身進行直接加熱，因此即便為幾乎不含溶媒的增稠物的狀態，亦容易於草酸銀基準下以100mmol以上的規模進行草酸銀-胺錯合物的還原，尤其可以1mol以上的大規模進行草酸銀-胺錯合物的還原。

(加熱步驟)

本發明的銀奈米粒子的製造方法包括：加熱步驟，對草酸銀-胺錯合物照射微波並將其加熱而進行草酸銀-胺錯合物的還原。本發明中，藉由使用微波的吸收性能高的烷基胺及/或烷氧基胺，不使用還原劑便可藉由利用微波照射的加熱並藉由還原反應將草酸銀-胺錯合物分解而生成銀。另外，草酸銀與碳酸銀或者僅具有一 個羧基的羧酸相比，可於低溫下發生還原反應，因此，微波的照射可為短時間。加熱步驟中的加熱的最高溫度較佳為80℃~160℃的範圍內，更佳為100℃~130℃。加熱步驟中的微波照射時間依賴於合成規模或每單位時間的照射量，但較佳為30分鐘以內，更佳為5分鐘以內，進而佳為3分鐘內。若照射時間超過30分鐘，則尤其短鏈的配位子容易脫落，因此有所生成的粒子容易凝聚且分散穩定性降低之虞。另外，照射時間越長，生產性越降低。就生產性的觀點而言，微波照射時間以短為宜，還原反應結束後可立即結束照射，但通常進行1分鐘以上。

且說，包含草酸銀與胺的草酸銀-胺錯合物於常溫下的黏性非常高。因此，尤其於進行100mmol以上的大容量的合成的情況下，攪拌困難，於使用油浴或加熱器等導熱加熱的情況下，於直至藉由溫度上升而黏性降低且可充分地攪拌為止的加熱初期階段(系統內溫度接近90℃為止)，加熱不均尤其變大。因而，於反應容器的壁面附近發生還原反應，但反應容器的中心部難以變熱，故粒子的核生成於系統內變得不均勻，且容易產生粗大粒子。另外，由於包含草酸銀與胺的草酸銀-胺錯合物為增稠性，故即便使用液系的起始原料，亦難以抑制系統內的溫度不均。進而，於超音波之類的其他方法中，難以使溫度上升，並無法使草酸銀-胺錯合物還原。相對於此，藉由微波照射，不利用自反應容器的壁面側的導熱便可同時對壁面附近與中心部進行加熱，因此即便為黏性高的草酸銀-胺錯合物，亦可均勻地對系統內進行加熱。即， 於可使用微波照射這一簡便方法於短時間內製造粒度分佈窄的銀奈米粒子方面，最佳為草酸銀與烷基胺及/或烷氧基胺的組合。

另外，於藉由在胺的存在下對草酸銀-胺錯合物進行熱分解來製造經胺被覆的銀奈米粒子的熱分解法中，藉由作為單一種類的分子的草酸銀-胺錯合物的分解反應來生成銀原子，故能夠於反應系統內均勻地生成銀原子，與藉由多個成分間的反應生成銀原子的情況相比，可抑制由構成反應的成分的組成波動引起的反應的不均勻，尤其於以工業規模製造大量銀奈米粒子時有利。

另外，所生成的銀原子凝聚並形成銀奈米粒子，但藉由所述熱分解法所生成的銀原子上配位鍵結有胺分子，因此推測，藉由配位於銀原子上的胺分子的作用而發生凝聚時的銀原子的運動得到控制。其結果是，能夠非常微細地製造粒度分佈窄的銀奈米粒子。

根據本發明的銀奈米粒子的製造方法，藉由進行所述加熱步驟，可獲得平均粒徑為1μm以下的銀奈米粒子。若銀奈米粒子的粒徑為奈米尺寸，則發生熔點降低，且可於低溫下進行煅燒。另外，可使用印刷法形成例如線寬為5μm以下的微細的導電性圖案。所獲得的銀奈米粒子的平均粒徑較佳為1nm~200nm。若銀奈米粒子的平均粒徑為200nm以下，則銀奈米粒子的分散性不易發生經時變化。

所獲得的銀奈米粒子亦可含有平均粒徑超過200nm且為1μm以下的粒子。另外，所獲得的銀奈米粒子亦可含有平均粒 徑為1nm~200nm的奈米尺寸粒子、與平均粒徑超過200nm且為1μm以下的次微米尺寸粒子。藉由併用奈米尺寸粒子與次微米尺寸粒子而奈米尺寸粒子於次微米尺寸粒子的周圍發生熔點降低，藉此，與僅使用次微米尺寸粒子的情況相比，可形成良好的導電路徑。進而，所述加熱步驟中所獲得的銀奈米粒子亦可含有平均粒徑超過1μm的微米尺寸粒子，並視需要於加熱步驟後被去除。

銀奈米粒子的平均粒徑可藉由動態光散射法、小角X射線散射法、廣角X射線繞射法進行測定。本說明書中，所謂「平均粒徑」，是指分散中數直徑。分散中數直徑可藉由在動態光散射法(Dynamic Light Scattering)中，以粒徑基準為體積基準獲得分散粒徑而算出。

另外，烷基胺及/或烷氧基胺的分子藉由比較弱的鍵而附著於所述加熱步驟中所獲得的銀奈米粒子的表面，從而於銀奈米粒子的表面形成有保護被膜。保護被膜防止銀奈米粒子彼此的凝聚，並且經保護被膜被覆的銀奈米粒子構成無機膠體粒子，因此保存穩定性優異。另外，形成所述保護被膜的烷基胺及/或烷氧基胺能夠藉由加熱等而容易地脫離，故能夠製造可於低溫下燒結的銀奈米粒子。

於包含以所述方式獲得的銀奈米粒子的分散液中，除銀奈米粒子以外，亦存在金屬鹽的反離子、分散劑的殘留物等，且存在液體整體的電解質濃度或有機物濃度高的傾向。此種狀態的 液體由於導電度高等理由而容易引起銀奈米粒子的凝析並發生沈澱。或者，即便不沈澱，若殘留有金屬鹽的反離子、分散所需量以上的過剩的分散劑等，則亦有使導電性變差之虞。因此，較佳為於所述加熱步驟之後實施對包含銀奈米粒子的分散液進行清洗而去除多餘的殘留物的清洗步驟。

作為所述清洗步驟中的清洗方法，例如可列舉反覆多次進行如下處理的方法，即，將包含表面的至少一部分經有機成分被覆的銀奈米粒子的分散液靜置一定時間，並去除上清液之後，添加使銀奈米粒子沈澱的溶媒(例如，水、甲醇、甲醇/水混合溶媒等)並進行攪拌，再次靜置一定期間，將上清液去除。其他清洗方法可列舉：進行離心分離來代替所述靜置的方法、藉由超濾裝置或離子交換裝置等進行脫鹽的方法等。

相對於銀奈米粒子的不揮發成分整體而言的銀原子的重量比率較佳為90重量%以上。所謂所述不揮發成分，是指溶媒以外的成分，除銀奈米粒子以外，亦包含被覆銀奈米粒子的有機成分、高分子分散劑等。藉由銀原子的重量比率為90重量%以上，可形成銀含有率高的導電性圖案。

所獲得的銀奈米粒子與水、有機溶媒、分散劑、寡聚物成分、界面活性劑、增稠劑、表面張力調整劑等任意成分進行混合，並製成賦予有對應於使用目的的適度的黏性、密接性、乾燥性、表面張力、印刷性等功能的銀奈米粒子分散體，從而可獲得例如印刷電子學技術中所利用的導電墨水。此種銀奈米粒子分散 體藉由使用噴墨法、柔版法、網版印刷、凹版膠印等印刷法或分配器塗佈於基材上，進而進行煅燒，可形成導電性圖案。導電性圖案例如可列舉形成於電子電路基板上的構成電子電路的配線。

進行所述煅燒的方法並無特別限定，例如可使用先前公知的吉爾老化恆溫箱(Geer oven)等。所述煅燒的溫度較佳為未滿140℃，更佳為120℃以下。導電性圖案的體積電阻值可藉由煅燒的溫度與時間來控制，但本發明中所獲得的銀奈米粒子即便於未滿140℃的溫度下進行煅燒，亦可使銀奈米粒子彼此燒結(頸縮(necking))，並形成具有優異的導電性的導電性圖案，因此亦可形成於比較不耐熱的基材上。所述煅燒的溫度的下限未必受到限定，較佳為可於基材上形成導電性圖案的溫度，且為可藉由蒸發或分解將有機成分等去除的溫度。另外，煅燒時間並無特別限定，可根據煅燒溫度適當調整。

藉由本發明而獲得的導電性圖案的體積電阻值較佳為110μΩ．cm以下，更佳為100μΩ．cm以下，進而佳為50μΩ．cm以下。所述體積電阻值可基於下述式(1)而算出。

式(1)：(體積電阻值)=(電阻值)×(被膜寬度)×(被膜厚度)/(端子間距離)=(表面電阻值)×(被膜厚度)

所述煅燒步驟後的導電性圖案的被膜厚度例如為0.1μm~5μm，較佳為0.1μm~1μm。

[實施例]

以下，提出實施例來更詳細地說明本發明，但本發明並非僅限定於該些實施例。

<實施例1>

將3-甲氧基丙胺(和光純藥工業公司製造，試劑一級，碳數：4)9.0g與高分子分散劑(畢克化學日本(BYK-Chemie Japan)公司製造，「迪斯帕畢克(DISPERBYK)-102」)0.2g混合，並藉由磁力攪拌器進行攪拌而製作胺混合液。繼而，一面進行攪拌，一面添加草酸銀3.0g(10mmol)。添加草酸銀之後，於室溫下持續攪拌，藉此使草酸銀變化為具有黏性的白色物質，於確認到該變化於外觀上結束的時間點結束攪拌(混合步驟)。

將所獲得的混合液移至微波加熱裝置(四國計測工業股份有限公司製造，「μ反應器(Reactor)EX」)中，於輸出自動控制模式下將系統內的峰值溫度設定為120℃，設為30℃/min的升溫分佈(profile)並進行混合液的加熱。藉由碳酸氣體的噴出確認銀奈米粒子的合成狀況，以三分鐘結束混合液的加熱，從而獲得銀奈米粒子的懸浮液(加熱步驟)。

繼而，為了對懸浮液的分散介質進行置換，添加甲醇與水的混合溶媒10mL並攪拌之後，藉由離心分離使銀奈米粒子沈澱並分離，對所分離的銀奈米粒子添加甲醇與水的混合溶媒10mL並進行攪拌、離心分離，藉此使銀奈米粒子沈澱並精製分離，將所分離者於室溫下乾燥20分鐘而獲得漿料。對所獲得的漿料50 重量份添加50重量份的乙醇(和光純藥工業公司製造的試劑)並於磁力攪拌器上進行攪拌而分散於乙醇中。然後，進行離心分離並進行粗大成分的去除之後，將上清液回收，從而獲得包含銀奈米粒子的導電性墨水。

<實施例2>

將所使用的原料的量設為10倍規模，除此以外，以與實施例1同樣的操作獲得包含銀奈米粒子的導電性墨水。具體而言，將3-甲氧基丙胺設為90.0g，將高分子分散劑設為2.0g，將草酸銀設為30.4g，將清洗時的溶媒設為100mL。

<實施例3>

將所使用的原料的量設為100倍規模，並進行5分鐘混合液的加熱，除此以外，以與實施例1同樣的操作獲得包含銀奈米粒子的導電性墨水。具體而言，將3-甲氧基丙胺設為900.0g，將高分子分散劑設為20.0g，將草酸銀設為304.0g，將清洗時的溶媒設為1000mL。

<實施例4>

以與實施例3同樣的操作添加304.0g的草酸銀，並於室溫下持續攪拌，藉此使草酸銀向具有黏性的白色物質變化結束後，添加580.0g的N-甲基吡咯啶酮(和光純藥工業公司製造，試劑一級)，除此以外，以與實施例3同樣的操作獲得包含銀奈米粒子的導電性墨水。

<實施例5>

將胺混合液的製作中所使用的3-甲氧基丙胺9.0g變更為戊胺9.0g(和光純藥工業公司製造，試劑一級，碳數：5)，除此以外，以與實施例1同樣的操作獲得包含銀奈米粒子的導電性墨水。

<比較例1>

將混合液的加熱方法自微波加熱變更為油浴，並於120℃藉由油浴加熱15分鐘，除此以外，以與實施例1同樣的操作獲得包含銀奈米粒子的導電性墨水。

<比較例2>

將混合液的加熱方法自微波加熱變更為油浴，並於120℃藉由油浴加熱15分鐘，除此以外，以與實施例2同樣的操作獲得包含銀奈米粒子的導電性墨水。

<評價試驗>

藉由下述方法對於實施例及比較例中所製作的導電性墨水進行評價。將其結果示於下述表1。

(1)分散中數直徑

使用堀場製作所公司製造的動態光散射式粒徑分佈測定裝置(型號：LB-550)並藉由動態光散射法(Dynamic Light Scattering)對將導電性墨水於乙醇中稀釋100倍而成的試樣進行測定，而獲得分散粒徑。將測定時的溶媒折射率設為1.361。

(判定基準)

○：中數直徑40nm以下

△：中數直徑超過40nm~50nm以下

×：中數直徑超過50nm

(2)分散性

將導電性墨水於分散介質中稀釋2倍後靜置於容器中，於室溫下放置1天后，以目視觀察沈澱的有無及上清的狀態，藉此評價分散性。

(判定基準)

○：於容器下方幾乎未確認到沈降物

×：於容器上下方有明顯的濃度差，且清晰地確認到沈降物

(3)吸釋性

藉由目視來評價將導電性墨水於分散介質中稀釋100倍時的分散性。於剛剛稀釋後與吸收後一週的時間點進行評價。

(判定基準)

○：已分散

△：看到一部分凝聚或銀的析出

×：發生凝聚．沈澱

(4)體積電阻值

藉由旋塗法於2000rpm×15s的條件下將導電性墨水塗佈於25mm×25mm的載玻片(slide glass)上，然後於吉爾老化恆溫箱中於120℃、30分鐘的條件下進行加熱．煅燒，藉此使其燒結，從而形成導電性被膜。藉由電阻率計(三菱化學分析技術(Mitsubishi Chemical Analytech)公司製造的「羅萊斯塔(LORESTA)」，四深針方式)測定該被膜的表面電阻值，從而獲得表面電阻值。繼而， 藉由雷射顯微鏡(基恩士(KEYENCE)公司製造)測定厚度。然後，基於以下式子，根據表面電阻值與導電性被膜的厚度來換算體積電阻值。

式：體積電阻值(Ω．cm)=表面電阻值(Ω/□)×被膜厚度(μm)/10000

(5)合成時間

自生產性的觀點如以下般對加熱步驟中的加熱所需要的時間進行評價。

(判定基準)

○：5分鐘以內

△：超過5分鐘~15分鐘以內

[表1]

如根據表1可知般，實施例1~實施例5中，可藉由使用微波而迅速加熱，從而可大幅縮短合成時間。另外，藉由微波加熱，可同時對反應容器的壁面附近與中心部進行加熱，從而均勻地對有黏性的混合液進行加熱，因此可製造分散中數直徑小的銀奈米粒子。進而，實施例1~實施例5中所獲得的銀奈米粒子的分散性及稀釋性良好，於低溫(120℃)下煅燒時的體積電阻值低。

另外，根據實施例3及實施例4的結果可知，於使用微波的情況下，即便於草酸銀基準下將合成規模增大為1mol以上，亦可於短時間內製造小粒徑的銀奈米粒子。實施例4中，藉由於錯合物合成時添加溶媒，可降低混合液的黏性，且更均勻地進行加熱，因此，可製造分散中數直徑較實施例3小、且稀釋性優異的銀奈米粒子。

另一方面，比較例1及比較例2中，由於使用油浴，故合成時間變長。另外，若於油浴中合成規模變大，則發生反應容器的壁面附近與中心部的加熱不均，故於比較例2中，所獲得的銀奈米粒子的分散中數直徑大，且分散性及稀釋性變差。

(附注)

本發明的銀奈米粒子的製造方法於為了對黏性高的草酸銀-胺錯合物無加熱不均地均勻地進行加熱而照射微波的方面具有特徵，但如所述溶媒添加步驟般，藉由對草酸銀-胺錯合物添加溶媒，亦能夠降低草酸銀-胺錯合物的黏度。另外，包括將胺與草酸銀混合而獲得於草酸銀上配位有胺的草酸銀-胺錯合物的混合步驟、對所述草酸銀-胺錯合物添加溶媒的溶媒添加步驟、以及將所述草酸銀-胺錯合物加熱而進行所述草酸銀-胺錯合物的還原的加熱步驟，且所述胺包含選自烷基胺及烷氧基胺的至少一者中的至少一種化合物、的銀奈米粒子的製造方法(以下，亦稱為「本發明的第二銀奈米粒子的製造方法」)亦可有效地防止加熱步驟中的加熱不均，並作為自黏性高的草酸銀-胺錯合物於短時間內大量製造粒度分佈窄的銀奈米粒子的方法有用。另外，藉由在加熱前或加熱過程中預先添加可成為所製造的銀奈米粒子的良溶媒的溶媒，可防止粒子的粗大化。

再者，本發明的第二銀奈米粒子的製造方法中，加熱步驟亦可兼作溶媒添加步驟。即，亦可與溶媒的添加並行地進行草酸銀-胺錯合物的加熱。另外，本發明的第二銀奈米粒子的製造方 法中，混合步驟亦可兼作溶媒添加步驟。即，亦可與溶媒的添加並行地進行胺與草酸銀的混合。於混合步驟兼作溶媒添加步驟的情況下，較佳為使用非醇溶媒或者與所製成的銀奈米粒子具有相容性的有機溶媒。

本發明的第二銀奈米粒子的製造方法中，加熱方法並無特別限定，亦能夠應用藉由油浴等的加熱。

Claims (3)

1. 一種銀奈米粒子的製造方法，其特徵在於包括：混合步驟，將胺與草酸銀混合而獲得於草酸銀上配位有胺的草酸銀-胺錯合物；以及加熱步驟，對所述草酸銀-胺錯合物照射微波並將其加熱而進行所述草酸銀-胺錯合物的還原，且所述胺包含選自碳數5以下的烷基胺及碳數5以下的烷氧基胺的至少一者中的至少一種化合物。
2. 如申請專利範圍第1項所述的銀奈米粒子的製造方法，其中於所述混合步驟與所述加熱步驟之間具有對所述草酸銀-胺錯合物添加溶媒的步驟。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的銀奈米粒子的製造方法，其中於草酸銀基準下合成規模為100mmol以上。