TWI757346B - 光學膜及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題係提供一種光學膜，即使以經變形之狀態在高溫高濕環境下保管，端部亦不易產生龜裂。
該課題之解決手段為一種光學膜，係含有在分子內含有氟原子之聚醯亞胺系高分子，其中，在上述光學膜之端面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對碳原子之原子比(F/C)大於在從上述光學膜之上述端面切斷1mm內側而得之剖面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對碳原子之原子比(F/C)。
Description
本發明係關於光學膜及其製造方法、以及可撓性裝置。
以往，使用玻璃作為太陽電池、顯示器等各種顯示構件之基材及前面板等透明構件之材料。但，玻璃係有容易破裂且沉重之缺點。又，對於近年之顯示器之薄型化及輕量化、可撓性化之要求，不具有充分之材質。因此，作為取代玻璃之可撓性裝置之透明構件正在研究各種膜(光學膜)。
例如，專利文獻1已揭示使用聚醯亞胺樹脂組成物而形成之透明性、可撓性及耐折性等優異的聚醯亞胺膜。
[專利文獻1]日本特開2009-215412號公報
光學膜在使用於具有曲面之顯示器、可折疊之裝置、可捲曲之顯示器等時，有時以被捲曲之狀態(捲成卷筒狀之狀態)、經彎曲之狀態等經變形之狀態保管。但，以往之聚醯亞胺系膜在以捲成卷筒狀之狀態、經彎曲之狀態等經變形之狀態保管於高溫高濕環境下時，有在端部容易產生龜裂之問題。
本發明係有鑑於上述習知技術具有之課題而成者，目的在於提供一種光學膜，即使以經變形之狀態在高溫高濕環境下保管，在端部亦不易產生龜裂。本發明更以提供一種上述光學膜之製造方法、以及使用上述光學膜之可撓性裝置用前面板及可撓性裝置為目的。
為了達成上述目的，本發明提供一種光學膜，其係含有在分子內含有氟原子之聚醯亞胺系高分子，其中，在上述光學膜之端面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對碳原子之原子比(F/C)大於在從上述光學膜之上述端面切斷1mm內側而得之剖面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對碳原子之原子比(F/C)。
若依據上述光學膜，藉由使在端面之上述原子比(F/C)大於在從該端面切斷1mm內側而得之剖面中的上述原子比(F/C)，即使在將光學膜以捲成卷筒狀或彎曲等而使上述端面變形之狀態在高溫高濕(例如85℃、85%RH)環境下保管時，亦可抑制自上述端面之龜裂的產生。 咸認在以經變形之狀態在高溫高濕環境下保管時，除了因捲取或彎曲所致之變形以外，還會因熱膨脹、吸濕膨張在端部周邊產生複雜之應力，而產生龜裂，但咸認端面之氟原子相對地多於膜內部之膜係可抑制其複雜之應力。
上述光學膜之在上述光學膜之端面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對碳原子之原子比(FE/CE)、與在從上述光學膜之上述端面切斷1mm內側而得之剖面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對碳原子之原子比(FC/CC)之比(FE/CE)/(FC/CC)可為1.1至10。
本發明更提供一種光學膜，係含有在分子內含氟原子之聚醯亞胺系高分子，其中，在上述光學膜之端面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對氧原子之原子比(F/O)大於在從上述光學膜之上述端面切斷1mm內側而得之剖面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對氧原子之原子比(F/O)。
若依據上述光學膜，藉由使在端面之上述原子比(F/O)大於在從該端面切斷1mm內側而得之剖面中的上述原子比(F/O)，即使在將光學膜以捲成卷筒狀或彎曲等而使上述端面變形之狀態在高溫高濕(例如85℃、85%RH)環境下保管時，亦可抑制自上述端面之龜裂的產生。咸認在以經變形之狀態在高溫高濕環境下保管時，除了因捲取或彎曲所致之變形以外，還會因熱膨脹、吸濕膨張在端部周邊產生複雜之應力，而產生龜裂，但咸認端面之氟原子相對地多於膜內部之膜係可抑制其複雜之應力。
上述光學膜之在上述光學膜之端面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對氧原子之原子比(FE/OE)、與在從上述光學膜之上述端面切斷1mm內側而得之剖面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對氧原子之原子比(FC/OC)之比(FE/OE)/(FC/OC)可為1.1至10。
上述光學膜可更含有二氧化矽粒子。
本發明係更提供一種光學膜之製造方法，該光學膜係含有在分子內含氟原子之聚醯亞胺系高分子，該製造方法具備下列步驟：藉由使端面氧化，而使在上述光學膜之上述端面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對碳原子之原子比(F/C)大於在從上述光學膜之上述端面切斷1mm內側而得之剖面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對碳原子之原子比(F/C)。
藉由上述製造方法，可製造即使以經變形之狀態在高溫高濕環境下保管，亦不易在端部產生龜裂之光學膜。
本發明係更提供一種光學膜之製造方法，該光學膜係含有在分子內含氟原子之聚醯亞胺系高分子，該製造方法具備下列步驟：以雷射照射切斷胚膜而形成上述光學膜之端面，藉此使在上述光學膜之上述端面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對碳原子之原子比(F/C)大於在從上述光學膜之上述端面切斷1mm內側而得之剖面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對碳原子之原子比(F/C)。
藉由上述製造方法，可製造即使以經變形之狀態在高溫高濕環境下保管，亦不易在端部產生龜裂之光學膜。
本發明係更提供一種光學膜之製造方法，該光學膜係含有在分子內含氟原子之聚醯亞胺系高分子，該製造方法具備下列步驟：藉由使端面氧化，而使在上述光學膜之上述端面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對氧原子之原子比(F/O)大於在從上述光學膜之上述端面切斷1mm內側而得之剖面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對氧原子之原子比(F/O)。
藉由上述製造方法，可製造即使以經變形之狀態在高溫高濕環境下保管，亦不易在端部產生龜裂之光學膜。
本發明係更提供一種光學膜之製造方法，該光學膜係含有在分子內含氟原子之聚醯亞胺系高分子，該製造方法具備下列步驟：以雷射照射切斷胚膜而形成上述光學膜之端面，藉此使在上述光學膜之上述端面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對氧原子之原子比(F/O)大於在從上述光學膜之上述端面切斷1mm內側而得之剖面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對氧原子之原子比(F/O)。
藉由上述製造方法，可製造即使以經變形之狀態在高溫高濕環境下保管，亦不易在端部產生龜裂之光學膜。
本發明係更提供一種可撓性裝置用前面板，其係具有上述本發明之光學膜。
本發明係進一步提供一種可撓性裝置，其係具有可撓性機能層、及上述本發明之光學膜。
若依據本發明，可提供即使以經變形之狀態在高溫高濕環境下保管，亦不易在端部產生龜裂之光學膜及其製造方法、以及使用上述光學膜之可撓性裝置用前面板及可撓性裝置。
10‧‧‧光學膜
100‧‧‧可撓性顯示器
110‧‧‧前面板
120‧‧‧偏光板
120A‧‧‧偏光片
120B‧‧‧偏光板保護膜
130‧‧‧觸控感測膜
140‧‧‧有機EL元件層
150‧‧‧TFT基板
190‧‧‧可撓性機能層
C1、C2、C3、C4‧‧‧剖面
E1、E2、E3、E4‧‧‧端面
第1圖係表示本發明之實施形態的光學膜之一例的斜視圖。
第2圖係表示本發明之實施形態的可撓性顯示器之一例的斜視圖。
以下，視情況一邊參照圖式一邊詳細說明本發明之適宜的實施形態。又，在圖式中，同一或相當部分係賦予相同符號，並省略重複之說明。又，圖式之尺寸比率係不限於圖所示之比率。
本實施形態之光學膜係含有在分子內含有氟原子之聚醯亞胺系高分子，且滿足下述條件(1)或(2)中之一者或兩者。
條件(1)：在上述光學膜之端面以X射線光電子光譜法 所測定之氟原子對碳原子之原子比(F/C)大於在從上述光學膜之上述端面切斷1mm內側而得之剖面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對碳原子之原子比(F/C)。
條件(2)：在上述光學膜之端面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對氧原子之原子比(F/O)大於在從上述光學膜之上述端面切斷1mm內側而得之剖面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對氧原子之原子比(F/O)。
第1圖係表示本實施形態之光學膜的一例之斜視圖。第1圖所示之光學膜10係具有矩形(長方形)之平面形狀，並具有在短方向互相對向之二邊(形成矩形之互相平行之2個長邊)之端面E1及E2、以及在長方向互相對向之二邊(形成矩形之互相平行之2個短邊)之端面E3及E4。光學膜10，當將從端面E1、E2、E3及E4切斷1mm內側而得之切斷面分別設為剖面C1、C2、C3及C4時，在上述端面E1至E4及上述剖面C1至C4之各者以X射線光電子光譜法(XPS)所測定之氟原子對碳原子之原子比(F/C)在端面之全體或一部分中FE/CE大於FC/CC、及/或在上述端面E1至E4及上述剖面C1至C4之各者以X射線光電子光譜法(XPS)所測定之氟原子對氧原子之原子比(F/O)在端面之全體或一部分中FE/OE大於FC/OC。又，將在端面以XPS所測定之氟原子對碳原子之原子比設為FE/CE，將在剖面以XPS所測定之氟原子對碳原子之原子比設為FC/CC，將在端面以XPS所測定之氟原子對氧原子之原子比設為FE/OE，將在剖面以XPS所測定之氟原子對 氧原子之原子比設為FC/OC。適於具有四角形顯示器之可折疊裝置的光學膜較佳係滿足以下之(I)、(II)之任一條件，更佳係滿足兩者。
(I)在端面E1、E2中，FE/CE大於FC/CC、及/或FE/OE大於FC/OC。
(II)在端面E3、E4中，FE/CE大於FC/CC、及/或FE/OE大於FC/OC。
藉由使光學膜10滿足上述條件，亦即在端面中FE/CE大於FC/CC、及/或FE/OE大於FC/OC，即使以使光學膜10變形之狀態在高溫高濕環境下保管，亦可抑制自端面之龜裂的產生。從可抑制全部之自端面的龜裂的產生的觀點而言，光學膜10較佳係滿足上述(I)及(II)之條件之兩者。
龜裂容易從產生變形之端面發生，故從有效率地防止如此龜裂之觀點而言，可將FE/CE大於FC/CC、及/或FE/OE大於FC/OC之端面設為在光學膜產生彎曲時(例如保管時、使用時等)產生彎曲等變形之面。例如，將具有矩形之平面形狀的光學膜，以光學膜之短方向為軸而彎曲或捲成卷筒狀而保管時，在短方向互相對向之二邊的端面(例如在第1圖所示之光學膜10的情形係端面E1及E2)產生因彎曲所致之變形。在如此之情形，較佳係至少在光學膜之短方向互相對向之二邊的端面，氟原子以較膜內部更高濃度存在。
使用光學膜作為可撓性顯示器之構件時， 藉由使在顯示器內部膜變形之處的端部成為FE/CE大於FC/CC、及/或FE/OE大於FC/OC之端面，抑制自端部之龜裂所致之劣化，可獲得更高之可靠性。例如，具有曲面之顯示器時，使具有曲率之端部成為FE/CE大於FC/CC、及/或FE/OE大於FC/OC之端面時，有容易獲得本發明之效果的傾向。又，可折疊之裝置之情形，使因折疊而彎曲之側的端部成為FE/CE大於FC/CC、及/或FE/OE大於FC/OC之端面時，有容易獲得本發明之效果的傾向。可捲曲之顯示器之情形，使因捲曲而具有曲率之端部成為FE/CE大於FC/CC、及/或FE/OE大於FC/OC之端面時，有容易獲得本發明之效果的傾向。
光學膜之端面及剖面之XPS測定係可依以下之條件進行。又，XPS測定可藉由相對於光學膜之端面或剖面從垂直方向照射X射線，從45°方向檢測光電子來進行。
<XPS測定條件>
裝置：Quantera SXM(ULVAC PHI公司製)
X射線：AlKα線(1486.6eV)
X射線光點徑：50μm
中和條件：中和電子(1eV)、低速Ar離子(10eV)
以XPS所測定之氟原子對碳原子之原子比(F/C)、及/或氟原子對氧原子之原子比(F/O)可從XPS光譜之C1s、O1s及F1s譜峰面積求得。
形成欲進行XPS測定之剖面(光學膜10中 之剖面C1至C4)時之光學膜的切斷係以不使切斷面之原子組成變化且在切斷面不產生應變之方法進行。切斷係例如可使用剃刀進行。
本發明之一實施形態的光學膜10之端面中，(FE/CE)/(FC/CC)之值必須為大於1之值，但以1.1至10為較佳，以1.5至8為更佳，以2至5為再更佳。若該值為1.1以上，則在膜端面之氟原子的濃度充分地高於在膜剖面(膜內部)之氟原子的濃度，有可更充分抑制自該端面之龜裂的產生之傾向。
在光學膜10中，(FE/CE)/(FC/CC)之值大於1之端面中的FE/CE之值較佳係0.03以上，以0.04以上為更佳，以0.05以上為再更佳。若端面之FE/CE之值為0.03以上，則有可更充分抑制自該端面之龜裂的產生之傾向。
(FE/CE)/(FC/CC)之值大於1之端面可藉由雷射切斷而形成。以上述方法所形成之端面係(FE/CE)/(FC/CC)之值容易變成大於1，有可更充分抑制自該端面之龜裂的產生之傾向。
在本發明之另一實施形態的光學膜10之端面中，(FE/OE)/(FC/OC)之值必須為大於1之值，但以1.1至10為較佳，以1.3至8為更佳，以1.5至5為再更佳。若該值為1.1以上，在膜端面之氟原子的濃度充分地高於在膜剖面(膜內部)之氟原子的濃度，有可更充分抑制自該端面之龜裂的產生之傾向。
在光學膜10中，(FE/OE)/(FC/OC)之值大於1 之端面的FE/OE之值係以0.2以上為較佳。端面之FE/OE之值為0.2以上時，有可更充分抑制自該端面之龜裂的產生之傾向。
(FE/OE)/(FC/OC)之值大於1之端面可藉由雷射切斷而形成。以上述方法所形成之端面係(FE/OE)/(FC/OC)之值容易變成大於1，有可更充分抑制自該端面之龜裂的產生之傾向。
上述之光學膜10之折射率通常為1.45至1.70，較佳係1.50至1.66。
光學膜10之厚度可依照可撓性裝置之種類等而適當調整，但通常為10至500μm，以15至200μm為較佳，以20至100μm為更佳。
光學膜10通常為透明。光學膜10之依據JIS K 7105：1981之全光線穿透率通常為85%以上，較佳係90%以上。
光學膜10之依據JIS K 7105：1981之霧度值可為1以下，亦可為0.9以下。
又，折射率、全光線穿透率、及霧度值係在光學膜之厚度方向測定之值。
光學膜10之大小可依照所使用之可撓性裝置之大小而適當調節。光學膜10之平面形狀通常為矩形或正方形，但亦可為梯形、平行四邊形等其他的四角形。又，光學膜10之平面形狀亦可為經倒角之四角形。
(膜之材質)
(透明樹脂)
上述光學膜係包含：在分子內含有氟原子之聚醯亞胺系高分子等透明樹脂。
(聚醯亞胺系高分子)
在本說明書中，所謂聚醯亞胺係含有含醯亞胺基之重複構造單元的聚合物，所謂聚醯胺係含有含醯胺基之重複構造單元的聚合物。所謂聚醯亞胺系高分子係表示聚醯亞胺以及含有含醯亞胺基及醯胺基兩者的重複構造單元之聚合物。
本實施形態之聚醯亞胺系高分子係可藉由以後述之四羧酸化合物與二胺化合物作為主要原料而製造，且具有式(10)所示之重複構造單元。在此，G係4價之有機基，A係2價之有機基。亦可含有G及/或A不同之2種以上的式(10)所示之構造。
又，本實施形態之聚醯亞胺系高分子，在無損所得之聚醯亞胺系高分子膜的各種物性之範圍，亦可包含式(11)至式(13)之任一者所示之構造。
G及G1係4價之有機基，較佳係可被烴基或經氟取代之烴基所取代之有機基，可例示式(20)、式(21)、式(22)、式(23)、式(24)、式(25)、式(26)、式(27)、式(28)或式(29)所示之基以及4價之碳數6以下之鏈式烴基。式中之＊係表示鍵結鍵，Z係表示單鍵、-O-、-CH2-、-CH2-CH2-、-CH(CH3)-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、-Ar-、-SO2-、-CO-、-O-Ar-O-、-Ar-O-Ar-、-Ar-CH2-Ar-、-Ar-C(CH3)2-Ar-或-Ar-SO2-Ar-。Ar係表示可被氟原子取代之碳數6至20的伸芳基，具體例可舉例伸苯基。因容易抑制所得之膜的黃色度，故G及G1較佳係選自式(20)至式(27)所示之基的任一基。
G2為3價之有機基，較佳係可被烴基或經氟取代之烴基所取代之有機基，可例示式(20)、式(21)、式(22)、式(23)、式(24)、式(25)、式(26)、式(27)、式(28)或式(29)所示之基的鍵結鍵中之任一個被取代成氫原子之基以及3價之碳數6以下的鏈式烴基。
G3係2價之有機基，較佳係可被烴基或經氟取代之烴基所取代的有機基，可例示式(20)、式(21)、式(22)、式(23)、式(24)、式(25)、式(26)、式(27)、式(28)或式(29)所示之基的鍵結鍵之中不相鄰之2個被取代成氫原子的基以及碳數6以下之鏈式烴基。
A、A1至A3之任一者均為2價之有機基，較佳係可被烴基或經氟取代之烴基所取代的有機基，可例 示式(30)、式(31)、式(32)、式(33)、式(34)、式(35)、式(36)、式(37)或式(38)所示之基；該等被甲基、氟基、氯基或三氟甲基取代之基以及碳數6以下之鏈式烴基。式中之＊係表示鍵結鍵，Z1、Z2及Z3係各別獨立地表示單鍵、-O-、-CH2-、-CH2-CH2-、-CH(CH3)-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、-SO2-或-CO-。1個例係Z1及Z3為-O-，且Z2為-CH2-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-或-SO2-。Z1與Z2、及Z2與Z3較佳係各別相對於各環為間位或對位。
上述光學膜可含有聚醯胺。本實施形態之聚醯胺係以式(13)所示之重複構造單元為主之聚合物。較佳例及具體例係與聚醯亞胺系高分子中之G3及A3相同。亦可含有G3及/或A3不同之2種以上的式(13)所示之構造。 聚醯亞胺系高分子係例如可藉由二胺與四羧酸化合物(四羧酸二酐等)之聚縮合而得，例如可依據日本特開2006-199945號公報或日本特開2008-163107號公報記載之方法而合成。聚醯亞胺之市售品可舉例如三菱GAS化學(股)製Neopulim、河村產業(股)製KPI-MX300F等。
聚醯亞胺系高分子之合成所使用的四羧酸化合物可舉例如芳香族四羧酸二酐等芳香族四羧酸化合物及脂肪族四羧酸二酐等脂肪族四羧酸化合物。四羧酸化合物可單獨使用，亦可併用2種以上。四羧酸化合物除了二酐之外，亦可為醯氯化合物等四羧酸化合物類似物。
芳香族四羧酸二酐之具體例可舉例如4,4’-氧二酞酸二酐、3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、2,2’,3,3’-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐、2,2’,3,3’-聯苯四羧酸二酐、3,3’,4,4’-二苯基碸四羧酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯氧基苯基)丙烷二酐、4,4’-(六氟亞異丙基)二酞酸二酐、1,2-雙(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、1,1-雙(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、1,2-雙(3,4-二羧基苯基)乙烷二酐、1,1-雙(3,4-二羧基苯基)乙烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、4,4’-(對伸苯基二氧基)二酞酸二酐、4,4’-(間伸苯基二氧基)二酞酸二酐及2,3,6,7-萘四羧酸二酐，較佳可舉例如4,4’-氧二酞酸二酐、3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、 2,2’,3,3’-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐、2,2’,3,3’-聯苯四羧酸二酐、3,3’,4,4’-二苯基碸四羧酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯氧基苯基)丙烷二酐、4,4’-(六氟亞異丙基)二酞酸二酐、1,2-雙(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、1,1-雙(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、1,2-雙(3,4-二羧基苯基)乙烷二酐、1,1-雙(3,4-二羧基苯基)乙烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、4,4’-(對伸苯基二氧基)二酞酸二酐及4,4’-(間伸苯基二氧基)二酞酸二酐。該等可單獨使用或組合2種以上而使用。
脂肪族四羧酸二酐可舉例如環式或非環式之脂肪族四羧酸二酐。所謂環式脂肪族四羧酸二酐係具有脂環式烴構造之四羧酸二酐，其具體例可舉例如1,2,4,5-環己烷四羧酸二酐、1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,2,3,4-環戊烷四羧酸二酐等環烷四羧酸二酐；雙環[2.2.2]辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐、二環己基3,3’-4,4’-四羧酸二酐及該等之位置異構物。該等可單獨使用或組合2種以上而使用。非環式脂肪族四羧酸二酐之具體例可舉例如1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、1,2,3,4-戊烷四羧酸二酐等，該等可單獨使用或組合2種以上而使用。
上述四羧酸二酐之中，從高透明性及低著色性之觀點而言，較佳係1,2,4,5-環己烷四羧酸二酐、雙環[2.2.2]辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐及4,4’-(六氟亞異丙 基)二酞酸二酐。
又，本實施形態之聚醯亞胺系高分子，在無損所得之聚醯亞胺系高分子膜之各種物性的範圍，除了在上述之聚醯亞胺合成中所使用之四羧酸之酐以外，亦可為使四羧酸、三羧酸及二羧酸以及該等之酐及衍生物進一步反應而成者。
三羧酸化合物可舉例如芳香族三羧酸、脂肪族三羧酸及該等之類似物之醯氯化合物、酸酐等，可併用2種以上。具體例可舉例如1,2,4-苯三羧酸之酐；2,3,6-萘三羧酸-2,3-酐；酞酸酐與安息香酸以單鍵、-CH2-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、-SO2-或伸苯基連結而成之化合物。
二羧酸化合物可舉例如芳香族二羧酸、脂肪族二羧酸及該等之類似物的醯氯化合物、酸酐等，可併用2種以上。具體例可舉例如對酞酸；異酞酸；萘二羧酸；4,4’-聯苯二羧酸；3,3’-聯苯二羧酸；碳數8以下之鏈式烴的二羧酸化合物及2個安息香酸以單鍵、-CH2-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、-SO2-或伸苯基鍵結而成的化合物。
在聚醯亞胺系高分子之合成中所使用之二胺係可為脂肪族二胺、芳香族二胺或該等之混合物。又，在本實施形態中所謂「芳香族二胺」係表示胺基直接鍵結於芳香環之二胺，可於其構造之一部分含有脂肪族基或其他取代基。芳香環可為單環亦可為縮合環，可例示苯環、萘環、蒽環及茀環等，但不限定於該等。該等之中，較佳係苯環。又，所謂「脂肪族二胺」係表示胺基直接鍵結於 脂肪族基之二胺，可於其構造之一部分含有芳香環或其他取代基。
脂肪族二胺可舉例如六亞甲基二胺等非環式脂肪族二胺及1,3-雙(胺基甲基)環己烷、1,4-雙(胺基甲基)環己烷、降莰烷二胺、4,4’-二胺基二環己基甲烷等環式脂肪族二胺等，該等可單獨使用或組合2種以上而使用。
芳香族二胺可舉例如對伸苯基二胺、間伸苯基二胺、2,4-甲苯二胺、間苯二甲胺、對苯二甲胺、1,5-二胺基萘、2,6-二胺基萘等具有一個芳香環之芳香族二胺；4,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基丙烷、4,4’-二胺基二苯基醚、3,4’-二胺基二苯基醚、3,3’-二胺基二苯基醚、4,4’-二胺基二苯基碸、3,4’-二胺基二苯基碸、3,3’-二胺基二苯基碸、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、4,4’-二胺基二苯基碸、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]碸、雙〔4-(3-胺基苯氧基)苯基〕碸、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]丙烷、2,2’-二甲基聯苯胺、2,2’-雙(三氟甲基)聯苯胺、4,4’-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、4,4’-二胺基二苯基醚、3,4’-二胺基二苯基醚、4,4’-二胺基二苯基甲烷、9,9-雙(4-胺基苯基)茀、9,9-雙(4-胺基-3-甲基苯基)茀、9,9-雙(4-胺基-3-氯苯基)茀、9,9-雙(4-胺基-3-氟苯基)茀等具有2個以上芳香環之芳香族二胺，該等可單獨使用或組合2種以上而使用。
上述二胺之中，從高透明性及低著色性之觀點而言，以使用選自由具有聯苯構造之芳香族二胺所構 成之群的1種以上為較佳。以使用選自由2,2’-二甲基聯苯胺、2,2’-雙(三氟甲基)聯苯胺、4,4’-雙(4-胺基苯氧基)聯苯及4,4’-二胺基二苯基醚所構成之群的1種以上為更佳，以含有2,2’-雙(三氟甲基)聯苯胺為再更佳。
屬於含有至少1種式(10)至式(13)之任一者所示之重複構造單元之聚合物的聚醯亞胺系高分子及聚醯胺，係使二胺與由四羧酸化合物(醯氯化合物、四羧酸二酐等四羧酸化合物類似物)、三羧酸化合物(醯氯化合物、三羧酸酐等三羧酸化合物類似物)及二羧酸化合物(醯氯化合物等二羧酸化合物類似物)所構成之群中所含的至少1種化合物的聚縮合生成物之縮合型高分子。起始原料除了該等之外，有時亦進一步使用二羧酸化合物(含有醯氯化合物等類似物)。式(11)所示之重複構造單元通常係衍生自二胺類及四羧酸化合物。式(12)所示之重複構造單元通常係衍生自二胺及三羧酸化合物。式(13)所示之重複構造單元通常係衍生自二胺及二羧酸化合物。二胺及四羧酸化合物之具體例係如上述。
本實施形態之聚醯亞胺系高分子及聚醯胺之標準聚苯乙烯換算重量平均分子量通常為10,000至500,000，較佳係50,000至500,000，更佳係100,000至400,000。聚醯亞胺系高分子及聚醯胺之重量平均分子量愈大，有膜化時愈容易顯現高的耐彎曲性之傾向，但若聚醯亞胺系高分子之重量平均分子量過大，則有清漆之黏度變高，加工性降低之傾向。
聚醯亞胺系高分子及聚醯胺係藉由含有含氟取代基，膜化時的彈性模數會提高，同時有YI值降低，透明性亦提高之傾向。若膜之彈性模數高，有抑制損傷及皺紋等產生之傾向。又，在分子內含有氟原子之聚醯亞胺系高分子係藉由具有上述之(FE/CE)/(FC/CC)之值、及/或(FE/OE)/(FC/OC)之值大於1之端面，即使以經變形之狀態在高溫高濕環境下保管，亦可充分抑制自該端部之龜裂的產生。含氟取代基之具體例可舉例如氟基及三氟甲基。
(在分子內含有氟原子之聚醯亞胺系高分子)
在分子內含有氟原子之聚醯亞胺系高分子係在聚醯亞胺系高分子之分子構造中之G、G1至G3、A、A1至A3及Ar之中的至少一個，具有經氟取代之基。在分子內含有氟原子之聚醯亞胺系高分子中之氟原子的含量，以聚醯亞胺系高分子之質量作為基準，較佳係1質量%以上40質量%以下，更佳係5質量%以上40質量%以下。氟原子之含量為1質量%以上時，有更提升膜化時的彈性模數，更降低YI值，更提高透明性之傾向。若氟原子之含量為40質量%以下，有成本、合成時之反應性變有利之傾向。
本實施形態之光學膜中，聚醯亞胺系高分子之含量，以光學膜之全質量作為基準，通常為30質量%以上，較佳係40質量%以上，更佳係50質量%以上。聚醯亞胺系高分子之含量為30質量%以上時，有膜之耐彎曲性變有利之傾向。
(無機粒子)
本實施形態之光學膜，除了上述之聚醯亞胺系高分子之外，亦可更含有無機粒子等無機材料。
無機材料較佳係可舉例如二氧化矽粒子、正矽酸四乙酯(TEOS)等4級烷氧基矽烷等矽化合物，從清漆安定性之觀點而言，以二氧化矽粒子為較佳。
二氧化矽粒子之平均一次粒徑較佳係10至100nm，更佳係20至80nm。二氧化矽粒子之平均一次粒徑為100nm以下時，有透明性提高之傾向。二氧化矽粒子之平均一次粒徑為10nm以上時，因二氧化矽粒子之凝聚力變弱，故有處理變容易之傾向。
本實施形態之二氧化矽微粒子，可為使二氧化矽粒子分散在有機溶劑等而成之二氧化矽溶膠，亦可使用以氣相法所製造之二氧化矽微粒子粉末，但因操作容易，故以二氧化矽溶膠為較佳。
光學膜中之二氧化矽粒子之(平均)一次粒徑可藉由穿透型電子顯微鏡(TEM)之觀察求得。形成光學膜之前的二氧化矽粒子之粒度分布可藉由市售之雷射繞射式粒度分布計求得。
在本實施形態之光學膜中，無機材料之含量，以光學膜之全質量作為基準，通常為0質量%以上70質量%以下，較佳係0質量%以上60質量%以下，再更佳係0質量%以上50質量%以下。無機材料(矽材料)之含量為上述之範圍內時，有容易兼具光學膜之透明性及機械強 度之傾向。
本實施形態之光學膜，除了以上說明之成分以外，亦可更含有添加劑。上述添加劑可舉例如pH調整劑、二氧化矽分散劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、離型劑、安定劑、上藍劑(blueing agent)等著色劑、阻燃劑、滑劑及調平劑。
樹脂成分及無機材料以外之成分之含量，以光學膜之全質量作為基準，較佳為0質量%以上20質量%以下，更佳係超過0質量%且10質量%以下。
(光學膜之製造方法)
其次，說明本實施形態之光學膜的製造方法之一例。
本實施形態之光學膜的製作所使用之清漆，例如可藉由將自上述四羧酸化合物、上述二胺及上述之其他之原料選擇並反應所得之聚醯亞胺系高分子的反應液、溶劑以及視需要所使用之上述添加劑進行混合、攪拌而調製。亦可變更聚醯亞胺系高分子等之反應液，而使用購入之聚醯亞胺系高分子等之溶液、購入之固體的聚醯亞胺系高分子等之溶液。
上述清漆所含之溶劑只要為可使聚醯亞胺系高分子溶解即可。溶劑可使用例如N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等醯胺系溶劑；γ-丁內酯、γ-戊內酯等內酯系溶劑；二甲基碸、二甲基亞碸、環丁碸等含硫系溶劑；碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等碳酸酯系溶劑。該等溶劑之中，以醯胺系溶劑或內酯系溶劑為較佳。又，該等溶劑 可單獨使用或混合2種以上而使用。
然後，藉由公知之卷筒至卷筒、批次方式，在樹脂基材、不鏽鋼帶或玻璃基材上塗布上述之清漆而形成塗膜，使該塗膜乾燥，從基材剝離，藉此，獲得含有聚醯亞胺系高分子之膜。剝離後，可進一步進行膜之乾燥。
塗膜之乾燥係藉由以溫度50至350℃使溶劑蒸發而進行。乾燥可在大氣下、惰性環境下或減壓下進行。
樹脂基材之例可舉例如PET、PEN、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺等。其中，以耐熱性優異之樹脂為較佳。尤其，就與膜之密著性及成本之觀點而言，以PET基材為較佳。
繼而，對於膜之端面，係以使針對該端面以XPS所測定之氟原子對碳原子之原子比(FE/CE)、及/或氟原子對氧原子之原子比(FE/OE)大於針對從該端面1mm內側以剃刀切斷而得之剖面以XPS所測定之氟原子對碳原子之原子比(FC/CC)、及/或氟原子對氧原子之原子比(FE/OE)之方式施予處理。
又，本發明係包含：使含有聚醯亞胺系高分子之光學膜的端面氧化之方法、照射雷射之方法。藉由該等方法，可獲得即使以經變形之狀態在高溫高濕環境下保管，在端部亦不易產生龜裂之含有聚醯亞胺系高分子的膜。
可使用於雷射照射之雷射係無特別限定， 而可使用任意之雷射。可使用之雷射具體上可舉例如CO2雷射、準分子雷射等氣體雷射；YAG雷射等固體雷射；半導體雷射等。可使用於雷射照射之適宜的雷射係CO2雷射。具體上係藉由將聚醯亞胺系高分子胚膜以CO2雷射切斷成所希望之大小，而可容易地獲得即使以經變形之狀態在高溫高濕環境下保管，在端部亦不易產生龜裂之包含聚醯亞胺系高分子的膜。端面之氧化亦可藉由雷射照射而進行。
從使膜端面之原子比(FE/CE)容易且充分地高於膜內部之原子比(FC/CC)、及/或使膜端面之原子比(FE/OE)容易且充分地高於膜內部之原子比(FC/OC)之觀點而言，雷射照射係以下列之條件進行為較佳。亦即，雷射係以CO2雷射為較佳，以10μm以下之波長為更佳。輸出係若為可切斷膜之條件，因可與切斷同時地增加端部之氟量，故較佳。輸出係以10W以上為較佳，以12W以上為更佳。以雷射進行之加工速度較佳係50mm/sec以上，以100mm/sec以上為更佳。亦可對端部照射複數次雷射。
所得之光學膜使用於例如具有曲面之顯示器、可折疊之裝置、可捲曲之顯示器等時，有時以經捲曲之狀態(捲成卷筒狀之狀態)或經彎曲之狀態等經變形的狀態保管。此時，光學膜之端面係成為經變形之狀態。又，經變形之狀態的光學膜在保管時有時放置在高溫高濕環境下。如此，將光學膜以經變形之狀態在高溫高濕環境下保管時，習知之光學膜係有在端部容易產生龜裂之問題，但 若依據本實施形態之光學膜，藉由在端面FE/CE高於FC/CC、及/或FE/OE高於FC/OC，可抑制在端部產生龜裂。
(用途)
如此之光學膜可適宜使用作為可撓性裝置之前面板。本實施形態之可撓性裝置係具有可撓性機能層、重疊在可撓性機能層並作為前面板而發揮功能之上述光學膜。亦即，可撓性裝置之前面板係配置於可撓性機能層之上之辨識側。該前面板係具有保護可撓性機能層之機能。
可撓性裝置之例可舉例如圖像顯示裝置(可撓性顯示器、電子紙等)、太陽電池等。例如，顯示器機能層、太陽電池機能層成為可撓性機能層。
可撓性顯示器之一例表示於第2圖。該可撓性顯示器100係從表面側(辨視側)起依序具有前面板110/偏光板保護膜120B/偏光片120A/偏光板保護膜120B/觸控感測膜130/有機EL元件層140/TFT基板150之構成。可撓性顯示器100中之前面板110以外之層為可撓性機能層190。偏光板保護膜120B/偏光片120A/偏光板保護膜120B係構成偏光板120。在各層之表面及各層間，可含有硬塗層、黏著層、接著層、相位差層等。前面板110可使用上述之光學膜10。如此之可撓性顯示器可使用作為平板電腦、智慧型手機、行動遊戲機等之圖像顯示部。
若依據本實施形態之可撓性裝置，使用上述之光學膜10作為前面板110。光學膜10係因抑制自端面之龜裂的產生，故可提升可靠性。
又，亦可設為在該光學膜之表面附加有紫外線吸收層、硬塗層、黏著層、色相調整層、折射率調整層等各種機能層的積層體。
以下，依據實施例及比較例而更具體說明本發明，但本發明係不限於以下之實施例。
(實施例1)
將屬於聚醯亞胺系高分子之三菱GAS化學公司製「Neopulim C6A20」(γ-丁內酯溶劑、22質量%)、在γ-丁內酯中分散有固形分濃度30質量%之二氧化矽粒子的溶液、具有胺基之烷氧基矽烷的二甲基乙醯胺溶液、及水混合，攪拌30分鐘。在此，使二氧化矽與聚醯亞胺之質量比為30：70，使具有胺基之烷氧基矽烷之量相對於二氧化矽及聚醯亞胺之合計100質量份為1.67質量份，使水相對於二氧化矽及聚醯亞胺之合計100質量份為10質量份。
將所得之混合溶液塗布於玻璃基板，在50℃加熱30分鐘，在140℃加熱10分鐘而乾燥溶劑。其後，將膜從玻璃基板剝離，安裝金屬框並在210℃加熱1小時，獲得厚度50μm之透明聚醯亞胺系胚膜。胚膜之折射率係1.57。
藉由依以下之條件實施CO2雷射照射，進行膜之切斷與端部之改質。
裝置：Keyence公司製ML-Z9510T
波長：9.3μm
輸出：80%
加工速度：150mm/秒
加工尺寸：5cm×5cm
(比較例1)
以與實施例1同樣之方法獲得聚醯亞胺系高分子胚膜。從所得之胚膜以剪切刀切出矩形(5cm×5cm)之區域獲得光學膜。
<XPS測定>
針對實施例及比較例所得之光學膜之端部，依以下之步驟1及2進行X射線光電子光譜法(XPS)測定。XPS測定條件係如下。
裝置：Quantera SXM(ULVAC PHI公司製)
X射線：AlKα線(1486.6eV)
X射線光點徑：50μm
中和條件：中和電子(1eV)、低速Ar離子(10eV)
(步驟1)
將光學膜貼附於金屬塊，固定成膜端面朝上之狀態，從上方(垂直方向)對膜端面照射X射線，從45°方向檢測光電子而評估膜端面。從所得之XPS光譜之C1s及F1s譜峰面積算出F/C。針對膜之一邊之端面測定等間隔距離之3點並算出F/C，以該等之平均值作為該端面之F/C。又，以同樣方式，求出F/O。
(步驟2)
其次，將從膜端面於內側距離1mm之處以剃刀 (PERSONNA公司製、Single Edge、不鏽鋼、3-Facet.009”/.23mm)壓切而切斷。針對以剃刀之切斷面，以與步驟1相同之條件進行XPS測定，作為膜剖面(膜內部)之F/C。又，以同樣方式，求出F/O。
上述XPS測定，首先，針對實施例及比較例所得之光學膜的對向之二邊之端部(各別稱為第一端部及第二端部)進行。結果表示於表1中。又，針對實施例及比較例所得之光學膜，係4邊皆與第一端部及第二端部同等之XPS測定結果。
<耐龜裂性之評估>
將實施例及比較例所得之5cm×5cm之光學膜捲附在5mm徑之SUS棒，在85℃、85%RH環境下保管15小時。捲附係在第一端部、第二端部之二邊與SUS棒垂直地被捲取之方向進行。觀察保管後之光學膜之第一端部及第二端部，以光學顯微鏡確認產生之龜裂。計算第一端部及第二端部之每5cm寬度之超過100μm之長度的龜裂數，求出兩端部之龜裂數的平均值。結果表示於表1中。
從表1所示之結果，可知實施例1之膜端面係氧原子增加而被氧化。又，從表1所示之結果明顯確認出依據相較於膜內部，端面之F/C值較大的實施例1之光學膜，即使以經變形之狀態在高溫高濕環境下保管，亦難以在端部產生龜裂。又，確認出依據相較於膜內部，端面之F/O值較大的實施例1之光學膜，即使以經變形之狀態在高溫高濕環境下保管，亦難以在端部產生龜裂。
10‧‧‧光學膜
C1、C2、C3、C4‧‧‧剖面
E1、E2、E3、E4‧‧‧端面
Claims (11)
- 一種光學膜，係含有在分子內含氟原子之聚醯亞胺系高分子，其中，在前述光學膜之端面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對碳原子之原子比(F/C)大於在從前述光學膜之前述端面切斷1mm內側而得之剖面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對碳原子之原子比(F/C)。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學膜，其中，在前述光學膜之端面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對碳原子之原子比(FE/CE)、與在從前述光學膜之前述端面切斷1mm內側而得之剖面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對碳原子之原子比(FC/CC)之比(FE/CE)/(FC/CC)為1.1至10。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學膜，其中，在前述光學膜之端面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對氧原子之原子比(F/O)大於在從前述光學膜之前述端面切斷1mm內側而得之剖面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對氧原子之原子比(F/O)之比。
- 如申請專利範圍第3項所述之光學膜，其中，在前述光學膜之端面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對氧原子之原子比(FE/OE)、與在從前述光學膜之前述端面切斷1mm內側而得之剖面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對氧原子之原子比(FC/OC)之比(FE/OE)/(FC/OC)為1.1至10。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之光學膜，更含有二氧化矽粒子。
- 一種光學膜之製造方法，該光學膜係含有在分子內含氟原子之聚醯亞胺系高分子，該製造方法具備下列步驟：藉由雷射照射使端面氧化，而使在前述光學膜之前述端面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對碳原子之原子比(F/C)大於在從前述光學膜之前述端面切斷1mm內側而得之剖面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對碳原子之原子比(F/C)。
- 一種光學膜之製造方法，該光學膜係含有在分子內含氟原子之聚醯亞胺系高分子，該製造方法具備下列步驟：以雷射照射切斷胚膜而形成前述光學膜之端面，藉此使在前述光學膜之前述端面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對碳原子之原子比(F/C)大於在從前述光學膜之前述端面切斷1mm內側而得之剖面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對碳原子之原子比(F/C)。
- 如申請專利範圍第6項所述之光學膜之製造方法，該製造方法更具備下列步驟：藉由雷射照射使端面氧化，而使在前述光學膜之前述端面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對氧原子之原子比(F/O)大於在從前述光學膜之前述端面切斷1mm內側而得之剖面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對氧原子之原子比(F/O)。
- 如申請專利範圍第7項所述之光學膜之製造方法，該製造方法更具備下列步驟：以雷射照射切斷胚膜而形成前述光學膜之端面，藉此使在前述光學膜之前述端面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對氧原子之原子比(F/O)大於在從前述光學膜之前述端面切斷1mm內側而得之剖面以X射線光電子光譜法所測定之氟原子對氧原子之原子比(F/O)。
- 一種可撓性裝置用前面板，係具備申請專利範圍第1至5項中任一項所述之光學膜。
- 一種可撓性裝置，係具有可撓性機能層、及申請專利範圍第1至5項中任一項所述之光學膜。
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| CN113874767B (zh) * | 2019-05-30 | 2024-07-02 | 东洋纺株式会社 | 折叠型显示器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200525175A (en) * | 2003-12-26 | 2005-08-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | Antireflection film, polarizing plate, method for producing them, liquid crystal display element, liquid crystal display device, and image display device |
| CN1782758A (zh) * | 2004-11-30 | 2006-06-07 | 日东电工株式会社 | 用于制造薄膜光波导的方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0725879A (ja) * | 1993-03-12 | 1995-01-27 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 新規含フッ素カルボン酸無水物とその誘導体 |
| JP2000080163A (ja) | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | フッ素化ポリイミドおよびその前駆体 |
| JP2001049014A (ja) | 1999-08-10 | 2001-02-20 | Sharp Corp | 有機高分子膜の加工方法およびそれを用いて加工された構造体 |
| JP2002020513A (ja) | 2000-07-06 | 2002-01-23 | Toray Ind Inc | エッチング方法 |
| JP4784009B2 (ja) | 2001-07-11 | 2011-09-28 | 住友金属鉱山株式会社 | ポリイミド樹脂フィルムの加工方法 |
| EP1454945A1 (en) * | 2003-03-06 | 2004-09-08 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Method and apparatus for production of fluorine-containing polyimide film |
| JP4544913B2 (ja) | 2004-03-24 | 2010-09-15 | 富士フイルム株式会社 | 表面グラフト形成方法、導電性膜の形成方法、金属パターン形成方法、多層配線板の形成方法、表面グラフト材料、及び導電性材料 |
| EP1605012A1 (en) | 2004-06-10 | 2005-12-14 | SOLVAY (Société Anonyme) | Fluoropolymer tape, article comprising a fluoropolymer tape and process for manufacturing a fluoropolymer tape |
| CN101400492B (zh) | 2006-03-20 | 2012-07-25 | 三井化学株式会社 | 光学膜及其制造方法 |
| JP4808106B2 (ja) | 2006-08-23 | 2011-11-02 | 日東電工株式会社 | 光学フィルムの切断方法 |
| JP5096040B2 (ja) | 2007-05-16 | 2012-12-12 | 日東電工株式会社 | レーザー加工方法及びレーザー加工品 |
| JP4957592B2 (ja) | 2008-03-10 | 2012-06-20 | 新日本理化株式会社 | ポリイミド樹脂組成物及びその成形体 |
| JP2010083092A (ja) | 2008-10-02 | 2010-04-15 | Toray Ind Inc | 樹脂フィルムロールおよびその製造方法 |
| JP5742725B2 (ja) | 2010-10-13 | 2015-07-01 | 東洋紡株式会社 | ポリイミドフィルムとその製造方法、積層体の製造方法 |
| KR101708503B1 (ko) * | 2010-10-27 | 2017-02-20 | 동우 화인켐 주식회사 | 필름 절단을 위한 레이저 절단 장치 및 이를 이용한 필름 절단 방법 |
| EP2660042B1 (en) | 2010-12-27 | 2015-04-29 | Konica Minolta, Inc. | Method for manufacturing gas-barrier film, gas-barrier film, and electronic device |
| US9365694B2 (en) | 2012-07-27 | 2016-06-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition including polyimide block copolymer and inorganic particles, method of preparing same, article including same, and display device including the article |
| WO2014084279A1 (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-05 | 旭硝子株式会社 | ネガ型感光性樹脂組成物、樹脂硬化膜、隔壁及び光学素子 |
| KR20150045076A (ko) * | 2013-10-18 | 2015-04-28 | 주식회사 엘지화학 | 플렉서블 디스플레이용 플라스틱 필름의 커팅 방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 디스플레이용 플라스틱 필름 |
| JP6298321B2 (ja) * | 2014-02-25 | 2018-03-20 | 株式会社カネカ | 透明導電層付フィルム |
| KR20170009833A (ko) | 2014-05-20 | 2017-01-25 | 닛폰고세이가가쿠고교 가부시키가이샤 | 수지 시트, 점착제층을 갖는 수지 시트, 및 이들을 이용하여 이루어진 용도 |
| JP6482977B2 (ja) * | 2014-11-10 | 2019-03-13 | 住友化学株式会社 | フレキシブルデバイス用積層フィルム、光学部材、表示部材、前面板、及びフレキシブルデバイス用積層フィルムの製造方法 |
| JP2015042423A (ja) | 2014-12-02 | 2015-03-05 | 住友化学株式会社 | 切断機、これを備えるスリッター機およびフィルムの切断方法 |
-
2017
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200525175A (en) * | 2003-12-26 | 2005-08-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | Antireflection film, polarizing plate, method for producing them, liquid crystal display element, liquid crystal display device, and image display device |
| CN1782758A (zh) * | 2004-11-30 | 2006-06-07 | 日东电工株式会社 | 用于制造薄膜光波导的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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