TWI757301B - 薄膜之切割方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種防止薄膜之裂紋並且藉由雷射光對薄膜進行切割之方法。 本發明之薄膜之切割方法包含藉由雷射光照射對包含偏光元件之薄膜進行切割而於該薄膜形成特定形狀之切割部的步驟，且該雷射光照射之切割開始點上之切割部之切線A、或包含該開始點之切割部之邊B與偏光元件之吸收軸所成之角為0°～85°或95°～180°。

Description

薄膜之切割方法
本發明係關於一種薄膜之切割方法。更詳細而言，本發明係關於一種使用雷射光之薄膜之切割方法。
先前以來，於圖像顯示裝置等中使用偏光板，但近年來，伴隨圖像顯示裝置之用途之多樣化，用於該圖像顯示裝置之偏光板之形狀亦多樣化。例如，於車載圖像顯示裝置(例如，用於儀錶面板之圖像顯示裝置)中，有時使用切割為特定形狀且具有切割部之偏光板等。 一般地，作為切割薄膜之方法之一，已知有雷射光照射。然而，於包含經過延伸步驟而獲得之偏光元件之偏光板中，有容易以雷射光照射之起點·終點為起點而產生裂紋之問題。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2005-326831號公報
[發明所欲解決之問題] 本發明係為了解決上述先前之課題而完成者，其主要目的在於提供一種防止薄膜之裂紋並且藉由雷射光對薄膜進行切割之方法。 [解決問題之技術手段] 本發明之薄膜之切割方法係包含藉由雷射光照射對包含偏光元件之薄膜進行切割而於該薄膜形成特定形狀之切割部的步驟，且該雷射光照射之切割開始點上之切割部之切線A、或包含該開始點之切割部之邊B與偏光元件之吸收軸所成之角為0°～85°或95°～180°。 於一實施形態中，上述切線A或邊B與偏光元件之吸收軸所成之角為0°～60°或120°～180°。 一實施形態中，上述切線A或邊B與偏光元件之吸收軸平行。 [發明之效果] 根據本發明，可藉由將雷射光照射之切割開始點設為特定之位置，而防止薄膜之裂紋並且藉由雷射光對薄膜進行切割。
本發明之薄膜之切割方法包含藉由雷射光照射對包含偏光元件之薄膜進行切割而於該薄膜形成特定形狀之切割部的步驟。 包含偏光元件之薄膜可為偏光元件單體，亦可為包含偏光元件(較佳為1片偏光元件)與其他層之薄膜。作為其他層，可列舉保護偏光元件之保護層、由任意之適當之光學薄膜構成之層等。於一實施形態中，作為包含偏光元件之薄膜，使用偏光板。偏光板可具備偏光元件及配置於該偏光元件之至少一側之保護層。又，作為包含偏光元件之薄膜，亦可使用偏光板與表面保護薄膜及/或隔片之積層體。表面保護薄膜或隔片係經由任意之適當之黏著劑而可剝離地積層於偏光板。於本說明書中，所謂「表面保護薄膜」係指暫時保護偏光板之薄膜，係與偏光板所具備之保護層(保護偏光元件之層)不同者。 偏光元件代表性地可藉由對樹脂薄膜(例如聚乙烯醇系樹脂薄膜)實施膨潤處理、延伸處理、利用二色性物質(例如碘、有機染料等)進行之染色處理、交聯處理、洗淨處理、乾燥處理等各種處理而獲得。一般地，經過延伸處理而獲得之偏光元件具有容易產生裂紋之特性，但根據本發明，可防止裂紋並且對薄膜進行切割。 包含偏光元件之薄膜之厚度並無特別限制，可根據目的而採用適當之厚度，例如為20 μm～200 μm。又，偏光元件之厚度亦無特別限制，可根據目的而採用適當之厚度。偏光元件之厚度代表性地為1 μm～80 μm左右，較佳為3 μm～40 μm。 包含偏光元件之薄膜之尺寸並無特別限制，可根據目的而設為適當之尺寸。於一實施形態中，包含偏光元件之薄膜係包含與偏光元件之吸收軸平行之邊之長方形狀或正方形狀，與偏光元件之吸收軸平行之邊之長度為10 mm～400 mm，其他邊之長度為10 mm～500 mm。 圖1(a)及圖1(b)係說明本發明之一實施形態之薄膜之切割方法之圖。於圖1(a)中，表示開始藉由雷射光照射進行之切割之時間點、即對切割開始點11照射雷射光之時間點之包含偏光元件之薄膜100。於圖1(b)中，表示藉由雷射光照射進行之切割結束後之薄膜、即具有切割部10之薄膜110。於本實施形態中，首先，對切割開始點11照射雷射光，繼而，將該雷射光連續地照射至欲切割之部分之外廓12，藉此，對包含偏光元件之薄膜100進行切割，而於該薄膜形成大致圓形狀之切割部10。 於切割開始點11位於曲線上之情形(例如，圖1所示之實施形態之情形)時，雷射光照射之切割開始點11上之切割部之切線A與偏光元件之吸收軸X所成之角為0°～85°或95°～180°，較佳為0°～60°或120°～180°，更佳為0°～45°或135°～180°，特佳為0°～30°或150°～180°。最佳為切線A與吸收軸X平行。於本說明書中，所謂「平行」，包含實質上平行之情形，具體而言，包含2個方向所成之角為0°～5°之情形。又，於本說明書中，提及角度時，只要不特別明示，則該角度包含順時針方向及逆時針方向之兩個方向之角度。 於切割部之形狀為大致圓形狀之情形時，其直徑可根據薄膜之用途而設為任意之適當之長度。該直徑例如為2 mm～100 mm。根據本發明，亦能夠防止裂紋而切割出小徑之切割部。例如可於防止裂紋下形成直徑為2 mm～50 mm(較佳為2 mm～10 mm)之大致圓形狀切割部。 圖2係說明本發明之另一實施形態之薄膜之切割方法之圖。於圖2中，表示開始藉由雷射光照射進行之切割之時間點、即對切割開始點11'照射雷射光之時間點之包含偏光元件之薄膜。於本實施形態中，首先，對切割開始點11'照射雷射光，繼而，將該雷射光連續地照射至欲切割之部分之外廓12'，藉此，對包含偏光元件之薄膜進行切割，而於該薄膜形成大致長方形狀之切割部。如圖2中例示般，於切割開始點位於直線上之情形時所成，包含切割開始點11'之邊B與偏光元件之吸收軸X所成之角為0°～85°或95°～180°，較佳為0°～60°或120°～180°，更佳為0°～45°或135°～180°，特佳為0°～30°或150°～180°。最佳為邊B與吸收軸X平行。於切割部之形狀為大致長方形狀之情形時，其短邊較佳為2 mm～100 mm，更佳為2 mm～50 mm，進而較佳為2 mm～30 mm，特佳為2 mm～10 mm。又，長邊較佳為5 mm～400 mm，更佳為5 mm～200 mm，進而較佳為5 mm～120 mm，特佳為5 mm～40 mm。 切割部之形狀並不限定於圖1及圖2所示之形狀。作為切割部之形狀，除大致圓形狀、大致長方形狀以外，例如可列舉大致正方形狀、大致橢圓形狀等。又，切割部之形狀亦可為將直線與曲線適當組合而成之形狀、由曲率不同之複數條曲線構成之形狀。於切割部之外廓具有頂點及/或直線與曲線之連結點之情形時，較佳為不將該頂點及該連結點設為切割開始點。 切割部之面積比率相對於包含偏光元件之薄膜(切割前之薄膜)之面積，例如為10%～50%。 於本發明中，藉由如上述般將切割開始點設為特定之位置，而可防止包含偏光元件之薄膜之裂紋並且藉由雷射光對該薄膜進行切割。於藉由雷射光形成特定形狀之切割部之情形時，以切割開始點為起點開始雷射光之照射，形成切割部之後，雷射光返回至切割開始點。即，雷射光照射之起點與終點成為相同部位。因此，於作為雷射光照射之起點及終點之切割開始點，切割部如圖1(b)所示，雖然微小但具有凸部(向具有切割部之薄膜側突出之凸部)。於本發明中，考慮藉由將切割開始點、即可能會成為裂紋之開端之上述凸部以偏光元件之吸收軸為基準而設為上述特定之位置，而防止薄膜之裂紋。利用本發明之方法切割後之薄膜對於嚴酷之溫度變化(例如，-40℃～85℃之熱循環)亦具有充分之耐久性，而不易產生裂紋。 上述雷射光較佳為包含200 nm～11000 nm之波長之光。 作為用於雷射光照射之雷射，可採用任意之適當之雷射。例如，可採用任意之適當之雷射。作為具體例，可列舉：CO2 雷射、準分子雷射等氣體雷射；YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔鋁石榴石)雷射等固體雷射；半導體雷射等。 雷射光之照射條件(輸出條件、移動速度、次數)可根據薄膜之材料、薄膜之厚度等而採用任意之適當之條件。 實施例 以下，藉由實施例對本發明進行具體說明，但本發明不受該等實施例限定。 [實施例1] 照射雷射光，自72 mm見方之偏光元件切割出圓形狀(直徑20 mm)之切割部。切割開始點上之切割部之切線與偏光元件之吸收軸所成之角設為0°。又，偏光元件之各邊與切割部之中心之距離設為30 mm。 再者，雷射光之照射條件如下所述。 波長：9.4 μm 脈衝寬度：8 μs 輸出：10 V 頻率：12.5 kHz 加工速度：400 mm/sec [實施例2] 將切割開始點上之切割部之切線與偏光元件之吸收軸所成之角設為30°，除此以外，以與實施例1相同之方式對偏光元件進行切割。 [實施例3] 將切割開始點上之切割部之切線與偏光元件之吸收軸所成之角設為45°，除此以外，以與實施例1相同之方式對偏光元件進行切割。 [實施例4] 將切割開始點上之切割部之切線與偏光元件之吸收軸所成之角設為60°，除此以外，以與實施例1相同之方式對偏光元件進行切割。 [比較例1] 將切割開始點上之切割部之切線與偏光元件之吸收軸所成之角設為90°，除此以外，以與實施例1相同之方式對偏光元件進行切割。 [評價] 將實施例及比較例中所獲得之具有切割部之偏光元件供於熱衝擊試驗。於熱衝擊試驗中，將於85℃之環境下放置30分鐘後於-40℃之環境下放置30分鐘設為1循環，目視確認200循環後及300循環後之偏光元件之外觀。 對5片樣品進行該熱衝擊試驗，求出裂紋之產生率(任一樣品均不存在裂紋之情形：0%、於5片樣品產生裂紋之情形：100%)。將結果示於表1。 [表1]
Figure 106119003-A0304-0001
 [產業上之可利用性] 本發明之薄膜之切割方法於製造偏光元件板等光學薄膜時可較佳地使用。
10‧‧‧切割部11、11'‧‧‧切割開始點12‧‧‧外廓12'‧‧‧外廓100‧‧‧薄膜110‧‧‧薄膜A‧‧‧切線B‧‧‧邊X‧‧‧吸收軸
圖1(a)及(b)係說明本發明之一實施形態之薄膜之切割方法之圖。 圖2係說明本發明之另一實施形態之薄膜之切割方法之圖。
10‧‧‧切割部
11‧‧‧切割開始點
12‧‧‧外廓
100‧‧‧薄膜
110‧‧‧薄膜
A‧‧‧切線
X‧‧‧吸收軸

Claims (3)

  1. 一種薄膜之切割方法，其包含藉由雷射光照射對包含偏光元件之薄膜進行切割而於該薄膜形成特定形狀之切割部的步驟，於該雷射光照射中，對切割開始點照射雷射光，繼而，將該雷射光連續地照射至欲切割之部分之外廓，且雷射光照射之切割開始點上之切割部之切線A、或包含該開始點之切割部之邊B與偏光元件之吸收軸所成之角為0°~85°或95°~180°，於形成該切割部時，藉由該雷射光之切割開始點與終點成為相同部位，於該切割部之外廓具有頂點及/或直線與曲線之連結點之情形時，不將該頂點及該連結點設為切割開始點。
  2. 如請求項1之薄膜之切割方法，其中上述切線A或邊B與偏光元件之吸收軸所成之角為0°~60°或120°~180°。
  3. 如請求項1或2之薄膜之切割方法，其中上述切線A或邊B與偏光元件之吸收軸平行。
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