TWI756387B - 載置台清潔方法及載置台清潔構件、載置台清潔構件之製造方法、以及檢查系統 - Google Patents

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Abstract

提供一種不停止裝置，且不讓附著於載置台之塵埃飛散，而可有效地去除的技術。
於表面具有氣體供給口及氣體排出口，並載置基板之夾具頂部(載置台)中，藉由被載置於該載置台，來將該載置台表面清潔的清潔晶圓(載置台清潔構件)係具有：本體：係成為板狀；以及吸排氣路徑，係設置於本體，而從氣體供給口來供給氣體，並將所供給之氣體朝該氣體排出口排出，使用朝吸排氣路徑之氣體供給及從吸排氣路徑之氣體排出來去除附著於夾具頂部(載置台)表面的塵埃。

Description

載置台清潔方法及載置台清潔構件、載置台清潔構件之製造方法、以及檢查系統
本發明係關於一種將載置基板之載置台清潔的載置台清潔方法及載置台清潔構件、載置台清潔構件之製造方法、以及檢查系統。
在半導體元件之製造程序中，係在半導體晶圓(以下僅記為晶圓)的全部程序結束後的階段，進行形成於晶圓之複數半導體元件(以下僅記為元件)的電氣檢查，而進行此般檢查的檢查裝備會使用探針器。探針器係具備有與晶圓對向之探針卡，探針卡係具備有：板狀基部；以及以在基部中與晶圓之半導體元件的各電極對向的方式來配置的複數柱狀接觸端子之接觸探針(探針)。
探針器中，會藉由使用吸附保持晶圓之載置台(夾具)而朝探針卡按壓晶圓，來使探針卡之各接觸探針接觸於元件之電極，並藉由將電氣從各接觸探針流向各電極，來檢查元件的導通狀態等之電氣特性。
在探針器般之檢查裝置中，由於吸附保持晶圓的載置台在附著有粒子等的塵埃時便會有污染晶圓之虞，故以往便會定期性地停止裝置，而讓操作者以「手動擦拭」或「氣槍」來去除塵埃。
另一方面，雖非為檢查裝置相關之技術，但被提出一種技術，係不停止裝置，而藉由自動搬送來將具有點狀圖案(凹凸)的清潔晶圓載置於晶圓載置台，藉由從晶圓載置台之吸引孔進行吸引，而使清潔晶圓錯位摩擦，來讓晶圓載置台上之異物進入至清潔晶圓之凹部，以擦除異物(參照專利文獻1)。
又，亦被提出一種技術，係將板體載於載置台上，而藉由將氣體供給 至板體與載置台之間來進行粒子去除(參照專利文獻2、3)。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
專利文獻1：日本特開2009-141384號公報
專利文獻2：日本特開2010-204650號公報
專利文獻3：日本特開2016-50349號公報
然而，雖上述專利文獻1之技術中，會利用清潔晶圓的凹凸來擦除異物(塵埃)，但會有無法充分地去除異物(塵埃)之虞。又，上述專利文獻2、3之技術中，則會有因供給氣體使得塵埃飛散而再次附著之虞。
從而，本發明之課題在於提供一種不停止裝置，並不使附著於載置台之塵埃飛散，而可有效地去除的技術。
為了解決上述課題，本發明第1觀點係提供一種載置台清潔構件，係於表面具有氣體供給口及氣體排出口，並載置基板之載置台中，藉由被載置於該載置台，來將該載置台的表面清潔的載置台清潔構件，係具有：本體，係成為板狀；以及吸排氣路徑，係設置於該本體，而從該氣體供給口來供給氣體，並將所供給之氣體朝該氣體排出口排出，使用朝該吸排氣路徑之氣體供給及從該吸排氣路徑之氣體排出來去除附著於該載置台之表面的塵埃。
該第1觀點中，較佳地，該本體係被真空吸附於該載置台。
該吸排氣路徑係可具有：形成於該本體在載置於該載置台時的底面之凹部，在從該氣體供給口來供給至該凹部，從該凹部來朝該氣體排出口排出時，會伴隨著產生在該凹部之氣流來去除附著於該凹部所對應之該載置台的表面之塵埃。
在此情況，該吸排氣路徑係可進一步地具有：氣體擴散空間，係形成於該本體之內部，而讓從該氣體供給口所供給之氣體擴散；以及複數氣體噴出孔，係從該氣體擴散空間來將氣體朝該凹部噴出，從該氣體擴散空間透過該氣體噴出口來供給至該凹部，而伴隨著朝該排出口排出之氣體來去 除附著於該凹部所對應之該載置台的表面之塵埃。可進一步地具有：刷部，係設置於該凹部內，在從該氣體供給口來供給至該凹部，而從該凹部朝該氣體排出口排出時，會藉由產生於該凹部的氣流，來使該刷部震動，而藉由刷動來去除附著於該凹部所對應之該載置台的表面的塵埃，並伴隨著產生於該凹部之氣流來將去除之塵埃朝該排出口排出。
該吸排氣路徑係可具有：形成於該本體在載置於該載置台時的底面之凹部，於該凹部內具有以對向於該載置台之表面的方式來具有吸附面的吸附構件，藉由調整來自該氣體供給口之氣體朝該吸排氣路徑的供給或從該氣體排出口之氣體的排出而使該吸附構件升降，以藉由該吸附構件吸附去除附著於該載置台之表面的塵埃。
在此情況，該吸附構件係可構成為具有：升降板；以及黏著薄膜，係設置於該升降板的下面，藉由該黏著薄膜來吸附去除附著於該載置台之表面的塵埃。又，該升降板可構成為會藉由板簧來連結於該本體，而透過該板簧來加以升降。
本發明第2觀點係提供一種載置台清潔方法，係清潔於表面具有氣體供給口及氣體排出口，而載置基板的載置台之表面的清潔方法：將清潔構件載置於該載置台上，該清潔構件係具有：本體：係成為板狀；以及吸排氣路徑，係設置於該本體，而從該氣體供給口來供給氣體，並將所供給之氣體朝該氣體排出口排出；使用朝該吸排氣路徑之氣體供給及從該吸排氣路徑之氣體排出來去除附著於該載置台之表面的塵埃。
本發明第3觀點係提供一種載置台清潔構件之製造方法，係如上述第1觀點的載置台清潔構件的製造方法：以藉由層積來形成所欲形狀之載置台清潔構件的方式來將複數薄板製作成既定形狀，而在層積有複數該薄板後，進行加熱及加壓以擴散接合。
本發明第4觀點係提供一種檢查系統，係具有：檢查裝置，係具有載置基板的載置台，且會進行該載置台上之基板的檢查；基板收納部，係收納基板；載置台清潔構件收納部，係將基板及清潔該載置台之載置台清潔構件收納於該載置台上；以及搬送裝置，係將被收納於該基板收納部的基板以及被收納於該載置台清潔構件收納部的載置台清潔構件搬送至該載置台 上；該載置台係於表面具有氣體供給口及氣體排出口；該載置台清潔構件會使用如上述第1觀點的載置台清潔構件；在清潔該載置台之表面時，會藉由該搬送裝置來將該載置台清潔構件搬送至該載置台上。
根據本發明，由於會使用載置台清潔構件，係具有：本體，係成為板狀；以及吸排氣路徑，係從載置台表面所形成之氣體供給口來供給氣體，而將所供給之氣體朝載置台表面所形成之氣體排出口排出，使用朝該吸排氣路徑之氣體供給及從該吸排氣路徑之氣體排出來去除附著於該載置台表面的塵埃，故可不停止裝置，且不讓附著於載置台之塵埃飛散，而可有效地去除。
10:檢查系統
21:夾具頂部
23:探針卡
23a:探針
30:檢查裝置
41:氣體供給路徑
42:氣體排出路徑
51:排氣路徑
61:本體
62:氣體擴散空間
63:氣體導入路徑
64、66、73:凹部
65:氣體噴出孔
67:氣體流道
70:刷部
73a:第1空間
73b:第2空間
74:升降板
75:黏著薄膜
76:板簧
77:突出部
CW:清潔晶圓(載置台清潔構件)
W:半導體晶圓(基板)
圖1係概略性地顯示檢查系統一範例之構成的水平剖面圖。
圖2係顯示檢查裝置之概略構成圖。
圖3係顯示將第1實施形態相關之清潔晶圓載置於夾具頂部上之狀態的剖面圖。
圖4係顯示將第2實施形態相關之清潔晶圓載置於夾具頂部上之狀態的剖面圖。
圖5係顯示將第3實施形態相關之清潔晶圓載置於夾具頂部上之狀態的剖面圖。
圖6係顯示將第4實施形態相關之清潔晶圓載置於夾具頂部上之狀態的剖面圖。
圖7係用以說明被用於第4實施形態之清潔晶圓的升降構件構成的立體分解圖。
圖8係用以說明第4實施形態之清潔晶圓的清潔動作之圖式。
以下，便參照添附圖式，就本發明實施形態來加以說明。
<檢查系統>
首先，就適用本發明之載置台清潔方法的檢查系統之整體構成一範例 來加以說明。
圖1係概略性地顯示檢查系統一範例之構成的水平剖面圖。
圖1中，檢查系統10係具有框體11，框體11內係具有：進行晶圓W之半導體元件的電氣特性檢查之檢查區域12；相對於檢查區域12來進行晶圓W等的搬出入之搬出入區域13；以及設置於檢查區域12及搬出入區域13之間的搬送區域14。
檢查區域12會沿著X方向來具有複數(本範例中為6個)檢查室12a，各檢查室12a係配置有檢查裝置(探針器)30。
搬出入區域13會被區劃為複數埠，具有：收納複數晶圓W之容器，例如收納FOUP17之晶圓搬出入埠16a；會搬入探針卡23且收納被搬出之裝載器31的裝載埠16b；載置清潔晶圓(載置台清潔構件)CW的清潔晶圓載置埠16c；以及收納有控制檢查系統10之各構成要素動作的控制部32之控制部收納埠16d。清潔晶圓載置埠16c可預先收納一個或複數個清潔晶圓CW，亦可在清潔時機點從外部來將清潔晶圓CW插入至清潔晶圓載置埠16c。
搬送區域14係配置有移動自如之搬送機器人19。搬送機器人19會從搬出入區域13之晶圓搬出埠16a來接收晶圓W，並朝在各檢查裝置30中吸附保持晶圓的夾具頂部(載置台)搬送，並將元件之電氣特性檢查結束後之晶圓W從所對應的檢查裝置30之夾具頂部來朝晶圓搬出入埠16a。又，搬送機器人19在進行夾具頂部之清潔時，會從搬出入區域13之清潔晶圓載置埠16c來接收清潔晶圓CW，並朝各檢查裝置30之夾具頂部搬送，而在清潔後從夾具頂部來朝清潔晶圓載置埠16c搬送。進一步地，搬送機器人19會從各檢查裝置30來將維護所需要之探針卡18朝裝載埠16b的裝載器31搬送，又，將新的或維護完成的探針卡23朝各檢查裝置30搬送。
控制部32係具有：控制具有構成檢查系統10之各構成部，例如各檢查裝置30之各部及搬送裝置19等的CPU(電腦)之主控制部；輸入裝置(鍵盤、滑鼠等)；輸出裝置(印表機等)；顯示裝置(顯示器等)；以及記憶裝置(記憶媒體)。控制部32之主控制部會基於例如記憶裝置所內建之記憶媒體，或是裝設於記憶裝置的記憶媒體所記憶的處理配方，來讓檢查系統10實行既定動作。
檢查裝置30如圖2所示，係具有：藉由真空吸附來吸附支撐晶圓W之夾具頂部(載置台)21；藉由X-Y台座機構、Z向移動機構及θ向移動機構(皆未圖示)，來將夾具頂部21移動於X、Y、Z、θ方向，以將晶圓W定位於既定位置的對位器22；與夾具頂部21對向設置之探針卡23；支撐探針卡23之支撐板24與設置於支撐板24上的測試器母板25；連接測試器母板25與探針卡23的接觸塊26；以及設置於測試器母板25上的測試頭27。測試器28會藉由測試器母板25與測試頭27來被加以構成。又，探針卡23係具有會接觸於晶圓W所形成的複數元件之電極的複數探針23a。又，接觸塊26上面及下面係設置有會電性連接探針卡23與測試器母板25的多數彈簧銷26a。
然後，從測試頭27所內建之測試器模組板(未圖示)透過測試器母板25、探針卡23之探針23a來將電氣訊號傳送至晶圓W之元件，並從回到測試器模組板的訊號來進行電氣特性檢查。
另外，在讓探針23a接觸於晶圓W所形成之元件的電極來進行檢查時，便以密封件及波紋管來密閉支撐板24與夾具頂部21之間的檢查空間，而可將該空間成為減壓狀態來讓夾具頂部21吸附於支撐板24，在此情況，便可對複數檢查裝置30來共通地使用1個對位器22。又，亦可在檢查室12a多層地設置檢查裝置30。在此情況，便會在各層來配置有搬送區域14及搬送機器人19。
在構成為此般的檢查系統10中，會同時並行地連續進行下述動作：從晶圓搬出埠16藉由搬送機器人19來將晶圓W搬送至各檢查裝置30，以進行電氣檢查，並使得檢查後之晶圓W藉由搬送機器人19來回到晶圓搬出埠16a。
然後，在既定時機點，從清潔晶圓載置埠16c藉由搬送機器人19來將清潔晶圓CW搬送至檢查裝置30之夾具頂部21上，以進行夾具頂部21上面之清潔。在清潔後，清潔晶圓CW便會藉由搬送機器人來回到清潔晶圓載置埠16c。此時，可清潔特定檢查裝置30之夾具頂部21，亦可連續清潔所有的檢查裝置30之夾具頂部21。
如此般，在適當的時機點，藉由使用清潔晶圓CW，便可不依靠操作者的「手動擦拭」或「氣槍」來在線上進行夾具頂部21之清潔。
<清潔晶圓>
接著，便就清潔晶圓CW來加以說明。
[清潔晶圓的第1實施形態]
首先，便就清潔晶圓CW的第1實施形態來加以說明。
圖3係顯示將第1實施形態相關之清潔晶圓CW載置於夾具頂部21上的狀態之剖面圖。
夾具頂部21周緣部係以上下貫穿之方式來設置有氣體供給路徑41，夾具頂部21周緣部之設置有氣體供給路徑41的部分之相反側係以上下貫穿之方式來設置有氣體排出路徑42。夾具頂部21表面係形成有氣體供給路徑41所開口的氣體供給口以及氣體排出路徑42所開口的氣體排出口。氣體供給路徑41係連接有氣體供給配管43，氣體排出路徑42係連接有氣體排出配管44。氣體供給配管43係設置有電磁閥45與供給側限制用之過濾器46。又，氣體排出配管44係設置有電磁閥47與供給側捕集用之過濾器48。又，夾具頂部21係以上下貫穿的方式來形成有用以真空吸附清潔晶圓CW的排氣流道51，排氣流道51係連接有排氣配管52。氣體排出配管43及排氣配管52係連接有真空泵(未圖示)。
另外，氣體排出流道42及排氣流道51在晶圓W檢查時，都會作為用以吸附既定直徑之晶圓W的真空排氣管線來被加以使用。又，氣體較佳為AIR(空氣)，但亦可為氮氣等的其他氣體。又，夾具頂部21只要能在以往所使用之夾具頂部形成氣體供給路徑41而連接工廠的空氣配管等的話即可。
本實施形態之清潔晶圓CW係具有成為板狀之本體61，本體61中央係設置有成為圓板狀之氣體擴散空間62。夾具頂部21表面之氣體供給路徑41的氣體供給口所連接的氣體導入路徑63會在本體周緣部從底面朝上方延伸，而連接於氣體擴散空間62。又，本體61底面之中央部係在包含夾具頂部21表面之氣體排出路徑42的氣體排出口之區域設置有圓柱溝狀的凹部64，氣體擴散空間62係設置有到達至凹部64之複數氣體噴出孔65。氣體擴散空間62、氣體導入路徑63、凹部64、氣體噴出孔65會構成吸排氣路徑。
清潔晶圓CW較佳地係具有與晶圓W相同之圓板狀。藉由成為與晶圓W相同之形狀，便會易於進行搬送機器人19之搬送。然而，清潔晶圓CW之形狀並不限於圓板狀。又，清潔晶圓CW的厚度在內部形成有氣體流道的關係 上，可為較被檢查體之晶圓W要厚，或只要為可藉由搬送機器人19來搬送的程度之厚度的話即可。
在將清潔晶圓CW載置於夾具頂部21時，較本體61底部的凹部64要靠外周部分會被真空吸附於夾具頂部21，而使凹部64成為密閉空間。
因此，從氣體供給配管43經過氣體供給路徑41而被導入至清潔晶圓CW內之氣體導入路徑63的氣體便會在氣體擴散空間62擴散，而從氣體噴出孔65經過凹部64而均勻地被供給至夾具頂部21表面，並從凹部64通過氣體排出路徑42及氣體排出配管44來加以排出。
如此般，從氣體供給路徑41來導入至氣體導入路徑63的氣體會藉由被供給至面對夾具頂部21之凹部64，來被供給至夾具頂部21表面，藉由從凹部64經過氣體排出路徑42排出，來在凹部內形成朝向排氣路徑42之氣流，而可伴隨於此氣流來有效地去除面對凹部64之夾具頂部21表面的塵埃。 又，由於會從複數氣體噴出孔65來在本體61內部均勻且噴淋狀地供給至夾具頂部21表面，故可均勻地清潔夾具頂部21表面的整體。進一步地，由於氣流僅會在清潔晶圓CW內產生，故不會有使塵埃飛散之虞。
[清潔晶圓的第2實施形態]
接著，便就清潔晶圓CW的第2實施形態來加以說明。
圖4係顯示將第2實施形態相關之清潔晶圓CW載置於夾具頂部21上的狀態之剖面圖。
本實施形態之清潔晶圓CW係具有成為與晶圓相同之圓板狀的本體61，本體61底面之中央部係設置有成為圓柱溝狀之凹部66，且與第1實施形態相同之氣體導入路徑63會連接於凹部66。另一方面，本體61之氣體排出路徑42所對應的部分係設置有從凹部66連接於本體61底面的氣體流道67。較本體61底部之凹部64要靠外周部分會被真空吸附於夾具頂部21，而使得凹部66成為密閉空間。氣體導入路徑63、凹部66、氣體流道67會構成吸排氣路徑。
因此，從氣體供給配管43經過氣體供給路徑41，而被導入至清潔晶圓CW內之氣體導入路徑63的氣體會抵達至凹部66而被供給至夾具頂面21表面，從凹部66經過氣體流道67而抵達至氣體排出路徑42，並通過氣體排出 路徑42及氣體排出配管44來加以排出。
如此般，從氣體供給路徑41來被導入至氣體導入路徑63的氣體會藉由被供給至夾具頂部21所面對的凹部66來被供給至夾具頂部21表面，藉由從凹部66經過氣體流道67及氣體排出路徑42而被排出，來在凹部66內形成朝向排氣路徑42之氣流，而可伴隨此氣流來有效地去除附著於面對凹部66之夾具頂部21表面的塵埃。又，由於氣流僅會在清潔晶圓CW內產生，故不會有使塵埃飛散之虞。但是，由於本實施形態中，只是單純地在凹部66流通氣體，故清潔的均勻性多少會較第1實施形態要差。
[清潔晶圓的第3實施形態]
接著，便就清潔晶圓CW的第3實施形態來加以說明。
圖5係顯示將第3實施形態相關之清潔晶圓CW載置於夾具頂部21上的狀態之剖面圖。
本實施形態之清潔晶圓CW係在第2實施形態的清潔晶圓CW的本體61所形成之圓柱溝狀66裝設有刷部70者。刷部70可使用動物的毛、樹脂纖維、奈米碳刷等。刷部70會被支撐構件71所支撐，支撐構件71可貼附於本體61之凹部66上面，亦可藉由插銷(latch)機構等來嵌入。
因此，從氣體供給配管43經過氣體供給路徑41，而被導入至清潔晶圓CW內之氣體導入路徑63的氣體會在抵達至凹部66觸碰到刷部70，並流通於凹部66內後，經過氣體流道67而抵達至氣體排出路徑42，並通過氣體排出路徑42及氣體排出配管44來加以排出。
如此般，從氣體供給路徑41來被導入至氣體導入路徑63的氣體會藉由被供給至面對夾具頂部21的凹部66，而從凹部66經過氣體流道67及氣體排出路徑42來排出，來在凹部66內形成朝向排氣路徑42之氣流。藉由此氣流使刷部70震動，來以刷動去除附著於面對凹部66的夾具頂部21表面之塵埃，而可伴隨於氣流來將去除之塵埃排出。藉此，亦可去除強力附著之塵埃，而可更確實地去除塵埃。又，由於氣流僅會在清潔晶圓CW內產生，故不會有使塵埃飛散之虞。
[清潔晶圓的第4實施形態]
接著，便就清潔晶圓CW的第4實施形態來加以說明。
圖6係顯示將第4實施形態相關之清潔晶圓CW載置於夾具頂部21上的狀態之剖面圖。
本實施形態之清潔晶圓CW係具有成為與晶圓相同之圓板狀的本體61，本體61底面之中央部係在包含氣體供給路徑41及氣體排出路徑42的區域形成有成為圓柱溝狀之凹部73。凹部73下部係具有直徑會較凹部73要小且成為圓板狀之升降板74，升降板74下面係以其黏著面會對向於夾具頂部21表面的方式來設置有如黏膜般之黏著薄膜75。藉由升降板74與黏著薄膜來構成吸附塵埃之吸附構件。升降板74的下面周緣係設置有環狀突出部77。升降板74會透過板簧76來連結於本體。板簧76會設置於例如4處，而與本體61成為一體。具體而言，如圖7所示，升降板74會在不同方向重疊具有板簧76之4片薄板74a、74b、74c、74d而如下述般擴散接合來加以構成。另外，在清潔晶圓CW會被吸附保持於夾具頂部21之狀態下，由凹部73所形成之空間會藉由升降板74來被分為升降板74上部之第1空間73a以及升降板74下部之第2空間73b，第1空間73a會較第2空間73b要寬。凹部73會構成吸排氣路徑。
在構成為此般之本實施形態的清潔晶圓CW中，係在被吸附保持在夾具頂部21後，從氣體供給路徑41來使氣體朝向氣體排出路徑42流向凹部73內時，由於第1空間73a會較第2空間73b要寬，且傳導度較大，故會如圖8(a)所示，升降板74會藉由氣壓來下降，而使環狀突出部77及黏著薄膜75相接於夾具頂部21表面，使第2空間73b成為略密閉空間。在此情況，持續從氣體供給路徑41的氣體供給，並停止氣體的排出時，第1空間73a的壓力會上升，而透過升降板74來使黏著薄膜75被按壓在夾具頂部21表面。藉此，便會使附著於夾具頂部21表面的塵埃被吸附於黏著薄膜75而去除。之後，如圖8(b)所示，藉由停止從氣體供給路徑41之氣體供給，而開始從氣體排出路徑42之排出或是增加氣體排出量，而減壓第1空間73a，來使升降板74藉由板簧76壓縮彈力來上升而回到原本的位置。進行1次或複數次此操作。
如此般，本實施形態之清潔晶圓CW中，係於內部設置凹部73，而將凹部作為使得從氣體供給路徑41所供給之氣體朝氣體排出路徑42排出的吸排氣路徑來加以使用，由於在凹部73內透過板簧76來將下面形成有黏著薄膜 75之升降板74連接於本體61，而可進行升降，故藉由凹部73內之壓力調整來使升降板74下降，便可以黏著薄膜75來有效地吸附去除附著於夾具頂部21表面的塵埃。又，由於氣流僅會在清潔晶圓CW內產生，故不會有使塵埃飛散之虞。
[清潔晶圓之製造方法]
由於從上述般之第1實施形態到第4形態的清潔晶圓CW係金屬製，且於內部具有複雜構造，故在加工塊材來進行製造時，便會使得成本明顯增高。因此，較佳地係藉由將薄板複數片層積，並進行加熱、加壓，而利用原子擴散來接合之擴散接合來加以製造。
材料只要為可以擴散接合來接合者的話即可，不論同種金屬或異種金屬都可以。可使用例如不鏽鋼、鋁、貴金屬等。又，除了金屬以外，亦可使用玻璃、施有金屬鍍覆之樹脂系材料等。由於第4實施形態中，係使用板簧76，故較佳地係使用適於板簧的材料。在以擴散接合來製造清潔晶圓CW的情況，係以例如層積而成為從上述第1實施形態到第4實施形態之形狀的方式，藉由沖壓等來將各薄板搥打成既定形狀後，將既定片數之薄板擴散接合。薄板之厚度為0.005~5mm左右的厚度。
藉由此般擴散接合，便無需如加工塊材的情況般的複雜加工，又，亦無使用黏著劑來黏著之情況般之黏著材的擠出等，可以高精度製造清潔晶圓。
另外，如上述，清潔晶圓會適合藉由將金屬系材料擴散接合，來加以製造，但除了金屬材料以外，亦無需贅言地可藉由使用黏著劑接合例如橡膠等的樹脂系材料來加以製造。
<其他適用>
以上，雖已就本發明數個實施形態來加以說明，但本發明並不限於上述實施形態，而可在不超脫本發明要旨的範圍內進行各種改變。
例如，上述實施形態中，雖就將本發明適用在具有複數檢查裝置之檢查系統的情況來加以說明，但並不限於此，亦可將本發明之載置台清潔構件(清潔晶圓)適用在單體檢查裝置之裝置。
又，上述實施形態中，雖就將本發明適用於晶圓之檢查裝置的情況來 加以說明，但只要為具有吸附基板之載置台者的話，便可不限於檢查裝置來加以適用。處理對象之基板亦不限於半導體晶圓，而可是用各種物品。
21‧‧‧夾具頂部
41‧‧‧氣體供給路徑
42‧‧‧氣體排出路徑
43‧‧‧氣體供給配管
44‧‧‧氣體排出配管
45、47‧‧‧電磁閥
46、48‧‧‧過濾器
51‧‧‧排氣路徑
52‧‧‧排氣配管
61‧‧‧本體
62‧‧‧氣體擴散空間
63‧‧‧氣體導入路徑
64‧‧‧凹部
65‧‧‧氣體噴出孔
CW‧‧‧清潔晶圓(載置台清潔構件)

Claims (16)

  1. 一種載置台清潔構件，係於表面具有氣體供給口及氣體排出口，並載置基板之載置台中，藉由被載置於該載置台，來將該載置台的表面清潔的載置台清潔構件，係具有：本體：係成為板狀；以及吸排氣路徑，係設置於該本體，而從該氣體供給口來供給氣體，並將所供給之氣體朝該氣體排出口排出，使用朝該吸排氣路徑之氣體供給及從該吸排氣路徑之氣體排出來去除附著於該載置台之表面的塵埃；該吸排氣路徑係具有：形成於該本體在載置於該載置台時的底面之凹部，在從該氣體供給口來供給至該凹部，從該凹部來朝該氣體排出口排出時，會伴隨著產生在該凹部之氣流來去除附著於該凹部所對應之該載置台的表面之塵埃。
  2. 如申請專利範圍第1項之載置台清潔構件，其中該本體會被真空吸附於該載置台。
  3. 如申請專利範圍第1項之載置台清潔構件，其中該吸排氣路徑係進一步地具有：氣體擴散空間，係形成於該本體之內部，而讓從該氣體供給口所供給之氣體擴散；以及複數氣體噴出孔，係從該氣體擴散空間來將氣體朝該凹部噴出，從該氣體擴散空間透過該氣體噴出口來供給至該凹部，而伴隨著朝該排出口排出之氣體來去除附著於該凹部所對應之該載置台的表面之塵埃。
  4. 如申請專利範圍第1項之載置台清潔構件，其係進一步地具有：刷部，係設置於該凹部內，在從該氣體供給口來供給至該凹部，而從該凹部朝該氣體排出口排出時，會藉由產生於該凹部的氣流，來使該刷部震動，而藉由刷動來去除附著於該凹部所對應之該載置台的表面的塵埃，並伴隨著產生於該凹部之氣流來將去除之塵埃朝該排出口排出。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之載置台清潔構件，其中該吸排氣路徑係具有：形成於該本體在載置於該載置台時的底面之凹部，於該凹部內具有以對向於該載置台之表面的方式來具有吸附面的吸附構件，藉由調整來自 該氣體供給口之氣體朝該吸排氣路徑的供給或從該氣體排出口之氣體的排出而使該吸附構件升降，以藉由該吸附構件吸附去除附著於該載置台之表面的塵埃。
  6. 如申請專利範圍第5項之載置台清潔構件，其中該吸附構件係具有：升降板；以及黏著薄膜，係設置於該升降板的下面，藉由該黏著薄膜來吸附去除附著於該載置台之表面的塵埃。
  7. 如申請專利範圍第6項之載置台清潔構件，其中該升降板會藉由板簧來連結於該本體，而透過該板簧來加以升降。
  8. 一種載置台清潔方法，係清潔於表面具有氣體供給口及氣體排出口，而載置基板的載置台之表面的載置台清潔方法：將載置台清潔構件載置於該載置台上，該載置台清潔構件係具有：本體：係成為板狀；以及吸排氣路徑，係設置於該本體，而從該氣體供給口來供給氣體，並將所供給之氣體朝該氣體排出口排出；使用朝該吸排氣路徑之氣體供給及從該吸排氣路徑之氣體排出來去除附著於該載置台之表面的塵埃；該載置台清潔構件之該吸排氣路徑係具有：形成於該本體在載置於該載置台時的底面之凹部，在從該氣體供給口來供給至該凹部，從該凹部來朝該氣體排出口排出時，會伴隨著產生在該凹部之氣流來去除附著於該凹部所對應之該載置台的表面之塵埃。
  9. 如申請專利範圍第8項之載置台清潔方法，其係讓該載置台清潔構件之該本體真空吸附於該載置台，來去除附著於該載置台之表面的塵埃。
  10. 如申請專利範圍第8項之載置台清潔方法，其中該載置台清潔構件之該吸排氣路徑係進一步地具有：氣體擴散空間，係形成於該本體之內部，而讓從該氣體供給口所供給之氣體擴散；以及複數氣體噴出孔，係從該氣體擴散空間來將氣體朝該凹部噴出，從該氣體擴散空間透過該氣體噴出口來供給至該凹部，而伴隨著朝該排出口排出之氣體來去除附著於該凹部所對應之該載置台的表面之塵埃。
  11. 如申請專利範圍第8項之載置台清潔方法，其係於該凹部內設置有刷部，在從該氣體供給口來供給至該凹部，而從該凹部朝該氣體排出口排 出時，會藉由產生於該凹部的氣流，來使該刷部震動，而藉由刷動來去除附著於該凹部所對應之該載置台的表面的塵埃，並伴隨著產生於該凹部之氣流來將去除之塵埃朝該排出口排出。
  12. 如申請專利範圍第8或9項之載置台清潔方法，其中該載置台清潔構件之該吸排氣路徑係具有：形成於該本體在載置於該載置台時的底面之凹部，於該凹部內設置有以對向於該載置台之表面的方式來具有吸附面的吸附構件，藉由調整來自該氣體供給口之氣體朝該吸排氣路徑的供給或從該氣體排出口之氣體的排出而使該吸附構件升降，以藉由該吸附構件吸附去除附著於該載置台之表面的塵埃。
  13. 如申請專利範圍第12項之載置台清潔方法，其中該吸附構件係具有：升降板；以及黏著薄膜，係設置於該升降板的下面，藉由該黏著薄膜來吸附去除附著於該載置台之表面的塵埃。
  14. 如申請專利範圍第13項之載置台清潔方法，其中該升降板會藉由板簧來連結於該本體，而透過該板簧來加以升降。
  15. 一種載置台清潔構件之製造方法，係如申請專利範圍第1至7項中任一項的載置台清潔構件的製造方法：以藉由層積來形成所欲形狀之載置台清潔構件的方式來將複數薄板製作成既定形狀，而在層積有複數該薄板後，進行加熱及加壓以擴散接合。
  16. 一種檢查系統，係具有：檢查裝置，係具有載置基板的載置台，且會進行該載置台上之基板的檢查；基板收納部，係收納基板；載置台清潔構件收納部，係將基板及清潔該載置台之載置台清潔構件收納於該載置台上；以及搬送裝置，係將被收納於該基板收納部的基板以及被收納於該載置台清潔構件收納部的載置台清潔構件搬送至該載置台上；該載置台係於表面具有氣體供給口及氣體排出口；該載置台清潔構件會使用如申請專利範圍第1至第7項中任一項的載置台清潔構件； 在清潔該載置台之表面時，會藉由該搬送裝置來將該載置台清潔構件搬送至該載置台上。
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