TWI753200B - 半導體裝置製造用接著膜及其製造方法以及半導體裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本揭示的半導體裝置製造用接著膜的製造方法依序包括：（A）準備積層體的步驟，所述積層體至少具有寬度100 mm以下的帶狀的載體膜與以覆蓋載體膜的表面的方式形成的接著劑層；以及（B）藉由將接著劑層模切而獲得以沿載體膜的長邊方向排列的方式配置於載體膜上的多個接著劑片的步驟；並且於（B）步驟中，在進行模切時，以滿足以下的不等式（1）所表示的條件的方式對接著劑層及載體膜切入切口，接著劑片具有於長方形或正方形的至少一邊形成有凸部及凹部的至少一者的形狀。 0＜D/T≦0.6 （1） [式中，D為切口相對於載體膜的深度（單位μm），T為載體膜的厚度（單位μm）]

Description

半導體裝置製造用接著膜及其製造方法以及半導體裝置及其製造方法
本揭示是有關於一種半導體裝置的製造製程中所使用的接著膜及其製造方法以及半導體裝置及其製造方法。
先前，半導體裝置是經過以下的步驟而製造。首先，將半導體晶圓貼附於切晶用黏著片，於該狀態下，將半導體晶圓單片化為半導體晶片。其後，實施拾取步驟、裝配步驟、回焊步驟及黏晶步驟等。專利文獻1揭示兼具於切晶步驟中將半導體晶圓固定的功能及於黏晶步驟中使半導體晶片與基板接著的功能的黏接著片(切晶黏晶片)。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-288170號公報
然而，近年來，伴隨面向以智慧型手機為代表的小型元件的半導體裝置的進化，與先前相比，半導體裝置的製造製程亦發生顯著變化。例如，不實施使用專利文獻1中記載的黏接著片(切晶黏晶片)的切晶步驟及黏晶步驟的製程或者不實施回焊步驟的 製程的實用化正在推進。伴隨於此，對半導體裝置的製造製程中所使用的接著膜亦要求新的態樣。除所述情況以外，本發明者等人為了應對搭載半導體裝置的小型元件的高功能化及薄型化等，而推進開發一種對於在基板的所限定的特定的區域內接著與其相對應的形狀的半導體晶片而言好用的接著膜。
於先前的半導體裝置中，通常半導體晶片的形狀與用以將其接著於基板的接著劑片的形狀相同，例如該些的形狀為長方形或正方形。但是，例如，於應接著半導體晶片的基板的區域有限制的情況下，或者於需要在和先前不同的位置將半導體晶片與基板電性連接的情況下，使用較先前的形狀而言複雜的形狀的接著劑片的需求提高。
本揭示的目的在於提供一種對於有效率地實施半導體裝置的製造製程中的接著步驟而言有用的包括複雜形狀的接著劑片的接著膜及充分穩定地製造接著膜的方法。另外，本揭示的目的在於提供一種使用複雜形狀的接著劑片的半導體裝置及其製造方法。
本揭示提供一種半導體裝置的製造製程中所使用的接著膜的製造方法。該製造方法依序包括：(A)準備積層體的步驟，所述積層體至少具有寬度100mm以下的帶狀的載體膜與以覆蓋載體膜的表面的方式形成的接著劑層；以及(B)藉由將接著劑層模切而獲得以沿載體膜的長邊方向排列的方式配置於載體膜上的 多個接著劑片的步驟；並且於(B)步驟中，在進行模切時，以滿足以下的不等式(1)所表示的條件的方式對接著劑層及載體膜切入切口，接著劑片具有於長方形或正方形的至少一邊形成有凸部及凹部的至少一者的形狀。
0<D/T≦0.6 (1)
[式中，D為切口相對於載體膜的深度(單位μm)，T為載體膜的厚度(單位μm)]
藉由經過所述(A)步驟及(B)步驟，可製造包括寬度100mm以下的帶狀的載體膜及以沿載體膜的長邊方向排列的方式配置於載體膜上的多個接著劑片的接著膜。於(B)步驟中，以滿足不等式(1)所表示的條件的方式切入切口，藉此可充分穩定地製造所述構成的接著膜。
如上所述，接著劑片具有較長方形或正方形而言複雜的形狀。接著劑片的形狀只要根據應接著半導體晶片的基板的區域的形狀或半導體晶片的形狀而適宜設定即可。例如，接著劑片可具有6個以上的角，亦可具有8個以上的角。再者，作為具有6個角的接著劑片的形狀的一例，可列舉L字型。
利用所述製造方法所製造的接著膜亦可為進而包括覆蓋多個接著劑片的表面的保護構件者。即，利用(A)步驟所準備的積層體進而具有以覆蓋接著劑層的方式配置的保護膜，並於(B) 步驟中，可以滿足所述不等式(1)所表示的條件的方式對保護膜、接著劑層及載體膜切入切口。於(B)步驟中，將保護膜與接著劑層一起模切，藉此成為接著劑片被保護構件覆蓋的狀態。該保護構件覆蓋接著劑片的與載體膜側的第一面相反的一側的第二面且具有與接著劑片相同的形狀。藉由設為利用保護構件覆蓋接著劑片的狀態，可防止塵埃等附著於接著劑片，直至使用時為止。
本揭示提供一種半導體裝置的製造製程中所使用的接著膜。該接著膜包括：寬度100mm以下的帶狀的載體膜；以沿載體膜的長邊方向排列的方式配置於載體膜上的多個接著劑片；以及以沿接著劑片的外緣的方式形成於載體膜上的切口；並且切口的深度及載體膜的厚度滿足以下的不等式(1)所表示的條件，接著劑片具有於長方形或正方形的至少一邊形成有凸部及凹部的至少一者的形狀。
0<D/T≦0.6 (1)
[式中，D為切口相對於載體膜的深度(單位μm)，T為載體膜的厚度(單位μm)]
根據該接著膜，可依次拾取以排列於載體膜上的方式配置的多個接著劑片，其後，將各接著劑片配置於基板的規定的區域，且可有效率地實施基板與半導體晶片的接著步驟。例如，若設為將帶狀的接著膜捲繞於捲軸的態樣，則可藉由輥對輥方式而 更進一步有效率地實施接著步驟。接著劑片的形狀只要根據應接著半導體晶片的基板的區域的形狀或半導體晶片的形狀而適宜設定即可。載體膜的厚度例如為10μm~200μm。
配置於載體膜上的接著劑片的尺寸及個數等只要根據所製造的半導體裝置的設計而適宜設定即可。例如，一個接著劑片的面積可設為10mm2~200mm2的範圍。以載體膜的面積為基準，載體膜的表面且為被多個接著劑片覆蓋的區域的比例可設為10%~60%。於載體膜上亦可形成一個或多個包含所述多個接著劑片的行。
所述接著膜亦可進而包括保護構件，所述保護構件覆蓋接著劑片的與載體膜側的第一面相反的一側的第二面且具有與接著劑片相同的形狀。藉由設為利用保護構件覆蓋接著劑片的狀態，可防止塵埃等附著於接著劑片，直至使用時為止。
就接著膜的加工性的觀點(進行模切時及其後，防止接著劑片自載體膜不經意地剝離的方面)而言，載體膜與接著劑片之間的密接力較佳為2N/m以上。
根據本揭示，可提供一種對於有效率地實施半導體裝置的製造製程中的接著步驟而言有用的包括複雜形狀的接著劑片的接著膜及充分穩定地製造接著膜的方法。另外，根據本揭示，可提供一種使用複雜形狀的接著劑片的半導體裝置及其製造方法。
1:載體膜
1c:切口
3:接著劑層
3A:行
3p:接著劑片
5:保護膜
5p:保護構件
10:接著膜
20:積層體
30:不需要部分
50:基板
51:旋轉體
51a、52a:旋轉軸
51c:刀片
52:輥
60:楔狀構件
65:拾取裝置
100:半導體裝置
A1、A2:導電材料
B:長尾夾
C:角落部
C1~C12:接著劑片的角
D:切口相對於載體膜的深度
F1:接著劑片的面(第一面)
F2:接著劑片的面(第二面)
P:間距
R1、R2:區域
S:半導體晶片
T:載體膜的厚度
W:寬度
X:箭頭
II-II:剖面線
圖1是示意性表示本揭示的接著膜的一實施形態的立體圖。
圖2是圖1所示的II-II線的剖面圖。
圖3(a)至圖3(f)是表示接著劑片的形狀的變動的平面圖。
圖4是示出T字型的接著劑片與半導體晶片的配置的一例的平面圖。
圖5是示意性表示依序積層有載體膜、接著劑層及保護膜的積層體的剖面圖。
圖6是表示藉由模切而於載體膜上形成多個接著劑片的情況的立體圖。
圖7是示意性表示自載體膜拾取接著劑片及覆蓋其的保護構件的情況的剖面圖。
圖8是示意性表示使用本揭示的接著劑片而製造的半導體裝置的一例的剖面圖。
圖9(a)是示意性表示實施例及比較例中的拾取性的評價中所使用的裝置的剖面圖，且為表示於長尾夾的角落部，接著劑片自載體膜剝離的情況的剖面圖，圖9(b)是表示接著劑片於密接於載體膜的狀態下通過角落部的情況的剖面圖。
以下，一邊適宜參照圖式，一邊對本揭示的實施形態進行說明。再者，本發明並不限定於以下的實施形態。於本說明書中，所謂(甲基)丙烯酸，是指丙烯酸或甲基丙烯酸。
<半導體裝置製造用接著膜>
圖1是示意性表示本實施形態的接著膜的立體圖。圖2是圖1所示的II-II線的剖面圖。該些圖所示的接著膜10包括：寬度100mm以下的帶狀的載體膜1；以沿載體膜1的長邊方向(圖1所示的箭頭X的方向)排列的方式配置於載體膜1上的多個接著劑片3p；覆蓋接著劑片3p的表面F2且具有與接著劑片3p相同的形狀的保護構件5p；以及以沿接著劑片3p的外緣的方式形成於載體膜1上的切口1c。如圖2所示，接著劑片3p的表面F2(第二面)為接著劑片3p的與載體膜1側的面F1(第一面)相反的一側的面。
接著膜10可應用於半導體裝置的製造製程中的各種接著步驟(例如，半導體晶片與基板的接著)。根據接著膜10，可依次拾取以排列於載體膜1上的方式配置的多個接著劑片3p，其後，將各接著劑片3p配置於基板的規定的區域，且可有效率地實施基板與半導體晶片的接著步驟。再者，於圖1、圖2中，圖示了於載體膜1上設置有一行包含多個接著劑片3p的行3A的情況，亦可於載體膜1上設置兩個以上的行3A。
如圖1所示，本實施形態的接著劑片3p具有如粗T字般的形狀(T字型)。如圖3(a)所示，該形狀具有8個角C1~角C8。再者，該形狀可稱為於長方形的一邊的中央部形成有一個凸部的形狀，亦可稱為於長方形的一邊的兩端分別形成有各一個凹部的形狀。
接著劑片3p的形狀並不限定於圖3(a)所示的形狀， 只要為於長方形或正方形的至少一邊形成有凸部及凹部的至少一者的形狀即可。例如，如圖3(b)所示，可為L字型，且可具有6個角C1~角C6。如圖3(c)所示，亦可為於長方形或正方形中形成有一個凹部的形狀且具有8個角C1~角C8。如圖3(d)所示，亦可為於長方形或正方形的一個角部(圖3(d)中的左下方)形成有凹部且於一邊(圖3(d)中的右側)形成有凸部的形狀且具有10個角C1~角C10。如圖3(e)所示，亦可為於長方形或正方形的一邊形成有凸部且於另一邊形成有凹部的形狀且具有12個角C1~角C12。再者，如圖3(f)所示，凹部或凸部的形狀可為三角形，亦可為圓弧狀。
接著劑片的形狀只要根據應接著半導體晶片的基板的區域的形狀或半導體晶片的形狀而適宜設定即可。另外，半導體晶片的形狀例如為長方形或正方形且於其角部設置有多個端子，於需要將該些端子與基板的配線連接的情況下，可以端子與配線不被接著劑片覆蓋的方式決定接著劑片的形狀。圖4是示出T字型的接著劑片3p與長方形的半導體晶片S的配置的一例的平面圖。圖4所示的區域R1、區域R2中，於基板與半導體晶片之間不存在接著劑，而可於該些區域R1、區域R2中將基板與半導體晶片電性連接。
本實施形態中的接著劑片3p假定為尺寸充分小者，一個接著劑片3p的面積例如為10mm2~200mm2，亦可為20mm2~160mm2或25mm2~100mm2。以載體膜1的面積為基準，載體 膜1的表面且為被多個接著劑片3p覆蓋的區域的比例(接著劑片的面積率)例如為10%~60%，亦可為10%~35%或15%~33%。該面積率可藉由如下方式來算出：將一個接著劑片3p的面積A除以設置於載體膜1上的接著劑片3p的間距(圖1中的間距P)與載體膜1的寬度(圖1中的寬度W)的積。即，該面積率R亦可設為利用以下的式所算出的值。
面積率R(%)=A/(P×W)×100
接著劑片3p及覆蓋其的保護構件5p可藉由模切來形成(參照圖6)。在模切時，沿接著劑片3p的外緣而於載體膜1上形成切口1c。當將切口1c相對於載體膜1的深度設為Dμm，將載體膜的厚度設為Tμm時(參照圖2)，切口1c的深度滿足以下的不等式(1)所表示的條件，較佳為滿足不等式(2)所表示的條件，更佳為滿足不等式(3)所表示的條件。
0<D/T≦0.6 (1)
0.1≦D/T≦0.6 (2)
0.15≦D/T≦0.6 (3)
藉由D/T的值為大於所述不等式(1)~不等式(3)的下限值的值或其以上，即便接著劑片3p的形狀複雜，亦可較佳地 實施圖6所示的模切。具體而言，可充分抑制接著劑片3p及保護構件5p不附著於載體膜1上而殘存於不需要部分30側的情況。另一方面，藉由D/T的值為小於所述不等式(1)~不等式(3)的上限值的值或其以下，可較佳地實施圖7所示的拾取。具體而言，於對接著膜10賦予一定的張力的狀態下，一邊使接著膜10的載體膜1側的面抵接於楔狀構件60，一邊使接著膜10沿圖7所示的箭頭的方向移動，藉此如該圖所示，容易成為接著劑片3p及保護構件5p的前方自載體膜1浮起的狀態。
推測：若D/T的值大於0.6，則構成接著劑片3p(接著劑層3)的接著劑組成物進入切口1c中，因此拾取性容易變得不充分。例如，在模切時，於積層體20自圖6所示的旋轉體51及輥52受到過剩的按壓力的情況下，存在D/T的值過度變大(切口1c過度變深)的傾向。推測：因該按壓力而助長接著劑組成物進入切口1c中、或接著劑組成物容易自保護構件5p滲出。根據發明者等人的研究，在使用接著膜10時，就拾取性的觀點而言，自保護構件5p的外緣的接著劑組成物的滲出距離較佳為未滿40μm。
以下，對接著膜10的構成進行說明。
[載體膜]
如上所述，載體膜1為帶狀且具有100mm以下的寬度。載體膜1的寬度只要根據配置於其上的接著劑片3p的尺寸及行3A的數量而適宜設定即可。例如，如圖1所示，於行3A的數量為一 個的情況下，載體膜1的寬度較佳為10mm~50mm，亦可為10mm~30mm或10mm~20mm。藉由載體膜1的寬度為10mm以上，於採用輥對輥方式的情況下，容易防止因撚載體膜1而導致作業性降低。
關於載體膜1的材質，若為可充分耐受於接著膜10的製造製程及半導體裝置的製造製程中所施加的張力者，則並無特別限制。關於載體膜1，就配置於其上的接著劑片3p及/或保護構件5p的視認性的觀點而言，較佳為透明。作為載體膜1，可使用聚對苯二甲酸乙二酯膜等聚酯系膜、聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚乙烯乙酸酯膜、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物等均聚物或共聚物或者該些的混合物等聚烯烴系膜、聚氯乙烯膜、聚醯亞胺膜等塑膠膜等。載體膜1可為單層結構，亦可為多層結構。
載體膜1的厚度只要於不損及作業性的範圍內適宜選擇即可，例如為10μm~200μm，亦可為20μm~100μm或25μm~80μm。該些厚度範圍為於實用方面無問題且於經濟方面亦有效的範圍。
為了提高接著劑片3p相對於載體膜1的密接力，可對載體膜1的表面實施電暈處理、鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等化學性或物理性表面處理。作為載體膜1，亦可使用包含氟樹脂的表面能量低的膜。作為此種膜，例如存在帝人膜解決方案(Teijin film solutions)股份有限公 司製造的A-63(模切處理劑：改質矽酮系)及帝人膜解決方案(Teijin film solutions)股份有限公司製造的A-31(模切處理劑：Pt系矽酮系)等。
為了防止接著劑片3p相對於載體膜1的密接力過度變高，亦可於載體膜1的表面形成包含矽酮系剝離劑、氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等模切劑的模切層。
載體膜1與接著劑片3p之間的密接力較佳為2N/m以上，更佳為2N/m~10N/m，亦可為2N/m~6N/m或2N/m~4N/m。藉由該密接力為2N/m以上，於製造接著膜10的過程中，容易防止接著劑片3p自載體膜1不經意地剝離，另一方面，藉由該密接力為10N/m以下，在使用接著膜10時，容易自載體膜1穩定地拾取接著劑片3p及覆蓋其的保護構件5p。再者，接著劑片3p相對於載體膜1的密接力是指90°剝離強度，具體而言，是指如下剝離強度：準備於載體膜1上形成有包含與接著劑片3p相同的組成的寬度20mm的接著劑層的試樣，以90°的角度且以剝離速度50mm/min將該接著劑層自載體膜剝離時所測定的剝離強度。
[接著劑片]
接著劑片3p是藉由將以覆蓋載體膜1的表面的方式形成的接著劑層3與以覆蓋接著劑層3的方式配置的保護膜5同時模切而與保護構件5p一起形成者(參照圖6)。接著劑片3p的厚度只要於不損及作業性的範圍內適宜選擇即可，例如為3μm~50μm，亦可為5μm~40μm或7μm~30μm。藉由接著劑片3p的厚度為 3μm以上，容易確保充分的接著性，另一方面，藉由接著劑片3p的厚度為50μm以下，容易抑制構成接著劑片3p的接著劑組成物自保護構件5p滲出。
構成接著劑片3p的接著劑組成物只要具有可無問題地用於半導體裝置的製造製程中的性質(例如，接著性及相對於150℃左右的熱的耐熱性)即可，只要適宜採用先前於半導體裝置的製造製程中所使用者即可。接著劑片3p較佳為包含熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂、硬化促進劑及填料，視需要亦可包含光反應性單體及光聚合起始劑等。伴隨基板的薄化，而存在使用耐熱性低的基板的傾向，且存在要求半導體裝置的製造製程的低溫化的傾向。接著劑片3p較佳為可於160℃以下的溫度條件下接著對象物。
(熱塑性樹脂)
作為熱塑性樹脂，可使用具有熱塑性的樹脂、或至少於未硬化狀態下具有熱塑性且於加熱後形成交聯結構的樹脂。作為熱塑性樹脂，就作為半導體加工用膠帶而收縮性、耐熱性及剝離性優異的觀點而言，較佳為具有反應性基的(甲基)丙烯酸共聚物(以下，亦有時稱為「含反應性基的(甲基)丙烯酸共聚物」)。
於包含含反應性基的(甲基)丙烯酸共聚物作為熱塑性樹脂的情況下，接著劑片3p亦可為不含熱硬化性樹脂的態樣。即，亦可為包含含反應性基的(甲基)丙烯酸共聚物、硬化促進劑及填料的態樣。
熱塑性樹脂可單獨使用一種或組合使用兩種以上。
作為(甲基)丙烯酸共聚物，可列舉丙烯酸樹脂、丙烯酸橡膠等(甲基)丙烯酸酯共聚物等，較佳為丙烯酸橡膠。丙烯酸橡膠較佳為以丙烯酸酯為主成分且藉由選自(甲基)丙烯酸酯及丙烯腈中的單體的共聚而形成者。
作為(甲基)丙烯酸酯，可列舉：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸己酯、丙烯酸環己酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸己酯、甲基丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸月桂酯等。
作為(甲基)丙烯酸酯共聚物，較佳為包含丙烯酸丁酯及丙烯腈作為共聚成分的共聚物、包含丙烯酸乙酯及丙烯腈作為共聚成分的共聚物。
含反應性基的(甲基)丙烯酸共聚物較佳為包含具有反應性基的(甲基)丙烯酸單體作為共聚成分的含反應性基的(甲基)丙烯酸共聚物。此種含反應性基的(甲基)丙烯酸共聚物可藉由使包含具有反應性基的(甲基)丙烯酸單體與所述單體的單量體組成物共聚而獲得。
作為反應性基，就提高耐熱性的觀點而言，較佳為環氧基、羧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、羥基、環硫基，其中，就交聯性的方面而言，更佳為環氧基及羧基。
於本實施形態中，含反應性基的(甲基)丙烯酸共聚物較佳為包含具有環氧基的(甲基)丙烯酸單體作為共聚成分的含環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物。於該情況下，作為具有環氧基的(甲基)丙烯酸單體，可列舉：丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸4-羥基丁酯縮水甘油醚、丙烯酸3,4-環氧環己基甲酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸4-羥基丁酯縮水甘油醚、甲基丙烯酸3,4-環氧環己基甲酯等。就耐熱性的觀點而言，具有反應性基的(甲基)丙烯酸單體較佳為丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯。
熱塑性樹脂的Tg較佳為-50℃~50℃。若熱塑性樹脂的Tg為50℃以下，則容易確保接著劑片3p的柔軟性。另外，在貼附於被黏著體時，於存在凹凸的情況下，容易追隨且具有適度的接著性。另一方面，若熱塑性樹脂的Tg為-50℃以上，則容易抑制接著劑片3p的柔軟性變得過高，可達成優異的處理性及接著性、剝離性。
熱塑性樹脂的Tg為藉由示差掃描熱量測定(Differential Scanning Calorimetry，DSC)而獲得的中間點玻璃轉移溫度值。具體而言，熱塑性樹脂的Tg為於升溫速度10℃/min、測定溫度：-80℃~80℃的條件下測定熱量變化，藉由依據JIS K 7121：1987的方法而算出的中間點玻璃轉移溫度。
熱塑性樹脂的重量平均分子量較佳為10萬以上、200萬以下。若重量平均分子量為10萬以上，則在用於暫時固定的用途時，容易確保耐熱性。另一方面，若重量平均分子量為200萬 以下，則在用於暫時固定的用途時，容易抑制流動性(flow)的降低及貼附性的降低。就所述觀點而言，熱塑性樹脂的重量平均分子量更佳為50萬以上、200萬以下，進而更佳為100萬以上、200萬以下。再者，重量平均分子量為利用凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography，GPC)並使用標準聚苯乙烯的標準曲線而得的聚苯乙烯換算值。
於具有反應性基的(甲基)丙烯酸共聚物包含丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯作為共聚成分的情況下，以共聚成分總量為基準，該些的含量以合計計較佳為0.1質量%~20質量%，更佳為0.5質量%~15質量%，進而更佳為1.0質量%~10質量%。若含量為所述範圍內，則容易以更高水準達成接著劑片3p的柔軟性、接著性及剝離性的全部。
作為如上所述的具有反應性基的(甲基)丙烯酸共聚物，亦可使用藉由珠狀聚合(pearl polymerization)、溶液聚合等聚合方法而獲得者。或者，亦可使用HTR-860P-3CSP(商品名，長瀨化成(Nagase ChemteX)股份有限公司製造)等市售品。
(熱硬化性樹脂)
作為熱硬化性樹脂，若為藉由熱而硬化的樹脂，則可無特別限制地使用。作為熱硬化性樹脂，可列舉：環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚樹脂、熱硬化型聚醯亞胺樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、脲樹脂等。該些可單獨使用一種或組合使用兩種以上。
關於環氧樹脂，只要為進行硬化而具有耐熱作用者，則並無特別限定。環氧樹脂可使用雙酚A型環氧等二官能環氧樹脂；苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂等。另外，環氧樹脂可使用多官能環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、含雜環的環氧樹脂、脂環式環氧樹脂等現有公知者。
作為雙酚A型環氧樹脂，可列舉：愛皮克特(Epikote)807、愛皮克特(Epikote)815、愛皮克特(Epikote)825、愛皮克特(Epikote)827、愛皮克特(Epikote)828、愛皮克特(Epikote)834、愛皮克特(Epikote)1001、愛皮克特(Epikote)1004、愛皮克特(Epikote)1007、愛皮克特(Epikote)1009(均為三菱化學股份有限公司製造)；DER-330、DER-301、DER-361(均為陶氏化學(Dow Chemical)公司製造)；YD8125、YDF8170(均為新日鐵住金化學股份有限公司製造)等。
作為苯酚酚醛清漆型環氧樹脂，可列舉：愛皮克特(Epikote)152、愛皮克特(Epikote)154(均為三菱化學股份有限公司製造)；EPPN-201(日本化藥股份有限公司製造)；DEN-438(陶氏化學(Dow Chemical)公司製造)等。
作為鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂，可列舉：YDCN-700-10(新日鐵住金化學股份有限公司製造)；EOCN-102S、EOCN-103S、EOCN-104S、EOCN-1012、EOCN-1025、EOCN-1027(均為日本化藥股份有限公司製造)；YDCN701、YDCN702、YDCN703、 YDCN704(均為新日鐵住金化學股份有限公司製造)等。
作為多官能環氧樹脂，可列舉：愛普恩(Epon)1031S(三菱化學股份有限公司製造)；愛牢達(Araldite)0163(日本巴斯夫(BASF Japan)公司製造)；代那科(Denacol)EX-611、EX-614、EX-614B、EX-622、EX-512、EX-521、EX-421、EX-411、EX-321(均為長瀨化成(Nagase ChemteX)股份有限公司製造)等。
作為胺型環氧樹脂，可列舉：愛皮克特(Epikote)604(三菱化學股份有限公司製造)；YH-434(新日鐵住金化學股份有限公司製造)；泰拉德(TETRAD)-X、泰拉德(TETRAD)-C(均為三菱瓦斯化學(Mitsubishi Gas Chemical)股份有限公司製造)；ELM-120(住友化學股份有限公司製造)等。
作為含雜環的環氧樹脂，可列舉：愛牢達(Araldite)PT810(日本巴斯夫(BASF Japan)公司製造)；ERL4234、ERL4299、ERL4221、ERL4206(均為聯合碳化物(Union Carbide)公司製造)等。該些環氧樹脂可單獨使用一種或組合使用兩種以上。
關於作為熱硬化性樹脂成分的一部分的環氧樹脂硬化劑，可使用通常所使用的公知的樹脂。具體而言，可列舉：胺類；聚醯胺；酸酐；多硫化物；三氟化硼；如雙酚A、雙酚F、雙酚S般的於一分子中具有兩個以上酚性羥基的雙酚類；苯酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂等酚樹脂等。作為環氧樹脂硬化劑，特別是就吸濕時的耐電蝕性優異的觀點而言，較佳為苯酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛 清漆樹脂等酚樹脂。
再者，環氧硬化劑可與環氧樹脂同時使用，亦可單獨使用。
所述酚樹脂硬化劑中，較佳為使用費恩利特(Phenolite)LF4871、費恩利特(Phenolite)TD-2090、費恩利特(Phenolite)TD-2149、費恩利特(Phenolite)VH-4150、費恩利特(Phenolite)VH4170(均為迪愛生(DIC)股份有限公司製造，商品名)；H-1(明和化成股份有限公司製造，商品名)；艾匹庫(Epi-Cure)MP402FPY、艾匹庫(Epi-Cure)YL6065、艾匹庫(Epi-Cure)YLH129B65、美萊克(Milex)XL、美萊克(Milex)XLC、美萊克(Milex)XLC-LL、美萊克(Milex)RN、美萊克(Milex)RS、美萊克(Milex)VR(均為三菱化學股份有限公司製造，商品名)等具有結構的材料。
相對於熱塑性樹脂100質量份，接著劑片3p中的熱硬化性樹脂的含量較佳為10質量份~500質量份，更佳為30質量份~450質量份，進而更佳為50質量份~400質量份。若熱硬化性樹脂的含量為所述範圍內，則容易達成接著劑片3p的熱硬化後的優異的密接性。
(硬化促進劑)
作為硬化促進劑，可列舉：咪唑類、雙氰胺衍生物、二羧酸二醯肼、三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸鹽、2-乙基-4-甲基咪唑-四苯基硼酸鹽、1,8-二氮雜雙環[5,4,0]十一烯-7-四苯基硼酸鹽等。該些可單獨使用一種或組合使用兩種以上。
於接著劑片3p含有具有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的情況下，較佳為含有促進所述丙烯酸共聚物中所含的環氧基的硬化的硬化促進劑。作為促進環氧基的硬化的硬化促進劑，可列舉：酚系硬化劑、酸酐系硬化劑、胺系硬化劑、咪唑系硬化劑、咪唑啉系硬化劑、三嗪系硬化劑及膦系硬化劑。該些中，就快速硬化性、耐熱性及剝離性的觀點而言，較佳為可期待步驟時間的縮短及作業性的提高的咪唑系硬化劑。該些化合物可單獨使用一種或組合使用兩種以上。
相對於熱塑性樹脂100質量份，接著劑片3p中的硬化促進劑的含量較佳為0.01質量份~50質量份，更佳為0.02質量份~20質量份，進而更佳為0.025質量份~10質量份。若硬化促進劑的含量為所述範圍內，則存在可提高接著劑片3p的硬化性，同時可充分抑制保存穩定性的降低的傾向。
(無機填料)
接著劑片3p較佳為含有無機填料。作為無機填料，可列舉：銀粉、金粉、銅粉等金屬填料；二氧化矽(silica)、氧化鋁(alumina)、氮化硼、二氧化鈦(titania)、玻璃(glass)、氧化鐵、陶瓷(ceramic)等非金屬無機填料等。無機填料可根據所期望的功能而進行選擇。
所述無機填料較佳為表面具有有機基者。藉由無機填料的表面經有機基修飾，容易使製備用以形成接著劑片3p的清漆時於有機溶劑中的分散性以及接著劑片3p的高彈性係數及優異的剝 離性併存。
表面具有有機基的無機填料例如可藉由如下方式來獲得：將下述式(B-1)所表示的矽烷偶合劑與無機填料混合，於30℃以上的溫度下進行攪拌。無機填料的表面經有機基修飾可利用紫外線(UV)測定、紅外線(Infrared Radiation，IR)測定、X射線光電子光譜(X-ray photoelectron spectroscopy，XPS)測定等來確認。
Figure 107132897-A0305-02-0023-1
式(B-1)中，X表示選自由苯基、縮水甘油氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、巰基、胺基、乙烯基、異氰酸酯基及甲基丙烯醯氧基所組成的群組中的有機基，s表示0或1~10的整數，R11、R12及R13分別獨立地表示碳數1~10的烷基。
作為碳數1~10的烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、異丙基、異丁基等。
就容易獲取的觀點而言，碳數1~10的烷基較佳為甲基、乙基及戊基。就耐熱性的觀點而言，X較佳為胺基、縮水甘油氧基、巰基及異氰酸酯基，更佳為縮水甘油氧基及巰基。就抑制高熱時 的膜流動性並提高耐熱性的觀點而言，式(B-1)中的s較佳為0~5，更佳為0~4。
作為矽烷偶合劑，可列舉：三甲氧基苯基矽烷、二甲基二甲氧基苯基矽烷、三乙氧基苯基矽烷、二甲氧基甲基苯基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、N-(1,3-二甲基亞丁基)-3-(三乙氧基矽烷基)-1-丙胺、N,N'-雙(3-(三甲氧基矽烷基)丙基)乙二胺、聚氧乙烯丙基三烷氧基矽烷、聚乙氧基二甲基矽氧烷等。
該些中，較佳為3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷，更佳為三甲氧基苯基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷。矽烷偶合劑可單獨使用一種或組合使用兩種以上。
就實現耐熱性與保存穩定性的平衡的觀點而言，相對於無機填料100質量份，所述偶合劑的含量較佳為0.01質量份~50質量份，更佳為0.05質量份~20質量份，就提高耐熱性的觀點而 言，進而更佳為0.5質量份~10質量份。
相對於熱塑性樹脂100質量份，接著劑片3p中的無機填料的含量較佳為600質量份以下，更佳為500質量份以下，進而更佳為400質量份以下。無機填料的含量的下限並無特別限制，相對於熱塑性樹脂100質量份，較佳為5質量份以上，更佳為8質量份以上。藉由將無機填料的含量設為所述範圍，可抑制伴隨熱硬化的收縮，並且容易使接著劑片3p的高彈性係數及優異的剝離性併存。
(有機填料)
接著劑片3p亦可含有有機填料。作為有機填料，可列舉：碳、橡膠系填料、矽酮系微粒子、聚醯胺微粒子、聚醯亞胺微粒子等。相對於熱塑性樹脂100質量份，有機填料的含量較佳為300質量份以下，更佳為200質量份以下，進而更佳為100質量份以下。有機填料的含量的下限並無特別限制，相對於熱塑性樹脂100質量份，較佳為5質量份以上。
(有機溶劑)
接著劑片3p視需要亦可使用有機溶劑進行稀釋。有機溶劑並無特別限定，可根據沸點來考慮製膜時的揮發性等而決定。具體而言，就在製膜時難以進行膜的硬化的觀點而言，較佳為甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、甲基乙基酮、丙酮、甲基異丁基酮、甲苯、二甲苯等沸點相對低的溶劑。另外，出於提高製膜性等的目的，較佳為使用二甲基乙醯胺、二甲基甲 醯胺、N-甲基吡咯啶酮、環己酮等沸點相對高的溶劑。該些溶劑可單獨使用一種或組合使用兩種以上。
[保護構件]
保護構件5p是藉由將以覆蓋載體膜1的表面的方式形成的接著劑層3與以覆蓋接著劑層3的方式配置的保護膜5同時模切而與接著劑片3p一起形成者(參照圖6)。本實施形態的保護構件5p是藉由模切而與接著劑片3p同時形成者，因此實質為與接著劑片3p相同的形狀。作為保護膜5，只要為於接著膜10的製造製程中可進行衝壓加工且於半導體裝置的製造製程中可容易將保護構件5p自接著劑片3p剝離者即可。
接著劑片3p與保護構件5p之間的密接力較佳為16N/m以下，更佳為10N/m以下，亦可為5N/m以下或4.5N/m以下。特別是，於接著劑片3p包含具有熱硬化性的樹脂組成物的情況下，較佳為：於在100℃下進行10分鐘的熱處理後，保護構件5p相對於接著劑片3p的密接力為所述範圍。藉由該密接力為16N/m以下，可於使由保護構件5p覆蓋的狀態的接著劑片3p例如於100℃下且於3秒的條件下暫時壓接於被黏著體(例如基板)後，利用黏著膠帶等容易將保護構件5p自接著劑片3p剝離。再者，保護構件5p相對於接著劑片3p的密接力是指90°剝離強度，具體而言，是指如下剝離強度：準備於包含與接著劑片3p相同的組成的寬度20mm的接著劑層上配置有相同寬度的保護膜的試樣，以90°的角度且以剝離速度300mm/min將該保護膜自接著劑層剝離時所 測定的剝離強度。
作為保護膜5，可使用聚對苯二甲酸乙二酯膜等聚酯系膜、聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚乙烯乙酸酯膜、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物等均聚物或共聚物或者該些的混合物等聚烯烴系膜、聚氯乙烯膜、聚醯亞胺膜等塑膠膜等。保護膜5可為單層結構，亦可為多層結構。藉由利用保護膜5覆蓋接著劑層3，可抑制對接著劑層3施加過度的張力，並且在模切時，可防止異物混入至接著劑層3中。
保護膜5的厚度只要於不損及作業性的範圍內適宜選擇即可，例如為10μm~200μm，亦可為20μm~100μm或25μm~80μm。該些厚度範圍為於實用方面無問題且於經濟方面亦有效的範圍。
保護構件5p的光透過率較佳為低於載體膜1的光透過率。藉由採用所述構成，可利用相機等元件來識別接著劑片3p的位置及朝向等，且容易使半導體裝置的製造製程中的接著步驟自動化。例如，作為保護構件5p，較佳為使用著色成波長500nm的光的透過率未滿10%(更佳為未滿7%)者。
<接著膜的製造方法>
繼而，對接著膜10的製造方法進行說明。本實施形態的製造方法包括以下的步驟。
(A)準備積層體20的步驟，所述積層體20具有寬度100mm 以下的帶狀的載體膜1、以覆蓋載體膜1的表面的方式形成的接著劑層3及以覆蓋接著劑層3的方式配置的保護膜5。
(B)藉由將積層體20中的接著劑層3及保護膜5模切而獲得以沿載體膜1的長邊方向排列的方式配置於載體膜1上的多個接著劑片3p的步驟。
圖5是示意性表示利用(A)步驟所準備的積層體20的剖面圖。積層體20可以如下方式製作。首先，準備使接著劑層3的原料樹脂組成物溶解於有機溶劑等溶媒中並加以清漆化而成的塗敷液。將該塗敷液塗敷於載體膜1上後，將溶媒去除，藉此形成接著劑層3。作為塗敷方法，可列舉：刀塗法、輥塗法、噴塗法、凹版塗佈法、棒塗法及簾塗法等。繼而，於常溫~60℃的條件下將保護膜5貼合於接著劑層3的表面。藉此，可獲得積層體20。再者，亦可將接著劑層3形成於寬度廣的載體膜上後，以覆蓋其的方式貼合保護膜5，藉此製作積層膜，並將所述積層膜切斷(縱切)成100mm以下的寬度，藉此獲得積層體20。
圖6是表示藉由(B)步驟中的模切而於載體膜1上形成多個接著劑片3p及覆蓋其的保護構件5p的情況的立體圖。如圖6所示，積層體20通過外周面具有用以實施模切的多個刀片51c的旋轉體51與和旋轉體51成對的輥52之間，藉此於載體膜1上連續地形成與刀片51c的形狀相對應的接著劑片3p及保護構件5p。此時，關於積層體20，保護膜5側的面朝向旋轉體51，載體膜1側的面朝向輥52。藉由調整旋轉體51的旋轉軸51a與輥52 的旋轉軸52a的距離或變更刀片51c的高度，可調整藉由刀片51c而形成於積層體20上的切口的深度。
如上所述，在模切時，以沿接著劑片3p的外緣的方式於載體膜1上形成切口1c。當將切口1c相對於載體膜1的深度設為Dμm，將載體膜的厚度設為Tμm時(參照圖2)，切口1c的深度滿足以下的不等式(1)所表示的條件，較佳為滿足不等式(2)所表示的條件，更佳為滿足不等式(3)所表示的條件。
0<D/T≦0.6 (1)
0.1≦D/T≦0.6 (2)
0.15≦D/T≦0.6 (3)
藉由D/T的值為大於所述不等式(1)~不等式(3)的下限值的值或其以上，可較佳地實施圖6所示的模切。另一方面，藉由D/T的值為小於所述不等式(1)~不等式(3)的上限值的值或其以下，可較佳地實施圖7所示的拾取。
如圖6所示，通過旋轉體51及輥52之間的積層體20分離為接著膜10與不需要部分30，並捲繞於各自的捲軸(未圖示)。不需要部分30包含挖出了接著劑片3p及保護構件5p的接著劑層3與保護膜5。
<接著膜的使用方法>
繼而，對接著膜10的使用方法進行說明。圖7是示意性表示 自載體膜1拾取接著劑片3p及覆蓋其的保護構件5p的情況的剖面圖。於對接著膜10賦予一定的張力的狀態下，一邊使接著膜10的載體膜1側的面抵接於楔狀構件60，一邊使接著膜10沿圖7所示的箭頭的方向移動。藉此如該圖所示，成為接著劑片3p及保護構件5p的前方自載體膜1浮起的狀態。在為該狀態時，例如利用具有吸引力的拾取裝置65拾取接著劑片3p及保護構件5p。例如，藉由使用包括視認保護構件5p的相機等的拾取裝置作為拾取裝置65，可掌握接著劑片3p及保護構件5p的有無以及朝向等資訊。基於該些資訊，可適當地實施之後的接著步驟。
繼而，以基板(未圖示)的規定的位置及朝向配置由保護構件5p覆蓋的狀態的接著劑片3p。於該狀態下，進行接著劑片3p相對於基板的暫時壓接。暫時壓接只要於例如溫度60℃~150℃、按壓力0.03MPa~1MPa的條件下進行0.1秒~10秒即可。藉由暫時壓接，接著劑片3p以相對於基板而言弱，但不自基板剝離的程度密接。於該狀態下，使用黏著膠帶等將保護構件5p自接著劑片3p剝離。將與接著劑片3p不同形狀的半導體晶片(未圖示)配置於因保護構件5p的剝離而露出的接著劑片3p的表面後，進行半導體晶片相對於基板的壓接。壓接只要於例如溫度60℃~150℃、按壓力0.05MPa~1MPa的條件下進行0.1秒~10秒即可。再者，伴隨基板的薄化，加熱溫度理想為低，壓接溫度較佳為160℃以下，其後的熱硬化溫度亦較佳為160℃以下。
<半導體裝置>
圖8是示意性表示使用接著劑片3p而製造的半導體裝置的一例的剖面圖。該圖所示的半導體裝置100包括：半導體晶片S；與半導體晶片S電性連接的基板50；以及配置於半導體晶片S與基板50之間且將半導體晶片S與基板50接著的接著劑片3p。半導體晶片S的形狀例如為長方形或正方形，相對於此，接著劑片3p的形狀為T字型，半導體晶片S的形狀與接著劑片3p的形狀不同。藉由採用所述構成，如圖8所示，於區域R1、區域R2中，可藉由導電材料A1、導電材料A2而將基板50與半導體晶片S電性連接。
半導體裝置100的製造方法包括：準備依序積層有基板50、接著劑片3p及半導體晶片S的積層體(未圖示)的步驟；以及藉由對積層體進行加熱而介隔接著劑片來將基板50與半導體晶片S接著的步驟。將基板50與半導體晶片S接著時的溫度較佳為低溫，例如為160℃以下。
以上，對本揭示的實施形態進行了詳細說明，但本揭示並不限定於所述實施形態。例如，於所述實施形態中，為了可利用相機等掌握保護構件5p的有無及朝向等，而例示了使用經著色的保護膜5的情況，取而代之，亦可於保護構件5p的規定的位置標注標記。另外，若設為接著劑片3p被著色的態樣，則亦可不設置保護構件5p。再者，於接著劑片3p的朝向不會成為問題的情況(例如，接著劑片3p的形狀為圓形的情況)下，無需識別朝向。
[實施例]
以下，基於實施例而對本揭示進行說明。本揭示並不限定於以下的實施例。
<實施例1>
(接著劑清漆的製備)
藉由混合以下的材料，並且進行真空脫氣，從而獲得接著劑清漆。
．熱塑性樹脂：HTR-860P-3(商品名，長瀨化成(Nagase ChemteX)股份有限公司製造，含縮水甘油基的丙烯酸橡膠，分子量100萬，Tg-7℃)100質量份
．熱硬化性樹脂：YDCN-700-10(商品名，新日鐵住金化學股份有限公司製造，鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂，環氧當量210)30質量份
．熱硬化性樹脂：LF-4871(商品名，迪愛生(DIC)股份有限公司製造，雙酚A型環氧樹脂，環氧當量118)95質量份
．熱硬化性樹脂：YDF-8170C(商品名，新日鐵住金化學股份有限公司製造，雙酚F型環氧樹脂，環氧當量157)100質量份
．硬化促進劑：2PZ-CN(商品名，四國化成工業股份有限公司製造，咪唑化合物)0.3質量份
．表面處理填料：SC-2050-HLG(商品名，亞都瑪科技(Admatechs)股份有限公司製造)330質量份
．矽烷偶合劑：A-189(商品名，NUC股份有限公司製造，γ-巰基丙基三甲氧基矽烷)0.9質量份
．矽烷偶合劑：A-1160(商品名，NUC股份有限公司製造，γ-脲基丙基三乙氧基矽烷)2質量份
(接著膜的製作)
將所述接著劑清漆塗敷於表面模切處理聚對苯二甲酸乙二酯膜(帝人膜解決方案(Teijin film solutions)股份有限公司製造，商品名：帝人帝特綸膜(teijin tetoron film)A-53，厚度T：38μm)上。經過乾燥步驟，從而獲得於所述聚對苯二甲酸乙二酯膜(載體膜)的一面形成有厚度25μm的接著劑層的膜。藉由將該膜與經著色的厚度50μm的聚乙烯膜(塔瑪坡力(Tamapoly)股份有限公司製造，TDM-1)貼合，從而獲得積層膜。藉由將該積層膜縱切成15mm寬度，從而獲得帶狀的積層體。
使用圖6所示的構成的裝置對以所述方式獲得的積層體進行模切，藉此獲得本實施例的接著膜。接著劑片的形狀設為縱約7mm×橫約6mm的矩形的欠缺一部分角的形狀(面積：29mm2)。間距P設為約9mm。切口相對於載體膜的深度D為13μm，D/T(=13/38)的值為約0.3。切口的深度D設為如下值的平均值：針對形成於載體膜上的切口的任意10部位，基於電子顯微鏡圖像而測定各自的深度而得的值。於以下的實施例及比較例中，亦相同。
<實施例2>
使用與實施例1中所使用的載體膜不同的實施了表面處理的載體膜且變更切口相對於載體膜的深度D，除此以外，與實施例1 同樣地製作接著膜。作為載體膜，使用表面模切處理聚對苯二甲酸乙二酯膜(帝人膜解決方案(Teijin film solutions)股份有限公司製造，商品名：帝人帝特綸膜(teijin tetoron film)A-63，厚度T：38μm)。切口相對於載體膜的深度D為18μm，D/T(=18/38)的值為約0.5。
<實施例3>
除變更切口相對於載體膜的深度D以外，與實施例2同樣地製作接著膜。切口相對於載體膜的深度D為21μm，D/T(=21/38)的值為約0.6。
<比較例1>
除變更切口相對於載體膜的深度D以外，與實施例1同樣地製作接著膜。切口相對於載體膜的深度D為26μm，D/T(=26/38)的值為約0.7。
<比較例2>
除變更切口相對於載體膜的深度D以外，與實施例1同樣地製作接著膜。切口相對於載體膜的深度D為33μm，D/T(=33/38)的值為約0.9。
<比較例3>
使用與實施例1中所使用的載體膜不同的實施了表面處理的載體膜且變更切口相對於載體膜的深度D，除此以外，與實施例1同樣地製作接著膜。作為載體膜，使用表面模切處理聚對苯二甲酸乙二酯膜(帝人膜解決方案(Teijin film solutions)股份有限公 司製造，商品名：帝人帝特綸膜(teijin tetoron film)A-31，厚度T：38μm)。切口相對於載體膜的深度D為29μm，D/T(=29/38)的值為約0.8。
對實施例及比較例的接著膜進行以下項目的評價。將結果示於表1及表2中。
(1)載體膜密接力(90°剝離強度)
將未進行模切的積層膜(載體膜/接著劑層/保護膜)切成20mm寬度。使用雙面膠帶將載體膜側的面貼附於鋁板後，剝離保護膜。其後，一邊將接著劑層相對於載體膜的角度維持為90°，一邊向上方提拉接著劑層，藉此使接著劑層自載體膜剝離。提拉速度設為50mm/min，測定環境溫度設為23℃±2℃。測定提拉所需要的力。將該測定值(mN)及試樣的寬度(20mm)代入下述式中，藉此算出載體膜與接著劑層之間的密接力。
密接力(N/m)=測定值(mN)/20(mm)
基於以下的基準來進行評價。
A：密接力為2N/m以上
B：密接力未滿2N/m
(2)構成接著劑片的接著劑組成物的滲出距離
基於接著膜的上表面(保護構件側的面)的顯微鏡圖像，測定接著劑組成物滲出最多的部位距保護構件的外緣的距離。
基於以下的基準來進行評價。
A：滲出距離為20μm以下
B：滲出距離超過20μm
(3)拾取性
將長尾夾(寬度32mm)固定於板的端部來製作圖9(a)所示的構成的裝置。於對實施例及比較例的接著膜(寬度15mm)賦予一定的張力的狀態下，一邊使接著膜10的載體膜側的面抵接於長尾夾B的角落部C，一邊使接著膜10以50mm/min的速度沿該圖所示的箭頭的方向移動。角落部C中的接著膜10的彎折角度設為150°左右。藉由目視來觀察連續排列的25個接著劑片3p(及保護構件5p)於角落部C處是否成為自載體膜剝離而浮起的狀態(參照圖9(a))。如圖9(b)所示，將以附著於載體膜1的狀態通過角落部C的接著劑片3p設為「未剝離的接著劑片」並進行計數。
基於以下的基準來進行評價。
A：25個接著劑片中，未剝離的接著劑片為2個以下
B：25個接著劑片中，未剝離的接著劑片為3個以上
[表1]
Figure 107132897-A0305-02-0037-2
Figure 107132897-A0305-02-0037-3
[產業上的可利用性]
根據本揭示，可提供一種對於即便應接著半導體晶片的基板的區域有限制或半導體晶片的形狀特殊，亦可有效率地實施半導體裝置的製造製程中的接著步驟而言有用的接著膜及充分穩定地製造接著膜的方法。
1‧‧‧載體膜
1c‧‧‧切口
3p‧‧‧接著劑片
5p‧‧‧保護構件
10‧‧‧接著膜
D‧‧‧切口相對於載體膜的深度
F1‧‧‧接著劑片的面(第一面)
F2‧‧‧接著劑片的面(第二面)
T‧‧‧載體膜的厚度

Claims (18)

  1. 一種半導體裝置製造用接著膜的製造方法，且其依序包括：(A)準備積層體的步驟，所述積層體至少具有寬度100mm以下的帶狀的載體膜與以覆蓋所述載體膜的表面的方式形成的接著劑層；以及(B)藉由將所述接著劑層模切而獲得以沿所述載體膜的長邊方向排列的方式配置於所述載體膜上的多個接著劑片的步驟；並且於(B)步驟中，在進行所述模切時，以滿足以下的不等式(1)所表示的條件的方式對所述接著劑層及所述載體膜切入切口，所述接著劑片具有於長方形或正方形的至少一邊形成有凸部及凹部的至少一者的形狀；0<D/T≦0.6 (1)式中，D為切口相對於所述載體膜的深度，T為所述載體膜的厚度，所述深度及所述厚度的單位為μm。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置製造用接著膜的製造方法，其中所述接著劑片具有6個以上的角。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的半導體裝置製造用接著 膜的製造方法，其中所述接著劑片的形狀為L字型。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置製造用接著膜的製造方法，其中所述接著劑片具有8個以上的角。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的半導體裝置製造用接著膜的製造方法，其中所述積層體進而具有以覆蓋所述接著劑層的方式配置的保護膜，以滿足所述不等式(1)所表示的條件的方式對所述保護膜、所述接著劑層及所述載體膜切入切口。
  6. 一種半導體裝置製造用接著膜，且其包括：寬度100mm以下的帶狀的載體膜；以沿所述載體膜的長邊方向排列的方式配置於所述載體膜上的多個接著劑片；以及以沿所述接著劑片的外緣的方式形成於所述載體膜上的切口；並且所述切口的深度及所述載體膜的厚度滿足以下的不等式(1)所表示的條件，所述接著劑片具有於長方形或正方形的至少一邊形成有凸部及凹部的至少一者的形狀；0<D/T≦0.6 (1)式中，D為切口相對於所述載體膜的深度，T為所述載體膜 的厚度，所述深度及所述厚度的單位為μm。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的半導體裝置製造用接著膜，其中所述接著劑片具有6個以上的角。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的半導體裝置製造用接著膜，其中所述接著劑片的形狀為L字型。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的半導體裝置製造用接著膜，其中所述接著劑片具有8個以上的角。
  10. 如申請專利範圍第6項至第9項中任一項所述的半導體裝置製造用接著膜，其進而包括保護構件，所述保護構件覆蓋所述接著劑片的與所述載體膜側的第一面相反的一側的第二面且具有與所述接著劑片相同的形狀。
  11. 如申請專利範圍第6項至第9項中任一項所述的半導體裝置製造用接著膜，其中所述接著劑片的面積為10mm2~200mm2。
  12. 如申請專利範圍第6項至第9項中任一項所述的半導體裝置製造用接著膜，其中以所述載體膜的面積為基準，所述載體膜的表面且為被所述多個接著劑片覆蓋的區域的比例為10%~60%。
  13. 如申請專利範圍第6項至第9項中任一項所述的半導體裝置製造用接著膜，其中所述載體膜與所述接著劑片之間的密接力為2N/m以上。
  14. 如申請專利範圍第6項至第9項中任一項所述的半導 體裝置製造用接著膜，其中所述載體膜的厚度為10μm~200μm。
  15. 一種半導體裝置，其包括：基板；半導體晶片；以及如申請專利範圍第6項至第14項中任一項所述的半導體裝置製造用接著膜的所述接著劑片；並且所述接著劑片配置於所述基板與所述半導體晶片之間且將所述基板與所述半導體晶片接著，所述半導體晶片的形狀與所述接著劑片的形狀不同。
  16. 一種半導體裝置的製造方法，其中使用如申請專利範圍第6項至第14項中任一項所述的半導體裝置製造用接著膜的所述接著劑片。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的半導體裝置的製造方法，其包括：準備依序積層有基板、所述接著劑片及半導體晶片的積層體的步驟；以及藉由對所述積層體進行加熱而介隔所述接著劑片來將所述基板與所述半導體晶片接著的步驟；並且所述半導體晶片的形狀與所述接著劑片的形狀不同。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的半導體裝置的製造方法，其中藉由將所述積層體加熱至160℃以下的溫度而利用所述接著劑片將所述半導體晶片與所述基板接著。
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