TWI752781B

TWI752781B - 雷射二極體檢測系統及其檢測方法

Info

Publication number: TWI752781B
Application number: TW109147126A
Authority: TW
Inventors: 王勝弘; 張博翔
Original assignee: 致茂電子股份有限公司
Priority date: 2020-12-31
Filing date: 2020-12-31
Publication date: 2022-01-11
Also published as: TW202227821A; JP7371078B2; US20220209493A1; US12015239B2; JP2022105301A

Abstract

本發明係有關於一種雷射二極體檢測系統及其檢測方法，先由第一移載裝置將雷射棒體或多個雷射二極體移動至第一測試站；接著，第一探針模組依序電性接觸每一雷射二極體，而第一量測裝置依序量測第一探針模組所電性接觸之雷射二極體之電性及光學特性；再者，第一移載裝置將雷射棒體或多個雷射二極體移出第一測試站；其中透過電磁滑軌之電磁產生單元產生磁場與第一移載裝置之永久磁石的磁場相互作用，藉以驅動第一移載裝置移動，故每一移載裝置可獨立控制，且移載精度高又容易校正，每一測試站可模組化，可輕易調整測試站數量、間距及順序等。

Description

雷射二極體檢測系統及其檢測方法

本發明係關於一種雷射二極體檢測系統及其檢測方法，尤指一種檢測邊緣發射型雷射二極體(Edge Emitting Laser，EEL)之電性特性及光學特性之檢測系統及其檢測方法。

雷射二極體(LASER DIODE)的運用相當廣泛，含括了光通訊、材料加工、醫療、感測、印刷、顯示、光存儲和照明領域。然而，隨著雷射二極體製程的不斷進步，體積不斷地縮小，精密度不斷地提升，將導致雷射二極體之特性量測的難度也不斷地被提升。

再者，在現有檢測技術中，較為常見是採單站、單一功能及單一測試溫度的方式；也就是說，在一個獨立測試站中對單一個雷射二極體棒體或各別雷射二極體(以下簡稱待測件)升溫或降溫至一特定溫度，並對該待測件進行單一特性或功能的檢測。然而，以目前常規的檢測規格而言，通常須在三個不同測試溫度環境(低溫、室溫、高溫)之下，進行包括各項光電測試以及光學特性測試等。

換句話說，為了完成上述這些3種不同測試溫度下的4種檢測項目就至少必須配置10個以上的獨立的測試站設備，不僅耗費成本，且廠房空間、以及包括冷熱源、氣液壓源、電源等其他輔助設備之要求頗大；況且，待測件在不同測試站間的移入、再定位和移出等步驟導致風險因素增多，更遑論建置、維護、以及稼動時間等成本。

由此可知，於單一流程線可實現多溫段、多功能檢測之雷射二極體檢測系統及其檢測方法，實為產業界所殷殷期盼者。

本發明之主要目的係提供一種雷射二極體檢測系統及其檢測方法，其可將多測試站整合於單一流程線上，且可彈性增減測試站、調換測試站之順序或調整測試站之間的間距，故可大幅提升檢測效率、降低設備建置成本以及減少設備占用空間。

為達成上述目的，本發明一種雷射二極體檢測系統，其適於檢測複數雷射二極體，每一雷射二極體包括至少一接點，該系統主要包括一第一移載裝置、一第一測試站及一主控制器；第一移載裝置耦接於一電磁滑軌上，且第一移載裝置包括至少一永久磁石，而電磁滑軌包括複數電磁產生單元，其沿著電磁滑軌的長度方向佈設；複數雷射二極體放置於第一移載裝置；第一測試站包括一第一量測裝置及一第一探針模組；主控制器電性連接至電磁滑軌之複數電磁產生單元、第一量測裝置及第一探針模組；其中，主控制器控制電磁滑軌之複數電磁產生單元中至少其一產生磁場並與第一移載裝置之至少一永久磁石所產生之磁場相互作用，藉以驅動第一移載裝置移載複數雷射二極體至第一測試站或遠離第一測試站；然而，當第一移載裝置位於第一測試站時，主控制器控制第一探針模組依序電性接觸複數雷射二極體的該至少一接點，並控制第一量測裝置依序量測第一探針模組所電性接觸之雷射二極體之電性特性及光學特性中至少一者。

由上可知，本發明利用電磁滑軌上的電磁產生單元以磁懸浮方式來驅動第一移載裝置，故第一移載裝置在無任何配線的情況下即可移載複數雷射二極體，且每一移載裝置可獨立控制，不論移載速度或移載距離皆可輕易調控，且移載精度高，又容易校正。藉此，本發明可將每一測試站模組化，故可將多個測試站整合於單一流程線上，又可視實際需求輕易增減測試站數量、彈性調整測試站之間距以及變換測試站的順序等，進而提升檢測效率，降低設備建置成本，以及減少設備所占空間。

較佳的是，本發明可更包括第二測試站、第二移載裝置及取放裝置；而第二測試站可包括第二量測裝置及第二探針模組；且第二移載裝置耦接於電磁滑軌上；取放裝置設置於第一測試站與第二測試站之間；第二量測裝置、第二探針模組及取放裝置電性連接主控制器；其中，當第一測試站之第一量測裝置量測完複數雷射二極體之電性特性及光學特性中至少一者後，主控制器可驅動第一移載裝置移載複數雷射二極體遠離第一測試站，並控制取放裝置將複數雷射二極體移載至第二移載裝置；主控制器可驅動第二移載裝置移載複數雷射二極體至第二測試站，並控制第二探針模組依序電性接觸複數雷射二極體的至少一接點，並控制第二量測裝置量測第二探針模組所電性接觸之雷射二極體之電性特性及光學特性中至少一者。

換句話說，如前段所述，本發明可對每一測試站配置一移載裝置，且又可在每二測試站之間配置一取放裝置，其係負責搬運複數雷射二極體於二測試站之移載裝置間；據此，每一測試站之移載裝置將可獨立運載而進出於所屬測試站，且每一測試站又獨立測試雷射二極體，不會互相干擾，而因每一測試站僅對應單一移載裝置，移載路徑一致，故移載精度高，又容易校正。

再者，本發明可包括一導軌，其係沿著該電磁滑軌平行佈設，而第一移載裝置可更包括一滑架，其耦接於導軌而可相對滑移；又，滑架可更包括一溫度控制單元及一待測物放置座，而溫度控制單元可連接於待測物放置座並對其升溫或降溫，且待測物放置座可用於放置複數雷射二極體。換言之，本發明可藉由導軌之增設，並透過第一移載裝置帶動耦接於導軌之滑架以及配置於滑架上的待測物放置座，故可降低第一移載裝置之荷重，來增加結構和移載待側件的穩定性，進而更加提升移載精度。此外，本發明透過溫度控制單元而可對待測物放置座進行溫度調控，進而對複數雷射二極體提供具有特定高溫或低溫之測試環境。

又，本發明之待測物放置座可包括一本體及一可拆換座，而本體可包括一負壓通道，且可拆換座之上表面開設至少一吸附孔；負壓通道之一端連通至一負壓源，另一端連通至該至少一吸附孔。另一方面，本發明之可拆換座可包括一載置面、一縱垂面及一斜切面，而載置面之寬度可相當於雷射二極體之寬度並可用於承載複數雷射二極體，且至少一吸附孔可開設於載置面；縱垂面與斜切面可分別連接於載置面之二側端，且斜切面與載置面間的夾角θ可介於30度與90度之間。然而，透過上述配置，本發明可視待測物(雷射二極體)之規格更換可拆換座，且本發明以負壓吸附的方式固定複數雷射二極體，可避免雷射二極體受到損傷；而且，本發明之可拆換座並透過斜切面之角度設定，來因應雷射二極體的發散角度，以避免雷射二極體之發射光受到座體阻擋，而影響檢測精度。

除此之外，本發明之第一移載裝置及電磁滑軌中至少一者可更包括一位置信號生成單元，其可電性連接至主控制器，並用於感測第一移載裝置之即時位置而產生之一即時位置信號予主控制器；據此，本發明可進一步透過位置信號生成單元來對第一移載裝置定位，進而可提供高精度的移載作動。

為達成前述目的，本發明一種雷射二極體檢測方法，其適於檢測複數雷射二極體，且每一雷射二極體包括至少一接點，該檢測方法包括：(A).第一移載裝置將複數雷射二極體移動至第一測試站；而第一測試站包括第一量測裝置及第一探針模組；(B).主控制器控制第一探針模組依序電性接觸複數雷射二極體的該至少一接點，並控制第一量測裝置依序量測第一探針模組所電性接觸之雷射二極體之電性特性及光學特性中至少一者；以及，(C).第一移載裝置將複數雷射二極體移出第一測試站；其中，第一移載裝置係耦接於一電磁滑軌上，且第一移載裝置包括至少一永久磁石，而電磁滑軌包括複數電磁產生單元，其沿著電磁滑軌的長度方向佈設；此外，於步驟(A)、(C)中，主控制器控制電磁滑軌之複數電磁產生單元中至少其一產生磁場並與第一移載裝置之至少一永久磁石所產生之磁場相互作用，藉以驅動第一移載裝置將複數雷射二極體移載至或移出第一測試站。

據此，如上所述，在本發明所提供的方法中，第一移載裝置係以磁懸浮方式而被獨立地驅動，且藉此將每一測試站模組化，而可達成多站整合於單一流程線上；由此可彈性增減測試站數量、調整測試站彼此間的間距以及變換測試站的順序等，大大地改變習知雷射二極體的檢測方法，且不論是效率或成本也都獲得顯著改善。

本發明雷射二極體檢測系統及其檢測方法在本實施例中被詳細描述之前，要特別注意的是，以下的說明中，類似的元件將以相同的元件符號來表示。再者，本發明之圖式僅作為示意說明，其未必按比例繪製，且所有細節也未必全部呈現於圖式中。

請先參閱圖1，其係雷射棒體之立體圖，也就是本實施例之待測件(DUT)的立體圖。詳言之，在本實施例中，待測件為邊射型雷射二極體(Edge Emitting Laser，EEL)，即如圖1所示之雷射棒體B，其由多個雷射二極體L所組成的一長條形棒體，而每一雷射二極體L包括二接點Lc以及二發射點Le，惟圖1中僅示出一接點Lc和一發射點Le，其中二發射點Le分設於雷射二極體L之二相對應邊，亦即朝二側邊發射。特先陳明，以下實施例之待測件雖為一雷射棒體B，但本發明並非僅適用於雷射棒體B之檢測，亦可適用於對多個獨立的雷射二極體進行檢測，詳參後述之實施例。

請先參閱圖2A，其係本發明雷射二極體檢測系統一較佳實施例之各測試站配置暨移載流程示意圖；如圖中所示，本實施例之雷射二極體檢測系統主要包括一第一測試段Z1、一第二測試段Z2、一第三測試段Z3以及一變溫段Zt；其中，第一測試段Z1進行高溫或低溫測試，例如遠高於室溫之高溫測試亦或遠低於室溫之低溫測試，而第二測試段Z2則在經過變溫後進行常溫測試；第一測試段Z1和第二測試段Z2中各包括了三個測試站，其分別進行了光電測試以及光學特性測試等檢測，而在第三測試段Z3中則進行了表面外觀暇疵檢驗。

再者，先簡述本實施例之各測試站的配置和移載流程，如圖2A中所示，入料梭車Sin將待測之雷射棒體B移載到第一取放裝置51處，由第一取放裝置51將該雷射棒體B搬運至第一移載裝置41；而第一移載裝置41再將該雷射棒體B移載到第一測試站S1並進行光電測試。接著，待量測完畢，第一移載裝置41又將該雷射棒體B移載到第二取放裝置52處，由第二取放裝置52將該雷射棒體B搬運至第二移載裝置42；而第二移載裝置42再將該雷射棒體B移載到第二測試站S2並進行光學特性測試。待量測完畢，第二移載裝置42又將該雷射棒體B移載到第三取放裝置53處，由第三取放裝置53將該雷射棒體B搬運至第三移載裝置43；而第三移載裝置43再將該雷射棒體B移載到第三測試站S3並進行另一光學特性測試。

接著，當第三測試站S3之光學特性測試完畢，第三移載裝置43又將該雷射棒體B移載到第四取放裝置54處，由第四取放裝置54將該雷射棒體B搬運至第四移載裝置44；然而，需要特別說明的是，第四移載裝置44係位於變溫段Zt，也就是進行變溫步驟，亦即從第一測試段Z1之高溫測試降溫到常溫以利進行第二測試段Z2之常溫測試。至於，第二測試段Z2之測試流程和移載方式都與第一測試段Z1雷同，於此不再贅述。另一方面，當該雷射棒體B執行完第二測試段Z2之所有測試後，將由第五移載裝置45移載至第三測試段Z3進行表面外觀暇疵檢驗；當檢測完畢，最後再由出料梭車Sout將完測的該雷射棒體B載出。

請參閱圖2B，其係本發明雷射二極體檢測系統之第一測試段中各裝置之配置示意圖；以下實施例主要以第一測試段Z1進行說明。如圖2B中所示，本實施例之第一測試段Z1主要包括第一測試站S1、第二測試站S2、第三測試站S3、第一移載裝置41、第二移載裝置42、第三移載裝置43、第二取放裝置52、第三取放裝置53、主控制器6以及二定位校正模組7。須先說明的是，主控制器6係為了配合說明而被列於第一測試段Z1中，惟其應為整個檢測系統之主控制器6，亦即控制包括所有測試段中所有構件、介於各測試段間的取放裝置、以及出料和入料梭車等含括在檢測系統內的所有組件。

請一併參閱圖3、圖4及圖5；圖3係本發明雷射二極體檢測系統之第一測試站之立體圖；圖4係本發明雷射二極體檢測系統之第一測試站之另一角度立體圖，其中移除探針模組和定位校正模組；圖5係本發明之待測件移載模組之立體圖。如圖中所示，在本實施例中，每一個測試站各配置一移載裝置，而在二測試站間各配置一取放裝置以及一定位校正模組7；而本實施例所採用的定位校正模組7是主要以攝像裝置為主的校正模組，亦即透過攝像裝置來擷取取放裝置取放前後之影像，用以校正雷射棒體B之方位，即校正位置的重複性。

進一步說明，以第一移載裝置41為例，其係耦接於一電磁滑軌40上；而第一移載裝置41包括一U型框架413、六個滾輪412以及多個永久磁石M；其中，滾輪412和永久磁石M都配置於U型框架413內側並耦接於電磁滑軌40之相對應二側，即滾輪412係介於U型框架413與電磁滑軌40之間，用以避免U型框架413與電磁滑軌40直接接觸，藉以消除二者之間的摩擦，進而協助U型框架413相對於電磁滑軌40滑移。

如圖5所示，進一步說明本實施例之待測件移載模組4，其係用於移載雷射棒體B於測試站與取放裝置之間；即如圖中所示，電磁滑軌40主要包括一軌道，而在軌道的二側壁沿著長度方向等距佈設有複數電磁產生單元411，每一電磁產生單元411的主要構件是一線圈繞組。另一方面，第一移載裝置41之永久磁石M對應於電磁滑軌40之電磁產生單元411，故當施加激勵電流予該電磁產生單元411時，電磁產生單元411的線圈繞組將產生磁場，其並與第一移載裝置41之永久磁石M所自帶的磁場交互影響，進而推動第一移載裝置41在電磁滑軌40上移動，而第一移載裝置41的推力大小也是透過調節激勵電流大小來實現。

另外，如圖3到圖5所示，本實施例之待測件移載模組4更包括一導軌61，其係沿著該電磁滑軌40平行佈設；又，導軌61上滑設一滑架62，而滑架62上搭載用於固定雷射棒體B的待測物放置座622。換句話說，真正用於移載待測件和負擔載重的是滑架62和導軌61，而第一移載裝置41只是驅動件，其係用於帶動滑架62。然而，此一設計之功用在於，可以降低第一移載裝置41之荷重，來增加結構的穩定性，進而更加提升移載精度。

除此之外，第一移載裝置41還包括一位置信號生成單元E，其係一編碼器標尺，又稱光學尺，其電性連接至主控制器6，並感測第一移載裝置41之即時位置而產生之一即時位置信號予主控制器6；簡言之，位置信號生成單元E係以非接觸感測方式提供第一移載裝置41之絕對位置予主控制器6，藉以定位第一移載裝置41，進而可提供高精度的移載作動。

再者，又如圖2B、圖3以及圖4中所示，每一測試站包括一量測裝置及一探針模組，以第一測試站S1為例，第一量測裝置21係用於進行一光電測試，即量測每一雷射二極體的直流特性和光功率；而第一探針模組31則用於電性接觸雷射二極體上的接點以便施加電流。

同樣地，第二測試站S2包括一第二量測裝置22及一第二探針模組32，而第三測試站S3也包括一第三量測裝置23及一第三探針模組33。在本實施例中，第二量測裝置22和第三量測裝置23則係用於進行光學特性檢測。

再請一併參閱圖5、圖6A、圖6B以及圖6C，圖6A係本發明之溫度控制單元及待測物放置座之立體圖，圖6B係本發明之待測物放置座的分解圖，圖6C係本發明之待測物放置座的局部放大剖面圖。以下詳細說明本實施例之待測物放置座622及其相關組件；如圖5中所示，本實施例之待測物放置座622組設於滑架62上，且待測物放置座622下方又依序配置二抗干擾片65、一溫度控制單元621以及一散熱單元66，而且前述各元件之間又各增設一導熱片64。

又進一步說明，本實施例之溫度控制單元621為熱電致冷器(TEC，Thermal Electric Cooler)，其可透過抗干擾片65和導熱片64對待測物放置座622進行溫度調控，進而對待測物放置座622上的雷射棒體B升溫或降溫。另外，溫度控制單元621下方另設置有一散熱單元66，故當有變溫需求時，則可用於快速散熱，而且較佳可在散熱單元66之鰭片下方再增設散熱風扇。

再且，如圖6B及圖6C所示，本實施例之待測物放置座622包括一本體623及一可拆換座624，而本體623內部包括一負壓通道CH，且可拆換座624之上表面開設二吸附孔625，且該二吸附孔625所佈設的位置係對應於該雷射棒體B之外型，亦即該二吸附孔625會從雷射棒體B長度方向上的兩端吸附；其中，負壓通道CH之一端連通至一負壓源(圖中未示)，另一端連通至該二吸附孔625。換言之，可拆換座624可以透過該二吸附孔625吸附並固定雷射棒體B。此外，比較重要的是，本實施例之可拆換座624是可以隨時拆換的，亦即可視待測物(雷射棒體B)之規格更換合適的可拆換座624。

另外，又如圖6C所示，本實施例之可拆換座624包括一載置面631、一縱垂面632及一斜切面633，而載置面631之寬度相當於雷射棒體B之寬度並係用於承載雷射棒體B，其中該二吸附孔625開設於載置面631上；另外，縱垂面632與斜切面633分別連接於載置面631之二側端，且斜切面633與載置面631間的夾角θ係介於30度與90度之間。然而，此一設計是特別針對待測物為邊緣發射型雷射二極體(EEL)，因其發射面為本體的二相對應側面，而斜切面633之設計正是為了避免座體本身阻擋了邊緣發射型雷射二極體的發射，亦即避免雷射棒體B之發射光受到阻擋而影響檢測精度。

以下詳述本實施例中第一測試段Z1之運作，請同步參閱圖2B；首先，第一移載裝置41將待測之雷射棒體B移動至第一測試站S1；然而，在此步驟中，溫度控制單元621(請見圖6A)已經將待測物放置座622先預熱至高溫，故當雷射棒體B放置於待測物放置座622後時，雷射棒體B將可很快地被升溫。接著，主控制器6控制第一探針模組31依序電性接觸該雷射棒體B之每一雷射二極體L的接點Lc，並控制第一量測裝置21依序量測第一探針模組31所電性接觸之雷射二極體L之直流特性和光功率。須特別說明的是，於檢測雷射棒體B之每一雷射二極體L時，仍是由第一移載裝置41負責移動雷射棒體B，以讓第一量測裝置21對準接受量測之雷射二極體L的發射點Le，以及讓第一探針模組31對準每一雷射二極體L的接點Lc，其中第一探針模組31僅有升降作動。

待第一測試站S1之光電測試結束後，同樣由第一移載裝置41將雷射棒體B移出第一測試站S1，並將之移載到第二取放裝置52正下方處，而第二取放裝置52將該雷射棒體B從該第一移載裝置41取出，未裝載待測件的第一移載裝置41離開第二取放裝置52正下方處；又，未裝載待測件的第二移載裝置42移動到第二取放裝置52正下方處，而第二取放裝置52將吸取中的雷射棒體B放置於第二移載裝置42上。再者，第二移載裝置42將該雷射棒體B移動至第二測試站S2，而主控制器6控制第二探針模組32依序電性接觸雷射棒體B之每一雷射二極體L的接點Lc，並控制第二量測裝置22依序量測第二探針模組32所電性接觸之雷射二極體L之光學特性。

又，當第二測試站S2之光學量測結束後，同樣由第二移載裝置42將雷射棒體B移出第二測試站S2，並將之移載到第三取放裝置53正下方處，第三取放裝置53將該雷射棒體B從第二移載裝置42取出，而未裝載待測件的第二移載裝置42離開第三取放裝置53正下方處；又，未裝載待測件的第三移載裝置43移動到第三取放裝置53正下方處，而第三取放裝置53將吸取中的雷射棒體B放置於第三移載裝置43上。再者，第三移載裝置43將該雷射棒體B移動至第三測試站S3，而主控制器6控制第三探針模組33依序電性接觸雷射棒體B之每一雷射二極體L的接點Lc，並控制第三量測裝置23依序量測第三探針模組33所電性接觸之雷射二極體L之另一光學特性。

請參閱圖7，其本發明之待測物放置座另一實施態樣的局部放大剖面圖。本實施態樣主要用於說明本發明亦可適用於對多個獨立的雷射二極體進行檢測，其僅需要稍微變更待測物放置座622之型式即可。進一步說明，如圖7所示，本實施例之待測物放置座622的本體623內部包括8個負壓通道CH，其對應於可拆換座624上8個吸附孔625，而每一個吸附孔625可吸附固定一個雷射二極體(圖中未示)。據此，本實施例之待測物放置座622可一次裝載8個雷射二極體，而且每一負壓通道CH可獨立地被控制，亦即可獨立地吸附固定雷射二極體或解除固定以供移載。

綜上所述，本發明將每一個測試站模組化，而在每一測試站中配置一移載裝置，且兩兩測試站之間配置一取放裝置，故使用者可以視實際需求任意增減配置各測試站，也可任意調動或變換測試站，更可輕易調整各測試站的距離或範圍，相當彈性。除此之外，本發明之移載裝置採用磁懸浮輸送模組，每一移載裝置可被獨立地控制和運作，而在各自的測試站內移動，作動重複性極高，誤差形成之機率低，且也容易校正，故移載精度相當高；更重要的是，動子(移載裝置)本身是沒有任何配線，相當簡潔。此外，本發明除了可適用於雷射棒體之檢測外，透過對待測物放置座簡單改裝，亦可適用於對單顆獨立之雷射二極體進行檢測。

上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。

4:待測件移載模組 6:主控制器 7:定位校正模組 21:第一量測裝置 22:第二量測裝置 23:第三量測裝置 31:第一探針模組 32:第二探針模組 33:第三探針模組 40:電磁滑軌 41:第一移載裝置 42:第二移載裝置 43:第三移載裝置 44:第四移載裝置 45:第五移載裝置 51:第一取放裝置 52:第二取放裝置 53:第三取放裝置 54:第四取放裝置 61:導軌 62:滑架 64:導熱片 65:抗干擾片 66:散熱單元 411:電磁產生單元 412:滾輪 413:U型框架 621:溫度控制單元 622:待測物放置座 623:本體 624:可拆換座 625:吸附孔 631:載置面 632:縱垂面 633:斜切面 B:雷射棒體 CH:負壓通道 E:位置信號生成單元 L:雷射二極體 Lc:接點 Le:發射點 M:永久磁石 S1:第一測試站 S2:第二測試站 S3:第三測試站 Sin:入料梭車 Sout:出料梭車 Z1:第一測試段 Z2:第二測試段 Z3:第三測試段 Zt:變溫段

圖1係雷射棒體之立體圖。圖2A係本發明雷射二極體檢測系統一較佳實施例之各測試站配置暨移載流程示意圖。圖2B係本發明雷射二極體檢測系統之第一測試段中各裝置之配置示意圖。圖3係本發明雷射二極體檢測系統之第一測試站之立體圖。圖4係本發明雷射二極體檢測系統之第一測試站之另一角度立體圖，其中移除探針模組和定位校正模組。圖5係本發明之待測件移載模組之立體圖。圖6A係本發明之溫度控制單元及待測物放置座之立體圖。圖6B係本發明之待測物放置座的分解圖。圖6C係本發明之待測物放置座的局部放大剖面圖。圖7係本發明之待測物放置座另一實施態樣的局部放大剖面圖。

6:主控制器

7:定位校正模組

21:第一量測裝置

22:第二量測裝置

23:第三量測裝置

31:第一探針模組

32:第二探針模組

33:第三探針模組

40:電磁滑軌

41:第一移載裝置

42:第二移載裝置

43:第三移載裝置

52:第二取放裝置

53:第三取放裝置

B:雷射棒體

S1:第一測試站

S2:第二測試站

S3:第三測試站

Claims

一種雷射二極體檢測系統，其適於檢測複數雷射二極體，每一雷射二極體包括至少一接點，該系統包括：一第一移載裝置，其係耦接於一電磁滑軌上；該第一移載裝置包括至少一永久磁石，該電磁滑軌包括複數電磁產生單元，其沿著該電磁滑軌的長度方向佈設；該複數雷射二極體放置於該第一移載裝置；一第一測試站，其包括一第一量測裝置及一第一探針模組；以及一主控制器，其係電性連接至該電磁滑軌之該複數電磁產生單元、該第一量測裝置及該第一探針模組；其中，該主控制器控制該電磁滑軌之該複數電磁產生單元中至少其一產生磁場並與該第一移載裝置之該至少一永久磁石所產生之磁場相互作用，藉以驅動該第一移載裝置移載該複數雷射二極體至該第一測試站或遠離該第一測試站；當該第一移載裝置位於該第一測試站時，該主控制器控制該第一探針模組依序電性接觸該複數雷射二極體的該至少一接點，並控制該第一量測裝置依序量測該第一探針模組所電性接觸之該雷射二極體之電性特性及光學特性中至少一者。
如請求項1之雷射二極體檢測系統，其更包括一第二測試站、一第二移載裝置及一取放裝置；該第二測試站包括一第二量測裝置及一第二探針模組；該第二移載裝置耦接於該電磁滑軌上；該取放裝置設置於該第一測試站與該第二測試站之間；該第二量測裝置、該第二探針模組及該取放裝置電性連接該主控制器；其中，當該第一測試站之該第一量測裝置量測完該複數雷射二極體之電性特性及光學特性中至少一者後，該主控制器驅動該第一移載裝置移載該複數雷射二極體遠離該第一測試站，並控制該取放裝置將該複數雷射二極體移載至該第二移載裝置；該主控制器驅動該第二移載裝置移載該複數雷射二極體移動至該第二測試站，並控制該第二探針模組依序電性接觸該複數雷射二極體的該至少一接點，並控制該第二量測裝置量測該第二探針模組所電性接觸之該複數雷射二極體之電性特性及光學特性中至少一者。
如請求項1之雷射二極體檢測系統，其更包括一導軌，其係沿著該電磁滑軌平行佈設，該第一移載裝置更包括一滑架，其耦接於該導軌而可相對滑移。
如請求項3之雷射二極體檢測系統，其中，該滑架更包括一溫度控制單元及一待測物放置座，該溫度控制單元耦接於該待測物放置座並對其升溫或降溫，該待測物放置座係用於放置該複數雷射二極體。
如請求項4之雷射二極體檢測系統，其中，該待測物放置座包括一本體及一可拆換座，該本體包括一負壓通道，該可拆換座之上表面開設至少一吸附孔；該負壓通道之一端連通至一負壓源，另一端連通至該至少一吸附孔。
如請求項5之雷射二極體檢測系統，其中，該可拆換座包括一載置面、一縱垂面及一斜切面，該載置面之寬度相當於該雷射二極體之寬度並係用於承載該複數雷射二極體，該至少一吸附孔開設於該載置面；該縱垂面與該斜切面分別連接於該載置面之二側端，且該斜切面與該載置面間的夾角θ係介於30度與90度之間。
如請求項1之雷射二極體檢測系統，其中，該第一移載裝置及該電磁滑軌中至少一者更包括一位置信號生成單元，其係電性連接至該主控制器，並係感測該第一移載裝置之即時位置而產生之一即時位置信號予該主控制器。
一種雷射二極體檢測方法，其適於檢測複數雷射二極體，每一雷射二極體包括至少一接點，該檢測方法包括： (A).一第一移載裝置將該複數雷射二極體移動至一第一測試站；該第一測試站包括一第一量測裝置及一第一探針模組； (B).一主控制器控制該第一探針模組依序電性接觸該複數雷射二極體的該至少一接點，並控制該第一量測裝置依序量測該第一探針模組所電性接觸之該雷射二極體之電性特性及光學特性中至少一者；以及 (C).該第一移載裝置將該複數雷射二極體移出該第一測試站；其中，該第一移載裝置係耦接於一電磁滑軌上；該第一移載裝置包括至少一永久磁石，該電磁滑軌包括複數電磁產生單元，其沿著該電磁滑軌的長度方向佈設；於該步驟(A)、(C)中，該主控制器控制該電磁滑軌之該複數電磁產生單元中至少其一產生磁場並與該第一移載裝置之該至少一永久磁石所產生之磁場相互作用，藉以驅動該第一移載裝置將該複數雷射二極體移載至或移出該第一測試站。
如請求項8之雷射二極體檢測方法，其中，於該步驟(C)之後更包括以下步驟： (D).一取放裝置將該複數雷射二極體從該第一移載裝置移至一第二移載裝置，該第二移載裝置係耦接於該電磁滑軌上； (E).該第二移載裝置將該複數雷射二極體移動至一第二測試站；該第二測試站包括一第二量測裝置及一第二探針模組； (F).該主控制器控制該第二探針模組依序電性接觸該複數雷射二極體的該至少一接點，並控制該第二量測裝置依序量測該第二探針模組所電性接觸之該複數雷射二極體之電性特性及光學特性中至少一者；以及 (G).該第二移載裝置將該複數雷射二極體移出第二測試站。
如請求項8之雷射二極體檢測方法，其中，該步驟(B)之前更包括一步驟(B0)： (B0).該第一移載裝置之一溫度控制單元對該複數雷射二極體升溫或降溫。