TWI751685B - 熱處理爐 - Google Patents

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TWI751685B
TWI751685B TW109131020A TW109131020A TWI751685B TW I751685 B TWI751685 B TW I751685B TW 109131020 A TW109131020 A TW 109131020A TW 109131020 A TW109131020 A TW 109131020A TW I751685 B TWI751685 B TW I751685B
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小牧毅史
金南大樹
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日商日本碍子股份有限公司
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Abstract

本說明書公開一種熱處理爐，將在由複數之引導輥所界定的搬送路徑上被搬送的被處理物有效地進行熱處理。該熱處理爐具備：爐體；搬送裝置，將被處理物從搬入口經過處理室而向搬出口搬送；複數之引導輥，配置於處理室內；以及加熱裝置，配置於處理室內，將被處理物加以加熱。加熱裝置具備第一加熱器，該第一加熱器針對複數之引導輥而逐一分別配置於該引導輥的內部及／或該引導輥的附近，將被處理物加以加熱。加熱裝置具備第二加熱器，該第二加熱器在被處理物的搬送路徑上、且在搬送方向上相鄰的引導輥的中間位置的附近將被處理物加以加熱。第二加熱器為輻射出紅外光域電磁波的加熱器。

Description

熱處理爐
本說明書中公開的技術關於對被處理物實施熱處理的熱處理爐。
國際公開2014/163175號中公開的熱處理爐中，將被處理物從搬入口經過處理室而跨架至搬出口。將被處理物自搬入口搬入至處理室內，於處理室內被搬送期間，進行熱處理，並從搬出口搬出。該熱處理爐中，藉由配置於處理室內的複數之引導輥而對被處理物進行引導，而將被處理物在處理室內的預先確定的搬送路徑上搬送。
〔先前技術文獻〕
〔專利文獻〕
國際公開2014/163175號
上述的熱處理爐中，將被處理物經過由複數之引導輥所界定的搬送路徑而從搬入口搬送至搬出口。因此，為了對被處理物有效地進行熱處理，須在搬送路徑上的各位置對被處理物適當進行加熱。本說明書公開如下技術，能對在由複數之引導輥所界定的搬送路徑上被搬送的被處理物有效地進行熱處理。
本說明書中公開的熱處理爐具備：爐體、搬送裝置、複數之引導輥、以及加熱裝置。爐體具備：搬入口、搬出口、以及配置在搬入口與搬出口之間的處理室。搬送裝置將從搬入口跨架至搬出口的被處理物從搬入口經過處理室而搬送至搬出口。複數之引導輥配置於處理室內，對藉由搬送裝置而被搬送的被處理物進行引導。被處理物經過由複數之引導輥所界定的搬送路徑而從搬入口被搬送至搬出口。加熱裝置具備第一加熱器與第二加熱器，該第一加熱器針對複數之引導輥而逐一分別配置於該引導輥的內部及/或該引導輥的附近，將被處理物加以加熱，該第二加熱器配置在搬送路徑上、且在被處理物的搬送方向上相鄰的引導輥的中間位置的附近，將被處理物加以加熱。第二加熱器為輻射出紅外光域電磁波的加熱器。
在上述熱處理爐中，加熱裝置具備第一加熱器與第二加熱器，該第一加熱器配置於引導輥的內部及/或引導輥的附近，該第二加熱器配置在搬送路徑上、且在相鄰的引導輥的中間位置的附近。另外，第二加熱器使用輻射出紅外光域電磁波的加熱器。因此，能適當地控制從第一加熱器及第二加熱器向被處 理物供給的熱，並能將被處理物有效地進行熱處理。此外，第二加熱器可為輻射出預先設定的波長區域(紅外光域)的電磁波的波長不可控的加熱器，或為能對所輻射的電磁波的波長區域進行控制的加熱器。
10:熱處理爐
12:爐體
13:下壁
13a:排氣口
13b:排氣風扇
14:上壁
14a:排氣口
14b:排氣風扇
15:搬入側壁
15a:搬入口
16:搬出側壁
16a:搬出口
17,18:側壁
19a:上部處理室
19b:下部處理室
20:搬送裝置
21:搬入口輥
22a~22c:上部引導輥(上部搬送輥)
24:下部輥
25:搬出口輥
26a:第一上部加熱器
26b:第一下部加熱器
28:第二加熱器
30:燈絲
32:內管
34:外管
36:空間
38:供氣管
39a39b:噴出孔
42:鏈條
44:控制器
W:工件
圖1係實施例1之熱處理爐的縱剖視圖。
圖2係圖1的II-II線剖視圖。
圖3係實施例1之加熱器的剖視圖。
圖4係實施例1之供氣管的剖視圖。
〔實施發明之較佳形態〕
在本說明書所公開的熱處理爐中，第一加熱器可係配置在被處理物的搬送路徑上、且在引導輥所配置的位置的附近、並輻射出與第二加熱器同一類型的紅外光域電磁波的加熱器。另外，被處理物亦可位於第一加熱器與引導輥之間。根據如此構成，則在引導輥所配置的位置將被處理物加以加熱的第一加熱器係與第二加熱器同一類型的加熱器，因此能使加熱爐的構成變簡單。
在本說明書所公開的熱處理爐中，第一加熱器亦可具備設置於引導輥的內部、供加熱引導輥的熱媒所流通的流道。根據如此構成，亦能藉由引導輥來加熱被處理物。
本說明書公開的熱處理爐亦可進一步具備向處理室內供給氣體的供氣裝置。供氣裝置可具備：複數之供氣管，配置於處理室內，並配置於與第一加熱器所配置的位置不同、且與第二加熱器所配置的位置不同的位置，朝向被處理物噴出氣體。另外，第二加熱器與供氣管可沿著搬送路徑交錯地配置。根據如此構成，則將供氣管配置在與第一加熱器或第二加熱器所配置的位置不同的位置，因此，可提昇配置供氣管的位置的自由度，將供氣管配置於最佳的位置。另外，從供氣管朝向被處理物噴射氣體，因此，所噴出的氣體碰撞被處理物的表面，容易使被處理物表面的溫度均勻化。尤其，第二加熱器與供氣管沿著搬送路徑交錯地配置，因此，被處理物表面的溫度進一步均勻化。據此，能提高被處理物的熱處理效率。
在本說明書所公開的熱處理爐中，從複數之供氣管噴出的氣體的噴出方向亦可與被處理物的表面正交。根據如此構成，能將來自供氣管的氣體向被處理物的表面強力地噴出。
在本說明書中公開的熱處理爐中，複數之引導輥可具備：第一引導輥，將從搬入口搬入的被處理物的搬送方向變更成第一方向；第二引導輥，將沿著第一方向搬送的被處理物的搬送方向變更成與第一方向不同的第二方向；以及第 三引導輥，將沿著第二方向搬送的被處理物，朝向搬出口變更搬送方向。爐體亦可具備從處理室的中心觀察時位於第一方向側的第一壁、以及從處理室的中心觀察時位於第二方向側的第二壁。第一壁亦可具備將處理室內的環境氣體排出的第一排氣口，第二壁亦可具備將處理室內的環境氣體排出的第二排氣口。當被處理物從搬入口被跨架至搬出口，則處理室由被處理物而區分為第一壁側的空間與第二壁側的空間。因為從第一壁與第二壁這兩側將處理室內的環境氣體予以排出，所以能使處理室內的空氣的流動合宜。
在本說明書所公開的熱處理爐中，複數之供氣管亦可具備：第一供氣管，配置於由被處理物與第一壁所包夾的空間內；以及第二供氣管，配置於由被處理物與第二壁所包夾的空間內。根據如此構成，則可在由被處理物區分開的二個空間分別配置有供氣管，使處理室內的空氣的流動合宜。
在本說明書所公開的熱處理爐中，處理室的內表面，反射紅外光域電磁波的反射率可為50%以上。根據如此構成，則可從加熱器輻射出的電磁波對被處理物有效地進行照射，將被處理物有效地進行加熱。
在本說明書所公開的熱處理爐中，搬送裝置亦可進一步具備：搬入口輥，配置於爐體的外側且係搬入口的附近，捲繞被處理物；以及搬出口輥，配置於爐體的外側且係搬出口的附近，並對在處理室內搬送來的被處理物進行捲取。亦可利用搬入口輥及搬出口輥進行旋轉而將捲繞於搬入口輥的被處理物由搬入 口輥所饋送、並在處理室內被搬送。根據如此構成，能對捲繞於搬入口輥的被處理物連續地實施熱處理。
在本說明書所公開的熱處理爐中，被處理物亦可具備薄膜、以及塗布在薄膜的表面及背面中的至少一方的糊料。加熱裝置亦可將糊料所含的水分去除。如此被處理物的熱容量較小，由引導輥帶來的影響較大。因此，藉由具備第一加熱器，使得抑制被處理物的熱處理效率(即水分去除率)降低的效果顯著。
在本說明書所公開的熱處理爐中，第二加熱器亦可根據被處理物的特性，來調整所輻射的電磁波的波長。根據如此構成，能依照被處理物的特性而對被處理物進行合宜加熱。
在本說明書所公開的熱處理爐中，複數之第二加熱器亦可從搬入口朝向搬出口而沿著搬送路徑進行配置。由第二加熱器輻射出的電磁波的波長可依照該第二加熱器所配置的搬送路徑上的位置，來進行調整。針對被處理物，因應於在處理室內沿著搬送路徑被搬送來進行熱處理。因此，因為因應熱處理的進行來調整電磁波的波長，所以能合宜實施針對被處理物的熱處理。
在本說明書所公開的熱處理爐中，加熱裝置亦可將被處理物所含的水分去除。從第二加熱器輻射出的電磁波的波長亦可調整成從搬入口朝向搬出口而逐漸變長。被處理物中包含的水分從搬入口朝向搬出口而逐漸降低。可利用使使 第二加熱器輻射的電磁波的波長從搬入口朝向搬出口逐漸變長，而將被處理物中包含的水分有效地去除。
在本說明書所公開的熱處理爐中，處理室內的環境氣體可為露點在0℃以下的不活性氣體之環境氣體。根據如此構成，能抑制環境氣體所含之水分凝結。
〔實施例1〕
以下，對實施例1之熱處理爐10進行說明。本實施例的熱處理爐10為將工件W(被處理物的一例)所含之水分去除的乾燥爐(脫水裝置)。工件W為在長邊方向上連續延伸的片體，例如，在液晶顯示器、有機EL、電池等中使用的薄膜符合該工件W。對於如此薄膜(片體)，有時薄膜本身包含水分，或者，在薄膜被覆有被覆層的情況下，有時該被覆層中包含水分。因此，首先，將薄膜所含之水分去除，然後，將去除水分後的薄膜切成所期望的大小，從而製造出最終產品。本實施例的熱處理爐10可用於從上述片體中去除水分。
以下，參照附圖，對熱處理爐10的構成進行說明。如圖1、2所示，熱處理爐10具備長方體形狀的爐體12、進行工件W相對於爐體12的搬入及搬出的搬送裝置20、對工件W進行加熱的加熱裝置(26、28)、以及向工件W的表面供給冷卻氣體的供氣裝置(38等)。
爐體12具備：下壁13；上壁14，相向於下壁13；側壁17、18，一端與下壁13連接且另一端與上壁14連接(參照圖2)；以及搬入側壁15及搬出側壁16，封閉由上述壁13、14、17、18包圍的處理室(19a、19b)的端部。
下壁13為俯視呈矩形的板材，配置於處理室(19a、19b)的下方。如圖1所示，下壁13沿x方向空開大致恒定的間隔而設置有複數之排氣口13a。複數之排氣口13a中的配置於中央的5個排氣口13a配置於與後述的引導輥24相向的位置。複數之排氣口13a中的配置於x方向上的一端的排氣口13a配置於靠近搬入側壁15的位置。複數之排氣口13a中的配置於x方向上的另一端的排氣口13a配置於靠近搬出側壁16的位置。複數之排氣口13a分別與排氣風扇13b連接。當排氣風扇13b運轉時，處理室(19a、19b)內的環境氣體就會向處理室(19a、19b)外排出。
上壁14為與下壁13相同形狀的板材，配置於處理室(19a、19b)的上方。與下壁13同樣地，在上壁14，也以沿x方向空開大致恒定的間隔的方式設置有複數之排氣口14a。複數之排氣口14a分別配置在與複數之排氣口13a分別相向的位置。複數之排氣口14a分別與排氣風扇14b連接。當排氣風扇14b運轉時，處理室(19a、19b)內的環境氣體就會向處理室(19a、19b)外排出。
在搬入側壁15設置有搬入口15a，在搬出側壁16形成有搬出口16a。搬入口15a與搬出口16a在高度方向上的位置為相同的位置，搬入口15a與搬出口16a彼此相向。由圖1可知：處理室(19a、19b)配置於搬入口15a與搬出口16a之間。
此外，對構成爐體12的各壁13、14、15、16、17、18的內表面(即、處理室(19a、19b)側的面)實施了鏡面加工。其結果，此等面的紅外光域電磁波(詳細而言，後述的加熱器26、28所輻射的電磁波)的反射率為50%以上。據此，能將加熱器26、28所輻射的電磁波向工件W有效地照射。
搬送裝置20具備：搬入口輥21，配置在爐體12的外側且在搬入口15a的附近；搬出口輥25，配置在爐體12的外側且在搬出口16a的附近；以及複數之引導輥(22a、22b、22c、24)，配置在處理室(19a、19b)內。
在搬入口輥21捲繞有工件W。捲繞於搬入口輥21的工件W從搬入口15a經過處理室(19a、19b)而被跨架至搬出口16a。具體而言，將工件W由搬入口輥21經過搬入口15a而跨架至引導輥(22a、22b、22c、24)，且進一步由引導輥(22a、22b、22c、24)經由搬出口16a而跨架至搬出口輥25。
搬出口輥25為對從處理室(19a、19b)搬出的工件W進行捲取的輥。在搬出口輥25連接有未圖示的驅動裝置，利用驅動裝置而對搬出口輥25進行旋轉驅動。當搬出口輥25旋轉時，捲繞於搬入口輥21的工件W饋送向處理室(19a、19b)。由搬入口輥21饋送的工件W被引導輥(22a、22b、22c、24)引導而在處理室(19a、19b)內之既定的搬送路徑上進行移動，並從搬出口16a饋送向處理室(19a、19b)外，從而捲繞於搬出口輥25。即，引導輥(22a、22b、22c、24)界定出處理室(19a、19b)內的工件W的搬送路徑。
引導輥(22a、22b、22c、24)具備配置於上壁14的附近的複數之上部引導輥(22a、22b、22c)、以及配置於下壁13的附近的複數之下部引導輥24。此外，本實施例中，引導輥(22a、22b、22c、24)使用與工件W接觸的接觸式輥，但也可使用利用非接觸來引導工件W的非接觸式輥。
上部引導輥(22a、22b、22c)係沿x方向空開恒定的間隔而配置。具體而言，上部引導輥22a(申請專利的範圍中所稱的第一搬送輥的一例)與搬入口15a相鄰 地配置，上部引導輥22c(申請專利的範圍中所稱的第三搬送輥的一例)與搬出口16a相鄰地配置。複數之引導輥22b以等間隔配置於上部引導輥22a與上部引導輥22c之間。上部引導輥(22a、22b、22c)各自在高度方向上的位置相同。
複數之下部引導輥24(申請專利的範圍中所稱的第二搬送輥的一例)各者與上部引導輥(22a、22b、22c)同樣地沿x方向空開恒定的間隔而配置。相鄰的下部引導輥24在x方向上的間隔、且與上部引導輥(22a、22b、22c)在x方向上的間隔相同。複數之下部引導輥24在x方向上的位置處於相鄰的上部引導輥(22a、22b、22c)的中央位置。複數之下部引導輥24在高度方向上的位置相同。
如上所述，因為配置有上部引導輥(22a、22b、22c)與下部引導輥24，所以從搬入口15a沿x方向搬送的工件W藉由上部引導輥22a而被向下方搬送，接著藉由下部引導輥24而被向上方搬送，其後藉由上部搬送輥22b與下部搬送輥24而往上下方向反復搬送。並且，由配置在最靠近搬出口16a側的下部搬送輥24所向上方搬送的工件W，藉由上部引導輥22c而被搬送向搬出口16a。如上所述，能藉由在處理室(19a、19b)內沿上下方向反復搬送，而有效地利用處理室(19a、19b)內的空間，確保用於使工件W乾燥的處理時間。此外，由圖1可知藉由跨架於引導輥(22a、22b、22c、24)的工件W而將處理室(19a、19b)區分為設置於上壁14側的上部處理室19a、及設置於下壁13側的下部處理室19b。
加熱裝置配置於處理室(19a、19b)內，對藉由搬送裝置20而被搬送的工件W進行加熱。加熱裝置具備：第一加熱器(26a、26b)，配置於引導輥(22a、22b、22c、24)的附近；以及第二加熱器28，配置於上部引導輥(22a、22b、22c) 與下部引導輥24之間的高度。如圖2所示，第一加熱器(26a、26b)與第二加熱器28在引導輥(22a、22b、22c、24)的軸線方向上延伸，能對工件W的整個寬度方向(y方向)進行加熱。
如圖1所示，第一加熱器(26a、26b)具備：複數之第一上部加熱器26a，配置於上部引導輥(22a、22b、22c)的上方；以及複數之第一下部加熱器26b，配置於下部引導輥24的下方。第一上部加熱器26a配置成分別與所對應的上部引導輥(22a、22b、22c)相向，第一下部加熱器26b配置成分別與所對應的下部引導輥24相向。因此，工件W位於第一上部加熱器26a與上部引導輥(22a、22b、22c)之間，且工件W藉由第一上部加熱器26a而被直接加熱。同樣地，工件W位於第一下部加熱器26b與下部引導輥24之間，且工件W藉由第一下部加熱器26b而被直接加熱。
第二加熱器28在上部引導輥(22a、22b、22c)各自的下方以沿z方向空開間隔的方式配置有2個。另外，第二加熱器28在下部引導輥24各自的上方以沿z方向空開間隔的方式配置有2個。因此，配置成11個第二加熱器28沿x方向空開間隔地排列，且2個第二加熱器28沿y方向空開間隔地排列。由圖可知：第二加熱器28配置於與跨架於上部引導輥(22a、22b、22c)與下部引導輥24的工件W相向的位置(即，在工件W的搬送方向上相鄰的引導輥間的中間位置的附近)。因為第二加熱器28在引導輥(22a、22b、22c、24)的軸線方向上延伸，所以跨架於上部引導輥(22a、22b、22c)與下部引導輥24的工件W的整個寬度方向藉由第二加熱器28而被加熱。
第一加熱器(26a、26b)為輻射出紅外光域電磁波的公知的波長可控的加熱器，且第一加熱器(26a、26b)與第二加熱器28具有相同的結構。因此，此處對第二加熱器28的結構簡單地進行說明。
如圖3所示，第二加熱器28具備燈絲30、用於收納燈絲30的內管32、以及用於收納內管32的外管34。燈絲30為例如鎢製的發熱體，由未圖示的外部電源供電。當向燈絲30供電而達到既定溫度(例如1200~1700℃)時，則從燈絲30輻射出包括紅外線的電磁波。內管32係由使燈絲30輻射出的電磁波中之僅特定的波長區域(本實施例為紅外光域)的電磁波進行穿透之紅外線穿透材料來構成。可藉由適當選擇用於形成內管32的紅外線穿透材料，而將從燈絲30向內管32的外部輻射出的電磁波的波長調整為所期望的波長。外管34也由與內管32相同的紅外線穿透材料形成。因此，穿透內管32的電磁波穿透外管34而向外部輻射。內管32與外管34之間的空間36為供冷媒(例如空氣)流通的冷媒流道。可藉由向空間36(即冷媒流道)供給冷媒，而防止外管34的溫度變得過高。據此，防止工件W過熱。此外，輻射紅外光域電磁波的波長可控的加熱器已在例如日本特許4790092號中進行了詳細的公開。
供氣裝置具備：複數之供氣管38，在處理室(19a、19b)內沿y方向延伸；以及供氣風扇(省略圖示)，配置於處理室(19a、19b)外，向複數之供氣管38供給冷卻氣體。如圖4所示，在供氣管38的周向上的2處形成有噴出孔39a、39b。因此，從供氣風扇供給至供氣管38的冷卻氣體從噴出孔39a、39b向處理室(19a、19b)內噴射。本實施例中，調整設置供氣管38的朝向，使從噴出孔39a、 39b噴射的冷卻氣體的噴出方向與工件W的表面正交。如圖4所示，噴出孔39a、39b配置於包夾供氣管38的軸線而相向的位置。因此，在工件W位於供氣管38的搬入口15a側與搬出口16a側各者的情況下，從該供氣管38的噴出孔39a噴射的冷卻氣體向一方的工件W噴射，從該供氣管38的噴出孔39b噴射的冷卻氣體向另一方的工件W噴射。另外，如圖2所示，供氣管38的噴出孔39a、39b沿y方向空開間隔地形成有複數個。因此，從噴出孔39a、39b噴射的冷卻氣體向工件W的整個寬度方向(y方向)噴射。
如圖1所示，供氣管38在上部引導輥(22a、22b、22c)各自的下方沿z方向空開間隔而配置有2個。另外，供氣管38在下部引導輥24各自的上方沿z方向空開間隔而配置有2個。由圖1可知，供氣管38配置於與第一加熱器(26a、26b)及第二加熱器28的配置位置不同的位置。具體而言，第二加熱器28與供氣管38沿z方向(搬送方向)空開相等的間隔交錯地配置。另外，如上所述，藉由跨架於引導輥(22a、22b、22c、24)的工件W而將處理室(19a、19b)區分為上部處理室19a與下部處理室19b，且在上部處理室19a與下部處理室19b分別配置有供氣管38。又，將配置於下部處理室19b的供氣管38稱為第一供氣管，將配置於上部處理室19a的供氣管38稱為第二供氣管。
作為向供氣管38供給的冷卻氣體，可使用例如不活性氣體、氮、Ar氣體等。處理室(19a、19b)內的環境氣體係藉由從供氣管38向處理室(19a、19b)內噴射的氣體而進行調整。本實施例中，為了去除工件W所含之水分，將處理室(19a、 19b)內的環境氣體調整為露點在0℃以下的氣體。此外，作為冷卻氣體，可採用露點在0℃以下的大氣。
控制器44由具備CPU、ROM、RAM的處理器構成，對搬送裝置20、加熱裝置(26、28)以及供氣裝置進行控制。具體而言，控制器44藉由控制搬送裝置20來控制工件W的搬送速度及張力，藉由控制加熱裝置(26、28)來控制工件W的加熱量，藉由控制供氣裝置來控制從供氣管38向工件W噴射的冷卻氣體的流量及流速。
此外，在熱處理爐10設置有：用於將捲繞於搬入口輥21的工件W設置於搬出口輥25的串接裝置。如圖1所示，串接裝置具備經過處理室(19a、19b)內與處理室(19a、19b)外而循環運行的鏈條42、以及用於驅動鏈條42的驅動裝置(省略圖示)。鏈條42與跨架於引導輥(22a、22b、22c、24)的工件W同樣地，從搬入口15a開始，往上下方向改變朝向，並延伸至搬出口16a，且從搬出口16a開始，經過處理室(19a、19b)的外側而返回搬入口15a。如圖1所示，跨架鏈條42所跨架的路徑與跨架工件W所跨架的路徑(即工件W的搬送路徑)在多處交叉。此外，鏈條42所配置的位置為工件W的寬度方向(y方向)上的外側的位置，因此鏈條42與工件W不會相互干擾(參照圖2)。為了利用串接裝置而將工件W設置於搬出口輥25，首先，利用設置於鏈條42的未圖示的夾具，夾緊捲繞於搬入口輥21的工件W。接下來，利用驅動裝置而使鏈條42循環運行，使工件W由搬入口輥21饋送。據此，鏈條42的夾具所固持的工件W在處理室(19a、19b)內會與鏈條42一同移動，並移動至搬出口16a。當工件W移動至搬出口16a時，對夾具 進行操作，從鏈條42將工件W放開，並將工件W設置於搬出口輥25。最後，使搬出口輥25旋轉而對工件W施加張力，由此，使工件W從搬入口15a藉由引導輥(22a、22b、22c、24)而跨架至搬出口16a。
接下來，對採用上述的熱處理爐10而從工件W中去除水分的處理進行說明。首先，從供氣管38向處理室(19a、19b)內供給冷卻氣體，將處理室(19a、19b)內調整為既定的環境氣體。接下來，控制器44對搬送裝置20進行驅動，由此將工件W從搬入口15a經過處理室(19a、19b)而搬送至搬出口16a。此時，控制器44對加熱裝置(26、28)進行控制而對工件W照射紅外線區域的電磁波，且從供氣管38向工件W的表面噴出冷卻氣體。當從加熱裝置(26、28)照射出紅外線區域的電磁波時，工件W所含之水分吸收所照射的電磁波，使得水分蒸發。從工件W中蒸發出的水分又藉由從供氣管38噴射的冷卻氣體而從工件W的表面被去除。含有從工件W的表面去除的水分的環境氣體會從下壁13的排氣口13a與上壁14的排氣口14a分別向處理室(19a、19b)外排出。工件W在從搬入口15a搬送至搬出口16a的期間被去除水分。被去除水分的工件W捲繞於搬出口輥25。
根據上述的熱處理爐10，在引導輥(22a、22b、22c、24)的附近具備與引導輥(22a、22b、22c、24)相向的第一加熱器(26a、26b)。另外，在上部引導輥(22a、22b、22c)與下部引導輥24之間，具備第二加熱器28。利用上述加熱器26a、26b、28，能控制與引導輥(22a、22b、22c、24)接觸的狀態下的工件W的熱收支，另外，還能控制未與引導輥(22a、22b、22c、24)接觸的狀態下的工件W的熱收支。因此，能合宜控制工件W的熱收支，從而能明顯地提高從 工件W中去除水分的處理的效率。例如，因工件W與引導輥(22a、22b、22c、24)接觸而使熱從工件W流向引導輥(22a、22b、22c、24)導致工件W過於冷卻的情況下，增加從第一加熱器(26a、26b)向工件W供給的熱量，使得工件W不會過於冷卻。據此，能防止從工件W中去除水分的效率降低。
另外，上述的熱處理爐10中，供氣管38與第二加熱器28在搬送方向上交錯地配置，另外，來自供氣管38的冷卻氣體從與工件W的表面正交的方向噴射。據此，從工件W的內部蒸發出的水分從工件W的表面被快速地去除，促進來自工件W的水分的去除。據此，還能提高工件W的水分的去除效率。
此外，藉由跨架於引導輥(22a、22b、22c、24)的工件W而將處理室(19a、19b)區分為上部處理室19a與下部處理室19b，其中，上部處理室19a與下部處理室19b各者配置有供氣管38與排氣口14a、13a。因此，供給至上部處理室19a的冷卻氣體及供給至下部冷卻室19b的冷卻氣體與被去除的水分一同快速地向處理室(19a、19b)外排出。據此，亦能最佳化處理室(19a、19b)內的氣體流動，提高工件W的水分去除效率。
此外，加熱器(26a、26b、28)可利用選擇將內管及外管加以形成的紅外線穿透材料，而調整輻射出的紅外線的波長區域。因此，可藉由根據工件W的特性而調整輻射的電磁波的波長，提高工件W的熱處理效率。例如，作為工件W，考慮對由固體成分(苯酚．環氧樹脂、10~90wt%)、以及使該固體成分成為漿料狀或糊料狀的溶劑(水或溶劑(例如、IPA(異丙醇、NMP(N-甲基-2-吡咯 烷酮)等)所構成的物質(糊料)進行乾燥的情形。對如此工件W進行乾燥的情況下，可在熱處理爐10的前半部分，利用選擇了近紅外線波長的加熱器(26a、26b、28)來進行水或溶劑的乾燥，在熱處理爐10的後半部分，利用選擇了遠紅外線波長的加熱器(26a、26b、28)來進行退火。
另外，上述的實施例中，加熱器(26a、26b、28)全部輻射了相同的波長區域的電磁波，但不局限於上述例子。例如，從加熱器(26a、26b、28)輻射的電磁波的波長可根據搬送路徑上的位置進行調整。例如，利用熱處理爐10從工件W中去除水分的情況下，工件W所含之水分量從搬入口15a朝向搬出口16a而逐漸降低。因此，可藉由使從加熱器(26a、26b、28)輻射的電磁波的波長從搬入口15a朝向搬出口16a而逐漸變長，而將與水分量相對應的電磁波向工件W照射。
另外，上述的實施例中，在引導輥(22a、22b、22c、24)的附近配置第一加熱器(26a、26b)，利用第一加熱器(26a、26b)對工件W進行加熱，但不局限於上述例子。例如，亦可在引導輥的內部設置供熱媒流通的流道，利用引導輥對工件W進行加熱。藉由如此構成，也能控制與引導輥接觸的狀態下的工件W的熱收支，可提高工件W的熱處理效率。
本說明書或附圖中說明的技術元素單獨發揮出技術有用性，或者藉由各種組合而發揮出技術有用性，並不限定於申請專利的範圍中記載的組合。另外， 本說明書或附圖中例示的技術同時實現複數之目的，實現其中一個目的的技術本身具有技術有用性。
10:熱處理爐
12:爐體
13:下壁
13a:排氣口
13b:排氣風扇
14:上壁
14a:排氣口
14b:排氣風扇
15:搬入側壁
15a:搬入口
16:搬出側壁
16a:搬出口
19a:上部處理室
19b:下部處理室
20:搬送裝置
21:搬入口輥
22a~22c:上部引導輥(上部搬送輥)
24:下部輥
25:搬出口輥
26a:第一上部加熱器
26b:第一下部加熱器
28:第二加熱器
38:供氣管
42:鏈條
44:控制器
W:工件

Claims (13)

  1. 一種熱處理爐，包含：爐體，具備搬入口、搬出口、以及配置在該搬入口與該搬出口之間的處理室；搬送裝置，將從該搬入口跨架至該搬出口的被處理物從該搬入口經過該處理室而搬送至該搬出口；複數之引導輥，配置於該處理室內，對藉由該搬送裝置加以搬送的該被處理物進行引導；以及加熱裝置，配置於該處理室內，對藉由該搬送裝置加以搬送的該被處理物進行加熱；且該被處理物經過由該複數之引導輥所界定的搬送路徑從該搬入口被搬送至該搬出口，該加熱裝置具備：第一加熱器，針對該複數之引導輥之每一個，分別配置成與該引導輥相向，而使該被處理物位於該第一加熱器與該引導輥之間，以對該被處理物進行加熱；以及第二加熱器，配置在該搬送路徑上且位於在該被處理物的搬送方向上相鄰的引導輥間之該被處理物之附近，對該被處理物進行加熱，該第二加熱器為輻射出紅外光域電磁波的加熱器，該被處理物具備薄膜、以及塗布在該薄膜的表面及背面中的至少一方的糊料，該加熱裝置將該糊料所含之水分去除。
  2. 如請求項1的熱處理爐，其中，該第一加熱器係輻射出與該第二加熱器同一類型的紅外光域電磁波的加熱器。
  3. 如請求項1的熱處理爐，其中，該第一加熱器具備設置於該引導輥的內部、供加熱該引導輥的熱媒所流通的流道。
  4. 如請求項1~3中任一項的熱處理爐，其中，更包含向該處理室內供給氣體的供氣裝置，該供氣裝置具備：複數之供氣管，配置於該處理室內，並位在與該第一加熱器所配置的位置不同、且與該第二加熱器所配置的位置不同的位置，朝向該被處理物噴出氣體；且該第二加熱器與該供氣管沿著該搬送路徑交錯配置。
  5. 如請求項4的熱處理爐，其中，從該複數之供氣管噴出的氣體的噴出方向與該被處理物的表面正交。
  6. 如請求項4的熱處理爐，其中，該爐體具備：第一壁，設有該搬入口；第二壁，與該第一壁相向，且設有該搬出口；第三壁，一端連接於該第一壁而另一端連接於該第二壁；以及 第四壁，一端連接於該第一壁而另一端連接於該第二壁，且與該第三壁相向；該複數之引導輥包含：第一引導輥，將從該搬入口搬入的該被處理物的搬送方向，變更成朝向該第三壁的第一方向；第二引導輥，將沿著該第一方向搬送的該被處理物的搬送方向，變更成朝向該第四壁的第二方向；以及第三引導輥，將沿著該第二方向搬送的該被處理物的搬送方向，變更成朝向該搬出口的方向；該第三壁具備將該處理室內的環境氣體排出的第一排氣口，該第四壁具備將該處理室內的環境氣體排出的第二排氣口。
  7. 如請求項6的熱處理爐，其中，該複數之供氣管包含：第一供氣管，配置於由該被處理物與該第三壁所包夾的空間內；以及第二供氣管，配置於由該被處理物與該第四壁所包夾的空間內。
  8. 如請求項1的熱處理爐，其中，該處理室的內表面，反射該紅外光域電磁波的反射率為50%以上。
  9. 如請求項1的熱處理爐，其中，該搬送裝置更包含： 搬入口輥，配置於該爐體的外側且係該搬入口的附近，捲繞有該被處理物；以及搬出口輥，配置於該爐體的外側且係該搬出口的附近，並對在該處理室內搬送來的該被處理物進行捲取，利用該搬入口輥及該搬出口輥進行旋轉而將捲繞於該搬入口輥的該被處理物由該搬入口輥所饋送、並在該處理室內被搬送。
  10. 如請求項1的熱處理爐，其中，該第二加熱器依照該被處理物的特性，來調整所輻射的電磁波的波長。
  11. 如請求項1的熱處理爐，其中，從該搬入口朝向該搬出口而沿著該搬送路徑配置複數之該第二加熱器，從該第二加熱器輻射出的電磁波的波長依照配置有該第二加熱器的該搬送路徑上的位置，來進行調整。
  12. 如請求項11的熱處理爐，其中，該加熱裝置將該被處理物所含之水分去除，將從該第二加熱器輻射出的電磁波的波長，調整成從該搬入口朝向該搬出口逐漸變長。
  13. 如請求項1的熱處理爐，其中，該處理室內的環境氣體為露點在0℃以下的不活性氣體之環境氣體。
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