TWI751242B - 玻璃基板之製造裝置及製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之玻璃基板之製造裝置(10)，係具備有對成為玻璃基板之板狀玻璃的一方的主表面供給處理氣體(Ga)，實施預定的表面處理的表面處理裝置(11)。表面處理裝置(11)係具備有：處理氣體生成裝置(16)；將處理氣體(Ga)供給至板狀玻璃的一方的主表面之供氣路徑(17)；對處理氣體(Ga)實施除害處理之除害裝置(18)；將已被供給到一方的主表面之處理氣體(Ga)導入至除害裝置(18)之排氣路徑(19)；及將無害氣體(Gb)導入至供氣路徑(17)之無害氣體導入路徑(20)。在較無害氣體導入路徑(20)與供氣路徑(17)之匯集位置(P1)更靠近供氣路徑(17)的下游側，可導入無害氣體(Gb)與處理氣體(Ga)中的其中一方。

Description

玻璃基板之製造裝置及製造方法
[0001] 本發明係關於玻璃基板之製造裝置及製造方法，特別是關於用來對成為玻璃基板之板狀玻璃的表面，實施藉由處理氣體之表面處理的技術。
[0002] 如習知，關於近年的圖像顯示裝置，液晶顯示器(LCD)、電漿顯示器(PDP)、場發射顯示器(FED)、有機EL顯示器(OLED)等所代表之平板顯示器(以下僅稱為FPD)為主流。關於這些FPD，由於促進輕量化，故，關於使用於FPD的玻璃基板，亦對於薄板化的要求提高。 　　[0003] 前述玻璃基板係藉由下述的方式獲得，亦即，將例如藉由各種下拉法所代表之板狀玻璃的成形方法成形為帶狀的板狀玻璃(帶狀板玻璃)裁斷成預定的尺寸，再將裁斷的板狀玻璃之寬度方向(與帶狀板玻璃的主表面平行且與長度方向正交之方向。之後相同)的兩端部進一步裁斷後，因應需要，對各裁斷面實施研磨加工等所獲得。 　　[0004] 又，當製造這種玻璃基板時，會有其製造過程中之靜電的帶電造成問題的情況。亦即，絕緣體之玻璃具有非常容易帶電之性質，在玻璃基板的製造製程，例如當將玻璃基板載置於載置台而實施預定的加工時，會有因玻璃基板與載置台之接觸剝離造成玻璃基板帶電之情況(會有將此稱為剝離帶電之情況)。若具有導電性的物體接近帶電的玻璃基板的話，會產生放電，造成此放電會導致形成於玻璃基板的主表面上之各種元件、構成電子電路的電極線等破損、玻璃基板本身破損之虞(會有將此稱為絕緣破壞或靜電破壞之情況)。又，帶電後的玻璃基板容易貼附於載置台，會有因將其強力剝離的話導致玻璃基板破損之虞。這些會成為顯示不良之原因，應要極力避免之情事。 　　[0005] 作為用來迴避前述情事之手段，例如可考量對玻璃基板的背面(與載置台的載置面接觸之側的主表面)供給預定的處理氣體，對背面實施表面處理，藉此將背面粗糙化之方法。由於會有玻璃基板與載置台之接觸面積越大，剝離時的帶電量越增大之傾向，故，期待藉由將與載置台的載置面接觸之玻璃基板的背面粗糙化，可使玻璃基板與載置台之接觸面積減少，能夠謀求剝離時的帶電抑制。又，有鑑於玻璃基板的背面越平滑，容易貼附於如載置面這樣的平滑面，如上述般，藉由將玻璃基板的背面粗糙化而例如將該背面的表面粗糙度作成較載置面的表面粗糙度大，使得玻璃基板不易貼附於載置面。藉此，可期待能夠防止剝離時的玻璃基板之破損。 　　[0006] 在此，作為如前述可進行表面處理之結構，例如在下述專利文獻1記載有一種表面處理裝置，其具備有：在已將玻璃基板載置之狀態下朝預定的方向搬運之搬運手段；將含有氟化氫氣體的處理氣體朝搬運路徑上的玻璃基板之背面供給，且將供給後的處理氣體排出至排氣系統之噴射器。在此，在噴射器，與氟化氫氣體源連接之第一狹縫設在玻璃基板的搬運方向預定位置，並且與載體氣體源連接之第二狹縫設在第一狹縫之前述搬運方向兩側的預定位置。又，與排氣系統連接的第三狹縫是設在第二狹縫之更靠近前述搬運方向兩側的預定位置。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0007] [專利文獻1] 日本特開2014-80331號公報
[發明所欲解決之課題] 　　[0008] 在這種表面處理裝置運轉的期間，如在專利文獻1所記載，形成有氟化氫氣體的流動(供給系統及排氣系統)，亦即，將以氟化氫氣體源所生成的氟化氫氣體經由第一狹縫(亦即供氣口)連續地供給至玻璃基板，再將供給後的氟化氫氣體經由配置於第一狹縫的周圍之第三狹縫(所謂的排氣口)朝排氣系統排出。然而，在因某種事情造成表面處理裝置停止而要進行維修之情況，在進行表面處理裝置的分解前，首先，產生需要進行將對人體有害的氟化氫氣體從前述供氣系統及排氣系統排除。 　　[0009] 但，如在專利文獻1所記載，當採取將氟化氫氣體源與第一狹縫經由預定的供氣系統連接的構造之情況，就算停止藉由氟化氫氣體源之氟化氫氣體源的生成及供給，在前述供氣系統中亦會殘存有氟化氫氣體。因此，直到將殘存於此供氣系統的氟化氫氣體完全排出為止，需要龐大的時間，造成為了進行維修之等待時間增加。因此，會有導致生產性大幅降低之虞。 　　[0010] 有鑑於以上的情事，在本發明，其欲解決之技術課題係在於能夠安全且短時間實施使用處理氣體朝板狀玻璃進行表面處理之表面處理裝置的維修。 [用以解決課題之手段] 　　[0011] 藉由本發明之玻璃基板之製造裝置可解決前述課題。亦即，此製造裝置係具備有表面處理裝置，該表面處理裝置為對成為玻璃基板的板狀玻璃之其中一方的主表面供給處理氣體，用來實施預定的表面處理，其特徵為，表面處理裝置係具備有：生成處理氣體之處理氣體生成裝置；將處理氣體供給至其中一方的主表面之供氣路徑；對處理氣體實施除害處理之除害裝置；及將已被供給至其中一方的主表面之處理氣體導入至除害裝置的排氣路徑，可對供氣路徑導入無害氣體之無害氣體導入路徑是與供氣路徑匯集。再者，在此所稱的[無害氣體]係指除去一般對人體有害之被一般認定的種類之氣體(包含大氣污染法所規定的有害物質之氣體、有害氣體)之氣體，即使直接或與大氣混合之狀態下與人體接觸或吸入，實質上也無害之氣體。 　　[0012] 如此，在本發明，藉由使將無害氣體導入至供氣路徑之無害氣體導入路徑匯集於供氣路徑，在較無害氣體導入路徑與供氣路徑之匯集位置更靠近供氣路徑之下游側，可導入無害氣體與處理氣體中的其中一方。若依據此結構，因可僅將無害氣體導入至供氣路徑，所以，能以無害氣體置換至少殘存於供氣路徑的處理氣體。因此，作業者能安全地分解表面處理裝置而進行維修。又，藉由採用無害氣體導入路徑匯集於供氣路徑之形態，不需通過處理氣體生成裝置而可將無害氣體導入至供氣路徑。在使其通過處理氣體生成裝置這樣的精密機器之情況，會有無害氣體的流量等受到限制之虞，但，若為不需通過處理氣體生成裝置即可導入無害氣體的話，則可較自由地設定其導入條件(無害氣體的流量、壓力、溫度等)。因此，例如藉由將流量設定成較多，能夠在短時間進行藉由無害氣體之處理氣體的置換。 　　[0013] 又，本發明之玻璃基板之製造裝置，亦可還具備有：可開閉無害氣體導入路徑之第一開閉閥；及在較匯集位置更靠近供氣路徑的上游側，可開閉供氣路徑之第二開閉閥。或亦可還具有三向閥，該三向閥是設在匯集位置，可切換供氣路徑中從匯集位置的上游側朝向下游側之處理氣體的流動、和從無害氣體導入路徑朝向匯集位置的下游側之無害氣體的流動。 　　[0014] 如此，作成設有第一開閉閥與第二開閉閥，可在較匯集位置更靠近供氣路徑的下游側簡單地導入無害氣體與處理氣體中的其中一方。又，作成在匯集位置設有前述三向閥，可在較匯集位置更靠近供氣路徑的下游側更簡單地導入無害氣體或處理氣體。 　　[0015] 又，本發明之玻璃基板之製造裝置，亦可還具備有：處理氣體分歧路徑，其在較匯集位置更靠近供氣路徑的上游側分歧而將處理氣體導入至排氣路徑。又，在例如於供氣路徑設有第二開閉閥之情況，亦可進一步具備第三開閉閥，其用來開閉處理氣體分歧路徑。 　　[0016] 如上述般，藉由設置處理氣體分歧路徑，對處理氣體分歧路徑可導入處理氣體(在具備有第二開閉閥的情況，進一步具備有前述第三開閉閥)，能夠在將處理氣體置換成無害氣體的期間，將在處理氣體生成裝置所生成的處理氣體通過處理氣體分歧路徑而持續輸送至排氣路徑。因此，在置換處理的期間，能夠迴避因在處理氣體生成裝置的內部或供氣路徑中處理氣體生成裝置與匯集位置之間處理氣體被封住所引起的缺失之產生，可安全地進行置換作業。 　　[0017] 又，在具備有第三開閉閥之情況，本發明之玻璃基板之製造裝置，亦可還具備有：配設於較處理氣體分歧路徑匯集於排氣路徑的位置更靠近排氣路徑的上游側，進行排氣路徑的開閉之第四開閉閥。 　　[0018] 如此，藉由在較處理氣體分歧路徑匯集於排氣路徑之位置更靠近排氣路徑的上游側設置開閉閥(第四開閉閥)，能夠作成供氣路徑中較第二開閉閥更下游側之區域和板狀玻璃之處理空間(曝露於處理氣體中之空間)係與處理氣體的流路(處理氣體分歧路徑及排氣路徑中較第四開閉閥更下游側之區域)完全地切離的狀態。因此，例如當形成為在打開了第四開閉閥的狀態下進行藉由無害氣體之處理氣體的置換，前述供氣路徑與板狀玻璃的處理空間被無害氣體完全地充滿的狀態之時間點，藉由關閉第四開閉閥，不需要使處理氣體生成裝置停止，除了處理氣體分歧路徑與排氣路徑的一部分下游側，能夠安全地分解表面處理裝置並進行維修。 　　[0019] 又，本發明之玻璃基板之製造裝置，亦可為無害氣體係清淨乾空氣。 　　[0020] 作為無害氣體，若為實質上對人體無害的氣體的話，則可使用任意的氣體，但綜合考量對板狀玻璃之影響、成本面等之情況，清淨乾燥氣體為佳。 　　[0021] 又，藉由本發明之玻璃基板之製造方法可解決前述課題。亦即，此製造方法係具備有：對成為玻璃基板的板狀玻璃之表面供給處理氣體，實施預定的表面處理之表面處理製程；及在使表面處理製程停止的期間，進行用來實施表面處理的裝置之維修的維修製程之方法，其特徵為：在表面處理製程，將在處理氣體生成裝置所生成的處理氣體經由供氣路徑供給至表面，並且將已被供給至表面的處理氣體經由排氣路徑導入至除害裝置後，對處理氣體實施除害處理，並且在維修製程，藉由關閉供氣路徑並且在較關閉了供氣路徑之位置更靠近供氣路徑的下游側，對供氣路徑導入無害氣體，將通過供氣路徑之處理氣體置換成無害氣體。 　　[0022] 如此，在本發明之玻璃基板之製造方法，在維修製程中，藉由關閉供氣路徑並且在較關閉了供氣路徑的位置更靠近供氣路徑的下游側對供氣路徑導入無害氣體，將通過供氣路徑的處理氣體置換成無害氣體，因此，與本發明之玻璃基板之製造裝置同樣地，可對供氣路徑僅導入無害氣體。藉此，能以無害氣體置換至少殘存於供氣路徑的處理氣體，因此，作業者可安全地分解表面處理裝置。又，藉由在較關閉了供氣路徑的位置更靠近供氣路徑的下游側導入無害氣體，不需通過處理氣體生成裝置而可將無害氣體導入至供氣路徑。因此，可較自由地設定無害氣體導入至供氣路徑之導入條件(無害氣體的流量、壓力、溫度等)，例如藉由將流量設定成較多，能夠在短時間進行藉由無害氣體之處理氣體的置換。 　　[0023] 又，本發明之玻璃基板之製造方法，亦可為在維修製程中，在較關閉了供氣路徑的位置更靠近供氣路徑的上游側，從供氣路徑分歧而可朝排氣路徑導入處理氣體。 　　[0024] 如此，藉由在較關閉了供氣路徑的位置更靠近供氣路徑的上游側，從供氣路徑分歧而可朝排氣路徑導入處理氣體，即使在關閉了供氣路徑之狀態，在將處理氣體置換成無害氣體的期間，亦可將在處理氣體生成裝置所生成的處理氣體持續輸送至排氣路徑。因此，在置換處理的期間，能夠迴避因在處理氣體生成裝置的內部或供氣路徑中處理氣體生成裝置與關閉供氣路徑的位置之間處理氣體被封住所引起的缺失之產生，可安全地進行置換作業。 　　[0025] 又，在此情況，本發明之玻璃基板之製造方法，亦可為在維修製程中，將通過供氣路徑的處理氣體置換成無害氣體後，停止朝供氣路徑導入無害氣體，並且在較從供氣路徑分歧而將處理氣體導入至排氣路徑的位置更靠近排氣路徑的上游側，關閉排氣路徑。 　　[0026] 如此，藉由進行各流路的開閉動作，能夠作成供氣路徑中較關閉了供氣路徑的位置更下游側之區域和板狀玻璃之處理空間(曝露於處理氣體中之空間)係與處理氣體的流路(從供氣路徑起之處理氣體的分歧路徑及排氣路徑中，較關閉了排氣路徑更下游側之區域)完全地切離的狀態。因此，例如當形成為在打開了排氣路徑的狀態下進行藉由無害氣體之處理氣體的置換，前述供氣路徑與板狀玻璃的處理空間被無害氣體完全地充滿的狀態之時間點，藉由關閉排氣路徑，不需要使處理氣體生成及供給暫時停止，除了處理氣體的前述流路，能夠安全地分解表面處理裝置並進行維修。 　　[0027] 又，在此情況，本發明之玻璃基板之製造方法，亦可為還具備有表面處理的重啟準備製程，其是將供氣路徑打開而朝供氣路徑導入處理氣體，並且關閉從供氣路徑分歧之流路，且打開排氣路徑，藉此將無害氣體置換成處理氣體。 　　[0028] 在關閉了供氣路徑的狀態下，可持續將處理氣體導入至排氣路徑的話，則至少在置換作業的期間，不需要使處理氣體的生成暫時停止。因此，在例如維修等的作業結束後，如上述般，利用在停止了無害氣體的導入之狀態下，打開供氣路徑，並且關閉處理氣體的分歧路，且打開排氣路徑，藉此將無害氣體置換成處理氣體，使得能夠在短時間再次以處理氣體將供氣路徑及排氣路徑充滿。因此，能夠省略重啟處理氣體的生成至處理氣體的生成狀態穩定為止之時間，在進行維修後，能夠迅速地重啟表面處理。 　　[0029] 又，本發明之玻璃基板之製造方法，亦可為在維修製程，停止藉由處理氣體生成裝置之處理氣體的生成，並且停止朝處理氣體生成裝置供給成為處理氣體的原料之氣體，並持續進行處理氣體所含有的載體氣體朝處理氣體生成裝置之供給。 　　[0030] 在使用包含有氟化氫氣體之氣體作為處理氣體的情況，作為用來生成此氟化氫氣體的裝置，會有採用能夠產生電漿反應之處理氣體生成裝置的情況。在此情況，在處理氣體生成裝置，一般被供給成為氟化氫氣體的原料之四氟化碳氣體等的氣體(原料氣體)、水及氟化氫氣體所含之氮氣等的載體氣體。因此，在維修製程，藉由停止酸性氣體的供給，並接著朝處理氣體生成裝置供給載體氣體，不僅供氣路徑，亦能以無害的氣體(載體氣體)置換處理氣體產生裝置的內部之處理氣體。因此，當表面處理裝置之用來進行表面處理的運轉停止時，可防止處理氣體生成裝置的內部持續曝露於處理氣體所引起之劣化，能夠長期間使用處理氣體生成裝置。又，藉由以載體氣體置換處理氣體生成裝置的內部之處理氣體，能夠從處理氣體生成裝置的內部完全地排除處理氣體。藉此，即使在需要進行處理氣體生成裝置的更換之情況，也能從供氣路徑安全地取下處理氣體生成裝置。 [發明效果] 　　[0031] 如以上所述，若依據本發明，能夠安全且短時間實施使用處理氣體朝板狀玻璃進行表面處理之表面處理裝置的維修。
[0033] [本發明的第一實施形態] 　　以下，參照圖1至圖4說明關於本發明的第一實施形態。再者，在本實施形態，作為板狀玻璃，以對成形為帶狀板玻璃裁切成預定的尺寸之玻璃基板的背面實施表面處理的情況為例進行說明。 　　[0034] 圖1係顯示本發明的第一實施形態之玻璃基板之製造裝置10。此製造裝置10係具備有：對玻璃基板P的一方的主表面Pa(圖1中的下表面)實施預定的表面處理之表面處理裝置11；及用來收容表面處理裝置11之處理槽12。 　　[0035] 其中，表面處理裝置11係為對玻璃基板P的一方的主表面Pa供給處理氣體Ga並實施預定的表面處理之裝置，具備有：供成為處理對象之玻璃基板P插通的插通路徑13；開口於插通路徑13之供氣口14；在與供氣口14不同的位置，開口於插通路徑13之排氣口15；生成處理氣體Ga之處理氣體生成裝置16；將處理氣體生成裝置16與供氣口14相連之供氣路徑17；對處理氣體Ga實施除害處理之除害裝置18；將排氣口15與除害裝置18相連之排氣路徑19；及將無害氣體Gb導入至供氣路徑17之無害氣體導入路徑20。在本實施形態、表面處理裝置11，除了前述要件外，還具備有：從供氣路徑17分歧而將處理氣體Ga導入至排氣路徑19之處理氣體分歧路徑21。又，在無害氣體導入路徑20的上游側，配設有壓縮機等的無害氣體導入裝置22，能夠操作無害氣體Gb之供給及停止。 　　[0036] 在無害氣體導入路徑20，配設有用來開閉無害氣體導入路徑20之第一開閉閥23。藉此，能夠切換無害氣體Gb朝供氣路徑17之導入及停止。 　　[0037] 又，在供氣路徑17中較無害氣體導入路徑20的匯集位置P1更上游側，配設有用來開閉供氣路徑17之第二開閉閥24。藉此，能夠切換處理氣體Ga朝供氣路徑17之導入及停止。 　　[0038] 又，處理氣體分歧路徑21係在較供氣路徑17之配設有第二開閉閥24的位置更上游側，從供氣路徑17分歧而與排氣路徑19相連。藉此，不需通過第二開閉閥24，可將在處理氣體生成裝置16所生成的處理氣體Ga迂迴導入至排氣路徑19及位於其下游側之除害裝置18。 　　[0039] 在本實施形態，於此處理氣體分歧路徑21，配設有用來開閉處理氣體分歧路徑21之第三開閉閥25。藉此，能夠切換處理氣體Ga朝排氣路徑19之導入及停止。 　　[0040] 處理氣體Ga的種類、組成，在能夠對玻璃基板P進行預定的表面處理(例如藉由腐蝕之粗糙化)的情況可為任意，例如能夠使用含有氟化氫氣體等的酸性氣體者。在此情況，在處理氣體生成裝置16，導入成為處理氣體Ga的原料之氣體(原料氣體)Fa的四氟化碳氣體、同樣成為原料之流體Fc的水及作為載體氣體Fb之氮氣(參照圖1)。又，藉由在處理氣體生成裝置16內部產生電漿反應，可生成含有氟化氫氣體與載體氣體Fb之處理氣體Ga。 　　[0041] 無害氣體Gb的種類、組成，如上述般，在對人體實質上無害的情況可為任意，例如從清淨度、成本面等的觀點來看，可理想地使用清淨乾空氣。當然，不限於清淨乾空氣，亦可使用例如以氮氣、氬氣等的惰性氣體為首之清淨乾空氣以外的實施處理的空氣(乾空氣)，亦可直接使用未處理的空氣(外氣)。 　　[0042] 其次，主要依據圖2至圖4，一併說明使用上述結構的表面處理裝置11所進行之表面處理及維修的順序以及本發明之作用效果。 　　[0043] 亦即，本實施形態之玻璃基板之製造方法係如圖2所示，具備有：表面處理製程S1及維修製程S2。其中，在表面處理製程S1，將處理氣體Ga供給至作為板狀玻璃之玻璃基板P，對該玻璃基板P實施預定的表面處理，並且形成將已供給的處理氣體Ga進行除害後予以排氣的氣體之流動，在維修製程S2，關閉供氣路徑17(參照圖1)，在較關閉了供氣路徑17之位置(在圖1中配設有第二開閉閥24之位置)更下游側，對供氣路徑17導入無害氣體Gb，藉此形成將處理氣體Ga置換成無害氣體Gb之氣體的流動。以下，詳細地說明各製程。 　　[0044] (S1)表面處理製程 　　在此製程S1，如圖3所示，關閉第一開閉閥23且打開第二開閉閥24，並且關閉第三開閉閥25。藉此，在處理氣體生成裝置16所生成的處理氣體Ga導入至供氣路徑17，且自位於供氣路徑17的下游端之供氣口14釋出。若圖1所示的玻璃基板P(在圖3中，省略)被插入至供氣口14面對之插通路徑13的話，自供氣口14所釋出的處理氣體Ga被供給至玻璃基板P的一方的主表面Pa(面對於供氣口14之下表面)，對一方的主表面Pa實施預定的表面處理。供給至玻璃基板之處理氣體Ga係經由在與供氣口14不同的位置面對於插通路徑13之排氣口15(在本實施形態為二個)，吸入至排氣路徑19，並導入到位於排氣路徑19的下游側之除害裝置18。已被導入的處理氣體Ga藉由除害裝置18進行除害，在除去了有害物質之狀態下排出至除害裝置18的外部。 　　[0045] 另外，因無害氣體導入路徑20被第一開閉閥23關閉，所以，在如圖3所示的狀態，不會有無害氣體Gb混入到供氣路徑17而對表面處理產生影響之虞。又，也不會有處理氣體Ga通過無害氣體導入路徑20而漏出至外部之虞。 　　[0046] 又，因處理氣體分歧路徑21被第三開閉閥25關閉，所以，在如圖3所示的狀態，不會有本來應導入至供氣路徑17之處理氣體Ga的流量減少而對表面處理產生影響之虞。 　　[0047] (S2)維修製程 　　如上述般，在使表面處理裝置11運轉的期間，對玻璃基板P實施預定的表面處理。另外，在某種理由，產生需要停止進行表面處理而分解表面處理裝置11之需求的情況，藉由下述的處理(動作)，進行表面處理裝置11的維修。亦即，當開始進行維修時，從運轉時的狀態，如圖4所示，首先，關閉第二開閉閥24，並且打開第三開閉閥25。然後，再打開第一開閉閥23。藉此，朝供氣路徑17之中至少較第二開閉閥24更下游側之處理氣體Ga的供給被停止，並且在較匯集位置P1更下游側，對供氣路徑17新導入無害氣體Gb。因此，流通於供氣路徑17、插通路徑13及排氣路徑19之處理氣體Ga係以被無害氣體Gb擠出的形態排出至除害裝置18，藉此，除了處理氣體分歧路徑21內以外的表面處理裝置11中之處理氣體Ga被無害氣體Gb置換。因此，作業者能安全地分解表面處理裝置11而進行狀態確認、保養等的維修。又，如上述般，藉由設置無害氣體導入路徑20，不需通過處理氣體生成裝置16，可將無害氣體Gb導入至供氣路徑17，所以，能夠較自由地設定無害氣體Gb的導入條件(流量、壓力、溫度等)。因此，例如藉由將流量設定成較多，能夠在短時間進行藉由無害氣體Gb之處理氣體Ga的置換。 　　[0048] 又，藉由打開第三開閉閥25，形成為可對在供氣路徑17之較第二開閉閥24更上游側分歧的處理氣體分歧路徑21供給處理氣體Ga之狀態。因此，例如在持續進行藉由處理氣體生成裝置16之處理氣體Ga的生成及供給之情況，如圖4所示，處理氣體Ga會通過處理氣體分歧路徑21，朝排氣路徑19進一步朝除害裝置18導入。因此，在前述的置換處理的期間，能夠迴避因在處理氣體生成裝置16的內部或供氣路徑17中處理氣體生成裝置16與第二開閉閥24之間，處理氣體Ga被封住所引起的缺失之產生，可安全地進行置換作業。 　　[0049] 以上，說明了本發明的第一實施形態之玻璃基板之製造裝置10及製造方法，但，這些製造裝置10及製造方法當然在本發明的範圍內可採用任意的形態。 　　[0050] [本發明的第二實施形態] 　　圖5係第二實施形態之製造裝置30的流路結構圖，圖6係顯示使用此製造裝置30之製造方法(表面處理及維修)的順序之流程圖。如圖5所示，此製造裝置30係具備有流路結構與第一實施形態不同之表面處理裝置31，具體而言，在排氣路徑19中較處理氣體分歧路徑21的匯集位置P2更上游側，配設有用來開閉排氣路徑19之第四開閉閥26。再者，除此以外的結構是與第一實施形態之製造裝置10(表面處理裝置11)相同，因此在此省略詳細說明。 　　[0051] 又，本實施形態之玻璃基板之製造方法係如圖6所示，具備有：表面處理製程S1及維修製程S2。其中，維修製程S2之詳細內容是與第一實施形態之製造方法不同。亦即，本實施形態之維修製程S2係具有：在關閉供氣路徑17並打開排氣路徑19之狀態下，藉由在較第二開閉閥24更下游側，對供氣路徑17導入無害氣體Gb，將處理氣體Ga置換成無害氣體Gb之無害氣體導入步驟S21；及在停止進行無害氣體Gb之供給後，藉由在較處理氣體分歧路徑21的匯集位置P2更上游側關閉排氣路徑19，將處理氣體Ga的流路與無害氣體Gb的流路完全地分割之流路分割步驟S22。以下，以各步驟的詳細內容為中心進行說明。 　　[0052] (S1)表面處理製程 　　在此製程，如圖7所示，作成關閉第一開閉閥23且打開第二開閉閥24，並且關閉第三開閉閥25，且打開第四開閉閥26之狀態。藉此，在處理氣體生成裝置16所生成的處理氣體Ga導入至供氣路徑17，且自位於供氣路徑17的下游端之供氣口14釋出。若圖1所示的玻璃基板P(在圖7中，省略)被插入至供氣口14面對之插通路徑13的話，自供氣口14所釋出的處理氣體Ga被供給至玻璃基板P的一方的主表面Pa(面對於供氣口14之下表面)，對一方的主表面Pa實施預定的表面處理。又，因作成將設在排氣路徑19上之第四開閉閥26打開的狀態，所以，供給至玻璃基板P之處理氣體Ga係經由在與供氣口14不同的位置面對於插通路徑13之排氣口15(在本實施形態為二個)，吸入至排氣路徑19，並導入到位於排氣路徑19的下游側之除害裝置18。已被導入的處理氣體Ga藉由除害裝置18進行除害，在除去了有害物質之狀態下排出至除害裝置18的外部。 　　[0053] 另外，因無害氣體導入路徑20被第一開閉閥23關閉，所以，在如圖7所示的狀態，不會有無害氣體Gb混入到供氣路徑17而對表面處理產生影響之虞。又，也不會有處理氣體Ga通過無害氣體導入路徑20而漏出至外部之虞。 　　[0054] 又，因處理氣體分歧路徑21被第三開閉閥25關閉，所以，在如圖7所示的狀態，不會有本來應導入至供氣路徑17之處理氣體Ga的流量減少而對表面處理產生影響之虞。 　　[0055] (S2)維修製程 (S21)無害氣體導入步驟 　　又，在本實施形態，在某種理由，產生需要停止進行表面處理而進行表面處理裝置31的維修之需求的情況，進行下述的處理(動作)。亦即，在以無害氣體Gb置換處理氣體Ga之步驟，如圖8所示，首先，關閉第二開閉閥24，並且打開第三開閉閥25。然後，再打開第一開閉閥23。作成第四開閉閥26打開之狀態。藉此，朝供氣路徑17之中至少較第二開閉閥24更下游側之處理氣體Ga的供給被停止，並且在較匯集位置P1更下游側，新導入無害氣體Gb。因此，流通於供氣路徑17、插通路徑13及排氣路徑19之處理氣體Ga係以被無害氣體Gb擠出的形態排出至除害裝置18，藉此，除了處理氣體分歧路徑21內以外的表面處理裝置11中之處理氣體Ga被無害氣體Gb置換。因此，作業者能安全地分解表面處理裝置11而進行維修。 　　[0056] 又，藉由打開第三開閉閥25，形成為可對在供氣路徑17之較第二開閉閥24更上游側分歧的處理氣體分歧路徑21供給處理氣體Ga之狀態。因此，例如在持續進行藉由處理氣體生成裝置16之處理氣體Ga的生成及供給之情況，如圖8所示，處理氣體Ga會通過處理氣體分歧路徑21，朝排氣路徑19進一步朝除害裝置18導入。因此，不需要停止藉由處理氣體生成裝置16之處理氣體Ga的生成及供給，即可進行前述置換作業。 　　[0057] (S22)流路分割步驟 　　在步驟S21，對供氣路徑17導入無害氣體Gb，以無害氣體Gb將供氣路徑17與插通路徑13及排氣路徑19內進行置換後，再實施此步驟。亦即，如圖9所示，關閉第一開閉閥23並停止無害氣體Gb朝供氣路徑17之供給，並且關閉第四開閉閥26而在排氣路徑19中較處理氣體分歧路徑21的匯集位置P2更上游側封住排氣路徑19之流動。第二開閉閥24為已關閉的狀態，且第三開閉閥25為打開的狀態。藉此，供氣路徑17中較第二開閉閥24更下游側之區域、和成為玻璃基板的處理空間之插通路徑13及排氣路徑19中較第四開閉閥26更上游側之區域是形成為與處理氣體分歧路徑21及排氣路徑19中較第四開閉閥26更下游側之區域完全地切離的狀態。換言之，表面處理裝置31的流路是形成為被分割成僅無害氣體Gb存在的空間與僅處理氣體Ga存在的空間之狀態。例如在採取如圖4所示的流路結構之情況，無害氣體Gb的流量或流體壓大幅度地設定成較處理氣體Ga的流量或流體壓大的話，可防止處理氣體Ga從處理氣體分歧路徑21的匯集位置P2朝排氣路徑19的上游側逆流之事態，但在無法完全地遮斷之狀態，即使稍許的量，也無法完全地排除處理氣體Ga朝供氣路徑17側流入之可能性。相對於此，若依據本實施形態之製造裝置30的話，在前述供氣路徑17與玻璃基板的處理空間(插通路徑13)形成為被無害氣體Gb完全地充滿的狀態之時間點，藉由關閉第四開閉閥26，即使在持續進行處理氣體Ga的生成及供給的狀態下進行無害氣體Gb的置換之情況，也能夠完全地排除作業者接觸到處理氣體Ga之可能性，能夠安全地分解表面處理裝置31而進行確認作業、維修等。 　　[0058] [本發明的第三實施形態] 　　其次，主要依據圖10，說明本發明的第三實施形態。再者，在本實施形態，所使用之製造裝置係設為如圖5所示的製造裝置30。 　　[0059] 亦即，本實施形態之玻璃基板之製造方法係如圖10所示，具備有：表面處理製程S1、維修製程S2及表面處理之重啟準備製程S3。表面處理製程S1與維修製程S2係與第二實施形態相同，因此在下述的說明中，僅詳細說明表面處理之重啟準備製程S3。 　　[0060] (S3)表面處理之重啟準備製程 　　在此製程S3，從之前的維修製程S2時之狀態(如圖9所示的狀態)，首先，打開第二開閉閥24，並且打開第四開閉閥26，且關閉第三開閉閥25。第一開閉閥23作成關閉之狀態。在此期間，不需停止藉由處理氣體生成裝置16之處理氣體Ga的生成及供給，可持續進行(均參照圖7)。藉此，立即如圖7所示，處理氣體Ga被導入至供氣路徑17，流通於供氣路徑17之無害氣體Gb被處理氣體Ga置換，因此，能夠在短時間內再次以處理氣體Ga充滿供氣路徑17及排氣路徑19。因此，能夠省略例如在從暫時停止處理氣體生成裝置16的狀態再次啟動的情況可能產生之[從再次重啟處理氣體Ga的生成到處理氣體Ga的生成狀態穩定為止]之等待時間，在進行維修後，可立即重啟進行表面處理。 　　[0061] [本發明的第四實施形態] 　　其次，主要依據圖11及12，說明本發明的第四實施形態。再者，在本實施形態，所使用之製造裝置係設為如圖5所示的製造裝置30。 　　[0062] 又，本實施形態之玻璃基板之製造方法係如圖11所示，具備有：表面處理製程S1及維修製程S2。其中，維修製程S2之詳細內容是與第一至第三實施形態之製造方法不同。亦即，本實施形態之維修製程S2，係具有載體氣體導入步驟S23，該載體氣體導入步驟是停止藉由處理氣體生成裝置16之處理氣體Ga的生成，並且停止朝處理氣體生成裝置16供給成為處理氣體Ga的原料之氣體(圖1等所示的原料氣體Fa)，並朝處理氣體生成裝置16持續供給處理氣體Ga所含有之載體氣體Fb。關於表面處理製程S1，因與第二實施形態及第三實施形態相同，所以，在下述的說明，依據圖12，詳細地說明包含載體氣體導入步驟S23之維修製程S2。 　　[0063] (S2)維修製程 (S23)載體氣體導入步驟 　　在此維修製程S2，與第二實施形態同樣地，首先，關閉第二開閉閥24，並且打開第三開閉閥25。然後，再打開第一開閉閥23。第四開閉閥26作成打開之狀態。藉此，朝供氣路徑17之中至少較第二開閉閥24更下游側之處理氣體Ga的供給被停止，並且在較匯集位置P1更下游側，對供氣路徑17新導入無害氣體Gb。因此，流通於供氣路徑17、插通路徑13及排氣路徑19之處理氣體Ga係以被無害氣體Gb擠出的形態排出至除害裝置18，藉此，除了處理氣體分歧路徑21內以外的表面處理裝置11中之處理氣體Ga被無害氣體Gb置換。因此，作業者能安全地分解表面處理裝置11而進行維修。 　　[0064] 又，此時，如圖12所示，停止藉由處理氣體生成裝置16之處理氣體Ga的生成，並且停止朝處理氣體生成裝置16供給成為處理氣體Ga的原料之四氟化碳氣體的原料氣體Fa(參照圖1)，且持續朝處理氣體生成裝置16供給處理氣體Ga所含有的載體氣體Fb。藉此，載體氣體Fb通過處理氣體生成裝置16的內部、供氣路徑17中較第二開閉閥24更上游側的區域、及處理氣體分歧路徑21，導入至排氣路徑19。因此，直到剛才還存在於處理氣體生成裝置16的內部之處理氣體Ga被置換成載體氣體Fb。載體氣體Fb，一般為氮氣等的惰性氣體，至少在與空氣混合的狀態下，對人體實質上無害之氣體。因此，當表面處理裝置31之運轉停止時(維修製程S2時)，可防止處理氣體生成裝置16的內部持續曝露於處理氣體Ga所引起之劣化，能夠長期間使用處理氣體生成裝置16。又，藉由以載體氣體Fb置換處理氣體生成裝置16的內部之處理氣體Ga，能夠從處理氣體生成裝置16的內部完全地排除處理氣體Ga。如前述般，由於載體氣體Fb比起處理氣體Ga，為非常安全的氣體，故，即使在需要進行處理氣體生成裝置16的更換之情況，也能從供氣路徑17安全地取下處理氣體生成裝置16。 　　[0065] 再者，在以上的說明，以在無害氣體導入路徑20上配設有第一開閉閥23，在供氣路徑17上配設有與第一開閉閥23不同之第二開閉閥24的情況為例進行了說明，但不限於此形態。只要在較無害氣體導入路徑20與供氣路徑17之匯集位置P1更靠近供氣路徑17的下游側，可導入無害氣體Gb與處理氣體Ga中的其中一方的情況，則可採取其他形態。 　　[0066] [本發明的第五實施形態] 　　圖13係顯示其一例(本發明的第五實施形態)之玻璃基板製造裝置40。此製造裝置40係在無害氣體導入路徑20與供氣路徑17之匯集位置P1，配設有進行流路的切換之三向閥41，取代圖1所示的第一開閉閥23及第二開閉閥24。此三向閥41係可擇一切換成：供氣路徑17中從匯集位置P1的上游側導入之處理氣體Ga通過匯集位置P1後朝向供氣路徑17的下游側之氣流、和從無害氣體導入路徑20導入之無害氣體Gb通過匯集位置P1後朝向供氣路徑17的下游側之氣流。因此，即使在將處理氣體Ga與無害氣體Gb一同供給之情況，在供氣路徑17之較匯集位置P1更下游側，始終僅將處理氣體Ga與無害氣體Gb中的其中一方導入並防止另一方導入。 　　[0067] 若依據此結構，如上述般，在供氣路徑17之較匯集位置P1更下游側，一定是僅將處理氣體Ga與無害氣體Gb中的其中一方導入，所以，可確實地防止兩種氣體Ga、Gb中不需要的氣體混入之事態產生，可使製造裝置40的可靠性進一步提升。 　　[0068] 又，在以上的說明，以在供氣路徑17上配設有第二開閉閥24，在處理氣體分歧路徑21上配設有與第二開閉閥24不同之第三開閉閥25的情況為例進行了說明，但不限於此形態。只要在可將處理氣體Ga導入至處理氣體分歧路徑21與供氣路徑17之較處理氣體分歧路徑21分歧的位置更下游側中的其中一方導入之情況，則亦可採用其他形態。 　　[0069] [本發明的第六實施形態] 　　圖14係顯示其一例(本發明的第六實施形態)之玻璃基板製造裝置50。此製造裝置50係在處理氣體分歧路徑21從供氣路徑17分歧之分歧位置P3，配設有進行流路的切換之三向閥51，取代圖1所示的第二開閉閥24及第三開閉閥25。此三向閥51係可擇一地切換成：從供氣路徑17中分歧位置P3的上游側導入之處理氣體Ga通過分歧位置P3而直接朝向供氣路徑17的下游側之氣流、和前述處理氣體Ga經由分歧位置P3而朝向處理氣體分歧路徑21之氣流。因此，即使在從處理氣體生成裝置16供給處理氣體Ga之情況，可始終僅將處理氣體Ga導入至較供氣路徑17的分歧位置P3更下游側與處理氣體分歧路徑21中的其中一方，並防止朝另一方導入。這是因為在持續生成供給處理氣體Ga之情況(第一至第三實施形態之情況)，處理氣體Ga始終僅導入至供氣路徑17與處理氣體分歧路徑21中的其中一方即可。因此，藉由在分歧位置P3設置三向閥51，操作三向閥51，當進行表面處理製程S1時，將供氣路徑17側打開，當進行維修製程S2時，將處理氣體分歧路徑21側打開，使得既可抑制設備成本，又可安全地進行維修。 　　[0070] 又，在以上的說明，以對從帶狀板玻璃切出的玻璃基板P的一方的主表面Pa實施預定的表面處理之情況為例進行了說明，但，當然亦可將本發明適用於帶狀板玻璃的其中一方的主表面。亦即，雖未圖示，在僅對成形為帶狀並朝寬度方向裁斷後，將其長度方向一端或兩端捲取之玻璃薄膜的表面背面中的一方的面實施表面處理之情況，亦可理想地實施藉由前述結構之表面處理。又，對於前述各種的板玻璃，不限於一方的主表面Pa，對於另一方的主表面(在圖1中的上側的主表面Pb)實施表面處理時，亦可適用本發明。
[0071]10‧‧‧玻璃基板之製造裝置11‧‧‧表面處理裝置12‧‧‧處理槽13‧‧‧插通路徑14‧‧‧供氣口15‧‧‧排氣口16‧‧‧處理氣體生成裝置17‧‧‧供氣路徑18‧‧‧除害裝置19‧‧‧排氣路徑20‧‧‧無害氣體導入路徑21‧‧‧處理氣體分歧路徑22‧‧‧無害氣體導入裝置23‧‧‧第一開閉閥24‧‧‧第二開閉閥25‧‧‧第三開閉閥26‧‧‧第四開閉閥Ga‧‧‧處理氣體Gb‧‧‧無害氣體P‧‧‧玻璃基板Pa‧‧‧一方的主表面
[0032] 　　圖1係顯示本發明的第一實施形態之表面處理裝置的流路構成圖。 　　圖2係顯示使用圖1所示的表面處理裝置之表面處理及維修的順序之流程圖。 　　圖3係用來說明使用圖1所示的表面處理裝置之表面處理及維修的順序之流路構成圖。 　　圖4係用來說明使用圖1所示的表面處理裝置之表面處理及維修的順序之流路構成圖。 　　圖5係顯示本發明的第二實施形態之表面處理裝置的流路構成圖。 　　圖6係顯示使用圖5所示的表面處理裝置之表面處理及維修的順序之流程圖。 　　圖7係用來說明使用圖5所示的表面處理裝置之表面處理及維修的順序之流路構成圖。 　　圖8係用來說明使用圖5所示的表面處理裝置之表面處理及維修的順序之流路構成圖。 　　圖9係用來說明使用圖5所示的表面處理裝置之表面處理及維修的順序之流路構成圖。 　　圖10係顯示本發明的第三實施形態之表面處理及維修的順序之流程圖。 　　圖11係顯示本發明的第四實施形態之表面處理及維修的順序之流程圖。 　　圖12係用來說明使用圖11所示的表面處理裝置之表面處理及維修的順序之流路構成圖。 　　圖13係顯示本發明的第五實施形態之表面處理裝置的流路構成圖。 　　圖14係顯示本發明的第六實施形態之表面處理裝置的流路構成圖。
10‧‧‧玻璃基板之製造裝置
11‧‧‧表面處理裝置
12‧‧‧處理槽
13‧‧‧插通路徑
14‧‧‧供氣口
15‧‧‧排氣口
16‧‧‧處理氣體生成裝置
17‧‧‧供氣路徑
18‧‧‧除害裝置
19‧‧‧排氣路徑
20‧‧‧無害氣體導入路徑
21‧‧‧處理氣體分歧路徑
22‧‧‧無害氣體導入裝置
23‧‧‧第一開閉閥
24‧‧‧第二開閉閥
25‧‧‧第三開閉閥
Ga‧‧‧處理氣體
Gb‧‧‧無害氣體
P‧‧‧玻璃基板
Pa‧‧‧一方的主表面
Pb‧‧‧上側的主表面
P1‧‧‧匯集位置
P2‧‧‧匯集位置
Fa‧‧‧原料氣體
Fb‧‧‧載體氣體
Fc‧‧‧流體

Claims (11)

  1. 一種玻璃基板之製造裝置，係具備有對成為玻璃基板之板狀玻璃的表面供給處理氣體，實施預定的表面處理的表面處理裝置；及收容前述表面處理裝置的收容槽，其特徵為：前述表面處理裝置係具備有：藉由導入前述處理氣體之原料及載體氣體，用來生成前述處理氣體之處理氣體生成裝置；經由供氣口，將在前述處理氣體生成裝置所生成的前述處理氣體供給至前述表面之供氣路徑；將已被供給到前述表面之前述處理氣體導入至除害裝置之排氣路徑；及位於前述排氣路徑的下游側，對透過前述排氣路徑所導入的前述處理氣體實施除害處理之前述除害裝置，可將無害氣體導入到前述供氣路徑的無害氣體導入路徑是匯集於前述供氣路徑，前述無害氣體為與前述載體氣體不同種類的氣體，前述玻璃基板之製造裝置係還具備處理氣體分歧路徑，該處理氣體分歧路徑係在較前述匯集位置更靠近前述供氣路徑的上游側分歧而可對前述排氣路徑導入前述處理氣體。
  2. 如申請專利範圍第1項之玻璃基板之製造裝置，其中，還具備有：可開閉前述無害氣體導入路徑之第一開閉閥；及在較前述匯集位置更靠近前述供氣路徑的上游側， 可開閉前述供氣路徑之第二開閉閥。
  3. 如申請專利範圍第1項之玻璃基板之製造裝置，其中，還具有三向閥，該三向閥是設在前述匯集位置，可切換前述供氣路徑中從前述匯集位置的上游側朝向下游側之前述處理氣體的流動、和從前述無害氣體導入路徑朝向前述匯集位置的下游側之前述無害氣體的流動。
  4. 如申請專利範圍第1項之玻璃基板之製造裝置，其中，還具備有：開閉前述處理氣體分歧路徑之第三開閉閥。
  5. 如申請專利範圍第1項之玻璃基板之製造裝置，其中，還具備有：配設於較前述處理氣體分歧路徑匯集於前述排氣路徑的位置更靠近前述排氣路徑的上游側，進行前述排氣路徑的開閉之第四開閉閥。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之玻璃基板之製造裝置，其中，前述無害氣體係為清淨乾燥氣體。
  7. 一種玻璃基板之製造方法，係具備有使用如申請專利範圍第1至6項中任一項之玻璃基板之製造裝置，對成為玻璃基板之板狀玻璃的表面供給處理氣體，實施預定的表面處理的表面處理製程；及在停止進行表面處理製程的期 間，進行用來實施前述表面處理的裝置之維修的維修製程之玻璃基板之製造方法，其特徵為：在前述表面處理製程中，將在前述處理氣體生成裝置所生成的前述處理氣體經由前述供氣路徑供給至前述表面，並且將已被供給到前述表面的前述處理氣體經由前述排氣路徑導入至前述除害裝置，對前述處理氣體實施除害處理，在前述維修製程中，藉由關閉前述供氣路徑並且朝較關閉了前述供氣路徑的位置更靠近前述供氣路徑的下游側導入前述無害氣體，將通過前述供氣路徑的前述處理氣體置換成前述無害氣體。
  8. 如申請專利範圍第7項之玻璃基板之製造方法，其中，在前述維修製程中，在較關閉了前述供氣路徑的位置更靠近前述供氣路徑的上游側，從前述供氣路徑分歧而可朝前述排氣路徑導入前述處理氣體。
  9. 如申請專利範圍第8項之玻璃基板之製造方法，其中，在前述維修製程中，將通過前述供氣路徑的前述處理氣體置換成前述無害氣體後，停止朝前述供氣路徑導入前述無害氣體，並且在較從前述供氣路徑分歧而將前述處理氣體導入至前述排氣路徑的位置更靠近前述排氣路徑的上游側，關閉前述排氣路徑。
  10. 如申請專利範圍第9項之玻璃基板之製造方法，其中，還具備有表面處理的重啟準備製程，其是將前述供氣路徑打開而朝前述供氣路徑導入前述處理氣體，並且關閉從前述供氣路徑分歧之流路，且打開前述排氣路徑，藉此將前述無害氣體置換成前述處理氣體。
  11. 如申請專利範圍第8項之玻璃基板之製造方法，其中，在前述維修製程中，停止藉由前述處理氣體生成裝置之前述處理氣體的生成，並且，並且，停止朝前述處理氣體生成裝置供給成為前述處理氣體的原料之氣體，並持續進行前述處理氣體所含有的前述載體氣體朝前述處理氣體生成裝置之供給。
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