WO2014080851A1 - 基板処理装置、蓋開閉機構、遮蔽機構及び容器の内部パージ方法 - Google Patents

基板処理装置、蓋開閉機構、遮蔽機構及び容器の内部パージ方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2014080851A1
WO2014080851A1 PCT/JP2013/080969 JP2013080969W WO2014080851A1 WO 2014080851 A1 WO2014080851 A1 WO 2014080851A1 JP 2013080969 W JP2013080969 W JP 2013080969W WO 2014080851 A1 WO2014080851 A1 WO 2014080851A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
container
opening
transfer chamber
substrate
substrate transfer
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/080969
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
真士 若林
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京エレクトロン株式会社 filed Critical 東京エレクトロン株式会社
Priority to KR1020157013402A priority Critical patent/KR101770485B1/ko
Priority to US14/646,706 priority patent/US9887115B2/en
Publication of WO2014080851A1 publication Critical patent/WO2014080851A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67376—Closed carriers characterised by sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67373—Closed carriers characterised by locking systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
    • H01L21/67393—Closed carriers characterised by atmosphere control characterised by the presence of atmosphere modifying elements inside or attached to the closed carrierl
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus, a lid opening / closing mechanism, a shielding mechanism, and a container internal purging method that accommodate a plurality of substrates and handle a container having an opening that can be opened and closed by a lid.
  • a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”) as a substrate is transferred in a sealed container to prevent dust and the like floating in the atmosphere from adhering when transferred.
  • FOUP Front Opening Unified Pod
  • the FOUP is a box-shaped container that accommodates a plurality of wafers therein, and has a casing-like main body having an opening on one side and a lid that covers the opening of the casing.
  • the FOUP is attached to a transfer chamber of the substrate processing apparatus, and the stored wafer is taken out after the cover of the FOUP is removed. Further, the wafer that has been subjected to the plasma treatment is accommodated in the FOUP again.
  • predetermined processing for example, plasma processing
  • the reaction product may adhere to the wafer that has been subjected to the plasma treatment.
  • the reaction product and the atmosphere inside the FOUP are contained in the wafer. Residual moisture or volatile gas generated by volatilization of reaction products and moisture remaining in the atmosphere may chemically react to generate acid gas. This acidic gas adversely affects the wafer, for example, abnormal oxidation of the wiring of the wafer after the plasma processing is accommodated.
  • ammonia (NH 3 ) in the clean room may enter the inside of the FOUP and react with the acid gas to generate reaction products such as ammonium fluoride and ammonium bromide. In this case, the generated reaction product adheres to the wafer before processing and contaminates the wafer.
  • the opening of the main body of the FOUP is kept open while the inert gas is supplied, the supplied inert gas is difficult to stay inside the main body, and the amount of the inert gas used is increased. .
  • the lid is attached to the main body and the opening is closed, an inert gas or the like is supplied into the main body to reduce the concentration of moisture inside the main body.
  • an inert gas or the like is supplied into the main body to reduce the concentration of moisture inside the main body.
  • An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus, a lid opening / closing mechanism, a shielding mechanism, and a container internal purging method that can suppress the use amount of an inert gas and a dry gas and prevent a decrease in throughput. There is to do.
  • a lid opening / closing mechanism that removes the lid from the container and communicates the inside of the container with the inside of the substrate transfer chamber via the opening; and an inert gas or dry solution to the inside of the container attached to the substrate transfer chamber.
  • a substrate processing apparatus comprising a purge gas supply unit for supplying a gas, comprising: a shielding mechanism that shields an opening of the container attached to the substrate transfer chamber from the inside of the substrate transfer chamber, wherein the shielding mechanism is the opening
  • a substrate processing apparatus having two plate-shaped moving lids that can move freely along the opening surface of each other.
  • a lid opening / closing mechanism for communicating the inside of the container with the inside of the substrate transfer chamber through the opening, and shielding the opening of the container attached to the substrate transfer chamber from the inside of the substrate transfer chamber.
  • the shielding mechanism has two plate-shaped moving lids that move freely along the opening surface of the opening, and the inert gas or the inside of the container attached to the substrate transfer chamber.
  • the two moving lids approach each other until the gap between them becomes 1 mm to 3 mm.
  • a shielding mechanism disposed in a substrate transfer chamber to which a container having a plurality of substrates and having an opening and a lid that closes the opening is attached.
  • the lid is removed from the container, and the inside of the container communicates with the inside of the substrate transfer chamber through the opening, along the opening surface of the opening
  • Two plate-shaped moving lids that move freely with respect to each other, and when the inert gas or the dry gas is supplied to the inside of the container attached to the substrate transfer chamber, the two moving lids approach each other.
  • a shielding mechanism is provided for shielding the opening of the container from the inside of the substrate transfer chamber.
  • the two moving lids approach each other until the gap between them becomes 1 mm to 3 mm.
  • an internal purge method for a container that is attached to a substrate transfer chamber and that has a plurality of substrates and has an opening and a lid that closes the opening.
  • a container is attached to the substrate transfer chamber, a lid of the attached container is removed, and the inside of the container is communicated with the inside of the substrate transfer chamber through the opening, and an inert gas or dry solution is introduced into the container.
  • the two moving lids approach each other until the gap between them becomes 1 mm to 3 mm.
  • the gap for taking out the substrate is preferably 20 mm to 50 mm.
  • the two moving lids move to form a gap for taking out the substrate at a position facing the other substrate to be taken out.
  • an inert gas or a dry gas is supplied into the container even when the two moving lids are separated.
  • the two plate-like moving lids of the shielding mechanism move freely along the opening surface of the opening of the container attached to the substrate transfer chamber and the lid removed, so that they approach each other.
  • the opening of the container can be shielded.
  • the two plate-shaped movable lids form a gap for taking out the substrate at a position facing the substrate to be taken away from each other, so that the substrate can be taken out without opening all the openings.
  • the substrate can be taken out through the gap.
  • the present invention it is possible to prevent the inert gas and dry gas supplied to the inside of the container from significantly leaking through the opening, and the concentration of the inert gas and dry gas inside the container. Therefore, after the lid is fitted into the opening of the container, the supply of the inert gas and the dry gas for reducing the moisture concentration inside the container can be completed in a short time. As a result, a decrease in throughput can be prevented.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • 2 is a perspective view schematically showing a configuration of a FOUP that is mounted on the FOUP mounting table in FIG. 1 and attached to a loader module.
  • 3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the loader module in FIG.
  • FIGS. 4A to 4C are process diagrams showing the internal purge method of the container according to the present embodiment.
  • FIG. 5A to 5C are process diagrams showing the internal purge method of the container according to the present embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram showing the position of a substrate take-out gap formed when the wafer to be processed changes.
  • FIG. 7 is a cross sectional view schematically showing a configuration of a modified example of the loader module in FIG. [FIG. 8] A graph showing a time course at the time of gas purge of the residual ion amount of the wafer after plasma processing returned to the inside of the FOUP after the inside of the FOUP is sealed.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • the substrate processing apparatus is drawn so that the inside of the substrate processing apparatus can be seen through for the sake of explanation.
  • the substrate processing apparatus of FIG. 1 is configured to perform plasma processing on a wafer in a single wafer.
  • the substrate processing apparatus 10 includes a transfer module 11 having a substantially hexagonal shape in plan view, four process modules 12 arranged on both side surfaces of the transfer module 11, and a loader arranged facing the transfer module 11.
  • a module 13 substrate transfer chamber
  • two load lock modules 14 interposed between the transfer module 11 and the loader module 13 are provided.
  • Each process module 12 includes a vacuum processing chamber, and has a stage 15 disposed therein. After the wafer W is placed on the stage 15, the inside of the process module 12 is decompressed to introduce a processing gas, and a high frequency is introduced into the interior. Plasma is generated by applying electric power, and the wafer W is subjected to plasma treatment by the plasma.
  • Each process module 12 and the transfer module 11 are partitioned by a gate valve 16 that can be freely opened and closed.
  • the transfer module 11 includes a vacuum processing chamber and includes a transfer arm unit 17 including two SCARA arm type transfer arms arranged inside.
  • the transfer arm unit 17 moves along the guide rails 18 disposed therein, and transfers the wafer W to each process module 12 and the load lock module 14.
  • Each load lock module 14 and the transfer module 11 are partitioned by a gate valve 19 that can be freely opened and closed.
  • Each load lock module 14 includes an internal pressure variable chamber that can be switched between a vacuum and an atmospheric pressure, and has a stage 20 disposed therein.
  • Each load lock module 14 and the loader module 13 are partitioned by a gate valve 21 that can be freely opened and closed.
  • the gate valve 21 is opened, the wafer W is received from the loader module 13, and the wafer W is received. After placing on the stage 20, the gate valve 21 is closed to reduce the inside to a vacuum, and then the gate valve 19 is opened to load the wafer W into the transfer module 11.
  • the gate valve 19 is opened, the wafer W is received from the transfer module 11, and the wafer W is placed on the stage 20. After that, the gate valve 19 is closed to increase the pressure to the atmospheric pressure, and then the gate valve 21 is opened to load the wafer W into the loader module 13.
  • the loader module 13 is composed of a rectangular parallelepiped atmospheric transfer chamber. Each load lock module 14 is connected to one side surface in the longitudinal direction, and three FOUP mounting tables 22 are provided on the other side surface in the longitudinal direction.
  • a transport mechanism 23 is arranged inside the loader module 13, and the transport mechanism 23 includes a guide rail 24, a support base 25, and a SCARA arm type transport arm 26.
  • the support base 25 supports the transfer arm 26 and moves along the guide rail 24.
  • the transfer arm 26 is configured to be pivotable and extendable, and a pick P that supports the wafer W is disposed at the tip of the transfer arm 26.
  • the loader module 13 aligns the relative position of the wafer W placed on each FOUP mounting table 22 and taken out from the FOUP 30 attached to the loader module 13 (for example, the relative position with respect to the pick P and the stages 15 and 20). Has an orienter 27.
  • the transfer mechanism 23 transfers the wafer W between the FOUPs 30, the load lock modules 14, and the orienter 27.
  • the substrate processing apparatus 10 includes, for example, a control device 28 including a computer, and the operation of each component (for example, the transfer module 11 and the process module 12) of the substrate processing apparatus 10 is controlled by the control device 28.
  • FIG. 2 is a perspective view schematically showing the configuration of the FOUP that is mounted on the FOUP mounting table in FIG. 1 and attached to the loader module.
  • the FOUP 30 is shown with the main body 31 and the lid 32 spaced apart from each other, and the lid 32 is shown with the inside facing forward, but the lid 32 is usually fitted into the opening 33 of the main body 31.
  • the FOUP 30 is transferred, the main body 31 and the lid 32 move together.
  • the FOUP 30 includes a substantially cubic main body 31 and a substantially rectangular flat plate-shaped lid 32.
  • the main body 31 and the lid 32 are made of, for example, high-functional plastic.
  • One side of the main body 31 is opened to form an opening 33, and the lid 32 is fitted into the opening 33.
  • the main body 31 has wafer teeth 34 that are a plurality of shelf-like projections formed horizontally on the inner side surface
  • the lid 32 has a retainer 35 that is a plurality of shelf-like projections formed horizontally on the inner side surface.
  • the main body 31 has a robot flange 36 and a manual handle 37 disposed on the outer side surface, and a side rail 38 for transferring the FOUP 30 along a guide provided in a clean room or the like.
  • the lid 32 has a sealing material 39 provided on the surface that contacts the main body 31.
  • the sealing material 39 is made of, for example, a rubber material, and fills the gap between the lid 32 and the main body 31 when the lid 32 is fitted into the opening 33 of the main body 31, and seals the inside of the FOUP 30 from the outside.
  • the FOUP 30 has a gas supply port 40 at the bottom of the main body 31.
  • the gas supply port 40 is provided with a one-way mechanism, and is configured to be able to supply gas from the outside only when the external pressure is higher than the internal pressure of the FOUP 30.
  • the FOUP 30 is mounted on the FOUP mounting table 22, the lid 32 of the FOUP 30 is removed, and the opening 33 is formed.
  • the inside of the FOUP 30 and the inside of the loader module 13 communicate with each other.
  • the transfer mechanism 23 takes out the wafer W from each FOUP 30 as a single wafer and transfers it to the orienter 27, and further loads the wafer W whose relative position is aligned into the load lock module 14.
  • the transfer arm unit 17 of the transfer module 11 receives the wafer W from the load lock module 14 and carries it into one of the process modules 12, and further receives the wafer W that has been subjected to plasma processing from the process module 12 to load lock. Carry into module 14.
  • the transfer mechanism 23 receives the wafer W from the load lock module 14 and carries it into one of the FOUPs 30.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the loader module in FIG. In FIG. 3, the load lock module 14 is omitted.
  • the loader module 13 includes an FOUP mounting port 41 that opens above the FOUP mounting table 22 on the side surface 13 a on which the FOUP mounting table 22 is provided, and an opener 42 that includes an L-shaped arm provided on the inner side of the side surface 13 a.
  • the plate-like slide lids 43 and 44 shielding mechanisms provided on the upper and lower sides of the FOUP attachment port 41 inside the side surface 13a and the upper surface of the FOUP mounting table 22 are opened, and the FOUP 30 is mounted on the FOUP mounting table 22.
  • the FOUP attachment port 41 is formed in a size that allows the lid 32 of the FOUP 30 to be loosely fitted.
  • the lid 32 of the FOUP 30 is fitted into the FOUP attachment port 41.
  • the FOUP attachment port 41 is closed by a shutter (not shown).
  • the opener 42 is movable within a predetermined range in the vertical and horizontal directions in the figure, and engages with the lid 32 of the FOUP 30 attached to the loader module 13 to remove the lid 32.
  • the N 2 gas supply unit 47 supplies N 2 gas to the inside of the FOUP 30 through the pipe 46, the N 2 gas supply path 45 and the gas supply port 40.
  • the fan filter unit 48 incorporates a fan (not shown), causes a downflow from the upper side to the lower side in the loader module 13, and entrains particles or the like floating in the loader module 13 into the downflow to the outside of the loader module 13. Discharge.
  • the slide lids 43 and 44 are configured to move freely along the inside of the side surface 13a with respect to the vertical direction in the figure, and can be advanced to the FOUP mounting port 41.
  • the front surface of the FOUP mounting port 41 has an opening surface (side surface). 13a is parallel to the inside of 13a).
  • the slide lids 43 and 44 close the opening 33 of the FOUP 30 from the inside of the loader module 13 by approaching each other in front of the FOUP attachment port 41 until the gap between them becomes 1 mm to 3 mm. Further, by separating from each other in front of the FOUP attachment port 41, a gap can be formed at an arbitrary position. The gap between the slide lids 43 and 44 exposes a part of the opening 33 to the inside of the loader module 13.
  • the slide lids 43 and 44 are not in close contact with the inside of the side surface 13a, and a minute gap, for example, a gap with a width of 1 mm to 5 mm, is formed between the slide lids 43 and 44 and the inside of the side surface 13a.
  • a minute gap for example, a gap with a width of 1 mm to 5 mm, is formed between the slide lids 43 and 44 and the inside of the side surface 13a.
  • the opener 42, the slide lids 43 and 44, and the shutter for the FOUP attachment port 41 constitute a load port (lid opening / closing mechanism).
  • FIGS. 4A to 4C and FIGS. 5A to 5C are process diagrams showing the internal purge method of the container according to the present embodiment.
  • the FOUP 30 is mounted on the FOUP mounting table 22, the lid 32 is fitted into the FOUP mounting port 41 and the FOUP 30 is mounted on the loader module 13, and then the opener 42 moves upward and rightward to engage with the lid 32. (FIG. 4A).
  • the N 2 gas supply unit 47 starts supplying N 2 gas into the FOUP 30.
  • the opener 42 moves leftward in the figure to remove the lid 32 from the FOUP 30 (FIG. 4B), and the inside of the FOUP 30 is communicated with the inside of the loader module 13 through the opening 33.
  • the slide lids 43 and 44 move along the inner side of the side surface 13a to advance to the FOUP attachment port 41 and approach each other until the gap between them becomes 1 mm to 3 mm (see FIG. 4C). At this time, the opening 33 of the FOUP 30 is shielded from the loader module 13.
  • the transfer mechanism 23 moves in the vertical direction so that the transfer arm 26 faces the wafer W to be processed (the substrate to be taken out) in the FOUP 30.
  • the slide lids 43 and 44 also move along the inner side of the side surface 13a, and are spaced apart from each other to form a substrate removal gap 49 at a position facing the wafer W to be processed (FIG. 5A).
  • the gap 49 for taking out the substrate is set to a value at which each arm member of the pick P supporting the wafer W and the transfer arm 26 supporting the pick P does not interfere with the slide lids 43 and 44, for example, 20 mm to 50 mm.
  • the N 2 gas supply unit 47 continues to supply N 2 gas to the inside of the FOUP 30 even while the slide lids 43 and 44 form a gap 49 for taking out the substrate.
  • the transfer arm 26 takes out the wafer W to be processed from the FOUP 30, the slide lids 43 and 44 move along the inside of the side surface 13a, and approach each other again until the gap between them becomes 1 mm to 3 mm. Is shielded from the loader module 13 (FIG. 5B).
  • plasma processing is sequentially performed on all the wafers W accommodated in the FOUP 30 by repeating the process of FIG. 5A and the process of FIG. 5B.
  • the slide lids 43 and 44 move along the inner side of the side surface 13a to remove the substrate at a position opposite to the wafer W (other substrate) to be extracted.
  • the gap 49 is formed (FIG. 6).
  • the slide lids 43 and 44 move along the inside of the side surface 13a to move the plasma processing in the FOUP 30 as in the steps of FIGS. 5A and 5B.
  • a gap 49 for taking out the substrate is formed at a position facing the accommodation location (one wafer tooth 34) of the wafer W subjected to the above.
  • the transfer arm 26 accommodates the wafer W, which has been subjected to the plasma processing, inside the FOUP 30 through the gap 49 for taking out the substrate.
  • the slide lids 43 and 44 move along the inside of the side surface 13a and are retracted from the FOUP mounting port 41, and the opener 42 is located above and to the right.
  • the lid 32 is fitted into the opening 33 of the main body 31 and the inside of the FOUP 30 is sealed (FIG. 5C).
  • the N 2 gas supply unit 47 continues to supply N 2 gas for a predetermined short time, for example, 60 seconds. Thereafter, this process is terminated.
  • the slide lids 43 and 44 are moved along the opening surface of the opening 33 of the FOUP 30 attached to the loader module 13 and the lid 32 being removed. By approaching each other, the opening 33 of the FOUP 30 can be shielded.
  • the slide lids 43 and 44 form a gap 49 for taking out the substrate at a position facing the wafer W to be taken away from each other. The wafer W can be taken out through the gap 49 for taking out the substrate without doing so.
  • the internal purge method of the container according to the present embodiment it is possible to prevent the N 2 gas from leaking significantly, and it is easy to maintain the concentration of N 2 gas inside the FOUP 30, so that the plasma After all of the processed wafers W are accommodated in the FOUP 30 and the lid 32 is fitted into the opening 33, the supply of N 2 gas for reducing the concentration of internal moisture is performed for a predetermined short time, for example, It can be completed in 60 seconds. As a result, a decrease in throughput can be prevented.
  • the acidic gas since the generation of the acidic gas is suppressed as described above, the acidic gas does not leak into the loader module 13, and the loader module 13 It is possible to eliminate the need to apply a corrosion-inhibiting coating to the internal components, and furthermore, since the downflow does not involve acidic gas, it is possible to eliminate the need to provide a chemical filter that adsorbs acid in the downflow discharge path. In addition, it is possible to prevent the inside of the clean room from being contaminated by the exhaust gas containing the acid gas.
  • the slide lids 43 and 44 move to the position opposite to the location where the wafer W to be taken out is moved. Since the gap 49 is formed, any wafer W accommodated in the FOUP 30 can be taken out without opening all the openings 33.
  • N 2 gas is supplied to the inside of the FOUP 30 even when the slide lids 43 and 44 are separated to form the gap 49 for taking out the substrate. Internal cleaning and drying can be further promoted.
  • FIG. 8 is a graph showing the passage of time at the time of gas purge of the residual ion amount of the wafer after the plasma processing returned to the inside of the FOUP after the inside of the FOUP is sealed.
  • the amount of residual ions is a substitute index for the amount of reaction product.
  • the reaction product reacts with moisture remaining inside the FOUP 30 directly or by volatilization, the reaction product decreases. Therefore, the amount of residual ions decreases because the chemical reaction between the reaction product and moisture proceeds. Indicates that acid gas has been generated.
  • the state A is a case where N 2 gas is supplied to the inside of the FOUP 30 after sealing the inside of the FOUP 30, and the state B is the atmosphere (atmospheric pressure to the inside of the FOUP 30 after sealing the inside of the FOUP 30. Air) is supplied.
  • the moisture inside the FOUP 30 during the plasma processing on each wafer W is achieved by bringing the slide lids 43 and 44 close to each other to shield the opening 33 of the FOUP 30. Since the concentration is maintained in a low state, the reaction product attached to the wafer W does not chemically react, and it is possible to prevent generation of acid gas. As a result, abnormal oxidation of the wiring of the wafer W can be suppressed.
  • the slide lids 43 and 44 are arranged above and below the FOUP attachment port 41 in the vertical direction, respectively.
  • the slide lids 43 and 44 are arranged so as to overlap each other only above the FOUP attachment port 41 (see FIG. 7). .), Or may be disposed only below.
  • both slide lids 43 and 44 keep the inner side of the side surface 13a while maintaining a minute gap. Move along.
  • N 2 gas supply unit 47 supplies N 2 gas, but the supplied gas is not limited to N 2 gas, and may be other inert gas or dry gas.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

不活性ガスやドライガスの使用量を抑制することができるとともに、スループットの低下を防止することができる基板処理装置を提供する。基板処理装置（１０）は、ローダモジュール（１３）と、本体（３１）、開口部（３３）及び蓋（３２）を有するＦＯＵＰ（３０）から蓋（３２）を外してＦＯＵＰ（３０）の内部を開口部（３３）を介してローダモジュール（１３）の内部と連通させるオープナー（４２）と、ローダモジュール（１３）に取り付けられたＦＯＵＰ（３０）の内部へＮ２ガスを供給するＮ２ガス供給ユニット（４７）と、開口部（３３）の開口面に沿って互いに自在に移動する２つの板状のスライド蓋（４３、４４）とを備え、スライド蓋（４３、４４）は、互いの隙間が１ｍｍ～３ｍｍとなるまで互いに接近することにより、ローダモジュール（１３）に取り付けられたＦＯＵＰ（３０）の開口部（３３）をローダモジュール（１３）の内部から遮蔽する。

Description

基板処理装置、蓋開閉機構、遮蔽機構及び容器の内部パージ方法
　本発明は、複数の基板を収容し、蓋によって開閉可能な開口部を有する容器を扱う基板処理装置、蓋開閉機構、遮蔽機構及び容器の内部パージ方法に関する。
　基板としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）は移送される際、大気を漂うゴミ等が付着するのを防止するために密閉された容器に収容されて移送される。このような容器としては、ＳＥＭＩ規格で規定されたＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ　Ｏｐｅｎｉｎｇ　Ｕｎｉｆｉｅｄ　Ｐｏｄ）が用いられる。ＦＯＵＰは内部に複数のウエハを収容する箱形の容器であり、一面が開口部からなる筐体状の本体と、筐体の開口部を覆う蓋とを有する。
　一般にウエハに所定の処理、例えば、プラズマ処理を施す基板処理装置では、ＦＯＵＰが基板処理装置の搬送室等に取り付けられ、ＦＯＵＰの蓋が外されて収容されたウエハが取り出される。また、プラズマ処理が施されたウエハは再びＦＯＵＰへ収容される。
　ところで、プラズマ処理が施されたウエハには反応生成物が付着している場合があるが、反応生成物が付着しているウエハをＦＯＵＰに収容すると、該反応生成物とＦＯＵＰの内部の大気に残留する水分と、若しくは反応生成物が揮発して発生した揮発ガスと大気に残留する水分とが化学反応して酸性ガスが発生することがある。この酸性ガスは収容されたプラズマ処理後のウエハの配線を異常酸化させる等、当該ウエハに悪影響を与える。また、クリーンルーム内のアンモニア（ＮＨ３）がＦＯＵＰの内部に進入して酸性ガスと反応し、反応生成物、例えば、フッ化アンモニウムや臭化アンモニウムを発生させる虞もある。この場合、発生した反応生成物は処理前のウエハに付着して当該ウエハを汚染する。
　そこで、ＦＯＵＰの内部から水分や揮発ガスを除去する手法が以前から提案されている。例えば、ＦＯＵＰが搬送室等に取り付けられて蓋が外された際、ＦＯＵＰの外部に設けられたガス供給口から本体の開口部へ向けて不活性ガスやドライガスを供給してＦＯＵＰの内部から水分や揮発ガスを押し出して除去する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００３−４５９３３号公報
　しかしながら、不活性ガス等が供給されている間、ＦＯＵＰの本体の開口部は開口され続けるため、供給された不活性ガス等は本体の内部に留まりにくく、不活性ガス等の使用量が多くなる。
　また、全てのプラズマ処理済みのウエハを本体の内部に収容し、蓋を本体に取り付けて開口部を閉鎖した後も、本体の内部へ不活性ガス等を供給して該内部の水分の濃度を一定以下に低下させる必要があるが、上述した特許文献１の方法では、供給された不活性ガス等は本体の内部に留まらず、本体の内部における不活性ガス等の濃度の維持が困難であるため、開口部が閉鎖された後、内部の水分の濃度を低下させるために時間を要し、スループットが低下するという問題がある。
　本発明の目的は、不活性ガスやドライガスの使用量を抑制することができるとともに、スループットの低下を防止することができる基板処理装置、蓋開閉機構、遮蔽機構及び容器の内部パージ方法を提供することにある。
　上記課題を解決するために、本発明によれば、基板搬送室と、複数の基板を収容し且つ開口部及び該開口部を塞ぐ蓋を有する容器が前記基板搬送室に取り付けられた際、前記容器から前記蓋を外して前記容器の内部を前記開口部を介して前記基板搬送室の内部と連通させる蓋開閉機構と、前記基板搬送室に取り付けられた前記容器の内部へ不活性ガス又はドライガスを供給するパージガス供給部とを備える基板処理装置において、前記基板搬送室に取り付けられた前記容器の開口部を前記基板搬送室の内部から遮蔽する遮蔽機構を備え、前記遮蔽機構は前記開口部の開口面に沿って互いに自在に移動する２つの板状の移動蓋を有する基板処理装置が提供される。
　上記課題を解決するために、本発明によれば、複数の基板を収容し且つ開口部及び該開口部を塞ぐ蓋を有する容器が基板搬送室に取り付けられた際、前記容器から前記蓋を外して前記容器の内部を前記開口部を介して前記基板搬送室の内部と連通させる蓋開閉機構において、前記基板搬送室に取り付けられた前記容器の開口部を前記基板搬送室の内部から遮蔽する遮蔽機構を備え、前記遮蔽機構は前記開口部の開口面に沿って互いに自在に移動する２つの板状の移動蓋を有し、前記基板搬送室に取り付けられた前記容器の内部へ不活性ガス又はドライガスが供給される際、前記２つの移動蓋は互いに接近して前記容器の開口部を前記基板搬送室の内部から遮蔽する蓋開閉機構が提供される。
　本発明において、前記２つの移動蓋は互いの隙間が１ｍｍ~３ｍｍとなるまで互いに接近することが好ましい。
　上記課題を解決するために、本発明によれば、複数の基板を収容し且つ開口部及び該開口部を塞ぐ蓋を有する容器が取り付けられる基板搬送室に配される遮蔽機構であって、前記容器が前記基板搬送室に取り付けられ、前記容器から前記蓋が外されて前記容器の内部が前記開口部を介して前記基板搬送室の内部と連通する際、前記開口部の開口面に沿って互いに自在に移動する２つの板状の移動蓋を備え、前記基板搬送室に取り付けられた前記容器の内部へ不活性ガス又はドライガスが供給される際、前記２つの移動蓋は互いに接近して前記容器の開口部を前記基板搬送室の内部から遮蔽する遮蔽機構が提供される。
　本発明において、前記２つの移動蓋は互いの隙間が１ｍｍ~３ｍｍとなるまで互いに接近することが好ましい。
　上記課題を解決するために、本発明によれば、基板搬送室に取り付けられ、且つ複数の基板を収容し且つ開口部及び該開口部を塞ぐ蓋を有する容器の内部パージ方法であって、前記容器を前記基板搬送室へ取り付け、前記取り付けられた容器の蓋を外して前記容器の内部を前記開口部を介して前記基板搬送室の内部と連通させ、前記容器の内部へ不活性ガス又はドライガスを供給し、前記開口部の開口面に沿って互いに自在に移動する２つの板状の移動蓋を接近させて前記容器の開口部を前記基板搬送室の内部から遮蔽し、前記容器から前記基板を取り出す際、前記２つの移動蓋が離間して前記取り出される基板に対向する位置に基板取り出し用の隙間を形成する容器の内部パージ方法が提供される。
　本発明において、前記２つの移動蓋は互いの隙間が１ｍｍ~３ｍｍとなるまで互いに接近することが好ましい。
　本発明において、前記基板取り出し用の隙間は２０ｍｍ~５０ｍｍであることが好ましい。
　本発明において、前記容器から他の前記基板を取り出す際、前記２つの移動蓋は移動して前記取り出される他の基板に対向する位置に前記基板取り出し用の隙間を形成することが好ましい。
　本発明において、前記２つの移動蓋が離間する際も前記容器の内部へ不活性ガス又はドライガスが供給されることが好ましい。
　本発明によれば、遮蔽機構の２つの板状の移動蓋は、基板搬送室に取り付けられて蓋が外された容器の開口部の開口面に沿って互いに自在に移動するので、互いに接近することによって容器の開口部を遮蔽することができる。一方、容器から基板を取り出す際、２つの板状の移動蓋は、互いに離間して取り出される基板に対向する位置に基板取り出し用の隙間を形成するので、開口部を全て開放することなく基板取り出し用の隙間を介して基板を取り出すことができる。その結果、容器の内部へ供給された不活性ガスやドライガスが開口部を介して大幅に漏れるのを防止することができる。
　また、本発明によれば、容器の内部へ供給された不活性ガスやドライガスが開口部を介して大幅に漏れるのを防止することができ、容器の内部における不活性ガスやドライガスの濃度の維持が容易であるため、蓋が容器の開口部へ嵌め込まれた後、容器の内部の水分の濃度を低下させるための不活性ガスやドライガスの供給を短時間で終了することができる。その結果、スループットの低下を防止することができる。
　［図１］本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す平面図である。
　［図２］図１におけるＦＯＵＰ載置台に載置されてローダモジュールへ取り付けられるＦＯＵＰの構成を概略的に示す斜視図である。
　［図３］図１におけるローダモジュールの構成を概略的に示す断面図である。
　［図４Ａ乃至図４Ｃ］本実施の形態に係る容器の内部パージ方法を示す工程図である。
　［図５Ａ乃至図５Ｃ］本実施の形態に係る容器の内部パージ方法を示す工程図である。
　［図６］処理対象のウエハが変わった際に形成される基板取り出し用の隙間の位置を示す図である。
　［図７］図１におけるローダモジュールの変形例の構成を概略的に示す断面図である。
　［図８］ＦＯＵＰの内部の密封後における、ＦＯＵＰの内部へ戻されたプラズマ処理後のウエハの残留イオン量のガスパージ時における時間経過を示すグラフである。
　以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
　図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す平面図である。図１では、説明のために基板処理装置の内部が透けて見えるように基板処理装置が描画されている。図１の基板処理装置は枚葉でウエハにプラズマ処理を施すように構成されている。
　図１において、基板処理装置１０は、平面視略六角形状のトランスファモジュール１１と、該トランスファモジュール１１の両側面に配置された４つのプロセスモジュール１２と、トランスファモジュール１１に対向して配置されたローダモジュール１３（基板搬送室）と、トランスファモジュール１１及びローダモジュール１３の間に介在する２つのロードロックモジュール１４とを備える。
　各プロセスモジュール１２は真空処理室からなり、内部に配置されたステージ１５を有し、該ステージ１５にウエハＷが載置された後、内部を減圧して処理ガスを導入し、さらに内部に高周波電力を印加してプラズマを生成し、該プラズマによってウエハＷにプラズマ処理を施す。各プロセスモジュール１２とトランスファモジュール１１とは開閉自在なゲートバルブ１６で仕切られる。
　トランスファモジュール１１は真空処理室からなり、内部に配置された２つのスカラアームタイプの搬送アームからなる搬送アームユニット１７を有する。搬送アームユニット１７は、内部に配置されたガイドレール１８に沿って移動し、各プロセスモジュール１２やロードロックモジュール１４へウエハＷを搬送する。各ロードロックモジュール１４とトランスファモジュール１１とは開閉自在なゲートバルブ１９で仕切られる。
　各ロードロックモジュール１４は、内部を真空、大気圧に切り換え可能な内圧可変室からなり、内部に配置されたステージ２０を有する。各ロードロックモジュール１４とローダモジュール１３とは開閉自在なゲートバルブ２１で仕切られる。
　ロードロックモジュール１４では、ウエハＷをローダモジュール１３からトランスファモジュール１１へ搬入する際、まず内部を大気圧に維持してゲートバルブ２１を開放し、ローダモジュール１３からウエハＷを受け取り、該ウエハＷをステージ２０に載置した後、ゲートバルブ２１を閉鎖して内部を真空まで減圧し、次いで、ゲートバルブ１９を開放してトランスファモジュール１１へウエハＷを搬入する。また、ウエハＷをトランスファモジュール１１からローダモジュール１３へ搬出する際、まず内部を真空に維持してゲートバルブ１９を開放し、トランスファモジュール１１からウエハＷを受け取り、該ウエハＷをステージ２０に載置した後、ゲートバルブ１９を閉鎖して内部を大気圧まで昇圧し、次いで、ゲートバルブ２１を開放してローダモジュール１３へウエハＷを搬入する。
　ローダモジュール１３は直方体状の大気搬送室からなり、長手方向に関する一の側面には各ロードロックモジュール１４が接続され、長手方向に関する他の側面には３つのＦＯＵＰ載置台２２が設けられている。
　ローダモジュール１３の内部には搬送機構２３が配置され、該搬送機構２３は、ガイドレール２４と、支持台２５と、スカラアームタイプの搬送アーム２６とを有し、ガイドレール２４はローダモジュール１３の長手方向に沿って配置され、支持台２５は搬送アーム２６を支持し、ガイドレール２４に沿って移動する。搬送アーム２６は旋回、伸縮自在に構成され、該搬送アーム２６の先端にはウエハＷを支持するピックＰが配置される。
　また、ローダモジュール１３は、各ＦＯＵＰ載置台２２に載置されてローダモジュール１３へ取り付けられたＦＯＵＰ３０から取り出されたウエハＷの相対位置（例えば、ピックＰやステージ１５、２０に対する相対位置）をアライメントするオリエンタ２７を有する。
　ローダモジュール１３では、搬送機構２３が各ＦＯＵＰ３０、各ロードロックモジュール１４及びオリエンタ２７の間でウエハＷを搬送する。
　基板処理装置１０は、例えば、コンピュータからなる制御装置２８を有し、基板処理装置１０の各構成要素（例えば、トランスファモジュール１１やプロセスモジュール１２）の動作は制御装置２８によって制御される。
　図２は、図１におけるＦＯＵＰ載置台に載置されてローダモジュールへ取り付けられるＦＯＵＰの構成を概略的に示す斜視図である。図２では、説明のために、ＦＯＵＰ３０が本体３１と蓋３２が互いに離間し、さらに蓋３２は内側が手前に向く状態で示されるが、通常、蓋３２は本体３１の開口部３３へ嵌め込まれており、ＦＯＵＰ３０を移送する際、本体３１と蓋３２は一体的に移動する。
　図２において、ＦＯＵＰ３０は略立方体状の本体３１と略矩形平板状の蓋３２とを備える。本体３１及び蓋３２は、例えば、高機能プラスチックによって構成され、本体３１は一側面が開放されて開口部３３を形成し、該開口部３３へ蓋３２が嵌め込まれる。
　本体３１は内部の側面において水平に形成された複数の棚状突起であるウエハティース３４を有し、蓋３２は内側の側面において水平に形成された複数の棚状突起であるリテーナ３５を有する。ＦＯＵＰ３０に複数のウエハＷが収容される際、ウエハティース３４及びリテーナ３５の各々は１枚のウエハＷを水平に保持する。
　また、本体３１は外側の側面に配置されたロボットフランジ３６やマニュアルハンドル３７、さらにはクリーンルーム内等に設けられたガイドに沿ってＦＯＵＰ３０を移送させるためのサイドレール３８を有する。蓋３２は本体３１と当接する面に設けられたシール材３９を有する。シール材３９は、例えば、ゴム材からなり、蓋３２が本体３１の開口部３３へ嵌め込まれた際、蓋３２及び本体３１の隙間を充填し、ＦＯＵＰ３０の内部を外部から密封する。
　さらに、ＦＯＵＰ３０は本体３１の底部にガス供給口４０を有する。ガス供給口４０には、例えば、ワンウェイ機構が設けられ、ＦＯＵＰ３０の内部の圧力よりも外部の圧力が高いときのみ、外部からガスが供給可能に構成されている。
　図１に戻り、基板処理装置１０では、ＦＯＵＰ３０に収容された各ウエハＷにプラズマ処理を施す際、まず、ＦＯＵＰ載置台２２へＦＯＵＰ３０が載置され、ＦＯＵＰ３０の蓋３２が外されて開口部３３を介してＦＯＵＰ３０の内部とローダモジュール１３の内部が連通する。次いで、搬送機構２３が各ＦＯＵＰ３０からウエハＷを枚葉で取り出してオリエンタ２７へ搬送し、さらに相対位置がアライメントされたウエハＷをロードロックモジュール１４へ搬入する。次いで、トランスファモジュール１１の搬送アームユニット１７が、ロードロックモジュール１４からウエハＷを受け取っていずれかのプロセスモジュール１２へ搬入し、さらにプラズマ処理が施されたウエハＷをプロセスモジュール１２から受け取ってロードロックモジュール１４へ搬入する。次いで、搬送機構２３がロードロックモジュール１４からウエハＷを受け取っていずれかのＦＯＵＰ３０の内部へ搬入する。
　図３は、図１におけるローダモジュールの構成を概略的に示す断面図である。なお、図３ではロードロックモジュール１４が省略されている。
　図３において、ローダモジュール１３は、ＦＯＵＰ載置台２２が設けられる側面１３ａにおいてＦＯＵＰ載置台２２の上方に開口するＦＯＵＰ取り付け口４１と、側面１３ａの内側に設けられるＬ字状のアームからなるオープナー４２と、側面１３ａの内側においてＦＯＵＰ取り付け口４１の上下それぞれに設けられる板状のスライド蓋４３、４４（遮蔽機構）と、ＦＯＵＰ載置台２２の上面に開口し、ＦＯＵＰ載置台２２にＦＯＵＰ３０が載置された際、ＦＯＵＰ３０のガス供給口４０と連通するＮ２ガス供給経路４５と、該Ｎ２ガス供給経路４５とパイプ４６を介してガス供給口４０と連通するＮ２ガス供給ユニット４７（不活性ガス供給部）と、上部に配置されたファンフィルタユニット４８とをさらに有する。
　ＦＯＵＰ取り付け口４１はＦＯＵＰ３０の蓋３２が遊嵌可能な大きさに形成され、ＦＯＵＰ３０がローダモジュール１３へ取り付けられた際、ＦＯＵＰ３０の蓋３２がＦＯＵＰ取り付け口４１へ嵌め込まれる。なお、ＦＯＵＰ３０がローダモジュール１３へ取り付けられていない場合、ＦＯＵＰ取り付け口４１は不図示のシャッターによって閉鎖される。
　オープナー４２は図中上下、左右に関して所定範囲内で移動自在であり、ローダモジュール１３へ取り付けられたＦＯＵＰ３０の蓋３２と係合して該蓋３２を取り外す。Ｎ２ガス供給ユニット４７はパイプ４６、Ｎ２ガス供給経路４５及びガス供給口４０を介してＦＯＵＰ３０の内部へＮ２ガスを供給する。
　ファンフィルタユニット４８はファン（図示しない）を内蔵し、ローダモジュール１３内において上方から下方へのダウンフローを生じさせ、ローダモジュール１３内を漂うパーティクル等をダウンフローに巻き込んでローダモジュール１３の外部へ排出する。
　スライド蓋４３、４４は側面１３ａの内側に沿って図中上下方向に関して互いに自在に移動し、ＦＯＵＰ取り付け口４１まで進出可能に構成され、ＦＯＵＰ取り付け口４１の前面において開口部３３の開口面（側面１３ａの内側と平行である。）に沿って移動する。スライド蓋４３、４４は、互いの隙間が１ｍｍ~３ｍｍとなるまでＦＯＵＰ取り付け口４１の前で互いに接近することにより、ＦＯＵＰ３０の開口部３３をローダモジュール１３の内部から遮蔽する。また、ＦＯＵＰ取り付け口４１の前で互いに離間することにより、任意の位置で隙間を形成することができる。なお、スライド蓋４３、４４の間の隙間は開口部３３の一部をローダモジュール１３の内部へ露出させる。
　また、スライド蓋４３、４４は側面１３ａの内側に密接せず、スライド蓋４３、４４と側面１３ａの内側との間には微小隙間、例えば、幅が１ｍｍ~５ｍｍの隙間が形成される。これにより、スライド蓋４３、４４が開口部３３をローダモジュール１３の内部から遮蔽した後も、該微小隙間を介してＦＯＵＰ３０の内部がローダモジュール１３の内部と連通するため、ＦＯＵＰ３０の内部へ供給されたＮ２ガスが当該内部の水分や揮発ガスを微小隙間を介してローダモジュール１３の内部へ排出することができ、もって、ＦＯＵＰ３０の内部の清浄、乾燥化を促進することができる。
　なお、本実施の形態ではオープナー４２、スライド蓋４３、４４及びＦＯＵＰ取り付け口４１用のシャッターがロードポート（蓋開閉機構）を構成する。
　図４Ａ乃至図４Ｃ及び図５Ａ乃至図５Ｃは、本実施の形態に係る容器の内部パージ方法を示す工程図である。
　まず、ＦＯＵＰ３０をＦＯＵＰ載置台２２に載置し、蓋３２をＦＯＵＰ取り付け口４１へ嵌め込んでＦＯＵＰ３０をローダモジュール１３へ装着した後、オープナー４２が上方且つ右方向へ移動して蓋３２と係合する（図４Ａ）。このとき、Ｎ２ガス供給ユニット４７はＦＯＵＰ３０の内部へのＮ２ガスの供給を開始する。
　次いで、オープナー４２が図中の左方向へ移動してＦＯＵＰ３０から蓋３２を外し（図４Ｂ）、ＦＯＵＰ３０の内部を開口部３３を介してローダモジュール１３の内部と連通させる。
　次いで、オープナー４２が下方へ移動するとともに、スライド蓋４３、４４が側面１３ａの内側に沿って移動してＦＯＵＰ取り付け口４１まで進出し、互いの隙間が１ｍｍ~３ｍｍとなるまで互いに接近する（図４Ｃ）。このとき、ＦＯＵＰ３０の開口部３３はローダモジュール１３の内部から遮蔽される。
　次いで、枚葉でウエハＷへ各プロセスモジュール１２においてプラズマ処理を施す際、搬送機構２３は上下方向に移動して搬送アーム２６をＦＯＵＰ３０における処理対象のウエハＷ（取り出される基板）に対向させるが、このとき、スライド蓋４３、４４も側面１３ａの内側に沿って移動し、且つ互いに離間して処理対象のウエハＷに対向する位置に基板取り出し用の隙間４９を形成する（図５Ａ）。基板取り出し用の隙間４９は、ウエハＷを支持したピックＰ及び該ピックＰを支持する搬送アーム２６の各アーム部材がスライド蓋４３、４４と干渉しない値、例えば、２０ｍｍ~５０ｍｍに設定される。なお、本実施の形態では、スライド蓋４３、４４が基板取り出し用の隙間４９を形成する間もＮ２ガス供給ユニット４７はＦＯＵＰ３０の内部へＮ２ガスを供給し続ける。
　次いで、搬送アーム２６が処理対象のウエハＷをＦＯＵＰ３０から取り出し、スライド蓋４３、４４は側面１３ａの内側に沿って移動して再度互いの隙間が１ｍｍ~３ｍｍとなるまで互いに接近し、開口部３３をローダモジュール１３の内部から遮蔽する（図５Ｂ）。
　次いで、図５Ａの工程及び図５Ｂの工程を繰り返してＦＯＵＰ３０が収容する全てのウエハＷへ順にプラズマ処理を施す。このとき、処理対象のウエハＷが変わる度に、スライド蓋４３、４４は側面１３ａの内側に沿って移動して当該取り出される処理対象のウエハＷ（他の基板）に対向する位置に基板取り出し用の隙間４９を形成する（図６）。
　また、プラズマ処理が施されたウエハＷをＦＯＵＰ３０の内部へ戻す際も、図５Ａ及び図５Ｂの工程と同様に、スライド蓋４３、４４は側面１３ａの内側に沿って移動してＦＯＵＰ３０におけるプラズマ処理が施されたウエハＷの収容箇所（一のウエハティース３４）に対向する位置に基板取り出し用の隙間４９を形成する。搬送アーム２６は該基板取り出し用の隙間４９を介してプラズマ処理が施されたウエハＷをＦＯＵＰ３０の内部に収容する。
　次いで、プラズマ処理が施されたウエハＷの全てがＦＯＵＰ３０に収容された後、スライド蓋４３、４４は側面１３ａの内側に沿って移動してＦＯＵＰ取り付け口４１から退避し、オープナー４２が上方且つ右方向へ移動して蓋３２を本体３１の開口部３３へ嵌め込み、ＦＯＵＰ３０の内部を密封する（図５Ｃ）。
　次いで、ＦＯＵＰ３０の内部を密封後、Ｎ２ガス供給ユニット４７は所定の短時間、例えば、６０秒間だけＮ２ガスの供給を継続する。その後、本処理を終了する。
　本実施の形態に係る容器の内部パージ方法によれば、スライド蓋４３，４４は、ローダモジュール１３に取り付けられて蓋３２が外されたＦＯＵＰ３０の開口部３３の開口面に沿って移動するので、互いに接近することによってＦＯＵＰ３０の開口部３３を遮蔽することができる。一方、ＦＯＵＰ３０から処理対象のウエハＷを取り出す際、スライド蓋４３，４４は、互いに離間して取り出されるウエハＷに対向する位置に基板取り出し用の隙間４９を形成するので、開口部３３を全て開放することなく基板取り出し用の隙間４９を介してウエハＷを取り出すことができる。その結果、ＦＯＵＰ３０の内部へ供給されたＮ２ガスが開口部３３を介して大幅に漏れるのを防止することができ、Ｎ２ガスの使用量を抑制することができる。
　また、本実施の形態に係る容器の内部パージ方法によれば、Ｎ２ガスが大幅に漏れるのを防止することができ、ＦＯＵＰ３０の内部におけるＮ２ガスの濃度の維持が容易であるため、プラズマ処理が施されたウエハＷの全てがＦＯＵＰ３０に収容されて蓋３２が開口部３３へ嵌め込まれた後、内部の水分の濃度を低下させるためのＮ２ガスの供給を所定の短時間、例えば、６０秒間で終了することができる。その結果、スループットの低下を防止することができる。
　また、本実施の形態に係る容器の内部パージ方法では、上述したように酸性ガスの発生が抑制されるので、酸性ガスがローダモジュール１３の内部へ漏れ出すことがなく、もって、ローダモジュール１３の内部の構成部品に腐食抑制コーティングを施す必要を無くすことができ、さらに、ダウンフローが酸性ガスを巻き込むことがないため、ダウンフローの排出経路に酸を吸着するケミカルフィルタを設ける必要を無くすことができ、また、酸性ガスを含む排気によってクリーンルーム内が汚染されるのを防止することができる。
　さらに、本実施の形態に係る容器の内部パージ方法では、処理対象のウエハＷが変わる度に、スライド蓋４３、４４は移動して取り出されるウエハＷの収容箇所に対向する位置に基板取り出し用の隙間４９を形成するので、ＦＯＵＰ３０が収容するいずれのウエハＷも開口部３３を全て開放することなく取り出すことができる。
　また、本実施の形態に係る容器の内部パージ方法では、スライド蓋４３、４４が離間して基板取り出し用の隙間４９を形成する際もＦＯＵＰ３０の内部へＮ２ガスが供給されるので、ＦＯＵＰ３０の内部の清浄、乾燥化をより促進することができる。
　図８は、ＦＯＵＰの内部の密封後における、ＦＯＵＰの内部へ戻されたプラズマ処理後のウエハの残留イオン量のガスパージ時における時間経過を示すグラフである。
　プラズマ処理後のウエハＷにおいて、イオンは当該ウエハＷに付着している反応生成物から生じるため、残留イオン量は反応生成物量の代用指標である。ここで、反応生成物が直接、又は揮発してＦＯＵＰ３０の内部に残留する水分と反応すると、反応生成物が減るため、残留イオン量の減少は、反応生成物と水分との化学反応が進んで酸性ガスが発生したことを示す。
　図８のグラフにおいて、状態ＡはＦＯＵＰ３０の内部を密封後にＦＯＵＰ３０の内部へ大気圧でＮ２ガスを供給する場合であり、状態ＢはＦＯＵＰ３０の内部を密封後にＦＯＵＰ３０の内部へ大気圧で大気（Ａｉｒ）を供給する場合である。
　図８のグラフから分かるとおり、ＦＯＵＰ３０の内部へ大気を供給すると、大気中の水分がウエハＷに付着した反応生成物と化学反応し（残留イオン量が減少し）、酸性ガスが発生してウエハＷの配線を異常酸化させるおそれがある一方、ＦＯＵＰ３０の内部へＮ２ガスを供給すると、ＦＯＵＰ３０の内部の大気が排除されて水分が存在しなくなるため、ウエハＷに付着した反応生成物は化学反応せず、酸性ガスが発生しない。
　すなわち、本実施の形態に係る容器の内部パージ方法において、スライド蓋４３，４４を互いに接近させてＦＯＵＰ３０の開口部３３を遮蔽することにより、各ウエハＷへのプラズマ処理中におけるＦＯＵＰ３０の内部の水分濃度が低い状態で維持されるため、ウエハＷに付着した反応生成物は化学反応せず、酸性ガスが発生しないようにすることができる。その結果、ウエハＷの配線の異常酸化を抑制することができる。
　以上、本発明について、上記実施の形態を用いて説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。
　例えば、スライド蓋４３、４４は上下方向に関してＦＯＵＰ取り付け口４１を挟んでそれぞれ上方と下方に配置されたが、スライド蓋４３、４４を重ねて配置してＦＯＵＰ取り付け口４１の上方のみ（図７参照。）、又は下方のみに配置してもよい。但し、この場合、スライド蓋４３、４４が互いに自在に移動してスライド蓋４３、４４の重畳が解消された際、いずれのスライド蓋４３、４４も側面１３ａの内側と微小隙間を保ちながら該内側に沿って移動する。
　また、Ｎ２ガス供給ユニット４７はＮ２ガスを供給したが、供給されるガスはＮ２ガスに限られず、他の不活性ガスやドライガスであってもよい。
　本出願は、２０１２年１１月２２日に出願された日本出願第２０１２−２５６７７８号に基づく優先権を主張するものであり、当該日本出願に記載された全内容を本出願に援用する。
Ｗ　　ウエハ
１０　　基板処理装置
１３　　ローダモジュール
３０　　ＦＯＵＰ
３１　　本体
３２　　蓋
３３　　開口部
４２　　オープナー
４３、４４　　スライド蓋
４７　　Ｎ２ガス供給ユニット
４９　　基板取り出し用の隙間

Claims (10)

  1. 　基板搬送室と、複数の基板を収容し且つ開口部及び該開口部を塞ぐ蓋を有する容器が前記基板搬送室に取り付けられた際、前記容器から前記蓋を外して前記容器の内部を前記開口部を介して前記基板搬送室の内部と連通させる蓋開閉機構と、前記基板搬送室に取り付けられた前記容器の内部へ不活性ガス又はドライガスを供給するパージガス供給部とを備える基板処理装置において、
    　前記基板搬送室に取り付けられた前記容器の開口部を前記基板搬送室の内部から遮蔽する遮蔽機構を備え、
    　前記遮蔽機構は前記開口部の開口面に沿って互いに自在に移動する２つの板状の移動蓋を有することを特徴とする基板処理装置。
  2. 　複数の基板を収容し且つ開口部及び該開口部を塞ぐ蓋を有する容器が基板搬送室に取り付けられた際、前記容器から前記蓋を外して前記容器の内部を前記開口部を介して前記基板搬送室の内部と連通させる蓋開閉機構において、
    　前記基板搬送室に取り付けられた前記容器の開口部を前記基板搬送室の内部から遮蔽する遮蔽機構を備え、
    　前記遮蔽機構は前記開口部の開口面に沿って互いに自在に移動する２つの板状の移動蓋を有し、
    　前記基板搬送室に取り付けられた前記容器の内部へ不活性ガス又はドライガスが供給される際、前記２つの移動蓋は互いに接近して前記容器の開口部を前記基板搬送室の内部から遮蔽することを特徴とする蓋開閉機構。
  3. 　前記２つの移動蓋は互いの隙間が１ｍｍ~３ｍｍとなるまで互いに接近することを特徴とする請求項２記載の蓋開閉機構。
  4. 　複数の基板を収容し且つ開口部及び該開口部を塞ぐ蓋を有する容器が取り付けられる基板搬送室に配される遮蔽機構であって、
    　前記容器が前記基板搬送室に取り付けられ、前記容器から前記蓋が外されて前記容器の内部が前記開口部を介して前記基板搬送室の内部と連通する際、前記開口部の開口面に沿って互いに自在に移動する２つの板状の移動蓋を備え、
    　前記基板搬送室に取り付けられた前記容器の内部へ不活性ガス又はドライガスが供給される際、前記２つの移動蓋は互いに接近して前記容器の開口部を前記基板搬送室の内部から遮蔽することを特徴とする遮蔽機構。
  5. 　前記２つの移動蓋は互いの隙間が１ｍｍ~３ｍｍとなるまで互いに接近することを特徴とする請求項４記載の遮蔽機構。
  6. 　基板搬送室に取り付けられ、且つ複数の基板を収容し且つ開口部及び該開口部を塞ぐ蓋を有する容器の内部パージ方法であって、
    　前記容器を前記基板搬送室へ取り付け、
    　前記取り付けられた容器の蓋を外して前記容器の内部を前記開口部を介して前記基板搬送室の内部と連通させ、
    　前記容器の内部へ不活性ガス又はドライガスを供給し、
    　前記開口部の開口面に沿って互いに自在に移動する２つの板状の移動蓋を接近させて前記容器の開口部を前記基板搬送室の内部から遮蔽し、
    　前記容器から前記基板を取り出す際、前記２つの移動蓋が離間して前記取り出される基板に対向する位置に基板取り出し用の隙間を形成することを特徴とする容器の内部パージ方法。
  7. 　前記２つの移動蓋は互いの隙間が１ｍｍ~３ｍｍとなるまで互いに接近することを特徴とする請求項６記載の容器の内部パージ方法。
  8. 　前記基板取り出し用の隙間は２０ｍｍ~５０ｍｍであることを特徴とする請求項６又は７記載の容器の内部パージ方法。
  9. 　前記容器から他の前記基板を取り出す際、前記２つの移動蓋は移動して前記取り出される他の基板に対向する位置に前記基板取り出し用の隙間を形成することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の容器の内部パージ方法。
  10. 前記２つの移動蓋が離間する際も前記容器の内部へ不活性ガス又はドライガスが供給されることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の内部パージ方法。
PCT/JP2013/080969 2012-11-22 2013-11-12 基板処理装置、蓋開閉機構、遮蔽機構及び容器の内部パージ方法 WO2014080851A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020157013402A KR101770485B1 (ko) 2012-11-22 2013-11-12 기판 처리 장치, 커버 개폐 기구, 차폐 기구 및 용기의 내부 퍼지 방법
US14/646,706 US9887115B2 (en) 2012-11-22 2013-11-12 Substrate processing apparatus, cover opening and closing mechanism,shielding mechanism, and method for purging container

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-256778 2012-11-22
JP2012256778A JP6099945B2 (ja) 2012-11-22 2012-11-22 蓋開閉機構、遮蔽機構及び容器の内部パージ方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014080851A1 true WO2014080851A1 (ja) 2014-05-30

Family

ID=50776034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/080969 WO2014080851A1 (ja) 2012-11-22 2013-11-12 基板処理装置、蓋開閉機構、遮蔽機構及び容器の内部パージ方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9887115B2 (ja)
JP (1) JP6099945B2 (ja)
KR (1) KR101770485B1 (ja)
TW (1) TWI576945B (ja)
WO (1) WO2014080851A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016035675A1 (ja) * 2014-09-05 2016-03-10 ローツェ株式会社 ロードポート及びロードポートの雰囲気置換方法
TWI723329B (zh) * 2019-01-19 2021-04-01 春田科技顧問股份有限公司 裝載埠及其氣簾裝置與吹淨方法
CN113437002A (zh) * 2020-03-23 2021-09-24 平田机工株式会社 装载端口及控制方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6106501B2 (ja) * 2013-04-12 2017-04-05 東京エレクトロン株式会社 収納容器内の雰囲気管理方法
KR20160043027A (ko) 2013-08-12 2016-04-20 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 팩토리 인터페이스 환경 제어들을 갖는 기판 프로세싱 시스템들, 장치, 및 방법들
JP6226190B2 (ja) * 2014-02-20 2017-11-08 Tdk株式会社 パージシステム、及び該パージシステムに供せられるポッド及びロードポート装置
JP6376594B2 (ja) * 2014-08-20 2018-08-22 信越ポリマー株式会社 ロードポートおよび基板の搬送方法
KR20210080633A (ko) 2014-11-25 2021-06-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 캐리어 및 퍼지 챔버 환경 제어들을 이용하는 기판 프로세싱 시스템들, 장치, 및 방법들
US9791849B2 (en) * 2015-05-26 2017-10-17 GlobalFoundries, Inc. Defect detection process in a semiconductor manufacturing environment
US10515834B2 (en) * 2015-10-12 2019-12-24 Lam Research Corporation Multi-station tool with wafer transfer microclimate systems
JP6632403B2 (ja) * 2016-02-02 2020-01-22 東京エレクトロン株式会社 基板収納容器の連結機構および連結方法
JP2017152597A (ja) * 2016-02-26 2017-08-31 株式会社日立ハイテクマニファクチャ＆サービス ウェーハ搬送装置用治具、及びウェーハ搬送装置
JP6874303B2 (ja) * 2016-08-31 2021-05-19 Tdk株式会社 ロードポート装置
TWI650825B (zh) * 2017-07-18 2019-02-11 志聖工業股份有限公司 晶圓加工機及其加工處理方法
US10763134B2 (en) 2018-02-27 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus and methods with factory interface chamber filter purge
KR20220042646A (ko) 2020-09-28 2022-04-05 현대중공업지주 주식회사 기판이송장치
TWI762230B (zh) * 2021-03-08 2022-04-21 天虹科技股份有限公司 遮擋機構及具有遮擋機構的基板處理腔室
CN114695222B (zh) * 2022-06-02 2022-08-16 江苏邑文微电子科技有限公司 晶片传输系统和方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003517724A (ja) * 1999-07-28 2003-05-27 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド 垂直方向に重ねられたロードロック部及び移送ロボット
JP2008251627A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Tokyo Electron Ltd 処理装置、処理方法、および記憶媒体
WO2010007657A1 (ja) * 2008-07-14 2010-01-21 株式会社ライト製作所 パージ装置、ロードポート及びパージ方法
JP2010232522A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2011159834A (ja) * 2010-02-01 2011-08-18 Yaskawa Electric Corp ガス置換装置を備えた基板搬送装置、基板搬送システム、置換方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6053688A (en) * 1997-08-25 2000-04-25 Cheng; David Method and apparatus for loading and unloading wafers from a wafer carrier
US20020006322A1 (en) * 2000-03-06 2002-01-17 Applied Materials, Inc. Pod door opener
JP3880343B2 (ja) 2001-08-01 2007-02-14 株式会社ルネサステクノロジ ロードポート、基板処理装置および雰囲気置換方法
JP2004235516A (ja) 2003-01-31 2004-08-19 Trecenti Technologies Inc ウエハ収納治具のパージ方法、ロードポートおよび半導体装置の製造方法
US9010384B2 (en) * 2004-06-21 2015-04-21 Right Mfg. Co. Ltd. Load port
JP4534876B2 (ja) * 2005-06-13 2010-09-01 シンフォニアテクノロジー株式会社 被処理物供給装置及び被処理物供給方法
US20080031709A1 (en) * 2006-07-10 2008-02-07 Bonora Anthony C Variable lot size load port
US7597523B2 (en) * 2006-07-10 2009-10-06 Asyst Technologies, Inc. Variable lot size load port
JP4251580B1 (ja) * 2008-01-08 2009-04-08 Ｔｄｋ株式会社 被収容物搬送システム
TW200946422A (en) * 2008-03-13 2009-11-16 Fortrend Engineering Corp Bare reticle storage chamber and stocker
JP5768337B2 (ja) * 2010-07-07 2015-08-26 シンフォニアテクノロジー株式会社 ロードポート
JP5993252B2 (ja) * 2012-09-06 2016-09-14 東京エレクトロン株式会社 蓋体開閉装置及びこれを用いた熱処理装置、並びに蓋体開閉方法
JP6106501B2 (ja) * 2013-04-12 2017-04-05 東京エレクトロン株式会社 収納容器内の雰囲気管理方法
CN106856664B (zh) * 2014-09-05 2019-11-19 日商乐华股份有限公司 装载口及装载口的气氛置换方法
US10515834B2 (en) * 2015-10-12 2019-12-24 Lam Research Corporation Multi-station tool with wafer transfer microclimate systems

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003517724A (ja) * 1999-07-28 2003-05-27 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド 垂直方向に重ねられたロードロック部及び移送ロボット
JP2008251627A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Tokyo Electron Ltd 処理装置、処理方法、および記憶媒体
WO2010007657A1 (ja) * 2008-07-14 2010-01-21 株式会社ライト製作所 パージ装置、ロードポート及びパージ方法
JP2010232522A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2011159834A (ja) * 2010-02-01 2011-08-18 Yaskawa Electric Corp ガス置換装置を備えた基板搬送装置、基板搬送システム、置換方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016035675A1 (ja) * 2014-09-05 2016-03-10 ローツェ株式会社 ロードポート及びロードポートの雰囲気置換方法
JPWO2016035675A1 (ja) * 2014-09-05 2017-06-15 ローツェ株式会社 ロードポート及びロードポートの雰囲気置換方法
CN106856664A (zh) * 2014-09-05 2017-06-16 日商乐华股份有限公司 装载口及装载口的气氛置换方法
US10354903B2 (en) 2014-09-05 2019-07-16 Rorze Corporation Load port and load port atmosphere replacing method
CN106856664B (zh) * 2014-09-05 2019-11-19 日商乐华股份有限公司 装载口及装载口的气氛置换方法
TWI723329B (zh) * 2019-01-19 2021-04-01 春田科技顧問股份有限公司 裝載埠及其氣簾裝置與吹淨方法
CN113437002A (zh) * 2020-03-23 2021-09-24 平田机工株式会社 装载端口及控制方法
CN113437002B (zh) * 2020-03-23 2023-08-08 平田机工株式会社 装载端口及控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9887115B2 (en) 2018-02-06
TWI576945B (zh) 2017-04-01
US20150340259A1 (en) 2015-11-26
JP6099945B2 (ja) 2017-03-22
TW201433533A (zh) 2014-09-01
KR20150088798A (ko) 2015-08-03
KR101770485B1 (ko) 2017-08-22
JP2014107296A (ja) 2014-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2014080851A1 (ja) 基板処理装置、蓋開閉機構、遮蔽機構及び容器の内部パージ方法
JP7293153B2 (ja) 半導体クリーニングシステム及び半導体清浄方法
TWI681915B (zh) 裝載埠
KR20140123479A (ko) 기판 수용 용기의 퍼지 장치 및 퍼지 방법
TW201633436A (zh) 門開閉裝置、搬運裝置、分類裝置、收納容器之開放方法
KR20120109413A (ko) 덮개 개폐 장치
US11054184B2 (en) Methods and apparatus for processing a substrate to remove moisture and/or residue
JP2006228808A (ja) 基板搬送装置、基板搬送方法及び半導体製造装置
US8999103B2 (en) Substrate processing system, substrate processing method and storage medium
CN108886012B (zh) 装载端口
KR100850815B1 (ko) 처리 장치
KR20180121392A (ko) 반송 장치 및 반송 방법
CN110349893B (zh) 装载端口以及efem
TW201632428A (zh) 蓋體開閉裝置及蓋體開閉方法
US20150303094A1 (en) Apparatus and method for treating substrate
JP6191853B2 (ja) ロードロックチャンバ
JP2011159834A (ja) ガス置換装置を備えた基板搬送装置、基板搬送システム、置換方法
CN110379753B (zh) 基板传输系统、存储介质以及基板传输方法
JP5807708B2 (ja) 蓋体開閉装置
JP2009111404A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
KR20010049231A (ko) 기판 수납 지그 반송 방법 및 자동 반송 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13856437

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20157013402

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14646706

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13856437

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1