TW201433533A - 基板處理裝置、蓋體開閉機構、遮蔽機構及容器內驅淨方法 - Google Patents

基板處理裝置、蓋體開閉機構、遮蔽機構及容器內驅淨方法 Download PDF

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Abstract

本發明之目的在於提供一種基板處理裝置，可抑制惰性氣體或乾燥氣體的使用量，同時防止產量降低。為達成上述之目的，基板處理裝置10包含：裝載模組13；開蓋器42，從收納複數晶圓W且具有本體31、開口部33及蓋體32的FOUP(前開式晶圓匣盒)30卸下蓋體32，以使FOUP30內部經由開口部33與裝載模組13內部連通；N2氣體供給單元47，對安裝於裝載模組13的FOUP30內部供給N2氣體；及兩個板狀的滑動蓋體43、44，沿著開口部33的開口面相互自由移動；滑動蓋體43、44，相互接近至彼此的間隙成為1mm~3mm為止，藉此從裝載模組13內部遮蔽安裝於裝載模組13之FOUP30的開口部33。

Description

基板處理裝置、蓋體開閉機構、遮蔽機構及容器內驅淨方法
本發明係關於一種，對容器進行處理的基板處理裝置、蓋體開閉機構、遮蔽機構及容器之內部驅淨方法；該容器可收納複數之基板，並具有可以蓋體開閉之開口部。
在運送作為基板的半導體晶圓(以下僅稱「晶圓」)時，為了防止飄散於大氣中的塵屑等附著於其上，而將其收納於密閉容器內，以進行運送。一般使用以SEMI規格所規定的FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式晶圓匣盒)，作為這樣的容器。FOUP係內部收納複數晶圓的箱形容器，具有一面由開口部構成的框體狀本體，以及覆蓋框體之開口部的蓋體。
一般而言，對晶圓實施既定處理(例如電漿處理)的基板處理裝置中，係將FOUP安裝於基板處理裝置的運送室等，再將FOUP之蓋體卸下，以取出收納於其中的晶圓。另外，將已實施電漿處理的晶圓再此收納至FOUP之中。
另外，具有被施予電漿處理的晶圓上，附著有反應物等的情況，若將該附著有反應物的晶圓收納至FOUP，則該反應物與FOUP內部之殘留於大 氣中的水分發生化學反應，或是反應物揮發所產生的氣體與殘留於大氣中的水分發生化學反應，而具有產生酸性氣體的情況。該酸性氣體，導致所收納之電漿處理後的晶圓上的配線異常氧化等，而對於該晶圓有不良的影響。另外，亦具有無塵室內的氨(NH3)進入FOUP內部與酸性氣體反應，而產生反應物(例如氟化銨或溴化銨)的可能。此情況下，產生的反應物，附著於處理前的晶圓，而污染了該晶圓。
於是，過去就有人提出從FOUP內部去除水分及揮發氣體的方法。例如，有人提出在將FOUP安裝於運送室等，並將蓋體卸下時，從設於FOUP外部的氣體供給口朝向本體之開口部供給惰性氣體或乾燥氣體，以將水分及揮發氣體從FOUP內部壓送出去，而將其去除的方法(例如，參照專利文獻1)。
【先行技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2003-45933號公報
然而，在供給惰性氣體等的期間，因為FOUP本體的開口部係持續開口的態樣，故所供給的惰性氣體等，難以留在本體內部，使得惰性氣體等的使用量變多。
另外，在將經過電漿處理的晶圓收納於本體內部，並將蓋體安裝至本體以將開口部關閉之後，亦必須對本體內部供給惰性氣體等，以使該內部的水分濃度降低到一定的量以下，但上述專利文獻1之方法中，所供給的惰性氣體等無法留在本體內部，而難以維持本體內部中的惰性氣體等的濃度，故在開口部關閉之後，需要時間將內部的水分濃度降低，而具有產量降低的問題。
本發明之目的在於提供一種基板處理裝置、蓋體開閉機構、遮蔽機構及容器之內部驅淨方法，其可抑制惰性氣體與乾燥氣體的使用量，同時防止產量降低。
為了達成上述目的，請求項1所記載之基板處理裝置，包含：基板運送室；蓋體開閉機構，在將容器安裝於該基板運送室時，從該容器將該蓋體卸下，並經由該開口部，使該容器之內部與該基板運送室之內部連通，該容器收納複數之基板，且具有開口部及封蓋該開口部的蓋體；及驅淨氣體供給部，對安裝於該基板運送室的該容器之內部供給惰性氣體或是乾燥氣體；該基板處理裝置之特徵為：安裝於該基板運送室的該容器的開口部，具備從該基板運送室之內部遮蔽的遮蔽機構；該遮蔽機構，具有沿著該開口部之開口面相互自由移動的兩個板狀的移動蓋體。
為了達成上述目的，請求項2之蓋體開閉機構，係在將容器安裝於基板運送室時，從該容器將該蓋體卸下，以使該容器之內部經由該開口部與該基板運送室之內部連通的蓋體開閉機構；該容器收納複數之基板，並具有開口部及封蓋該開口部的蓋體；該蓋體開閉機構之特徵為包含：遮蔽機構，從該基板運送室之內部，將安裝於該基板運送室的該容器的開口部遮蔽；該遮蔽機構，具有沿著該開口部之開口面相互自由移動的兩個板狀的移動蓋體，在對安裝於該基板運送室的該容器之內部供給惰性氣體或是乾燥氣體時，該兩個移動蓋體相互接近，以從該基板運送室之內部遮蔽該容器的開口部。
請求項3所之蓋體開閉機構，其特徵為：請求項2之蓋體開閉機構中，該兩個移動蓋體，在彼此的間隙成為1mm~3mm之前，相互接近。
為了達成上述目的，請求項4之遮蔽機構，係配置在安裝有容器之基 板運送室的遮蔽機構，該容器收納複數之基板且具有開口部及封蓋該開口部的蓋體，該遮蔽機構之特徵為包含：兩個板狀的移動蓋體，其在該容器安裝於該基板運送室，從該容器卸下該蓋體，並使該容器之內部經由該開口部與該基板運送室之內部連通時，沿著該開口部之開口面相互自由移動，並在對安裝於該基板運送室的該容器之內部供給惰性氣體或是乾燥氣體時，該兩個移動蓋體相互接近，以從該基板運送室之內部遮蔽該容器的開口部。
請求項5之遮蔽機構，其特徵為：在請求項4之遮蔽機構中，該兩個移動蓋體，相互接近至彼此的間隙成為1mm~3mm為止。
為了達成上述目的，請求項6之容器之內部驅淨方法，係安裝至基板運送室、且收納複數之基板、並具有開口部及封蓋該開口部的蓋體之容器之內部驅淨方法，其特徵為：將該容器安裝於該基板運送室，將該安裝的容器的蓋體卸下，使該容器之內部經由該開口部與該基板運送室之內部連通，對該容器之內部供給惰性氣體或是乾燥氣體，並使沿著該開口部之開口面相互自由移動的兩個板狀的移動蓋體接近，從該基板運送室之內部遮蔽該容器的開口部，並在從該容器將該基板取出時，使該兩個移動蓋體分開，以在與該被取出的基板對向的位置，形成用以取出基板的間隙。
請求項7之容器之內部驅淨方法，其特徵為：請求項6所記載之容器之內部驅淨方法中，該兩個移動蓋體，相互接近至彼此的間隙成為1mm~3mm為止。
請求項8之容器之內部驅淨方法，其特徵為：請求項6或7之容器之內部驅淨方法中，該用以取出基板的間隙，為20mm~50mm。
請求項9之容器之內部驅淨方法，其特徵為：請求項6至8中任1項之容器之內部驅淨方法中，該兩個移動蓋體，在從該容器取出另一該基板時移動，在與該被取出的另一基板對向的位置，形成用以取出該基板的間 隙。
請求項10之容器之內部驅淨方法，其特徵為：請求項6至9中任1項之容器之內部驅淨方法中，在該兩個移動蓋體分開時，亦對該容器之內部供給惰性氣體或乾燥氣體。
根據本發明，因為遮蔽機構的兩個板狀的移動蓋體，可沿著安裝於基板運送室且蓋體被卸下的容器的開口部之開口面相互自由移動，故可藉由相互接近，來遮蔽容器的開口部。另一方面，從容器取出基板時，因為兩個板狀的移動蓋體相互分開，而在與被取出的基板對向的位置，形成用以取出基板的間隙，故可在開口部未完全開放的狀態下，經由用以取出基板的間隙，將基板取出。結果，可防止對容器之內部供給的惰性氣體或乾燥氣體經由開口部大幅度地洩漏。
另外，根據本發明，可防止對容器之內部供給的惰性氣體或乾燥氣體，經由開口部大幅度地洩漏，而可輕易地維持容器之內部之惰性氣體或乾燥氣體的濃度，故在將蓋體嵌入容器的開口部之後，可在既定的短時間內，結束用以降低容器之內部之水分濃度的惰性氣體或乾燥氣體的供給。結果，可防止產量降低。
W‧‧‧晶圓
10‧‧‧基板處理裝置
11‧‧‧傳送模組
12‧‧‧製程模組
13‧‧‧裝載模組
13a‧‧‧側面
14‧‧‧負載鎖定模組
15‧‧‧載台
16‧‧‧閘閥
17‧‧‧運送手臂單元
18‧‧‧引導滑軌
19‧‧‧閘閥
20‧‧‧載台
21‧‧‧閘閥
22‧‧‧FOUP載置台
23‧‧‧運送機構
24‧‧‧引導滑軌
25‧‧‧支持台
26‧‧‧運送手臂
27‧‧‧定位器
28‧‧‧控制裝置
30‧‧‧FOUP
31‧‧‧本體
32‧‧‧蓋體
33‧‧‧開口部
34‧‧‧晶圓溝
35‧‧‧扣件
36‧‧‧機械凸片
37‧‧‧操作手把
38‧‧‧側軌
39‧‧‧片材
40‧‧‧氣體供給口
41‧‧‧FOUP安裝口
42‧‧‧開蓋器
43、44‧‧‧滑動蓋體
45‧‧‧N2氣體供給線路
46‧‧‧管線
47‧‧‧N2氣體供給單元
48‧‧‧風扇過濾單元
49‧‧‧用以取出基板的間隙
P‧‧‧拾取部
【圖1】係概略顯示本發明之實施態樣的基板處理裝置之構成的平面圖。
【圖2】係概略顯示載置於圖1中的FOUP載置台，安裝於裝載模組之FOUP的構成的立體圖。
【圖3】係概略顯示圖1中的裝載模組之構成的剖面圖。
【圖4】(A)~(C)係顯示本實施態樣之容器之內部驅淨方法的步驟圖。
【圖5】(A)~(C)係顯示本實施態樣之容器之內部驅淨方法的步驟圖。
【圖6】係顯示在變換作為處理對象之晶圓時所形成的用以取出基板之間隙的位置的圖。
【圖7】係概略顯示圖1中的裝載模組之變化實施例之構成的剖面圖。
【圖8】係顯示在將FOUP內部密封後，在進行氣體驅淨時，送回至FOUP內部之電漿處理後的晶圓上，殘留離子量隨時間經過的圖表。
以下，就本發明之實施態樣，參照圖式進行說明。
圖1，係概略顯示本實施態樣之基板處理裝置之構成的平面圖。圖1中，為了進行說明，係以透視基板處理裝置內部的方式，描繪基板處理裝置。圖1之基板處理裝置，係以單片式地對晶圓進行電漿處理的方式所構成。
圖1中，基板處理裝置10包含：傳送模組11，俯視下略為六角形；4個製程模組12，配置於該傳送模組11之兩側面；裝載模組13(基板運送室)，與傳送模組11對向配置；及兩個負載鎖定模組14，插設在傳送模組11及裝載模組13之間。
各製程模組12，係由真空處理室所構成，具有配置於內部的載台15，在將晶圓W載置於該載台15之後，將內部減壓，導入處理氣體，更對內部施加高頻電力以產生電漿，並藉由該電漿對晶圓W實施電漿處理。各製程模組12與傳送模組11，係以自由開閉的閘閥16隔開。
傳送模組11，係由真空處理室所構成，具有運送手臂單元17，配置於其內部，係由兩個機械手臂(Scara arm)式的運送手臂所構成。運送手臂單元17，沿著配置於內部的引導滑軌18移動，將晶圓W運送至各製程模組12與負載鎖定模組14。各負載鎖定模組14與傳送模組11，係以自由開閉的閘閥19隔開。
各負載鎖定模組14，係由其內部可在真空、大氣壓之間切換的內壓可變室所構成，其內部配置有載台20。各負載鎖定模組14與裝載模組13，係以自由開閉的閘閥21隔開。
負載鎖定模組14中，在將晶圓W從裝載模組13搬入傳送模組11時，首先將內部維持在大氣壓，並開放閘閥21，從裝載模組13接收晶圓W，在該晶圓W載至於載台20之後，關閉閘閥21，將內部減壓至真空，接著，開啟閘閥19，將晶圓W搬入傳送模組11。另外，在將晶圓W從傳送模組11搬出至裝載模組13時，首先，將內部維持在真空，開啟閘閥19，從傳送模組11接收晶圓W，並在該晶圓W載至於載台20之後，關閉閘閥19，將內部升壓至大氣壓，接著，開啟閘閥21，將晶圓W搬入裝載模組13。
裝載模組13，係由立方體狀的大氣運送室構成，在長邊方向上的一側面，連接有各負載鎖定模組14，而在長邊方向上的另一側面設有3個FOUP載置台22。
裝載模組13內部，配置有運送機構23；該運送機構23具有引導滑軌24、支持台25、機械手臂式的運送手臂26；引導滑軌24，沿著裝載模組13的長邊方向配置；支持台25支持運送手臂26，沿著引導滑軌24移動。運送手臂26，係以自由旋轉、伸縮的方式構成，該運送手臂26的前端，配置有支持晶圓W的拾取部P。
另外，裝載模組13，具有定位器27，用以校正從載置於各FOUP載置台22且安裝於裝載模組13的FOUP30取出的晶圓W之相對位置(例如，其相對於拾取部P或載台15、20的相對位置)。
裝載模組13中，運送機構23在各FOUP30、各負載鎖定模組14及定位器27之間運送晶圓W。
基板處理裝置10，具有例如，由電腦構成的控制裝置28，基板處理裝 置10的各構成要件(例如，傳送模組11及製程模組12)之動作，係由控制裝置28所控制。
圖2係概略顯示載置於圖1中的FOUP載置台、且安裝於裝載模組之FOUP的構成的立體圖。圖2中，雖為了說明，而使FOUP30的本體31與蓋體32相互分開，且進一步顯示了蓋體32之內側朝向前方的狀態，但一般的狀況中，蓋體32係被嵌入本體31的開口部33，而在運送FOUP30時，本體31與蓋體32一起移動。
圖2中，FOUP30，具備大致為正方體的本體31與大致為矩形平板狀的蓋體32。本體31及蓋體32，例如，係由高性能塑膠所構成，本體31的一側面開放而形成開口部33，蓋體32嵌入該開口部33。
本體31具有晶圓溝(wafer teeth)34，其在內部之側面水平形成複數的架狀突起，而蓋體32具有扣件35，其在內側的側面水平地形成複數架狀突起。在複數晶圓W收納於FOUP30時，晶圓溝34及扣件35水平地保持1片晶圓W。
另外，本體31具備配置於外側面的機械凸片36及操作手把37，更具備側軌38，用以沿著無塵室內所設置的導軌運送FOUP30。蓋體32，具有片材39，設在與本體31抵接的面上，係由例如，橡膠材料所構成，在蓋體32嵌入本體31的開口部33時，填入蓋體32及本體31的間隙，使得FOUP30內部相對於外部為密封的狀態。
更進一步，FOUP30，於本體31底部，具有氣體供給口40。氣體供給口40，設有例如單向機構，係以僅在FOUP30內部壓力高於外部壓力時可從外部供給氣體的方式所構成。
回到圖1，基板處理裝置10中，在對收納於FOUP30之各晶圓W實施電漿處理時，首先，將FOUP30載置於FOUP載置台22，卸下FOUP30的 蓋體32，經由開口部33使FOUP30內部與裝載模組13內部連通。接著，運送機構23，從各FOUP30單片地將晶圓W取出，並運送至定位器27，更將已校正相對位置的晶圓W，搬入負載鎖定模組14。接著，傳送模組11的運送手臂單元17，從負載鎖定模組14接收晶圓W，並將其搬入任一製程模組12；接著將已施予電漿處理的晶圓W，從製程模組12取出，並搬入負載鎖定模組14。接著，運送機構23從負載鎖定模組14接收晶圓W，並搬入任一FOUP30內部。
圖3係概略顯示圖1中的裝載模組之構成的剖面圖。又，圖3中，省略負載鎖定模組14。
圖3中，裝載模組13更包含：FOUP安裝口41，於設有FOUP載置台22之側面13a上，在FOUP載置台22的上方開口；開蓋器42，係由設於側面13a之內側的L型手臂所構成；板狀的滑動蓋體43、44(遮蔽機構)，分別設於側面13a之內側的FOUP安裝口41的上下側；N2氣體供給線路45，於FOUP載置台22的頂面開口，在FOUP30載置於FOUP載置台22時，與FOUP30的氣體供給口40連通；N2氣體供給單元47(惰性氣體供給部)，經由該N2氣體供給線路45與管線46與氣體供給口40連通；及風扇過濾單元48，配置於上部。
FOUP安裝口41，形成可讓FOUP30之蓋體32自由嵌合的大小，在FOUP30安裝於裝載模組13時，FOUP30之蓋體32嵌入FOUP安裝口41。又，在FOUP30未安裝於裝載模組13的情況中，FOUP安裝口41，以圖中未顯示的擋門關閉。
開蓋器42，可在圖中上下左右之既定範圍內自由移動，與安裝於裝載模組13之FOUP30的蓋體32卡合，以卸下該蓋體32。N2氣體供給單元47，經由管線46、N2氣體供給線路45及氣體供給口40，將N2氣體供給至FOUP30內部。
風扇過濾單元48內建風扇(圖中未顯示)，在裝載模組13內，產生由上往下的朝下氣流，以使飄散在裝載模組13內的粒子等，隨著朝下氣流排出裝載模組13外部。
滑動蓋體43、44，係以可沿著側面13a的內側，在圖中的上下方向上相互自由移動，而可進出至FOUP安裝口41的方式構成，並沿著FOUP安裝口41之前面的開口部33之開口面(與側面13a的內側平行)移動。藉由使滑動蓋體43、44在彼此的間隙成為1mm~3mm之前，於FOUP安裝口41的前方相互接近，以從裝載模組13內部遮蔽FOUP30的開口部33。另外，藉由在FOUP安裝口41的前方相互分開，可在任何位置形成間隙。又，滑動蓋體43、44之間的間隙，可使開口部33之一部分朝向裝載模組13內部露出。
另外，滑動蓋體43、44，在側面13a的內側密合相接，於滑動蓋體43、44與側面13a內側之間，形成微小間隙，例如，寬度1mm~5mm的間隙。藉此，滑動蓋體43、44，在從裝載模組13內部遮蔽開口部33之後，亦可經由該微小間隙，使FOUP30內部與裝載模組13內部連通，故供給至FOUP30內部的N2氣體，可將該內部的水分與揮發氣體經由微小間隙排出至裝載模組13內部，藉此可促進FOUP30內部的清淨及乾燥化。
又，本實施態樣中，開蓋器42、滑動蓋體43、44及FOUP安裝口41用的擋門構成負載埠(蓋體開閉機構)。
圖4及圖5係顯示本實施態樣之容器之內部驅淨方法的步驟圖。
首先，將FOUP30載置於FOUP載置台22，在蓋體32嵌入FOUP安裝口41，且FOUP30安裝於裝載模組13之後，開蓋器42朝上方並且往右移動，而與蓋體32卡合(圖4(A))。此時，N2氣體供給單元47，開始朝向FOUP30內部供給N2氣體。
接著，開蓋器42往圖中的左邊移動，將蓋體32從FOUP30卸下(圖4(B))，使FOUP30內部經由開口部33與裝載模組13內部連通。
接著，開蓋器42往下方移動，滑動蓋體43、44沿著側面13a的內側移動，進入至FOUP安裝口41，直到彼此的間隙成為1mm~3mm之前相互接近(圖4(C))。此時，FOUP30的開口部33從裝載模組13內部被遮蔽。
接著，在各製程模組12中，單片地對晶圓W實施電漿處理時，運送機構23在上下方向上移動，使運送手臂26與FOUP30中成為處理對象的晶圓W(被取出的基板)對向，此時滑動蓋體43、44亦沿著側面13a的內側移動，且相互分開，在與成為處理對象之晶圓W對向的位置，形成用以取出基板的間隙49(圖5(A))。用以取出基板的間隙49，係設定為支持晶圓W的拾取部P、以及支持該拾取部P的運送手臂26的各手臂構件，與滑動蓋體43、44互不干涉的值，例如20mm~50mm。又，本實施態樣中，滑動蓋體43、44在形成用以取出基板之間隙49的期間，N2氣體供給單元47亦持續往FOUP30內部供給N2氣體。
接著，在運送手臂26從FOUP30取出成為處理對象的晶圓W之後，滑動蓋體43、44，沿著側面13a的內側移動，於彼此的間隙再次成為1mm~3mm之前相互接近，而從裝載模組13內部遮蔽開口部33(圖5(B))。
接著，重複圖5(A)的步驟及圖5(B)的步驟，對FOUP30所收納的所有晶圓W依序實施電漿處理。此時，在每次變換成為處理對象之晶圓W的時候，滑動蓋體43、44，沿著側面13a的內側移動，在與該被取出的成為處理對象的晶圓W(另一基板)對向的位置，形成用於取出基板的間隙49(參照圖6)。
另外，在已進行電漿處理的晶圓W回到FOUP30內部時，滑動蓋體43、44亦與圖5(A)及圖5(B)的步驟相同地，沿著側面13a的內側移動，在與FOUP30中已進行電漿處理的晶圓W之收納處(一晶圓溝34)對向的位置， 形成用以取出基板的間隙49。運送手臂26，經由該用以取出基板的間隙49，將已進行電漿處理的晶圓W收納至FOUP30內部。
接著，在已進行電漿處理的晶圓W全部被收納至FOUP30之後，滑動蓋體43、44，沿著側面13a之內側移動，從FOUP安裝口41退避，開蓋器42朝向上方且往右移動，將蓋體32嵌入本體31的開口部33，以密封FOUP30內部(圖5(C))。
接著，FOUP30內部密封後，N2氣體供給單元47僅以既定的短時間，例如60秒間，繼續N2氣體的供給。之後，結束本處理。
根據本實施態樣之容器之內部驅淨方法，滑動蓋體43、44，沿著安裝於裝載模組13、且蓋體32被卸下的FOUP30的開口部33之開口面移動，而可藉由相互接近來遮蔽FOUP30的開口部33。另一方面，從FOUP30取出處理對象之晶圓W時，滑動蓋體43、44相互分開，而在與被取出的晶圓W對向的位置，形成用以取出基板的間隙49，故不需要開放整個開口部33，就可經由用以取出基板的間隙49取出晶圓W。結果，可防止供給至FOUP30內部的N2氣體，經由開口部33大幅度地洩漏，而可抑制N2氣體的使用量。
另外，根據本實施態樣之容器之內部驅淨方法，因為可防止N2氣體大幅度地洩漏，而容易維持FOUP30內部中的N2氣體的濃度，故在已進行電漿處理的晶圓W全部都收納至FOUP30，且蓋體32嵌入開口部33之後，可以既定的短時間，例如60秒，結束用以使內部水分濃度降低之N2氣體的供給。結果，可防止產量降低。
另外，本實施態樣之容器之內部驅淨方法中，因為如上所述地，抑制酸性氣體的產生，故酸性氣體不會洩漏至裝載模組13內部，藉此，可不需要對裝載模組13內部之構成零件進行防止腐蝕的塗佈，更進一步，因為朝下氣流並未混入酸性氣體，可不需要在朝下氣流的排出路徑上，設置吸附 酸的化學濾器，另外，亦可防止因為包含酸性氣體之排氣對於汙染無塵室內造成的汙染。
更進一步，本實施態樣之容器之內部驅淨方法中，在變換成為處理對象之晶圓W時，因為滑動蓋體43、44的移動，而在與被取出的晶圓W之收納處對向的位置，形成用以取出基板的間隙49，故可在未完全開放的狀態下，從開口部33，取出收納於FOUP30內的任一晶圓W。
另外，本實施態樣之容器之內部驅淨方法中，因為在滑動蓋體43、44分開而形成用以取出基板之間隙49時，亦對FOUP30內部供給N2氣體，故更能促進FOUP30內部的清淨、乾燥化。
圖8係顯示FOUP內部在密封之後，回到FOUP內部之電漿處理後的晶圓上所殘留的離子量，於氣體驅淨時，隨時間變化的圖表。
電漿處理後的晶圓W中，因為從附著於該晶圓W的反應物產生離子，故殘留離子量係用以作為反應物之量的指標。此處，反應物若是在揮發後，或是直接與殘留於FOUP30內部的水分反應，則反應物減少，殘留離子量的減少，反應物與水分進行化學反應，而產生酸性氣體。
圖8的圖表中，狀態A，係在FOUP30內部密封後，以大氣壓對FOUP30內部供給N2氣體的情況，狀態B，係在FOUP30內部密封後，以大氣壓對FOUP30內部供給空氣(Air)的情況。
如同從圖8之圖表所得知，若對FOUP30內部供給空氣，則大氣中的水分與附著於晶圓W的反應物產生化學反應(殘留離子量減少)，而具有產生酸性氣體進而使得晶圓W之配線異常氧化的可能性，另一方面，若對FOUP30內部供給N2氣體，則因為排除了FOUP30內部的空氣，而不存在水分，故附著於晶圓W的反應物未產生化學反應，而並未產生酸性氣體。
亦即，本實施態樣之容器之內部驅淨方法中，藉由使滑動蓋體43、44相互接近而遮蔽FOUP30的開口部33，以使在對各晶圓W之電漿處理中的FOUP30內部的水分濃度維持在較低的狀態，故可使附著於晶圓W的反應物不發生化學反應，而不產生酸性氣體。結果，可抑制晶圓W的配線異常氧化。
以上，雖使用上述實施態樣對本發明進行說明，但本發明並不限於上述實施態樣。
例如，滑動蓋體43、44雖是在上下方向上以夾著FOUP安裝口41的方式分別配置於上方及下方，但亦可將滑動蓋體43、44重疊配置於FOUP安裝口41的上方(參照圖7)，或是亦可僅配置於下方。但是，此情況下，滑動蓋體43、44相互自由移動，而解除滑動蓋體43、44之重疊時，任一滑動蓋體43、44，亦與側面13a之內側保持微小間隙，並沿著該內側移動。
另外，N2氣體供給單元47雖供給N2氣體，但所供給的氣體並不限於N2氣體，亦可為其他惰性氣體或乾燥氣體。
31‧‧‧本體
32‧‧‧蓋體
33‧‧‧開口部
34‧‧‧晶圓溝
35‧‧‧扣件
36‧‧‧機械凸片
37‧‧‧操作手把
38‧‧‧側軌
39‧‧‧片材
40‧‧‧氣體供給口

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，具備：基板運送室；蓋體開閉機構，在收納複數之基板且具有開口部及封蓋該開口部的蓋體之容器安裝於該基板運送室時，從該容器卸下該蓋體，使該容器之內部經由該開口部與該基板運送室之內部連通；及驅淨氣體供給部，將惰性氣體或是乾燥氣體供給至安裝於該基板運送室的該容器之內部；其特徵為包含：遮蔽機構，從該基板運送室之內部，將安裝於該基板運送室的該容器的開口部遮蔽；該遮蔽機構具有沿著該開口部之開口面相互自由移動的兩個板狀的移動蓋體。
  2. 一種蓋體開閉機構，在將收納著複數之基板且具有開口部及封蓋該開口部的蓋體之容器安裝於基板運送室時，從該容器卸下該蓋體，使該容器之內部經由該開口部與該基板運送室之內部連通，該蓋體開閉機構包含：遮蔽機構，從該基板運送室之內部將安裝於該基板運送室的該容器的開口部遮蔽；該遮蔽機構具有沿著該開口部之開口面相互自由移動的兩個板狀的移動蓋體；在對安裝於該基板運送室的對該容器之內部供給惰性氣體或是乾燥氣體時，該兩個移動蓋體相互接近，而從該基板運送室之內部遮蔽該容器的開口部。
  3. 如申請專利範圍第2項之蓋體開閉機構，其中，該兩個移動蓋體，相互接近至彼此的間隙成為1mm~3mm為止。
  4. 一種遮蔽機構，配置於安裝有收納著複數之基板且具有開口部及封蓋該開口部的蓋體之容器的基板運送室，其特徵為包含：兩個板狀的移動蓋體，在該容器安裝於該基板運送室，從該容器卸下該蓋體，以使該容器之內部經由該開口部與該基板運送室之內部連通時，沿著該開口部之開口面相互自由移動； 在對安裝於該基板運送室的該容器之內部供給惰性氣體或是乾燥氣體時，該兩個移動蓋體相互接近，從該基板運送室之內部遮蔽該容器的開口部。
  5. 如申請專利範圍第4項之遮蔽機構，其中，該兩個移動蓋體，相互接近至彼此的間隙成為1mm~3mm為止。
  6. 一種容器之內部驅淨方法，係安裝於基板運送室、且收納著複數之基板、並具有開口部及封蓋該開口部之蓋體的容器之內部的驅淨方法，該方法之特徵為：將該容器安裝於該基板運送室；卸下該安裝之容器的蓋體，使該容器之內部經由該開口部與該基板運送室之內部連通；對該容器之內部供給惰性氣體或是乾燥氣體；使沿著該開口部之開口面相互自由移動的兩個板狀的移動蓋體接近，以從該基板運送室之內部遮蔽該容器的開口部；從該容器該取出基板時，使該兩個移動蓋體分開，以在與該被取出的基板對向的位置，形成用以取出基板的間隙。
  7. 如申請專利範圍第6項之容器之內部驅淨方法，其中，該兩個移動蓋體，相互接近至彼此的間隙成為1mm~3mm為止。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之容器之內部驅淨方法，其中，該用以取出基板的間隙為20mm~50mm。
  9. 如申請專利範圍第6或7項之容器之內部驅淨方法，其中，從該容器取出另一該基板時，該兩個移動蓋體移動，以在與該被取出的另一基板對向的位置，形成該用以取出基板的間隙。
  10. 如申請專利範圍第6或7項之容器之內部驅淨方法，其中，該兩個移動蓋體分開時，對該容器之內部供給惰性氣體或是乾燥氣體。
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