CN110088055A - 玻璃基板的制造装置及制造方法 - Google Patents
玻璃基板的制造装置及制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110088055A CN110088055A CN201780079164.XA CN201780079164A CN110088055A CN 110088055 A CN110088055 A CN 110088055A CN 201780079164 A CN201780079164 A CN 201780079164A CN 110088055 A CN110088055 A CN 110088055A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gas
- processing gas
- air supply
- glass substrate
- supply channel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 105
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 90
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 437
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 75
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 56
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 55
- 230000008676 import Effects 0.000 claims description 34
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 25
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 20
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 230000009182 swimming Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003280 down draw process Methods 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000000505 pernicious effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明的玻璃基板的制造装置(10)具备用于向成为玻璃基板的板状玻璃的一方的主表面供给处理气体(Ga)而实施规定的表面处理的表面处理装置(11)。表面处理装置(11)具备:处理气体生成装置(16);将处理气体(Ga)向板状玻璃的一方的主表面供给的供气通道(17);对处理气体(Ga)实施除害处理的除害装置(18);将供给到一方的主表面的处理气体(Ga)向除害装置(18)导入的排气通道(19);以及向供气通道(17)导入无害气体(Gb)的无害气体导入通道(20)。能够向供气通道(17)的比无害气体导入通道(20)与供气通道(17)的汇合位置(P1)靠下游侧的位置导入无害气体(Gb)和处理气体(Ga)中的任一方。
Description
技术领域
本发明涉及玻璃基板的制造装置及制造方法,尤其是涉及用于对成为玻璃基板的板状玻璃的表面实施利用处理气体的表面处理的技术。
背景技术
众所周知,关于近年来的图像显示装置,以液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、场发射显示器(FED)、有机EL显示器(OLED)等为代表的平板显示器(以下仅称为FPD。)成为主流。针对这些FPD推进了轻质化,因此,针对用于FPD的玻璃基板,对薄板化的要求也变高。
上述的玻璃基板通过如下方式等而得到:将例如通过以各种下拉法为代表的板状玻璃的成形方法而成形为带状的板状玻璃(带状板玻璃)切断成规定的尺寸,将切断后的板状玻璃的宽度方向(是指与带状板玻璃的主表面平行且与长边方向正交的朝向。以下相同。)两端部分进一步切断,之后,根据需要,对各切断面实施研磨加工。
然而,在制造这种玻璃基板时,其制造过程中的静电的带电有时成为问题。即,作为绝缘体的玻璃具有非常容易带电的性质,在玻璃基板的制造工序中,例如在载置台上载置玻璃基板并实施规定的加工时,有时通过玻璃基板与载置台的接触剥离而使玻璃基板带电(有时将这种情况称为剥离带电。)。当导电性的物体接近带了电的玻璃基板时产生放电,由于该放电,可能导致形成在玻璃基板的主表面上的构成各种元件或电子电路的电极线的破损、或者玻璃基板自身的破损(有时将这种情况称为绝缘破坏或静电破坏。)。另外,带了电的玻璃基板容易粘贴在载置台上,通过蛮力将该玻璃基板剥离,也可能导致玻璃基板的破损。这当然会成为显示不良的原因,因此,是应尽量避免的情况。
作为用于避免上述情况的方法,例如考虑如下方法:通过向玻璃基板的背面(与载置台的载置面接触的一侧的主表面)供给规定的处理气体而对背面实施表面处理,由此,使背面粗面化。存在玻璃基板与载置台的接触面积越大则剥离了时的带电量越增大的趋势,因此,通过使与载置台的载置面接触的玻璃基板的背面粗面化,期待能够减少玻璃基板与载置台的接触面积,实现剥离时的带电抑制。另外,鉴于玻璃基板的背面越平滑则越容易粘贴于载置面那样的平滑面这一点,如上所述,通过将玻璃基板的背面粗面化而使例如该背面的表面粗糙度大于载置面的表面粗糙度,从而能够使玻璃基板难以粘贴在载置面上。由此,期待能够防止剥离时的玻璃基板的破损。
这里,作为如上述那样能够进行表面处理的结构,例如在下述专利文献1中记载了一种表面处理装置,具备:在载置了玻璃基板的状态下沿规定的方向输送玻璃基板的输送单元;将包含氟化氢气体的处理气体朝向输送路径上的玻璃基板的背面供给、且将供给后的处理气体向排气系统排出的喷射器。这里,在喷射器上,与氟化氢气体源连接的第一狭缝设置于玻璃基板的输送方向规定位置,并且,与载气源连接的第二狭缝设置于第一狭缝的上述输送方向两侧的规定位置。另外,与排气系统连接的第三狭缝设置于比第二狭缝更靠上述输送方向两侧的规定位置。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014-80331号公报
发明内容
发明要解决的课题
在这种表面处理装置运转的期间,如专利文献1所记载的那样,形成有如下的氟化氢气体的流动(供气系统及排气系统):将由氟化氢气体源生成的氟化氢气体经由第一狭缝(为供气口)连续地向玻璃基板供给,将所供给的氟化氢气体经由配置在第一狭缝的周围的第三狭缝(为排气口)朝向排气系统排出。然而,在因某种情况而使表面处理装置停止并进行维护的情况下,在分解表面处理装置之前,首先需要将对人体来说有害的氟化氢气体从上述供气系统及排气系统排除。
然而,如专利文献1所记载的那样,在采用氟化氢气体源与第一狭缝经由规定的供气系统而连接的结构的情况下,即便停止了由氟化氢气体源进行的氟化氢气体的生成及供给,在上述供气系统中也残留有氟化氢气体。因此,直至残留于该供气系统的氟化氢气体完全排出为止需要大量的时间,维护用的等待时间增加。在该情况下,可能导致生产率的大幅下降。
鉴于以上情况,在本发明中应解决的技术课题在于,能够安全且在短时间内实施使用处理气体对板状玻璃进行表面处理的表面处理装置的维护。
用于解决课题的方案
所述课题的解决通过本发明的玻璃基板的制造装置而实现。即,该制造装置具备表面处理装置,该表面处理装置用于向成为玻璃基板的板状玻璃的一方的主表面供给处理气体而实施规定的表面处理,其特征在于,表面处理装置具备:生成处理气体的处理气体生成装置;向一方的主表面供给处理气体的供气通道;对处理气体实施除害处理的除害装置;以及将供给到一方的主表面的处理气体向除害装置导入的排气通道,能够向供气通道导入无害气体的无害气体导入通道汇合到供气通道中。需要说明的是,这里所说的“无害气体”是指,除了通常被识别为大约对人体有害这一类的气体(包含由大气污染法等规定的有害物质在内的气体、有害气体)之外的气体,是即便直接或者在与大气混合的状态下与人体接触或吸入也认为实质上无害的气体。
这样,在本发明中,通过使向供气通道导入无害气体的无害气体导入通道汇合到供气通道中,从而能够向供气通道的比无害气体导入通道与供气通道的汇合位置靠下游侧的位置导入无害气体与处理气体中的任一方。根据该结构,能够仅将无害气体导入供气通道,因此,能够利用无害气体来置换至少残留在供气通道中的处理气体。因此,作业者能够安全地将表面处理装置分解而进行维护。另外,通过采用使无害气体导入通道汇合到供气通道中的方式,从而能够不通过处理气体生成装置地向供气通道导入无害气体。在通过处理气体生成装置这样的精密设备的情况下,无害气体的流量等可能被限制,但若不通过处理气体生成装置而导入无害气体,则能够比较自由地设定其导入条件(无害气体的流量、压力、温度等)。因此,例如通过较多地设定流量,能够在短时间内进行无害气体对处理气体的置换。
另外,也可以是,本发明的玻璃基板的制造装置还具备:第一开闭阀,其能够对无害气体导入通道进行开闭;以及第二开闭阀,其能够在供气通道的比汇合位置靠上游侧的位置对供气通道进行开闭。或者也可以是,还具备设置于汇合位置的三通阀,该三通阀能够在供气通道中的从汇合位置的上游侧朝向下游侧的处理气体的气流与从无害气体导入通道朝向汇合位置的下游侧的无害气体的气流之间进行切换。
若像这样设置第一开闭阀和第二开闭阀,则能够简单地向供气通道的比汇合位置靠下游侧的位置导入无害气体和处理气体中的任一方。另外,若在汇合位置设置上述三通阀,则能够更加简单地向供气通道的比汇合位置靠下游侧的位置导入无害气体或处理气体。
另外,也可以是,本发明的玻璃基板的制造装置还具备处理气体分支通道,该处理气体分支通道在供气通道的比汇合位置靠上游侧的位置分支,用于向排气通道导入处理气体。另外,也可以是,例如在供气通道具备第二开闭阀的情况下,还具备对处理气体分支通道进行开闭的第三开闭阀。
如上所述,通过设置处理气体分支通道,并能够向处理气体分支通道导入处理气体(在具备第二开闭阀的情况下,还通过具备上述的第三开闭阀),从而能够在将处理气体置换成无害气体的期间,将由处理气体生成装置生成的处理气体通过处理气体分支通道持续地送至排气通道。因此,在置换处理的期间,能够避免因在处理气体生成装置的内部、或者供气通道中的处理气体生成装置与汇合位置之间封入处理气体而引起的不良情况的产生,能够安全地进行置换作业。
另外,在具备第三开闭阀的情况下,也可以是,本发明的玻璃基板的制造装置还具备第四开闭阀,该第四开闭阀配设在排气通道的比处理气体分支通道与排气通道汇合的位置靠上游侧的位置,且进行排气通道的开闭。
这样,通过在排气通道的比处理气体分支通道与排气通道汇合的位置靠上游侧的位置设置开闭阀(第四开闭阀),从而供气通道中的比第二开闭阀靠下游侧的区域和板状玻璃的处理空间(暴露于处理气体的空间)成为与处理气体的流路(处理气体分支通道及排气通道中的比第四开闭阀靠下游侧的区域)完全分隔开的状态。因此,例如在打开第四开闭阀的状态下进行无害气体对处理气体的置换,在成为上述的供气通道和板状玻璃的处理空间完全被无害气体充满的状态的时刻,关闭第四开闭阀,由此,能够不停止处理气体生成装置地,除了处理气体分支通道和排气通道的一部分下游侧之外将表面处理装置安全地分解而进行维护。
另外,也可以是,本发明的玻璃基板的制造装置的无害气体是清洁干燥空气。
作为无害气体,只要是对人体实质上无害的气体,就能够使用任意的气体,但在综合考虑了对板状玻璃的影响、成本方面等的情况下,优选清洁干燥空气。
另外,所述课题的解决通过本发明的玻璃基板的制造方法而实现。即,该制造方法具备:向成为玻璃基板的板状玻璃的表面供给处理气体而实施规定的表面处理的表面处理工序;以及在停止表面处理工序的期间,进行用于实施表面处理的装置的维护的维护工序,其特征在于,在表面处理工序中,将由处理气体生成装置生成的处理气体经由供气通道向表面供给,并且,将供给到表面的处理气体经由排气通道向除害装置导入而对处理气体实施除害处理,在维护工序中,关闭供气通道,并且,在供气通道的比关闭了供气通道的位置靠下游侧的位置向供气通道导入无害气体,由此将通过供气通道的处理气体置换成无害气体。
这样,在本发明的玻璃基板的制造方法中,在维护工序中,关闭供气通道,并且在供气通道的比关闭了供气通道的位置靠下游侧的位置向供气通道导入无害气体,由此,将通过供气通道的处理气体置换成无害气体,因此,与本发明的玻璃基板的制造装置同样地,能够仅将无害气体导入供气通道。由此能够利用无害气体来置换至少残留在供气通道中的处理气体,因此,作业者能够安全地将表面处理装置分解。另外,通过向供气通道的比关闭了供气通道的位置靠下游侧的位置导入无害气体,从而能够不通过处理气体生成装置地向供气通道导入无害气体。因此,能够比较自由地设定无害气体向供气通道导入的导入条件(无害气体的流量、压力、温度等),例如通过较多地设定流量,能够在短时间内进行无害气体对处理气体的置换。
另外,也可以是,本发明的玻璃基板的制造方法在维护工序中,能够在供气通道的比关闭了供气通道的位置靠上游侧的位置从供气通道分支而向排气通道导入处理气体。
这样,通过能够在供气通道的比关闭了供气通道的位置靠上游侧的位置从供气通道分支而向排气通道导入处理气体,即便在关闭了供气通道的状态下,在将处理气体置换成无害气体的期间,也能够将由处理气体生成装置生成的处理气体持续送至排气通道。因此,在置换处理的期间,能够避免因在处理气体生成装置的内部、或者供气通道中的处理气体生成装置与关闭了供气通道的位置之间封入处理气体而引起的不良情况的产生,能够安全地进行置换作业。
另外,在该情况下也可以是,本发明的玻璃基板的制造方法在维护工序中,在将通过供气通道的处理气体置换成无害气体之后,停止无害气体向供气通道的导入,并且,在排气通道的比从供气通道分支而将处理气体导入到排气通道的位置靠上游侧的位置,关闭排气通道。
这样,通过进行各流路的开闭动作,从而供气通道中的比关闭了供气通道的位置靠下游侧的区域和板状玻璃的处理空间(暴露于处理气体的空间)能够成为与处理气体的流路(供气通道中的处理气体的分支通道及排气通道中的比关闭了排气通道的位置靠下游侧的区域)完全分隔开的状态。因此,例如在打开排气通道的状态下进行无害气体对处理气体的置换,在成为上述的供气通道与板状玻璃的处理空间完全被无害气体充满的状态的时刻,关闭排气通道,由此,不用暂时停止处理气体的生成及供给,能够除了处理气体的上述流路之外将表面处理装置安全地分解而进行维护。
另外,在该情况下也可以是,本发明的玻璃基板的制造方法还具备表面处理的再开始准备工序,在该表面处理的再开始准备工序中,打开供气通道而向供气通道导入处理气体,并且关闭从供气通道分支的流路并打开排气通道,由此,将无害气体置换成处理气体。
若能够在关闭了供气通道的状态下将处理气体向排气通道持续导入,则至少在置换作业的期间,不用暂时停止处理气体的生成。因此,例如在维护等作业结束之后,如上述那样在停止了无害气体的导入的状态下打开供气通道,且关闭处理气体的分支通道,并且打开排气通道,由此将无害气体置换成处理气体,从而能够在短时间内使供气通道及排气通道再次被处理气体充满。因此,能够省略从重新开始处理气体的生成到处理气体的生成状态稳定为止的时间,能够在维护后尽快地重新开始表面处理。
另外,也可以是,本发明的玻璃基板的制造方法在维护工序中,停止由处理气体生成装置进行的处理气体的生成,并且,停止成为处理气体的原料的气体向处理气体生成装置的供给,继续进行处理气体所含的载气向处理气体生成装置的供给。
在作为处理气体而使用包含氟化氢气体的气体的情况下,作为用于生成该氟化氢气体的装置,有时使用能够发生等离子体反应的处理气体生成装置。在该情况下,通常向处理气体生成装置供给成为氟化氢气体的原料的四氟化碳气体等气体(原料气体)、水、以及氟化氢气体所含的氮气等载气。因此,在维护工序中,停止酸性气体的供给,继续向处理气体生成装置供给载气,由此,能够利用无害的气体(载气),不仅置换供气通道中的处理气体,还置换处理气体产生装置的内部的处理气体。因此,能够防止在表面处理装置的表面处理用的运转停止时因处理气体生成装置的内部持续暴露在处理气体中而引起的劣化,能够长期间地使用处理气体生成装置。另外,通过利用载气来置换处理气体生成装置的内部的处理气体,能够将处理气体从处理气体生成装置的内部完全排除。由此,即便在需要更换处理气体生成装置的情况下,也能够安全地将处理气体生成装置从供气通道卸下。
发明效果
如以上所述,根据本发明,能够安全且在短时间内实施使用处理气体对板状玻璃进行表面处理的表面处理装置的维护。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的表面处理装置的流路结构图。
图2是示出使用了图1所示的表面处理装置的表面处理及维护的步骤的流程图。
图3是用于说明使用了图1所示的表面处理装置的表面处理及维护的步骤的流路结构图。
图4是用于说明使用了图1所示的表面处理装置的表面处理及维护的步骤的流路结构图。
图5是本发明的第二实施方式的表面处理装置的流路结构图。
图6是示出使用了图5所示的表面处理装置的表面处理及维护的步骤的流程图。
图7是用于说明使用了图5所示的表面处理装置的表面处理及维护的步骤的流路结构图。
图8是用于说明使用了图5所示的表面处理装置的表面处理及维护的步骤的流路结构图。
图9是用于说明使用了图5所示的表面处理装置的表面处理及维护的步骤的流路结构图。
图10是示出本发明的第三实施方式的表面处理及维护的步骤的流程图。
图11是示出本发明的第四实施方式的表面处理及维护的步骤的流程图。
图12是用于说明图11所示的表面处理及维护的步骤的表面处理装置的流路结构图。
图13是本发明的第五实施方式的表面处理装置的流路结构图。
图14是本发明的第六实施方式的表面处理装置的流路结构图。
具体实施方式
《本发明的第一实施方式》
以下,参照图1~图4对本发明的第一实施方式进行说明。需要说明的是,在本实施方式中,作为板状玻璃,以对从成形后的带状板玻璃以规定的尺寸切出的玻璃基板的背面实施表面处理的情况为例进行说明。
图1示出本发明的第一实施方式的玻璃基板的制造装置10。该制造装置10具备对玻璃基板P的一方的主表面Pa(图1中为下表面)实施规定的表面处理的表面处理装置11、以及收容表面处理装置11的处理槽12。
其中,表面处理装置11用于向玻璃基板P的一方的主表面Pa供给处理气体Ga来实施规定的表面处理,具备供成为处理对象的玻璃基板P穿过的插通通道13、在插通通道13开口的供气口14、在与供气口14不同的位置处在插通通道13开口的排气口15、生成处理气体Ga的处理气体生成装置16、将处理气体生成装置16与供气口14相连的供气通道17、对处理气体Ga实施除害处理的除害装置18、将排气口15与除害装置18相连的排气通道19、以及将无害气体Gb向供气通道17导入的无害气体导入通道20。在本实施方式中,表面处理装置11除了具备上述的要素之外,还具备从供气通道17分支而将处理气体Ga向排气通道19导入的处理气体分支通道21。另外,在无害气体导入通道20的上游侧配设有压缩机等无害气体导入装置22,能够操作无害气体Gb的供给及停止。
在无害气体导入通道20中配设有对无害气体导入通道20进行开闭的第一开闭阀23。由此,能够切换无害气体Gb向供气通道17的导入及其停止。
另外,在供气通道17中的比无害气体导入通道20的汇合位置P1靠上游侧的位置,配设有对供气通道17进行开闭的第二开闭阀24。由此,能够切换处理气体Ga向供气通道17的导入及其停止。
另外,处理气体分支通道21在供气通道17的比配设有第二开闭阀24的位置靠上游侧的位置从供气通道17分支而与排气通道19相连。由此,由处理气体生成装置16生成的处理气体Ga能够不通过第二开闭阀24而绕过第二开闭阀24向排气通道19及位于其下游侧的除害装置18导入。
在本实施方式中,在该处理气体分支通道21中配设有对处理气体分支通道21进行开闭的第三开闭阀25。由此,能够切换处理气体Ga向排气通道19的导入及其停止。
关于处理气体Ga的种类、组成,只要能够对玻璃基板P进行规定的表面处理(例如因腐蚀引起的粗面化),则可以是任意的,例如能够使用包含氟化氢气体等酸性气体在内的气体。在该情况下,向处理气体生成装置16导入成为处理气体Ga的原料的作为气体(原料气体)Fa的四氟化碳气体和同样成为原料的作为流体Fc的水、以及作为载气Fb的氮气(参照图1)。然后,通过在处理气体生成装置16内部发生等离子体反应而能够生成包含氟化氢气体和载气Fb的处理气体Ga。
如上所述,关于无害气体Gb的种类、组成,只要对人体实质上无害,则可以是任意的,例如从清洁度、成本方面等的观点出发,适合使用清洁干燥空气。当然,不局限于清洁干燥空气,例如也能够使用以氮气或氩气等非活性气体为首的除了清洁干燥空气以外的实施了处理的空气(干燥空气),还能够直接使用未处理的空气(外部气体)。
接着,与本发明的作用效果一并地,主要基于图2~图4对使用了成为以上结构的表面处理装置11的表面处理及维护的步骤进行说明。
即,如图2所示,本实施方式的玻璃基板的制造方法具备表面处理工序S1和维护工序S2。其中,在表面处理工序S1中,形成如下的气流:向作为板状玻璃的玻璃基板P供给处理气体Ga而对该玻璃基板P实施规定的表面处理,并且,对所供给的处理气体Ga进行除害并排出,在维护工序S2中,形成如下的气流:关闭供气通道17(参照图1),在比关闭了供气通道17的位置(图1中为配设了第二开闭阀24的位置)靠下游侧的位置向供气通道17导入无害气体Gb,从而将处理气体Ga置换成无害气体Gb。以下,对各工序详细进行说明。
(S1)表面处理工序
在该工序S1中,如图3所示,关闭第一开闭阀23,打开第二开闭阀24,并且,关闭第三开闭阀25。由此,由处理气体生成装置16生成的处理气体Ga向供气通道17导入,并从位于供气通道17的下游端的供气口14释放出。当图1所示的玻璃基板P(图3中省略)穿过供气口14所面对的插通通道13时,从供气口14释放出的处理气体Ga向玻璃基板P的一方的主表面Pa(面向供气口14的下表面)供给,对一方的主表面Pa实施规定的表面处理。供给到玻璃基板的处理气体Ga经由在与供气口14不同的位置处面向插通通道13的排气口15(在本实施方式中为两个)而被引入到排气通道19,从而向位于排气通道19的下游侧的除害装置18导入。导入后的处理气体Ga由除害装置18除害,在去除了有害物质的状态下向除害装置18的外部排出。
另一方面,无害气体导入通道20被第一开闭阀23关闭,因此,在图3所示的状态下,无害气体Gb不会混入到供气通道17中而对表面处理造成影响。另外,处理气体Ga也不会通过无害气体导入通道20而向外部漏出。
另外,处理气体分支通道21被第三开闭阀25关闭着,因此,在图3所示的状态下,不会使本应导入到供气通道17的处理气体Ga的流量减少而对表面处理造成影响。
(S2)维护工序
在如上述那样使表面处理装置11运转的期间,对玻璃基板P实施规定的表面处理。另一方面,在因某种原因需要使表面处理停止并将表面处理装置11分解的情况下,在进行了以下的处理(动作)的基础上进行表面处理装置11的维护。即,在开始维护时,如图4所示,首先从运转时的状态起关闭第二开闭阀24并打开第三开闭阀25。然后,打开第一开闭阀23。由此,朝向供气通道17中的至少比第二开闭阀24靠下游侧的位置的处理气体Ga的供给停止,并且,在比汇合位置P1靠下游侧的位置向供气通道17新导入无害气体Gb。因此,之前在供气通道17、插通通道13及排气通道19流通着的处理气体Ga以被无害气体Gb挤出的形式向除害装置18排出,由此,除了处理气体分支通道21内之外,表面处理装置11中的处理气体Ga被无害气体Gb置换。因此,作业者能够安全地将表面处理装置11分解而进行状态确认或修整等维护。另外,通过如上所述那样设置无害气体导入通道20,能够不通过处理气体生成装置16而向供气通道17导入无害气体Gb,因此,能够比较自由地设定无害气体Gb的导入条件(流量、压力、温度等)。因此,例如通过较多地设定流量,能够在短时间内进行无害气体Gb对处理气体Ga的置换。
另外,通过打开第三开闭阀25,成为能够向在供气通道17的比第二开闭阀24靠上游侧的位置分支的处理气体分支通道21供给处理气体Ga的状态。因此,例如在由处理气体生成装置16继续进行处理气体Ga的生成及供给的情况下,如图4所示,处理气体Ga通过处理气体分支通道21而向排气通道19导入、进而向除害装置18导入。因此,在上述的置换处理的期间,能够避免因在处理气体生成装置16的内部、或者供气通道17中的处理气体生成装置16与第二开闭阀24之间封入处理气体Ga而引起的不良情况的产生的情形,能够安全地进行置换作业。
以上,对本发明的第一实施方式的玻璃基板的制造装置10及制造方法进行了说明,但这些制造装置10及制造方法当然能够在本发明的范围内采用任意的方式。
《本发明的第二实施方式》
图5是第二实施方式的制造装置30的流路结构图,图6分别示出使用了该制造装置30的制造方法(表面处理及维护)的步骤的流程图。如图5所示,该制造装置30具备流路结构与第一实施方式不同的表面处理装置31,具体而言,在排气通道19中的比处理气体分支通道21的汇合位置P2靠上游侧的位置,配设有对排气通道19进行开闭的第四开闭阀26。需要说明的是,除此以外的结构与第一实施方式的制造装置10(表面处理装置11)相同,因此,省略详细说明。
另外,如图6所示,本实施方式的玻璃基板的制造方法具有表面处理工序S1和维护工序S2。其中,维护工序S2的详细内容与第一实施方式的制造方法不同。即,本实施方式的维护工序S2具有:无害气体导入步骤S21,在关闭供气通道17并打开排气通道19的状态下,在比第二开闭阀24靠下游侧的位置向供气通道17导入无害气体Gb,由此将处理气体Ga置换成无害气体Gb;以及流路切断步骤S22,在停止了无害气体Gb的供给之后,在比处理气体分支通道21的汇合位置P2靠上游侧的位置关闭排气通道19,由此将处理气体Ga的流路与无害气体Gb的流路完全地切断。以下,以各步骤的详细内容为中心进行说明。
(S1)表面处理工序
在该工序中,如图7所示,设为关闭第一开闭阀23、打开第二开闭阀24、关闭第三开闭阀25、并且打开第四开闭阀26的状态。由此,由处理气体生成装置16生成的处理气体Ga向供气通道17导入,并从位于供气通道17的下游端的供气口14释放出。当图1所示的玻璃基板P(图7中省略)穿过供气口14所面对的插通通道13时,从供气口14释放出的处理气体Ga向玻璃基板P的一方的主表面Pa(面向供气口14的下表面)供给,对一方的主表面Pa实施规定的表面处理。另外,由于成为打开了设置在排气通道19上的第四开闭阀26的状态,因此,供给到玻璃基板P的处理气体Ga经由在与供气口14不同的位置处面向插通通道13的排气口15(在本实施方式中为两个)而被引入到排气通道19,从而向位于排气通道19的下游侧的除害装置18导入。导入后的处理气体Ga由除害装置18除害,在去除了有害物质的状态下向除害装置18的外部排出。
另一方面,无害气体导入通道20被第一开闭阀23关闭着,因此,在图7所示的状态下,无害气体Gb不会混入到供气通道17中而对表面处理造成影响。另外,处理气体Ga也不会通过无害气体导入通道20而向外部漏出。
另外,处理气体分支通道21被第三开闭阀25关闭着,因此,在图7所示的状态下,不会使本应导入到供气通道17的处理气体Ga的流量减少而对表面处理造成影响。
(S2)维护工序
(S21)无害气体导入步骤
另外,在本实施方式中,在因某种原因需要使表面处理停止而进行表面处理装置31的维护的情况下,进行以下的处理(动作)。即,在利用无害气体Gb置换处理气体Ga的步骤中,如图8所示,首先关闭第二开闭阀24并打开第三开闭阀25。然后,打开第一开闭阀23。第四开闭阀26保持打开的状态。由此,朝向供气通道17中的至少比第二开闭阀24靠下游侧的位置的处理气体Ga的供给停止,并且,向比汇合位置P1靠下游侧新导入无害气体Gb。因此,之前在供气通道17、插通通道13及排气通道19流通着的处理气体Ga以被无害气体Gb挤出的形式向除害装置18排出,由此,除了处理气体分支通道21内之外,表面处理装置11中的处理气体Ga被无害气体Gb置换。因此,作业者能够安全地将表面处理装置11分解而进行维护。
另外,通过打开第三开闭阀25,成为能够向在供气通道17的比第二开闭阀24靠上游侧的位置分支的处理气体分支通道21供给处理气体Ga的状态。因此,例如在由处理气体生成装置16继续进行处理气体Ga的生成及供给的情况下,如图8所示,处理气体Ga通过处理气体分支通道21而向排气通道19导入,进而向除害装置18导入。因此,不停止由处理气体生成装置16进行的处理气体Ga的生成及供给就能够进行上述的置换作业。
(S22)流路切断步骤
在步骤S21中,在向供气通道17导入无害气体Gb而以无害气体Gb对供气通道17、插通通道13、及排气通道19进行置换之后,实施该步骤。即,如图9所示,关闭第一开闭阀23而停止无害气体Gb向供气通道17的供给,并且,关闭第四开闭阀26,在排气通道19中的比处理气体分支通道21的汇合位置P2靠上游侧的位置将排气通道19的气流堵塞。第二开闭阀24保持关闭的状态,且第三开闭阀25保持打开的状态。由此,供气通道17中的比第二开闭阀24靠下游侧的区域、成为玻璃基板的处理空间的插通通道13及排气通道19中的比第四开闭阀26靠上游侧的区域成为与处理气体分支通道21及排气通道19中的比第四开闭阀26靠下游侧的区域完全隔离开的状态。换言之,表面处理装置31的流路成为被隔断为仅存在无害气体Gb的空间与仅存在处理气体Ga的空间的状态。例如在采用图4所示的流路结构的情况下,若设定为无害气体Gb的流量或流体压力远大于处理气体Ga的流量或流体压力,则能够防止处理气体Ga从处理气体分支通道21的汇合位置P2向排气通道19的上游侧逆流的事态,但既然不是完全被截断的状态,则难以完全地排除有至少少量的处理气体Ga向供气通道17侧流入的可能性。与此相对,根据本实施方式的制造装置30,在成为上述的供气通道17与玻璃基板的处理空间(插通通道13)完全地被无害气体Gb充满的状态的时刻,通过关闭第四开闭阀26,即便在保持着继续进行处理气体Ga的生成及供给而进行无害气体Gb的置换的情况下,也能够完全地排除作业者与处理气体Ga接触的可能性,能够将表面处理装置31安全地分解而进行确认作业或维护。
《本发明的第三实施方式》
接着,主要基于图10对本发明的第三实施方式进行说明。需要说明的是,在本实施方式中使用的制造装置为图5所示的制造装置30。
如图10所示,本实施方式的玻璃基板的制造方法具备表面处理工序S1、维护工序S2以及表面处理的再开始准备工序S3。表面处理工序S1和维护工序S2与第二实施方式相同,因此,以下,对表面处理的再开始准备工序S3的详细内容进行说明。
(S3)表面处理的再开始准备工序
在该工序S3中,从紧前面的维护工序S2时的状态(图9所示的状态)起,首先打开第二开闭阀24且打开第四开闭阀26,并且关闭第三开闭阀25。第一开闭阀23保持关闭的状态。在此期间,不停止由处理气体生成装置16进行的处理气体Ga的生成及供给而是继续进行处理气体Ga的生成及供给(均参照图7)。通过这种方式,如图7所示,立即向供气通道17导入处理气体Ga,之前在供气通道17流通着的无害气体Gb被处理气体Ga置换,因此,能够在短时间内再次由处理气体Ga充满供气通道17及排气通道19。因此,能够省略例如在从暂时停止了处理气体生成装置16的状态重新起动的情况下可能产生的、从重新开始处理气体Ga的生成到处理气体Ga的生成状态稳定为止的等待时间,能够在维护后尽快地重新开始表面处理。
《本发明的第四实施方式》
接着,主要基于图11及图12对本发明的第四实施方式进行说明。需要说明的是,在本实施方式中使用的制造装置成为图5所示的制造装置30。
如图11所示,本实施方式的玻璃基板的制造方法具有表面处理工序S1和维护工序S2。其中,维护工序S2的详细内容与第一实施方式~第三实施方式的制造方法不同。即,本实施方式的维护工序S2具有载气导入步骤S23,在该载气导入步骤S23中,停止由处理气体生成装置16进行的处理气体Ga的生成,并且,停止成为处理气体Ga的原料的气体(图1等所示的原料气体Fa)向处理气体生成装置16的供给,继续进行处理气体Ga所含的载气Fb向处理气体生成装置16的供给。关于表面处理工序S1,与第二实施方式及第三实施方式相同,因此,以下基于图12对包含载气导入步骤S23的维护工序S2的详细内容进行说明。
(S2)维护工序
(S23)载气导入步骤
在该维护工序S2中,与第二实施方式同样地,首先关闭第二开闭阀24并打开第三开闭阀25。然后,打开第一开闭阀23。第四开闭阀26保持打开的状态。由此,朝向供气通道17中的至少比第二开闭阀24靠下游侧的位置的处理气体Ga的供给停止,并且,在比汇合位置P1靠下游侧的位置新向供气通道17导入无害气体Gb。因此,之前在供气通道17、插通通道13及排气通道19流通着的处理气体Ga以被无害气体Gb挤出的形式向除害装置18排出,由此,除了处理气体分支通道21内之外,表面处理装置11中的处理气体Ga被无害气体Gb置换。因此,作业者能够安全地将表面处理装置11分解而进行维护。
另外,此时,如图12所示,停止由处理气体生成装置16进行的处理气体Ga的生成,且停止成为处理气体Ga的原料的四氟化碳气体等原料气体Fa(参照图1)向处理气体生成装置16的供给,并且,继续进行处理气体Ga所含的载气Fb向处理气体生成装置16的供给。由此,载气Fb通过处理气体生成装置16的内部、供气通道17中的比第二开闭阀24靠上游侧的区域、以及处理气体分支通道21而向排气通道19导入。因此,在此之前存在于处理气体生成装置16的内部的处理气体Ga被置换成载气Fb。载气Fb通常是氮气等非活性气体,是至少在与空气混合的状态下对人体来说实质上无害的气体。因此,能够防止在表面处理装置31的运转停止时(在维护工序S2时)因处理气体生成装置16的内部持续暴露在处理气体Ga中而引起的劣化,能够长期间地使用处理气体生成装置16。另外,通过利用载气Fb来置换处理气体生成装置16的内部的处理气体Ga,能够将处理气体Ga从处理气体生成装置16的内部完全排除。如上所述,载气Fb与处理气体Ga相比是相当安全的气体,因此,即便在需要更换处理气体生成装置16的情况下,也能够将处理气体生成装置16从供气通道17安全地卸下。
需要说明的是,在以上的说明中,例示了在无害气体导入通道20上配设有第一开闭阀23且在供气通道17上与第一开闭阀23独立地配设有第二开闭阀24的情况,但不特别限定于该方式。只要能够向供气通道17的比无害气体导入通道20与供气通道17的汇合位置P1靠下游侧的位置导入无害气体Gb与处理气体Ga中的任一方,则也能够采用其他方式。
《本发明的第五实施方式》
图13示出该一例(本发明的第五实施方式)的玻璃基板制造装置40。该制造装置40代替图1所示的第一开闭阀23及第二开闭阀24,而在无害气体导入通道20与供气通道17的汇合位置P1配设有进行流路的切换的三通阀41。该三通阀41能够择一地切换为:从供气通道17中的汇合位置P1的上游侧导入的处理气体Ga通过汇合位置P1而朝向供气通道17的下游侧的气流;以及从无害气体导入通道20导入的无害气体Gb通过汇合位置P1而朝向供气通道17的下游侧的气流。因此,即便在同时供给着处理气体Ga和无害气体Gb的情况下,向供气通道17的比汇合位置P1靠下游侧的位置也始终仅导入处理气体Ga和无害气体Gb中的任一方,防止另一方的导入。
根据该结构,如上所述,向供气通道17的比汇合位置P1靠下游侧的位置必定仅导入处理气体Ga和无害气体Gb中的任一方,因此,能够可靠地防止两种气体Ga、Gb中的不需要的气体混入的事态,进一步提高制造装置40的可靠性。
另外,在以上的说明中,例示了在供气通道17上配设有第二开闭阀24且在处理气体分支通道21上与第二开闭阀24独立地配设有第三开闭阀25的情况,但不特别限定于该方式。只要能够将处理气体Ga向处理气体分支通道21和供气通道17的比处理气体分支通道21分支的位置靠下游侧的位置中的任一方导入,则也能够采用其他方式。
《本发明的第六实施方式》
图14示出该一例(本发明的第六实施方式)的玻璃基板制造装置50。该制造装置50代替图1所示的第二开闭阀24和第三开闭阀25,而在处理气体分支通道21从供气通道17分支的分支位置P3配设有进行流路的切换的三通阀51。该三通阀51能够择一地切换为:从供气通道17中的分支位置P3的上游侧导入的处理气体Ga通过分支位置P3而直接朝向供气通道17的下游侧的气流;以及上述处理气体Ga经由分支位置P3而朝向处理气体分支通道21的气流。因此,在从处理气体生成装置16供给处理气体Ga的情况下,始终仅向供气通道17的比分支位置P3靠下游侧的位置和处理气体分支通道21中的任一方导入处理气体Ga,防止向另一方的导入。根据上述的原因,在持续生成并供给处理气体Ga的情况下(在第一实施方式~第三实施方式的情况下),处理气体Ga可以始终仅向供气通道17和处理气体分支通道21中的任一方导入。因此,在分支位置P3设置三通阀51,以在表面处理工序S1时打开供气通道17侧且在维护工序S2时打开处理气体分支通道21侧的方式对三通阀51进行操作,由此,能够在抑制设备成本的同时安全地进行维护。
另外,在以上的说明中,说明了对从带状板玻璃切出的玻璃基板P的一方的主表面Pa实施规定的表面处理的情况,但当然也能够对带状板玻璃的任一方的主表面应用本发明。即,即便在仅对成形为带状且沿宽度方向切断之后卷绕了其长边方向一端或两端的玻璃薄膜的表背一方的面实施表面处理的情况下,也能够优选实施上述结构的表面处理,对此省略图示。另外,针对上述的各种板玻璃,不仅仅限于一方的主表面Pa,在对另一方的主表面(图1中为上侧的主表面Pb)也实施表面处理时,也能够应用本发明。
Claims (12)
1.一种玻璃基板的制造装置,其具备表面处理装置,该表面处理装置用于向成为玻璃基板的板状玻璃的表面供给处理气体而实施规定的表面处理,其中,
所述表面处理装置具备:
处理气体生成装置,其生成所述处理气体;
供气通道,其向所述表面供给所述处理气体;
除害装置,其对所述处理气体实施除害处理;以及
排气通道,其将供给到所述表面的所述处理气体向所述除害装置导入,
能够向所述供气通道导入无害气体的无害气体导入通道汇合到所述供气通道中。
2.根据权利要求1所述的玻璃基板的制造装置,其中,
所述玻璃基板的制造装置还具备:
第一开闭阀,其能够对所述无害气体导入通道进行开闭;以及
第二开闭阀,其能够在所述供气通道的比所述汇合位置靠上游侧的位置对所述供气通道进行开闭。
3.根据权利要求1所述的玻璃基板的制造装置,其中,
所述玻璃基板的制造装置还具备设置于所述汇合位置的三通阀,该三通阀能够在所述供气通道中的从所述汇合位置的上游侧朝向下游侧的所述处理气体的气流与从所述无害气体导入通道朝向所述汇合位置的下游侧的所述无害气体的气流之间进行切换。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的玻璃基板的制造装置,其中,
所述玻璃基板的制造装置还具备处理气体分支通道,该处理气体分支通道在所述供气通道的比所述汇合位置靠上游侧的位置分支,且能够向所述排气通道导入所述处理气体。
5.根据权利要求4所述的玻璃基板的制造装置,其中,
所述玻璃基板的制造装置还具备对所述处理气体分支通道进行开闭的第三开闭阀。
6.根据权利要求4或5所述的玻璃基板的制造装置,其中,
所述玻璃基板的制造装置还具备第四开闭阀,该第四开闭阀配设在所述排气通道的比所述处理气体分支通道与所述排气通道汇合的位置靠上游侧的位置,且进行所述排气通道的开闭。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的玻璃基板的制造装置,其中,
所述无害气体是清洁干燥空气。
8.一种玻璃基板的制造方法,其具备:
向成为玻璃基板的板状玻璃的表面供给处理气体而实施规定的表面处理的表面处理工序;以及
在停止表面处理工序的期间,进行用于实施所述表面处理的装置的维护的维护工序,
其中,
在所述表面处理工序中,将由处理气体生成装置生成的所述处理气体经由供气通道向所述表面供给,并且,将供给到所述表面的所述处理气体经由排气通道向除害装置导入而对所述处理气体实施除害处理,
在所述维护工序中,关闭所述供气通道,并且,向所述供气通道的比关闭了所述供气通道的位置靠下游侧的位置导入无害气体,由此,将通过所述供气通道的所述处理气体置换成所述无害气体。
9.根据权利要求8所述的玻璃基板的制造方法,其中,
在所述维护工序中,能够在所述供气通道的比关闭了所述供气通道的位置靠上游侧的位置从所述供气通道分支而向所述排气通道导入所述处理气体。
10.根据权利要求9所述的玻璃基板的制造方法,其中,
在所述维护工序中,在将通过所述供气通道的所述处理气体置换成所述无害气体之后,停止所述无害气体向所述供气通道的导入,并且,在所述排气通道的比从所述供气通道分支而将所述处理气体导入到所述排气通道的位置靠上游侧的位置,关闭所述排气通道。
11.根据权利要求10所述的玻璃基板的制造方法,其中,
所述玻璃基板的制造方法还具备表面处理的再开始准备工序,在该表面处理的再开始准备工序中,打开所述供气通道而向所述供气通道导入所述处理气体,并且关闭从所述供气通道分支的流路并打开所述排气通道,由此,将所述无害气体置换成所述处理气体。
12.根据权利要求9所述的玻璃基板的制造方法,其中,
在所述维护工序中,停止由所述处理气体生成装置进行的所述处理气体的生成,并且,停止成为所述处理气体的原料的气体向所述处理气体生成装置的供给,继续进行所述处理气体所含的载气向所述处理气体生成装置的供给。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016247970A JP6752447B2 (ja) | 2016-12-21 | 2016-12-21 | ガラス基板の製造装置及び製造方法 |
JP2016-247970 | 2016-12-21 | ||
PCT/JP2017/043024 WO2018116779A1 (ja) | 2016-12-21 | 2017-11-30 | ガラス基板の製造装置及び製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110088055A true CN110088055A (zh) | 2019-08-02 |
CN110088055B CN110088055B (zh) | 2022-05-27 |
Family
ID=62627622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201780079164.XA Active CN110088055B (zh) | 2016-12-21 | 2017-11-30 | 玻璃基板的制造装置及制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6752447B2 (zh) |
KR (1) | KR102414501B1 (zh) |
CN (1) | CN110088055B (zh) |
TW (1) | TWI751242B (zh) |
WO (1) | WO2018116779A1 (zh) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6437718A (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-08 | Asahi Glass Co Ltd | Production of substrate for magnetic disk |
US20020182876A1 (en) * | 2001-06-01 | 2002-12-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device fabrication method and apparatus |
CN1515024A (zh) * | 2002-01-17 | 2004-07-21 | 东京毅力科创株式会社 | 处理装置和处理方法 |
JP2005108482A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | E Square:Kk | プラズマ表面処理装置 |
CN1822315A (zh) * | 2005-02-08 | 2006-08-23 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、基板处理装置的控制方法、程序 |
CN101959594A (zh) * | 2008-03-06 | 2011-01-26 | 东洋炭素株式会社 | 表面处理装置 |
CN102112653A (zh) * | 2008-08-07 | 2011-06-29 | 东京毅力科创株式会社 | 原料回收方法及用于原料回收的收集机构 |
CN103426746A (zh) * | 2012-05-14 | 2013-12-04 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法和基板处理装置 |
JP2014125414A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 板状ガラスの表面処理装置及び表面処理方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014080331A (ja) | 2012-10-17 | 2014-05-08 | Asahi Glass Co Ltd | 反射防止性ガラスの製造方法 |
-
2016
- 2016-12-21 JP JP2016247970A patent/JP6752447B2/ja active Active
-
2017
- 2017-11-30 WO PCT/JP2017/043024 patent/WO2018116779A1/ja active Application Filing
- 2017-11-30 CN CN201780079164.XA patent/CN110088055B/zh active Active
- 2017-11-30 KR KR1020197019872A patent/KR102414501B1/ko active IP Right Grant
- 2017-12-08 TW TW106143085A patent/TWI751242B/zh active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6437718A (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-08 | Asahi Glass Co Ltd | Production of substrate for magnetic disk |
US20020182876A1 (en) * | 2001-06-01 | 2002-12-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device fabrication method and apparatus |
CN1515024A (zh) * | 2002-01-17 | 2004-07-21 | 东京毅力科创株式会社 | 处理装置和处理方法 |
JP2005108482A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | E Square:Kk | プラズマ表面処理装置 |
CN1822315A (zh) * | 2005-02-08 | 2006-08-23 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、基板处理装置的控制方法、程序 |
CN101959594A (zh) * | 2008-03-06 | 2011-01-26 | 东洋炭素株式会社 | 表面处理装置 |
CN102112653A (zh) * | 2008-08-07 | 2011-06-29 | 东京毅力科创株式会社 | 原料回收方法及用于原料回收的收集机构 |
CN103426746A (zh) * | 2012-05-14 | 2013-12-04 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法和基板处理装置 |
JP2014125414A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 板状ガラスの表面処理装置及び表面処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018100203A (ja) | 2018-06-28 |
TWI751242B (zh) | 2022-01-01 |
JP6752447B2 (ja) | 2020-09-09 |
KR20190098997A (ko) | 2019-08-23 |
CN110088055B (zh) | 2022-05-27 |
TW201827375A (zh) | 2018-08-01 |
KR102414501B1 (ko) | 2022-06-29 |
WO2018116779A1 (ja) | 2018-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
AU2009271057B2 (en) | Control of mucus membrane bleeding with cold plasma | |
KR101302927B1 (ko) | 표면 처리 장치 | |
CN103824800B (zh) | 基板载置台和基板处理装置 | |
US20170282132A1 (en) | Gas-dissolved water production device and production method | |
TW201544699A (zh) | 附除害功能的真空泵 | |
TWI616934B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
CN110088055A (zh) | 玻璃基板的制造装置及制造方法 | |
CN103889138B (zh) | 等离子体放电装置 | |
KR100411930B1 (en) | Plasma sterilizing apparatus with dehumidifier | |
JP5340804B2 (ja) | 紫外線分解装置 | |
KR101982158B1 (ko) | 필름의 표면 처리 장치 및 시스템 | |
CN210187920U (zh) | 一种分体台式等离子体真空净化器 | |
KR101557147B1 (ko) | 플라즈마 전극 | |
KR20100011246A (ko) | 플라즈마 발생장치 | |
JP2008289953A (ja) | 飛灰供給装置、飛灰循環システムおよび排ガス処理設備 | |
JP2011060509A (ja) | 燃料電池の水素オフガス処理システム | |
KR20090103677A (ko) | 버블을 이용한 기판 세정장치 및 방법 | |
JP2010087078A (ja) | 表面処理装置 | |
KR101912404B1 (ko) | 기판 처리장치 및 기판 처리방법 | |
JPH1064873A (ja) | ワーク処理容器への気体導入装置 | |
CN113941211A (zh) | 一种烟气处理装置、半导体制造设备以及烟气处理方法 | |
JP2004342856A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2004290935A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2011062651A (ja) | 除塵システム | |
WO2019134058A1 (zh) | 真空装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |