TWI738812B - 表面處理組合物 - Google Patents

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Abstract

本發明係有關於一種表面處理組合物，其係含有選自下述A群之至少一種水溶性高分子、選自下述B群之至少一種陰離子性界面活性劑、及水：A群：水溶性多糖類、聚乙烯醇及其衍生物、以及聚乙烯基吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone)及其衍生物(但是，包含在下述B群之化合物除外)B群：具有磺酸(鹽)基的化合物、具有硫酸酯(鹽)基的化合物、具有膦酸(鹽)基的化合物、具有磷酸(鹽)基的化合物、及具有次膦酸(鹽)基的化合物。依照本發明，能夠提供一種表面處理組合物，其能夠有效率地除去殘留在研磨完畢的研磨對象物表面的微粒及有機物殘渣之異物。

Description

表面處理組合物
本發明係有關於一種表面處理組合物。
近年來，伴隨著半導體基板表面的多層配線化，在製造裝置時，係利用在物理上將半導體基板進行研磨而平坦化之所謂化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing；CMP)技術。CMP係使用含有氧化矽、氧化鋁、氧化鈰(ceria)等的研磨粒、防蝕劑、界面活性劑等之研磨用組合物(漿料)而將半導體基板等的研磨對象物(被研磨物)表面進行平坦化之方法，研磨對象物(被研磨物)係由矽、多晶矽、氧化矽、氮化矽、金屬等所構成之配線、插塞等。
在CMP步驟後的半導體基板表面，係大量地殘留不純物(異物)。就不純物而言，係包含源自被使用在CMP之研磨用組合物的研磨粒、金屬、防蝕劑、界面活性劑等的有機物、研磨對象物之含矽材料、因研磨金屬配線、插塞等而產生的含矽材料和金屬、進而從各種墊片(pad)等產生之墊片屑等的有機物等。
半導體基板表面被該等不純物污染時，有對半導體的電特性造成不良影響且裝置的可靠性低落之可能性。因而，以在CMP步驟後導入洗淨步驟而將該等不純物從半導體 基板表面除去為佳。
作為被使用在如此的洗淨步驟之洗淨劑(表面處理組合物)，例如特開2006-5246號公報(對應美國專利申請公開第2005/282718號說明書)係揭示一種含有水溶性多糖類等的水溶性高分子、及水之沖洗用組合物。
但是，被要求提供一種在CMP步驟後，能夠更有效率地除去附著、殘留半導體基板表面的微粒和有機物殘渣之技術。
本發明係鑒於上述課題而進行，其目的係提供一種表面處理組合物，其能夠有效率地除去殘留在研磨完畢的研磨對象物表面的微粒及有機物殘渣之異物。
本發明者等係鑒於上述課題而進行專心研討。其結果，發現使用一種含有特定水溶性高分子、特定陰離子性界面活性劑、及水之表面處理組合物，能夠解決上述課題，而完成了本發明。
亦即，本發明的上述課題係能夠使用含有選自下述A群之至少一種水溶性高分子、選自下述B群之至少一種陰離子性界面活性劑、及水而解決：
A群：水溶性多糖類、聚乙烯醇及其衍生物、以及聚乙烯基吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone)及其衍生物(但是，包含在下述B群之化合物除外)
B群：具有磺酸(鹽)基的化合物、具有硫酸酯(鹽)基的化合物、具有膦酸(鹽)基的化合物、具有磷酸(鹽)基的化合物、 及具有次膦酸(鹽)基的化合物。
用以實施發明之形態
本發明之表面處理組合物，係為了將在研磨步驟之研磨後的研磨對象物(研磨完畢的研磨對象物)表面洗淨而使用，特別適合於為了進行沖洗研磨處理而使用。
在化學機械研磨(CMP)步驟後所進行的洗淨步驟，其目的係為了將殘留在半導體基板(研磨完畢的研磨對象物)表面之不純物(微粒、金屬污染、有機物殘渣、墊片屑等的異物)除去而進行。此時，例如藉由使用在特開2006-5246號公報(對應美國專利申請公開第2005/282718號說明書)所揭示的洗淨劑，而能夠將該等異物除去。但是，本發明者等為了達成更有效率地除去異物而進行專心研討。其結果，發現藉由使用本發明之表面處理組合物，能夠非常有效率地除去微粒及有機物殘渣的異物。
本發明之表面處理組合物，係含有選自下述A群之至少一種水溶性高分子、選自下述B群之至少一種陰離子性界面活性劑、及水：
A群：水溶性多糖類、聚乙烯醇及其衍生物、以及聚乙烯基吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone)及其衍生物(但是，包含在下述B群之化合物除外)
B群：具有磺酸(鹽)基的化合物、具有硫酸酯(鹽)基的化 合物、具有膦酸(鹽)基的化合物、具有磷酸(鹽)基的化合物、及具有次膦酸(鹽)基的化合物。
本發明者等係推定依照本發明能夠解決上述課題之機制如以下。
半導體基板等的研磨完畢的研磨對象物表面的親疏水性，係依照研磨對象而各自不同，特別是防水性高的研磨對象物，係由於含有水的洗淨劑不容易與在該狀態下的研磨完畢的研磨對象物表面接觸，將異物從研磨完畢的研磨對象物表面除去變為不容易，致使洗淨效果低落。
相對於此，本發明的表面處理組合物係含有水溶性高分子。因此，藉由該水溶性高分子的效果，能夠提高研磨完畢的研磨對象物表面的親水性(濕潤性)。其結果，藉由使用本發明的表面處理組合物而進行研磨完畢的研磨對象物表面處理，能夠促進將異物從磨完畢研磨對象物表面除去，而且能夠抑制已附著的異物乾燥而固定在研磨完畢的研磨對象物表面。因而，使用本發明的表面處理組合物時，能夠得到良好的異物除去效果。
除了上述以外，本發明的表面處理組合物亦含有特定陰離子性界面活性劑。該陰離子性界面活性劑係在將異物除去時，輔助上述水溶性高分子且特別地促進有機物殘渣的除去。其結果，進一步提高異物除去效果。
本發明之陰離子性界面活性劑，係能夠藉由陰離子性基以外的部分與異物(特別是疏水性成分)的親和性而形成膠微粒。因此，認為藉由該膠微粒溶解或分散表面處理組合物 中，而能夠有效地除去疏水性成分之異物。
而且，本發明之陰離子性界面活性劑，係含有特定陰離子性基(磺酸(鹽)基、硫酸酯(鹽)基、膦酸(鹽)基、磷酸(鹽)基、或次膦酸(鹽)基)。研磨完畢的研磨對象物表面為陽離子性時，藉由上述特定陰離子性基為陰離子化，而容易吸附在該研磨完畢的研磨對象物表面。其結果，認為研磨完畢的研磨對象物表面，係成為被覆有上述陰離子性界面活性劑之狀態。另一方面，因為陰離子性界面活性劑的陰離子性基係容易吸附在殘留的異物(特別是容易帶陽離子性者)，所以異物的表面係成為帶陰離子性。因此其表面成為陰離子性之異物、與吸附在研磨完畢的研磨對象物表面之陰離子性界面活性劑之陰離子化的陰離子性基，係產生靜電排斥。又，異物為陰離子性時，異物本身與在研磨完畢的研磨對象物上所存在之陰離子化的陰離子性基產生靜電排斥。因而，認為藉由利用此種靜電排斥而能夠將異物有效地除去。
而且，研磨完畢的研磨對象物不容易帶電荷時，推測是藉由與上述不同的機制而將異物除去。首先，認為異物(特別是疏水性成分)係藉由對疏水性的研磨完畢的研磨對象之疏水性相互作用，而成為容易附著之狀態。在此，陰離子性界面活性劑的陰離子性基以外之部分(疏水性構造部位)，係起因於其疏水性而朝向研磨完畢的研磨對象物表面側，另一方面，親水性構造部位之陰離子性基，係朝向與研磨完畢的研磨對象物表面側為相反側。藉此，推測研磨完畢的研磨對象物表面係成為被陰離子化的陰離子性基覆蓋之狀態且成為親水性。其結 果，認為在異物(特別是疏水性成分)與上述研磨完畢的研磨對象物之間，係變成不容易產生疏水性相互作用而能夠進一步抑制異物的附著。因此，同時含有上述水溶性高分子及陰離子性界面活性劑之表面處理組合物，異物除去效果係非常地提升。
而且，被吸附在研磨完畢的研磨對象物表面之水溶性高分子及陰離子性界面活性劑，係進一步地藉由水洗等而能夠容易地被除去。
如此，藉由使用本發明的表面處理組合物，能夠將存在於研磨完畢的研磨對象物表面之異物有效地除去。因此，依照本發明，能夠提供一種能夠將殘留在研磨完畢的研磨對象物表面的微粒及有機物殘渣之異物有效率地除去之表面處理組合物。又，上述機制係基於推測，其正確性並不會對本發明的技術範圍造成影響。
以下，說明本發明。又，本發明係不被以下的實施形態限定。又，在本說明書，只要沒有特別記載，操作及物性等的測定就是在室溫(20~25℃)/相對濕度40~50%RH的條件下進行。
<表面處理組合物>
以下，說明在表面處理組合物所含有的各成分。
[水溶性高分子]
本發明之表面處理組合物，係含有選自由水溶性多糖類、聚乙烯醇(PVOH)及其衍生物、以及聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)及其衍生物所組成群組之至少一種水溶性高分子。該等水溶性高分子可單獨使用或混合二種以上而使用。在此，上述水溶性高 分子係不包含在以下詳細說明之B群(陰離子性界面活性劑)所含有的化合物。因此，因為例如含磺酸基的聚乙烯醇係具有磺酸基且作為陰離子性界面活性劑之作用，所以在B群所包含的陰離子性界面活性劑，係不屬於在A群所包含的水溶性高分子。
又，在本說明書中，所謂「水溶性」，係意味著對水(25℃)之溶解度為1g/100mL以上，所謂「高分子」係指重量平均分子量為1,000以上之聚合物。又，在本說明書中，重量平均分子量係能夠藉由凝膠滲透層析法(GPC)而測定，具體而言，係能夠使用實施例所記載的方法而測定。
水溶性高分子係藉由提高研磨完畢的對象物的表面親水性(濕潤性)，而抑制異物附著在研磨完畢的對象物的表面且使洗淨效果提升。而且抑制附著的異物乾燥而固定在研磨完畢的對象物的表面。
(含量)
水溶性高分子的含量係沒有特別限制，較佳是以下的範圍。
亦即，含有水溶性多糖類作為水溶性高分子時，相對於表面處理組合物的總質量，水溶性多糖類的含量(含有二種以上時為合計量。以下相同)係以0.0001質量%以上為佳。該含量為0.0001質量%以上時，異物除去效果提升。從同樣的觀點而言，相對於表面處理組合物的總質量，上述含量係以0.001質量%以上為較佳，以0.01質量%以上為更佳，以0.015質量%以上為特佳。
又，水溶性多糖類的含量係相對於表面處理組合物的總質量，以5質量%以下為佳。該含量為5質量%以下時，將表面處理後的水溶性多糖類本身除去係變成容易。從同樣的觀點而言，相對於表面處理組合物的總質量，上述含量係以3質量%以下為較佳，以1質量%以下為更佳，以0.5質量%以下為特佳。
含有聚乙烯醇及其衍生物作為水溶性高分子時，相對於表面處理組合物的總質量，聚乙烯醇及其衍生物的含量(含有二種以上時為合計量。以下相同)係以0.1質量%以上為佳。該含量為0.1質量%以上時，異物的除去效果提升。從同樣的觀點而言，相對於表面處理組合物的總質量，上述含量係以0.15質量%以上為佳，以0.3質量%以上為特佳。
又，相對於表面處理組合物的總質量，聚乙烯醇及其衍生物的含量係以5質量%以下為佳。該含量為5質量%以下時，將表面處理後的水溶性高分子本身除去係變為容易。從同樣的觀點而言，相對於表面處理組合物的總質量，上述含量係以3質量%以下為較佳，以1質量%以下為特佳。
含有聚乙烯基吡咯烷酮及其衍生物作為水溶性高分子時，相對於表面處理組合物的總質量，聚乙烯基吡咯烷酮及其衍生物的含量(含有二種以上時為合計量。以下相同)係以0.1質量%以上為佳。該含量為0.1質量%以上時，異物除去效果提升。從同樣的觀點而言、上述含量係相對於表面處理組合物的總質量，以0.15質量%以上為佳，以0.3質量%以上為特佳。
又，相對於表面處理組合物的總質量，聚乙烯基吡咯烷酮及其衍生物的含量係以5質量%以下為佳。該含量為5質量%以下時，將表面處理後的水溶性高分子本身除去係變為容易。從同樣的觀點而言，相對於表面處理組合物的總質量，上述含量係以3質量%以下為較佳，以1質量%以下為特佳。
而且，作為水溶性高分子，係含有選自由水溶性多糖類、聚乙烯醇及其衍生物、以及聚乙烯基吡咯烷酮及其衍生物所組成群組之二種以上時(例如含有水溶性多糖類及聚乙烯醇時)，各自的水溶性高分子之含量係以在上述各含量的範圍內為佳。
又，選自A群之水溶性高分子對選自B群之陰離子性界面活性劑的質量比(選自A群之水溶性高分子的合計質量/選自B群之陰離子性界面活性劑的合計質量)係沒有特別限制，以0.01以上為佳。該質量比為0.01以上時，能夠充分地得到異物除去效果。而且從使異物除去效果提升之觀點而言，上述質量比係以0.02以上為較佳，以0.10以上為更佳，以0.70以上為特佳，以0.80以上為最佳。
另一方面，上述質量比(選自A群之水溶性高分子的合計質量/選自B群之陰離子性界面活性劑的合計質量)的上限係沒有特別限制，考慮將表面處理後的水溶性高分子本身除去的容易性時，係以100以下為佳，以50以下為較佳，以20以下為更佳，以10以下為更佳，以5以下為特佳，以2以下為最佳。
從以上，水溶性高分子對陰離子性界面活性劑之質量比，係以0.01以上且100以下為佳，以0.02以上且50以下為較佳，以0.10以上且20以下為更佳，以0.70以上且10以下為又更佳，以0.70以上且5以下為又更佳，以0.70以上且2以下為特佳，以0.80以上且2以下為最佳。
(重量平均分子量)
水溶性高分子的重量平均分子量係沒有特別限制，較佳為以下的範圍。
亦即，含有水溶性多糖類作為水溶性高分子時，水溶性多糖類的重量平均分子量係以1萬以上為佳。該重量平均分子量為1萬以上時，進一步提高研磨完畢的研磨對象物表面的親水性(濕潤性)係變為容易，而且更容易提升抑制異物的附著之效果。從同樣的觀點而言，上述重量平均分子量係以10萬以上為較佳，以50萬以上為更佳，以100萬以上為特佳。
另一方面、水溶性多糖類的重量平均分子量之上限值係沒有特別限制，以300萬以下為佳。該重量平均分子量為300萬以下時，異物除去效果係進一步提高。推測如此的理由，一般認為洗淨步驟後的親水性高分子之除去性變為良好之緣故。從同樣的觀點而言，上述重量平均分子量係以200萬以下為較佳，以150萬以下為特佳。
含有聚乙烯醇及其衍生物作為水溶性高分子時，聚乙烯醇及其衍生物之重量平均分子量係以1萬以上為佳。該重量平均分子量為1萬以上時，更容易提升抑制異物的附著之效果。從同樣的觀點而言，上述重量平均分子量係以5萬以上 為較佳，以10萬以上為特佳。
另一方面，聚乙烯醇及其衍生物的重量平均分子量之上限值係沒有特別限制，以100萬以下為佳。該重量平均分子量為100萬以下時，異物除去效果係進一步提高。從同樣的觀點而言，上述重量平均分子量係以80萬以下為較佳，以50萬以下為特佳。
含有聚乙烯基吡咯烷酮及其衍生物作為水溶性高分子時，聚乙烯基吡咯烷酮及其衍生物的重量平均分子量係以5千以上為佳。該重量平均分子量為5千以上時，更容易提升抑制異物的附著之效果。從同樣的觀點而言，上述重量平均分子量係以1萬5000以上為較佳、3萬以上為特佳。
另一方面，聚乙烯基吡咯烷酮及其衍生物的重量平均分子量之上限值係沒有特別限制，以50萬以下為佳。該重量平均分子量為50萬以下時，異物除去效果係進一步提高。從同樣的觀點而言，上述重量平均分子量係以30萬以下為較佳，以10萬以下為特佳。
又，上述重量平均分子量係能夠使用凝膠滲透層析法(GPC)而測定，具體而言，係使用實施例記載的方法而測定之值。
以下，說明在A群所包含的水溶性高分子之種類。
(水溶性多糖類)
本發明之表面處理組合物，係以含有水溶性多糖類作為水溶性高分子為佳。A群之中，水溶性多糖類係能夠少量而提高異物除去效果。在此，所謂「多糖類」，係指單糖分子藉由糖 苷(glycoside)鍵而多數聚合而成之糖。
作為水溶性多糖類，係只要滿足上述定義，就沒有特別限制，例如可舉出纖維素衍生物、澱粉衍生物之多糖類。在本發明的一實施形態，作為水溶性高分子之水溶性多糖類，係以包含選自由纖維素衍生物及澱粉衍生物所組成群組之至少一種為佳。
纖維素衍生物係含有β-葡萄糖單元作為主要重複單元之聚合物。作為纖維素衍生物的具體例，可舉出羥乙基纖維素(HEC)。羥丙基纖維素、羥乙基甲基纖維素、羥丙基甲基纖維素、甲基纖維素、乙基纖維素、乙基羥乙基纖維素、羧甲基纖維素等。該等之中，從取得容易性和容易得到本發明的效果之觀點而言，係以羥乙基纖維素(HEC)為佳。
澱粉衍生物係含有α-葡萄糖單元作為主要重複單元之聚合物。作為澱粉衍生物的具體例，可舉出α化澱粉、聚三葡萄糖(pullulan)、羧甲基澱粉、環糊精(cyclodextrin)等。該等之中，從取得容易性和容易得到本發明的效果之觀點而言，尤其是以聚三葡萄糖為佳。
考慮異物除去效果及取得容易性時，作為水溶性高分子的水溶性多糖類係以纖維素衍生物為佳。
又，上述水溶性多糖類係能夠單獨或組合二種以上而使用。又，水溶性多糖類可使用市售品，亦可使用合成品。
作為上述市售品，例如能夠使用羥乙基纖維素(Daicel FineChem股份公司製、SP系列、住友精化股份公司製、CF系列)等。
(聚乙烯醇及其衍生物)
作為本發明之水溶性分子之聚乙烯醇及其衍生物，係只要是具有源自乙烯醇的結構單元作為主成分之聚合物，就沒有特別限制，例如可舉出將聚乙酸乙烯酯水解而得到之一般的聚乙烯醇；改性聚乙烯醇之聚乙烯醇的衍生物。又，聚乙烯醇及其衍生物的皂化度係沒有特別限制。聚乙烯醇及其衍生物的皂化度，係只要不損害水溶性，就能夠自由地選擇，以5%以上且99.50%以下為佳，以50%以上且99.50%以下為較佳，以60%以上且99.5%以下為更佳，以70%以上且99.5%以下為特佳，以70%以上且小於99.5%為最佳。如此的範圍內時，能夠抑制聚乙烯醇或其衍生物的分解且容易保持表面處理組合物的良好洗淨效果。
作為改性乙烯醇，可舉出被乙醯乙醯基、乙醯基、環氧乙烷基、羧基等水溶性基改性而成之聚乙烯醇；丁二醇．乙烯醇共聚物等。
該等聚乙烯醇類可單獨，或者亦可將聚合度和改性的種類為不同之物等二種以上併用。又，聚乙烯醇類可使用市售品，亦可使用合成品。
作為上述市售品，例如能夠使用聚乙烯醇(日本VAM & POVAL股份公司製的JMR H系列、同HH系列、同M系列、同L系列、股份公司KURARAY製的KURARAY POVAL(PVA系列)、日本合成化學工業股份公司製的Gohsenol系列)、環氧乙烷基改性聚乙烯醇(日本合成化學工業股份公司製、Gohsenex(註冊商標、以下相同)LW系列、同WO系列)、 乙醯乙醯基改性聚乙烯醇(日本合成化學工業股份公司製、Gohsenex Z系列)、丁二醇．乙烯醇共聚物(日本合成化學工業股份公司製、Nichigo G-Polymer系列)等。
(聚乙烯基吡咯烷酮及其衍生物)
作為本發明的水溶性高分子之聚乙烯基吡咯烷酮及其衍生物，係只要具有源自乙烯基吡咯烷酮的結構單元作為主成分之聚合物，就沒有特別限制，例如可舉出聚乙烯基吡咯烷酮；聚乙烯基吡咯烷酮．聚乙烯醇共聚物等的聚乙烯醇系分枝聚合物等聚乙烯基吡咯烷酮的衍生物。又，水溶性高分子係含有聚乙烯醇骨架及聚乙烯基吡咯烷酮骨架的雙方時，該水溶性分子可設為被乙烯基吡咯烷酮的衍生物含有之物。
該等聚乙烯基吡咯烷酮類可單獨，或者亦可將聚合度和改性的種類為不同之物等二種以上併用。又，聚乙烯基吡咯烷酮類可使用市售品，亦可使用合成品。
作為上述市售品，例如能夠使用聚乙烯基吡咯烷酮(第一工業製藥股份公司製的Pitzcol(註冊商標、以下相同)K系列、股份公司日本觸媒製的聚乙烯基吡咯烷酮系列)、聚乙烯基吡咯烷酮．聚乙烯醇共聚物(第一工業製藥股份公司製、Pitzcol V系列)等。
[陰離子性界面活性劑]
本發明之表面處理組合物，係含有選自由具有磺酸(鹽)基的化合物、具有硫酸酯(鹽)基的化合物、具有膦酸(鹽)基的化合物、具有磷酸(鹽)基的化合物、及具有次膦酸(鹽)基的化合物所組成群組之至少一種的陰離子性界面活性劑。該等的陰離 子性界面活性劑可單獨使用或組合二種以上而使用。又，本說明書中，所謂「陰離子性界面活性劑」，係指在分子中具有陰離子性的部位(亦即，磺酸(鹽)基、硫酸酯(鹽)基、膦酸(鹽)基、磷酸(鹽)基、或次膦酸(鹽)基)且具有界面活性之化合物。
陰離子性界面活性劑，係輔助上述親水性高分子的異物除去效果且有助於藉由表面處理組合物而除去異物。因此，含有上記陰離子性界面活性劑之表面處理組合物，係在研磨完畢的研磨對象物表面處理(洗淨等)，能夠將殘留在研磨完畢的研磨對象物表面之異物(微粒和有機物殘渣)充分地除去。
(含量)
陰離子性界面活性劑的含量係沒有特別限制，較佳是以下的範圍。
亦即，相對於表面處理組合物的總質量，陰離子性界面活性劑的含量(含有二種以上時為合計量。以下相同)係以0.001質量%以上為佳。該含量為0.001質量%以上時，異物除去效果為進一步提升。推測如此的理由係因為陰離子性界面活性劑吸附(被覆)在研磨完畢的研磨對象物及異物時，能夠被吸附(被覆)在更多的面積之緣故。藉此，特別是因為異物容易形成膠微粒，藉由該膠微粒的溶解．分散使得異物除去效果提升。推測因為藉由陰離子性基的數目増加，能夠使靜電的吸附或排斥效果更強烈地顯現。從同樣的觀點而言，相對於表面處理組合物的總質量，上述含量係以0.005質量%以上為佳，以0.01質量%以上為較佳。
又，陰離子性界面活性劑的含量係相對於表面處 理組合物的總質量，以3質量%以下為佳。該含量為3質量%以下時，異物除去效果為進一步提高。推測如此的理由，係因為洗淨步驟後之陰離子性界面活性劑本身的除去性變為良好之緣故。從同樣的觀點而言，相對於表面處理組合物的總質量，上述含量係以1質量%以下為較佳，以0.1質量%以下為更佳，以0.05質量%以下為特佳。
以下，說明在B群所包含的陰離子性界面活性劑之種類。
(具有磺酸(鹽)基的化合物)
作為本發明的陰離子性界面活性劑之具有磺酸(鹽)基的化合物，係只要具有磺酸(鹽)基之界面活性劑，就沒有特別限制。又，在本說明書，所謂「磺酸(鹽)基」，係表示磺酸基(-SO2(OH))或其鹽。又，本說明書中，所謂「具有磺酸(鹽)基」，係指化合物具有以磺酸基(-SO2(OH))或其鹽的方式表示的部分構造(-SO2(OM1)；在此M1為有機或無機陽離子)。
作為具有磺酸(鹽)基的化合物，例如能夠使用正十二烷基苯磺酸、月桂基磺酸銨、烷基二苯基醚二磺酸鈉、聚氧伸烷基烷基醚硫酸、聚氧伸烷基烯丙基醚硫酸、聚氧伸烷基烷基苯基醚硫酸、聚氧伸烷基多環苯基醚硫酸、聚氧伸烷基烯丙基苯基醚硫酸等的磺酸鹽等的低分子型界面活性劑、以及高分子型界面活性劑。該等化合物可單獨或組合二種以上而使用。又，本說明書中，所謂「低分子型界面活性劑」，係指其分子量小於1000之化合物。又，該化合物的分子量，係例如能夠使用TOF-MS、LC-MS等習知的質量分析手段而進行。另一方 面，本說明書中，所謂「高分子型界面活性劑」，係指其分子量(重量平均分子量)為1000以上之化合物。重量平均分子量係能夠使用凝膠滲透層析法(GPC)而測定，具體而言係能夠使用在實施例所記載的方法而測定。
從使異物除去效果提升的觀點而言，作具有磺酸(鹽)基的化合物，係以使用高分子型界面活性劑為佳。作為具有磺酸(鹽)基的高分子型界面活性劑(在本說明書中，亦簡稱為「含磺酸基的高分子」)的例子，可舉出將基質的高分子化合物磺化而得到的高分子化合物、使具有磺酸(鹽)基的單體(共)聚合而得到的高分子化合物等。
更具體地，可舉出聚苯乙烯磺酸鈉、聚苯乙烯磺酸銨等含磺酸(鹽)基的聚苯乙烯、含磺酸(鹽)基的聚乙烯醇(磺酸改性聚乙烯醇)、含磺酸(鹽)基的聚乙酸乙烯酯(磺酸改性聚乙酸乙烯酯)、含磺酸(鹽)基的聚酯、含苯乙烯-磺酸(鹽)基的單體之共聚物、含(甲基)丙烯酸-磺酸(鹽)的單體之共聚物、含馬來酸-磺酸(鹽)基的單體之共聚物等。又，在本說明書，在化合物的具體名之記載，「(甲基)丙烯基」係設為表示「丙烯基」及「甲基丙烯基」，「(甲基)丙烯酸酯」係設為表示「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」。
該等高分子所具有之磺酸基的至少一部分亦可為鹽的形態。作為鹽的例子，可舉出鈉鹽等的鹼金屬鹽、鈣鹽等第2族元素的鹽、胺鹽、銨鹽等。特別是研磨完畢的研磨對象物為CMP步驟後的半導體基板時，從盡力地將基板表面的金屬除去之觀點而言，係以胺鹽或銨鹽為佳。
上述之中，為了提升異物的除去性，陰離子性界面活性劑係以含有選自由聚苯乙烯磺酸(含磺酸基的聚苯乙烯)及其鹽、以及含磺酸(鹽)基的聚乙烯醇(磺酸改性聚乙烯醇)所組成群組之至少一種為佳。亦即，選自由B群之陰離子性界面活性劑，係以包含選自由含磺酸(鹽)基的聚苯乙烯及含磺酸(鹽)基的聚乙烯醇所組成群組之至少一種為佳。因為該等的陰離子性界面活性劑係在構造上，磺酸(鹽)基的密度較高，所以容易得到靜電排斥力，其結果，異物除去效果為更提升。從同樣的觀點而言，陰離子性界面活性劑係以含有聚苯乙烯磺酸(含磺酸基的聚苯乙烯)及其鹽為較佳。
在本發明，含磺酸基的高分子之重量平均分子量係以1,000以上為佳。重量平均分子量為1,000以上時，異物除去效果係進一步提高。推測如此的理由，係因為將研磨完畢的研磨對象物和異物覆蓋時的吸附性(被覆性)變為更良好，而且將異物從研磨完畢的研磨對象物表面除去之作用或抑制有機物殘渣再附著在研磨完畢的研磨對象物表面之作用係進一步提升之緣故。從同樣的觀點而言，重量平均分子量係以8,000以上為較佳，以15,000以上為更佳，以50,000以上為特佳。
又，含磺酸基的高分子之重量平均分子量係以300萬以下為佳。重量平均分子量為300萬以下時，異物除去效果係進一步提高。推測如此的理由，係因為洗淨步驟後之含磺酸基的高分子的除去性係變為更良好之緣故。從同樣的觀點而言，重量平均分子量係以200萬以下為較佳，以100萬以下為更佳，以10萬以下為特佳。
上述含磺酸基的高分子，係能夠單獨或組合二種以上而使用。又，含磺酸基的高分子可使用市售品亦可使用合成品。
作為上述市售品，例如能夠使用磺酸改性聚乙烯醇(日本合成化學工業股份公司製、Gohsenex L系列)、含磺酸基的共聚物(東亞合成股份公司製、ARON(註冊商標)A系列)、含磺酸基的共聚物(Akzonobel股份公司製、VERSA(註冊商標、以下相同)系列、NARLEX(註冊商標、以下相同)系列；TOSOH有機化學股份公司製、ST系列、MA系列)、聚苯乙烯磺酸(鹽)(TOSOH有機化學股份公司製、Polynas(註冊商標、以下相同)系列)、聚氧伸烷基烯丙基苯基醚硫酸(鹽)(竹本油脂股份公司製、NEWKALGEN(註冊商標、以下相同)FS-7S)、烷基二苯基醚二磺酸鹽(竹本油脂股份公司製、PIONIN A-43-D、TAKESURF A-43-NQ)等。
(具有硫酸酯(鹽)基的化合物)
作為本發明之陰離子性界面活性劑之具有硫酸酯(鹽)基的化合物，係只要含有硫酸酯(鹽)基之界面活性劑，就沒有特別限制。又，在本說明書，所謂「硫酸酯(鹽)基」、係表示硫酸酯基(-OSO2(OH))或其鹽。又，本說明書中，所謂「具有硫酸酯(鹽)基」，係指化合物具有以硫酸酯基(-OSO2(OH))或其鹽的方式表示之部分構造(-OSO2(OM2)；在此M2為有機或無機陽離子)。
作為具有硫酸酯(鹽)基的化合物，例如可舉出硫酸烷酯鹽、聚氧伸乙基烷基醚硫酸酯鹽、聚氧伸乙基烷基烯丙基苯基醚硫酸酯鹽、聚氧伸烷基烯丙基醚硫酸酯鹽、聚氧伸乙基 烷基苯基醚硫酸酯鹽、聚氧伸乙基多環苯基醚硫酸酯鹽等。該等化合物係能夠單獨或組合二種以上而使用。又，作為鹽的例子，係與上述(具有磺酸(鹽)基的化合物)所記載者同樣。
具有硫酸酯(鹽)基的化合物，可使用市售品亦可使用合成品。作為上述市售品，例如可舉出聚氧伸乙基烷基烯丙基苯基醚硫酸酯鹽(第一工業製藥股份公司製、AQUARON(註冊商標、以下相同)HS-10)、聚氧伸乙基烷基醚硫酸酯鹽(日本乳化劑股份公司製的Newcol(註冊商標、以下相同)1020-SN)、聚氧伸乙基多環苯基醚硫酸酯鹽(日本乳化劑股份公司製的Newcol 707系列)、聚氧伸乙基烯丙醚硫酸酯鹽(日本乳化劑股份公司製的Newcol B4-SN)等。
(具有膦酸(鹽)基之化合物)
作為本發明之陰離子性界面活性劑之具有膦酸(鹽)基之化合物，係只要具有膦酸(鹽)基之界面活性劑，就沒有特別限制。又，在本說明書，所謂「膦酸(鹽)基」，係表示膦酸基(-PO(OH)2)或其鹽。又，本說明書中，所謂「具有膦酸(鹽)基」，係指化合物具有以膦酸基(-PO(OH)2)或其鹽的方式表示之部分構造(-PO(OM3)2或-PO(OH)(OM3)；在此，M3為有機或無機陽離子)。
作為具有膦酸(鹽)基之化合物，例如能夠使用十二烷基膦酸等習知物。該等化合物可單獨或組合二種以上而使用。又，作為鹽的例子，係與上述(具有磺酸酸(鹽)基之化合物)所記載者同樣。
(具有磷酸(鹽)基的化合物)
作為本發明之陰離子性界面活性劑之具有磷酸(鹽)基的化 合物，係只要含有磷酸(鹽)基之界面活性劑，就有特別限制。又，在本說明書，所謂「磷酸(鹽)基」，係表示磷酸基(-OPO(OH)2)或其鹽。又，本說明書中，所謂「具有磷酸(鹽)基」，係指化合物具有以磷酸基(-OPO(OH)2)或其鹽之方式表示之部分構造(-OPO(OM4)2或-OPO(OH)(OM4)；在此，M4為有機或無機陽離子。
作為具有磷酸(鹽)基的化合物，例如能夠使用單烷基磷酸、烷基醚磷酸、聚氧伸乙基烷基醚磷酸、聚氧伸乙基烯丙基苯基醚磷酸、聚氧伸乙基烷基苯基醚磷酸等。該等化合物係能夠單獨或組合二種以上而使用。又，作為鹽的例子，係與上述(具有磺酸(鹽)基的化合物)所記載者同樣。
具有磷酸(鹽)基的化合物可使用市售品亦可使用合成品。作為上述市售品，例如可舉出聚氧伸乙基烷基醚磷酸(日光CHEMICALS股份公司製、NIKKOL(註冊商標、以下相同)DLP、DOP、DDP、TLP、TCP、TOP、TDP的各系列)、聚氧伸乙基烯丙基苯基醚磷酸鹽(竹本油脂股份公司製、磷酸酯(膦酸酯)型系列(NEWKALGEN FS-3AQ、NEWKALGEN FS-3PG等))。
(具有次膦酸(鹽)基的化合物)
作為本發明之陰離子性界面活性劑之具有次膦酸(鹽)基的化合物，係只要含有膦酸(鹽)基之界面活性劑，就沒有特別限制。又，在本說明書，所謂「次膦酸(鹽)基」，係表示次膦酸基(-P(=O)(OH)-或-P(=O)(H)(OH))或其鹽。又，本說明書中，所謂「具有次膦酸(鹽)基」，係指化合物具有次膦酸基 (-P(=O)(OH)-或-P(=O)(H)(OH))或其鹽的方式表示之部分構造(-P(=O)(OM5)-或-P(=O)(H)(OM5)；在此，M5為有機或無機陽離子)。
作為具有次膦酸(鹽)基的化合物，例如可舉出單烷基次膦酸、二烷基次膦酸、雙(聚-2-羧乙基)次膦酸、雙聚(1,2-二羧乙基)次膦酸、雙-聚[2-羧基-(2-羧甲基)乙基]次膦酸、膦基羧酸共聚物等。該等化合物係能夠單獨或組合二種以上而使用。又，作為鹽的例子，係與上述(具有磺酸(鹽)基的化合物)所記載者同樣。
具有次膦酸(鹽)基的化合物可使用市售品亦可使用合成品。作為上述市售品，例如可舉出雙(聚-2-羧乙基)次膦酸(BWA公司製、Belsperse(註冊商標、以下相同)164)、膦基羧酸共聚物(BWA公司製、Belclene(註冊商標、以下相同)400)等。
[A群及B群的化合物之較佳形態]
本發明之表面處理組合物，係含有選自上述A群之水溶性高分子及選自上述B群之陰離子性界面活性劑各自一種以上。此時，作為該水溶性高分子及陰離子性界面活性劑的組合，係以選自水溶性多糖類以及聚乙烯基吡咯烷酮及其衍生物之至少一種、與具有磺酸(鹽)基的化合物之組合為佳，以水溶性多糖類、與具有磺酸(鹽)基的化合物之組合為特佳。藉由以上述組合含有水溶性高分子及陰離子性界面活性劑，異物除去效果係進一步提升。
[分散介質]
本發明之表面處理組合物係含有水作為分散介質(溶劑)。分散介質係具有使各成分分散或溶解之功能。分散介質係以只有水為較佳。又，為了各成分的分散或溶解，分散介質亦可為水與有機溶劑之混合溶劑。此時，作為所使用的有機溶劑，可舉出與水混和的有機溶劑之丙酮、乙腈、乙醇、甲醇、異丙醇、甘油、乙二醇、丙二醇等。又，亦可將該等有機溶劑不與水混合而使用，在將各成分分散或溶解之後，才與水混合。該等有機溶劑係能夠單獨或組合二種以上而使用。
從不阻礙研磨完畢的研磨對象物(洗淨對象物)的污染和其它成分的作用之觀點，水係以盡可能不含有不純物之水為佳。例如以過渡金屬離子的合計含量為100質量PPb以下之水為佳。在此，水的純度係例如能夠藉由使用離子交換樹脂而將不純物離子除去、藉由過濾器而將異物除去、藉由蒸餾等的操作而能夠提高。具體而言，水係例如以使用脫離子水(離子交換水)、純水、超純水、蒸餾水等為佳。
[pH]
本發明的表面處理組合物之pH係沒有特別限制，以4以上且12以下為佳。pH為4以上時，因為能夠更有效地得到上述陰離子性界面活性劑的靜電排斥，所以異物除去效果提升。又，從同樣的觀點而言，pH係以5以上為較佳，以6以上為更佳，以7以上為特佳，以大於7為最佳。
另一方面，pH係以12以下為佳。從使用表面處理組合物時、或使用後的該組合物之處理時的操作容易性之觀點而言，以pH為12以下為較佳。又，從同樣的觀點而言，以 pH為11以下時為較佳。
而且表面處理組合物的pH，係能夠使用pH計量器(股份公司堀場製作所製、製品名：LAQUA(註冊商標、以下相同))來確認。
而且在不阻礙本發明的效果之範圍內，本發明之表面處理組合物係為了將pH調整在上述較佳範圍內之目的，亦可進一步含有pH調整劑及pH緩衝劑。
(PH調整劑)
本發明之表面處理組合物亦可進一步含有pH調整劑。pH調整劑係將表面處理組合物的pH調整成為適當的值。藉此，能夠使異物的除去性提升。
作為pH調整劑，能夠使用習知的酸、鹼、或該等的鹽。能夠使用作為pH調整劑之酸的具體例，例如可舉出鹽酸、硫酸、硝酸、氟酸、硼酸、碳酸、次磷酸、亞磷酸、及磷酸等的無機酸；甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、2-甲基丁酸、正己酸、3,3-二甲基丁酸、2-乙基酪酸、4-甲基戊烷酸、正庚烷酸、2-甲基己酸、正辛酸、2-乙基己酸、苯甲酸、乙醇酸、水楊酸、甘油酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、馬來酸、鄰苯二甲酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸、乳酸、二乙醇酸、2-呋喃羧酸、2,5-呋喃二羧酸、3-呋喃羧酸、2-四氫呋喃羧酸、甲氧基乙酸、甲氧基苯基乙酸、及苯氧基乙酸等的有機酸。該等之中，pH調整劑係以琥珀酸、馬來酸、檸檬酸、酒石酸、蘋果酸、及衣康酸等的多元羧酸或該等的鹽為佳。如此的酸，係能夠透過複數個羰基對異物(微粒等)而配 位。其結果，藉由鉗合效果，異物分散在表面處理組合物中變為容易且除去效果進一步提升。
能夠使用作為pH調整劑之鹼，可舉出乙醇胺、2-胺基-2-乙基-1,3-丙二醇等的脂肪族胺、芳香族胺等的胺、氫氧化第四銨等的有機鹼、氫氧化鉀等金屬的氫氧化物、鹼土金屬的氫氧化物、氫氧化四甲基銨、及氨等。
上述pH調整劑係能夠單獨或混合二種以上而使用。
又，或者亦可與前述酸組合而將前述酸的銨鹽、鈉鹽、鉀鹽等鹼金屬鹽的鹽代替前述酸使用作為pH調整劑。特別是設為將弱酸與強鹼、強酸與弱鹼、或弱酸與弱鹼的組合時，能夠期待pH的緩衝作用。如此的情況，pH調整劑亦能夠兼作pH緩衝劑。亦即，含有具有pH緩衝作用的pH調整劑之表面處理組合物，係相當於含有pH緩衝劑之表面處理組合物。
尤其是考慮調製表面處理組合物時的操作性時，係以弱酸與弱鹼之組合為佳。作為此種例子，例如可舉出選自上述琥珀酸、馬來酸、檸檬酸等的多元羧酸之弱酸、與選自氨、脂肪族胺、芳香族胺等的胺等之弱鹼之組合。
pH調整劑的添加量係沒有特別限制，以研磨用組合物成為所需要的pH之方式適當地添加即可。
(pH緩衝劑)
本發明之表面處理組合物，係以進一步含有pH緩衝劑為佳。pH緩衝劑係將表面處理組合物的pH維持一定，藉此，在進行表面處理(較佳為沖洗研磨)時可抑制表面處理組成物的 pH產生變動。藉此，不會使異物除去性低落，而能夠在維持適合的pH之狀態下，進行研磨完畢的研磨對象物表面處理。
pH緩衝劑係只要能夠在所需要的pH範圍內抑制pH產生變動，就沒有特別限制。作為在本發明能夠適合使用之pH緩衝劑的例子，例如可舉出弱酸與共軛鹼的組合、弱鹼與共軛酸的組合、及在一分子內具有酸及鹼的構造且作為緩衝劑的功能之化合物。以下，針對該等進行說明。
《弱酸與共軛鹼之組合》
弱酸及共軛鹼係各自沒有特別限制且可例示如以下。
作為弱酸，係能夠使用含胺基的化合物且作為弱酸的作用者(牛磺酸、天冬醯胺酸、亞胺基二乙酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、氰基三乙酸(NTA)、羥乙基乙二胺四乙酸、羥乙基亞胺基二乙酸、二羥乙基甘胺酸、1,3-丙二胺四乙酸、1,3-二胺基-2-羥基丙烷四乙酸、N-參(羥甲基)甲基-2-胺基乙磺酸等)；羧酸(檸檬酸、甲酸、葡糖酸、乳酸、草酸、酒石酸、鄰苯二甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、2-甲基丁、正己酸、3,3-二甲基丁酸、2-乙基丁酸、4-甲基戊烷酸、正庚烷酸、2-甲基己酸、正辛烷酸、2-乙基己酸、苯甲酸、乙醇酸、衣康酸、馬來酸、己二酸、庚二酸、琥珀酸、戊二酸、蘋果酸、丙二酸、鄰苯二甲酸、柳酸、甘油酸、草酸、二乙醇酸、2-呋喃羧酸、2,5-呋喃二羧酸、3-呋喃羧酸、2-四氫呋喃羧酸、甲氧基乙酸、甲氧基苯基乙酸、及苯氧基乙酸等)；無機酸(磷酸、次磷酸、亞磷酸、硼酸等)；膦酸(二伸乙三胺五亞甲基膦酸、胺基三亞甲基膦酸、2-膦酸基丁烷-1,2,4-三羧酸、1-羥基亞乙基-1,1,二 膦酸等)；有機磺酸2-羥乙磺酸(isethionic acid)等)；碳酸等。
作為共軛鹼，係所使用的弱酸之共軛鹼即可。例如能夠使用氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀等鹼金屬的氫氧化物；其它的鉀鹽、鈉鹽、鋰鹽等的鹼金屬鹽；銨鹽；胺鹽；符合在下述《弱鹼與共軛酸的組合》所記載的弱鹼之化合物等。而且依存於選自上述之弱酸的種類，因為相較於該弱酸，pKa為較大的弱酸亦具有作為共軛鹼之舉動，所以能夠使用作為共軛鹼。
《弱鹼與共軛酸的組合》
弱鹼及共軛酸係各自沒有特別限制，可例示如以下。
作為弱鹼，係能夠使用胺醇(二乙基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、三羥甲基胺基甲烷、D-還原葡萄糖胺(D-glucamine)、N-甲基-D-還原葡萄糖胺、乙醯基葡萄糖胺、乙醇胺、2-胺基-2-乙基-1,3-丙二醇、異丙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、二甘醇胺等)；脂肪族胺(甲胺、乙胺、丙胺、正丁胺、第二丁胺、第三丁胺、環己胺等的脂肪族第1級胺、二甲胺、二乙胺、二丙胺、二丁胺、二異丁胺、二-第二丁胺、二-第三丁胺等的脂肪族第2級胺、三甲胺、三乙胺、三丙胺、三丁胺等的脂肪族第3級胺等)、芳香族胺(苄胺、苯胺、二苯胺等)、環式胺(吡啶、哌嗪等)等的胺化合物；銨化合物(氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙銨、氫氧化四丙銨等的第4級銨化合物、氫氧化銨等)等。
作為共軛酸，能夠使用鹽酸；硫酸；硝酸；磷酸；羧酸；符合在上述《弱酸與共軛鹼之組合》所記載的弱酸之化 合物等。又，依存於選自上述之弱鹼的種類，因為相較於該弱鹼，pKa為較小的弱鹼，亦具有共軛酸的舉動，所以能夠使用作為共軛酸。
《在一分子內具有酸及鹼的構造且作為緩衝劑的功能之化合物》
作為在一分子內具有酸及鹼的構造且作為緩衝劑的功能之化合物，係沒有特別限制，可例示如以下。作為如此的化合物，能夠使用胺基酸且作為酸的作用較弱者(羥基脯胺酸、蘇胺酸、絲胺酸、甘胺酸、甘胺醯甘胺酸、α-胺基丁酸、β-胺基丁酸、纈胺酸、半胱胺酸、甲醯胺酸、異白胺酸、白胺酸、酪胺酸、苯基丙胺酸、β-丙胺酸等)；其它含胺基的化合物且作為酸的作用較弱者(三羥甲基胺基甲烷、1,3-雙[參(羥甲基)甲基胺基]丙烷等)等。
上述pH緩衝劑可單獨或組合二種以上而使用。
尤其是考慮pH緩衝性、取得容易性、異物的除去性等時，pH緩衝劑係以選自由磷酸、琥珀酸、酒石酸、衣康酸、檸檬酸、馬來酸、蘋果酸、亞胺基二乙酸以及該等鉀鹽、銨鹽及胺鹽；三羥甲基胺基甲烷、2-胺基-2-乙基-1,3-丙二醇、二甘醇胺以及該等的磷酸鹽及羧酸鹽所組成群組之至少一種為佳。
又，從進一步提升異物的除去性的觀點而言，pH緩衝劑係以含有選自由檸檬酸、馬來酸、蘋果酸、亞胺基二乙酸以及該等的銨鹽及胺鹽；三羥甲基胺基甲烷、2-胺基-2-乙基-1,3-丙二醇、二甘醇胺及該等的羧酸鹽所組成群組之至少一種 為佳。而且，從提升異物的除去性的觀點而言，pH緩衝劑係以含有多元羧酸或其鹽為佳。此種酸或其鹽係能夠透過複數個羰基對異物(微粒等)而配位。其結果，藉由鉗合效果，異物分散在表面處理組合物中變為容易且除去效果進一步提升。而且，從提升異物的除去性的觀點而言，pH緩衝劑係以含有選自由檸檬酸、馬來酸、蘋果酸、亞胺基二乙酸以及該等的銨鹽及胺鹽所組成群組之至少一種為佳。而且從同樣的觀點而言，pH緩衝劑係以含有檸檬酸氫二銨或亞胺基二乙酸為佳。
pH緩衝劑的含量(含有二種以上時為合計量。以下相同)係沒有特別限制，相對於表面處理組合物的總質量，以0.01質量以上為佳。pH緩衝劑含量為0.01質量%以上時，異物除去效果為進一步提升。推測如此的理由，係因為藉由容易將表面處理組合物的pH維持為一定，而不會使異物除去效果低落之緣故。從同樣的觀點而言，相對於表面處理組合物的總質量，pH緩衝劑含量係以0.02質量%以上為較佳。又，相對於表面處理組合物的總質量，pH緩衝劑含量係以5質量%以下為佳。從削減成本的觀點而言，pH緩衝劑含量係以5質量%以下為較佳。從同樣的觀點而言，相對於表面處理組合物的總質量，pH緩衝劑含量係以3質量%以下為較佳，以1質量%以下為更佳，以小於1質量%為特佳。
[其它添加劑]
本發明之表面處理組合物，係在不阻礙本發明的效果之範圍內，亦可按照必要而以任意的比率含有其它添加劑。但是，因為本發明的表面處理組合物之必要成分以外的成分，可能成 為異物的原因，所以盡可能不添加為較佳。因此，必要成分以外的成分，其添加量以盡可能較少為佳，以不含有為較佳。作為其它的添加劑，例如可舉出研磨粒、防腐劑、溶解氣體、還原劑及氧化劑等。尤其是為了進一步提升異物除去效果，表面處理組合物係以實質上不含有研磨粒為佳。在此，所謂「實質上不含有研磨粒」，係指相對於表面處理組合物全體，研磨粒的含量為0.01質量%以下之情況。
<表面處理組合物的製造方法>
上述表面處理組合物的製造方法係沒有特別限制。例如能夠藉由將選自上述A群之至少一種水溶性高分子、選自上述B之至少一種陰離子性界面活性劑、及水混合而調製。亦即，依照本發明的其它形態，亦提供一種上述的表面處理組合物之製造方法，其包含將選自上述A群之至少一種水溶性高分子、選自上述B之至少一種陰離子性界面活性劑、及水混合。上述水溶性高分子及陰離子性界面活性劑的種類、添加量等係如前述。而且，在本發明的一形態之表面處理組合物的製造方法，係按照必要亦可混合pH調整劑、pH緩衝劑、其它的添加劑、及水以外的分散介質。該等的種類、添加量等係如前述。
上述各成分的添加順序、添加方法係沒有特別限制。可將上述各材料整批或各別階段地或連續地添加。又，混合方法亦沒有特別限制能夠使用習知的方法。較佳是上述表面處理組合物的製造方法，係包含將選自上述A群之至少一種水溶性高分子、選自上述B之至少一種陰離子性界面活性劑、按照必要而添加之pH調整劑、pH緩衝劑或其它添加劑，依次添 加且在水中攪拌。並且，上述表面處理組合物的製造方法，亦可進一步包含以pH成為4以上且12以下的方式測定表面處理組合物的pH且進行調整。
<研磨完畢的研磨對象物>
本發明的一形態之表面處理組合物，係能夠有效地將各種殘留在研磨完畢的研磨對象物表面之異物除去。此時，研磨完畢的研磨對象物(較佳為「沖洗研磨對象物」)係沒有特別限制。又，在本說明書，所謂研磨完畢的研磨對象物，係意味著在研磨步驟之被研磨後的研磨對象物。作為研磨步驟，係沒有特別是限制，以CMP步驟為佳。
研磨完畢的研磨對象物係以研磨完畢的半導體基板為佳，以CMP後的半導體基板為較佳。如此的理由，係特別是因為有機物殘渣可能成為半導體裝置破壞的原因，就半導體基板的洗淨步驟而言，必須能夠盡可能將包含有機物殘渣之異物除去之緣故。
尤其是上述表面處理組合物，係能夠適合使用在含矽材料的沖洗研磨。特別是本發明之表面處理組合物，能夠有效地減低殘留在包含氮化矽、氧化矽或多晶矽之研磨完畢的研磨對象物表面之異物。
在此，從本發明的達成效果之觀點而言，本發明之表面處理組合物，係以使用在減低含有多晶矽之研磨完畢的研磨對象物表面之有機物殘渣為佳。亦即，上述含矽材料係以含有多晶矽為佳。如此的理由係因為相較於其它的含矽材料(氮化矽膜、氧化矽膜)，多晶含矽材料(多晶矽膜)係特別地具 有較高的疏水性，藉由水溶性高分子等而容易賦予親水性，結果，洗淨效果的提升效果更顯著之緣故。
<表面處理方法>
本發明的一形態之表面處理組合物，能夠適合使用在表面處理。亦即，依照本發明的其它形態，亦提供一種表面處理方法，包含用上述表面處理組合物而將研磨完畢的研磨對象物進行表面處理。在本說明書，所謂表面處理方法，係指減低在研磨完畢的研磨對象物表面之異物方法且為進行廣義的洗淨之方法。
依照本發明的一形態之表面處理方法，能夠將殘留在研磨完畢的研磨對象物表面的微粒及有機物殘渣之異物有效率地除去。亦即，依照本發明的其它一形態，亦提供一種減低在研磨完畢的研磨對象物表面的異物之方法，係使用上述表面處理組合物而將研磨完畢的研磨對象物進行表面處理。
本發明的一形態之表面處理方法，係使用使上述表面處理組合物直接接觸研磨完畢的研磨對象之方法來進行。
作為表面處理方法，主要可舉出(I)藉由沖洗研磨處理之方法、及(II)藉由洗淨處理之方法。亦即本發明的一形態之表面處理，係以藉由沖洗研磨或洗淨而進行為佳。沖洗研磨處理及洗淨處理，係為了將研磨完畢的研磨對象物表面上之異物(微粒、金屬污染、有機物殘渣、墊片屑等)除去而得到清淨的表面而實施。上述(I)及(II)係如以下說明。
(I)沖洗研磨處理
本發明之表面處理組合物，能夠適合使用在沖洗研磨處 理。亦即，作為本發明的較佳形態，係提供一種使用上述表面處理組合物而進行沖洗研磨處理之沖洗研磨方法。本發明的另外其它一形態，係一種使用上述表面處理組合物而將含有多晶矽之研磨完畢的研磨對象物進行沖洗研磨處理之沖洗研磨方法。
沖洗研磨處理之目的，係針對研磨對象進行最後研磨(精加工研磨)之後，在安裝有研磨墊之研磨轉盤(platen)上進行將研磨對象物表面上之異物除去。此時，係藉由使研磨完畢的研磨對象物直接接觸上述表面處理組合物(沖洗用組合物)來進行沖洗研磨處理。其結果，研磨完畢的研磨對象物表面之異物，係藉由研磨墊所產生的摩擦力(物理作用)及表面處理組合物所產生的化學作用而被除去。異物之中，特別是微粒和有機物殘渣係容易藉由物理作用而被除去。因而，在沖洗研磨處理係藉由在研磨轉盤(platen)上利用與研磨墊的摩擦而能夠有效地將微粒和有機物殘渣除去。
具體而言，沖洗研磨處理係能夠藉由將研磨步驟後之研磨完畢的研磨對象物表面設置在研磨裝置的研磨轉盤(platen)上，而且使研磨墊與研磨完畢的半導體基板接觸，邊將表面處理組合物供給至該接觸部分邊使研磨完畢的研磨對象物與研磨墊相對滑動來進行。
沖洗研磨處理，係能夠使用單面研磨裝置、雙面研磨裝置的任一者來進行。又，上述研磨裝置係除了研磨用組合物的吐出噴嘴以外，較佳是具備表面處理組合物的吐出噴嘴。研磨裝置的沖洗研磨處理時之運轉條件係沒有特別限制， 只要是該技術領域具有通常知識者，就能夠適當地設定。
進行上述沖洗研磨處理之後，亦可進一步進行洗淨處理。藉由洗淨處理，能夠將研磨完畢的研磨對象物表面上之異物進一步除去。作為洗淨方法，係沒有特別限制，能夠使用習知的手法。
(II)洗淨處理
本發明之表面處理組合物，可使用在洗淨處理。洗淨處理之目的，係在研磨對象進行最後研磨(精加工研磨)之後、或進行上述沖洗研磨處理之後，將研磨對象物表面上的異物除去而進行。又，洗淨處理與上述沖洗研磨處理，係能夠依照進行該等處理之場所而分類，洗淨處理係將研磨完畢的研磨對象物從研磨轉盤(platen)上卸下之後而進行之表面處理。在洗淨處理，亦是使本發明之表面處理組合物直接接觸研磨完畢的研磨對象，而能夠將該對象物表面上的異物除去。
作為進行洗淨處理之方法，係例如可舉出(i)在保持研磨完畢的研磨對象物之狀態下，使洗淨刷子接觸研磨完畢的研磨對象物的單面或雙面，邊將表面處理組合物供給至該接觸部分邊使用洗淨刷子擦拭洗淨對象物表面之方法；及(ii)邊使研磨完畢的研磨對象物浸漬在表面處理組合物中，來進行超音波處理和攪拌之方法(浸漬式)等。在此種方法，係能夠藉由洗淨刷子所產生的摩擦力或超音波處理和攪拌所產生的機械力、及表面處理組合物所產生的化學作用而將研磨對象物表面的異物除去。
在上述(i)的方法，作為接觸表面處理組合物(洗淨 用組合物)之研磨完畢的研磨對象物之方法，係沒有特別限定，例如可舉出使表面處理組合物邊從噴嘴流動至研磨完畢的研磨對象物上邊使研磨完畢的研磨對象物高速旋轉之旋轉式；及將表面處理組合物進行噴霧在研磨完畢的研磨對象物之噴霧式等。
就能夠在短時間效率地除去污染而言，洗淨處理係以採用旋轉式和噴霧式為佳，以旋轉式為較佳。
作為用以進行此種洗淨處理之裝置，例如可舉出將被收容在盒中之複數片研磨完畢的研磨對象物同時進行表面處理之批次式洗淨裝置；及將1片研磨完畢的研磨對象物安裝在保持器而進行表面處理之單片式洗淨裝置等。該等之中，從縮短洗淨時間等的觀點而言，係以使用單片式洗淨裝置之方法為佳。
而且，作為用以進行洗淨處理之裝置，例如可舉出一種研磨裝置，其在將研磨完畢的研磨對象物從研磨轉盤(platen)卸下之後，具備使用洗淨刷子將該對象物擦拭之洗淨用設備。藉由使用此種研磨裝置，能夠效率更良好地進行研磨完畢的研磨對象物之洗淨處理。
作為如此的研磨裝置，能夠使用一般的研磨裝置，其具備：保持研磨完畢的研磨對象物之保持器；能夠變更轉數之馬達；及洗淨刷子等。作為研磨裝置，可使用一面研磨裝置或雙面研磨裝置之任一種。又，CMP步驟之後，進行沖洗研磨步驟時，該洗淨處理係使用與在沖洗研磨步驟所使用的研磨裝置同樣的裝置而進行，因為更具有效率而較佳。
作為洗淨刷子，係沒有特別限制，較佳是使用樹脂製刷子。樹脂製刷子的材質係沒有特別限制，例如使用PVA(聚乙烯醇)為佳。而且，作為洗淨刷子，係以使用PVA製海綿為特佳。
作為洗淨條件，係沒有特別限制，能夠按照洗淨對象物的種類、以及除去對象的有機物殘渣之種類及量而適當地設定。將表面處理組合物供給至研磨墊之方法亦沒有特別限制，例如能夠採用藉由幫浦等而連續地供給之方法(澆注)。該供給量係沒有限制，以洗淨刷子及洗淨對象物表面經常被表面處理組合物覆蓋為佳，以10mL/分鐘以上且5000mL/分鐘以下為佳。洗淨時間亦沒有特別限制，針對本發明的一形態之使用表面處理組合物之步驟，係以5秒鐘以上且180秒鐘以下為佳。此種範圍時，能夠更有效地將異物除去。洗淨時之表面處理組合物的溫度係沒有特別限制，通常可為室溫，在不損害性能的範圍內，亦可加溫至40℃以上且70℃以下左右。
在上述(ii)的方法，針對藉由浸漬之洗淨方法的條件下，係沒有特別限制，能夠使用習知的手法。
在使用上述(i)、(ii)的方法進行洗淨處理之前、後或其雙方，亦可進行使用水之洗淨。
又，洗淨後的研磨完畢的研磨對象物(洗淨對象物)，較佳是藉由旋轉乾燥機等將附在表面之水滴拂掉而使其乾燥。又，亦可藉由送風乾燥而使洗淨對象物表面乾燥。
<半導體基板的製造方法>
本發明的一形態之表面處理方法，研磨完畢的研磨對象物 為研磨完畢的半導體基板時，能夠適合地應用。亦即依照本發明的進一步其它形態，亦能夠藉由一種半導體基板的製造方法，其研磨完畢的研磨對象物為研磨完畢的半導體基板，包含使用上述表面處理組合物將該研磨完畢的半導體基板進行表面處理。作為更佳的形態，亦能夠提供一種半導體基板的製造方法，係包含使用上述表面處理組合物將研磨完畢的半導體基板進行沖洗研磨處理。
針對應用此種製造方法之半導體基板的節，係如上述被表面處理組合物進行表面處理之研磨完畢的研磨對象物之說明。
又，作為半導體基板的製造方法，係只要是包含使用本發明之表面處理組合物將研磨完畢的半導體基板表面進行表面處理之步驟(表面處理步驟；沖洗研磨步驟、洗淨步驟)，就沒有特別限制。作為此種製造方法，例如可舉出包含用以形成研磨完畢的半導體基板之研磨步驟及表面處理步驟之方法；較佳是包含用以形成研磨完畢的半導體基板之研磨步驟及沖洗研磨步驟之方法。又，作為其它的一個例子，可舉出除了研磨步驟及沖洗研磨步驟以外，在沖洗研磨步驟之後，亦具有洗淨步驟之方法。以下，說明該等的各步驟。
[研磨步驟]
被包含在半導體基板的製造方法之研磨步驟，係將半導體基板研磨而形成研磨完畢的半導體基板之步驟。
研磨步驟係只要是研磨半導體基板之步驟，就沒有特別限制，以化學的機械研磨(Chemical Mechanical Polishing；CMP)步驟為佳。又，研磨步驟可為由單一步驟所構成之研磨步驟，亦可為由複數個步驟所構成之研磨步驟。
作為研磨用組合物，係能夠按照半導體基板的特性而適當地使用習知的研磨用組合物。作為研磨用組合物，係沒有特別限制，例如能夠適合使用含有研磨粒、酸鹽、分散介質、及酸之物等。作為此種研磨用組合物的具體例，能夠舉出含有磺酸改性膠態氧化矽、硫酸銨、水及馬來酸之研磨用組合物等。
作為研磨裝置，係安裝有保持研磨對象物之保持器、及能夠變更轉數的馬達等，能夠使用具有能夠貼附研磨墊(研磨布)的研磨轉盤之一般的研磨裝置。作為研磨裝置，可使用單面研磨裝置或雙面研磨裝置的任一種。
作為研磨墊，係沒有特別限制而能夠使用一般的不織布、聚氨酯、及多孔質氟樹脂等。以對研磨墊施行能夠積存研磨液的溝加工為佳。
研磨條件亦沒有特別限制、例如研磨轉盤的轉數、研磨頭(載體)轉數係以10rpm以上且100rpm以下為佳。對研磨對象物所施加的壓力(研磨壓力)，係以0.5psi以上且10psi以下為佳。將研磨用組合物供給至研磨墊之方法亦沒有特別限制，例如能夠採用藉由幫浦等而連續地供給之方法(澆注)。該供給量係沒有限制，以研磨墊的表面經常被研磨用組合物覆蓋為佳，以10mL/分鐘以上且5000mL/分鐘以下為佳。研磨時間亦沒有特別限制，針對使用研磨用組合物之步驟，係以5秒鐘以上且180秒鐘以下為佳。
[表面處理步驟]
所謂表面處理步驟，係指在半導體基板的製造方法，減低在研磨完畢的研磨對象物表面的異物之步驟。在表面處理步驟，可進行沖洗研磨步驟及洗淨步驟之雙方，亦可只有進行沖洗研磨步驟、或只有進行洗淨步驟。
本發明之表面處理組合物，係能夠適合使用在表面處理步驟。亦即，表面處理步驟係以使用本發明之表面處理組合物，而減低在研磨完畢的研磨對象物表面的異物之步驟為佳。因此，在表面處理步驟，可使用本發明之表面處理組合物而進行沖洗研磨步驟及洗淨步驟；亦可在沖洗研磨步驟之後，使用本發明表面處理組合物進行洗淨步驟，作為表面處理步驟；亦可使用本發明之表面處理組合物，而只有進行沖洗研磨步驟或只有進行洗淨步驟。
(沖洗研磨步驟)
在半導體基板的製造方法，係在研磨步驟之後進行沖洗研磨步驟。沖洗研磨步驟係依照本發明的一形態之表面處理方法(沖洗研磨方法)，而減低在研磨完畢的研磨對象物(研磨完畢的半導體基板)表面的異物之步驟。
針對研磨裝置及研磨墊等的裝置、以及研磨條件，除了供給本發明的表面處理組合物代替供給研磨用組合物以外，係能夠應用與上述研磨步驟同樣的裝置及條件。
在沖洗研磨步驟所使用的沖洗研磨方法之細節，係如在上述沖洗研磨處理之說明所記載。
(洗淨步驟)
在半導體基板的製造方法，洗淨步驟可設置在研磨步驟之後，亦可設置在沖洗研磨步驟之後。在洗淨步驟所使用的洗淨方法係沒有特別限制，能夠使用習知的手法。洗淨步驟係依照本發明的一形態之表面處理方法(洗淨方法)，而減低在研磨完畢的研磨對象物(研磨完畢的半導體基板)表面的異物之步驟。
在洗淨步驟所使用的洗淨方法之細節，係如在上述洗淨方法的說明所記載。
[實施例]
使用以下的實施例及比較例而更詳細地說明本發明。但是，本發明的技術範圍係不被以下的實施例限制。又，只要沒有特別記載，「%」及「份」係各自意味著「質量%」及「質量份」。
<重量平均分子量的測定>
各物質的重量平均分子量(Mw)，係使用藉由凝膠滲透層析法(GPC)而測定的重量平均分子量(聚乙二醇換算)之值。重量平均分子量係依照下述的裝置及條件而測定。
GPC裝置：股份公司島津製作所製
型式：Prominence+ELSD檢測器(ELSD-LTII)
管柱：VP-ODS(股份公司島津製作所製)
移動相A：MeOH
B：乙酸1%水溶液
流量：1mL/分鐘
檢測器：ELSD temp.40℃、Gain 8、N2GAS 350kPa
烘箱溫度：40℃
注入量：40μL。
<表面處理組合物(沖洗用組合物)的調製>
[實施例1：表面處理組合物A-1的調製]
藉由將0.0166質量份之作為水溶性高分子的羥乙基纖維素(重量平均分子量1,200,000)、0.015質量份之作為陰離子性界面活性劑的聚苯乙烯磺酸鈉(重量平均分子量20,000)、0.025質量份之作為pH緩衝劑的檸檬酸氫二銨、適當量(亦即，成為pH=8.5之量)之作為pH調整劑的檸檬酸及氨、以及水(脫離子水)，以合計成為100質量份之量進行混合來調製表面處理組合物A-1。針對表面處理組合物A-1(液溫：25℃)，使用pH計量器(股份公司堀場製作所製、製品名：LAQUA)而確認的pH為8.5。
[實施例2~3：表面處理組合物A-2~A-3的調製]
在實施例1，除了將水溶性高分子如以下變更且將添加量(固體成分換算)變更成為如表1-1所記載之值以外，係同樣地進行而各自調製表面處理組合物A-2~A-3；
．實施例2：羥乙基纖維素(重量平均分子量130,000)
．實施例3：羥乙基纖維素(重量平均分子量1,800,000)。
[實施例4~5：表面處理組合物A-4~A-5的調製]
在實施例1，除了將水溶性高分子的添加量(固體成分換算)變更成為如表1-1所記載之值以外，係同樣地進行而各自調製表面處理組合物A-4~A-5。
[實施例6~13：表面處理組合物A-6~A-13的調製]
在實施例1，除了將水溶性高分子如以下變更且將添加量 (固體成分換算)變更成為如表1-1所記載之值以外，係同樣地進行而各自調製表面處理組合物A-6~A-13；
．實施例6：聚乙烯醇(重量平均分子量10,000；皂化度約95%)
．實施例7：聚乙烯醇(重量平均分子量100,000；皂化度約95%)及聚乙烯醇(重量平均分子量400,000；皂化度約95%)
．實施例8：含親水性．親醇性基(環氧乙烷基等)的聚乙烯醇(日本合成化學工業股份公司製、製品名Gohsenex LW-100；重量平均分子量1,000以上；皂化度約43%)
．實施例9：含乙醯乙醯基(acetoacetyl group)的聚乙烯醇(日本合成化學工業股份公司製、製品名Gohsenex Z-100；重量平均分子量1,000以上；皂化度98.5%以上)
．實施例10：含環氧乙烷基的聚乙烯醇(日本合成化學工業股份公司製、製品名Gohsenex WO-320N；重量平均分子量1,000以上；皂化度98.5%以上)
．實施例11：丁二醇．乙烯醇共聚物(日本合成化學工業股份公司製、製品名Nichigo G-Polymer AZF8035W；重量平均分子量1,000以上；皂化度95%以上)
．實施例12：聚乙烯基吡咯烷酮(第一工業製藥股份公司製、製品名Pitzcol K-30A；重量平均分子量40,000)
實施例13：聚乙烯基吡咯烷酮．聚乙烯醇共聚物(第一工業製藥股份公司製、製品名Pitzcol V-7154；重量平均分子量1,000以上)
又，實施例6及7之陰離子性界面活性劑的添加量(固體 成分換算)，亦變更成為如表1-1所記載之值。
[實施例14~16：表面處理組合物A-14~A-16的調製]
在實施例1，除了將陰離子性界面活性劑變更如以下以外，係同樣地進行而各自調製表面處理組合物A-14~A-16；
．實施例14：聚苯乙烯磺酸鈉(重量平均分子量3,000)
．實施例15：聚苯乙烯磺酸鈉(重量平均分子量1,000,000)
．實施例16：聚苯乙烯磺酸鈉(重量平均分子量75,000)。
[實施例17~18：表面處理組合物A-17~A-18的調製]
在實施例1，除了將陰離子性界面活性劑的添加量(固體成分換算)以成為表1-2所記載的值之方式變更外，係同樣地進行而各自調製表面處理組合物A-17~A-18。
[實施例19~29：表面處理組合物A-19~A-29的調製]
在實施例1，除了將陰離子性界面活性劑變更如以下且將添加量(固體成分換算)以成為表1-2所記載的值之方式變更外，係同樣地進行而各自調製表面處理組合物A-19~A-29。
．實施例19：聚苯乙烯磺酸鈉-聚苯乙烯共聚物(5：5)(重量平均分子量19,000)
．實施例20：聚苯乙烯磺酸鈉-甲基丙烯酸共聚物(8：2)(重量平均分子量3,400)
．實施例21：聚苯乙烯磺酸鈉-聚馬來酸共聚物(75：25)(重量平均分子量20,000)
．實施例22：含磺酸基的聚乙烯醇(重量平均分子量20,000)
．實施例23：正十二烷基苯磺酸(分子量326)
．實施例24：烷基二苯基醚二磺酸銨鹽(竹本油脂股份公司製、製品名TAKESURF A-43-NQ；重量平均分子量小於1,000)
．實施例25：聚氧伸烷基烯丙基苯基醚硫酸鈉(竹本油脂股份公司製、製品名NEWKALGEN FS-7S；重量平均分子量小於1,000)
．實施例26：聚氧伸乙基烷基(12-15)醚磷酸(日光CHEMICALS股份公司製、製品名NIKKOL DDP-6；重量平均分子量小於1,000)
．實施例27：聚氧伸乙基烯丙基苯基醚磷酸胺鹽(竹本油脂股份公司製、製品名NEWKALGEN FS-3AQ；重量平均分子量小於1,000)
．實施例28：雙(聚-2-羧乙基)次膦酸(BWA公司製、製品名Belsperse 164；重量平均分子量小於1,000)
．實施例29：膦基羧酸共聚物(BWA公司製、製品名Belclene 400；重量平均分子量1,000以上)。
[實施例30：表面處理組合物A-30的調製]
在實施例1，除了不添加pH緩衝劑以外，係同樣地進行而調製表面處理組合物A-30。
[實施例31~34：表面處理組合物A-31~A-34的調製]
在實施例1，除了將pH緩衝劑及pH調整劑以及該等的添加量(固體成分換算)，以成為表1-3所記載的值之方式變更以 外，同樣地進行而各自調製表面處理組合物A-31~A-34。
[比較例1：表面處理組合物C-1的調製]
在實施例1，除了將陰離子性界面活性劑變更成為聚丙烯酸，將其添加量(固體成分換算)以成為表1-3所記載的值之方式變更以外，係同樣地進行而調製表面處理組合物C-1。
[比較例2：表面處理組合物C-2的調製]
在實施例1，除了不添加陰離子性界面活性劑以外，係同樣地進行而調製表面處理組合物C-2。
[比較例3：表面處理組合物C-3的調製]
在實施例1，除了不添加陰離子性界面活性劑及pH緩衝劑以外，同樣地進行而調製表面處理組合物C-3。
[比較例4：表面處理組合物C-4的調製]
在實施例1，除了不添加水溶性高分子以外，係同樣地進行而調製表面處理組合物C-4。
[實施例35~37：表面處理組合物A-35~A-37的調製]
在實施例1，除了以表面處理組合物的pH成為6.0、7.5及10.2的方式添加pH調整劑以外，係同樣地進行而各自調製表面處理組合物A-35~A-37。
[比較例5~7：表面處理組合物C-5~C-7的調製]
在實施例1，除了不添加陰離子性界面活性劑，以表面處理組合物的pH成為6.0、7.5及10.0的方式添加pH調整劑以外，係同樣地進行而各自調製表面處理組合物C-5~C-7。
<評價>
[異物數的評價]
(研磨完畢的研磨對象物(沖洗研磨對象物)之準備)
將藉由下述化學機械研磨(CMP)步驟而被研磨後之研磨完畢的多晶矽基板，準備作為研磨完畢的研磨對象物。
《CMP步驟》
針對多晶矽基板，係使用研磨用組合物M(組成；磺酸改性膠態氧化矽(係使用在“Sulfonic acid-functionalized silica through quantitative oxidation of thiol groups(經由硫醇基定量氧化之磺酸官能基化氧化物)”,Chem.Commun(化學通訊).246-247(2003年)所記載的方法製造、一次粒徑30nm、二次粒徑60nm)3質量%、聚乙二醇(分子量400)0.1質量%、溶劑：水、以60%硝酸調整成為pH=2)，而且各自在下述的條件下進行研磨。
-研磨裝置及研磨條件-
研磨對象物：200mm多晶矽晶圓
研磨裝置：200mm晶圓用單面研磨裝置
研磨墊：發泡聚氨酯製墊片(硬度90)
研磨壓力：2.3psi(1psi=6894.76Pa、以下同樣)
研磨轉盤轉數：93rpm
研磨用組合物的供給：澆注
組合物的供給量：100mL/分鐘
研磨頭轉數：87rpm
研磨時間：60秒鐘。
《沖洗研磨步驟》
接著上述CMP步驟，對在該步驟被研磨後的多晶矽基板，使用前述所調製的各表面處理組合物(沖洗用組合物)而進行沖洗研磨處理。
-沖洗研磨裝置及沖洗研磨條件-
沖洗研磨裝置：200mm晶圓用單面研磨裝置
研磨墊：發泡聚氨酯製墊片(硬度90)
研磨壓力：1.5psi
研磨轉盤轉數：88rpm
表面處理組合物(沖洗用組合物)的供給：澆注
表面處理組合物(沖洗用組合物)的供給量：100mL/分鐘
研磨頭轉數：85rpm
沖洗研磨時間：10秒鐘。
《洗淨步驟》
接著上述沖洗研磨步驟，對沖洗研磨後的多晶矽基板，邊將水澆淋在晶圓邊使用PVA海綿施加壓力邊摩擦60秒鐘。
《異物數的測定》
針對在上述洗淨步驟被洗淨後的各多晶矽基板，依照以下的程序而測定異物數(微粒及有機物殘渣)。
首先，測定0.13μm以上的異物數(個)。異物數的測定係使用KLA TENCOR公司製SP-2。測定，係針對除了各基板的單面之從外周端部起至寬度5mm為止的部分以外之剩餘的部分進行測定。
接著測定有機物殘渣的數目。有機物殘渣的數目，係使用股份公司日立製作所製Review SEM RS6000且藉由 SEM觀察而測定。具體而言，首先藉由SEM觀察，將在各基板的單面之從外周端部起至寬度5mm為止的部分以外之剩餘的部分所存在的異物取樣100個。其次，從所取樣的100個異物之中，藉由SEM觀察且目視辨識有機物殘渣且確認其個數，而算出異物中的有機物殘渣的比率(%)。然後，將從在上述異物數的評價所測定之0.13μm以上的異物數(個)、與從前述SEM觀察結果所算出之異物中的有機物殘渣的比率(%)之乘積算出作為有機物殘渣數(個)。
而且，從上述0.13μm以上的異物數(個)減去上述有機物殘渣數(數)而作為微粒數(個)。又，針對比較例4，係無法測定有意義的微粒數。
將評價結果顯示在表1-1~表1-3、以及表2~表4。又，將各表面處理組合物(沖洗用組合物)的pH一併顯示在表中。又，針對A群及B群的化合物之分子量(重量平均分子量)，表中「-」係表示無法測定。又，「A群/B群(質量比)」係表示水溶性高分子對表面處理組合物(沖洗用組合物)中的陰離子性界面活性劑之質量比。
Figure 106122355-A0202-12-0049-1
Figure 106122355-A0202-12-0050-2
Figure 106122355-A0202-12-0051-3
Figure 106122355-A0202-12-0052-4
Figure 106122355-A0202-12-0052-5
Figure 106122355-A0202-12-0052-6
從上述表的結果，藉由使用本發明的一形態之表面處理組合物。顯示能夠非常地減低研磨完畢的研磨對象物表面之異物數。又，從實施例1、35、36及37之對比，亦顯示pH之值越大(亦即表面處理組合物為鹼性)，異物除去效果越高。
而且，本申請案係基於2016年9月28日提出申請之日本特許出願號碼2016-190375號，其揭示內容係全體被引用於此作為參照。

Claims (12)

  1. 一種表面處理組合物，係含有選自下述A群之至少一種水溶性高分子、選自下述B群之至少一種陰離子性界面活性劑、及水：A群：水溶性多糖類、聚乙烯醇及其衍生物、以及聚乙烯基吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone)及其衍生物(但是，包含在下述B群之化合物除外)B群：具有磺酸(鹽)基的化合物、具有硫酸酯(鹽)基的化合物、具有膦酸(鹽)基的化合物、具有磷酸(鹽)基的化合物、及具有次膦酸(鹽)基的化合物，其中pH為6以上且12以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理組合物，其中選自前述B群之陰離子性界面活性劑，係包含選自由含磺酸(鹽)基的聚苯乙烯及含磺酸(鹽)基的聚乙烯醇所組成群組之至少一種。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之表面處理組合物，其中選自前述A群之水溶性高分子係包含選自由纖維素衍生物及澱粉衍生物所組成群組之至少一種。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之表面處理組合物，其中進一步含有pH緩衝劑。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之表面處理組合物，其中前述pH緩衝劑係選自由磷酸、琥珀酸、酒石酸、衣康酸、檸檬酸、馬來酸、蘋果酸、亞胺基二乙酸以及該等鉀鹽、銨鹽及胺鹽；三羥甲基胺基甲烷、2-胺基-2-乙基-1,3-丙二醇、二甘醇胺以及該等的磷酸鹽及羧酸鹽所組成群組之至少一 種。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所述之表面處理組合物，其中選自前述A群之水溶性高分子對選自前述B群之陰離子性界面活性劑之質量比為0.70以上且2以下。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所述之表面處理組合物，係實質上不含有研磨粒。
  8. 如申請專利範圍第1或2項所述之表面處理組合物，係使用在含矽材料的沖洗研磨。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之表面處理組合物，其中前述含矽材料係包含多晶矽。
  10. 一種如申請專利範圍第1或2項所述之表面處理組合物的製造方法，包含將選自下述A群之至少一種水溶性高分子、選自下述B群之至少一種陰離子性界面活性劑、及水混合：A群：水溶性多糖類、聚乙烯醇及其衍生物、以及聚乙烯基吡咯烷酮及其衍生物(但是，包含在下述B群之化合物除外)B群：具有磺酸(鹽)基的化合物、具有硫酸酯(鹽)基的化合物、具有膦酸(鹽)基的化合物、具有磷酸(鹽)基的化合物、及具有次膦酸(鹽)基的化合物。
  11. 一種表面處理方法，係包含使用如申請專利範圍第1或2項所述之表面處理組合物而將研磨完畢的研磨對象物進行表面處理。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之表面處理方法，其中前述表面處理係藉由沖洗研磨或洗淨而進行。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6966444B2 (ja) * 2016-07-26 2021-11-17 株式会社フジミインコーポレーテッド 表面処理組成物およびこれを用いた表面処理方法
JP7140745B2 (ja) * 2017-03-08 2022-09-21 株式会社フジミインコーポレーテッド 表面処理組成物及びその製造方法、表面処理方法、並びに半導体基板の製造方法
US11078380B2 (en) 2017-07-10 2021-08-03 Entegris, Inc. Hard abrasive particle-free polishing of hard materials
TWI827126B (zh) * 2017-09-26 2023-12-21 日商福吉米股份有限公司 表面處理組合物、其製造方法以及使用此組合物的表面處理方法
EP3787008B1 (en) 2018-04-27 2024-04-10 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Aqueous composition and cleaning method using same
US11352593B2 (en) 2018-04-27 2022-06-07 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Aqueous composition and cleaning method using same
US11629315B2 (en) 2018-04-27 2023-04-18 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Aqueous composition and cleaning method using same
US11060051B2 (en) * 2018-10-12 2021-07-13 Fujimi Incorporated Composition for rinsing or cleaning a surface with ceria particles adhered
WO2020196370A1 (ja) * 2019-03-26 2020-10-01 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US11702570B2 (en) * 2019-03-27 2023-07-18 Fujimi Incorporated Polishing composition
JP7316113B2 (ja) * 2019-06-25 2023-07-27 花王株式会社 半導体デバイス用基板に用いる洗浄剤組成物
CN113045745A (zh) * 2021-03-26 2021-06-29 南京拓际生物科技有限公司 一种三苯乙烯基苯酚聚氧乙烯醚磷酸酯盐农用表面活性剂的制备方法及应用
JP7097482B1 (ja) 2021-07-26 2022-07-07 東京応化工業株式会社 表面処理剤、表面処理方法及び基板表面の領域選択的製膜方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200811282A (en) * 2006-08-21 2008-03-01 Jsr Corp Cleaning composition, cleaning method, and manufacturing method of semiconductor device
TW201215672A (en) * 2010-10-01 2012-04-16 Mitsubishi Chem Corp Cleaning solution for substrate for semiconductor devices and cleaning method

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06260466A (ja) * 1993-03-05 1994-09-16 Nippon Steel Corp 表面処理方法
US6972277B2 (en) * 2004-02-19 2005-12-06 Goldschmidt Gbmh Foaming clean and polish emulsions comprising bisquaternary organomodified silicone
JP2005303060A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Nitta Haas Inc リンス研磨溶液
JP2006005246A (ja) * 2004-06-18 2006-01-05 Fujimi Inc リンス用組成物及びそれを用いたリンス方法
US9058975B2 (en) * 2006-06-09 2015-06-16 Lam Research Corporation Cleaning solution formulations for substrates
JP2008270360A (ja) 2007-04-17 2008-11-06 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP5324242B2 (ja) * 2008-01-31 2013-10-23 三洋化成工業株式会社 電子材料用洗浄剤及び洗浄方法
JP5086893B2 (ja) * 2008-05-26 2012-11-28 花王株式会社 半導体デバイス用基板用の洗浄液
JP5553985B2 (ja) * 2008-12-11 2014-07-23 三洋化成工業株式会社 電子材料用洗浄剤
JP5410943B2 (ja) * 2008-12-18 2014-02-05 三洋化成工業株式会社 電子材料用洗浄剤
JP2010258014A (ja) * 2009-04-21 2010-11-11 Jsr Corp 洗浄用組成物および洗浄方法
JP2012072267A (ja) 2010-09-28 2012-04-12 Sanyo Chem Ind Ltd 電子材料用洗浄剤
JP5570395B2 (ja) * 2010-10-08 2014-08-13 モレックス インコーポレイテド シートコネクタ
GB201205769D0 (en) * 2012-03-30 2012-05-16 Lumora Ltd Methods for preparing samples for nucleic acid amplification
JP6832341B2 (ja) * 2016-03-30 2021-02-24 株式会社フジミインコーポレーテッド 表面処理組成物、表面処理組成物の製造方法、表面処理方法および半導体基板の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200811282A (en) * 2006-08-21 2008-03-01 Jsr Corp Cleaning composition, cleaning method, and manufacturing method of semiconductor device
TW201215672A (en) * 2010-10-01 2012-04-16 Mitsubishi Chem Corp Cleaning solution for substrate for semiconductor devices and cleaning method

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Publication number Publication date
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