TWI736049B - 用於流體晶粒之具有位址驅動器的積體電路 - Google Patents

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Abstract

一種用於一流體晶粒之積體電路，其包括用以傳遞一位址集合之一位址匯流排、包括一第一位址驅動器以在該位址匯流排上驅動該位址集合之一位址之一第一部分的一第一晶粒組態功能群組、包括一第二位址驅動器以在該位址匯流排上驅動該位址集合之該位址之一第二部分的一第二晶粒組態功能群組、以及可藉由經由該位址匯流排傳遞之該位址集合來定址的一流體致動裝置陣列。

Description

用於流體晶粒之具有位址驅動器的積體電路
本揭示係有關於用於流體晶粒之具有位址驅動器的積體電路。
一些列印組件可包括一噴嘴及/或泵浦陣列，各噴嘴及/或泵浦包括一流體腔室及一流體致動器，其中可致動該流體致動器以造成流體在該腔室內位移。一些例示性流體晶粒可以是列印頭，其中該流體可對應於墨水或列印劑。列印組件包括用於2D與3D列印系統及/或其他高精密流體施配系統之列印頭。
依據本發明之一實施例，係特地提出一種用於一流體晶粒之積體電路，其包含：一位址匯流排，用以傳遞一位址集合；一第一晶粒組態功能群組，其包括一第一位址驅動器，用以在該位址匯流排上驅動該位址集合之一位址之一第一部分；一第二晶粒組態功能群組，其包括一第二位址驅動器，用以在該位址匯流排上驅動該位址集合之該位址之一第二部分；一流體致動裝置陣列，其可藉由經由該位址匯流排傳遞之該位址集合來定址。
30、90:積體電路
32:位址匯流排
34:流體致動裝置陣列
36-1、36-2:組態功能群組
37:縱長方向
38-1、38-2:位址驅動器
39-1、39-2:位址位元集合
40:流體晶粒
50:記憶體元件陣列
51:記憶元件鏈
52-1、52-2、54、102-1、102-2、104:記憶體元件部分
60:資料部段
61:資料位元
62-1、62-2、64:資料位元部分
70:FET
72、80:及閘
74:發射信號
76:延遲元件
78:位址解碼器
100:記憶體元件串
106-1、106-2:晶粒組態功能群組
108:流體致動器陣列
200:流體噴出系統
202、206、210、224、228:通訊路徑
204:列印頭總成
208:服務站總成
212:列印頭
214:噴嘴
216:墨水供應總成
218:貯器
220:介面連接
222:載運器總成
226:列印媒體傳輸總成
230:電子控制器
232:列印媒體
234:列印區
236:資料
300:方法
302、304:步驟
圖1係一方塊與示意圖，其根據一項實例，繪示用於一流體晶粒之一積體電路。
圖2係一方塊與示意圖，其根據一項實例，繪示一流體晶粒。
圖3係一方塊與示意圖，其根據一項實例，繪示一流體晶粒。
圖4係一示意圖，其根據一項實例，繪示一資料部段。
圖5係一方塊與示意圖，其根據一項實例，大致繪示一基元布置結構之諸部分。
圖6係一方塊與示意圖，其根據一項實例，繪示用於一流體晶粒之一積體電路。
圖7係繪示一方塊圖之一示意圖，該方塊圖繪示一流體噴出系統之一項實例。
圖8係一流程圖，其根據一項實例，繪示操作一流體晶粒之一方法。
在所有圖式中，一樣的參考數字符號指定類似但不必然完全相同的元件。該等圖式不必然有按照比例，而且有些部件之尺寸可能經過放大以更清楚地繪示所示實例。此外，該等圖式提供與本說明一致的實例及/或實作態樣；然而，本說明並不受限於該等圖式中所提供的實例及/或實作態樣。
在以下詳細說明中，參照形成其一部分之附圖，而且其中是以例示方式來展示特定實例，可在此等實例中實踐本揭露。要瞭解的是，可利用其他實例並且可施作結構化或邏輯變更但不會脫離本揭露之範疇。因此，以下詳細說明並非限制概念，而且本揭露的範疇是由隨附申請專利範圍來界定。要瞭解的是，除非具體另外指出，否則本文中所述各種實例之特徵可彼此部分或整體組合。
流體晶粒之實例可包括流體致動器。流體致動器可包括基於熱電阻器之致動器(例如，用於將流體發射或再循環)、基於壓電膜之致動器、靜電膜致動器、機械/衝擊驅動膜致動器、磁伸縮驅動致動器、或可回應於電氣致動而造成流體位移之其他適合裝置。本文中所述之流體晶粒可包括複數個流體致動器，其可稱為一流體致動器陣列。一致動可意指為流體晶粒之諸流體致動器用以造成流體位移之單個或並行致動。一致動事件之一實例係藉以透過一噴嘴對流體進行噴射之一流體發射事件。
在例示性流體晶粒中，可將流體致動器陣列布置成流體致動器集合，其中此類流體致動器集合各可稱為一「基元」或一「發射基元」。一基元中之流體致動器數量可稱為該基元之一尺寸。在一些實例中，各基元之流體致動器可使用同一致動位址集合來定址，且一基元之各流體致動器對應於該致動位址集合之一不同致動位址。在實例中，位址集合係經由各基元所共享之一位址匯流排傳遞至各基元。
在一項實例中，除了位址資料以外，各基元還經由一對應資料線接收致動資料(有時稱為發射資料或噴嘴資料)，並且經由一發射信號線接收一發射信號(亦稱為一發射脈衝)。在一項實例中，在一致動或發射事件期間，回應於一發射信號係存在於發射信號線中，在各基元中，與經由位址線傳遞之位址對應之流體致動器將基於與基元對應之致動資料來致動(例如，發射)。
在一些狀況中，一流體晶粒之電氣及流體操作限制條件可限制各基元有哪些流體致動器可針對一給定致動事件被並行致動。基元促進致動可為了一給定致動事件而並行致動之流體致動器子集，以符合此類操作限制條件。
為了舉例說明，如果一流體晶粒包含四個基元，並且各基元包括八個流體致動器(各流體致動器對應於位址0至7之一集合之不同位址)，並且倘若電氣及流體限制條件將致動限制為每個基元一個流體致動器，則對於一給定致動事件，總共可並行致動四個流體致動器(各基元出一個致動器)。舉例而言，對於一第一致動事件，可致動各基元之對應於位址「0」之相應流體致動器。對於一第二致動事件，可致動各基元之對應於位址「5」之相應流體致動器。如將會了解的是，此實例只是為了說明目的而提供，本文中所思忖之流體晶粒可每個基元包含更多或更少流體致動器，並且每個晶粒包含更多或更少基元。
例示性流體晶粒可包括流體腔室、孔口、及 /或可藉由以蝕刻、微加工(例如，光微影)、微機械加工程序、或其他適合的程序或以上的組合在流體晶粒之一基材中製作之表面所界定之其他特徵。一些例示性基材可包括基於矽之基材、基於玻璃之基材、基於砷化鎵之基材、及/或用於微加工裝置及結構之其他此類適合類型之基材。流體腔室於本文中使用時，可包括與噴嘴孔口流體通訊之噴出室、以及流體通道，可將流體從該等噴嘴孔口噴出，並且可透過該等流體通道輸送流體。在一些實例中，流體通道可以是微流體通道，其中，一微流體通道於本文中使用時，可對應於尺寸足夠小(例如：奈米級、微米級、毫米級等)之一通道，以促進小體積流體(例如：微微升級、奈升級、微升級、毫升級等)之輸送。
在一些實例中，可將一流體致動器布置為一噴嘴之部分，其中除了該流體致動器以外，該噴嘴還包括與一噴嘴孔口流體通訊之一噴出室。流體致動器係相對於流體腔室而置，使得流體致動器之致動造成流體腔室內之流體位移，這可造成一液滴經由噴嘴孔口從流體腔室噴出。因此，布置為一噴嘴之部分的一流體致動器有時可稱為一流體噴出器或一噴出致動器。
在一些實例中，可將一流體致動器布置為一泵浦之部分，其中除了流體致動器以外，該泵浦還包括一流體通道。流體致動器係相對於一流體通道而置，使得流體致動器之致動在流體通道(例如：一微流體通道)中產生流體位移，以在流體晶粒內，舉例如在一流體供應器與一 噴嘴之間，輸送流體。舉例來說，晶粒內之流體位移/泵送有時亦稱為微再循環。布置來在一流體通道內輸送流體之一流體致動器有時可稱為一非噴出或微再循環致動器。在一個例示性噴嘴中，流體致動器可包含一熱致動器，其中流體致動器之致動(有時稱為「發射」)將流體加熱，以在流體腔室內形成一氣態驅動泡體，這可造成一液滴從噴嘴孔口噴出。如上述，可將流體致動器布置成陣列(舉例如欄)，其中可將該等致動器實施成流體噴出器及/或泵浦，其中流體噴出器之選擇性操作造成液滴噴出，並且泵浦之選擇性操作在流體晶粒內造成流體位移。在一些實例中，可將此類陣列之流體致動器布置成基元。
一些流體晶粒以資料封包之形式接收資料，有時稱為發射脈衝群組或一發射脈衝群組資料封包，其中各發射脈衝群組包括一頭端部分及一本體部分。在一些實例中，頭端部分包括用於晶粒上組態功能之組態資料，舉例如用於位址驅動器之位址資料(代表致動位址集合之一位址)、用於發射脈衝控制電路系統之發射脈衝資料、以及用於感測器控制電路系統(例如，選擇及組配熱感測器)之感測器資料。在一項實例中，各發射脈衝群組之本體部分包括致動器資料，該致動器資料選擇哪些與頭端部分中之位址資料所代表之位址對應之噴嘴將回應於發射脈衝而予以致動。
在一些流體晶粒中，一位址驅動器從各發射脈衝群組之頭端部分接收位址資料位元，並且將該等資料 位元所代表之位址驅動到一位址匯流排上，該位址匯流排將該位址傳遞至流體致動器陣列。除了將發射脈衝群組之位址位元所代表之位址驅動到位址匯流排上以外，在一些狀況中，位址驅動器還將位址之互補驅動到位址匯流排上。
位址驅動器電路系統消耗一流體晶粒上相對大量之矽面積，從而增加晶粒之一尺寸及成本。如將在本文中更詳細所述，根據本揭露之實例，位址驅動器電路系統係區分成多個部分，各部分將一位址之一不同部分驅動到一位址匯流排上。在一項實例中，位址驅動器係區分成兩個部分，各位址驅動器電路系統將致動位址之一不同部分驅動到位址匯流排上。藉由將一位址驅動器區分成多個部分，在諸如寬度之至少一個維度中需要一矽面積量，藉此在該至少一個維度中節約矽，並且能夠使一流體晶粒在至少一個維度中更小。
圖1係一方塊與示意圖，其根據本揭露之一項實例，大致繪示用於一流體致動器陣列之一積體電路30。在一項實例中，積體電路30係一流體晶粒之部分，這在下文將有更詳細的說明。積體電路30包括一位址匯流排32，用以將一位址集合傳遞至一流體致動裝置陣列34，該等流體致動裝置係繪示在流體致動裝置FA(0)至FA(n)處，其中流體致動裝置FA(0)至FA(n)可使用該位址集合來定址。在一項實例中，各流體致動裝置FA(0)至FA(n)對應於位址集合中之一個不同位址。在一項實例中，將陣列34之流體致動裝置FA(0)至FA(n)布置成形成一欄。
在一項實例中，積體電路30包括含一第一位址驅動器38-1及如CF1(0)至CF1(a)所示若干進一步功能之一第一組態功能群組36-1、以及含一第二位址驅動器38-2及如CF2(0)至CF2(b)所示若干進一步組態功能之一第二組態功能群組36-2。在一些狀況中，除了位址驅動器38-1及38-2以外，第一及第二組態功能群組36-1及36-2之進一步組態功能CF1(0)至CF1(a)及CF2(0)至CF2(b)舉例而言，還包括一發射脈衝控制組態功能(例如，用以調整預熱、先驅物、及發射脈衝組態)、及感測器組態功能(例如，用以選擇及控制熱感測器組態)。
在操作中，第一位址驅動器38-1將位址集合之一位址之一第一部分驅動到位址匯流排32上，並且第二位址驅動器38-2將該位址集合之該位址之一其餘部分驅動到位址匯流排32上，其中流體致動裝置陣列34之至少一個流體致動裝置對應於由第一及第二位址驅動器38-1及38-2在位址匯流排32上驅動之位址。如圖1所示，藉由將一位址驅動器區分成多個部分，諸如位址驅動器38-1及38-2，使位址驅動器電路系統在至少一個維度中，諸如在一寬度維度W中，所需之一矽空間量減小，藉此使可形成有積體電路30作為一部分之一流體晶粒在至少一個維度中更小。
圖2係一方塊與示意圖，其根據本揭露之一項實例，繪示一流體晶粒40之一實例。根據所示實例，除了如上述可藉由一位址集合定址之流體致動器陣列34以 外，流體晶粒40還包括第一位址驅動器38-1，其基於一第一位址位元集合39-1提供該位址集合之一位址之一第一部分，以及第二位址驅動器38-2，其基於一第二位址位元集合39-2提供該位址集合之一位址之一第二部分。在一項實例中，第一及第二位址位元集合一起提供該位址集合之一個位址。
流體晶粒40更包括一記憶體元件陣列50，諸如由記憶體元件51所示。根據一項實例，記憶體元件陣列50包括與第一位址驅動器38-1對應之一第一記憶體元件部分52-1、與第二位址驅動器38-2對應之一第二記憶體元件部分52-2、以及與流體致動器陣列34對應之一第三記憶體元件部分54。在一項實例中，記憶體元件陣列50是用來序列載入資料部段60，各資料部段包括一串資料位元，使得只要完成一資料部段60之載入，第一記憶體元件部分52-1之記憶體元件便儲存第一位址位元集合39-1，並且第二記憶體元件部分52-2之記憶體元件便儲存第二位址位元集合39-2。根據實例，第一及第二位址驅動器38-1及38-2分別從第一及第二記憶體元件部分52-1及52-2接收第一及第二位址位元集合39-1及39-2，以提供該位址集合之該位址之該等第一及第二部分至流體致動器陣列34。
在一項實例中，將流體致動器陣列34之流體致動器布置成形成沿一縱長方向37延伸之一欄。在一個布置結構中，如圖示，將第一及第二位址驅動器38-1及38-2設置為陣列34之該欄流體致動器(FA)之對立端。在一項實 例中，將記憶體元件陣列50之記憶體元件51布置為實施為一串列至平行資料轉換器之一記憶體元件串或鏈，該串聯記憶體元件係設置成沿流體致動器陣列34之縱長方向37延伸，使得第一及第二記憶體元件部分52-1及52-2係分別布置在貼近於第一及第二位址驅動器38-1及38-2處，並且第三記憶體元件部分54係布置在貼近於流體致動器陣列34處。
藉由將第一及第二位址驅動器38-1及38-2布置在流體致動器陣列34之該欄流體致動器FA(0)至FA(n)之對立端處，並且藉由將記憶體元件陣列50布置為沿縱長方向37延伸之一記憶體元件鏈，使流體晶粒40之至少一個維度中，諸如一寬度維度W中，所需之一矽空間量減小，藉此能夠使流體晶粒40之一寬度減小。
圖3係一方塊與示意圖，其根據本揭露，繪示一流體晶粒40之一實例。在一項實例中，如圖示，將流體致動器陣列34實施成沿縱長方向37延伸之一流體致動器欄，其中將該流體致動器欄布置來形成若干基元，所示為基元P(0)至P(m)。在實例中，各基元P(0)至P(m)具有若干流體致動器，所示為流體致動器FA(0)至FA(p)。在一項實例中，各基元P(0)至P(m)使用相同位址集合，各基元之各流體致動器FA(0)至FA(p)對應於該位址集合之一個不同位址，舉例如一位址集合A(0)至A(p)之一不同位址。
第一組態功能群組36-1包括第一位址驅動器38-1及若干附加組態功能CF1(0)至CF1(a)，並且第二組 態功能群組36-2包括第二位址驅動器38-2及若干附加組態功能CF2(0)至CF2(b)。第一位址驅動器38-1基於第一位址位元集合39-1在位址匯流排32上驅動該位址集合之一位址之一第一部分，並且第二位址驅動器38-2基於第二位址位元集合39-2來驅動該位址集合之該位址之一其餘部分，位址匯流排32進而將該位址傳遞至各基元P(0)至P(m)。在一項實例中，如圖示，將第一及第二組態功能群組36-1及36-2沿縱長方向37設置在流體致動器陣列34之對立端處。
在一項實例中，如圖示，記憶體元件陣列50包含實施為一串列至平行資料轉換器之一串或鏈的記憶體元件51，其中記憶體元件51之第一記憶體元件部分52-1對應於第一組態功能群組36-1，第二記憶體元件部分52-2對應於第二組態功能群組36-2，並且第三記憶體元件部分54對應於流體致動器陣列34，其中第三記憶體元件部分54之各記憶體元件51對應於基元P(0)到P(m)中之一個不同基元。在一項實例中，記憶體元件陣列50包含一順序邏輯電路(例如：正反器陣列、閂鎖器陣列等)。在一項實例中，順序邏輯電路適於作用為一串列輸入、平行輸出移位暫存器。
在一項實例中，陣列50之該鏈的記憶體元件51沿縱長方向37延伸，其中第一記憶體元件部分52-1係設置在貼近於第一組態功能群組36-1處，第二記憶體元件部分52-2係設置在貼近於第二組態功能群組36-2處，以及第 三記憶體元件部分54在第一與第二記憶體元件部分52-1與52-2之間延伸並貼近於陣列34之該欄流體致動器(FA)。
舉流體晶粒40之操作為例，諸如圖3所示，係於下文參照圖4及5作說明。圖4係一方塊圖，其大致繪示由流體晶粒40之記憶體元件陣列50所接收之資料部段60之一實例。如圖示，資料部段60包括一串資料位元，諸如由資料位元61所示，包括有時稱為「頭端」之一第一資料位元62-1部分、有時稱為「尾端」之一第二資料位元部分62-2、以及有時稱為「本體」之一第三資料位元部分64。第一、第二及第三資料位元部分62-1、62-2及64一起統稱為一發射脈衝群組。
第一資料位元部分62-1包含用於第一組態功能群組36-1之資料位元，包括用於第一位址驅動器38-1之第一位址資料位元集合39-1。第二資料位元部分62-2包含用於第二組態功能群組36-2之資料位元，包括用於第二位址驅動器38-2之第二位址資料位元集合39-2。第三資料位元部分64包括用於流體致動器陣列34之致動資料位元，第三資料位元部分64之各資料位元61對應於基元P(0)至P(m)中之一個不同基元。第三資料位元部分64之資料位元有時稱為基元資料。
請參照圖3(及圖2)，將一串此類資料部段中之各資料部段60序列載入到記憶體元件陣列50裡，開始於頭端部分62-1之一第一位元且結束於尾端部分62-2之一最後位元。在被序列載入或移位到記憶體元件陣列50裡之 後，將資料部段60之頭端部分62-1之資料位元61儲存在第一記憶體元件部分52-1中，其中第一位址位元集合39-1對應於第一位址驅動器38-1。類似的是，資料部段60之尾端部分62-2之資料位元61係儲存在第二記憶體元件部分52-2中，第二位址位元集合39-2對應於第二位址驅動器38-2。資料部段60之第三部分64之資料位元61係儲存在記憶體元件陣列50之第三記憶體元件部分54中。
圖5係一方塊與示意圖，其大致繪示諸如圖3所示基元P(0)之一基元布置結構之諸部分。在一項實例中，各流體致動器FA在圖5中係繪示為一熱電阻器，並且可經由諸如FET 70所示之一對應可控制開關在一電源VPP與一參考電位(例如：接地)之間連接。
根據一項實例，包括基元P(0)在內之各基元包括一及閘72，在第一輸入處，從記憶體元件陣列50之第三記憶體元件群組54之對應記憶體元件51接收用於基元P(0)之基元資料(例如：致動器資料)。於一第二輸入處，及閘72接收一發射信號74(例如：一發射脈衝)，發射信號74控制諸如流體致動器FA(0)之一流體致動器之一致動或發射持續時間。在一項實例中，發射信號74係藉由一延遲元件76延遲，各基元具有一不同延遲，以使得基元P(0)至P(m)之中流體致動器並非同時發射。
在一項實例中，各流體致動器(FA)具有對第一及第二位址驅動器38-1及38-2在位址匯流排32上所驅動之位址進行接收之一對應位址解碼器78、以及用於對 FET 70之一閘極進行控制之一對應及閘80。及閘80在一第一輸入處接收對應位址解碼器78之輸出，並且在一第二輸入處接收及閘72之輸出。應知，各流體致動器FA重複位址解碼器78與及閘80，而各基元則重複及閘72與延遲元件76。
在一項實例中，在被載入到記憶體元件陣列50之後，由資料部段60之頭端部分、尾端部分及本體部分62-1、62-2及64之資料位元61代表之發射脈衝群組資料(請參照圖4)係藉由對應之組態功能群組36-1至36-2及基元P(0)至P(m)來處理，用來操作所選擇流體致動器(FA)以使流體循環流動或使液滴噴出。舉例來說，請參照圖5，在一項實例中，如果對應於基元P(0)之記憶體元件51中所儲存之致動器資料具有一邏輯高(例如：「1」)，並且及閘72之輸入處存在一發射脈衝信號74，則及閘72之輸出係設定為一邏輯「高」。如果回應於從第一及第二記憶體元件部分54-1及54-2之對應記憶體元件接收之位址位元集合39-1及39-2在位址匯流排32上受第一及第二位址驅動器38-1及38-2驅動之位址代表位址「0」，則位址解碼器78之輸出「0」係設定為邏輯「高」。隨著及閘72與位址解碼器78之輸出「0」各設定為一邏輯「高」，及閘80之輸出亦設定為一邏輯「高」，藉此接通對應之FET 70對流體致動器FA(0)進行賦能以使流體位移(例如，噴出一液滴)，其中流體致動器FA(0)之一持續時間係基於發射脈衝信號74。
圖6係一方塊與示意圖，其根據本揭露之一項實例，大致繪示用於一流體致動器陣列之一積體電路90。在一項實例中，將積體電路90實施成一流體晶粒之部分。積體電路90包括一記憶體元件串100，記憶體元件串100包括對應於一第一晶粒組態功能群組106-1之一第一記憶體元件部分102-1、對應於一第二晶粒組態功能群組106-2之一第二記憶體元件部分102-2、以及對應於流體致動器陣列108之一第三記憶體元件部分104，第三記憶體元件部分104在第一與第二記憶體元件部分102-1與102-2之間延伸。
在一項實例中，流體致動器陣列108包括表示為流體致動器FA(0)至FA(n)之若干流體致動器。在一項實例中，第一組態功能群組106-1包括表示為CF1(0)至CF1(a)之若干組態功能，並且第二組態功能群組106-2包括表示為CF2(0)至CF2(b)之多若干組態功能。在實例中，晶粒組態功能可包括諸如以下功能，用於對與流體致動器陣列108相關聯之位址進行驅動之位址驅動器、用於經由一發射信號對流體致動器陣列108之流體致動器之致動或發射次數進行調整之發射脈衝控制電路系統、以及用於組配感測器電路系統(例如，選擇及組配熱感測器)之感測器控制電路系統。
在實例中，一記憶體元件串100序列載入包括一串資料位元在內之資料部段，諸如圖4所示之資料部段60，使得只要完成一資料部段之載入，第一記憶體元件 部分102-1之記憶體元件便儲存用於第一晶粒組態功能群組106-1之資料位元，第二記憶體元件部分102-2便儲存用於第二晶粒組態功能群組106-2之資料位元，並且第三記憶體元件部分104便儲存用於流體致動器陣列108之資料位元。
圖7係一方塊圖，其繪示一流體噴出系統200之一項實例。流體噴出系統200包括諸如列印頭總成204之一流體噴出總成、以及諸如墨水供應總成216之一流體供應總成。在所示實例中，流體噴出系統200亦包括一服務站總成208、一載運器總成222、一列印媒體傳輸總成226、以及一電子控制器230。儘管以下說明提供用於墨水相關流體搬運之系統及總成之實例，所揭示之系統及總成仍亦適用於搬運墨水除外之流體。
列印頭總成204包括透過複數個孔口或噴嘴214將墨滴或液滴噴出之至少一個列印頭212，其中，在一項實例中，列印頭212可使用具有實施成諸噴嘴214之流體致動器FA(0)至FA(n)的積體電路30來實施，舉例如先前在本文中藉由圖1所述。在一項實例中，液滴係指向諸如列印媒體232之一媒體，以便列印到列印媒體232上。在一項實例中，列印媒體232包括任何類型之適合片體材料，諸如紙張、卡紙、透明體、聚脂樹脂、織物、及類似材料。在另一實例中，列印媒體232包括用於三維(3D)列印之媒體，諸如一粉末床，或用於生物列印及/或藥物發現測試之媒體，諸如一貯器或容器。在一項實例中，噴嘴214係布 置成至少一欄或陣列，使得從噴嘴214適當地依序噴出之墨水造成字元、符號及/或其他圖形或影像列印到列印媒體232上，因為列印頭總成204與列印媒體232係彼此相對移動。
墨水供應總成216將墨水供應至列印頭總成204，並且包括用於存放墨水之一貯器218。如此，在一項實例中，墨水從貯器218流動至列印頭總成204。在一項實例中，將列印頭總成204及墨水供應總成216一起罩覆在一噴墨或流體噴射列印匣或筆中。在另一實例中，墨水供應總成216與列印頭總成204分離，並且透過諸如一供應管及/或閥之一介面連接220將墨水供應至列印頭總成204。
載運器總成222相對於列印媒體傳輸總成226定位列印頭總成204，並且列印媒體傳輸總成226相對於列印頭總成204定位列印媒體232。因此，將一列印區234界定在介於列印頭總成204與列印媒體232之間的一區域中之相鄰於噴嘴214處。在一項實例中，列印頭總成204係一掃描型列印頭總成，使得載運器總成222相對於列印媒體傳輸總成226移動列印頭總成204。在另一實例中，列印頭總成204係一非掃描型列印頭總成，使得載運器總成222相對於列印媒體傳輸總成226將列印頭總成204固定在一規定位置處。
服務站總成208為印頭總成204之吐出、擦拭、加蓋、及/或底塗作準備，以維持列印頭總成204之功能，更具體而言，維持噴嘴214之功能。舉例而言，服務 站總成208可包括一橡膠輪葉或擦拭器，其在列印頭總成204上方週期性通過以擦拭並清潔多餘墨水之噴嘴214。另外，服務站總成208可包括覆蓋列印頭總成204之一蓋體，用以保護噴嘴214免於在非使用期間內變乾。另外，服務站總成208可包括一痰盂，列印頭總成204在吐出期間將墨水噴出到該痰盂裡，以確保貯器218維持適當位準之壓力及流動性，並且確保噴嘴214不堵塞或滲水。服務站總成208之功能可包括服務站總成208與列印頭總成204之間的相對動作。
電子控制器230透過一通訊路徑206與列印頭總成204通訊，透過一通訊路徑210與服務站總成208通訊，透過一通訊路徑224與載運器總成222通訊，並且透過一通訊路徑228與列印媒體傳輸總成226通訊。在一項實例中，當將列印頭總成204安裝在載運器總成222中時，電子控制器230與列印頭總成204可透過通訊路徑202經由載運器總成222進行通訊。電子控制器230亦可與墨水供應總成216通訊，使得在一項實作態樣中，可檢測一新(或已用)墨水供應。
電子控制器230從諸如一電腦之一主機系統接收資料236，並且可包括用於暫時儲存資料236之記憶體。可沿著一電子、紅外線、光學或其他資訊轉移路徑將資料236發送至流體噴出系統200。資料236舉例而言，代表要列印之一文件及/或檔案。如此，資料236形成用於流體噴出系統200之一列印工作，並且包括至少一個列印工 作命令及/或命令參數。
在一項實例中，電子控制器230提供列印頭總成204之控制，包括用於從噴嘴214噴出墨滴之定時控制。如此，電子控制器230界定所噴出墨滴之一圖案，該等所噴出墨滴在列印媒體232上形成字元、符號、及/或其他圖形或影像。定時控制以及從而所噴出墨滴之圖案係藉由列印工作命令及/或命令參數來確定。在一項實例中，形成一部分電子控制器230之邏輯及驅動電路系統係位於列印頭總成204上。在另一實例中，形成一部分電子控制器230之邏輯及驅動電路系統係位於列印頭總成204外。在另一實例中，形成一部分電子控制器230之邏輯及驅動電路系統係位於列印頭總成204外。在一項實例中，可藉由電子控制器230向列印組件提供資料部段、間歇時脈信號、發射信號、及模式信號，其中電子控制器230可位於列印組件遠距處。
圖8係一流程圖，其根據本揭露之一項實例，大致繪示操作一流體晶粒之一方法300，舉例如操作圖3之流體晶粒40。於302，方法300包括接收資料部段，各資料部段具有含若干組態資料位元之一頭端部分、含若干組態資料位元之一尾端部分、以及在頭端部分與尾端部分之間延伸並含若干致動資料位元之一本體部分，諸如圖4中包括一頭端部分62-1、一尾端部分62-2、及一本體部分64之資料部段60。
於304，方法300包括將各資料部段序列載入 到一記憶體元件陣列裡，該記憶體元件陣列包括對應於一第一組態功能群組之一第一記憶體元件部分、對應於一第二組態功能群組之一第二記憶體元件部分、及對應於一流體致動器陣列之一第三記憶體元件部分，使得只要將一資料部段載入到該記憶體元件陣列裡，便將該頭端部分之該等組態位元儲存在該第一記憶體元件部分中、將該尾端部分之該等組態資料位元儲存在該第二記憶體單元部分中、及將該本體部分之該等致動器資料位元儲存在該第三記憶體元件部分中，諸如將資料部段60序列載入到記憶體元件陣列50裡，記憶體元件陣列50具有對應於一第一組態功能群組36-1之第一記憶體元件部分52-1、對應於一第二組態功能群組36-2之第二記憶體元件部分52-2、及對應於流體致動裝置34之第三記憶體元件部分54。
雖然已在本文中繪示並說明特定實例，各種替代及/或均等實作態樣仍可替代該等所示及所述特定實例，但不會脫離本揭露之範疇。本申請案係意欲涵蓋本文中所論述之特定實例之任何調適或變例。因此，用意在於，本揭露僅受到申請專利範圍及其均等論述限制。
30:積體電路
32:位址匯流排
34:流體致動裝置陣列
36-1、36-2:組態功能群組
38-1、38-2:位址驅動器

Claims (15)

  1. 一種用於一流體晶粒之積體電路，其包含：一位址匯流排，用以傳遞一位址集合；一第一群組之晶粒組態功能，其包括一第一位址驅動器，用以將該位址集合之一位址之一第一部分驅動到該位址匯流排上；一第二群組之晶粒組態功能，其包括一第二位址驅動器，用以將該位址集合之該位址之一第二部分驅動到該位址匯流排上；一流體致動裝置陣列，其可藉由經由該位址匯流排傳遞之該位址集合來定址。
  2. 如請求項1之積體電路，該等第一部分及第二部分一起代表該位址集合之該位址。
  3. 如請求項1或2之積體電路，該流體致動裝置陣列係布置為在該等第一與第二群組之晶粒組態功能之間沿一縱長方向延伸之一欄流體致動裝置。
  4. 如請求項1或2之積體電路，其包括：一記憶體元件陣列，其包括：一第一記憶體元件部分，其對應於該第一群組之晶粒組態功能；一第二記憶體元件部分，其對應於該第二群組之晶粒組態功能；以及一第三記憶體元件部分，其對應於該流體致動裝 置陣列；該記憶體元件陣列用以序列載入資料部段，使得只要完成一資料部段之載入，該第一記憶體元件部分便儲存一第一位址位元集合，該第一位址位元集合代表該位址集合之該位址之該第一部分，並且該第二記憶體元件部分便儲存一第二位址位元集合，該第二位址位元集合代表該位址集合之該位址之其餘部分。
  5. 如請求項4之積體電路，該記憶體元件陣列包含一記憶體元件鏈，該記憶體元件鏈作用為一串列至平行資料轉換器，其中該第一記憶體元件部分係設置在貼近於該第一群組之晶粒組態功能處，該第二記憶體元件部分係設置在貼近於該第二群組之晶粒組態功能處，以及該第三記憶體元件部分在該等第一與第二記憶體元件部分之間延伸並且係設置在貼近於該流體致動裝置陣列處。
  6. 如請求項1或2之積體電路，除了該等第一及第二位址驅動器以外，該等晶粒組態功能還包含一發射脈衝控制功能及一感測器組態功能。
  7. 一種流體晶粒，其包含：一欄流體致動裝置，其可藉由一位址集合來定址；一第一位址驅動器，用以基於一第一位址位元集合來提供該位址集合之一位址之一第一部分；一第二位址驅動器，用以基於一第二位址位元集合來提供該位址集合之該位址之一其餘部分；一記憶體元件陣列，其包括對應於該第一位址驅動器 之一第一記憶體元件部分、及對應於該第二位址驅動器之一第二記憶體元件部分，該記憶體元件陣列用以序列載入資料部段，使得只要完成載入一資料部段，該第一記憶體元件部分之數個記憶體元件便儲存該第一位址位元集合，並且該第二記憶體元件部分之數個記憶體元件便儲存該第二位址位元集合。
  8. 如請求項7之流體晶粒，該記憶體元件陣列包括對應於該欄流體致動裝置之一第三記憶體元件部分。
  9. 如請求項7或8之流體晶粒，該欄流體致動裝置在該等第一位址驅動器與第二位址驅動器之間縱向延伸。
  10. 如請求項8之流體晶粒，該欄流體致動裝置之流體致動器係布置來形成若干基元，各基元之該等流體致動器可藉由該位址集合來定址，各流體致動器對應於該位址集合之該等位址之一不同位址，其中該第三記憶體元件部分之各記憶體元件對應於該等基元之一不同基元。
  11. 如請求項8之流體晶粒，該記憶體元件陣列包含用以作用為一串列至平行資料轉換之一記憶體元件鏈，該記憶體元件鏈與該欄流體致動裝置平行延伸，其中該第一記憶體元件部分係設置在貼近於該第一位址驅動器處，該第二記憶體元件部分係設置在貼近於該第二位址驅動器處，以及該第三記憶體元件部分在該等第一與第二 記憶體元件部分之間延伸並設置在貼近於該欄流體致動裝置處。
  12. 一種操作一流體晶粒之方法，其包含：接收資料部段，各資料部段包括：一頭端部分，其包括若干組態資料位元；一尾端部分，其包括若干組態資料位元；以及一本體部分，其在該等頭端部分與尾端部分之間延伸，並且包括若干致動資料位元；將各資料部段序列載入到一記憶體元件陣列裡，該記憶體元件陣列包括對應於一第一組態功能群組之一第一記憶體元件部分、對應於一第二組態功能群組之一第二記憶體元件部分、及對應於一流體致動器陣列之一第三記憶體元件部分，使得只要將一資料部段載入到該記憶體元件陣列裡，便將該頭端部分之該等組態資料位元儲存在該第一記憶體元件部分中、將該尾端部分之該等組態資料位元儲存在該第二記憶體元件部分中、及將該本體部分之該等致動資料位元儲存在該第三記憶體元件部分中。
  13. 如請求項12之方法，該頭端部分包括一第一位址位元集合，該尾端部分包括一第二位址位元集合，該流體致動器陣列可利用一位址集合來定址，該方法包括：經由一位址匯流排將該位址集合傳遞至該流體致動器陣列；憑藉該第一組態功能群組之一第一位址驅動器，基於 該第一位址位元集合，將該位址集合之一位址之一第一部分驅動到一位址匯流排上；以及憑藉該第二組態功能群組之一第二位址驅動器，基於該第二位址位元集合，將該位址集合之該位址之一其餘部分驅動到該位址匯流排上。
  14. 如請求項12或13之方法，其包含：將該記憶體元件陣列布置為實現為一串列至平行資料轉換器之一串記憶體元件，包括沿一縱長方向設置該串記憶體元件，並使該第三記憶體元件部分在該等第一與第二記憶體元件部分之間延伸。
  15. 如請求項12或13之方法，其包括：將該第一組態功能群組布置在貼近於該第一記憶體元件部分處，將該第二組態功能群組布置在貼近於該第二記憶體元件部分處，以及將該流體致動器陣列布置在於該等第一與第二組態功能群組之間沿該縱長方向延伸且貼近於該第三記憶體元件部分之一欄中。
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