CN113412194B - 包括存储器单元的集成电路 - Google Patents
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Abstract
一种用于驱动多个流体致动设备的集成电路包括多个存储器单元、选择电路、配置逻辑和控制逻辑。每个存储器单元对应于流体致动设备。所述选择电路选择流体致动设备和对应于所选流体致动设备的存储器单元。所述配置逻辑启用或禁用对所述多个存储器单元的访问。所述控制逻辑基于所述配置逻辑的状态来激活所选流体致动设备或者对与所选流体致动设备相对应的存储器单元进行访问。
Description
技术领域
本公开一般涉及包括存储器单元的集成电路。
背景技术
作为流体喷射系统的一个示例的喷墨打印系统可以包括打印头、向打印头供应液体墨水的墨水供应器和控制打印头的电子控制器。作为流体喷射设备的一个示例的打印头通过多个喷嘴或孔口并向打印介质(如一张纸)喷射墨滴，以在打印介质上进行打印。在一些示例中，孔口被布置成至少一个列或阵列，使得当打印头和打印介质相对于彼此移动时，从孔口进行的适当顺序的墨水喷射使得字符或其他图像被打印在打印介质上。
发明内容
在一个方面，本公开提供了一种用于包括多个流体致动设备的流体喷射设备的集成电路，所述集成电路包括：多个存储器单元，每个存储器单元对应于流体致动设备；选择电路，所述选择电路用于选择流体致动设备和对应于所选流体致动设备的存储器单元；配置逻辑，所述配置逻辑用于启用或禁用对所述多个存储器单元的访问；以及控制逻辑，所述控制逻辑用于基于所述配置逻辑的状态来激活所述所选流体致动设备或者对与所述所选流体致动设备相对应的存储器单元进行访问。
在一个方面，本公开提供了一种包括上述集成电路的流体喷射设备，所述流体喷射设备包括：长型衬底，所述长型衬底具有长度、厚度和宽度，所述长度为所述宽度的至少二十倍，其中，在所述长型衬底上设置有：多个流体致动设备，所述多个流体致动设备沿所述长型衬底的所述长度布置成列，以及所述多个存储器单元，所述多个存储器单元被布置成邻近所述多个流体致动设备，每个存储器单元对应于流体致动设备。
在一个方面，本公开提供了一种包括多个流体致动设备的流体喷射设备，所述流体喷射设备包括：多个存储器单元，每个存储器单元对应于流体致动设备；单个接口，所述单个接口耦接到所述多个存储器单元中的每一个，所述单个接口用于连接到主机打印装置的单个触点；选择电路，所述选择电路用于选择流体致动设备和对应于所选流体致动设备的存储器单元；配置寄存器，所述配置寄存器存储用于启用或禁用对所述多个存储器单元进行访问的数据；以及控制逻辑，所述控制逻辑用于基于存储在所述配置寄存器中的数据来激活所述所选流体致动设备或者对与所述所选流体致动设备相对应的存储器单元进行访问。
附图说明
图1A是图示了用于驱动多个流体致动设备的集成电路的一个示例的框图。
图1B是图示了用于驱动多个流体致动设备的集成电路的另一个示例的框图。
图2是图示了用于驱动多个流体致动设备或对对应存储器单元进行访问的电路的一个示例的示意图。
图3A是图示了用于对与流体喷射设备相关联的存储器进行访问的集成电路的一个示例的框图。
图3B是图示了用于对与流体喷射设备相关联的存储器进行访问的集成电路的另一个示例的框图。
图4A和图4B图示了流体喷射裸片的一个示例。
图5A图示了流体喷射裸片的一部分的一个示例的放大视图。
图5B是图示了图5A的流体喷射裸片的一组存储器单元的一个示例的框图。
图6A图示了流体喷射裸片的一部分的另一个示例的放大视图。
图6B是图示了图6A的流体喷射裸片的一组存储器单元的一个示例的框图。
图7是图示了流体喷射系统的一个示例的框图。
具体实施方式
在以下具体描述中，对附图进行了参考，这些附图形成具体描述的一部分，并且在附图中通过说明的方式示出了可以实践本公开的具体示例。应当理解的是，在不脱离本公开的范围的情况下，可以利用其他示例并且可以做出结构或逻辑变化。因此以下具体描述不应当被理解为限制性的意义，并且本公开的范围由所附权利要求限定。应当理解的是，除非另外特别指出，否则本文所描述的各种示例的特征可以部分地或全部地彼此组合。
流体喷射裸片、如热喷墨(TIJ)裸片可以是窄并且长的硅片。由裸片使用的硅面积与裸片的成本有关，使得可以从裸片中移除的任何功能都应当被移除，或被修改为具有多种用途(如果可能的话)。可以在裸片上使用非易失性存储器(NVM)以将信息(如热行为、偏移、区域信息、彩色图、喷嘴数量等)从裸片传递到打印机。另外，NVM也可以用于将信息(如墨水使用量表、喷嘴健康信息等)从打印机传递到裸片。存储器可以由存储元件、读取/写入多路复用器和使能/地址电路构成。对于小存储器，非存储电路可能在由存储器使用的总面积中占很大比例，使得小存储器的面积效率很低。
因此，本文公开了包括与流体致动设备相对应的存储器单元的集成电路(例如，流体喷射裸片)。相同的电路逻辑用于基于接收到的地址和喷嘴数据来激活所选流体致动设备或者对所选对应存储器单元进行访问。存储在每个存储器单元中的数据可以通过单个接触焊盘从集成电路中读出。存储器单元可以沿与对应的流体致动设备邻近的集成电路的长度分布。
如本文所使用的，“逻辑高”信号是逻辑“1”或“导通”信号或具有约等于供应到集成电路的逻辑电力的电压(例如，在约1.8V与15V之间，如5.6V)的信号。如本文所使用的，“逻辑低”信号是逻辑“0”或“关断”信号或具有约等于供应到集成电路的逻辑电力的逻辑电力接地回路的电压(例如，约0V)的信号。
图1A是图示了用于驱动多个流体致动设备的集成电路100的一个示例的框图。集成电路100包括多个流体致动设备1020到102N，其中，“N”是任何合适的流体致动设备数量。集成电路100还包括多个存储器单元1040到104N、选择电路106、控制逻辑108和配置逻辑110。每个流体致动设备1020到102N分别通过信号路径1010到101N电耦接到控制逻辑108。每个存储器单元1040到104N分别通过信号路径1030到103N电耦接到控制逻辑108。控制逻辑108通过信号路径107电耦接到选择电路106并且通过信号路径109电耦接到配置逻辑110。
在一个示例中，每个流体致动设备1020到102N包括用于喷射液滴的喷嘴或流体泵。每个存储器单元1040到104N分别对应于流体致动设备1020到102N。在一个示例中，每个存储器单元1040到104N包括非易失性存储器单元(例如，浮栅晶体管、可编程熔丝等)。选择电路106选择流体致动设备1020到102N和对应于所选流体致动设备1020到102N的存储器单元1040到104N。选择电路106可以包括地址解码器、激活逻辑和/或用于响应于地址信号和喷嘴数据信号而选择流体致动设备1020到102N和对应的存储器单元1040到104N的其他合适的逻辑电路。配置逻辑110启用或禁用对多个存储器单元1040到104N的访问。配置逻辑110可以包括存储器设备或用于启用或禁用对多个存储器单元1040到104N的访问的其他合适的逻辑电路。
控制逻辑108基于配置逻辑110的状态来激活所选流体致动设备1020到102N或者对与所选流体致动设备相对应的存储器单元1040到104N进行访问。控制逻辑108可以包括微处理器、专用集成电路(ASIC)或用于控制集成电路100的操作的其他合适的逻辑电路。尽管在图1A中的分开的框中图示了选择电路106、控制逻辑108和配置逻辑110，但在其他示例中，选择电路106、控制逻辑108和/或配置逻辑110可以组合成单个框或不同数量的框。
图1B是图示了用于驱动多个流体致动设备的集成电路120的另一个示例的框图。集成电路120包括多个流体致动设备1020到102N、多个存储器单元1040到104N、选择电路106和控制逻辑108。另外，集成电路120包括写入电路130、传感器132和配置寄存器136。在一个示例中，图1A的集成电路100的配置逻辑110包括配置寄存器136。
在此示例中，选择电路106包括地址解码器122和激活逻辑124。地址解码器122通过数据接口126接收地址和数据。地址解码器122电耦接到激活逻辑124。激活逻辑124通过激发接口128接收激发信号。每个存储器单元1040到104N通过感测接口134电耦接到写入电路130。传感器132通过信号路径131电耦接到控制逻辑108并且电耦接到感测接口134。
地址解码器122响应于地址而选择流体致动设备1020到102N和对应于所选流体致动设备1020到102N的存储器单元1040到104N。地址可以通过数据接口126接收。激活逻辑124基于数据信号和激发信号来激活所选流体致动设备1020到102N和对应于所选流体致动设备1020到102N的存储器单元1040到104N。数据信号可以包括喷嘴数据，所述喷嘴数据指示要选择用于所提供地址的哪个(哪些)流体致动设备。数据信号可以通过数据接口126接收。激发信号指示所选流体致动设备何时被激活(即，激发)或对应的存储器单元何时被访问。激发信号可以通过激发接口128接收。数据接口126、激发接口128和感测接口134中的每一个可以是接触焊盘、引脚、凸块、导线或用于向和/或从集成电路120传输信号的其他合适的电接口。接口126、128和134中的每一个可以电耦接到流体喷射系统(例如，主机打印装置，如下文将参考图7所描述的流体喷射系统500)。
配置寄存器136存储用于启用或禁用对多个存储器单元1040到104N的访问的数据。控制逻辑108基于存储在配置寄存器136中的数据来激活所选流体致动设备1020到102N或者对与所选流体致动设备1020到102N相对应的存储器单元1040到104N进行访问。在一个示例中，配置寄存器136还存储用于启用对多个存储器单元1040到104N的写入访问或读取访问的数据。在另一个示例中，配置寄存器136还存储用于启用或禁用传感器132的数据。
配置寄存器136可以是存储器设备(例如，非易失性存储器、移位寄存器等)并且可以包括任何合适数量的位(例如，4位到24位，如12位)。在某些示例中，配置寄存器136还可以存储用于测试集成电路120、检测集成电路120的衬底内的裂纹、启用集成电路120的定时器、设置集成电路120的模拟延迟、验证集成电路120的操作或用于配置集成电路120的其他功能的配置数据。
当所选存储器单元1040到104N已通过控制逻辑108访问时，可以通过感测接口134读取存储在存储器单元1040到104N中的数据。另外，当所选存储器单元1040到104N已通过控制逻辑108访问时，写入电路130可以将数据写入到所选存储器单元。传感器132可以是结型设备(例如，热二极管)、电阻设备(例如，裂纹检测器)或用于感测集成电路120的状态的另一个合适的设备。传感器132可以通过感测接口134读取。
图2是图示了用于驱动多个流体致动设备或对对应存储器单元进行访问的电路200的一个示例的示意图。在一个示例中，电路200是图1A的集成电路100或图1B的集成电路120的一部分。电路200图示了一组16个流体致动设备和一组对应的16个存储器单元。集成电路(如图1A的集成电路100或图1B的集成电路120)可以包括任何合适数量组的流体致动设备和对应的存储器单元。尽管图2中图示了一组16个致动设备和对应的存储器单元，但是在其他示例中，每个组内的流体致动设备和对应的存储器单元的数量可以变化。
电路200包括多个流体致动设备2020到20215、多个存储器单元2040到20415、包括逻辑门2220到22215的地址解码器、包括逻辑门227和2240到22415的激活逻辑、包括存储器写入电压调节器230的写入电路、晶体管238和240以及接触(例如，感测)焊盘241。逻辑门227的第一输入通过喷嘴数据信号路径226接收喷嘴数据。逻辑门227的第二输入通过激发信号路径228接收激发信号。逻辑门227的输出通过信号路径229电耦接到每个逻辑门2240到22415的第一输入。每个逻辑门2220到22215的输入通过地址信号路径221接收地址信号。每个逻辑门2220到22215的输出分别通过信号路径2230到22315电耦接到每个逻辑门2240到22415的第二输入。每个逻辑门2240到22415的输出分别通过信号路径2250到22515电耦接到流体致动设备2020到20215和存储器单元2040到20415。
每个流体致动设备2020到20215包括逻辑门208、晶体管210和激发电阻器212。尽管本文图示和描述了流体致动设备2020，但是其他流体致动设备2021到20215包括类似的电路。逻辑门208的第一输入电耦接到信号路径2250。逻辑门208的第二输入(反相)通过存储器使能信号路径207接收存储器使能信号。逻辑门208的输出通过信号路径209电耦接到晶体管210的栅极。晶体管210的源极-漏极路径的一侧电耦接到公共或接地节点214。晶体管210的源极-漏极路径的另一侧通过信号路径211电耦接到激发电阻器212的一侧。激发电阻器212的另一侧电耦接到电源电压节点(例如，VPP)215。
每个存储器单元2040到20415包括晶体管216和218和浮栅晶体管220。尽管本文图示和描述了存储器单元2040，但其他存储器单元2041到20415包括类似的电路。晶体管216的栅极电耦接到信号路径2250。晶体管216的源极-漏极路径的一侧电耦接到公共或接地节点214。晶体管216的源极-漏极路径的另一侧通过信号路径217电耦接到晶体管218的源极-漏极路径的一侧。晶体管218的栅极通过存储器使能信号路径207接收存储器使能信号。晶体管218的源极-漏极路径的另一侧通过信号路径219电耦接到浮栅晶体管220的源极-漏极路径的一侧。浮栅晶体管220的源极-漏极路径的另一侧通过信号路径234电耦接到存储器写入电压调节器230和晶体管238的源极-漏极路径的一侧。
存储器写入电压调节器230通过存储器写入信号路径232接收存储器写入信号。晶体管238的栅极和晶体管240的栅极通过存储器读取信号路径236接收存储器读取信号。晶体管238的源极-漏极路径的另一侧通过信号路径239电耦接到晶体管240的源极-漏极路径的一侧。晶体管240的源极-漏极路径的另一侧电耦接到感测焊盘241。
喷嘴数据信号路径226上的喷嘴数据信号、激发信号路径228上的激发信号和地址信号路径221上的地址信号用于激活流体致动设备2020到20215或对应的存储器单元2040到20415。存储器使能信号路径207上的存储器使能信号确定流体致动设备2020到20215是否被激活或对应的存储器单元2040到20415是否被访问。响应于逻辑高存储器使能信号，晶体管218导通以启用对存储器单元2040到20415的访问。另外，响应于逻辑高存储器使能信号，逻辑门208输出逻辑低信号以关断晶体管210以防止任何流体致动设备2020到20215响应于传递到信号路径2250到22515的激发信号而激发。响应于逻辑低存储器使能信号，晶体管218关断以禁用对存储器单元2040到20415的访问。另外，响应于逻辑低存储器使能信号，逻辑门208允许激发信号传递到信号路径2250到22515以激发流体致动设备2020到20215。在一个示例中，存储器使能信号基于存储在配置寄存器(如图1B的配置寄存器136)中的数据位。在另一个示例中，存储器使能信号基于由电路200接收到的数据位连同地址和喷嘴数据，其由配置逻辑(如图1A的配置逻辑110)使用以启用或禁用存储器单元2040到20415。
喷嘴数据信号指示是否将选择流体致动设备2020到20215或对应的存储器单元2040到20415。在一个示例中，喷嘴数据信号包括用于选择流体致动设备2020到20215或对应的存储器单元2040到20415的逻辑高信号和用于取消选择流体致动设备2020到20215或对应的存储器单元2040到20415的逻辑低信号。响应于逻辑高喷嘴数据信号，逻辑门227响应于逻辑高激发信号而将逻辑高信号传递到信号路径229。响应于逻辑低喷嘴数据信号或逻辑低激发信号，逻辑门227将逻辑低信号传递到信号路径229。
地址信号选择流体致动设备2020到20215或对应的存储器单元2040到20415中的一个。响应于地址信号，逻辑门2220到22215之一将逻辑高信号传递到对应的信号路径2230到22315。其他逻辑门2220到22215将逻辑低信号传递到对应的信号路径2230到22315。
响应于信号路径229上的逻辑高信号和对应信号路径2230到22315上的逻辑高信号，每个逻辑门2240到22415将逻辑高信号传递到对应的信号路径2250到22515。响应于信号路径229上的逻辑低信号或对应信号路径2230到22315上的逻辑低信号，每个逻辑门2240到22415将逻辑低信号传递到对应的信号路径2250到22515。因此，响应于信号路径2250到22515上的逻辑低存储器使能信号和逻辑高信号，对应的流体致动设备2020到20215通过激活对应的激发电阻器212来激发。响应于信号路径2250到22515上的逻辑高存储器使能信号和逻辑高信号，选择对应的存储器单元2040到20415进行访问。
随着存储器单元2040到20415被选择用于访问，存储器写入电压调节器230可以由存储器写入信号路径232上的存储器写入信号启用以将电压施加到信号路径234，从而将数据位写入到浮栅晶体管220。另外，随着存储器单元2040到20415被选择用于访问，晶体管238和240可以响应于存储器读取信号路径236上的存储器读取信号而导通。随着晶体管238和240导通，存储在浮栅晶体管220中的数据位可以通过感测焊盘241(例如，通过耦接到感测焊盘241的主机打印装置)读取。在一个示例中，存储器写入信号和存储器读取信号是基于存储在配置寄存器(例如，图1B的配置寄存器136)中的数据。在另一个示例中，存储器写入信号和存储器读取信号是基于由电路200接收到的数据连同地址和喷嘴数据，其由配置逻辑(如图1A的配置逻辑110)使用以激活读取信号或写入信号。
图3A是图示了用于对与流体喷射设备相关联的存储器进行访问的集成电路300的一个示例的框图。在此示例中，流体致动设备可以定位于与存储器分开的集成电路上。集成电路300包括多个存储器单元3040到304N、地址解码器322、激活逻辑324和配置逻辑310。每个存储器单元3040到304N分别通过信号路径3030到303N电耦接到激活逻辑324。激活逻辑324电耦接到地址解码器322，通过信号路径309电耦接到配置逻辑310，并且通过激发接口328接收激发信号。地址解码器322通过数据接口326接收数据信号。数据接口326和激发接口328中的每一个可以是接触焊盘、引脚、凸块、导线或用于向和/或从集成电路300传输信号的其他合适的电接口。接口326和328中的每一个可以电耦接到流体喷射系统(例如，主机打印装置)。
在一个示例中，每个存储器单元3040到304N包括非易失性存储器单元(例如，浮栅晶体管、可编程熔丝等)。地址解码器322响应于地址而选择存储器单元3040到304N，所述地址可以通过数据接口326接收。激活逻辑324基于数据接口326上的数据信号和激发接口328上的激发信号来激活所选存储器单元3040到304N。配置逻辑310启用或禁用对多个存储器单元3040到304N的访问。
图3B是图示了用于对与流体喷射设备相关联的存储器进行访问的集成电路320的另一个示例的框图。集成电路320包括多个存储器单元3040到304N、地址解码器322和激活逻辑324。另外，集成电路320包括写入电路330和配置寄存器336。在一个示例中，图3A的集成电路300的配置逻辑310包括配置寄存器336。每个存储器单元3040到304N通过感测接口334电耦接到写入电路330。
配置寄存器336可以存储用于启用或禁用对多个存储器单元3040到304N的访问的数据。另外，配置寄存器336可以存储用于启用对多个存储器单元3040到304N的写入访问或读取访问的数据。感测接口334提供单个接口，所述单个接口耦接到多个存储器单元3040到304N中的每一个以连接到主机打印装置的单个触点。在一个示例中，感测接口334包括单个接触焊盘。
当所选存储器单元3040到304N已通过地址解码器322和激活逻辑324访问时，可以通过感测接口334读取存储在存储器单元3040到304N中的数据。另外，当所选存储器单元3040到304N已通过地址解码器322和激活逻辑324访问时，写入电路330可以将数据写入到所选存储器单元3040到304N。
图4A图示了流体喷射裸片400的一个示例，并且图4B图示了流体喷射裸片400的端部的放大视图。在一个示例中，流体喷射裸片400包括图1A的集成电路100、图1B的集成电路120或图2的电路200。裸片400包括第一列接触焊盘402、第二列接触焊盘404和流体致动设备408的列406。第二列接触焊盘404与第一列接触焊盘402对齐并且与第一列接触焊盘402相距一定距离(即，沿Y轴)。所述流体致动设备408的列406相对于第一列接触焊盘402和第二列接触焊盘404纵向布置。所述流体致动设备408的列406也布置在第一列接触焊盘402与第二列接触焊盘404之间。在一个示例中，流体致动设备408是用于喷射液滴的喷嘴或流体泵。
在一个示例中，第一列接触焊盘402包括六个接触焊盘。第一列接触焊盘402可以依次包括以下接触焊盘：数据接触焊盘410、时钟接触焊盘412、逻辑电力接地回路接触焊盘414、多用途输入/输出(例如，感测)接触焊盘416、第一高压电力供应接触焊盘418和第一高压电力接地回路接触焊盘420。因此，第一列接触焊盘402包括处于第一列402顶部的数据接触焊盘410、处于第一列402底部的第一高压电力接地回路接触焊盘420以及第一高压电力接地回路接触焊盘420正上方的第一高压电力供应接触焊盘418。尽管以特定顺序图示了接触焊盘410、412、414、416、418和420，但在其他示例中，接触焊盘可以以不同顺序布置。
在一个示例中，第二列接触焊盘404包括六个接触焊盘。第二列接触焊盘404可以依次包括以下接触焊盘：第二高压电力接地回路接触焊盘422、第二高压电力供应接触焊盘424、逻辑复位接触焊盘426、逻辑电力供应接触焊盘428、模式接触焊盘430和激发接触焊盘432。因此，第二列接触焊盘404包括处于第二列404顶部的第二高压电力接地回路接触焊盘422、第二高压电力接地回路接触焊盘422正下方的第二高压电力供应接触焊盘424以及处于第二列404底部的激发接触焊盘432。尽管以特定顺序图示了接触焊盘422、424、426、428、430和432，但在其他示例中，接触焊盘可以以不同顺序布置。
数据接触焊盘410(例如，图1B的数据接口126)可以用于将串行数据输入到裸片400以用于选择流体致动设备(例如，经由图1B的选择电路106)、存储器位(例如，经由图1B的选择电路106)、热传感器、配置模式(例如经由图1B的配置寄存器136)等。数据接触焊盘410还可以用于从裸片400输出串行数据，以用于读取存储器位、配置模式、状态信息等。时钟接触焊盘412可以用于将时钟信号输入到裸片400以将数据接触焊盘410上的串行数据移位到裸片中或将串行数据移位出裸片到数据接触焊盘410。逻辑电力接地回路接触焊盘414为供应到裸片400的逻辑电力(例如，约0V)提供接地回路路径。在一个示例中，逻辑电力接地回路接触焊盘414电耦接到裸片400的半导体(例如，硅)衬底440。多用途输入/输出接触焊盘416(例如，图1B的感测接口134或图2的感测焊盘241)可以用于裸片400的模拟感测和/或数字测试模式。在一个示例中，多用途输入/输出接触焊盘416可以电耦接到图1B的每个存储器单元1040到104N、写入电路130和传感器132。
第一高压电力供应接触焊盘418和第二高压电力供应接触焊盘424可以用于将高压(例如，约32V)供应到裸片400。第一高压电力接地回路接触焊盘420和第二高压电力接地回路接触焊盘422可以用于为高压电力供应器提供电力接地回路(例如，约0V)。高压电力接地回路接触焊盘420和422不直接电连接到裸片400的半导体衬底440。将高压电力供应接触焊盘418和424以及高压电力接地回路接触焊盘420和422作为最里面的接触焊盘的特定接触焊盘顺序可以改善到达裸片400的电力输送。分别在第一列402的底部和第二列404的顶部具有高压电力接地回路接触焊盘420和422可以改善制造的可靠性并且可以改善墨水短路保护。
逻辑复位接触焊盘426可以用作逻辑复位输入以控制裸片400的操作状态。逻辑电力供应接触焊盘428可以用于将逻辑电力(例如，在约1.8V与15V之间，如5.6V)供应到裸片400。模式接触焊盘430可以用作逻辑输入以控制访问从而启用/禁用裸片400的配置模式(即，功能模式)。激发接触焊盘432(例如，图1B的激发接口128)可以用作逻辑输入以锁存来自数据接触焊盘410的经加载数据并且启用裸片400的流体致动设备或存储器元件。
裸片400包括具有长度442(沿Y轴)、厚度444(沿Z轴)和宽度446(沿X轴)的长型衬底440。在一个示例中，长度442是宽度446的至少二十倍。宽度446可以是1mm或更小，并且厚度444可以小于500微米。流体致动设备408(例如，流体致动逻辑)和接触焊盘410至432提供在长型衬底440上并且沿长型衬底的长度442布置。流体致动设备408具有小于长型衬底440的长度442的条带长度452。在一个示例中，条带长度452为至少1.2cm。接触焊盘410至432可以电耦接到流体致动逻辑。第一列接触焊盘402可以布置在长型衬底440的第一纵向端部448附近。第二列接触焊盘404可以布置在长型衬底440的与第一纵向端部448相对的第二纵向端部450附近。
图5A图示了(作为图4A和图4B的流体喷射裸片400的另外的示例的)流体喷射裸片400a的中心部分的放大视图。如先前参考图4A和图4B所描述的，流体喷射裸片400a包括沿长型衬底440的长度布置成列的多个喷嘴408。另外，流体喷射裸片400包括被布置成组460的与多个喷嘴408邻近的多个存储器单元。如图5B所图示的，每组460存储器单元可以包括第一存储器单元4620和第二存储器单元4621。每个存储器单元462对应于一个喷嘴408。如前所描述的，流体喷射裸片400的流体致动逻辑从所选喷嘴408喷射流体或者对与所选喷嘴408相对应的存储器单元462进行访问。
在一个示例中，所述多个喷嘴中的每个喷嘴408具有对应的存储器单元462。在另一个示例中，所述多个喷嘴中的每隔一个喷嘴408具有对应的存储器单元462。在另一个示例中，所述多个存储器单元可以包括对应于每个喷嘴408的单个存储器单元462。在另一个示例中，所述多个存储器单元包括对应于每个喷嘴408的至少两个存储器单元462。多个存储器单元462可以被布置成多个组460，其中，每个组460包括至少两个存储器单元462。多个组460沿长型衬底440的长度彼此间隔开。
图6A图示了(作为图4A和图4B的流体喷射裸片400的另外的示例的)流体喷射裸片400b的中心部分的放大视图。流体喷射裸片400b包括沿长型衬底440的长度被布置成第一列的多个喷嘴408a和沿长型衬底440的长度被布置成第二列的多个喷嘴408b。第一列邻近第二列。第一列中的喷嘴408a可以相对于第二列中的喷嘴408b偏移。另外，流体喷射裸片400b包括被布置成组470的与多个喷嘴408a和408b邻近的多个存储器单元。组470沿长型衬底440的长度彼此间隔开。
如图6B所图示的，每个组470可以包括被布置成三个库(bank)4821到4823的六个存储器单元。第一库4821包括第一存储器单元4721-0和第二存储器单元4721-1。第二库4822包括第一存储器单元4722-0和第二存储器单元4722-1。第三库4823包括第一存储器单元4723-0和第二存储器单元4723-1。可以分别响应于库使能信号路径4801到4803上的库使能信号来选择每个库4821到4823。
在一个示例中，多个存储器单元包括对应于每个喷嘴408a和/或408b的三个存储器单元472。对应于每个喷嘴的第一存储器单元(例如，存储器单元4721-0)被布置成第一存储器单元库(例如，库4821)，对应于每个喷嘴的第二存储器单元(例如，存储器单元4722-0)被布置成第二存储器单元库(例如，库4822)，并且对应于每个喷嘴的第三存储器单元(例如，存储器单元4723-0)被布置成第三存储器单元库(例如，库4823)。流体致动逻辑从所选喷嘴408a和/或408b喷射流体或者对与所选喷嘴和所选存储器单元库相对应的存储器单元472进行访问。
在一个示例中，第一库、第二库和第三库使能信号基于存储在配置寄存器(例如，图1B的配置寄存器136)中的数据。在另一个示例中，第一库、第二库和第三库使能信号基于由流体喷射裸片400b接收到的数据连同地址和喷嘴数据，其由配置逻辑(如图1A的配置逻辑110)使用以启用所选库4821到4823。
图7是图示了流体喷射系统500的一个示例的框图。流体喷射系统500包括流体喷射组件，如打印头组件502，以及流体供应组件，如墨水供应组件510。在所图示的示例中，流体喷射系统500还包括服务站组件504、托架组件516、打印介质传输组件518和电子控制器520。尽管以下描述提供了用于关于墨水进行流体处理的系统和组件的示例，但是所公开的系统和组件也适用于处理除墨水之外的流体。
打印头组件502包括先前参考图4A和图4B所描述和图示的至少一个打印头或流体喷射裸片400，所述至少一个打印头或流体喷射裸片通过多个孔口或喷嘴408喷射墨滴或液滴。在一个示例中，液滴被引导朝向介质，如打印介质524，以打印到打印介质524上。在一个示例中，打印介质524包括任何类型的合适的片材，如纸、卡片纸、透明胶片、聚酯薄膜(Mylar)、织物等。在另一个示例中，打印介质524包括用于三维(3D)打印的介质，如粉末床，或用于生物打印和/或药物发现测试的介质，如储液器或容器。在一个示例中，喷嘴408布置成至少一个列或阵列，使得墨水从喷嘴408进行的适当顺序的喷射引起字符、符号和/或其他图形或图像在打印头组件502和打印介质524相对于彼此移动时被打印在打印介质524上。
墨水供应组件510向打印头组件502供应墨水并且包括用于储存墨水的储液器512。因此，在一个示例中，墨水从储液器512流动到打印头组件502。在一个示例中，打印头组件502和墨水供应组件510一起容纳在喷墨或流体喷射打印墨盒或笔中。在另一个示例中，墨水供应组件510与打印头组件502分开并且通过接口连接513(如供应管和/或阀)将墨水供应到打印头组件502。
托架组件516相对于打印介质传输组件518定位打印头组件502，并且打印介质传输组件518相对于打印头组件502定位打印介质524。因此，打印区526被限定成在打印头组件502与打印介质524之间的区域中与喷嘴408相邻。在一个示例中，打印头组件502是扫描型打印头组件，使得托架组件516相对于打印介质传输组件518移动打印头组件502。在另一个示例中，打印头组件502是非扫描型打印头组件，使得托架组件516相对于打印介质传输组件518将打印头组件502固定在规定的位置处。
服务站组件504提供打印头组件502的喷射、擦拭、加盖和/或灌注以维持打印头组件502、并且更具体地喷嘴408的功能。例如，服务站组件504可以包括橡胶刀片或擦拭器，所述橡胶刀片或擦拭器周期性地经过打印头组件502以擦拭和清洁喷嘴408上的过量墨水。另外，服务站组件504可以包括覆盖打印头组件502的盖，以用于在不使用时段期间保护喷嘴408免于变干。另外，服务站组件504可以包括墨盂，打印头组件502在吐出期间将墨水喷射到所述墨盂中以确保储液器512维持适当水平的压力和流动性，并且确保喷嘴408不会堵塞或渗漏。服务站组件504的功能可以包括服务站组件504与打印头组件502之间的相对运动。
电子控制器520通过通信路径503与打印头组件502通信，通过通信路径505与服务站组件504通信，通过通信路径517与托架组件516通信，并且通过通信路径519与打印介质传输组件518通信。在一个示例中，当打印头组件502安装在托架组件516中时，电子控制器520和打印头组件502可以通过通信路径501经由托架组件516进行通信。电子控制器520还可以与墨水供应组件510通信，使得在一种实施方式中，可以检测到新的(或使用过的)墨水供应器。
电子控制器520从如计算机等主机系统接收数据528，并且可以包括用于临时存储数据528的存储器。数据528可以沿电子、红外线、光学或其他信息传递路径发送到流体喷射系统500。数据528表示例如要打印的文档和/或文件。因此，数据528形成流体喷射系统500的打印作业并且包括至少一个打印作业命令和/或命令参数。
在一个示例中，电子控制器520提供对打印头组件502的控制，包括用于从喷嘴408喷射墨滴的定时控制。因此，电子控制器520限定喷射的墨滴的图案，所述喷射的墨滴在打印介质524上形成字符、符号和/或其他图形或图像。定时控制以及因此喷射的墨滴的图案由打印作业命令和/或命令参数确定。在一个示例中，形成电子控制器520的一部分的逻辑和驱动电路定位于打印头组件502上。在另一个示例中，形成电子控制器520的一部分的逻辑和驱动电路定位于打印头组件502之外。
尽管本文已经图示和描述了特定示例，但是在不脱离本公开的范围的情况下，各种各样的替代和/或等效实施方式可以代替所示出和描述的特定示例。本申请旨在覆盖本文所讨论的特定示例的任何修改或变化。因此，本公开旨在仅由权利要求及其等效物限制。
Claims (21)
1.一种用于包括多个流体致动设备的流体喷射设备的集成电路，所述集成电路包括：
多个存储器单元，每个存储器单元对应于流体致动设备；
选择电路，所述选择电路用于选择流体致动设备和对应于所选流体致动设备的存储器单元；
配置逻辑，所述配置逻辑用于启用或禁用对所述多个存储器单元的访问；以及
控制逻辑，所述控制逻辑用于基于所述配置逻辑的状态来激活所述所选流体致动设备或者对与所述所选流体致动设备相对应的存储器单元进行访问。
2.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述选择电路包括地址解码器，所述地址解码器用于响应于地址而选择流体致动设备和对应于所述所选流体致动设备的存储器单元。
3.如权利要求1或2所述的集成电路，其中，所述选择电路包括激活逻辑，所述激活逻辑用于基于数据信号和激发信号来激活所选流体致动设备和对应于所述所选流体致动设备的存储器单元。
4.如权利要求1或2所述的集成电路，进一步包括：
写入电路，所述写入电路耦接到所述多个存储器单元。
5.如权利要求1或2所述的集成电路，其中，所述配置逻辑包括配置寄存器，所述配置寄存器存储用于启用或禁用对所述多个存储器单元进行访问的数据，并且
其中，所述控制逻辑用于基于存储在所述配置寄存器中的数据来激活所述所选流体致动设备或者对与所述所选流体致动设备相对应的存储器单元进行访问。
6.如权利要求5所述的集成电路，其中，所述配置寄存器存储用于启用对所述多个存储器单元进行写入访问或读取访问的数据。
7.如权利要求5所述的集成电路，进一步包括：
传感器，
其中，所述配置寄存器存储用于启用或禁用所述传感器的数据。
8.一种包括如权利要求1所述的集成电路的流体喷射设备，所述流体喷射设备包括：
长型衬底，所述长型衬底具有长度、厚度和宽度，所述长度为所述宽度的至少二十倍，其中，在所述长型衬底上设置有：
多个流体致动设备，所述多个流体致动设备沿所述长型衬底的所述长度布置成列，以及
所述多个存储器单元，所述多个存储器单元被布置成邻近所述多个流体致动设备，每个存储器单元对应于流体致动设备。
9.如权利要求8所述的流体喷射设备，其中，所述多个流体致动设备中的每个流体致动设备具有对应的存储器单元。
10.如权利要求8所述的流体喷射设备，其中，所述多个流体致动设备中的每隔一个流体致动设备具有对应的存储器单元。
11.如权利要求8至10中任一项所述的流体喷射设备，其中，所述多个存储器单元包括对应于每个流体致动设备的单个存储器单元。
12.如权利要求8至10中任一项所述的流体喷射设备，其中，所述多个存储器单元被布置成多个组，每个组包括至少两个存储器单元，并且所述多个组彼此间隔开。
13.如权利要求8所述的流体喷射设备，其中，所述多个存储器单元包括对应于每个流体致动设备的至少两个存储器单元。
14.如权利要求13所述的流体喷射设备，其中，对应于每个流体致动设备的第一存储器单元被布置成第一存储器单元库，并且对应于每个流体致动设备的第二存储器单元被布置成第二存储器单元库。
15.如权利要求8所述的流体喷射设备，其中，所述多个存储器单元包括对应于每个流体致动设备的三个存储器单元。
16.如权利要求15所述的流体喷射设备，其中，所述多个存储器单元被布置成多个组，每个组包括六个存储器单元，并且所述多个组彼此间隔开。
17.如权利要求15或16所述的流体喷射设备，其中，对应于每个流体致动设备的第一存储器单元被布置成第一存储器单元库，对应于每个流体致动设备的第二存储器单元被布置成第二存储器单元库，并且对应于每个流体致动设备的第三存储器单元被布置成第三存储器单元库。
18.一种包括多个流体致动设备的流体喷射设备，所述流体喷射设备包括：
多个存储器单元，每个存储器单元对应于流体致动设备；
单个接口，所述单个接口耦接到所述多个存储器单元中的每一个，所述单个接口用于连接到主机打印装置的单个触点；
选择电路，所述选择电路用于选择流体致动设备和对应于所选流体致动设备的存储器单元；
配置寄存器，所述配置寄存器存储用于启用或禁用对所述多个存储器单元进行访问的数据；以及
控制逻辑，所述控制逻辑用于基于存储在所述配置寄存器中的数据来激活所述所选流体致动设备或者对与所述所选流体致动设备相对应的存储器单元进行访问。
19.如权利要求18所述的流体喷射设备，进一步包括：
写入电路，所述写入电路耦接到所述单个接口，所述写入电路用于将数据写入到所述存储器单元。
20.如权利要求18或19所述的流体喷射设备，其中，每个存储器单元包括非易失性存储器单元。
21.如权利要求18或19所述的流体喷射设备，其中，所述单个接口包括单个接触焊盘。
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