TWI732530B - 基板側面部配線形成方法 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種基板配線形成方法，具體來說，涉及一種基板側面部配線形成方法，此方法係透過光刻製程在基板側面部形成基板側面部配線。藉此，可以輕鬆且精密地形成側面部電路圖案以電連接上部電路圖案與下部電路圖案，並且可以提供具有提高的電特性的基板。

Description

基板側面部配線形成方法
本發明涉及一種基板配線形成方法，具體來說，本發明所述的基板側面部配線形成方法係透過光刻製程在基板側面部形成基板側面部配線。藉此，可以輕鬆且精密地形成側面部電路圖案以電連接上部電路圖案與下部電路圖案。
近年來，為了實現面積大且鮮明的顯示器，形成不具外框的基板的技術需求逐漸增加。為了提供不具外框的基板，需要在基板側面形成配線的技術。
但是，在先前技術中僅揭露了簡單地在基板側面形成配線以減少外框的寬度的顯示面板，而尚未揭露在基板的側面形成配線的具體方法。並且，在先前技術的文獻中也未提出在基板側面部形成精密且電特性優秀的配線的具體方法。
本發明係為了解決如上所述的先前技術的問題而提出。本發明的目的在於，提供如下的基板側面部配線形成方法，即透過光刻製程在基板側面 部形成基板側面部配線。藉此，可以輕鬆且精密地形成側面部電路圖案以電連接上部電路圖案與下部電路圖案，並且可以提供具有提高的電特性的基板。
為了解決如上所述的技術問題而提出的本發明的基板側面部配線形成方法包括：在基板側面部進行蒸鍍以形成側面部配線用金屬層的步驟；在側面部配線用金屬層上形成光刻膠層的步驟；在光刻膠層上對齊配置掩膜之後，使光刻膠層的一部分曝光的步驟；對光刻膠層進行顯影以形成使側面部配線用金屬層的一部分露出的光刻膠圖案的步驟；以及在對所露出的側面部配線用金屬層的一部分進行蝕刻處理以去除之後，剝離側面部配線用金屬層上所殘留的的光刻膠圖案，以形成側面部電路圖案的步驟。
較佳的，光刻膠層可以由負性光刻膠形成，並且在掩膜中，在與側面部電路圖案對應的部分形成開口部。
較佳的，光刻膠層可以由正性光刻膠形成，並且在掩膜中，在除了與側面部電路圖案對應的部分之外的剩餘部分形成開口部。
根據具有上述技術解決方案的本發明的基板側面部配線形成方法，本發明具有如下的效果，透過光刻製程在基板側面部形成基板側面部配線，藉此，可以輕鬆且精密地形成側面部電路圖案以電連接上部電路圖案與下部電路圖案，並且可以提供具有提高的電特性的基板。
10:基板側面部
11:基板的側面
13:側面相鄰上部面
15:側面相鄰下部面
20:光刻膠層
21:光刻膠圖案
30:基板
40:掩膜
41:開口部
50:顯示元件
60:上部電路圖案
70:控制元件
80:下部電路圖案
90:側面部配線
91:側面部配線用金屬層
93:側面部電路圖案
100:顯示裝置
S10,S30,S50,S70,S90:步驟
第1圖為本發明實施例的基板側面部配線形成方法的流程圖。
第2圖及第3圖為本發明實施例的基板側面部配線形成方法的第一製程流程圖。
第4圖及第5圖為本發明實施例的基板側面部配線形成方法的第二製程流程圖。
第6圖繪示出用於本發明實施例的基板側面部配線形成方法的例示性基板的剖面圖。
第7圖繪示出用於本發明實施例的基板側面部配線形成方法以在基板側面部形成配線狀態的基板剖面圖。
第1圖為本發明實施例的基板側面部配線形成方法的流程圖。第2圖及第3圖為本發明實施例的基板側面部配線形成方法的第一製程流程圖。
如第1圖至第3圖所示，首先，本發明實施例的基板側面部配線形成方法包含以下的步驟，在需要形成配線的基板側面部10蒸鍍形成側面部配線用金屬層91(步驟S10)。如第2圖的(a)部分所示，在步驟S10中，在基板30的側面部蒸鍍形成側面部配線90，即與用於形成側面部電路圖案93的基本金屬層對應的側面部配線用金屬層91。側面部配線用金屬層91透過物理氣相沉積(PVD，PhySical Vapor DepoSition)等的真空蒸鍍法形成於基板30的基板側面部10。
在步驟S10之後，執行在側面部配線用金屬層91形成光刻膠層20的步驟S30。也就是說，如第2圖的(b)部分所示，與感光膜對應的光刻膠層20形成於側面部配線用金屬層91。可以在裝有光刻膠溶液的容器放入經蒸鍍形成側面部配線用金屬層91的基板30以形成光刻膠層20。當然，也可以透過噴射器在側面部配線用金屬層91噴射光刻膠溶液以形成光刻膠層20。此外，光刻膠層20也可透過絲網印刷或旋塗形成於側面部配線用金屬層91上。
光刻膠層20可以由負性光刻膠形成，也可以由正性光刻膠形成。當形成側面部電路圖案93時，根據光刻膠層20是由負性光刻膠形成或者由正性 光刻膠形成，所對應的掩膜40的開口部41圖案會發生改變。對此將在下文中進行說明。
在步驟S30之後，在光刻膠層20上對齊配置掩膜40，並執行使光刻膠層20的一部分曝光的步驟S50。如第2圖(c)部分所示，掩膜40對齊配置為包圍光刻膠層20，並利用曝光裝置以使透過掩膜40的開口部41露出的光刻膠層20的一部分曝光。
掩膜40可以為膜型掩膜或器具型掩膜。膜型掩膜透過黏著劑以對齊附著在形成有光刻膠層20的基板30。此外，器具型掩膜為金屬結構物形態的掩膜，並向形成有光刻膠層20的基板30插入以對齊安裝。若考慮對齊簡單的側面，則較佳地採用器具型掩膜。
在掩膜40採用膜型掩膜的情況下，可以使用PI膜作為掩膜40。在使用PI膜作為掩膜40的情況下，掩膜40附著多種黏著劑以緊貼附著在形成有光刻膠層20的基板30。
作為掩膜的PI膜在與形成有光刻膠層20的基板之間形成黏著劑的狀態下，可以在特定製程條件下優先執行臨時接合製程，即在形成有光刻膠層20的基板30執行臨時接合，並且在特定製程條件下執行固定接合製程，即在形成有光刻膠層20的基板30執行固定接合。
在步驟S50之後，執行對光刻膠層20進行顯影以形成使側面部配線用金屬層91的一部分露出的光刻膠圖案21的步驟S70。如第3圖(d)部分所示，光刻膠圖案21透過對一部分曝光的光刻膠層20的顯影製程以形成於側面部配線用金屬層91上。其中，光刻膠圖案21使側面部配線用金屬層91的一部分露出。
在步驟S70之後，執行對所露出的側面部配線用金屬層91的一部分進行蝕刻，以剝離所殘留的側面部配線用金屬層上的光刻膠圖案21，並接續執行在基板30的基板側面部10形成與側面部配線90對應的側面部電路圖案93的 步驟S90。也就是說，如果對透過光刻膠圖案21露出的側面部配線用金屬層91的一部分進行蝕刻以去除，則形成第3圖(e)部分的狀態，若利用剝離液將未被蝕刻且殘留的側面部配線用金屬層91的剩餘部分(側面部電路圖案93上的光刻膠圖案21)進行剝離，則形成第3圖(f)部分的狀態。結果是，在基板30的基板側面部10形成與側面部配線90對應的側面部電路圖案93。
根據以上說明的基板側面部配線形成方法，本發明具有如下的有益效果，可以透過光刻製程在基板側面部10形成基板側面部配線90。因此，可以輕鬆且精密地形成側面部電路圖案93以電連接形成於基板30的上部面的上部電路圖案與形成於基板的下部面的下部電路圖案，並且可以提供具有提高的電特性的基板。
另一方面，在上文所說明的基板側面部配線形成方法中，僅說明了在基板側面部10形成與側面部配線90對應的側面部電路圖案93的製程。較佳地，基板側面部10的側面部電路圖案93形成製程可以與在基板30的上部面形成的上部電路圖案及/或在基板30的下部面形成的下部電路圖案的製程同時執行。
因此，在基板側面部10透過蒸鍍以形成側面部配線用金屬層91的步驟S10中，在基板30的上部面及下部面中的至少一個面同時形成電路圖案用金屬層。此外，在步驟S30中，光刻膠層20形成在側面部配線用金屬層91和一同形成的電路圖案用金屬層上。在步驟S50中，在形成於側面部配線用金屬層91和一同形成的電路圖案用金屬層上的光刻膠層20對齊配置掩膜之後執行曝光製程。在步驟S70中，透過顯影製程在側面部配線用金屬層91和一同形成的電路圖案用金屬層上形成光刻膠圖案21。在步驟S90中，側面部電路圖案93、上部電路圖案及/或下部電路圖案同時形成。
另一方面，在步驟S50中，第2圖(c)部分所示的製程中所使用的掩膜40的圖案，係根據光刻膠層20由正性光刻膠形成或者由負性光刻膠形成 而改變。也就是說，在掩膜40的開口部41形成的圖案，係根據為了形成特定側面部電路圖案93而採用的光刻膠層20，其由正性光刻膠形成和由負性光刻膠形成而改變。
具體地，根據光刻膠層20由負性光刻膠形成或者由正性光刻膠形成，掩膜40可以在與最終形成的側面部配線90對應的側面部電路圖案93的對應部分形成開口部41，也可以在除了對應部分之外的部分形成開口部41。其中，前者適用於透過第2圖及第3圖說明的基板側面部配線形成方法的第一製程，後者則適用於透過第4圖及第5圖說明的基板側面部配線形成方法的第二製程。
更具體地，在第2圖及第3圖所示的本發明實施例的基板側面部配線形成方法的第一製程流程圖中，光刻膠層20由負性光刻膠形成。因此在掩膜40中，在與側面部配線90對應的側面部電路圖案93的對應部分形成開口部41。
因此，如第2圖(c)部分所示，與步驟S50對應地對齊配置掩膜，使光刻膠層20的一部分曝光之後，若利用剝離液執行顯影製程，則處於第3圖(d)部分所示的狀態。具體地，光刻膠層20由負性光刻膠形成，因此，透過在與側面部電路圖案93對應的位置形成的開口部41所露出的光刻膠層20的一部分未透過顯影液去除，而是殘留。其中，未受到光的照射的部分，即未透過開口部41露出的部分皆被去除。因此，若完成顯影製程，則處於第3圖(d)部分的狀態。
此外，在如第4圖及第5圖所示的本發明實施例的基板側面部配線形成方法的第二製程流程圖中，光刻膠層20由正性光刻膠形成，在掩膜40中，在除了與側面部配線90對應的側面部電路圖案93對應部分之外的部分形成開口部41。
因此，如第4圖(c)部分所示，與步驟S50對應地對齊配置研磨，使光刻膠層20的一部分曝光之後，若利用顯影液以執行顯影製程，則處於第5圖(d)部分所示的狀態。具體地，光刻膠層20由正性光刻膠形成，因此，透過在 除與側面部電路圖案93對應的部分之外的剩餘部分的位置形成的開口部41露出的光刻膠層20的一部分透過顯影液去除，僅有未受到光的照射的部分。也就是說，未透過開口部41露出的部分不會被去除，而是殘留。因此，若完成顯影製程，則處於第5圖(d)部分的狀態。
另一方面，在本發明中所使用的光刻製程的基板側面部10配線形成方法，其可以作為透過光刻製程在對基板30的側面部形成配線的方法，並且所使用的基板30需要形成電路圖案。也就是說，只要是可透過側面部連接電路圖案的基板，均可以使用。具體來說，本發明所使用的基板30可以包括形成有玻璃、塑膠、膜等電路圖案，並且可以在側面部形成配線以電連接上述的電路圖案的所有基板。
較佳地，本發明所適用的基板30為可以在其上部和下部安裝多種元件，且上部和下部分別可以形成電路圖案的基板。而且，如第6圖所示，形成配線的基板側面部10包括形成基板的邊緣部的基板的側面11、與基板的側面11相鄰基板30的上部面，即側面相鄰上部面13、及與基板的側面11相鄰的基板30的下部面，即側面相鄰下部面15。
具體地，如第6圖所示，本發明所適用的基板側面部10包括基板的側面11、側面相鄰上部面13、及側面相鄰下部面15。在基板側面部10，與側面部配線90對應的側面部電路圖案93使形成於基板30上部面的上部電路圖案60與形成於基板下部面的下部電路圖案80電連接。如上所述，較佳地，側面部電路圖案93透過與上部電路圖案60和下部電路圖案80相同的製程同時形成。
更具體地，本發明所使用的基板30可以為適用於多種元件、設備、裝置的基板。例如，如第6圖所示，本發明所使用的基板30可適用於顯示裝置100。因此，在基板30上可以安裝複數個顯示元件50，例如，LCD、OLED、 微LED以形成顯示元件矩陣。並且，在基板30的下部可以形成用於控制複數個顯示元件50，並且用於收發電訊號的控制元件70，以及多種相關元件。
在基板30的上部形成用於複數個顯示元件50的配線，即上部電路圖案60。並且在基板30的下部形成用於複數個控制元件70等的配線，即下部電路圖案80。因此，如第7圖所示，在基板側面部10形成用於使上部電路圖案60與下部電路圖案80電連接的側面部配線90。其中，側面部配線90對應於透過基板側面部配線形成方法形成的側面部電路圖案93。
與在基板側面部10形成的側面部配線90對應的側面部電路圖案93需要電連接上部電路圖案60與下部電路圖案80。因此，如第7圖所示，基本上側面部電路圖案93的剖面呈「匚」字形狀。如上所述，與側面部配線90對應的側面部電路圖案93係用於電連接上部電路圖案60與下部電路圖案80而呈「匚」字形狀。因此，如第6圖所示，形成側面部配線90的基板側面部10包括基板的側面11、側面相鄰上部面13及側面相鄰下部面15。
根據上述說明的本發明具有如下優點，側面部電路圖案與上部電路圖案及/或下部電路圖案同時形成，因此，可減少用於形成包括基板側面部配線在內的基板的所有配線的時間、勞力及成本。
此外，本發明具有如下效果，本發明的基板的上部電路圖案與下部電路圖案可透過配線電連接，配線透過對於基板的側面部的光刻製程形成。因此，可實現大面積且鮮明的顯示裝置。
在上文中，說明了本發明的實施例，但這僅是本發明的部分例示性實施例，本發明所屬技術領域具有通常知識者，可以從這些實施例進行各種變形及等同範圍的實施例。因此，本發明的保護範圍需要透過所附的發明申請專利範圍定義。
S10,S30,S50,S70,S90:步驟

Claims (3)

  1. 一種基板側面部配線形成方法，包括： 在一基板側面部蒸鍍形成一側面部配線用金屬層的步驟； 在該側面部配線用金屬層上形成一光刻膠層的步驟； 在該光刻膠層上對齊配置一掩膜之後，使該光刻膠層的一部分曝光的步驟； 對該光刻膠層進行顯影以形成使該側面部配線用金屬層的一部分露出的一光刻膠圖案的步驟；以及 在對所露出的該側面部配線用金屬層的一部分進行蝕刻處理以去除之後，剝離所殘留的該側面部配線用金屬層上的該光刻膠圖案以形成一側面部電路圖案的步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板側面部配線形成方法，其中該光刻膠層由一負性光刻膠形成，在該掩膜中，在與該側面部電路圖案對應的部分形成一開口部。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的基板側面部配線形成方法，其中該光刻膠層由一正性光刻膠形成，在該掩膜中，在與該側面部電路圖案對應的部分之外的剩餘部分形成一開口部。
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