TWI747522B - 一種led顯示裝置及巨量轉移方法 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及顯示器製造領域，具體涉及一種LED顯示裝置，其包括一顯示背板，多個第一LED晶片、多個第二LED晶片及多個第三LED晶片，所述顯示背板上形成有多個第一凸台及多個第二凸台，所述第一LED晶片設置於所述第一凸台上，所述第二LED晶片設置於所述第二凸台上，所述第一凸台的高度H11大於所述第二凸台的高度H22。同時，本發明還涉及一種巨量轉移方法，用於微元件的轉移，無需單獨製作轉移頭，僅需要用感光樹脂製作臨時轉移頭即可完成LED晶片的轉移，轉移精度高、效率高。

Description

一種LED顯示裝置及巨量轉移方法
本發明涉及LED顯示裝置製造技術領域，尤其涉及一種LED顯示裝置及巨量LED晶片轉移方法。
微LED發展是未來顯示技術的熱點之一，但其技術難點多且技術複雜，特別是其關鍵技術--巨量轉移技術。隨著技術的發展，巨量轉移技術發展至今已經出了不少技術分支，如靜電吸附、鐳射鐳射燒觸等。
現階段對紅藍綠(RGB)三色微LED的巨量轉移過程，一般採用分次轉移的方式，即一次只能轉移一種顏色的微LED晶片，利用震動和風力使對應形狀的微LED晶片落入裝載槽。所以，對於形狀相同的RGB三色微LED晶片，需要通過三次巨量轉移工藝，而微LED晶片尺寸在100um以下，因此，在巨量轉移的過程中，傳統的製作轉移頭進行轉移。則需要將轉移頭需要做得非常小與之匹配，對精度要求非常高，因而對轉移設備的製造要求也會非常高。
半導體封裝中，常常利用到一些具有高彈性、易加工的聚合物，這些聚合物旋塗後常溫即可形成固態。通常通過製作模具後，於模具中灌注聚合物材料，固化後模具，形成轉移微柱子，並利用柱子對準來抓取微元件，轉移後 利用機械力將微柱子壓斷，然而，這種方法工藝較複雜，更重要的是在使用微柱子抓取微元件時，需要精確對準，容易產生產品良率下降的情況。
基於以上問題，本發明設計一種LED顯示裝置結構，能夠很好的實現微LED晶片的巨量轉移，其具體結構如下：一種LED顯示裝置，其包括一顯示背板，所述顯示背板上陣列劃分為多個圖元區域；每個圖元區域，包括，第一LED晶片、第二LED晶片及第三LED晶片，以及設置在所述顯示背板上的第一凸台和第二凸台；所述第一LED晶片設置於所述第一凸台上，所述第二LED晶片設置於所述第二凸台上，所述第三LED晶片設置於所述圖元區域內的顯示背板上，所述第一凸台的高度H11大於所述第二凸台的高度H22。
進一步的，所述第二LED晶片及所述第三LED晶片的高度分別為h2、h3，所述第一凸台的高度H11、所述第二凸台的高度H22，滿足以下條件：H22
Figure 109133199-A0305-02-0003-1
h3、H11
Figure 109133199-A0305-02-0003-2
h2+h3。
本申請還包括一種巨量轉移方法，包括步驟：S10提供一第一生長基板，所述第一生長基板上有多個第一LED晶片，所述第一LED晶片的電極背離所述第一生長基板； S11提供一第一臨時基板，所述第一臨時基板上設置有膠合劑，將所述第一LED晶片的電極粘附於所述第一臨時基板的第一膠合劑層上，剝離所述第一生長基板；S12在設置有所述第一LED晶片的所述第一臨時基板上塗覆感光樹脂，形成第一感光樹脂層，所述第一感光樹脂層的厚度H1大於所述第一LED晶片的高度為h1，即，H1>h1；S13在所述感光樹脂層上覆蓋一第二臨時基板，所述第二臨時基板採用透光材料製成；提供一圖形化掩膜，遮擋射向不需要轉移的所述第一LED晶片的光線，曝光待轉移的第一LED晶片對應的部分所述第一感光樹脂層，使其固化，通過顯影液移除未曝光的所述第一感光樹脂層，剩下的所述感光樹脂層作為第一轉移頭；S14用鐳射剝離的方式選擇性地將待轉移的第一LED晶片從所述膠合劑層剝離，使所述第一LED晶片通過所述第一轉移頭粘附於所述第二臨時基板上；S15移動所述第二臨時基板，將所述第二臨時基板上的LED晶片轉移至顯示背板，通過剝離液溶解所述轉移頭，使LED晶片與所述第二臨時基板分離，完成所述LED晶片的轉移。
進一步的，所述方法還包括：提供一第二生長基板，所述第二生長基板上有多個第二LED晶片，所述第二LED晶片的電極背離所述第二生長基板； 提供一第三臨時基板，所述第三臨時基板上設置有膠合劑，將所述第二LED晶片的電極粘附於所述第三臨時基板的第二膠合劑層上，剝離所述第二生長基板；在設置有所述第二LED晶片的所述第三臨時基板上塗覆感光樹脂，形成第二感光樹脂層，所述第二感光樹脂層的厚度H2大於所述第二LED晶片的高度為h2，即，H2>h2，若所述第二LED晶片的高度h2與所述第一LED晶片的高度h1不相等，則預設覆蓋所述第二LED晶片的第二感光樹脂層的高度為H2，滿足以下條件：H2-h2>|h2-h1|；在所述第二感光樹脂層上覆蓋一第四臨時基板，所述第四臨時基板採用透光材料製成；提供一圖形化掩膜，遮擋射向不需要轉移的所述第二LED晶片的光線，曝光待轉移的第二LED晶片對應的部分所述第二感光樹脂層，使其固化，通過顯影液移除未曝光的所述第二感光樹脂層，剩下的所述第二感光樹脂層作為第二轉移頭；用鐳射剝離的方式選擇性地將待轉移的第二LED晶片從所述膠合劑層剝離，使所述第二LED晶片通過所述第二轉移頭粘附於所述第四臨時基板上；移動所述第四臨時基板，將所述第四臨時基板上的LED晶片轉移至顯示背板，通過剝離液溶解所述第二轉移頭，使LED晶片與所述第四臨時基板分離，完成所述第二LED晶片的轉移。
進一步的，所述方法還包括：提供一第三生長基板，所述第三生長基板上有多個第三LED晶片，所述第三LED晶片的電極背離所述第三生長基板； 提供一第五臨時基板，所述第五臨時基板上設置有膠合劑，將所述第三LED晶片的電極粘附於所述第五臨時基板的第三膠合劑層上，剝離所述第三生長基板；在設置有所述第三LED晶片的所述第五臨時基板上塗覆感光樹脂，形成第三感光樹脂層，所述第三感光樹脂層的厚度H3大於所述第三LED晶片的高度為h3，即，H3>h3，若所述第三LED晶片的高度h3、所述第二LED晶片的高度h2與所述第一LED晶片的高度h1互不相等，則預設覆蓋所述第三LED晶片的第三感光樹脂層的高度為H3，滿足以下條件：H3-h3>|h3-h1|且H3-h3>|h3-h2|；在所述第三感光樹脂層上覆蓋一第六臨時基板，所述第六臨時基板採用透光材料製成；提供一圖形化掩膜，遮擋射向不需要轉移的所述第三LED晶片的光線，曝光待轉移的第三LED晶片對應的部分所述第三感光樹脂層，使其固化，通過顯影液移除未曝光的所述第三感光樹脂層，剩下的所述第三感光樹脂層作為第三轉移頭；用鐳射剝離的方式選擇性地將待轉移的第三LED晶片從所述膠合劑層剝離，使所述第三LED晶片通過所述第三轉移頭粘附於所述第六臨時基板上；移動所述第六臨時基板，將所述第六臨時基板上的LED晶片轉移至顯示背板，通過剝離液溶解所述第三轉移頭，使LED晶片與所述第六臨時基板分離，完成所述第三LED晶片的轉移。
進一步的，步驟S14之後及步驟S15之前，還包括步驟：S21提供一第二生長基板，所述第二生長基板上形成有多個第二LED晶片，所述第二LED晶片高度為h2； S22提供一第三臨時基板，所述第三臨時基板上形成有第二膠合劑層，將所述第二LED晶片粘附於所述第三臨時基板上，移除所述第二生長基板後，在設置有所述第二LED晶片的所述第三臨時基板上塗覆感光樹脂材料，成第二感光樹脂層，厚度為H21，且滿足：H21
Figure 109133199-A0305-02-0007-3
H1；S23在所述第二感光樹脂層上形成多個與所述第一LED晶片相對應的第一凹槽，將拾取有多個所述第一LED晶片的第二臨時基板覆蓋於所述第二感光樹脂層上；S24提供一圖形化掩膜，遮擋射向不需要轉移的所述第二LED晶片的光線，曝光待轉移的第二LED晶片對應的部分所述第二感光樹脂層，使其固化，通過顯影液移除未曝光的所述第二感光樹脂層，剩下的所述第二感光樹脂層作為第二轉移頭；S25用鐳射剝離的方式選擇性地將待轉移的第二LED晶片從所述膠合劑層剝離，使所述第二LED晶片通過所述第二轉移頭粘附於所述第二臨時基板上。
進一步的，步驟S25之後及步驟S15之前，還包括步驟：S31提供一第三生長基板，所述第三生長基板上形成有多個第三LED晶片，所述第三LED晶片高度為h3；S32提供一第四臨時基板，所述第四臨時基板上形成有第三膠合劑層，將所述第三LED晶片粘附於所述第四臨時基板上，移除所述第三生長基板後，在設置有所述第三LED晶片的所述第四臨時基板上塗覆感光樹脂材料，成第三感光樹脂層，厚度為H31，且滿足：H31
Figure 109133199-A0305-02-0007-4
H2+h3； S33在所述第三感光樹脂層上形成多個與所述第一LED晶片、第二LED晶片相對應的第二凹槽和第三凹槽，將拾取有多個所述第一LED晶片和所述第二LED晶片的第四臨時基板覆蓋於所述第三感光樹脂層上；S34提供一圖形化掩膜，遮擋射向不需要轉移的所述第三LED晶片的光線，曝光待轉移的第三LED晶片對應的部分所述第三感光樹脂層，使其固化，通過顯影液移除未曝光的所述第三感光樹脂層，剩下的所述第三感光樹脂層作為第三轉移頭；S35用鐳射剝離的方式選擇性地將待轉移的第三LED晶片從所述第三膠合劑層剝離，使所述第三LED晶片通過所述第三轉移頭粘附於所述第二臨時基板上。
進一步的，所述顯示背板包括多個第一凸台和多個第二凸台，所述第二臨時基板上的第一LED晶片鍵合於所述第一凸台上，所述第二臨時基板上的第二LED晶片鍵合於所述第二凸台上。
進一步的，所述第一凸台的高度為H11，所述第二凸台的高度為H22，且滿足以下條件：H22
Figure 109133199-A0305-02-0008-5
h3、H11
Figure 109133199-A0305-02-0008-6
H22+h2，H11=H31-H1且H22=H31-H21。
進一步的，形成所述第一凹槽、第二凹槽的方法為曝光顯影或蝕刻。
本發明的有益效果在於：本發明所述的LED顯示裝置結構，三種不同LED晶片的放置高度不一樣，便於“轉移頭”將其分次拾取，一次轉移，節省工序。
本發明所述的巨量轉移方法通過樹脂的選擇性光固化，在生長基板上直接形成對應的“轉移頭”，不再需要專門製造轉移設備，降低了巨量轉移的難度。且在需要時，可以分次拾取RGB三色LED晶片，一次性轉移到顯示背板上，無需三次轉移，轉移效率更高。
111:第一生長基板
112:第一臨時基板
113:感光樹脂層
114/211:第二臨時基板
115:第一轉移頭
116:圖形化掩膜版
110/210:第一LED晶片
100/200:顯示背板
120/220:第二LED晶片
121:第三臨時基板
1231/225:第二轉移頭
130/230:第三LED晶片
124/310:第四臨時基板
1331/323:第三轉移頭
140/241:第一凸台
150/242:第二凸台
221:第二生長基本
222:第三臨時基板
2221:第二膠合劑層
123/223:第二感光樹脂層
224:第一凹槽
321:第二凹槽
322:第三凹槽
311:第三膠合劑層
133/320:第三感光樹脂層
132:第五臨時基板
134:第六臨時基板
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為一種LED顯示裝置結構；圖2為實施例2的方法流程圖圖3為實施例2第一LED晶片位於第一生長基板上的狀態圖；圖4為實施例2第一LED晶片轉移至第一臨時基板上的狀態圖；圖5為實施例2形成第一感光樹脂層的狀態圖；圖6為實施例2曝光顯影第一感光樹脂層後的狀態圖；圖7為實施例2分離第一LED晶片與第一臨時基板的示意圖；圖8為實施例2第一LED晶片轉移至顯示背板的示意圖；圖9為第二LED晶片位於第二生長基板上的示意圖；圖10為第二LED晶片轉移至第三臨時基板上的示意圖；圖11為形成第二感光樹脂層示意圖；圖12為形成第二轉移頭示意圖； 圖13為待轉移的第三LED晶片與地四臨時基板分離示意圖；圖14為第二LED晶片轉移至顯示背板的示意圖；圖15第三LED晶片位於第三生長基板上的示意圖；圖16為第三LED晶片轉移至第五臨時基板上的示意圖；圖17為在第三LED晶片性成第三感光樹脂層的示意圖；圖18為形成第三轉移頭後的示意圖；圖19為待轉移的第三LED晶片從第三膠合劑層分離的示意圖；圖20為第三LED晶片轉移至顯示背板的示意圖；圖21為實施例3的方法流程圖；圖22為依據實施例2的方法拾取第一LED晶片後的示意圖；圖23為實施例3第二LED晶片的初始狀態示意圖；圖24為實施例3形成第二感光樹脂層示意圖；圖25為第二臨時基板覆蓋於第二感光樹脂層上的示意圖；圖26為形成第二轉移頭的過程示意圖；圖27為形成第二LED晶片與第三臨時基板分離的意圖；圖28為第三LED晶片位於生長基板上的示意圖；圖29為第三LED晶片轉移至第四臨時基板上的過程示意圖；圖30為第三感光樹脂層上覆蓋第二臨時基板的結構示意圖；圖31為形成第三轉移頭的過程示意圖；圖32為拾取第一LED晶片、第二LED晶片及第三LED晶片示意圖；圖33為將第一LED晶片、第二LED晶片及第三LED晶片轉移至顯示背板上的示意圖。
下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清除、完整地描述，所描述的實施例僅是本申請的一部分實施例，而不是全部的實施例。
本申請中的屬於“第一”、“第二”、“第三”僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要或者隱含指名所指示的技術特徵的數量。因此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特徵可以明示或者隱含地包括至少一個該特徵。本申請的描述中，“多個”的含義是至少兩個，例如兩個、三個等，除非另有明確具體的限定。
實施例1
如圖1所示為本發明所述的LED顯示裝置結構。
一種LED顯示裝置結構，包括一顯示背板100，顯示背板100上陣列劃分為多個圖元區域，每個圖元區域包括第一LED晶片110、第二LED晶片120及第三LED晶片130，顯示背板100上形成有多個第一凸台140及多個第二凸台150，第一LED晶片110設置於第一凸台140上，第二LED晶片120設置於第二凸台150上，第一凸台140的高度H11大於第二凸台150的高度H22。
預設第二LED120晶片及所述第三LED晶片130的高度分別為h2、h3，則H22
Figure 109133199-A0305-02-0011-7
h3、H11
Figure 109133199-A0305-02-0011-8
h2+h3。
對應的在第一凸台140及第二凸台150上分別設置與第一LED晶片110及第二LED晶片120相對應的電極，與第一LED晶片110及第二LED晶片120上的電極進行鍵合。第三LED晶片130設置於顯示背板100上，與顯示背板100上 對應的電極相鍵合，即完成第一LED晶片110、第二LED晶片120及第三LED晶片130電與顯示背板100性連接。
通過設置不同高度的凸台放置LED晶片可以在拾取不同的晶片時，採用不同高度的轉移頭對第一LED晶片110、第二LED晶片120及第三LED晶片130進行分別拾取，同時轉移至顯示背板100，避免每種LED晶片進行分別轉移，精簡工序。
在本實施例中，第一LED晶片110為紅色晶片，第二LED晶片120為綠色晶片，第三LED晶片為藍色晶片，可以理解的是，該晶片種類可以互相替換，還可以是其他類型的晶片。
實施例2
如圖2~9所示為本發明一種巨量轉移方法，圖2為本實施例的方法流程圖，其具體方法步驟如下。
S10提供一第一生長基板111，第一生長基板111上有多個第一LED晶片110。
請參考圖3，第一LED晶片110的電極背離第一生長基板111，該第一LED晶片110為紅光波段的微LED晶片，也可以選用其他類型微LED，根據需求而選擇。
S11提供一第一臨時基板112，第一臨時基板112上設置有膠合劑層1121，將第一LED晶片110的電極粘附于第一臨時基板112的膠合劑層1121上，剝離第一生長基板111。
請參考圖4，剝離第一生長基板111的方式為鐳射剝離，通過特定波長的光照射第一生長基板，使第一LED晶片110與第一生長基板111之間失去黏性，從而使第一LED晶片110轉移至第一臨時基板112上。
S12在設置有第一LED晶片110的第一臨時基板112上塗覆感光樹脂，形成第一感光樹脂層113。
請參考圖5，第一感光樹脂層113的厚度為H1，第一LED晶片10的高度為h1，則需要滿足條件：H1>h1，從而使感光樹脂層完全覆蓋第一LED晶片110。感光樹脂層113通過感光固化樹脂，即，照射特定波長的光線後固化，需要特定化學溶劑才能溶解，與溶解未固化的感光樹脂所需的化學溶劑不同。
S13曝光顯影感光樹脂層113後，形成多個第一轉移頭115。
請參考圖6，在感光樹脂層113上覆蓋一第二臨時基板114，提供一圖形化掩膜(圖未示)，遮擋射向不需要轉移的第一LED晶片110正上方的光線，曝光未遮擋光線的第一感光樹脂層113，使其固化，用顯影液溶解移除未曝光的第一感光樹脂層113，得到多個第一轉移頭115，第一轉移頭115連接待轉移的第一LED晶片110。
第二臨時基板114由透光材料制得，因而可以透光光線，使曝光順利進行，優選的透光材料為石英玻璃。
S14用鐳射選擇性的將待轉移的第一LED晶片110從第一膠合劑層1121剝離，使第一待轉移LED芯110片通過第一轉移頭115粘附于第二臨時基板114上。
請參考圖7，第一臨時基板為透光材料，通過一圖形化掩膜版116遮擋部分光線，使光線只能到達待轉移的第一LED晶片110所對應的區域，第一 膠合劑層1121為光敏材料，通過鐳射照射後失去黏性，使第一LED晶片110順利的與第一第一臨時基板112分離。
S15移動第二臨時基板114將第一LED晶片110轉移至顯示背板100，移除第一轉移頭115，使第一LED晶片110與第二臨時基板114分離，完成第一LED晶片110的轉移。
請參考圖8，第一轉移頭115可以通過特定的剝離液溶解，溶解後第二臨時基板114與第一LED晶片110分離，第一LED晶片110的電極與顯示背板100上的電極可通過加熱鍵合後固定於顯示背板上100，完成第一LED晶片的轉移。
S16提供一第二生長基板121，第二生長基板121上有多個第二LED晶片120。第二LED晶片120的電極背離所述第二生長基板，請參考圖9。
S17提供一第三臨時基板122，第三臨時基板122上設置有第二膠合劑層1221，將第二LED晶片120的電極粘附于第三臨時基板122的第二膠合劑層1221上，剝離第二生長基板121，請參考圖10。本實施例中，膠合劑為光敏膠合劑，可以通過照射特定波長的光線使其失去粘性，從而便於晶片的剝離。
S18在設置有第二LED晶片120的第三臨時基板122上塗覆感光樹脂，形成第二感光樹脂層123。第二感光樹脂層123的厚度H2大於第二LED晶片120的高度為h2，即，H2>h2，若第二LED晶片120的高度h2與第一LED晶片110的高度h1不相等，則預設覆蓋第二LED晶片120的第二感光樹脂層123的高度為H2，滿足以下條件：H2-h2>|h2-h1|，請參考圖11。
S19曝光顯影第二感光樹脂層123後，形成第二轉移頭1231。
在第二感光樹脂層123上覆蓋一第四臨時基板124，第四臨時基板124採用透光材料製成，提供一圖形化掩膜，遮擋射向不需要轉移的第二LED晶 片120的光線，曝光待轉移的第二LED晶片120對應的部分第二感光樹脂層123，使其固化，通過顯影液移除未曝光的第二感光樹脂層123，剩下的第二感光樹脂層123作為第二轉移頭1231。請參考圖12。
S110用鐳射剝離的方式選擇性地將待轉移的第二LED晶片120從第二膠合劑層1221剝離。使第二LED晶片120通過第二轉移頭1231粘附于第四臨時基板上124，請參考圖13。
S111移動第四臨時基板124，將第四臨時基板124上的LED晶片轉移至顯示背板100，通過剝離液溶解第二轉移頭1231，使LED晶片與所述第四臨時基板124分離，完成第二LED晶片120的轉移，請參考圖14。
S112提供一第三生長基板131，第三生長基板131上有多個第三LED晶片130。第三LED晶片130的電極背離第三生長基板131。請參考圖15。
S113提供一第五臨時基板132，第五臨時基板132上設置有膠合劑，將第三LED晶片130的電極粘附於所述第五臨時基板132的第三膠合劑層上1321，剝離第三生長基板131。請參考圖16。本實施例中，膠合劑為光敏膠合劑，可以通過照射特定波長的光線使其失去粘性，從而便於晶片的剝離。
S114在設置有第三LED晶片130的第五臨時基板132上塗覆感光樹脂，形成第三感光樹脂層133。
第三感光樹脂層133的厚度H3大於第三LED晶片130的高度為h3，即，H3>h3，若第三LED晶片130的高度h3、第二LED晶片120的高度h2與第一LED晶片110的高度h1互不相等，則預設覆蓋第三LED晶片130的第三感光樹脂層133的高度為H3，滿足以下條件：H3-h3>|h3-h1|且H3-h3>|h3-h2|，請參考圖17。需 要滿足此高度條件，在轉移第三LED晶片130至顯示背板100時，才不會碰撞到已經轉移的第一LED晶片110及第二LED晶片120.
S115曝光顯影第三感光樹脂層133後，形成第三轉移頭1331。
在第三感光樹脂層133上覆蓋一第六臨時基板134，第六臨時基板134採用透光材料製成；提供一圖形化掩膜，遮擋射向不需要轉移的第三LED晶片130的光線，曝光待轉移的第三LED晶片130對應的部分所述第三感光樹脂層133，使其固化，通過顯影液移除未曝光的第三感光樹脂層133，剩下的第三感光樹脂層133作為第三轉移頭1331，請參考圖18。
S116用鐳射剝離的方式選擇性地將待轉移的第三LED晶片130從第三膠合劑層1321剝離，使第三LED晶片130通過第三轉移頭1331粘附于第六臨時基板134上，請參考圖19。具體操作芳芳為，提供一圖形化掩膜，遮擋射向不需要轉移的第三LED晶片130處的光線，從而只有待轉移的第三LED晶片130從第三膠合劑層1321剝離。
S117移動第六臨時基板134，將第六臨時基板134上的第三LED晶片130轉移至顯示背板100，通過剝離液溶解第三轉移頭1331，使第三LED晶片130與第六臨時基板134分離，完成三LED晶片130的轉移，請參考圖20。剝離液溶解第三轉移頭1331時，不會產生機械應力，從而不會對晶片產生影響，也是本發明的優勢之一。
當前LED晶片的類型根據其波段不同通常為3種，分別為紅光波段LED晶片、綠光波段LED晶片、藍光波段LED晶片。在本實施例中第一LED晶片110為紅光波段LED晶片，第二LED晶片120為綠光波段LED晶片，第三LED晶 片130為藍光波段LED晶片。在其他實施方式中，也可以為其他不同類型的LED晶片組合，並不以此實施例為限。
實施例3
如圖21~33所示，為本實施例一種巨量轉移方法，其中圖21為本實施例的方法流程圖，具體方法步驟如下。
S20如實施例2中步驟S11-S14所述的方法，第二臨時基板211上形成的多個第一轉移頭212拾取多個第一LED晶片210。
請參考圖22，第一LED晶片210粘附於第一轉移頭212上，第一轉移頭212的位置及數量與第一LED晶片210一一對應。第一轉移頭212由感光樹脂曝光顯影後形成，其材質為固化後的感光樹脂。
S21提供一第二生長基板221，第二生長基板221上形成有多個第二LED晶片220，第二LED晶片220高度為h2。
請參考圖23，第二LED晶片220的電極背向第二生長基板221的一面，此狀態為第二LED晶片210製作完成後的結構。
S22提供一第三臨時基板222，第三臨時基板222上形成有第二膠合劑層2221，將第二LED晶片220粘附于第三臨時基板222上，移除第二生長基板221後在第二LED晶片220上塗覆感光樹脂材料，固化後形成第二感光樹脂層223。
請參考圖24，移除第二生長基板221的方法為鐳射照射移除，通過鐳射照射第二生長基本221後，第二生長基本221與第二LED晶片220之間失去黏性，從而分離。在第二LED晶片220上塗覆液態感光樹脂材料後，感光樹脂材料流動並包覆整個第二LED晶片220，固化後形成第二感光樹脂層223，厚度為H21，需要滿足的高度條件為H21
Figure 109133199-A0305-02-0017-9
H1。
S23在第二感光樹脂層223上形成多個與第一LED晶片210相對應的第一凹槽224，將拾取有多個第一LED晶片210的第二臨時基板221覆蓋於第二感光樹脂層223上。
請參考圖25，在第二感光樹脂層223上形成多個與第一LED晶片210相對應的第一凹槽224，將拾取了多個第一LED晶片210的第二臨時基板211覆蓋於第二感光樹脂層223上，第二臨時基板211上連接的第一LED晶片210位置與第一凹槽224相對應。形成第一凹槽224的方法為曝光顯影去除部分感光樹脂材料，或者通過蝕刻去除部分感光樹脂材料。
S24提供一圖形化掩膜，遮擋射向不需要轉移的第二LED晶片220的光線，曝光待轉移的第二LED晶片220對應的部分第二感光樹脂層223，使其固化，通過顯影液移除未曝光的第二感光樹脂層223，剩下的第二感光樹脂層223作為第二轉移頭225。
請參考圖26，第二臨時基板211為透光材料，可以透過光線，通過一圖形化掩膜(圖未示)蓋住第二臨時基板211，使曝光時只有部分光線到達第二感光樹脂層223，曝光後的第二感光樹脂層223固化形成第二轉移頭225，與第二臨時基板211及第二LED晶片220連接，再通過顯影液溶解移除未固化的第二感光樹脂層223。第二轉移頭225連接第二LED晶片220。
S25用鐳射剝離的方式選擇性地將待轉移的第二LED晶片220從膠合劑層剝離，使第二LED晶片220通過第二轉移頭225粘附于第二臨時基板211上。
請參考圖27，膠合劑層由光敏材料製成，照射特定波長的光後會失去粘性，因而可以使用一圖形化掩膜，遮擋射向不需要移除的第二LED晶片 220處的光線，使光線只會到達需要移除的第二LED晶片220處，使第二LED晶片220與第三臨時基板222分離。
S31提供一第三生長基板300，第三生長基板300上形成有多個第三LED晶片230，第三LED晶片230高度為h3，請參考圖28。
S32提供一第四臨時基板310，第四臨時基板310上形成有第三膠合劑層311，將第三LED晶片230粘附於所述第四臨時基板上，移除第三生長基板310後，在設置有第三LED晶片230的第四臨時基板310上塗覆感光樹脂材料，形成第三感光樹脂層320，厚度為H31，且滿足：H31
Figure 109133199-A0305-02-0019-10
H2+h3，請參考圖29。
S33在第三感光樹脂層320上形成多個與第一LED晶片210、第二LED晶片220相對應的第二凹槽321和第三凹槽322，將拾取有多個第一LED晶片210和第二LED晶片220的第四臨時基板310覆蓋於第三感光樹脂層320上，請參考圖30。
S34提供一圖形化掩膜，遮擋射向不需要轉移的第三LED晶片230的光線，曝光待轉移的第三LED晶片230對應的部分第三感光樹脂層320，使其固化，通過顯影液移除未曝光的第三感光樹脂層320，剩下的第三感光樹脂層320作為第三轉移頭323，請參考圖31。
S35用鐳射剝離的方式選擇性地將待轉移的第三LED晶片230從第三膠合劑層311剝離，使第三LED晶片230通過第三轉移頭323粘附于第二臨時基板211上。
請參考圖32，第二臨時基板211上形成多個第三轉移頭323，第三轉移頭323連接第三LED晶片230。
預設第三LED晶片310的高度為h3，在製作第三轉移頭323的過程中形成的第三感光樹脂層320的厚度為H3，則H3>H2>H1。
S36提供一具有多個第一凸台241及第二凸台242的顯示背板200，將第二臨時基板211上的第一LED晶片210、第二LED晶片220及第三LED晶片230同時轉移至顯示背板200上。
請參考圖25、圖30和圖33，第一LED晶片210的位置與第一凸台241對應，所述第二LED晶片220的位置與第二凸台242對應，隨後移除第二臨時基板211。第一凸台高度為H11、第二凸台高度為H22，則需同時滿足高度關係H22
Figure 109133199-A0305-02-0020-11
h3、H11
Figure 109133199-A0305-02-0020-12
H22+h2，H11=H31-H1且H22=H31-H21，滿足此高度關係，才能在轉移的過程中各類型LED晶片不碰撞其他結構，從而順利轉移。
第二臨時基板211為透光材料，通過鐳射照射即可使第一LED晶片210、第二LED晶片220及第三LED晶片230與第二臨時基板211分離，將第一LED晶片210、第二LED晶片220及第三LED晶片230的電極分別於第一凸台241、第二凸台242及顯示背板200上的電極加熱鍵合，固定連接。
本發明所述的三種LED晶片根據實際應用為RGB三色LED晶片，其轉移順序不受限定，並不以此實施例為限。
本發明所述的巨量轉移方法不需要製作轉移頭即可對LED晶片進行轉移，且轉移效率高、精度高。
以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，並不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。
以上結合具體實施例描述了本公開的基本原理，但是，需要指出的是，在本公開中提及的優點、優勢、效果等僅是示例而非限制，不能認為這些優點、優勢、效果等是本公開的各個實施例必須具備的。另外，上述公開的具體細節僅是為了示例的作用和便於理解的作用，而非限制，上述細節並不限制本公開為必須採用上述具體的細節來實現。
100:顯示背板
110:第一LED晶片
120:第二LED晶片
130:第三LED晶片
140:第一凸台
150:第二凸台

Claims (9)

  1. 一種LED顯示裝置，其中，包括一顯示背板，所述顯示背板上陣列劃分為多個圖元區域；每個圖元區域，包括，第一LED晶片、第二LED晶片及第三LED晶片，以及設置在所述顯示背板上的第一凸台和第二凸台；所述第一LED晶片設置於所述第一凸台上，所述第二LED晶片設置於所述第二凸台上，所述第三LED晶片設置於所述圖元區域內的顯示背板上，所述第一凸台的高度H11大於所述第二凸台的高度H22；所述第二LED晶片及所述第三LED晶片的高度分別為h2、h3，所述第一凸台的高度H11、所述第二凸台的高度H22，滿足以下條件：H22
    Figure 109133199-A0305-02-0023-13
    h3、H11
    Figure 109133199-A0305-02-0023-14
    h2+h3。
  2. 一種巨量轉移方法，其中，包括步驟：提供一第一生長基板，所述第一生長基板上有多個第一LED晶片，所述第一LED晶片的電極背離所述第一生長基板；提供一第一臨時基板，所述第一臨時基板上設置有膠合劑，將所述第一LED晶片的電極粘附於所述第一臨時基板的第一膠合劑層上，剝離所述第一生長基板；在設置有所述第一LED晶片的所述第一臨時基板上塗覆感光樹脂，形成第一感光樹脂層，所述第一感光樹脂層的厚度H1大於所述第一LED晶片的高度為h1，即，H1>h1； 在所述感光樹脂層上覆蓋一第二臨時基板，所述第二臨時基板採用透光材料製成；提供一圖形化掩膜，遮擋射向不需要轉移的所述第一LED晶片的光線，曝光待轉移的第一LED晶片對應的部分所述第一感光樹脂層，使其固化，通過顯影液移除未曝光的所述第一感光樹脂層，剩下的所述感光樹脂層作為第一轉移頭；用鐳射剝離的方式選擇性地將待轉移的第一LED晶片從所述膠合劑層剝離，使所述第一LED晶片通過所述第一轉移頭粘附於所述第二臨時基板上；移動所述第二臨時基板，將所述第二臨時基板上的LED晶片轉移至顯示背板，通過剝離液溶解所述轉移頭，使LED晶片與所述第二臨時基板分離，完成所述LED晶片的轉移。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的巨量轉移方法，其中，所述方法還包括：提供一第二生長基板，所述第二生長基板上有多個第二LED晶片，所述第二LED晶片的電極背離所述第二生長基板；提供一第三臨時基板，所述第三臨時基板上設置有膠合劑，將所述第二LED晶片的電極粘附於所述第三臨時基板的第二膠合劑層上，剝離所述第二生長基板；在設置有所述第二LED晶片的所述第三臨時基板上塗覆感光樹脂，形成第二感光樹脂層，所述第二感光樹脂層的厚度H2大於所述第二LED晶片的高度為h2，即，H2>h2，若所述第二LED晶片的高 度h2與所述第一LED晶片的高度h1不相等，則預設覆蓋所述第二LED晶片的第二感光樹脂層的高度為H2，滿足以下條件：H2-h2>|h2-h1|；在所述第二感光樹脂層上覆蓋一第四臨時基板，所述第四臨時基板採用透光材料製成；提供一圖形化掩膜，遮擋射向不需要轉移的所述第二LED晶片的光線，曝光待轉移的第二LED晶片對應的部分所述第二感光樹脂層，使其固化，通過顯影液移除未曝光的所述第二感光樹脂層，剩下的所述第二感光樹脂層作為第二轉移頭；用鐳射剝離的方式選擇性地將待轉移的第二LED晶片從所述膠合劑層剝離，使所述第二LED晶片通過所述第二轉移頭粘附於所述第四臨時基板上；移動所述第四臨時基板，將所述第四臨時基板上的LED晶片轉移至顯示背板，通過剝離液溶解所述第二轉移頭，使LED晶片與所述第四臨時基板分離，完成所述第二LED晶片的轉移。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的巨量轉移方法，其中，提供一第三生長基板，所述第三生長基板上有多個第三LED晶片，所述第三LED晶片的電極背離所述第三生長基板；提供一第五臨時基板，所述第五臨時基板上設置有膠合劑，將所述第三LED晶片的電極粘附於所述第五臨時基板的第三膠合劑層上，剝離所述第三生長基板；在設置有所述第三LED晶片的所述第五臨時基板上塗覆感光樹 脂，形成第三感光樹脂層，所述第三感光樹脂層的厚度H3大於所述第三LED晶片的高度為h3，即，H3>h3，若所述第三LED晶片的高度h3、所述第二LED晶片的高度h2與所述第一LED晶片的高度h1互不相等，則預設覆蓋所述第三LED晶片的第三感光樹脂層的高度為H3，滿足以下條件：H3-h3>|h3-h1|且H3-h3>|h3-h2|；在所述第三感光樹脂層上覆蓋一第六臨時基板，所述第六臨時基板採用透光材料製成；提供一圖形化掩膜，遮擋射向不需要轉移的所述第三LED晶片的光線，曝光待轉移的第三LED晶片對應的部分所述第三感光樹脂層，使其固化，通過顯影液移除未曝光的所述第三感光樹脂層，剩下的所述第三感光樹脂層作為第三轉移頭；用鐳射剝離的方式選擇性地將待轉移的第三LED晶片從所述膠合劑層剝離，使所述第三LED晶片通過所述第三轉移頭粘附於所述第六臨時基板上；移動所述第六臨時基板，將所述第六臨時基板上的LED晶片轉移至顯示背板，通過剝離液溶解所述第三轉移頭，使LED晶片與所述第六臨時基板分離，完成所述第三LED晶片的轉移。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的巨量轉移方法，其中，在所述使所述第一LED晶片通過所述第一轉移頭粘附於所述第二臨時基板上之後，在所述移動所述第二臨時基板，將所述第二臨時基板上的LED晶片轉移至顯示背板，通過剝離液溶解所述轉移頭，使LED晶片與所述第二臨時基板分離，完成所述LED晶片的轉移之前，所 述方法還包括步驟：提供一第二生長基板，所述第二生長基板上形成有多個第二LED晶片，所述第二LED晶片高度為h2；提供一第三臨時基板，所述第三臨時基板上形成有第二膠合劑層，將所述第二LED晶片粘附於所述第三臨時基板上，移除所述第二生長基板後，在設置有所述第二LED晶片的所述第三臨時基板上塗覆感光樹脂材料，成第二感光樹脂層，厚度為H21，且滿足：H21
    Figure 109133199-A0305-02-0027-15
    H1；在所述第二感光樹脂層上形成多個與所述第一LED晶片相對應的第一凹槽，將拾取有多個所述第一LED晶片的第二臨時基板覆蓋於所述第二感光樹脂層上；提供一圖形化掩膜，遮擋射向不需要轉移的所述第二LED晶片的光線，曝光待轉移的第二LED晶片對應的部分所述第二感光樹脂層，使其固化，通過顯影液移除未曝光的所述第二感光樹脂層，剩下的所述第二感光樹脂層作為第二轉移頭；用鐳射剝離的方式選擇性地將待轉移的第二LED晶片從所述膠合劑層剝離，使所述第二LED晶片通過所述第二轉移頭粘附於所述第二臨時基板上。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的巨量轉移方法，其中，在所述使所述第二LED晶片通過所述第二轉移頭粘附於所述第二臨時基板上之後，在所述移動所述第二臨時基板，將所述第二臨時基板上的LED晶片轉移至顯示背板，通過剝離液溶解所述轉移頭，使LED晶片與所述第二臨時基板分離，完成所述LED晶片的轉移之前，所 述方法還包括步驟：提供一第三生長基板，所述第三生長基板上形成有多個第三LED晶片，所述第三LED晶片高度為h3；提供一第四臨時基板，所述第四臨時基板上形成有第三膠合劑層，將所述第三LED晶片粘附於所述第四臨時基板上，移除所述第三生長基板後，在設置有所述第三LED晶片的所述第四臨時基板上塗覆感光樹脂材料，成第三感光樹脂層，厚度為H31，且滿足：H31
    Figure 109133199-A0305-02-0028-16
    H2+h3；在所述第三感光樹脂層上形成多個與所述第一LED晶片、第二LED晶片相對應的第二凹槽和第三凹槽，將拾取有多個所述第一LED晶片和所述第二LED晶片的第四臨時基板覆蓋於所述第三感光樹脂層上；提供一圖形化掩膜，遮擋射向不需要轉移的所述第三LED晶片的光線，曝光待轉移的第三LED晶片對應的部分所述第三感光樹脂層，使其固化，通過顯影液移除未曝光的所述第三感光樹脂層，剩下的所述第三感光樹脂層作為第三轉移頭；用鐳射剝離的方式選擇性地將待轉移的第三LED晶片從所述第三膠合劑層剝離，使所述第三LED晶片通過所述第三轉移頭粘附於所述第二臨時基板上。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的巨量轉移方法，其中，所述顯示背板包括多個第一凸台和多個第二凸台，所述第二臨時基板上的第一LED晶片鍵合於所述第一凸台上，所述第二臨時基板上的第二LED晶片鍵合於所述第二凸台上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的巨量轉移方法，其中，所述第一凸台的高度為H11，所述第二凸台的高度為H22，且滿足以下條件：H22
    Figure 109133199-A0305-02-0029-17
    h3、H11
    Figure 109133199-A0305-02-0029-18
    H22+h2，H11=H31-H1且H22=H31-H21。
  9. 如申請專利範圍第2至8任一項所述的巨量轉移方法，其中，形成所述第一凹槽、第二凹槽的方法為曝光顯影或蝕刻。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114335260A (zh) * 2021-12-27 2022-04-12 深圳市思坦科技有限公司 一种led芯片转移方法、转移基板制备方法及显示器件

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8791474B1 (en) * 2013-03-15 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme
US8933433B2 (en) * 2012-07-30 2015-01-13 LuxVue Technology Corporation Method and structure for receiving a micro device
US9159700B2 (en) * 2012-12-10 2015-10-13 LuxVue Technology Corporation Active matrix emissive micro LED display
TW201611235A (zh) * 2014-06-18 2016-03-16 艾克斯瑟樂普林特有限公司 微組裝發光二極體顯示器及照明元件
TW201828449A (zh) * 2016-10-24 2018-08-01 瑞典商Ｇｌｏ公司 氮化銦鎵紅光發光二極體及其製造方法
TW201921716A (zh) * 2017-08-03 2019-06-01 美商克里公司 高密度像素化發光二極體晶片和晶片陣列裝置以及製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10163869B2 (en) * 2015-10-20 2018-12-25 Goertek, Inc. Transferring method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-LED
CN109478580B (zh) * 2016-08-22 2021-07-09 歌尔股份有限公司 微发光二极管转移方法、制造方法及器件
DE102017100812B4 (de) * 2017-01-17 2024-04-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
KR102433873B1 (ko) * 2018-01-29 2022-08-19 삼성전자주식회사 Led 패널 및 led 패널의 제조 방법
KR20190109133A (ko) * 2018-03-16 2019-09-25 주식회사 루멘스 엘이디 디스플레이 패널 제조를 위한 엘이디 칩 어레이 방법
CN109860092B (zh) * 2019-01-02 2020-10-02 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种微型发光二极管巨量转移的方法及显示器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8933433B2 (en) * 2012-07-30 2015-01-13 LuxVue Technology Corporation Method and structure for receiving a micro device
US9159700B2 (en) * 2012-12-10 2015-10-13 LuxVue Technology Corporation Active matrix emissive micro LED display
US8791474B1 (en) * 2013-03-15 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme
TW201611235A (zh) * 2014-06-18 2016-03-16 艾克斯瑟樂普林特有限公司 微組裝發光二極體顯示器及照明元件
TW201828449A (zh) * 2016-10-24 2018-08-01 瑞典商Ｇｌｏ公司 氮化銦鎵紅光發光二極體及其製造方法
TW201921716A (zh) * 2017-08-03 2019-06-01 美商克里公司 高密度像素化發光二極體晶片和晶片陣列裝置以及製造方法

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