CN113380681B - 一种巨量转移方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示器制造领域，具体涉及一种巨量转移方法，其步骤包括，提供一生长基板，所述生长基板上有多个LED芯片；提供一临时基板，将所述LED芯片粘附于所述临时基板的所述胶合剂层上，剥离所述生长基板；在所述LED芯片上涂覆形成光刻胶层；曝光显影所述光刻胶层后形成多个凹槽，在所述光刻胶层上涂覆热塑性材料形成热塑性材料转移器，所述待转移的LED芯片粘附至所述热塑性材料转移器上，移除所述光刻胶层，将待转移的LED芯片与所述胶合剂层分离；将所述待转移LED芯片转移至显示背板，加热分离所述热塑性材料转移器，完成LED芯片的转移。无需设置转移头即可完成LED芯片的转移。

Description

一种巨量转移方法
技术领域
本发明涉及LED显示器制造技术领域，尤其涉及一种巨量LED芯片转移方法。
背景技术
MICRO-LED显示器，具有良好的稳定性、寿命以及运行温度上的优势，同时也承继了 LED低功耗、色彩饱和度、反应速度快、对比度强等优点,具有极大的应用前景。
通常MICRO-LED显示背板上包括了若干像素区域SPR，每个像素区域SPR包括红光LED、蓝光LED、绿光LED芯片，在显示器的制作过程中，需要将红绿蓝三种LED芯片从 各自的生长基板(WAFER)转移到显示背板上。
传统转移微LED芯片的方法为借由封装基板接合(Wafer Bonding)将微元件自转移封装 基板转移至接收封装基板。转移方法的其中一种实施方法为直接转移，也就是直接将微元件 阵列自转移封装基板接合至接收封装基板，之后通过剥离或者蚀刻将转移封装基板移除，制 作转移常常需要牺牲掉多余的外延层。另一种实施方法为间接转移，首先，转移媒质提取微 元件阵列，接着转移媒质再将微元件阵列接合至接收封装基板，然后移除转移媒质。转移媒 质要求耐高温。
由于微LED芯片尺寸在100um以下，因此，在巨量转移的过程中，传统的制作转移头进行转移。则需要将转移头需要做得非常小与之匹配，对精度要求非常高，因而对转移设备的制造要求也会非常高。
发明内容
基于以上问题，本发明设计一种巨量转移方法，其能够高效且精确的转移微LED芯片， 其具体结构如下。
一种巨量转移方法，包括步骤，
提供一第一生长基板，所述第一生长基板上生长有多个第一LED芯片，每个第一LED 芯片的电极背离所述第一生长基板；
提供一第一临时基板，所述第一临时基板上设置有胶合剂层，将所述第一LED芯片的电 极粘附于所述第一胶合剂层上，剥离所述第一生长基板；
在所述第一临时基板的第一LED芯片上涂覆光刻胶材料，形成第一光刻胶层，所述第一 光刻胶层的厚度H1大于所述第一LED芯片的高度h1；
通过曝光显影方式在所述第一光刻胶层上形成多个第一凹槽，所述待转移的第一LED芯 片从所述第一凹槽中露出；
在加热的条件下，在所述第一光刻胶层上及所述第一凹槽中涂覆热塑性材料，随后冷却 固化形成第一热塑性材料转移器；
待转移的第一LED芯片粘附至所述第一热塑性材料转移器上后，将剩余的所述第一光刻 胶层通过曝光显影的方式移除；
用激光选择性地将所述第一热塑性材料转移器上的LED芯片与对应的胶合剂层分离；
通过移动所述第一热塑性材料转移器，将所述第一热塑性材料转移器上的LED芯片转移 至显示背板，键合所述LED芯片和显示背板，加热所述第一热塑性材料转移器，将其与所述 第一热塑性材料转移器上的LED芯片分离，完成LED芯片的转移过程。
进一步的，如上述方法用第二热塑性材料转移器转移多个第二LED芯片时，若所述第一 LED芯片的高度h1与所述第二LED芯片的高度不相等，预设覆盖所述第LED二芯片的第二光刻胶层的高度为H2，则满足条件：H2-h2＞|h2-h1|。
进一步的，转移所述第二LED芯片后再用相同的方法用第三热塑性材料转移器进行多个 第三LED芯片的转移，若所述第一LED芯片的高度h1、所述第二LED芯片的高度h2以及 所述第三LED芯片的高度h3互不相等，预设覆盖所述第三LED芯片的第三光刻胶层的高度 为H3，则满足条件：H3-h3＞|h3-h1|且H3-h3＞|h3-h2|。
进一步的，在所述第一热塑性材料转移器将所述第一待转移LED芯片转移至显示背板上 时，加热键合所述第一LED芯片上的电极及所述显示背板上的电极。
进一步的，在所述将剩余的所述第一光刻胶层通过曝光显影的方式移除的步骤之后，以 及所述用激光选择性地将所述第一热塑性材料转移器上的LED芯片与对应的胶合剂层分离 的步骤之前，还包括，
提供一第二生长基板，所述第二生长基板上有多个第二LED芯片，每个第二LED芯片 的电极背离所述第二生长基板；
提供一第二临时基板，所述第二临时基板上设置有胶合剂层，将所述第二LED芯片的电 极粘附于所述第二胶合剂层上，剥离所述第二生长基板；
在所述第二临时基板的第二LED芯片上涂覆光刻胶材料，形成第二光刻胶层，所述第二 光刻胶层的厚度为H2’，所述第二LED芯片的高度h2’，且满足条件：H2’≥h2’+H1；
通过曝光显影方式在所述第二光刻胶层上形成多个第二凹槽，将待转移的第二LED芯片 从所述第二凹槽中露出；
通过曝光显影方式在所述第二光刻胶层上形成多个第三凹槽，所述第三凹槽用于容置所 述第一热塑性材料转移器上的所述第一LED芯片；
在加热的条件下，添加液态热塑性材料，使其填满所述第二凹槽；将所述第一热塑性材 料转移器移动到所述第二临时基板上；
冷却固化新添加的热塑性材料，待转移的第二LED芯片粘附至所述第一热塑性材料转移 器上后，将剩余的所述第二光刻胶层通过曝光显影的方式移除。
进一步的，在所述将剩余的所述第二光刻胶层通过曝光显影的方式移除的步骤之后，以 及所述用激光选择性地将所述第一热塑性材料转移器上的LED芯片与对应的胶合剂层分离 的步骤之前，还包括，
提供一第三生长基板，所述第三生长基板上有多个第三LED芯片，每个第三LED芯片 的电极背离所述第三生长基板；
提供一第三临时基板，所述第三临时基板上设置有胶合剂层，将所述第三LED芯片的电 极粘附于所述第三胶合剂层上，剥离所述第三生长基板；
在所述第三临时基板的第三LED芯片上涂覆光刻胶材料，形成第三光刻胶层，所述第三 光刻胶层的厚度为H3’，所述第三LED芯片的高度为h3’，且满足条件：H3’≥h3’+H2；
通过曝光显影方式在所述第三光刻胶层上形成多个第四凹槽，将待转移的第三LED芯片 从所述第四凹槽中露出；
通过曝光显影方式在所述第三光刻胶层上形成多个第五凹槽和第六凹槽，所述第五凹槽 和所述第六凹槽分别用于容置所述第一热塑性材料转移器上的第一LED芯片和第二LED芯 片；
在加热的条件下，添加液态热塑性材料，使其填满所述第四凹槽；将所述第一热塑性材 料转移器移动到所述第三临时基板上；
冷却固化新添加的热塑性材料，待转移的第三LED芯片粘附至所述热塑性材料转移器上 后，将剩余的所述第三光刻胶层通过曝光显影的方式移除。
进一步的，所述显示背板包括多个第一凸台和多个第二凸台。
进一步的，所述第一热塑性材料转移器上的第二LED芯片键合于所述第二凸台上，所述 第一热塑性材料转移器上的第一LED芯片键合于所述第一凸台上。
进一步的，所述第一凸台的高度为H11，所述第二凸台的高度为H22，且满足以下条件：
H11＝H3’-H1，H22＝H3’-H2’。
进一步的，所述第一临时基板及所述第二临时基板为透光材料。
进一步的，所述热塑性材料包括聚烯烃、纤维素、聚醚聚酯及芳杂环聚合物中的一种或 多种。
进一步的，所述光刻胶材料为负性光刻胶。
本发明的有益效果在于：
通过热塑性材料的反复固化与液化，在生长基板上直接形成对应的“转移头”，不再需 要专门制造转移设备，降低了巨量转移的难度。利用半导体制程中的曝光显影制程，其精度 高，且通过热塑性材料的固化粘附LED芯片，不会对LED芯片产生机械应力，产品良率高。
附图说明
图1为实施例1的方法流程图；
图2为实施例1中初始LED芯片状态结构示意图；
图3为实施例1中第一LED芯片转移至临时基板上的结构示意图；
图4为实施例1中第一LED芯片覆盖光刻胶材料后的结构示意图；
图5为实施例1中形成凹槽的结构示意图；
图6为实施例1中设置热塑性材料转移器后的结构示意图；
图7为实施例1中第一待转移LED芯片与临时基板分离的结构示意图；
图8为实施例1中第二待转移LED芯片至显示背板上的结构示意图；
图9为实施例1中两种LED芯片转移至显示背板上的结构示意图；
图10为实施例1中三种LED芯片转移至显示背板上的结构示意图；
图11为实施例2的方法流程图；
图12为实施例2中第一LED芯片从临时基板上分离的结构示意图；
图13为实施例2中第二LED芯片初始状态结构示意图；
图14为实施例2中第二LED芯片转移至临时基板上的结构示意图；
图15为实施例2中第二LED芯片覆盖光刻胶材料层后的结构示意图；
图16为实施例2中形成凹槽的结构示意图；
图17为实施例2中设置热塑性材料转移器后的结构示意图；
图18为实施例2中第二待转移LED芯片与临时基板分离的结构示意图；
图19为实施例2中第三LED芯片覆盖光刻胶材料后的结构示意图；
图20为实施例2中形成凹槽的结构示意图；
图21为图17得到的热塑性材料转移器覆盖至光刻胶材料层上的结构示意图；
图22为实施例2中三种LED芯片从临时基板上分离的结构示意图；
图23为实施例2中三种LED芯片转移至显示背板上的结构示意图；
图24为实施例2中三种LED芯片转移完成的结构示意图。
图中标号说明：
第一生长基板100、第一LED芯片110、电极111、第一待转移LED芯片112/412、 第一临时基板120/420、挡光片122、第一胶合剂层上121/421、第一光刻胶层130、第一 凹槽131/531、第一热塑性材料转移器140、显示背板150、第二待转移LED芯片212/512、 第二热塑性材料转移器240、第三热塑性材料转移器340、第三待转移LED芯片312/612、 第四热塑性材料转移器440、第二生长基板500、第二LED芯片510、图形化掩膜板550、 第二光刻胶层530、第二凹槽532、第三LED芯片610、第三临时基板620、第三光刻胶 层630、第三凹槽631、第四凹槽632、第五凹槽633、显示背板700、第一凸台710、第 二凸台720。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清除、完整地描 述，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。
本申请中的属于“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重 要或者隐含指名所指示的技术特征的数量。因此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个、三个等，除非另有明确具体的限定。
实施例1
如图1～10所示，本实施例各步骤中的结构示意图。本实施例所述的巨量转移方法步骤 如图1所示，具体方法如下。
请参考图2，S11提供一第一生长基板100，第一生长基板上生长有多个第一LED芯片110。第一LED芯片110的电极111背离第一生长基板100。其中，第一LED芯片的尺 寸小于100um，第一生长基板100上的第一LED芯片110之间间距较小，为微米级，例如 100微米。
请参考图3，S12提供一第一临时基板120，第一临时基板上设置有第一胶合剂层121， 将所述第一LED芯片110的电极120粘附于第一胶合剂层上121，剥离第一生长基板100。
剥离第一生长基板100的方法为激光剥离，其原理是利用激光能量分解第一LED芯片 110与第一生长基板100接口处的GaN(氮化镓)缓冲层，使二者相分离。第一胶合剂层121的材优选为聚酰亚胺，但不以此为限，具有黏性，且可通过激光照射后失去黏性的材料均可。
请参考图4，S13在第一临时基板120上的第一LED芯片110上涂覆光刻胶材料，形成第一光刻胶层130，第一光刻胶层130的厚度为H1，第一LED芯片110的高度为h1， 光刻胶层130需要完全覆盖并填充第一LED芯片110之间的空隙，因而H1>h1。
本实施例所采用的光刻胶材料为负性光刻胶，负性光刻胶材料在曝光后，透过光线的部 分光刻胶材料可以被显影液移除，未透过光线部分的光刻胶材料其形态结构在显影液中不会 改变，更利于操作。第一临时基板120的材质为透明状，优选为石英玻璃。
请参考图5，S14通过曝光显影方式在第一光刻胶层130上形成多个第一凹槽131，待 转移的第一LED芯片112从第一凹槽131中露出。曝光显影的方法与常规制程相似，通过一图形化的掩膜盖在第一光刻胶层130上，使第一凹槽131对应的区域可以透光，曝光后 移除掩膜，用显影液将曝光后的光刻胶材料去除，形成多个第一凹槽131。
请参考图6，S15在加热的条件下，在第一光刻胶层121上及第一凹槽131中涂覆热塑性材料，随后冷却固化形成第一热塑性材料转移器140，第一待转移LED芯片112的顶 面粘附至第一热塑性材料转移器140上，随后将剩余的第一光刻胶层130通过显影液移除。
热塑性材料包括聚烯烃、纤维素、聚醚聚酯及芳杂环聚合物中的一种或多种混合，其在 一定温度下呈液态，冷却后呈固态。S15步骤所述的加热条件为光照加热、微波加热等，优 选为光照加热，其热量更可可控，操作方便，且不会对元器件产生影响。
请参考图7，S16用激光选择性的将第一待转移LED芯片112的电极111与第一胶合剂层121分离。激光照射第一胶合剂层121的下表面，第一胶合剂层121的下侧设置有一 挡光片122，挡光片仅允许与电极111相对应区域的光透过，与电极111对应区域的第一胶 合剂层121经激光照射后不再具有黏性，因而电极111与第一胶合剂层121分离。
请参考图8，S17第一热塑性材料转移器140将第一待转移LED芯片112转移至显示背板150，加热第一热塑性材料转移器140，将其与第一待转移LED芯片112分离，完成 第一待转移LED芯片112的转移。
请参考图9、图10，S18用步骤S11-S17所述的方法步骤用第二热塑性材料转移器240 将多个第二待转移LED芯片212转移至显示背板150，再用步骤S11-S16所述的方法步骤用第三热塑性材料转移器340将多个第三待转移LED芯片312转移至显示背板150。
举例来说，由于每种芯片的高度可能不一样，若第一待转移LED芯片112的高度为h1， 第二待转移LED芯片212的高度为h2，第三待转移LED芯片312的高度为h3，第二热塑 性材料转移器240未连接第二待转移LED芯片区域的下表面与第二待转移LED芯片212 的引脚最下端的距离为H2，第三热塑性材料转移器340连接第三待转移LED芯片312区 域的下表面与第三待转移LED芯片312的引脚最下端的距离为H3，当h1≠h2≠h3时， H2-h2＞|h2-h1|、H3-h3＞|h3-h2|且H3-h3＞|h3-h1|，各层高度满足此条件时，才能顺利将 多种高度不同的LED芯片。
作为一种实施方式，分别将第一待转移LED芯片112、第二待转移LED芯片212及第三待转移LED芯片312转移至显示背板150上后，可通过加热的方式键合固定电极和显示 背板15，显示背板15上同样形成有对应的电极。
可选地，当前LED芯片的类型根据其波段不同通常分为3种，分别为红光波段LED芯片、绿光波段LED芯片、蓝光波段LED芯片。
实施例2
如图11～24所示，图11为本实施例各步骤中的结构示意图。本实施例所述的巨量转移 方法步骤如下。
请参考图12，S21如实施例1中步骤S11-S16的方法，用第四热塑性材料转移器440拾取多个第一待转移LED芯片412，该第一待转移LED芯片412与实施例1一样，粘合于 第一临时基板420上的第一胶合剂层421上。
请参考图13，S22提供一第二生长基板500，第二生长基板500上有多个第二LED芯片510，LED芯片510的电极511面向背离第二生长基板500的方向。其中，第二LED芯 片的尺寸小于100um，第一生长基板500上的第二LED芯片510距离较小。
请参考图14，S23提供一第二临时基板520，第二临时基板上设置有胶合剂层521，将所述第一LED芯片510的电极520粘附于第二胶合剂层上521，剥离第二生长基板500。
剥离第二生长基板500的方法为激光剥离，其原理是利用激光能量分解第二LED芯片 510与第二生长基板500接口处的GaN缓冲层，使二者相分离。胶合剂层521的材优选为聚酰亚胺，但不以此为限，具有黏性，且可通过激光照射后失去黏性的材料均可。
请参考图15，S24在第二临时基板520上的第二LED芯片510上涂覆光刻胶材料， 形成第二光刻胶层530，第二光刻胶层530的厚度为H2，第二LED芯片110的高度为h2’， 如实施例1所述的方法中所述，第一光刻胶材料层(图未示)的高度为H1、第一LED芯片 410高度为h1，H2’＞h2’+H1，即第二光刻胶层530的厚度要大于第二LED芯片110的高 度h2与第一光刻胶材料层(图未示)的高度为H1之和。本实施例采用的光刻胶材料为负 性光刻胶材料。
请参考图16，S25选择性曝光第二光刻胶层530后，利用显影液溶解曝光部分的光刻 胶材料，负性光刻胶材料曝光后溶于显影液，未曝光部分不溶于显影液，以形成第一凹槽 531及第二凹槽532，第一凹槽531用以容置第一待转移LED芯片412，第二凹槽532用 以容置第二待转移LED芯片512。
请参考图17，S26将步骤S21中拾取了第一待转移LED芯片412的第四热塑性材料转移器440对应覆盖于第二临时基板520上的第二光刻胶材料层530上，其中第一待转移LED芯片412放置于第一凹槽531内。在加热的状态下，添加液态热塑性材料，使液态热 塑性材料能够填满第二凹槽532，随后固化，使第二待转移LED芯片512粘附于第四热塑 性材料转移器440上。固化后热塑性材料相当于“转移头”，与第二待转移LED芯片512 连接。本实施例中加热的方式优选为光照加热或微波加热。
请参考图18，S27整体曝光第二光刻胶材料层530后利用显影液溶解负性光刻胶材料。 对应的，在第二临时基板520的下表面设置一图形化掩膜板550，使光线只能通过第二待 转移LED芯512对应的位置。利用激光选择性分离第二待转移LED芯512与第二胶合剂 层521，使第二待转移LED芯512脱离第二临时基板520。
请参考图19，S28使用S21-S23的方法步骤，将第三LED芯片610形成于第三临时 基板620上的第三胶合层621上，随后在第三LED芯片610上涂覆负性光刻胶材料，形成 第三光刻胶层630。第三LED芯片610的高度为h3’，第三光刻胶层630的高度为H3’，则 需要满足的高度条件为H3’≥h3’+H2’。
请参考图20，S29选择性曝光第三光刻胶层630后，利用显影液溶解曝光部分的光刻 胶材料，负性光刻胶材料曝光后溶于显影液，未曝光部分不溶于显影液，以形成第三凹槽 631、第四凹槽632及第五凹槽633，第三凹槽631用以容置第一待转移LED芯片412， 第四凹槽632用以容置第二待转移LED芯片512，第五凹槽633用以容置第三待转移LED 芯片612。
请参考图21，S30将S26中拾取了第一待转移LED芯片412及第二待转移LED芯片512的第四热塑性材料转移器440对应覆盖于第三临时基板620上的第三光刻胶材料层630上，其中第一待转移LED芯片412放置于第三凹槽631内，将第二待转移LED芯片512 放置于第四凹槽632内，同时，第五凹槽633对应于第三待转移LED芯片612的位置。在 加热的状态下，添加液态热塑性材料，使液态热塑性材料能够填满第二凹槽532，随后固化， 使第二待转移LED芯片512粘附于第四热塑性材料转移器440上。固化后热塑性材料相当 于“转移头”，与第三待转移LED芯片612连接。本实施例中加热的方式优选为光照加热 或微波加热。
请参考图22，S31整体曝光第三光刻胶材料层630后利用显影液溶解负性光刻胶材料。 对应的，在第三临时基板620的下表面设置掩膜的方式，使光线只能通过第三待转移LED 芯612对应的位置。利用激光选择性分离第三待转移LED芯612与第三胶合剂层621，使第三待转移LED芯612脱离第三临时基板620。
请参考图23、图24，S32第四热塑性材料转移器440上同时拾取了三种LED芯片， 即第一待转移LED芯片412、第二待转移LED芯片512、第三待转移LED芯片612，对 应的转移到具有第一凸台710、第二凸台720及显示背板700上。然后引入加热设备，使 第一待转移LED芯片412、第二待转移LED芯片512及第三待转移LED芯片612从第四 热塑性材料转移器440上分离。
预设第一凸台的高度为H11，第二凸台高度为H22，则存在的高度关系为H11＝H2’-H1、 H22＝H3’-H2’、H11＞h2’+h3’且H22＞h3’，符合此高度关系，则可以同时顺利的转移三种 芯片。
本发明所述的三种LED芯片根据实际应用为RGB三色LED芯片。
本发明所述的巨量转移方法不需要制作转移头即可对LED芯片进行转移，且转移效率 高、精度高。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原 则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
以上结合具体实施例描述了本公开的基本原理，但是，需要指出的是，在本公开中提及 的优点、优势、效果等仅是示例而非限制，不能认为这些优点、优势、效果等是本公开的各 个实施例必须具备的。另外，上述公开的具体细节仅是为了示例的作用和便于理解的作用， 而非限制，上述细节并不限制本公开为必须采用上述具体的细节来实现。

Claims (10)

1.一种巨量转移方法，其特征在于，包括：
提供一第一生长基板，所述第一生长基板上生长有多个第一LED芯片，每个第一LED芯片的电极背离所述第一生长基板；
提供一第一临时基板，所述第一临时基板上设置有第一胶合剂层，将所述第一LED芯片的电极粘附于所述第一胶合剂层上，剥离所述第一生长基板；
在所述第一临时基板的第一LED芯片上涂覆光刻胶材料，形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层的厚度H1大于所述第一LED芯片的高度h1；
通过曝光显影方式在所述第一光刻胶层上形成多个第一凹槽，待转移的所述第一LED芯片从所述第一凹槽中露出；
在加热的条件下，在所述第一光刻胶层上及所述第一凹槽中涂覆热塑性材料，随后冷却固化形成第一热塑性材料转移器；
待转移的第一LED芯片粘附至所述第一热塑性材料转移器上后，将剩余的所述第一光刻胶层用显影液移除；
用激光选择性地将所述第一热塑性材料转移器上的LED芯片与对应的胶合剂层分离；
通过移动所述第一热塑性材料转移器，将所述第一热塑性材料转移器上的所述第一LED芯片转移至显示背板，键合所述第一LED芯片至所述显示背板上，加热所述第一热塑性材料转移器，将所述第一热塑性材料转移器与所述第一LED芯片分离，完成第一LED芯片的转移过程。
2.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，用如权利要求1所述的方法用第二热塑性材料转移器转移多个第二LED芯片时，若所述第一LED芯片的高度h1与所述第二LED芯片的高度h2不相等，则预设覆盖所述第二LED芯片的光刻胶层的高度为H2，则满足条件：H2-h2＞|h2-h1|。
3.如权利要求2所述的巨量转移方法，其特征在于，转移所述第二LED芯片后再用第三热塑性材料转移器进行多个第三LED芯片的转移，若所述第一LED芯片的高度h1、所述第二LED芯片的高度h2以及所述第三LED芯片的高度h3互不相等，则预设覆盖所述第三LED芯片的光刻胶层的高度为H3，则满足条件：H3-h3＞|h3-h1|且H3-h3＞|h3-h2|。
4.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，在所述将剩余的所述第一光刻胶层通过曝光显影的方式移除的步骤之后，以及所述用激光选择性地将所述第一热塑性材料转移器上的LED芯片与对应的胶合剂层分离的步骤之前，还包括，
提供一第二生长基板，所述第二生长基板上有多个第二LED芯片，每个第二LED芯片的电极背离所述第二生长基板；
提供一第二临时基板，所述第二临时基板上设置有第二胶合剂层，将所述第二LED芯片的电极粘附于所述第二胶合剂层上，剥离所述第二生长基板；
在所述第二临时基板的第二LED芯片上涂覆光刻胶材料，形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层的厚度为H2’，所述第二LED芯片的高度h2’，且满足条件：H2’≥h2’+H1；
通过曝光显影方式在所述第二光刻胶层上形成多个第二凹槽，将待转移的第二LED芯片从所述第二凹槽中露出；
通过曝光显影方式在所述第二光刻胶层上形成多个第三凹槽，所述第三凹槽用于容置所述第一热塑性材料转移器上的所述第一LED芯片；
在加热的条件下，添加液态热塑性材料，使其填满所述第二凹槽；将所述第一热塑性材料转移器移动到所述第二临时基板上；
冷却固化新添加的热塑性材料，待转移的第二LED芯片粘附至所述第一热塑性材料转移器上后，将剩余的所述第二光刻胶层通过曝光显影的方式移除。
5.如权利要求4所述的巨量转移方法，其特征在于，在所述将剩余的所述第二光刻胶层通过曝光显影的方式移除的步骤之后，以及所述用激光选择性地将所述第一热塑性材料转移器上的LED芯片与对应的胶合剂层分离的步骤之前，还包括，
提供一第三生长基板，所述第三生长基板上有多个第三LED芯片，每个第三LED芯片的电极背离所述第三生长基板；
提供一第三临时基板，所述第三临时基板上设置有第三胶合剂层，将所述第三LED芯片的电极粘附于所述第三胶合剂层上，剥离所述第三生长基板；
在所述第三临时基板的第三LED芯片上涂覆光刻胶材料，形成第三光刻胶层，所述第三光刻胶层的厚度为H3’，所述第三LED芯片的高度为h3’，且满足条件：H3’≥h3’+H2；
通过曝光显影方式在所述第三光刻胶层上形成多个第四凹槽，将待转移的所述第三LED芯片从所述第四凹槽中露出；
通过曝光显影方式在所述第三光刻胶层上形成多个第五凹槽和第六凹槽，所述第五凹槽和所述第六凹槽分别用于容置所述第一热塑性材料转移器上的第一LED芯片和第二LED芯片；
在加热的条件下，添加液态热塑性材料，使其填满所述第四凹槽；将所述第一热塑性材料转移器移动到所述第三临时基板上；
冷却固化新添加的热塑性材料，待转移的第三LED芯片粘附至所述第一热塑性材料转移器上后，将剩余的所述第三光刻胶层通过曝光显影的方式移除。
6.如权利要求5所述的巨量转移方法，其特征在于，所述显示背板包括多个第一凸台和多个第二凸台，所述第一热塑性材料转移器上的第二LED芯片键合于所述第二凸台上，所述第一热塑性材料转移器上的第一LED芯片键合于所述第一凸台上。
7.如权利要求6所述的巨量转移方法，其特征在于，所述第一凸台的高度为H11，所述第二凸台的高度为H22，且满足以下条件：
H11＝H3’-H1，H22＝H3’-H2’。
8.如权利要求4至7任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，所述第一临时基板及所述第二临时基板为透光材料。
9.如权利要求1至7任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，所述第一热塑性材料包括聚烯烃、纤维素、聚醚聚酯及芳杂环聚合物中的一种或多种。
10.如权利要求1至7任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，所述光刻胶材料为负性光刻胶。
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