CN117637722A - 显示组件的制造方法、显示组件及显示芯片转移结构 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种显示组件的制造方法、显示组件及显示芯片转移结构，详细地，本实施例中，在转移基板上制作第一粘胶层，并将显示芯片粘附在设置有第二粘胶层的临时基板上，然后，在所述显示芯片背离所述临时基板的一侧表面上形成光敏材料层，接着，将所述第一粘胶层与所述显示芯片上形成的光敏材料层粘合，最后去除所述临时基板，并通过所述转移基板将所述显示芯片转移到显示基板上。如此，光敏材料直接基于显示芯片所在的临时基板制作在显示芯片背离临时基板的表面，可以提升通过转移基板对显示芯片进行转移时的转移精度。

Description

显示组件的制造方法、显示组件及显示芯片转移结构

本专利申请主张2022年08月18日申请的名称为“显示组件的制造方法及显示组件”，申请号为“202210990972.4”的发明专利申请的本国优先权。

技术领域

本申请涉及显示设备制造技术领域，具体而言，涉及一种显示组件的制造方法、显示组件及显示芯片转移结构。

背景技术

随着显示技术的不断发展，微型发光二极管(Micro-LED)显示技术因其具有高亮度、高响应速度、低功耗、长寿命等优点，而成为新一代显示技术的研究热点。目前，Micro-LED显示屏的制备难点之一在于高效率的批量转移技术，其中激光转移技术具有转移尺寸灵活、兼容修复补位技术、转移效率高等优点而被广泛的研究和实用。但是，激光转移也存在较多的问题，例如，转移精度低，材料适配困难导致无法直接转移至电学基板等。

发明内容

为了克服上述背景技术中所提及的至少部分技术问题，第一方面，本申请实施例提供一种显示组件的制造方法，包括：

提供一种提供转移基板，并在该转移基板上制作第一粘胶层；

提供设置有第二粘胶层的临时基板，并将显示芯片粘附在所述第二粘胶层上；

在所述显示芯片背离所述临时基板的一侧表面上形成光敏材料层；

将所述第一粘胶层与所述显示芯片上形成的光敏材料层粘合；

去除所述临时基板，并通过所述转移基板将所述显示芯片转移到显示基板上。

基于第一方面的一种可能的实施方式，将显示芯片粘附在所述第二粘胶层上，包括：

将所述显示芯片的电极所在一侧的与所述第二粘胶层贴合；

从所述显示芯片背离所述电极的一侧对所述显示芯片施加压力，以使所述显示芯片至少部分嵌入所述第二粘胶层内；

优选地，所述显示芯片嵌入所述第二粘胶层内的深度大于2um；

所述显示芯片完全嵌入所述第二粘胶层内，且所述显示芯片背离所述临时基板的一侧表面与所述第二粘胶层背离所述临时基板的一侧表面平齐。

基于第一方面的一种可能的实施方式，将所述转移基板与设置有所述显示芯片的临时基板进行键合之前，该方法还包括：

在所述光敏材料层上形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图案化，形成与各所述显示芯片对应的光刻胶图案；其中，所述光刻胶图案在所述临时基板上的正投影与所述显示芯片在所述临时基板上的正投影重合；

对所述光敏材料层以及所述第二粘胶层进行刻蚀，以去除相邻的显示芯片之间的光敏材料层以及第二粘胶层；

移除位于所述显示芯片上方的光刻胶图案。

基于第一方面的一种可能的实施方式，所述显示芯片背离所述临时基板的一侧与所述第二粘胶层背离所述临时基板的一侧具有一高度差，且所述显示芯片背离所述临时基板的一侧高于所述第二粘胶层背离所述临时基板的一侧；

优选地，所述光敏材料材料层包括位于所述显示芯片上的第一部分以及位于所述第二粘胶层上的第二部分，所述第一部分与所述第二部分不接触，且所述第二部分与所述显示芯片不接触；

优选地，所述第一粘胶层的厚度为0.2um-10um，所述第二粘胶层的厚度为0.1um-50um。

基于第一方面的一种可能的实施方式，所述光敏材料层的厚度为0.2um到0.8um；

优选地，所述光敏材料层的厚度为0.7um，所述光敏材料层由无粘性的光敏材料制作形成。

第二方面，本申请实施例还提供一种显示组件，所述显示组件通过上述的方法制造形成。

第三方面，本申请实施例还提供一种显示芯片转移结构，包括：

转移基板，所述转移基板上设置有第一粘胶层；

显示芯片，所述显示芯片靠近所述第一粘胶层的一侧表面上设置有光敏材料层，所述光敏材料层与所述第一粘胶层粘合，以便于通过所述转移基板将所述显示芯片转移到显示基板上。

基于第三方面的一种可能的实施方式，所述光敏材料层的厚度为0.1um至0.8um。

基于第三方面的一种可能的实施方式，所述光敏材料层的厚度为0.7um。

基于第三方面的一种可能的实施方式，所述光敏材料层由无粘性的光敏材料制作形成。

综上所述，相较于现有技术，本申请实施例提供的一种显示组件的制造方法、显示组件及显示芯片转移结构，通过将显示芯片的激光转移过程中所需用到的光敏材料直接基于显示芯片所在的临时基板制作在显示芯片背离临时基板的一侧，可以使得光敏材料仅位于所述显示芯片背离所述临时基板的表面，而在显示芯片的周侧不会粘附光敏材料，有利于后续通过所述转移基板对所述显示芯片进行转移时，不会受到显示芯片周侧可能残留的光敏材料的影响而避免显示芯片在转移时的落点偏位，进而提升转移精度。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1是现有技术中的一种LED芯片转移过程的工艺流程示意图。

图2是本申请实施例提供的显示组件的制造方法中基于转移基板形成第一粘胶层的示意图；

图3是本申请实施例提供的显示组件的制造方法中将显示芯片粘附在临时基板上的第二粘胶层上的示意图；

图4是本申请实施例提供的显示组件的制造方法中从所述显示芯片背离所述临时基板的一侧涂布光敏材料的示意图之一；

图5是本申请实施例提供的显示组件的制造方法中将所述转移基板与所述临时基板进行键合的示意图；

图6是本申请实施例提供的显示组件的制造方法中去除图4所示的临时基板的示意图；

图7是本申请实施例提供的显示组件的制造方法的一种可替代实施方式中将所述显示芯片完全嵌入所述第二粘胶层内的示意图；

图8是本申请实施例提供的显示组件的制造方法中从所述显示芯片背离所述临时基板的一侧涂布光敏材料的示意图之二；

图9是本申请实施例提供的显示组件的制造方法中在所述光敏材料层上形成与各所述显示芯片对应的光刻胶图案的示意图；

图10是本申请实施例提供的显示组件的制造方法中对所述光敏材料层以及所述第二粘胶层进行刻蚀后移除所述光刻胶图案的示意图。

图标：

100-转移基板；110-第一粘胶层；200-临时基板；210-第二粘胶层；220-光敏材料层；230-光刻胶图案；300-显示芯片。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的不同特征之间可以相互结合。

如前述背景技术中所提及的相关问题，经发明人对现有的激光转移技术进行研究发现，一种常用的激光转移技术是在转移基板(又称上基板)上设置光敏材料层(如光敏胶层)，然后利用该转移基板对显示芯片(如Micro-LED)进行粘附后转移至目标基板(如显示基板)上。这种转移方式，在对显示芯片进行转移时，显示芯片周侧可能被转移基板上的光敏材料部分或完全包裹，进而影响转移显示芯片时的落点精度。

作为一种示例，以LED芯片的转移过程为例，如图1所示，是现有技术中的一种常见的LED芯片转移过程的工艺流程示意图。在传统的LED芯片转移过程中，大多包括图1所示的P1-P3几道工艺流程，下面对P1-P3等各道工艺进行示例性介绍。

P1，待转移的LED芯片C通过动态释放层(Dynamic Release layer,DRL)设置于一转移基板100上，其中，所述动态释放层DRL一般包括光敏材料层。

P2，对动态释放层DRL执行刻蚀工艺，去除LED芯片C之间的部分。

P3，在刻蚀工艺之后，将LED芯片C通过激光转移工艺从所述转移基板100转移到显示基板101上。

基于上述方式的制作工艺中所需要使用到的光敏材料的选型范围很窄，一方面要求光敏材料具有粘力。如此，在P1工艺中，还需要通过对动态释放层DRL中的光敏材料进行高温加热使其产生所需的粘力，也即P1工艺中，需要通过高温的方式进行。另一方面，要求光敏材料对激光能量的波动不敏感，这样才能在转移过程中保证落点精度的前提下降低设备的规格(光斑能量均匀性)，进而降低成本。此外，由于光敏材料的叠层厚度一般≥0.5um，在实际使用时一般需要做到2-5um才能保证光敏材料具备足够的粘力，因此，在P2工艺中还需要对相邻的Micro-LED间的光敏材料/粘附材料等进行刻蚀，这样才能避免LED周围胶层对激光转移精度造成的影响。基于前述材料选型范围窄和额外刻蚀工艺的问题，本申请实施例提供一种显示组件的制造方法、显示组件及显示芯片转移结构，用以解决激光释放材料选型范围窄的问题，并提升激光转移精度。

下面结合附图对本实施例提供的方案进行示例性说明。

首先，请参阅图2，图2是本申请实施例提供的显示组件的制造方法的过程示意图，该方法包括下述S100-S300的步骤，下面结合附图进行示例性的说明。

步骤S100，例如图2所示，提供一转移基板100，并在该转移基板100上制作第一粘胶层110。

其中，在一种可能的实施方式中，所述转移基板100也可以被称为上基板，用于在后续制程工艺中将显示芯片(如Micro-LED芯片)进行吸附转移至目标基板上。所述转移基板100可以是，但不限于，玻璃基板、蓝宝石基板、树脂基板、陶瓷基板、PI基板等。为了便于后续的使用，所述转移基板100优选为一种硬质基板，例如，可以选择玻璃基板或蓝宝石基板。此外，所述第一粘胶层110可以是任何具有粘性以便于后续通过转移基板100拾取显示芯片的材料，例如，本实施例中，所述第一粘胶层110可以是一种临时键合胶层。在实际制作时，可以直接涂覆具有粘性的材料以形成所述第一粘胶层110，也可以是先涂覆具有一定特性的材料，然后对该材料进行后续处理以使其具有粘性后形成所述第一粘胶层110，本实施例对第一粘胶层的具体形成方式不进行限定。

示例性地，本实施例中，可以通过匀胶设备在所述转移基板100上涂覆粘附材料以形成所述第一粘胶层110，或者，也可以通过狭缝涂覆(slit)工艺在所述转移基板100上涂覆粘附材料以形成所述第一粘胶层110。其中，所形成的的第一粘胶层110的厚度为0.2um-10um之间。此外，本实施例可以优选具有对193-370nm的激光不反应、不吸收的特性的粘附材料。

步骤S200，例如图3所示，提供设置有第二粘胶层210的临时基板200，并将显示芯片300粘附在所述第二粘胶层210上。

本实施例中，其中，所述显示芯片300可以是Micro-LED芯片，粘附于所述第二粘胶层210上的显示芯片300的数量可以为多个。一般而言，可以将大量的显示芯片300通过所述第二粘胶层210设置于所述临时基板200上以备后续的激光巨量转移过程而使用。本实施例中，所述第二粘胶层210的厚度为0.1um-50um。

其中，与所述转移基板100相类似，所述临时基板200可以是蓝宝石基板、碳化硅(SiC)基板、氮化镓(GaN)基板等。例如，以蓝宝石基板作为所述临时基板100作为示例，可以在所述临时基板200上生长出显示芯片300的各种膜层，然后基于各膜层形成满足要求(例如具有符合条件的尺寸及类型)的大量显示芯片300。在其他实施方式中，所述临时基板200不限于蓝宝石基板，也可以是其他类型的基板。

在其他实施方式中，所述显示芯片300也可以是迷你发光二极管(Mini-LED)芯片，本实施例对此不具体限定。

步骤S300，例如图4所示，在所述显示芯片300背离所述临时基板200的一侧表面上形成光敏材料层220。

在本实施例的一种可能的实施方式中，可以通过匀胶、狭缝涂覆、或喷墨打印等工艺从所述显示芯片300背离所述临时基板200的一侧制作一层厚度为0.1um-50um的光敏材料层220。基于该实施方式，所述显示芯片300背离所述临时基板200的一侧与所述第二粘胶层210背离所述临时基板200的一侧具有一高度差，所述显示芯片300背离所述临时基板200的一侧高于所述第二粘胶层210背离所述临时基板200的一侧。如此，进一步参考图4所示，通过上述方法所形成的所述光敏材料层220包括位于所述显示芯片300上的第一部分以及位于所述第二粘胶层210上的第二部分，所述第一部分与所述第二部分不接触，且所述第二部分与所述显示芯片不接触。

此外，所述显示芯片300可以为倒梯形体的结构，如此，通过从显示芯片300背离所述临时基板200的一侧涂布光敏材料，有利于使得光敏材料仅位于所述显示芯片300背离所述临时基板200的表面，而在显示芯片300的周侧不会粘附光敏材料，例如，显示芯片300上下表面之间的四个侧面不会粘附光敏材料，有利于后续通过所述转移基板100对所述显示芯片300进行转移时，不会受到显示芯片300周侧可能残留的光敏材料的影响而降低显示芯片300在转移时的落点精度。

通过上述方式，相较于传统的在转移基板100(上基板)上设置光敏胶材料的方式，所述显示芯片300的周侧不会被光敏材料所包覆，不会影响后续激光转移时的落点精度。此外，将光敏材料直接制作在显示芯片300上方，通过转移基板100上的第一粘胶层110粘接固化在显示芯片300上的光敏材料层，可以实现对显示芯片300的拾取以及转移。针对这种方式，不需要光敏材料具有粘力，因此可以将光敏材料层做得更薄，可以降低激光转移过程中对光敏材料的性质要求(例如，可采用无粘性光敏材料)，提升对光敏材料的选型范围。

步骤S400，将所述第一粘胶层110与所述显示芯片300上形成的光敏材料层220粘合。

其中，在本实施例的一种可能的实现方式中，例如图5所示，可以首先对所述转移基板100进行翻转，使所述第一粘胶层110正对所述临时基板200上的光敏材料层220，然后将该转移基板100与临时基板200键合，使得所述第一粘胶层110与所述显示芯片300上形成的光敏材料层220粘合。

此外，本申请发明人经过大量的激光转移实验过程发现，将所述光敏材料层220的厚度制作在0.1um到0.8um之间，无需对显示芯片300之间的光敏材料层220进行刻蚀去除也可以使得激光转移的良率符合要求。例如，在一种可替代的优选实施方式中，所述光敏材料层220的厚度为0.7um时，显示芯片300的激光转移良率可以达到较高(例如99％以上)。此外，本申请发明人也对诸如图1所示的常规的激光转移工艺进行了实验数据验证，若采用图1所示的转移工艺，所述光敏材料层220的厚度大多至少需要设置在1-2um以上其粘力才能达到P1过程中的工艺需求，而厚度设置在1-2um，若省略P2的刻蚀工艺，在P3中的激光转移良率将大打折扣甚至达不到量产要求。因此，基于本实施例的工艺过程，可以将显示芯片300上方的光敏材料层220的厚度做薄，一方面可以节省光敏材料的用量以降低成本，另一方面由于本实施例在光敏材料层220固化到显示芯片300上之后，后续转移过程中通过转移基板上的第一粘胶层110的粘力即可实现显示芯片300的转移。因此，本实施例中，可以采用无粘力或粘力较小的光敏材料，进而提高光敏材料的选型范围。另外，由于光敏材料层220可以做得较薄，因此在光敏材料层220制作在显示芯片300上之后，还可以省略对显示芯片300之间的光敏材料的刻蚀工艺(如图1所示的P2工艺)，进一步简化了显示芯片300的转移步骤，提升了转移效率。

其次，在诸如图1的LED芯片转移工艺流程中，在P1的工艺中，需要光敏材料具有一定粘力，而要使光敏材料具有足够粘力需要通过高温对其进行加热，因此P1的工艺为高温工艺。而采用本实施例的方式，光敏材料层220无需具有粘力，因此还可以通过常温工艺替代传统的高温工艺，可以进一步的简化工艺流程。

步骤S500，去除所述临时基板200，并通过所述转移基板100将所述显示芯片300转移到显示基板上。

其中，本实施例中，可以通过对所述第二粘胶层210进行脱胶处理，并通过所述转移基板100带动所述显示芯片300脱离所述临时基板200，得到如图6所示的结构。例如，作为一种示例，所述第二粘胶层210也可以是临时键合胶层，基于步骤S500，可以通过对该临时键合胶层进行解键合处理实现对该第二粘胶层210的脱胶处理。

此外，通过所述转移基板100将所述显示芯片300转移到显示基板上的方法可以采用常规的激光转移方法，例如将拾取有所述显示芯片300的转移基板100放入激光转移设备，通过激光转移设备对所述转移基板100进行激光照射，使所述显示芯片300从所述光敏材料层220上脱落后，转移到所述显示基板上，完成显示芯片300的转移。

通过上述方式，即可得到显示组件，本实施例中，所述显示组件可以是显示面板(如Micro-LED面板)，也可以是通过上述方法而制造形成的所述显示面板成品前的一个中间产品组件，本实施例对此不具体进行限定。

进一步地，在本申请实施例的一种可能的实现方式中，针对步骤S200，将显示芯片300粘附在所述第二粘胶层210上，还可以通过下述的方式实现。

首先，将所述显示芯片300的电极所在一侧的与所述第二粘胶层210贴合；然后，从所述显示芯片300背离所述电极的一侧对所述显示芯片300施加压力，以使所述显示芯片300至少部分嵌入所述第二粘胶层210内。本实施例中，所述显示芯片300嵌入所述第二粘胶层210内的深度大于2um。例如，作为一种可选的示例，请参阅图7所示，可以将所述显示芯片300完全嵌入所述第二粘胶层210内，且所述显示芯片300背离所述临时基板200的一侧表面与所述第二粘胶层210背离所述临时基板200的一侧表面平齐。如此，在步骤S300中，从所述显示芯片300背离所述临时基板200的一侧涂布光敏材料形成光敏材料层220后的示意图则如图8所示，相较于图4，区别在于该光敏材料层220大致为一平整的材料层并覆盖在所述显示芯片300以及所述第二粘胶层210的表面。如此设置，更容易保证光敏材料仅分布在显示芯片300背离临时所述临时基板200的一侧表面(显示芯片300的电极所在侧的对侧)，可以降低后续激光转移过程中LED侧壁上光敏材料反应引起的LED落点偏位，提升转移精度。

在上述内容的基础上，本实施例提供的显示组件的制造方法，在所述步骤S400将所述转移基板100与设置有所述显示芯片300的临时基板200进行键合之前，该方法还可以包括以下S310-S330的步骤。

步骤S310，如图9所示，在所述光敏材料层220上形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图案化，形成与各所述显示芯片300对应的光刻胶图案230。其中，所述光刻胶图案230在所述临时基板200上的正投影与所述显示芯片300在所述临时基板200上的正投影重合。

步骤S320，从所述光敏材料层220背离所述临时基板200的一侧对所述光敏材料层220以及所述第二粘胶层210进行刻蚀，以去除相邻的显示芯片300之间的光敏材料层220以及第二粘胶层210。

步骤S330，移除位于所述显示芯片300上方的光刻胶图案，得到图10所示的结构。在此之后，即可进入前述的步骤S400，以通过所述转移基板100从所述临时基板200上拾取所述显示芯片300，得到图6所示的结构，然后进行后续的激光转移过程。

进一步地，在上述内容的基础上，本申请实施例还提供一种通过上述制造方法制造形成的显示组件。其中，所述显示组件可以是显示面板(如Micro-LED面板)，也可以是显示面板成品前的一个中间产品组件。或者，所述显示组件可以是一个具有所述显示面板的产品，例如Micro-LED显示屏，产品的呈现形式例如可以是商显、电视机(TV)、手机、智能手表、车载屏等。

此外，本申请实施例还提供一种上述制造方法的制造过程中而形成的一种显示芯片转移结构。

本实施例中，所述显示芯片转移结构为图6所示的结构。其中，所述显示芯片转移结构可以包括转移基板100、第一粘胶层110、显示芯片300，以及光敏材料层220。其中，第一粘胶层110位于所述转移基板100上，例如，所述第一粘胶层110位于所述转移基板100靠近所述显示芯片300的一侧表面。所述光敏材料层220位于所述显示芯片300靠近所述第一粘胶层110一侧的表面并与所述第一粘胶层110粘合，以便于通过所述转移基板100将所述显示芯片300转移到显示基板上。

进一步地，为了提升所述显示芯片转移结构在用于后续显示芯片300的转移过程中的转移效果，本实施例中，所述光敏材料层的厚度为0.1um至0.8um，例如可以优选所述光敏材料层的厚度为0.7um。此外，所述光敏材料层220可以由无粘性的光敏材料制作形成，且所述第二粘胶层210对激光的吸收率小于或等于1％。

综上所述，本申请实施例提供的显示组件的制造方法、显示组件及显示芯片转移结构，通过将显示芯片的激光转移过程中所需用到的光敏材料直接基于显示芯片所在的临时基板制作在显示芯片背离临时基板的一侧，可以使得光敏材料仅位于所述显示芯片背离所述临时基板的表面，而在显示芯片的周侧不会粘附光敏材料，有利于后续通过所述转移基板对所述显示芯片进行转移时，不会受到显示芯片周侧可能残留的光敏材料的影响而避免显示芯片在转移时的落点偏位，进而提升转移精度。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种显示组件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供转移基板，并在该转移基板上制作第一粘胶层；

提供设置有第二粘胶层的临时基板，并将显示芯片粘附在所述第二粘胶层上；

在所述显示芯片背离所述临时基板的一侧表面上形成光敏材料层；

将所述第一粘胶层与所述显示芯片上形成的光敏材料层粘合；

去除所述临时基板，并通过所述转移基板将所述显示芯片转移到显示基板上。

2.根据权利要求1所述的显示组件的制造方法，其特征在于，将显示芯片粘附在所述第二粘胶层上，包括：

将所述显示芯片的电极所在一侧的与所述第二粘胶层贴合；

从所述显示芯片背离所述电极的一侧对所述显示芯片施加压力，以使所述显示芯片至少部分嵌入所述第二粘胶层内；

优选地，所述显示芯片嵌入所述第二粘胶层内的深度大于2um；

优选地，所述显示芯片完全嵌入所述第二粘胶层内，且所述显示芯片背离所述临时基板的一侧表面与所述第二粘胶层背离所述临时基板的一侧表面平齐。

3.根据权利要求2所述的显示组件的制造方法，其特征在于，将所述转移基板与设置有所述显示芯片的临时基板进行键合之前，该方法还包括：

在所述光敏材料层上形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图案化，形成与各所述显示芯片对应的光刻胶图案；其中，所述光刻胶图案在所述临时基板上的正投影与所述显示芯片在所述临时基板上的正投影重合；

对所述光敏材料层以及所述第二粘胶层进行刻蚀，以去除相邻的显示芯片之间的光敏材料层以及第二粘胶层；

移除位于所述显示芯片上方的光刻胶图案。

4.根据权利要求1所述的显示组件的制造方法，其特征在于，所述显示芯片背离所述临时基板的一侧与所述第二粘胶层背离所述临时基板的一侧具有一高度差，且所述显示芯片背离所述临时基板的一侧高于所述第二粘胶层背离所述临时基板的一侧；

优选地，所述光敏材料材料层包括位于所述显示芯片上的第一部分以及位于所述第二粘胶层上的第二部分，所述第一部分与所述第二部分不接触，且所述第二部分与所述显示芯片不接触；

优选地，所述第一粘胶层的厚度为0.2um-10um，所述第二粘胶层的厚度为0.1um-50um。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的显示组件的制造方法，其特征在于，所述光敏材料层的厚度为0.2um到0.8um；

优选地，所述光敏材料层的厚度为0.7um；

优选地，所述光敏材料层由无粘性的光敏材料制作形成。

6.一种显示组件，其特征在于，所述显示组件通过权利要求1-5任意一项所述的方法制造形成。

7.一种显示芯片转移结构，其特征在于，包括：

转移基板，所述转移基板上设置有第一粘胶层；

显示芯片，所述显示芯片靠近所述第一粘胶层的一侧表面上设置有光敏材料层，所述光敏材料层与所述第一粘胶层粘合，以便于通过所述转移基板将所述显示芯片转移到显示基板上。

8.根据权利要求7所述的显示芯片转移结构，其特征在于，所述光敏材料层的厚度为0.1um至0.8um。

9.根据权利要求8所述的显示芯片转移结构，其特征在于，所述光敏材料层的厚度为0.7um。

10.根据权利要求7-9任意一项所述的显示芯片转移结构，其特征在于，所述光敏材料层由无粘性的光敏材料制作形成。