CN116779631A - 弱化结构、中间结构及其制备方法、微器件的转移方法 - Google Patents

弱化结构、中间结构及其制备方法、微器件的转移方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种弱化结构、中间结构及其制备方法、微器件的转移方法。弱化结构的制备方法包括：提供暂态基板，在暂态基板的表面形成网格状的网板，网板具有多个间隔排布的开口，在开口内形成弱化层，去除网板，以得到多个间隔排布的弱化结构。本发明利用具有间隔排布开口的网格状的网板，可以直接得到所需的弱化结构，在形成弱化结构的过程中无需干法刻蚀步骤，避免了因干法刻蚀形成弱化结构而导致的弱化结构形貌不好控制的问题，进而可以提高微器件的转移良率。

Description

弱化结构、中间结构及其制备方法、微器件的转移方法
技术领域
本发明涉及巨量转移技术领域，尤其涉及一种弱化结构、中间结构及其制备方法、微器件的转移方法。
背景技术
微型发光二极管(Micro-LED)显示技术是指以自发光的微米量级发光二极管为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度发光二极管阵列的显示技术。由于Micro-LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点，与液晶显示器 (LCD)和有机发光二极管(OLED)相比，在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。
在目前的Micro-LED行业中，为了让Micro-LED在巨量转移的吸取过程中能够顺利脱离暂态基板又不至于破片，因此需要在Micro-LED的下方制作中空型的弱化结构，也就是以小于1μm的微米级柱子支撑。然而，传统弱化结构的制备方法中，会使用干法刻蚀弱化层以形成弱化结构，但由于干法刻蚀的均匀性不好控制，这就导致了刻蚀得到的弱化结构的形貌不好控制，后续会直接影响Micro-LED的抓取，从而导致Micro-LED的转移良率低。
因此，如何提高对弱化结构的形貌控制，进而提高微器件的转移良率，是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种弱化结构、中间结构及其制备方法、微器件的转移方法，旨在解决干法刻蚀得到的弱化结构的形貌不好控制的问题，提高微器件的转移良率。
本申请实施例提供一种弱化结构的制备方法，包括以下步骤：提供暂态基板；在暂态基板的表面形成网格状的网板，网板具有多个间隔排布的开口；在开口内形成弱化层；去除网板，以得到多个间隔排布的弱化结构。
上述弱化结构的制备方法，利用一种具有间隔排布开口的网格状的网板，直接在开口内形成弱化层，进而可以直接得到所需的弱化结构，在形成弱化结构的过程中无需干法刻蚀步骤，避免了由于干法刻蚀均匀性差而导致的弱化结构的形貌不好控制的问题，可以得到形貌较好的弱化结构，进而可以提高微器件的转移良率；同时由于省掉了干法刻蚀的步骤，可以节约工艺成本。
可选的，开口内形成弱化层包括：采用涂胶工艺在开口内形成弱化层。
可选的，弱化结构的高度小于或等于所述网板的厚度。
通过设置弱化结构的高度小于或等于网板的厚度，可以确保各弱化结构之间相互独立，有利于控制弱化结构的形貌，使得各弱化结构的尺寸相同，可以确保各弱化结构对微器件的粘附力值保持一致，便于后续从弱化结构上拾取微器件。
可选的，弱化结构的材料包括二氧化硅、氮化硅及氮氧化硅中的一种或多种。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种弱化结构，该弱化结构采用如上述任一项的弱化结构的制备方法制备而得到。
上述弱化结构具有较好的形貌，可以极大地提高微器件的转移良率。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种中间结构的制备方法，包括：采用前述任一方案中所述的弱化结构的制备方法制备弱化结构；提供基底，基底的表面形成有多个间隔排布的微器件；将微器件转移到所述弱化结构上，所述弱化结构与所述微器件一一对应设置。
上述中间结构的制备方法，将前述实施例中的弱化结构的制备方法与微器件的制备相兼容，工艺简单、效率高且易于实现；在利用上述弱化结构的制备方法得到形貌较好的弱化结构后，形成与弱化结构相接触的微器件，在后续进行微器件转移时，可以极大地提高微器件的转移良率。
可选的，弱化结构的尺寸小于微器件的尺寸。
可选的，将微器件转移到弱化结构上包括：将表面形成有微器件的基底键合到弱化结构上，微器件与弱化结构一一对应接触；剥离基底。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种中间结构，该中间结构采用如上述任一项实施例中的中间结构的制备方法制备而得到。
上述中间结构具有形貌较好的弱化结构，形成与弱化结构相接触的微器件，在后续进行微器件转移时，可以极大地提高微器件的转移良率。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种微器件的转移方法，采用前述任一方案中所述的中间结构的制备方法制备中间结构；拾取微器件，并将微器件键合至背板的表面。
上述微器件的转移方法，弱化结构的制备与微器件的制备相兼容，工艺简单、效率高且易于实现；在得到形貌较好的弱化结构后，形成与弱化结构相接触的微器件，在进行微器件转移时，可以极大地提高微器件的转移良率。
可选的，拾取微器件，并将微器件键合至背板的表面，包括：使用拾取装置吸附微器件；刻蚀与拾取装置吸附的微器件相连接的弱化结构，形成微柱结构；控制微柱结构断裂，以拾取微器件，并将微器件键合至背板的表面。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示面板，包括：背板及位于背板表面的多个微器件，多个微器件采用如前述任一项实施例中的微器件的转移方法转移至所述背板的表面。
通过采用上述微器件的转移方法，可以极大地提高微器件的转移良率，减少微器件转移过程中对微器件的损耗，使得制备得到的显示面板具有较高的发光亮度，提高了显示面板的显示质量，减小了显示面板的制作成本和制作周期。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他实施例的附图。
图1为本申请一实施例中提供的弱化结构的制备方法的流程框图。
图2为本申请一实施例中提供的弱化结构的制备方法中提供一暂态基板后所得结构的剖面结构示意图。
图3为本申请一实施例中提供的弱化结构的制备方法中在暂态基板的表面形成网格状的网板后所得结构的剖面结构示意图。
图4为本申请一实施例中提供的弱化结构的制备方法中形成弱化层后所得结构的剖面结构示意图。
图5为本申请一实施例中提供的弱化结构的制备方法中去除网板，以形成弱化结构后所得结构的剖面结构示意图。
图6为本申请另一实施例中提供的中间结构的制备方法的流程框图。
图7为本申请另一实施例中提供的中间结构的制备方法中形成外延叠层后所得结构的剖面结构示意图。
图8为本申请另一实施例中提供的中间结构的制备方法中形成外延结构后所得结构的剖面结构示意图。
图9为本申请另一实施例中提供的中间结构的制备方法中形成微器件后所得结构的剖面结构示意图。
图10为本申请另一实施例中提供的中间结构的制备方法中微器件转移到弱化结构上后所得结构的剖面结构示意图。
图11为本申请又一实施例中提供的微器件的转移方法的流程框图。
图12为本申请又一实施例中提供的微器件的转移方法中将表面形成有微器件的基底键合到弱化结构上后所得结构的剖面结构示意图。
附图标记说明：
10-暂态基板；20-网板；201-开口；30-弱化结构；300-弱化层；40-基底； 50-微器件；500-外延叠层；501-外延结构；502-第一电极；503-第二电极；60- 背板。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
微型发光二极管(Micro-LED)显示技术是指以自发光的微米量级发光二极管为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度发光二极管阵列的显示技术。由于Micro-LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点，与液晶显示器 (LCD)和有机发光二极管(OLED)相比，在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。
在目前的Micro-LED行业中，为了让Micro-LED在巨量转移的吸取过程中能够顺利脱离暂态基板又不至于破片，因此需要在Micro-LED的下方制作中空型的弱化结构，也就是以小于1μm的微米级柱子支撑。然而，传统弱化结构的制备方法，后续会用到干法刻蚀多余的弱化层，这就导致了刻蚀得到的弱化结构的形貌不好控制，后续会直接影响Micro-LED的抓取，导致Micro-LED的转移良率低。。
基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
如图1所示，本申请的方案详细阐述一种弱化结构的制备方法，包括：
S10：提供暂态基板；
S20：在暂态基板的表面形成网格状的网板，网板具有多个间隔排布的开口；
S30：在开口内形成弱化层；
S40：去除网板，以得到多个间隔排布的弱化结构。
上述弱化结构的制备方法，利用一种具有间隔排布开口的网格状的网板，直接在开口内形成弱化层，进而可以直接得到所需的弱化结构，在形成弱化结构的过程中无需干法刻蚀步骤，避免了由于干法刻蚀均匀性差而导致的弱化结构的形貌不好控制的问题，可以得到形貌较好的弱化结构，进而可以提高微器件的转移良率；同时，由于省掉了干法刻蚀的步骤，可以节约工艺成本。
以下结合图2至图5对本申请实施例提供的弱化结构的制备方法进行详细描述。
在步骤S10中，请参阅图1中的S10步骤及图2，提供暂态基板10。
在一些示例中，暂态基板10可以包括但不仅限于玻璃基板、硅基板或蓝宝石基板。
在步骤S20中，请参阅图1中的S20步骤及图3，在暂态基板10的表面形成网格状的网板20，网板20具有多个间隔排布的开口201。
在一些示例中，开口201可以为相同尺寸的长方体；具体的相同尺寸为长、宽、高均相同。
在一些示例中，开口201贯穿网板20，暴露出暂态基板10的上表面。
在一些示例中，可以将网板20固定于暂态基板10的上表面，譬如，可以采用但不仅限于粘贴的方式将网板20固定于暂态基板10的表面。
需要说明的是，固定网板20的方式要确保后续网板20方便去除，譬如，可以采用但不仅限于热熔胶将网板20固定于暂态基板10的表面，后续可以采用加热去除热熔胶以去除网板20；当然，也可以采用可撕除的粘贴胶将网板20 固定于暂态基板10的表面，粘贴胶的形状要与网板20的形状对应，后续可以通过撕除粘贴胶的方式将网板20去除。
在步骤S30中，请参阅图1中的S30步骤及图4，在开口201内形成弱化层 300。
在一些示例中，可以采用但不仅限于涂胶工艺在开口201内形成弱化层300。
在一些示例中，弱化层300的材料可以包括但不仅限于二氧化硅、氮化硅及氮氧化硅中的一种或多种，具体的，弱化层300的材料可以包括二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种，也可以包括二氧化硅、氮化硅及氮氧化硅中的至少两种的组合。当然，在其他示例中，弱化层300也可以包括至少两层结构的叠层结构。本申请对于弱化层300的材料不做限定。
上述形成弱化层300的材料与形成网板20的材料不能相同；例如，当形成弱化层300的材料为二氧化硅时，形成网板20的材料不能采用二氧化硅；当形成弱化层300的材料为氮化硅时，形成网板20的材料不能采用氮化硅。通过控制弱化层300的材料与网板20的材料不同，可以在去除网板20时，避免或减小对弱化层300的影响。
在步骤S40中，请参阅图1中的S40步骤及图4、图5，去除网板20，以形成多个间隔排布的弱化结构30。
在一些示例中，弱化结构30的高度小于或等于网板20的厚度，即步骤S30 中弱化层300的高度小于或等于网板20的厚度。在本实施例中，弱化结构30 的高度等于网板20的厚度。通过设置弱化结构30的高度等于网板20的厚度，可以确保各弱化结构之间相互独立，有利于控制弱化结构30的形貌，使得各弱化结构30的尺寸相同，可以确保各弱化结构30对微器件的粘附力值保持一致，便于后续从弱化结构30上拾取微器件。
上述弱化结构30的制备方法，先提供暂态基板10，然后在暂态基板10的表面形成网格状的网板20，网板20具有多个间隔排布的开口201，在开口201 内形成弱化层300，在去除网板20后，得到多个间隔排布的弱化结构30。本发明省掉了干法刻蚀弱化层300得到弱化结构30的步骤，避免了由于干法刻蚀均匀性差而导致的得到的弱化结构30的形貌不好控制的问题，可以得到形貌较好的弱化结构，进而可以提高微器件的转移良率；同时，由于省掉了干法刻蚀的步骤，可以节约工艺成本。
请继续参阅图5，本申请还公开了一种弱化结构30，该弱化结构30可以采用上述弱化结构30的制备方法制备而得到。
上述弱化结构30具有较好的形貌，可以极大地提高微器件的转移良率。此外，各弱化结构30的尺寸相同、形貌一致，可以确保各弱化结构30具有相同的粘附力值，利用该弱化结构30进行微器件转移，可以进一步提高微器件转移良率。
如图6所示，本申请的方案详细阐述一种中间结构的制备方法，包括：
S100：采用如上述任一方案中所述的弱化结构的制备方法制备所述弱化结构；
S200：提供基底，所述基底的表面形成有多个间隔排布的微器件；
S300：将微器件转移到弱化结构上，弱化结构与微器件一一对应设置。
上述中间结构的制备方法，将前述实施例中的弱化结构的制备方法与微器件的制备相兼容，工艺简单、效率高且易于实现；在利用上述弱化结构的制备方法得到形貌较好的弱化结构后，形成与弱化结构相接触的微器件，在后续进行微器件转移时，可以极大地提高微器件的转移良率。
可选的，弱化结构的尺寸小于微器件的尺寸。也即，弱化结构在暂态基板表面的正投影位于微器件在暂态基板表面的正投影内。
以下结合图5、图7至图10对本申请实施例提供的中间结构的制备方法进行详细描述。
在步骤S100中，请参阅图6中的S100步骤及图5，采用如上述任一方案中所述的弱化结构的制备方法制备弱化结构30。
弱化结构30的具体制备方法请参阅图1至图5及相关文字描述，此处不再累述。
在步骤S200中，请参阅图6中的S200步骤及图7至图9，提供一基底40，基底40上形成有多个间隔排布的微器件50。
其中，在基底40上形成多个间隔排布的微器件50的具体步骤可以包括：
S201：在基底40的表面形成外延叠层500，如图7所示；
S202：对外延叠层500进行图案化处理，得到多个外延结构501，如图8 所示；
S203：在各外延结构501上形成第一电极502和第二电极503，以得到多个微器件50，如图9所示。
在一些示例中，步骤S201中，外延叠层500可以至少包括但不仅限于：缓冲层(未示出)、N型半导体层(未示出)、多量子阱层(未示出)、P型半导体层(未示出)和透明导电层，缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层和透明导电层可以依次叠置。
在一些示例中，外延结构501还可以包括介质层，介质层覆盖外延叠层500，且介质层内形成有暴露出透明导电层和N型半导体层的开口。
在一些示例中，步骤S201中，外延叠层500还可以包括：电子阻挡层(未示出)、应力释放层(未示出)、电流扩散层(未示出)和空穴注入层(未示出)等功能层；各层之间的位置关系可以根据实际需要具体设定。
可选地，步骤S201中，可以采用但不仅限于物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺、分子束外延生长(MBE)工艺、磁控溅射工艺、氢化物气相外延(HVPE) 工艺、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)或氨热法形成外延叠层500。本申请对于形成外延叠层500的具体方式也不做限定。
在一些示例中，步骤S202中，可以采用光刻刻蚀工艺对外延叠层500进行刻蚀，刻蚀后的外延叠层500被分隔为多个间隔排布的外延结构501。
在一些示例中，步骤S203中，第一电极502与第二电极503之间具有间隙；对于第一电极502与第二电极503的材质和形状不做限定，第一电极502及第二电极503均可以包括但不限于铝电极、铜电极、镍电极或锡电极等等。第一电极502可以为N电极，第二电极503可以为P电极。；或第一电极502可以为P电极，第二电极503可以为N电极；以第一电极502可以为N电极，第二电极503可以为P电极为例，此时，第一电极502位于N型半导体层的表面，第二电极503可以为透明导电层的表面；第一电极502经由开口与N型半导体层接触，第二电极503经由另一开口与透明导电层接触。
通过上述方法制备得到的微器件50可以是LED芯片，例如Micro LED芯片或其他LED芯片。
在步骤S300中，请参阅图6中的S300步骤及图10，将微器件50转移到弱化结构30上。
上述将微器件50转移到弱化结构30上，具体步骤包括：
S301：将表面形成有微器件50的基底键合到弱化结构30上，微器件50与弱化结构30一一对应接触。
S302：剥离基底40。
在一些示例中，步骤S301中，将微器件50键合到弱化结构30上。利用弱化结构30的材质特性，对其进行加热，使微器件50整体嵌入弱化结构30，弱化结构30与外延结构501、第一电极502以及第二电极503相接触。
可选地，键合过程中，加热温度可以根据实际需要进行设定。键合过程的加热温度为100℃、110℃、120℃、130℃、140℃、150℃、160℃、170℃、170℃、 180℃或200℃等等。
在一些示例中，步骤S301中，弱化结构30在暂态基板10上的正投影位于微器件50在暂态基板10上的正投影范围内。也即，弱化结构30的截面尺寸小于微器件50的截面尺寸，减小弱化结构30与微器件50的接触面积，使得在微器件50的转移过程中，可以更便于直接脱离微器件50，实现微器件50转移。
在一个实施例中，步骤S302：剥离基底40。
可选地，可以采用但不仅限于激光剥离工艺剥离基底40。
基于同样的发明构思，本申请还公开了一种中间结构，该中间结构采用如前述任一实施例中的中间结构的制备方法制备而得到。
本发明的中间结构具有形貌较好的弱化结构30，形成与弱化结构30相接触的微器件50，在后续进行微器件50转移时，可以极大地提高微器件50的转移良率。
在一些示例中，外延结构501的中心可以与弱化结构30的中心相对应，以确保弱化结构30对微器件50的有效支撑。
在一些示例中，步骤S301中，弱化结构30在暂态基板10上的正投影位于微器件50在暂态基板10上的正投影范围内。也即，弱化结构30的截面尺寸小于微器件50的截面尺寸，减小弱化结构30与微器件50的接触面积，使得在微器件50的转移过程中，可以直接脱离微器件，实现微器件转移。
在一些示例中，微器件50的数量与弱化结构30的数量可以相同，微器件 50与弱化结构30一一对应设置。
如图10所示，通过上述方法制备得到的中间结构包括一一对应设置的弱化结构30和微器件50，各弱化结构30的尺寸相同、形貌一致，可以确保各弱化结构30具有相同的粘附力值，利用该弱化结构30进行微器件50转移，可以极大地提高微器件50转移良率。
基于同样的发明构思，本申请还公开了一种微器件的转移方法，如图11所示，包括：
S1：采用前述实施例中中间结构的制备方法制备中间结构；
S2：拾取所述微器件，并将微器件键合至背板的表面。
在一些示例中，可以采用前述实施例中中间结构的制备方法制备得到如图 11所示的中间结构。
上述微器件的转移方法，弱化结构30的制备与微器件50的制备相兼容，工艺简单、效率高且易于实现；在得到形貌较好的弱化结构30后，形成与弱化结构30相接触的微器件50，在进行微器件50转移时，可以极大地提高微器件 50的转移良率。
在形成尺寸相同、形貌一致的的弱化结构30后，将微器件50键合于弱化结构30上，简化了微器件30转移的工艺步骤，使得弱化结构30对微器件50 进行有效支撑的同时，保持各弱化结构30对微器件50的粘附力值保持一致，极大地提高了微器件50的转移良率。弱化结构30的截面尺寸小于微器件50 的截面尺寸，减小弱化结构30与微器件50的接触面积，使得在微器件50的转移过程中，可以更便于直接脱离微器件50，实现微器件50转移。
可选的，请参阅图12，拾取微器件50，并将微器件50键合至背板的表面，包括：使用拾取装置吸附微器件50；刻蚀与拾取装置吸附的微器件50相连接的弱化结构30，形成微柱结构；控制微柱结构断裂，以拾取微器件50，并将微器件50键合至背板60的表面。
在一些示例中，控制微柱结构断裂的方式可以采用激光脆化，脆化后下压或直接拾取微器件50；也可以直接拾取微器件50，用拉力拉断微柱结构。本申请对于控制微柱结构断裂的方式并不做限定。
在一些示例中，拾取所述微器件50，并将微器件50键合至背板60的表面的过程中，可以通过但不仅限于转移头(未示出)执行拾取及放置动作的方式实现。本申请对于将微器件50转移至背板60的表面的方式并不做限定。
在一些实施方式中，可以通过但不仅限于巨量转移头执行拾取及放置动作。
在一些实施方式中，可以通过巨量转移头选择性地转移部分微器件50，也可以通过巨量转移头将所有微器件50一次性全部转移。
基于同样的发明构思，本申请还公开了一种显示面板，显示面板包括背板 60以及位于背板60表面的多个微器件50，其中，多个微器件50采用如上述实施例中的芯片转移方法转移至背板60表面。通过采用上述实施例中的微器件的转移方法，可以极大地提高微器件50的转移良率，减少微器件转移过程中对微器件的损耗，使得制备得到的显示面板具有较高的发光亮度，提高了显示面板的显示质量，减小了显示面板的制作成本和制作周期。
可选地，显示面板可以包括但不限于LED显示面板，本申请对于显示面板的具体形式并不做限定。
应该理解的是，虽然图1、图6及图11的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1、图6及图11中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
本申请实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括驱动电路以及与驱动电路连接的发光单元。其中，发光单元包括前述一些实施例中的发光二极管芯片。显示装置例如为发光二极管显示面板，或发光二极管背板。前述发光二极管芯片所能实现的技术效果，该显示装置也均能实现，此处不再详述。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种弱化结构的制备方法，其特征在于，包括：
提供暂态基板；
在所述暂态基板的表面形成网格状的网板，所述网板具有多个间隔排布的开口；
在所述开口内形成弱化层；
去除所述网板，以得到多个间隔排布的弱化结构。
2.如权利要求1所述的弱化结构的制备方法，其特征在于，在所述开口内形成弱化层包括：采用涂胶工艺在所述开口内形成所述弱化层。
3.如权利要求1所述的弱化结构的制备方法，其特征在于，所述弱化结构的高度小于或等于所述网板的厚度。
4.如权利要求1所述的弱化结构的制备方法，其特征在于，
所述弱化结构的材料包括二氧化硅、氮化硅及氮氧化硅中的至少一种。
5.一种中间结构的制备方法，其特征在于，包括：
采用权利要求1至4中任一项所述的弱化结构的制备方法制备所述弱化结构；
提供基底，所述基底的表面形成有多个间隔排布的微器件；
将所述微器件转移到所述弱化结构上，所述弱化结构与所述微器件一一对应设置。
6.如权利要求5所述的中间结构的制备方法，其特征在于，
所述弱化结构的尺寸小于所述微器件的尺寸。
7.如权利要求5所述的中间结构的制备方法，其特征在于，所述将所述微器件转移到所述弱化结构上包括：
将表面形成有所述微器件的所述基底键合到所述弱化结构上，所述微器件与所述弱化结构一一对应接触；
剥离所述基底。
8.一种微器件的转移方法，其特征在于，
采用权利要求6至7中任一项所述的中间结构的制备方法制备所述中间结构；
拾取所述微器件，并将所述微器件键合至背板的表面。
9.如权利要求8所述的微器件的转移方法，其特征在于，所述拾取所述微器件，并将所述微器件键合至背板的表面，包括：
使用拾取装置吸附所述微器件；
刻蚀与所述拾取装置吸附的所述微器件相连接的所述弱化结构，形成微柱结构；
控制所述微柱结构断裂，以拾取所述微器件，并将所述微器件键合至背板的表面。
10.一种显示面板，其特征在于，包括：背板及位于所述背板表面的多个微器件，多个所述微器件采用如权利要求9所述的微器件的转移方法转移至所述背板的表面。
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