CN115425122B - Led芯片巨量转移方法及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种LED芯片巨量转移方法及显示面板，该转移方法包括将LED芯片的电极与第一基板结合，并移除生长基板；在第一基板上形成图案化牺牲层，包括环绕LED芯片设置的第一牺牲部、位于LED芯片背离第一基板一侧的第二牺牲部，第二牺牲部的至少相对两侧与第一牺牲部之间具有露出LED芯片至少部分的开口；在所述图案化牺牲层上形成图案化支撑层，该图案化支撑层包括连接臂，连接臂连接LED芯片与第二基板，向第二基板施加使连接臂断裂的外部力，能够使得LED芯片与第二基板分离，并转移到驱动背板上。本发明的LED芯片巨量转移方法无需采用PDMS即可进行转移，具有转移效率高、精度高、成本低的优点。

Description

LED芯片巨量转移方法及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种LED芯片巨量转移方法及显示面板。
背景技术
在微型发光二极管显示装置制备过程中，需要将生长基板上形成的发光二极管LED芯片转移到驱动背板上。现有的巨量转移方法首先采用聚二甲基硅氧烷(PDMS)对暂态基板上的芯片进行粘附，接着对暂态基板上的胶材进行解粘，使得PDMS粘附起LED，从而将其转移至背板。PDMS价格昂贵，使得转移成本较高，同时PDMS具有一定的形变特性，其粘附的LED有可能会发生倾斜，导致转移到背板时产生不良，并且由于PDMS具有热释放性和化学降解性，导致暂态基板胶材的选择具有一定的局限性。
因此，有必要提供一种转移效率高、转移良率高、转移成本低的微元件的转移方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种LED芯片巨量转移方法，以提高LED芯片在巨量转移中的效率和转移良率，并降低转移成本。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
一种LED芯片巨量转移方法，包括如下步骤：
提供LED芯片阵列基板，所述LED芯片阵列基板包括生长基板和位于所述生长基板上的多个LED芯片，所述LED芯片背离所述生长基板的一侧设置有电极；
提供第一基板，将所述LED芯片的电极与所述第一基板结合，并移除所述生长基板；
在所述第一基板上形成图案化牺牲层，所述图案化牺牲层包括环绕所述LED芯片设置的第一牺牲部、位于所述LED芯片背离所述第一基板一侧的第二牺牲部，所述第二牺牲部的至少相对两侧与所述第一牺牲部之间具有开口，所述开口露出所述LED芯片的至少部分；
在所述图案化牺牲层上形成图案化支撑层，所述图案化支撑层具有镂空区，所述镂空区露出所述第二牺牲部远离所述第一基板的表面，且所述图案化支撑层至少包括连接臂，所述连接臂位于所述开口处并与所述LED芯片相结合；
提供一第二基板，并将所述第二基板与所述图案化支撑层远离所述第一基板的一侧相结合，以形成第一中间结构；
去除所述第一中间结构中的图案化牺牲层及第一基板，以形成第二中间结构，所述第二中间结构中的LED芯片与第二基板之间具有间隔；
提供驱动背板，将所述第二中间结构的电极与所述驱动背板的绑定区对位贴合，并向所述第二基板施加使所述连接臂断裂的外部力，以使得所述LED芯片与所述第二基板分离，并转移到所述驱动背板上。
在本发明的一个技术方案中，所述LED芯片具有相对设置的第一表面和第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的侧表面，所述第一表面为设置所述电极的表面；其中，在第一中间结构中：
所述开口至少包括第一开口区，所述第一开口区露出所述侧表面的至少部分区域；
所述连接臂的至少部分位于所述第一开口区，并与露出的所述侧表面相结合。
在本发明的一个技术方案中，所述开口还包括与所述第一开口区连通的第二开口区，所述第二开口区露出所述第二表面的边缘；
所述连接臂的部分位于所述第二开口区，并与露出的所述第二表面相结合。
在本发明的一个技术方案中，所述连接臂包括第一连接部及第二连接部；
所述第一连接部位于所述第一开口区内，并与所述侧表面和所述第一牺牲部相接触，所述第一连接部远离所述第一基板的表面与所述第二表面相平齐；
所述第二连接部位于所述第一开口区和所述第二开口区内，且覆盖所述第一连接部远离所述第一基板的表面以及露出的所述第二表面，所述第二连接部与所述第一牺牲部和所述第二牺牲部相接触。
在本发明的一个技术方案中，所述第二连接部远离所述第一基板的表面低于所述第二牺牲部远离所述第一基板的表面；
其中，所述连接臂还包括第三连接部；所述第三连接部位于所述第一开口区，并设于所述第二连接部远离所述第一基板的一侧；所述第三连接部与所述第一牺牲部相接触，并与所述第二牺牲部之间具有间隔；且所述第三连接部远离所述第一基板的表面高于所述第二牺牲部远离所述第一基板的表面或与所述第二牺牲部远离所述第一基板的表面相平齐。
在本发明的一个技术方案中，所述第三连接部的水平宽度与所述第二连接部的竖直厚度之间的比值大于或等于2.5；和/或
所述第三连接部的水平宽度大于或等于5μm；和/或
所述第二连接部的竖直厚度的取值范围为0.5μm至2um；和/或
所述第二牺牲部的竖直厚度为1μm至5μm；和/或
所述第二开口区的水平宽度为0.5μm至4μm。
在本发明的一个技术方案中，所述图案化支撑层还包括支撑部，所述支撑部覆盖所述第一牺牲部远离所述第一基板的表面并与所述连接臂相接触，所述支撑部远离所述第一基板的表面与所述连接臂相接触的表面相平齐；和/或
所述图案化支撑层的材料包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种；和/或
所述开口环绕所述第二牺牲部。
在本发明的一个技术方案中，所述图案化牺牲层的材料包括光刻胶；
所述第一基板包括暂态基板和形成在所述暂态基板上的第一胶层，所述LED芯片的电极通过所述第一胶层结合在所述暂态基板上，所述第一胶层与所述图案化牺牲层的材料特性相同，所述第二基板包括转移基板和形成在所述转移基板上的第二胶层，所述图案化支撑层远离所述第一基板的一侧通过所述第二胶层与所述第二基板相结合，所述第二胶层与所述第一胶层的材料特性不同；其中，去除所述第一中间结构中的图案化牺牲层及第一基板，包括：
通过光刻胶剥离液同时去除所述图案化牺牲层和所述第一胶层。
在本发明的一个技术方案中，所述向所述第二基板施加使所述连接臂断裂的外部力，包括：所述向所述第二基板施加朝向所述驱动背板的外部力，以使所述连接臂断裂；和/或
将所述第二中间结构的电极与所述驱动背板的绑定区对位贴合，包括：通过锡或铟金属熔融以将所述第二中间结构的电极固定于所述驱动背板的绑定区。
本发明还提供一种显示面板，所述显示面板包括驱动背板和设置在所述驱动背板上的多个LED芯片；其中，各所述LED芯片通过如上所述的转移方法转移至所述驱动背板上。
本发明的有效效果：
本发明的LED芯片巨量转移方法通过形成连接臂，通过向第二基板施加外部力即可实现LED芯片与第二基板的分离，以及LED芯片与驱动背板的贴合，无需采用PDMS即可进行转移，并且可避免采用PDMS进行转移所存在对位不准问题的发生，具有转移效率高、精度高、成本低的优点。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本发明。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施例，本发明的上述和其它目标、特征及优点将变得更加显而易见。
图1是本发明一实施方式的LED芯片巨量转移方法的流程图。
图2(a)是本发明一实施方式的提供LED芯片阵列基板的示意图。
图2(b)是本发明一实施方式的转移到第一基板的示意图。
图2(c)是本发明一实施方式的转移到第一基板后的示意图。
图2(d)是本发明一实施方式的形成图案化牺牲层的示意图。
图2(e)是本发明一实施方式的形成支撑层的示意图。
图2(f)是本发明一实施方式的形成图案化支撑层的示意图。
图2(g)是本发明一实施方式的第一中间结构的示意图。
图2(h)是本发明一实施方式的第二中间结构的示意图。
图2(i)是本发明一实施方式转移到驱动背板的示意图。
图3(a)是本发明另一实施方式的图案化牺牲层的示意图。
图3(b)是本发明另一实施方式的第二中间结构的示意图。
图3(c)是本发明另一实施方式的第二中间结构的示意图。
图4(a)是本发明另一实施方式的图案化牺牲层的示意图。
图4(b)是本发明另一实施方式的第二中间结构的示意图。
图4(c)是本发明另一实施方式的第二中间结构的示意图。
图5(a)是本发明另一实施方式的形成牺牲层的示意图。
图5(b)是本发明另一实施方式的图案化牺牲层的示意图。
图5(c)是本发明另一实施方式的支撑层的示意图。
图5(d)是本发明另一实施方式的第二中间结构的示意图。
附图标记说明如下：
10、LED芯片阵列基板、100、生长基板；101、LED芯片；101a、第一表面；101b、第二表面；101c、侧表面；101d、电极；11、第一基板；110、暂态基板；111、第一胶层；12、图案化牺牲层；121、第一牺牲部；122、第二牺牲部；13、开口；131、第一开口区；132、第二开口区；14、图案化支撑层；14a、镂空区；14b、连接臂；14c、支撑层；141、第一连接部；142、第二连接部；143、第三连接部；15、支撑部；16、第二基板；160、转移基板；161、第二胶层；171、第一中间结构；172、第二中间结构；18、驱动背板；181、绑定区；191、第一牺牲层；192、第二牺牲层。
具体实施方式
尽管本发明可以容易地表现为不同形式的实施方式，但在附图中示出并且在本说明书中将详细说明的仅仅是其中一些具体实施方式，同时可以理解的是本说明书应视为是本发明原理的示范性说明，而并非旨在将本发明限制到在此所说明的那样。
由此，本说明书中所指出的一个特征将用于说明本发明的一个实施方式的其中一个特征，而不是暗示本发明的每个实施方式必须具有所说明的特征。此外，应当注意的是本说明书描述了许多特征。尽管某些特征可以组合在一起以示出可能的系统设计，但是这些特征也可用于其他的未明确说明的组合。由此，除非另有说明，所说明的组合并非旨在限制。
在附图所示的实施方式中，方向的指示(诸如上、下、内、外、左、右、前、后等)用于解释本发明的各种组件的结构和运动不是绝对的而是相对的。当这些组件处于附图所示的位置时，这些说明是合适的。如果这些组件的位置的说明发生改变时，则这些方向的指示也相应地改变。
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些示例实施方式使得本发明的描述将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。附图仅为本发明的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。
以下结合本说明书的附图，对本发明的较佳实施方式予以进一步地详尽阐述。
实施例一
请参照图1所示，在本实施例中，提供了LED芯片的巨量转移方法，包括以下步骤：
S101、提供LED芯片阵列基板10，所述LED芯片阵列基板10包括生长基板100和位于所述生长基板100上的多个LED芯片101，所述LED芯片101背离所述生长基板100的一侧设置有电极。
具体的，通过提供一生长基板100，在生长基板100上制备外延层，将外延层分割为多个以矩阵分布的LED外延片后，在各LED外延片背离生长基板100的一侧安装电极以获得上述LED芯片101阵列基板，如图2(a)所示。
其中，生长基板100的材料可选蓝宝石(Al2O3)、硅(Si)、碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)等中的任一种或多种组合，具体可根据设备和LED芯片101的要求进行选择，这里不做唯一限定。
外延层可通过金属有机物化学气相沉积(metal organic chemicalvapourdeposition，MOCVD)的方式制备，外延层的材料可选GaP、GaN、ZnO等中的任一种。进而通过涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、去除光刻胶，形成图形，以将整个外延层分割为多个LED外延片。
S102、提供第一基板11，将所述LED芯片101的电极与所述第一基板11结合，并移除所述生长基板100。
具体的，该步骤可以按照本领域常用的方式提供，比如，如图2(b)所示，将LED芯片101设有电极的一侧与第一基板11对组贴合，第一基板11上设有胶材，使LED芯片101的电极与胶材结合，通过固化胶材将LED芯片101固定于第一基板11，然后如2(c)所示，通过激光剥离的方式将生长基板100剥离，实现将LED芯片101转移到第一基板11。
通过激光剥离的方式将生长基板100剥离，具体操作过程可以采用本领域常用的激光剥离方式，比如可以利用波长266nm的激光使生长基板和LED芯片101之间的氮化镓层热分解，实现生长基板100的剥离。
本实施例中对于第一基板11的材质也不做限制，例如一种示例中，该第一基板11的材质可以采用但不限于玻璃、蓝宝石、石英和硅中的任意一种。本实施例中，第一基板11上设置的胶材的设置形态可以灵活设定，只要其能满足在与LED芯片101阵列基板贴合时，能可靠的将LED芯片101的电极粘附住即可。
S103、在所述第一基板11上形成图案化牺牲层，所述图案化牺牲层12包括环绕所述LED芯片101设置的第一牺牲部121、位于所述LED芯片101背离所述第一基板11一侧的第二牺牲部122，所述第二牺牲部122的至少相对两侧与所述第一牺牲部121之间具有开口13，所述开口13露出所述LED芯片101的至少部分。
具体地，该步骤可以按照本领域常用的方式提供，比如，如图2(d)所示，首先在第一基板11粘附有LED芯片101的一层涂覆材料形成牺牲层，该牺牲层覆盖LED芯片101并填充各LED芯片101之间的空隙，然后通过图形化牺牲层，在牺牲层上形成露出所述LED芯片101的至少部分的开口13，获得图案化牺牲层12。如图2(d)所示，该图案化牺牲层12包括第一牺牲部121和第二牺牲部122，第二牺牲部122位于所述LED芯片101背离所述第一基板11一侧，第一牺牲部121远离所述第一基板11的表面和第二牺牲部122远离所述第一基板11的表面相齐平，所述第二牺牲部122的至少相对两侧与所述第一牺牲部121之间设置开口13，该开口13的深度小于第一牺牲部121的高度，即该开口至少暴露LED芯片101的部分侧表面。
其中，用于形成牺牲层的材料采用能在后期被去除、且对LED芯片101不造成破坏的各种材质，例如可以采用但不限于光刻胶。采用光刻胶时，可以采用正性光刻胶，也可以采用负性光刻胶，正性光刻胶曝光显影后可溶于显影液，因此在图案化后残余的牺牲层图形与掩膜板图形一致，而负性光刻胶曝光显影后不溶于显影液，因此在图案化后残余的牺牲层图形与掩膜板图形互补。通过控制曝光能量可使得图案化程度以调控开口的形状和尺寸，实现LED芯片101暴露程度的调控。
S104、在所述图案化牺牲层12上形成图案化支撑层14，所述图案化支撑层14具有镂空区14a，所述镂空区14a露出所述第二牺牲部122远离所述第一基板11的表面，且所述图案化支撑层14至少包括连接臂14b，所述连接臂14b位于所述开口13处并与所述LED芯片101相结合。
具体地，该步骤可以按照本领域常用的方式提供，比如，如图2(e)所示，首先在图案化牺牲层12远离所述第一基板11的表面通过例如化学气相沉积(CVD)形成支撑层14c，该支撑层14c覆盖第一牺牲部121、第二牺牲部122以及填充开口13，然后如2(f)所示，对支撑层14c进行刻蚀以去除部分支撑层形成镂空区14a，剩余被保留的支撑层形成连接臂14b，用于支撑LED芯片101。
本实施例中不限定支撑层的材质，可选的支撑层材质为能够对LED芯片101起到支撑作用，但在后续巨量转移过程中，能够在外部力作用下断裂以将LED芯片101转移至驱动背板，且不影响LED芯片101外延结构的其他层结构。
优选支撑层的材料包括无机含硅脆性材料，比如包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。利用上述材料形成的支撑层，一方面沉积过程简单，另一方面对于转移过程中微元件的保护及完成转移后的脱离均有更好的效果。
本实施例中，连接臂14b位于所述开口处并与所述LED芯片101相结合，也就是说，开口处的支撑层被保留而与LED芯片101被暴露的至少部分区域接触，使得LED芯片101连接至连接臂14b。
S105、提供一第二基板16，并将所述第二基板16与所述图案化支撑层远离所述第一基板11的一侧相结合，以形成第一中间结构。
具体的，该步骤可以按照本领域常用的方式提供，比如，如图2(g)所示，将所述图案化支撑层14远离所述第一基板11的一侧与第二基板16对组贴合，第二基板16上设有胶材，使所述图案化支撑层14与胶材结合，通过固化胶材将图案化支撑层固定于第二基板16，使得所形成的第一中间结构171包括第一基板11、LED芯片101、图案化牺牲层12、图案化支撑层14及第二基板16。
本实施例中对于第二基板16的材质也不做限制，例如一种示例中，该第二基板16的材质可以采用但不限于玻璃、蓝宝石、石英和硅中的任意一种。本实施例中，第二基板16上设置的胶材的设置形态可以灵活设定，只要其能满足在与图案化支撑层贴合时，能可靠的将图案化支撑层粘附住即可。
S106、去除所述第一中间结构171中的图案化牺牲层12及第一基板11，以形成第二中间结构172，所述第二中间结构172中的LED芯片101与第二基板16之间具有间隔。
具体地，如图2(h)所示，图案化牺牲层12被去除后，原本被其占用的空间形成镂空，第一基板11被去除后，LED芯片101的电极露出，使得LED芯片101通过连接臂14b被悬空地支撑在所述第二基板16上，在保证支撑强度的同时使得该连接臂14b在一定外部力的作用下易于断裂，保证转移精度和效率。
在本步骤中，可以先去除图案化牺牲层12后，再去除第一基板11，去除图案化牺牲层12所采用的工艺可根据形成牺牲层的具体材质灵活选择，例如牺牲层采用光刻胶时，可以采用但不限于光刻胶清洗液将其清洗去除。去除第一基板11时所采用的工艺可根据第一基板11上的具体胶材灵活选择，该胶材可以是被光解、热分解或化学溶解的胶材，可选地，采用光照、加热、湿法或干法去胶，其中湿法去胶可以用各种酸碱类溶液或有机溶剂将胶层腐蚀掉，比如可以采用丙酮。干法去胶可以用氧气等离子体刻蚀等强氧化去胶方式。当然，在另一些示例中，也可先去除第一基板11后，再将图案化牺牲层12去除。或者同时对图案化牺牲层12和第一基板11进行去除。由于本申请采用由无机脆性材料形成的支撑层支撑LED芯片101，避免使用PDMS支撑并转移LED芯片101，一方面降低转移成本，另一方面使得第一基板11上的胶材的选择无需考虑PDMS的热释放性和化学降解性，第一基板11的胶材的选择更加灵活。
在本发明的一个优选技术方案中，所述图案化牺牲层12的材料包括光刻胶；所述第一基板11包括暂态基板110和形成在所述暂态基板110上的第一胶层111，所述LED芯片101的电极通过所述第一胶层111结合在所述暂态基板110上，所述第一胶层111与所述图案化牺牲层的材料特性相同，即第一胶层111由光刻胶或者可以被光刻胶剥离液去除的有机材料形成，由此可实现图案化牺牲层和第一基板11的同时去除，简化工艺流程。
可选的，去除所述第一中间结构171中的图案化牺牲层12及第一基板11，包括：通过光刻胶剥离液同时去除所述图案化牺牲层和所述第一胶层111。
在本发明的一个优选技术方案中，所述第二基板16包括转移基板160和形成在所述转移基板160上的第二胶层161，所述图案化支撑层14远离所述第一基板11的一侧通过所述第二胶层161与所述第二基板16相结合，所述第二胶层161与所述第一胶层111的材料特性不同，由此避免在去除图案化牺牲层12和第一基板11的时候第二基板16被去除。在本实施例中，第二胶材无需采用PDMS，可以采用不能被光刻胶剥离液去除的任一有机材料。
S107、提供驱动背板18，将所述第二中间结构172的电极与所述驱动背板18的绑定区181对位贴合，并向所述第二基板16施加使所述连接臂14b断裂的外部力，以使得所述LED芯片101与所述第二基板16分离，并转移到所述驱动背板18上。
具体的，如图2(i)所示，本实施例中通过对第二基板16施加外力，施加到第二基板16上的力通过LED芯片101传递到连接臂14b上，使其断裂，释放LED芯片101的同时完成LED芯片101与驱动背板18的结合。本实施例的方法能够“LED芯片101与第二基板脱离”和“LED芯片101与驱动背板贴合”的同步进行，在转移时无需在借助额外的转移设备，提高转移时的操作便捷性以及转移效率。
本实施例中不限定驱动电路基板18的具体结构，只要是能够驱动LED芯片101点亮的控制电路基板即可。实际生产中，根据驱动LED芯片101的方式可以包括直接驱动电路基板，还可以包括复杂电路的驱动电路基板，本实施例中对此不做赘述。
在本发明的一个技术方案中，如图2(a)所示，所述LED芯片101具有相对设置的第一表面101a和第二表面101b以及连接所述第一表面101a和所述第二表面101b的侧表面101c，所述第一表面101a为设置所述电极101d的表面；如图2(d)所示，其中，在第一中间结构中所述开口13包括第一开口区131和第二开口区132，所述第一开口区131露出所述侧表面的至少部分区域，所述第二开口区132与所述第一开口区131连通，所述第二开口区132露出所述第二表面的边缘。
具体的，在步骤S103中，通过控制曝光能量使得图案化形成图案化牺牲层时所形成的开口暴露LED芯片101的部分侧表面和部分第二表面，可使得填充在开口中的支撑层可以与该露出的部分侧表面和部分第二表面接触，由此形成的连接臂可同时与LED芯片101该露出的部分侧表面和部分第二表面连接，提高支撑强度，防止LED芯片101出现位置错位，导致巨量转移过程中的精度降低。
在本发明的一个技术方案中，如图2(f)所示，所述连接臂14b包括第一连接部141、第二连接部142和第三连接部143，所述第一连接部141位于所述第一开口区131内，并与所述侧表面和所述第一牺牲部121相接触，所述第一连接部141远离所述第一基板11的表面与所述第二表面相平齐；所述第二连接部位142于所述第一开口区131和所述第二开口区132内，且覆盖所述第一连接部141远离所述第一基板11的表面以及露出的所述第二表面，所述第二连接部142与所述第一牺牲部121和所述第二牺牲部122相接触，所述第二连接部142远离所述第一基板11的表面低于所述第二牺牲部122远离所述第一基板11的表面；所述第三连接部143位于所述第一开口区131，并设于所述第二连接部142远离所述第一基板11的一侧，所述第三连接部143与所述第一牺牲部121相接触，并与所述第二牺牲部122之间具有间隔，且所述第三连接部433远离所述第一基板11的表面高于所述第二牺牲部122远离所述第一基板11的表面。
具体地，在本实施例中，在步骤S103中，所形成的图案化牺牲层12包括第一牺牲部121和第二牺牲部122，第一牺牲部121远离所述第一基板11的表面和第二牺牲部122远离所述第一基板11的表面相齐平，所述第二牺牲部122的至少相对两侧与所述第一牺牲部121之间形成开口13，并通过控制曝光能量使得位于LED芯片101第二表面之上的部分第二牺牲部去除，即使得形成的开口13暴露LED芯片101的部分侧表面和部分第二表面，所述第一开口区131露出所述侧表面的部分区域，所述第二开口区132露出所述第二表面的边缘。在步骤S104中，支撑层覆盖图案化牺牲层并填充所述开口形成具有平坦表面的支撑层，在对支撑层进行图案化时，将位于第二牺牲部122之上的支撑层去除，并将位于第一开口区131与第二基板16之间位置处的部分支撑层和位于第一开口区131与第二基板16之间位置处的部分支撑层去除，将其他区域的支撑层保留，以此形成上述包括包括第一连接部141、第二连接部142和第三连接部143的连接臂，当图案化牺牲层和第一基板移除后，如图2(g)所示，第三连接部143与第二基板16相连，第二连接部142与LED芯片101的第二表面连接且与第二基板16之间具有间隙，第一连接部141与LED芯片101的侧表面连接，使得该连接臂对LED芯片101具有稳定支撑效果同时可弱化其自身强度，在后续转移中容易断裂以提高LED芯片101与第二基板的分离效率。
在本实施例中，支撑强度及分离效率与连接臂14b各部分的水平宽度或竖直厚度相关，而连接臂的各部分水平宽度或竖直厚度与开口尺寸及支撑层的沉积厚度相关，具体可根据情况进行灵活选择。
在本发明的一个技术方案中，所述第三连接部143的水平宽度与所述第二连接部142的竖直厚度之间的比值大于或等于2.5，这种设置方式可在保证支撑稳定性的同时进一步弱化连接臂的支撑强度，使得在转移芯片脱离也更容易，在脱离时与LED芯片101连接的第二连接部142断裂，且残留在LED芯片101上的支撑层较少，即使有少许残留，也不会影响LED的发光性能。
在本发明的一个技术方案中，所述第三连接部143的水平宽度大于或等于5μm；和/或所述第二连接部142的竖直厚度的取值范围为0.5μm至2um；和/或所述第二牺牲部122的竖直厚度为1μm至5μm；和/或所述第二开口区132的水平宽度为0.5μm至4μm，即在形成牺牲层时，牺牲层远离第一基板11的表面比LED芯片101的第二表面高1μm至5μm，在图案化形成开口时开口宽度往LED芯片101外延层上表面延伸0.5μm至4μm，开口深度延伸至LED芯片101部分外延层。
在本发明的一个技术方案中，所述支撑层14还包括支撑部15，所述支撑部15覆盖所述第一牺牲部121远离所述第一基板11的表面并与所述连接臂相接触，所述支撑部15远离所述第一基板11的表面与所述连接臂相接触的表面相平齐。
具体地，如图2(f)所示，在图案化支撑层时，将位于第一牺牲部121上方的支撑层保留，第二基板与位于第一牺牲部121上方的支撑层粘接，由此使得支撑部15与第三连接部143相连，以增强LED芯片101与第二基板的连接强度。
在本发明的一个可选的技术方案中，所述开口不包含第二开口区，而只包含第一开口区，所述第一开口区露出所述侧表面的至少部分区域；所述连接臂的至少部分位于所述第一开口区，并与露出的所述侧表面相结合。
具体的，如图3(a)所示，在步骤S103中，所形成的图案化牺牲层12包括第一牺牲部121和第二牺牲部122，第一牺牲部121远离所述第一基板11的表面和第二牺牲部122远离所述第一基板11的表面相齐平，所述第二牺牲部122的至少相对两侧与所述第一牺牲部121之间形成第一开口区131，该开口仅暴露LED芯片101的部分侧表面，使得填充在开口中的支撑层仅与该露出的部分侧表面接触。在一些示例中，如图3(b)所示，在形成图案化支撑层时，将位于第一牺牲层121之上和位于第二牺牲层122之上的支撑层去除，而将填充在第一开口区131的支撑层保留，使得所形成的连接臂14b的至少部分位于所述第一开口区131，并与露出的所述侧表面101c相结合。在另一些示例中，如图3(c)所示，在形成图案化支撑层时，将位于第二牺牲层122之上的支撑层去除，而将位于第一牺牲层121之上和填充在第一开口区131的支撑层保留，使得所形成的连接臂14b的至少部分位于所述第一开口区131，与露出的所述侧表面101c相结合，使得所述支撑层包括支撑部15，所述支撑部15覆盖所述第一牺牲部121远离所述第一基板的表面并与所述连接臂14b相接触，所述支撑部远离所述第一基板的表面与所述连接臂相接触的表面相平齐。
在本发明的另一个可选的技术方案中，如上所述，所述开口包括第一开口区和第二开口区，第二开口区与所述第一开口区连通，所述第二开口区露出所述第二表面的边缘，所述连接臂的部分位于所述第二开口区，并与露出的所述第二表面相结合。
具体的，如图4(a)所示，在步骤S103中，所形成的图案化牺牲层12包括第一牺牲部121和第二牺牲部122，第一牺牲部121远离所述第一基板11的表面和第二牺牲部122远离所述第一基板11的表面相齐平，所述第二牺牲部122的至少相对两侧与所述第一牺牲部121之间形成开口13，该开口13包括第一开口区131和第二开口区132，该开口暴露LED芯片101的部分侧表面和部分第二表面，使得填充在开口中的支撑层与该露出的部分侧表面和部分第二表面接触。在一些示例中，如图4(b)所示，在形成图案化支撑层时，将位于第一牺牲层121之上和位于第二牺牲层122之上的支撑层去除，而将填充在第一开口区131的支撑层保留，使得所形成的连接臂14b的至少部分位于所述第一开口区131，并与露出的所述侧表面101c和第二表面101b相结合。具体的，所述连接臂14b包括第一连接部141及第二连接部142；所述第一连接部141位于所述第一开口区131内，并与所述侧表面101c和所述第一牺牲部121相接触，所述第一连接部141远离所述第一基板11的表面与所述第二表面101b相平齐，所述第二连接部142位于所述第一开口区131和所述第二开口区132内，且覆盖所述第一连接部141远离所述第一基板11的表面以及露出的所述第二表面101b，所述第二连接部142与所述第一牺牲部121和所述第二牺牲部122相接触，且所述第二连接部142远离所述第一基板11的表面与所述第二牺牲部122远离所述第一基板11的表面齐平，即第二连接部142与第二基板16相结合。在另一些示例中，如图4(c)所示，在形成图案化支撑层时，将位于第二牺牲层122之上的支撑层去除，而将位于第一牺牲层121之上和填充在第一开口区131的支撑层保留，使得所述支撑层包括支撑部15，所述支撑部15覆盖所述第一牺牲部121远离所述第一基板11的表面并与所述连接臂14b相接触，所述支撑部15远离所述第一基板11的表面与所述连接臂14b相接触的表面相平齐。
在本发明的再一个可选的技术方案中，如图5(a)所示，步骤S103形成图案化牺牲层时，首先，在第一基板粘附有LED芯片101的一侧形成第一牺牲层191，该第一牺牲层191背离第一基板的表面与LED芯片101的第二表面齐平，其次在LED芯片101的第二表面上形成覆盖至少露出第二表面边缘的第二牺牲层192，该第二牺牲层192在第一基板上的投影面积小于LED芯片101在第一基板上的投影面积，再次，如图5(b)所示，对第一牺牲层191进行图案化，形成图案化牺牲层12，包括第一牺牲部121和第二牺牲部122，所述第一牺牲部121的至少相对两侧与LED芯片101之间形成开口，该开口包括第一开口区131和第二开口区132，该开口暴露LED芯片101的部分侧表面。如图5(c)所示，在第一牺牲部121上形成支撑层14c，该支撑层14c远离第一基板的表面与第二牺牲部122远离第一基板的表面齐平。如图5(d)所示，在支撑层14c远离第一基11板的表面连接第二基板16，所形成的连接臂14b包括第一连接部141、第二连接部142和第三连接部143，所述第三连接部143远离所述第一基板11的表面与所述第二牺牲部122远离所述第一基板11的表面相平齐；进一步移除第一基板11和图案化牺牲层12，形成第二中间结构172，所述第二中间结构172中的LED芯片101与第二基板16之间具有间隔。
本实施方式通过对图案化牺牲层的形成过程进行优化，使得无需对支撑层进行图案化即可获得本发明的上述连接臂结构，方便快捷。
在本发明的一个技术方案中，所述开口环绕所述第二牺牲部122，使得所形成的连接臂在保证LED芯片101与第二基板连接牢固性的前提下，可以降低两者之间的接触面积，提高分离效率。
在本发明的一个技术方案中，所述向所述第二基板16施加使所述连接臂14b断裂的外部力，包括：所述向所述第二基板16施加朝向所述驱动背板18的外部力，以使所述连接臂14b断裂。
在本发明的一个技术方案中，将所述第二中间结构172的电极与所述驱动背板18的绑定区181对位贴合，包括：通过锡或铟金属熔融以将所述第二中间结构172的电极固定于所述驱动背板18的绑定区181。
本发明所述的巨量转移方法不需要借助额外的转移设备即可对LED芯片进行转移，实现了LED芯片转移和LED芯片与驱动背板贴合的同步进行，且转移效率高、精度高、成本低。
实施例二
本实施例提供一种显示面板，采用上述LED芯片巨量转移方法制作形成，使得显示面板的良率较高，且制备效率较高。
虽然已参照几个典型实施方式描述了本申请，但应当理解，所用的术语是说明和示例性、而非限制性的术语。由于本申请能够以多种形式具体实施而不脱离实施例的精神或实质，所以应当理解，上述实施方式不限于任何前述的细节，而应在随附权利要求所限定的精神和范围内广泛地解释，因此落入权利要求或其等效范围内的全部变化和改型都应为随附权利要求所涵盖。

Claims (6)

1.一种LED芯片巨量转移方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供LED芯片阵列基板，所述LED芯片阵列基板包括生长基板和位于所述生长基板上的多个LED芯片，所述LED芯片包括背离所述生长基板的一侧的第一表面、与所述第一表面相对的第二表面及连接所述第一表面和所述第二表面的侧表面，所述第一表面设置有电极；
提供第一基板，将所述LED芯片的电极与所述第一基板结合，并移除所述生长基板；
在所述第一基板上形成图案化牺牲层，所述图案化牺牲层包括环绕所述LED芯片设置的第一牺牲部、位于所述第二表面的第二牺牲部，所述第二牺牲部的至少相对两侧与所述第一牺牲部之间具有开口，所述开口包括相连通的第一开口区和第二开口区，所述第一开口区露出所述侧表面的部分，所述第二开口区露出所述第二表面的边缘；
在所述图案化牺牲层上形成图案化支撑层，所述图案化支撑层具有镂空区，所述镂空区露出所述第二牺牲部远离所述第一基板的表面，且所述图案化支撑层至少包括连接臂，所述连接臂包括第一连接部、第二连接部和第三连接部，所述第一连接部位于所述第一开口区内，并与所述侧表面和所述第一牺牲部相接触，所述第一连接部远离所述第一基板的表面与所述第二表面相平齐，所述第二连接部位于所述第一开口区和所述第二开口区内，且覆盖所述第一连接部远离所述第一基板的表面以及露出的所述第二表面，所述第二连接部与所述第一牺牲部和所述第二牺牲部相接触，且所述第二连接部远离所述第一基板的表面低于所述第二牺牲部远离所述第一基板的表面，所述第三连接部位于所述第一开口区，并设于所述第二连接部远离所述第一基板的一侧；所述第三连接部与所述第一牺牲部相接触，并与所述第二牺牲部之间具有间隔；且所述第三连接部远离所述第一基板的表面高于所述第二牺牲部远离所述第一基板的表面或与所述第二牺牲部远离所述第一基板的表面相平齐；
提供一第二基板，并将所述第二基板与所述图案化支撑层远离所述第一基板的一侧相结合，以形成第一中间结构；
去除所述第一中间结构中的图案化牺牲层及第一基板，以形成第二中间结构，所述第二中间结构中的LED芯片与第二基板之间具有间隔；
提供驱动背板，将所述第二中间结构的电极与所述驱动背板的绑定区对位贴合的同时，通过向所述第二基板施加朝向所述驱动背板的外部力，以使所述连接臂断裂，所述LED芯片与所述第二基板分离，并转移到所述驱动背板上。
2.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述第三连接部的水平宽度与所述第二连接部的竖直厚度之间的比值大于或等于2.5；和/或
所述第三连接部的水平宽度大于或等于5μm；和/或
所述第二连接部的竖直厚度的取值范围为0.5μm至2um；和/或
所述第二牺牲部的竖直厚度为1μm至5μm；和/或
所述第二开口区的水平宽度为0.5μm至4μm。
3.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述图案化支撑层还包括支撑部，所述支撑部覆盖所述第一牺牲部远离所述第一基板的表面并与所述连接臂相接触，所述支撑部远离所述第一基板的表面与所述连接臂相接触的表面相平齐；和/或
所述图案化支撑层的材料包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种；和/或
所述开口环绕所述第二牺牲部。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的转移方法，其特征在于，所述图案化牺牲层的材料包括光刻胶，
所述第一基板包括暂态基板和形成在所述暂态基板上的第一胶层，所述LED芯片的电极通过所述第一胶层结合在所述暂态基板上，所述第一胶层与所述图案化牺牲层的材料特性相同，所述第二基板包括转移基板和形成在所述转移基板上的第二胶层，所述图案化支撑层远离所述第一基板的一侧通过所述第二胶层与所述第二基板相结合，所述第二胶层与所述第一胶层的材料特性不同；其中，
去除所述第一中间结构中的图案化牺牲层及第一基板，包括：
通过光刻胶剥离液同时去除所述图案化牺牲层和所述第一胶层。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的转移方法，其特征在于，
将所述第二中间结构的电极与所述驱动背板的绑定区对位贴合，包括：通过锡或铟金属熔融以将所述第二中间结构的电极固定于所述驱动背板的绑定区。
6.一种显示面板，所述显示面板包括驱动背板和设置在所述驱动背板上的多个LED芯片；其中，各所述LED芯片通过如权利要求1至5中任一项所述的转移方法转移至所述驱动背板上。
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