CN116632022A - 芯片组件及其制作方法、芯片转移方法 - Google Patents

芯片组件及其制作方法、芯片转移方法 Download PDF

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CN116632022A
CN116632022A CN202210125962.4A CN202210125962A CN116632022A CN 116632022 A CN116632022 A CN 116632022A CN 202210125962 A CN202210125962 A CN 202210125962A CN 116632022 A CN116632022 A CN 116632022A
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micro led
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戴广超
马非凡
曹进
赵世雄
王子川
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Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd
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Abstract

本申请涉及一种芯片组件及其制作方法、芯片转移方法，制作的芯片组件中的各微型LED芯片通过至少位于相对的第一侧面和第二侧面并搭接于其底面边缘的支撑臂和支撑体被悬空支撑于第二基板上，进行芯片转移时只需自微型LED芯片的底面施加向第二基板的力即可使得支撑臂断裂，从而使得微型LED芯片脱离第二基板，有效降低了微型LED芯片的转移难度，非常适合工业上大规模应用。

Description

芯片组件及其制作方法、芯片转移方法
技术领域
本申请涉及芯片转移领域，尤其涉及一种芯片组件及其制作方法、芯片转移方法。
背景技术
Micro LED(又称μLed)是指尺寸小于100μm的芯片。与普通LED一样，也是自发光，用RGB三种发光颜色的LED芯片组成一个个像素即可用于显示。Micro LED具有高分辨率、低功耗、高亮度、高对比、高色彩饱和度、反应速度快、厚度薄、寿命长等特性，每一个MicroLED寻址并且可以单独驱动点亮，相较OLED更加省电，反应速度更快，亮度和饱和度相比之下也更高。
现阶段开发Micro LED还有许多技术瓶颈有待突破，由于Micro LED芯片尺寸较小，以15μm*30um的Micro LED为例，单片4寸的显示面板上的Micro LED数量大约为三百万颗。巨量转移是限制其发展的重要技术关卡，Micro LED的巨量转移技术按照原理的不一样分为多个技术流派，其中使用最多，最具量产可能性的就是凡德瓦力。凡德瓦力使用弹性印模来巨量转移Micro LED。弹性印模是利用聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)材料制作具有粘附能力的转移头。要实现这个转移过程，对于原生基板的处理相当关键。要让制备好的Micro LED芯片能顺利地转移头吸附并脱离原生基板，就需要Micro LED芯片只通过锚点和断裂链固定在原生基板上。转移头会与Micro LED芯片通过范德华力结合，然后将转移头和原生基板分离时需要断裂链发生断裂以便Micro LED芯片被转移到转移头上。这种“锚点和断裂链”的结构就是芯片的弱化结构。弱化结构的好坏决定了后续巨量转移的品质。
因此，如何提供一种方便芯片转移的弱化结构是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种芯片组件及其制作方法、芯片转移方法，旨在解决如何提供一种方便芯片转移的弱化结构的问题。
本申请提供一种芯片组件的制作方法，包括：
在第一基板上制作若干微型LED芯片，所述微型LED芯片具有顶面、远离所述顶面的底面以及位于所述顶面和所述底面之间的第一侧面和第二侧面；所述第一侧面和所述第二侧面为所述微型LED芯片相对的两个侧面，所述底面靠近所述第一基板，所述顶面上形成有所述微型LED芯片的电极；
在所述第一基板上形成牺牲层，所述牺牲层至少将各所述微型LED芯片的所述电极远离所述顶面的一端、所述第一侧面和所述第二侧面覆盖；
将所述牺牲层和各所述微型LED芯片转移至第二基板上，并去除所述第一基板；所述第二基板分别靠近各所述微型LED芯片的所述第一侧面和所述第二侧面的区域具有外露于所述牺牲层的外露区；
在所述第二基板的各所述外露区上分别形成向各所述微型LED芯片的底面延伸的支撑体，以及自所述支撑体靠近所述底面的一端形成向所述底面延伸并搭接在所述底面的边缘区域上的支撑臂，所述支撑臂为脆性材料；
去除所述牺牲层，各所述微型LED芯片通过所述支撑臂和所述支撑体被悬空支撑于所述第二基板上。
上述芯片组件的制作方法，通过在第一基板上形成至少将各微型LED芯片的电极远离微型LED芯片的顶面的一端、微型LED芯片的第一侧面和第二侧面覆盖的牺牲层，然后转移至第二基板上，且第二基板分别靠近各微型LED芯片的第一侧面和第二侧面的区域具有外露区，并在各外露区形成向各微型LED芯片的底面延伸的支撑体，以及自支撑体靠近微型LED芯片底面的一端形成向各微型LED芯片底面延伸并搭接在该底面的边缘区域上的支撑臂，然后去除牺牲层使得各微型LED芯片被支撑体和支撑臂悬空支撑于第二基板上，这样该支撑体和支撑臂就形成为弱化结构，制作过程简单、高效；且在后续芯片转移时，由于支撑臂为脆性材质，只需要在微型LED芯片底面施加朝向第二基板的外力，就可轻易使得支撑臂断裂，从而使得微型LED芯片脱离第二基板，有效降低了微型LED芯片的转移难度，非常适合工业上大规模应用。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种芯片转移方法，其中，包括：
通过如上所述的芯片组件的制作方法制作芯片组件；
通过转移头与所述微型LED芯片中待拾取的目标微型LED芯片贴合，并施加朝向所述第二基板的力，使得搭接在所述目标微型LED芯片上的所述支撑臂断裂，以完成所述目标微型LED芯片的拾取；
将所述转移头拾取的所述目标微型LED芯片转移至电路基板上。
上述芯片转移方法，可直接从具有支撑体和支撑臂的弱化结构的芯片组件中选择需要转移的目标微型LED芯片，且转移时只需要沿着目标微型LED芯片的底面施加朝向第二基板的力，即可使得目标微型LED芯片与第二基板脱离，操作简单、转移效率和良品率高，尤其适用于目标微型LED芯片的巨量转移。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种芯片组件，包括：
第二基板，设于所述第二基板上的支撑件以及被所述支撑件悬空支撑于所述第二基板之上的微型LED芯片；所述微型LED芯片具有顶面、远离所述顶面的底面以及位于所述顶面和所述底面之间的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面为所述微型LED芯片相对的两个侧面，所述底面远离所述第二基板，所述顶面上形成有所述微型LED芯片的电极，所述电极与所述第二基板之间具有间隙；
所述支撑件包括设于所述第二基板上并分别靠近所述第一侧面和所述第二侧面的支撑体，以及自所述支撑体靠近所述底面的一端向所述底面延伸并搭接在所述底面的边缘区域上的支撑臂，所述支撑臂由脆性材料支撑。
上述芯片组件中的各微型LED芯片通过支撑臂和支撑体这一弱化结构被悬空的支撑于第二基板上，在进行芯片转移时，可直接从该芯片组件中选择需要转移的目标微型LED芯片并沿着目标微型LED芯片的底面施加朝向第二基板的力，即可使得目标微型LED芯片与第二基板脱离，操作简单、良品率和转移效率高。
附图说明
图1为本申请实施例提供的芯片组件的制作方法流程示意图；
图2-1为本申请实施例提供的第一基板上的微型LED芯片分布示意图；
图2-2为本申请实施例提供的芯片组件的制作过程示意图一；
图2-3为本申请实施例提供的第一基板上的牺牲层分布示意图一；
图2-4为本申请实施例提供的第一基板上的牺牲层分布示意图二；
图2-5为本申请实施例提供的第二基板上的牺牲层分布示意图一；
图2-6为本申请实施例提供的第二基板上的牺牲层分布示意图二；
图2-7为本申请实施例提供的第二基板上的牺牲层分布示意图三；
图2-8为本申请实施例提供的第二基板上的支撑臂分布示意图一；
图2-9为本申请实施例提供的第二基板上的支撑臂分布示意图二；
图2-10为本申请实施例提供的第二基板上的支撑臂分布示意图三；
图2-11为本申请实施例提供的第二基板上的牺牲层去除后的示意图一；
图2-12为本申请实施例提供的第二基板上的牺牲层去除后的示意图二；
图2-13为本申请实施例提供的第二基板上的牺牲层去除后的示意图三；
图3-1为本申请实施例提供的芯片组件的制作过程示意图二；
图3-2为本申请实施例提供的第一基板上的牺牲层分布示意图三；
图3-3为本申请实施例提供的第一基板上的牺牲层分布示意图四；
图3-4为本申请实施例提供的第一基板上的牺牲层分布示意图五；
图4为本申请实施例提供的芯片组件的制作过程示意图三；
图5为本申请实施例提供的芯片组件的制作过程示意图四；
图6-1为本申请另一实施例提供的芯片组件的结构示意图一；
图6-2为本申请另一实施例提供的芯片组件的结构示意图二；
图6-3为本申请另一实施例提供的芯片组件的结构示意图三；
图7-1为本申请又一实施例提供的芯片转移方法流程示意图；
图7-2为本申请又一实施例提供的芯片转移过程示意图一；
图8-1为本申请又一实施例提供的微型LED芯片制作过程示意图；
图8-2为本申请又一实施例提供的芯片组件制作过程示意图；
图8-3为本申请又一实施例提供的芯片转移过程示意图二；
附图标记说明：
1-第一基板，2-微型LED芯片，20-电极，21-第一半导体层，22-有源层，23-第二半导体层，24-ITO层，25-DBR层，3-牺牲层，31-保护胶层，4-第二基板，51-支撑体，52-支撑臂，6-转移头，61-转移头凸起，7-电路基板，71-焊盘区。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
相关技术中，在进行Micro LED芯片的转移时，需要制作特定的弱化结构。基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
本实施例提供了一种芯片组件的制作方法，包括：
S101：在第一基板上制作若干微型LED芯片。
应当理解的是，本实施例中在第一基板上制作微型LED芯片的制作过程不做限制。可采用各种微型LED芯片的制作方式。本实施例中的微型LED芯片为但不限于Mini LED芯片，也可为Micro LED芯片，当然本实施例中的微型LED芯片也可根据需求替换为尺寸更大的LED芯片。
本实施例中制作的微型LED芯片至少包括第一半导体层、第二半导体层，以及设于第一半导体层和第二半导体层之间的有源层。本实施例中对于第一半导体层、第二半导体层和有源层的具体材质不做限制。例如一些应用场景中，第一半导体层可以是N型GaN，也可以是P型GaN，或者其他GaAs材质或GaP材质等。对应的，第二半导体层可以是P型GaN，也可以是N型GaN，或者其他GaAs材质或GaP材质等。在一些应用场景中，为了提高导电性能，提高发光效率，本实施例中的微型LED芯片还可包括扩散层，该扩散层可采用但不限于透明或半透明导电材料，例如但不限于氧化铟锡ITO层。
本实施例中制得的微型LED芯片具有顶面、远离顶面的底面以及位于顶面和底面之间的第一侧面和第二侧面；其中微型LED芯片的底面靠近于第一基板，顶面则远离第一基板；顶面上设有微型LED芯片的电极。本实施例中的微型LED芯片可为倒装LED芯片，此时微型LED芯片的顶面上设置的电极包括N电极和P电极，微型LED芯片的底面为其主出光面。本实施例中的微型LED芯片也可为正装LED芯片，此时微型LED芯片的顶面上设置的电极也包括N电极和P电极，微型LED芯片的顶面为其主出光面。本实施例中的微型LED芯片还可为垂直LED芯片，此时微型LED芯片的顶面上设置的电极包括N电极和P电极中的其中一个，微型LED芯片的底面则设有N电极和P电极中的另一个电极。本实施例中微型LED芯片的第一侧面和第二侧面为其相对的两个侧面，底面靠近第一基板。
本实施例中的第一基板可为但不限于生长基板，且对生长基板的具体材质不作限制，例如生长基板可以为但不限于AlO，SiC，GaAs，Si，AlGaInP等材料。例如一些应用场景中，生长基板可选为外延质量好的蓝宝石衬底或玻璃衬底、石英衬底等。生长基板为用于制备微型LED芯片的原始生成基板。其中，原始生成基板是微型LED芯片被制造或生长在其上的基板，而不是微型LED芯片己被转移到其上的另一个临时基板或临时基底。即，微型LED芯片直接在所生长基板上制备得到。但应当理解的是，本实施例中的第一基板也可根据需求替换为临时基板或临时基底。也即本实施例中在在第一基板上制作若干微型LED芯片的一种方式可以为：现在生长基板上制作得到若干微型LED芯片，然后将这些微型LED芯片转移至第一基板上。
S102：在第一基板上形成牺牲层，形成的牺牲层至少将各微型LED芯片的电极远离顶面的一端、各微型LED芯片的第一侧面和第二侧面覆盖。
应当理解的是，本实施例中牺牲层可以采用各种能后续能被去除，且不会对微型LED芯片造成损伤或不影响微型LED芯片正常工作的材质。本实施例中牺牲层的厚度和形状可灵活设置，对其不做限制。本实施例中牺牲层还可将各微型LED芯片的顶面以及第一侧面和第二侧面之外的其他至少一个覆盖。且本实施例中的牺牲层可为一种材质制得的单层或多层结构，也可为由不同材质制得的多层结构。
S103：将牺牲层和各微型LED芯片转移至第二基板上，并去除第一基板。
一种示例中，将牺牲层和各微型LED芯片转移至第二基板上的方式可以为：将第二基板的正面与第一基板上的牺牲层对位贴合，使得牺牲层与第二基板的正面结合(可以采用但不限于粘接、键合等方式实现结合)。然后再将第一基板去除。本实施例中对于第一基板的去除方式可以采用各种基板去除方式，例如可采用但不限于激光剥离，本实施例对其不做限制。
本实施例中，将牺牲层和各微型LED芯片转移至第二基板上后，第二基板分别靠近各微型LED芯片的第一侧面和第二侧面的区域具有外露于牺牲层的外露区。本实施例中该外露区的形成方式可以灵活设置。例如可以在第一基板上形成牺牲层时，在第一基板上对应于第二基板上的外露区的位置可不形成牺牲层；也可在第一基板上形成牺牲层时，该牺牲层将第一基板上对应于第二基板上的外露区的位置覆盖，但在将牺牲层转移至第二基板之前，将该位置的牺牲层去除，或在将牺牲层转移至第二基板上之后，再将该位置的牺牲层去除。具体采用哪种方式可灵活设置，在此不再赘述。
本实施例中对于牺牲层的形成方式也可灵活设置，例如可采用但不限于涂覆、沉积等各种方式，在此不再一一赘述。
本实施例中对于第二基板的材质也不做具体限制，例如可以采用但不限于玻璃基板、蓝宝石基板、石英基板等。
S104：在第二基板的各外露区上分别形成向各微型LED芯片的底面延伸的支撑体，以及自支撑体靠近微型LED芯片的底面的一端形成向该底面延伸并搭接在底面的边缘区域上的支撑臂，支撑臂为脆性材料。
也即本实施例中在第二基板上所形成的支撑体沿着垂直于第二基板的方向并向微型LED芯片的底面延伸(但应当理解的是，支撑体可以垂直于第二基板，也可垂直于第二基板)。本实施例中的支撑臂则为自支撑体远离第二基板(也即靠近微型LED芯片的底面)的一端横向的向微型LED芯片的底面延伸，并搭接在微型LED芯片的底面边缘区域。其中本实施例中的搭接是指支撑臂与微型LED芯片的底面直接接触并有结合，使得微型LED芯片通过该搭接能被悬空的支撑于第二基板上。本实施例中支撑臂搭接于微型LED芯片的底边的边缘区域，一方面可以满足微型LED芯片的稳定性支撑需求，一方面可以便于后续进行芯片转移时利于支撑臂受力断裂，提升芯片转移的便利性和效率。
在本实施例中，为了进一步提升对微型LED芯片支撑的稳定性以及便于后续芯片的转移，至少在微型LED芯片相对的第一侧面和第二侧面两侧形成支撑体和支撑臂，以对微型LED芯片的底面分别靠近第一侧面和第二侧面的区域进行支撑，使得微型LED芯片的支撑力更为均匀、对称。当然，当仅在微型LED芯片的第一侧面和第二侧面中的其中一侧形成支撑体和支撑臂也能对微型LED芯片进行平稳的支撑时，也可仅在其中一侧形成支撑体和支撑臂，从而进一步简化弱化结构的制作，降低成本并降低效率。当然，在本实施例中，也可在微型LED芯片的第一侧面和第二侧面这两侧形成支撑体和支撑臂外，在微型LED芯片剩余的至少一侧也形成支撑体和支撑臂，只要能满足对微型LED芯片的平稳支撑以及后续芯片的转移需求即可，本实施例对其不做限制。
S105：去除牺牲层，各微型LED芯片通过支撑臂和支撑体被悬空支撑于第二基板上。
本实施例中，去除各微型LED芯片的电极远离微型LED芯片的顶面的一端上的牺牲层后，可使得各微型LED芯片与第二基板之间具有空隙，从而使得各微型LED芯片被支撑体和支撑臂悬空的支撑于第二基板上。而将覆盖各微型LED芯片的第一侧面和第二侧面的牺牲层去除后，可使得各微型LED芯片的第一侧面和第二侧面与支撑体之间具有空隙，这样在后续进行芯片转移时，仅需使得支撑臂受力断裂即可，便于后续芯片的拾取，提升芯片拾取的效率和良品率。
本实施例中，去除牺牲层的方式可根据牺牲层的具体材质采用湿法或干法或其他方式去除。在此不再一一赘述。
应当理解的是，图1所示的芯片组件的制作方法中，在第一基板上制作的芯片为微型LED芯片，本实施例中的芯片组件并不限于微型LED芯片，并且某些实施例也可适用于其他微型半导体器件(也即可采用其他微型半导体器件替换微型LED芯片)，例如可包括但不限于二极管、晶体管、激光器等。
为了便于理解，本实施例下面以几种示例的芯片组件的制作方法为示例进行说明。
示例一：在本示例中，形成至少将各微型LED芯片的电极远离顶面的一端、第一侧面和第二侧面覆盖的牺牲层可包括：形成将各微型LED芯片的顶面、电极远离顶面的一端、第一侧面和第二侧面，以及相邻微型LED芯片之间的第一基板覆盖的牺牲层；将牺牲层和各微型LED芯片转移至第二基板上之后，还包括：将第二基板上位于相邻微型LED芯片之间的牺牲层中的至少一部分去除，以供第二基板分别靠近各微型LED芯片的第一侧面和第二侧面的区域具有外露于牺牲层以形成外露区。一种示例的制作过程参见图2-2所示，其包括但不限于：
S201：在第一基板1上制作若干微型LED芯片2。其中微型LED芯片2具有顶面T和底面D，顶面D上形成有电极20。参见图2-1所示，微型LED芯片2具有相对的第一侧面S1和第二侧面S2。还具有相对的第三侧面S3和第四侧面S4。在本示例中，第一基板1上制得的若干微型LED芯片2呈阵列分布，相邻微型LED芯片2之间具有间隙。应当理解的是，若干微型LED芯片2在第一基板1上的分布方式并不限于阵列分布，也可为相邻行或列之间交错分布或随机分布等，在此不再一一赘述。
S202：在第一基板1上形成牺牲层3，形成的牺牲层3至少将各微型LED芯片2的电极20远离顶面的一端、各微型LED芯片1的第一侧面和第二侧面覆盖。
在本示例的一些应用场景中，参见图2-3所示，形成的牺牲层3将各微型LED芯片2的顶面T、电极20远离顶面的一端、各微型LED芯片1的第一侧面S1和第二侧面S2，以及第一基板1位于相邻微型LED芯片2之间的区域(图2-3为相邻列微型LED芯片1之间的区域)都覆盖，但牺牲层可不覆盖各微型LED芯片2的第三侧面S3和第四侧面S4。
在本示例的又一些应用场景中，参见图2-4所示，其相对于图2-3主要区别在于牺牲层3还将各微型LED芯片1的第三侧面S3和第四侧面S4也覆盖，且将第一基板1位于相邻微型LED芯片2之间的区域所有都覆盖。
图2-3和图2-4所示的示例中，第一基板1靠近于微型LED芯片2的第一侧面S1和第二侧面S2的区域被牺牲层3覆盖；后续需要将区域中的至少一部分的牺牲层3去除以供后续形成第二基板的外露区。在本示例中，可在后续转移至第二基板上之后再进行去除。当然，在一些示例中，在第一基板上形成牺牲层3时，也可设置牺牲层3不覆盖这部分区域，从而省略后续转移至第二基板上后去除该部分区域的牺牲层的步骤，提升制作效率。
S203：将牺牲层3和各微型LED芯片2转移至第二基板4上。
例如，可在第二基板4的正面上设置与牺牲层3结合的结合层(结合层的材质可根据牺牲层3的材质以及与牺牲层3的具体结合方式(例如粘接或键合等)灵活设置，例如可设置但不限于胶层、金属层等)，然后将第二基板4设有结合层的一面与第一基板1上设有牺牲层3的一面对位贴合，使得牺牲层3与第二基板4上的结合层结合。
S204：去除第一基板1。
将第一基板1去除的方式可采用但不限于激光剥离等方式，在此不再一一赘述。
S205：将第二基板4上位于相邻微型LED芯片2之间的牺牲层3中的至少一部分去除，以供第二基板4分别靠近各微型LED芯片2的第一侧面和第二侧面的区域具有外露于牺牲层3以形成外露区。
例如一种应用场景参见图2-5所示，其对应于图2-3所示的牺牲层3。将第二基板4上位于相邻微型LED芯片2之间的牺牲层3中的至少一部分去除形成通道A，第二基板4对通过通道A外露于牺牲层3形成外露区。在另一应用场景中，参见图2-6所示，其对应于图2-4所示的牺牲层3，将第二基板4上位于相邻微型LED芯片2之间的牺牲层3中的至少一部分去除形成通道A。在又一应用场景中，参见图2-7所示，其相对于图2-6的主要区别还在于将相邻行微型LED芯片2之间的一部分牺牲层3去除，以使得第二基板4分别靠近各微型LED芯片2的第三侧面和第四侧面的区域具有外露于牺牲层3以形成外露区。
应当理解的是，如果在第一基板1上形成牺牲层3时，牺牲层3本来就未覆盖通道A对应的区域时，则步骤S205可省略。
S206：在第二基板4的各外露区上分别形成向各微型LED芯片2的底面延伸的支撑体51，以及自支撑体51靠近微型LED芯片2的底面的一端形成向该底面延伸并搭接在该底面的边缘区域上的支撑臂52，其中支撑臂为脆性材料。
应当理解的是，在一些应用场景中，支撑体51和支撑臂52可为相同材质，且二者可为一体成型结构。在另一些应用场景中，支撑体51和支撑臂52也可为不同材质。但本实施例中的支撑臂52需设置为脆性材质，例如支撑臂52可为金属材质，也可为无机硅(例如可包括但不限于二氧化硅、氧化硅、氮化硅等)材质。
本示例的支撑臂52为自支撑体51远离第二基板4)的一端横向的向微型LED芯片2的底面延伸，并搭接在微型LED芯片2的底面边缘区域。在本实示例中，为了进一步提升对微型LED芯片支撑的稳定性以及便于后续芯片的转移，参见图2-8和图2-9所示，可仅在微型LED芯片2相对的第一侧面和第二侧面两侧形成支撑体和支撑臂52，以对微型LED芯片2的底面分别靠近第一侧面和第二侧面的区域进行支撑，使得微型LED芯片2的支撑力更为均匀、对称。其中图2-8与图2-9的主要区别在于，图2-8中支撑臂52的宽度W(参见图2-11)与微型LED芯片2的宽度基板相同。图2-9中支撑臂52的宽度W(参见图2-12)小于微型LED芯片2的宽度。由此可知，本实施例中支撑臂52的宽度可灵活设置，只要能满足微型LED芯片2的支撑强度需求即可。图2-9所示的支撑臂52相对于图2-8中的支撑臂52，可以采用更少的材料，降低成本。
在本示例的另一应用场景中，参见图2-10(其对应于图2-7所示的牺牲层3)所示，还可在微型LED芯片2的各侧面都设置相应的支撑体51和支撑臂52，其可进一步提升对微型LED芯片2支撑的稳定性。
S207：去除牺牲层3，各微型LED芯片2通过支撑臂52和支撑体51被悬空支撑于第二基板4上。例如参见图2-2所示，牺牲层3被去除后，微型LED芯片2的电极和顶面与第二基板4之间都具有空隙以形成悬空。且微型LED芯片2的侧面(例如第一侧面和第二侧面)与对应的支撑体51之间都具有间隙，从而使得后续在芯片转移过程中，只需使得支撑臂52断裂即可将微型LED芯片2与第二基板4分离。
一种应用示例参见图2-11所示，其为图2-8中的牺牲层3被去除后的示意图。另一种应用示例参见图2-12，其为图2-9中的牺牲层3被去除后的示意图。又一种应用示例参见图2-13，其为图2-10中的牺牲层3被去除后的示意图。
示例二：在本示例中，形成至少将各微型LED芯片的电极远离顶面的一端、第一侧面和第二侧面覆盖的牺牲层可包括：形成将各微型LED芯片的顶面、电极远离顶面的一端、第一侧面和第二侧面，以及相邻微型LED芯片之间的第一基板覆盖的牺牲层；将牺牲层和各微型LED芯片转移至第二基板上之前，还包括：将第一基板上位于相邻微型LED芯片之间的牺牲层中的至少一部分去除，以供第一基板分别靠近各微型LED芯片的第一侧面和第二侧面的区域的至少一部分外露于牺牲层。一种示例的制作过程参见图3-1所示，其包括但不限于：
S301：在第一基板1上制作若干微型LED芯片2。
S302：在第一基板1上形成牺牲层3，形成的牺牲层3至少将各微型LED芯片2的电极20远离顶面的一端、各微型LED芯片1的第一侧面和第二侧面覆盖。具体可参考但不限于上述S202所示，在此不再赘述。
S303：将第一基板1上位于相邻微型LED芯片2之间的牺牲层3中的至少一部分去除，以供第一基板1分别靠近各微型LED芯片2的第一侧面和第二侧面的区域的至少一部分外露于牺牲层。
例如一种应用场景参见图3-2所示，其对应于图2-3所示的牺牲层3。将第一基板1上位于相邻微型LED芯片2之间的牺牲层3中的至少一部分去除形成通道A，第一基板1对通过通道A外露于牺牲层3。在另一应用场景中，参见图3-3所示，其对应于图2-4所示的牺牲层3，将第一基板1上位于相邻微型LED芯片2之间的牺牲层3中的至少一部分去除形成通道A。在又一应用场景中，参见图3-4所示，其相对于图2-6的主要区别还在于将相邻行微型LED芯片2之间的一部分牺牲层3去除，以使得第一基板1分别靠近各微型LED芯片2的第三侧面和第四侧面的区域具有外露于牺牲层3。
应当理解的是，如果在第一基板1上形成牺牲层3时，牺牲层3本来就未覆盖通道A对应的区域时，则步骤S303可省略。
S304：将牺牲层3和各微型LED芯片2转移至第二基板4上。
S305：去除第一基板1。
S306：在第二基板4的各外露区上分别形成向各微型LED芯片2的底面延伸的支撑体51，以及自支撑体51靠近微型LED芯片2的底面的一端形成向该底面延伸并搭接在该底面的边缘区域上的支撑臂52。例如可参见但不限于上述S206所示，在此不再赘述。
S307：去除牺牲层3，各微型LED芯片2通过支撑臂52和支撑体51被悬空支撑于第二基板4上。例如可参见但不限于上述S207所示，在此不再赘述。
参见图2-2和图3-1所示，上述两示例中，位于第二基板4边缘的支撑体51和支撑臂52组成L型，支撑臂52自支撑体51延伸出的一端搭接在微型LED芯片2的底面上。第二基板4上位于相邻微型LED芯片2之间的支撑体51和支撑臂52组成倒T型，支撑臂52自支撑体51延伸出的两端分别搭接在相邻微型LED芯片2的底面上。当然，应当理解的是，本实施例中第二基板4上位于相邻微型LED芯片2之间的支撑体51和支撑臂52组成的形状也可为L型。也即本实施例中支撑体51和支撑臂52组成的形状可灵活设置，只要能达到上述示例中对微型LED芯片2的支撑以及便于后续微型LED芯片2的拾取即可。例如又一种芯片组件的制作过程参见图4所示，其包括：
S401：在第一基板1上制作若干微型LED芯片2。
S402：在第一基板1上形成牺牲层3，形成的牺牲层3至少将各微型LED芯片2的电极20远离顶面的一端、各微型LED芯片1的第一侧面和第二侧面覆盖。本示例中S402与上述S202和S302的主要区别在于，牺牲层3将相邻微型LED芯片2之间的区域全部填充，在此不再赘述。
S403：将第一基板1上位于相邻微型LED芯片2之间的牺牲层3中的至少一部分去除，以供第一基板1分别靠近各微型LED芯片2的第一侧面和第二侧面的区域的至少一部分外露于牺牲层。本示例中S403与上述S303的主要区别在于分别靠近相邻微型LED芯片2的第一侧面和第二侧面的区域各形成有一个通道A。且应当理解的是，在另一些应用场景中，通道A也可在转移至第二基板4之上后再形成。
S404：将牺牲层3和各微型LED芯片2转移至第二基板4上。
S405：去除第一基板1。
S406：在第二基板4的各外露区上分别形成向各微型LED芯片2的底面延伸的支撑体51，以及自支撑体51靠近微型LED芯片2的底面的一端形成向该底面延伸并搭接在该底面的边缘区域上的支撑臂52。本示例与上述S206和S306的主要区别在于，第二基板4上位于相邻微型LED芯片2之间的支撑体51和支撑臂52组成的形状也可为L型。
S407：去除牺牲层3，各微型LED芯片2通过支撑臂52和支撑体51被悬空支撑于第二基板4上。
在本实施例的一些示例中，牺牲层可包括能被第一去除溶液去除的保护胶层；上述各示例中，形成至少将各微型LED芯片的电极远离顶面的一端、第一侧面和第二侧面覆盖的牺牲层包括：形成至少将各微型LED芯片的电极远离顶面的一端、第一侧面和第二侧面覆盖的保护胶层。在一些应用场景中，牺牲层可以仅包括保护胶层。
在本实施例的又一些示例中，牺牲层还可包括能被第二去除溶液去除的无机硅层，保护胶层不被第二去除溶液腐蚀；形成至少将各微型LED芯片的电极远离顶面的一端、第一侧面和第二侧面覆盖的保护胶层之后，还包括：形成将保护胶层覆盖的无机硅层。其中本示例中的无机硅层包括氧化硅层(例如可包括但不限于二氧化硅、氮氧化硅)和氮化硅层中的至少一种。采用无机硅层覆盖在保护胶层之上，更便于后续牺牲层的去除且能更好的避免牺牲层去除后残留在第二基板或微型LED芯片上。
在本实施例的一些示例中，支撑体和支撑臂可都为金属材质；在第二基板的各外露区上分别形成向各微型LED芯片的底面延伸的支撑体，以及自支撑体靠近底面的一端形成向底面延伸并搭接在底面的边缘区域上的支撑臂包括：至少在第二基板的各外露区上分别沉积(例如可通过但不限于蒸镀方式)向各微型LED芯片的底面延伸的第一金属层作为支撑体，并自第一金属层靠近底面的一端沉积向底面延伸并搭接在底面的边缘区域上的第二金属层作为支撑臂。在一些具体应用场景中，可仅在第二基板的各外露区上分别沉积向各微型LED芯片的底面延伸的第一金属层作为支撑体，并自第一金属层靠近底面的一端沉积向底面延伸并搭接在底面的边缘区域上的第二金属层作为支撑臂。或可设置第二基板靠近各微型LED芯片的各侧面的区域均具有外露于牺牲层的外露区，并在第二基板的各外露区(也即在各微型LED芯片的各侧面侧)上分别沉积向各微型LED芯片的底面延伸的第一金属层作为支撑体，并自第一金属层靠近底面的一端沉积向底面延伸并搭接在底面的边缘区域上的第二金属层作为支撑臂。为了便于理解，本实施例下面以牺牲层包括保护胶层和无机硅层，支撑体和支撑臂都为金属材质为示例，对芯片组件的一种制作过程进行示例说明，参见图5所示，其包括但不限于：
S501：在第一基板1上制作若干微型LED芯片2，并在第一基板1上形成保护胶层31，保护胶层31至少将各微型LED芯片2的电极20远离顶面的一端、各微型LED芯片1的第一侧面和第二侧面覆盖。
S502：在保护胶层31上形成无机硅层32。
S503：将无机硅层32、保护胶层31和各微型LED芯片2转移至第二基板4上。
S504：去除第一基板1。
S505：将第二基板4上位于相邻微型LED芯片2之间的无机硅层32、保护胶层31中的至少一部分去除，以供第二基板4分别靠近各微型LED芯片2的第一侧面和第二侧面的区域具有外露于无机硅层32、保护胶层31以形成外露区。
S506：在第二基板4的各外露区上分别沉积向各微型LED芯片2的底面延伸的第一金属层以形成支撑体51，以及自支撑体51靠近微型LED芯片2的底面的一端沉积向该底面延伸并搭接在该底面的边缘区域上的第二金属层以形成支撑臂52。
S507：采用第二去除溶液去除无机硅层32。
例如一种应用场景中，当无机硅层32为氧化硅层时，第二去除溶液可采用但不限于氢氟酸，通过氢氟酸腐蚀掉氧化硅。
S508：采用第一去除溶液去除保护胶层31后，各微型LED芯片2通过支撑臂52和支撑体51被悬空支撑于第二基板4上。
例如一种应用场景中，第一去除溶液可采用但不限于各种去胶液，通过去胶液洗去胶材保护层31。这样制得的支撑体51和支撑臂52就形成为弱化结构，制作过程简单、高效；且在后续芯片转移时，由于支撑臂52为脆性材质，只需要在微型LED芯片2底面施加朝向第二基板4的外力，就可轻易使得支撑臂断裂，从而使得微型LED芯片2脱离第二基板4，有效降低了微型LED芯片的转移难度，非常适合工业上大规模应用。
另一可选实施例：
本实施例提供了一种芯片组件，其包括：第二基板，设于第二基板上的支撑件以及被支撑件悬空支撑于第二基板之上的微型LED芯片；微型LED芯片具有顶面、远离顶面的底面以及位于顶面和底面之间的第一侧面和第二侧面，第一侧面和第二侧面为微型LED芯片相对的两个侧面，微型LED芯片的底面远离第二基板，顶面上形成有微型LED芯片的电极，微型LED芯片的电极与第二基板之间具有间隙，也即微型LED芯片悬空于第二基板之上。本实施例中的支撑件包括设于第二基板上并分别靠近微型LED芯片的第一侧面和第二侧面的支撑体，以及自支撑体靠近微型LED芯片的底面的一端向底面延伸并搭接在该底面的边缘区域上的支撑臂，支撑臂由脆性材料支撑。支撑体和支撑臂形成为支撑固定微型LED芯片的弱化结构，在后续芯片转移时，由于支撑臂为脆性材质，只需要在微型LED芯片底面施加朝向第二基板的外力，就可轻易使得支撑臂断裂，从而使得微型LED芯片脱离第二基板，有效降低了微型LED芯片的转移难度，非常适合工业上大规模应用。为了便于理解，本实施例下面以几种芯片组件的结构示例进行说明。
一种示例参见图6-1所示的芯片组件，其包括：第二基板4，设于第二基板上的支撑件以及被支撑件悬空支撑于第二基板4之上的微型LED芯片2；微型LED芯片2的顶面上形成有电极20，微型LED芯片2的电极20与第二基板4之间具有间隙，也即微型LED芯片2悬空于第二基板4之上。支撑件则包括设于第二基板4上并分别靠近微型LED芯片2的第一侧面和第二侧面的支撑体51，以及自支撑体51靠近微型LED芯片2的底面的一端向底面延伸并搭接在该底面的边缘区域上的支撑臂52，支撑臂52由脆性材料支撑。在本示例中，微型LED芯片2的第一侧面与其靠近的支撑体51之间具有第一空隙C1，微型LED芯片2的第二侧面与其靠近的支撑体51之间具有第二空隙C2。通过第一空隙C1和第二空隙C2的设置，使得各微型LED芯片2只有底面搭接在支撑臂52上，其他区域都处于悬空状态，从而在后续进行微型LED芯片2的转移时，只需要在微型LED芯片2的底面施加朝向第二基板4的外力，就可轻易使得支撑臂断裂，从而使得微型LED芯片2脱离第二基板4。参见图6-1所示的芯片组件，本示例中位于第二基板4边缘的支撑件的支撑体51和支撑臂52组成L型，支撑臂52自支撑体延伸出的一端搭接在微型LED芯片2的底面上。第二基板4上位于相邻微型LED芯片2之间的支撑件的支撑体51和支撑臂52组成倒T型，支撑臂52自支撑体52延伸出的两端分别搭接在相邻微型LED芯片的底面上。倒T型支撑臂52的设置，分别搭接在相邻微型LED芯片2的底面上的两个支撑臂52可共用一个支撑体51，既能简化结构和制作工艺，又能降低材料成本。当然，应当理解的是，本实施例中第二基板4上位于相邻微型LED芯片2之间的支撑件的支撑体51和支撑臂52也组成倒L型，例如参见图6-2所示。应当理解的是，在本实施例的另一些示例中，也可不设置上述第一空隙C1和第二空隙C2中的至少之一，此时微型LED芯片2的第一侧面和/或第二侧面可与其靠近的支撑柱51之间直接接触；在这种情况下，支撑柱51也可设置为脆性材料，在芯片转移时，则可直接向支撑柱51施压使其断裂，也能完成微型LED芯片2的转移。相应的，制作这种芯片组件时，在上述实施例所示的方法基础上，只需使得牺牲层不覆盖微型LED芯片的第一侧面和第二侧面即可。
应当理解的是，本实施例中的微型LED芯片2可以为正装LED芯片或倒装LED芯片(例如参见图6-1和图6-2所示，其中微型LED芯片2为倒装芯片时，其底面为主出光面，为正装芯片时，其顶面(也即设有电极的一面)为主出光面)。本实施例中的微型LED芯片2也可以为垂直LED芯片，例如参见图6-3所示，其电极20分别设置在微型LED芯片2的顶面和底面。
应当理解的是，本实施例中图6-1至图6-3所示的芯片组件通过但不限于上述实施例所示的芯片组件制作方法制得，也可采用其他能获得图6-1至图6-3所示的芯片组件的制作方法，在此不再一一赘述。
又一可选实施例：
为了便于理解，本实施例提供了一种芯片转移方法，其中，包括：
S701：获取上述实施例中所示的芯片组件。
S702：通过转移头与第二基板上的微型LED芯片中待拾取的目标微型LED芯片贴合，并施加朝向第二基板的力，使得搭接在目标微型LED芯片上的支撑臂断裂，以完成目标微型LED芯片的拾取。
应当理解的是，本实施例中的转移头可以采用能拾取微型LED芯片的转移头，例如按拾取原理划分，可采用但不限于通过粘接拾取、磁吸拾取、真空吸附拾取等各种类型的转移头。
S703：将转移头拾取的目标微型LED芯片转移至电路基板上。本实施例中的电路基板可以包括但不限于各种显示背板、照明电路板等。具体可根据应用场景灵活选用。
为了便于理解，下面以图6-1所示的芯片组件为示例，对一种芯片转移过程进行说明，参见图7-2所示，其包括但不限于：
S801：通过转移头61与第二基板4上的微型LED芯片2中待拾取的目标微型LED芯片贴合，并施加朝向第二基板4的力F，使得搭接在目标微型LED芯片上的支撑臂52断裂(参见图7-2中S所示的断裂位置处)，以完成目标微型LED芯片的拾取。
在一些应用场景中，支撑臂52断裂后，搭接在微型LED芯片2的底面上的一部分支撑臂52可能会残留在微型LED芯片2上，由于其仅搭接在微型LED芯片2的底面的边缘区域，因此对于微型LED芯片2的正常工作和出光效率基本不会产生影响。在某些具体应用场景中，在将转移头61拾取的目标微型LED芯片转移至电路基板7上之前，也可包括：去除残留在目标微型LED芯片上的支撑臂52的步骤。其中具体的去除方式可根据支撑臂52的具体材质灵活设置，在此不再一一赘述。
S802：将转移头61拾取的目标微型LED芯片转移至电路基板7上。
S803：完成目标微型LED芯片与电路基板7上对应的焊盘71键合。可以通过但不限于导电胶或焊料完成二者的键合。
S804：移除转移头61。
应当理解的是，本实施例中上述牺牲层、支撑臂和支撑体的具体厚度等尺寸可根据具体的应用场景灵活设置，为了便于理解，本实施例下面结合一种具体结构的微型LED芯片的制作过程、包含该微型LED芯片的芯片组件的制作过程以及后续的芯片转移过程为示例进行说明。
一种具体微型LED芯片的制作过程参见图8-1所示，其包括但不限于：
S901：取一片生长在第一基板1上的外延片，外延片包括如下层：第一半导体层21(例如N-GaN层)、有源层22(例如MQW)、第二半导体层23(例如P-GaN)。在所述外延片上光刻mesa图形，使用干法刻蚀上述外延片，例如刻蚀气体可为BCl3Cl2，去胶后即可得到mesa层(N-GaN层)。
S902：在mesa层上光刻ISO图形，使用干法刻蚀机台刻穿GaN至衬底层，其中刻蚀气体可采用BCl3 Cl2,刻蚀深度可为但不限于4um-8um，去胶后得到ISO图形，也即得到分离的各微型LED芯片的外延层。
S903：在各微型LED芯片的外延层上溅射一整层ITO层，整层ITO层的厚度可为200A-2000A，在整层ITO层上光刻ITO图形，湿法腐蚀ITO去胶后得到各微型LED芯片的外延层上的ITO层24。
S904：在ITO层24上形成整层DBR(Distributed Bragg Reflection，分布式布拉格反射镜)层(例如可通过但不限于蒸镀氧化硅与氮化硅的叠层形成DBR层25)，整层DBR层的厚度可为但不限于1um-4um，在整层DBR层光刻DBR图形，使用干法刻蚀机台，干法蚀刻DBR层，需注意此步需要刻穿DBR层，其中刻蚀气体可为但不限于CF4 O2Ar，去胶后得到各微型LED芯片的DBR层25。
S905：在DBR层上采用负性光刻胶光刻电极(也即PAD)图形，例如使用富林蒸镀机台蒸镀电极，电极厚度可为但不限于1um-4um，蓝膜剥离去胶后得到电极20。本示例中采用的负性光刻胶可以为以下组分:树脂:酚醛树脂(分子量小、溶解速率快)；感光组分：光致产酸剂(在宽谱、G/工线曝光产生酸)；交联剂：含多官能团的小分子化合物，比如环氧氯丙烷、戊二醛,N,N-亚甲基双丙烯酞胺等；溶剂：PGMEA，EL。应当理解的是，在一些示例中也可采用正性光刻胶替换负性光刻胶，在此不再赘述。
基于图8-1制作得到的微型LED芯片制作芯片组件的一种示例参见图8-2所示，其包括但不限于：
S906：在第一基板1上涂覆保护胶层31，保护胶层31不被氢氟酸腐蚀，其厚度可为但不限于1um至10um,且其至少将各微型LED芯片2的电极20远离顶面的一端、各微型LED芯片1的第一侧面和第二侧面覆盖。
S907：在保护胶层31上形成无机硅层32。例如在保护胶层31上沉积一层氧化硅，氧化硅覆盖整体保护层，厚度可为但不限于2000A-40000A。
S908：将无机硅层32、保护胶层31和各微型LED芯片2转移至第二基板4上；例如可在第二基板4上蒸镀一层金属层与用于与无机硅层32键合。
S909：去除第一基板1，例如通过激光剥离的方式将第一基板1剥离，具体操作过程可以采用本领域常用的激光剥离方式，比如可以利用波长266nm的激光使第一基板1和各微型LED芯片2之间的氮化嫁层热分解实现第一基板1的剥离。
S910：将第二基板4上位于相邻微型LED芯片2之间的无机硅层32、保护胶层31中的至少一部分去除，以供第二基板4分别靠近各微型LED芯片2的第一侧面和第二侧面的区域具有外露于无机硅层32、保护胶层31以形成外露区。例如可设置一层均匀的光刻胶，曝光图形，将各微型LED芯片2连接处的无机硅层32和保护胶层刻蚀开形成通道A，使得第二基板4至少分别靠近微型LED芯片2的第一侧面和第二侧面的区域具有外露于无机硅层32、保护胶层31的外露区。
S911：在第二基板4的各外露区上分别通过蒸镀形成向各微型LED芯片2的底面延伸的第一金属层以形成支撑体51，以及自支撑体51靠近微型LED芯片2的底面的一端沉积向该底面延伸并搭接在该底面的边缘区域上的第二金属层以形成支撑臂52。
S912：采用氢氟酸腐去除氧化硅层(即无机硅层32)。
S913：采用去胶液去除保护胶层31后，各微型LED芯片2通过支撑臂52和支撑体51被悬空支撑于第二基板4上。
基于图8-2制作得到的芯片组件进行芯片转移的过程参见图8-3所示，其包括但不限于：
S914-S915：通过转移头61与第二基板4上的微型LED芯片2中待拾取的目标微型LED芯片贴合，并施加朝向第二基板4的力F，使得搭接在目标微型LED芯片上的支撑臂52断裂(参见图8-3中S所示的断裂位置处)。
S916：将转移头61拾取的目标微型LED芯片与电路基板7上对应的焊盘71对位贴合，并完成目标微型LED芯片与电路基板7上对应的焊盘71键合。
S917：移除转移头61即完成芯片的转移。
可见，本实施例上述弱化结构的制作方法及芯片转移方法，可有效降低微器件的转移难度，保证良品率，更利于微型LED芯片的推广使用。
又一可选实施例：
本实施例还提供了一种显示屏，包括框架和显示面板；显示面板固定在框架上；显示面板包括显示背板，以及设置于显示背板上的若干微型LED芯片，其中该若干微型LED芯片通过上述实施例中的芯片转移方法转移至显示背板上。本实施例还提供了一种拼接显示屏，包括该拼接显示屏可通过至少两个如上所示的显示屏拼接而成。该显示屏和拼接显示屏可应用于但不限于各种智能移动终端，车载终端、PC、显示器、电子广告板等。
应当理解的是，本申请的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本申请所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种芯片组件的制作方法，其特征在于，包括：
在第一基板上制作若干微型LED芯片，所述微型LED芯片具有顶面、远离所述顶面的底面以及位于所述顶面和所述底面之间的第一侧面和第二侧面；所述第一侧面和所述第二侧面为所述微型LED芯片相对的两个侧面，所述底面靠近所述第一基板，所述顶面上形成有所述微型LED芯片的电极；
在所述第一基板上形成牺牲层，所述牺牲层至少将各所述微型LED芯片的所述电极远离所述顶面的一端、所述第一侧面和所述第二侧面覆盖；
将所述牺牲层和各所述微型LED芯片转移至第二基板上，并去除所述第一基板；所述第二基板分别靠近各所述微型LED芯片的所述第一侧面和所述第二侧面的区域具有外露于所述牺牲层的外露区；
在所述第二基板的各所述外露区上分别形成向各所述微型LED芯片的底面延伸的支撑体，以及自所述支撑体靠近所述底面的一端形成向所述底面延伸并搭接在所述底面的边缘区域上的支撑臂，所述支撑臂为脆性材料；
去除所述牺牲层，各所述微型LED芯片通过所述支撑臂和所述支撑体被悬空支撑于所述第二基板上。
2.如权利要求1所述的芯片组件的制作方法，其特征在于，所述形成至少将各所述微型LED芯片的所述电极远离所述顶面的一端、所述第一侧面和所述第二侧面覆盖的牺牲层包括：
形成将各所述微型LED芯片的所述顶面、所述电极远离所述顶面的一端、所述第一侧面和所述第二侧面，以及相邻所述微型LED芯片之间的所述第一基板覆盖的牺牲层；
所述将所述牺牲层和各所述微型LED芯片转移至第二基板上之后，还包括：
将所述第二基板上位于相邻所述微型LED芯片之间的所述牺牲层中的至少一部分去除，以供所述第二基板分别靠近各所述微型LED芯片的所述第一侧面和所述第二侧面的区域具有外露于所述牺牲层以形成所述外露区。
3.如权利要求1所述的芯片组件的制作方法，其特征在于，所述形成至少将各所述微型LED芯片的所述电极远离所述顶面的一端、所述第一侧面和所述第二侧面覆盖的牺牲层包括：
形成将各所述微型LED芯片的所述顶面、所述电极远离所述顶面的一端、所述第一侧面和所述第二侧面，以及相邻所述微型LED芯片之间的所述第一基板覆盖的牺牲层；
所述将所述牺牲层和各所述微型LED芯片转移至第二基板上之前，还包括：
将所述第一基板上位于相邻所述微型LED芯片之间的所述牺牲层中的至少一部分去除，以供所述第一基板分别靠近各所述微型LED芯片的所述第一侧面和所述第二侧面的区域的至少一部分外露于所述牺牲层。
4.如权利要求1-3任一项所述的芯片组件的制作方法，其特征在于，所述牺牲层包括能被第一去除溶液去除的保护胶层；
所述形成至少将各所述微型LED芯片的所述电极远离所述顶面的一端、所述第一侧面和所述第二侧面覆盖的牺牲层包括：
形成至少将各所述微型LED芯片的所述电极远离所述顶面的一端、所述第一侧面和所述第二侧面覆盖的保护胶层。
5.如权利要求4所述的芯片组件的制作方法，其特征在于，所述牺牲层还包括能被第二去除溶液去除的无机硅层，所述保护胶层不被所述第二去除溶液腐蚀；
所述形成至少将各所述微型LED芯片的所述电极远离所述顶面的一端、所述第一侧面和所述第二侧面覆盖的保护胶层之后，还包括：
形成将所述保护胶层覆盖的无机硅层。
6.如权利要求1-3任一项所述的芯片组件的制作方法，其特征在于，所述支撑体和所述支撑臂为金属材质；
所述在所述第二基板的各所述外露区上分别形成向各所述微型LED芯片的底面延伸的支撑体，以及自所述支撑体靠近所述底面的一端形成向所述底面延伸并搭接在所述底面的边缘区域上的支撑臂包括：
仅在所述第二基板的各所述外露区上分别沉积向各所述微型LED芯片的底面延伸的第一金属层作为支撑体，并自所述第一金属层靠近所述底面的一端沉积向所述底面延伸并搭接在所述底面的边缘区域上的第二金属层作为支撑臂；
或，所述第二基板靠近各所述微型LED芯片的各侧面的区域均具有外露于所述牺牲层的外露区；所述在所述第二基板的各所述外露区上分别形成向各所述微型LED芯片的底面延伸的支撑体，以及自所述支撑体靠近所述底面的一端形成向所述底面延伸并搭接在所述底面的边缘区域上的支撑臂包括：
在所述第二基板的各所述外露区上分别沉积向各所述微型LED芯片的底面延伸的第一金属层作为支撑体，并自所述第一金属层靠近所述底面的一端沉积向所述底面延伸并搭接在所述底面的边缘区域上的第二金属层作为支撑臂。
7.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：
通过如权利要求1-6任一项所述的芯片组件的制作方法制作芯片组件；
通过转移头与所述微型LED芯片中待拾取的目标微型LED芯片贴合，并施加朝向所述第二基板的力，使得搭接在所述目标微型LED芯片上的所述支撑臂断裂，以完成所述目标微型LED芯片的拾取；
将所述转移头拾取的所述目标微型LED芯片转移至电路基板上。
8.一种芯片组件，其特征在于，包括：
第二基板，设于所述第二基板上的支撑件以及被所述支撑件悬空支撑于所述第二基板之上的微型LED芯片；所述微型LED芯片具有顶面、远离所述顶面的底面以及位于所述顶面和所述底面之间的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面为所述微型LED芯片相对的两个侧面，所述底面远离所述第二基板，所述顶面上形成有所述微型LED芯片的电极，所述电极与所述第二基板之间具有间隙；
所述支撑件包括设于所述第二基板上并分别靠近所述第一侧面和所述第二侧面的支撑体，以及自所述支撑体靠近所述底面的一端向所述底面延伸并搭接在所述底面的边缘区域上的支撑臂，所述支撑臂由脆性材料支撑。
9.如权利要求8所述的芯片组件，其特征在于，所述第一侧面与其靠近的所述支撑体之间具有第一空隙；和/或，所述第二侧面与其靠近的所述支撑体之间具有第二空隙。
10.如权利要求8或9所述的芯片组件，其特征在于，位于所述第二基板边缘的所述支撑件的所述支撑体和所述支撑臂组成L型，所述支撑臂自所述支撑体延伸出的一端搭接在所述底面上；和/或，所述第二基板上位于相邻所述微型LED芯片之间的所述支撑件的所述支撑体和所述支撑臂组成倒T型，所述支撑臂自所述支撑体延伸出的两端分别搭接在相邻所述微型LED芯片的所述底面上。
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