CN112967967B - 一种发光芯片的转移方法及显示装置 - Google Patents

一种发光芯片的转移方法及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112967967B
CN112967967B CN202010419240.0A CN202010419240A CN112967967B CN 112967967 B CN112967967 B CN 112967967B CN 202010419240 A CN202010419240 A CN 202010419240A CN 112967967 B CN112967967 B CN 112967967B
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresist layer
substrate
layer
chip
temporary substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010419240.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112967967A (zh
Inventor
蒲洋
洪温振
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd
Original Assignee
Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd filed Critical Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd
Priority to CN202010419240.0A priority Critical patent/CN112967967B/zh
Publication of CN112967967A publication Critical patent/CN112967967A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112967967B publication Critical patent/CN112967967B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68368—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Abstract

本发明提供了一种发光芯片的转移方法及显示装置，首先通过第一粘附层，将所述衬底基板上的芯片晶圆转移至第一临时基板，然后在所述芯片晶圆的表面上涂覆一层光刻胶，形成表面上设置有光刻胶层的芯片晶圆，再依次通过第二粘附层和光刻胶层将所述第一临时基板上的所述发光芯片经第二临时基板转移到目标基板上，最后去除所述发光芯片表面上的光刻胶层，实现发光芯片的转移。本实施例中通过在对芯片晶圆进行切割之前在芯片晶圆的表面上制作光刻胶层，利用所述光刻胶层防止发光芯片转移时第一临时基板和第二临时基板上的粘附层溢出的胶造成转移失败，从而提高了发光芯片转移的成功率。

Description

一种发光芯片的转移方法及显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种发光芯片的转移方法及显示装置。
背景技术
目前，显示装置面临的一个关键技术就是要通过巨量转移将发光芯片转移到驱动目标基板上，现有技术中常使用胶材粘附转移的方式，将发光芯片从衬底基板上转移到第一临时基板，然后从第一临时基板转移至第二临时基板，再转移至目标基板，其中从第一临时基板转移至第二临时基板过程中，存在以下问题：由于发光芯片很薄，第二临时基板上涂布的胶材往往较厚，导致第二临时基板上的胶材和第一临时基板的胶材在发光芯片之间的缝隙发生接触，两胶材直接发生粘附，导致转移失败等问题。
因此，现有技术有待于进一步的改进。
发明内容
鉴于上述现有技术中的不足之处，本发明的目的在于提供一种发光芯片的转移方法及显示装置，克服现有发光芯片转移过程中，容易发生转移基板间胶材粘附，造成发光芯片转移成功率低的问题。
本发明所公开一种发光芯片的转移方法，其中，包括步骤：
通过第一粘附层将衬底基板上的芯片晶圆转移至第一临时基板；所述第一粘附层设置在所述第一临时基板的表面上，且转移至所述第一临时基板上的所述芯片晶圆的第一表面与所述第一粘附层相粘合；
剥离所述衬底基板，并在所述芯片晶圆的第二表面上设置光刻胶层；
对所述芯片晶圆进行切割，得到多个表面上设置有光刻胶层的发光芯片；
通过第二粘附层将各个所述发光芯片转移到第二临时基板；所述第二粘附层设置在所述第二临时基板的表面上，且所述光刻胶层粘附在所述第二粘附层的表面上；
将转移至所述第二临时基板上的各个所述发光芯片转移至目标基板上；
去除各个所述发光芯片表面上的光刻胶层，得到设置有多个所述发光芯片的目标基板。
可选的，在所述芯片晶圆的第二表面上设置光刻胶层的步骤包括：
在所述衬底基板剥离后的所述芯片晶圆的第二表面上涂覆光刻胶；
对所述光刻胶进行图案化处理，得到设置有光刻图案的光刻胶层。
可选的，所述通过第一粘附层将衬底基板上的所述芯片晶圆转移至第一临时基板的步骤之前，还包括：
利用芯片晶圆样品重复上述通过第一粘附层将衬底基板上的芯片晶圆转移至第一临时基板，直至通过第二粘附层将各个所述发光芯片转移到第二临时基板的步骤；
检测所述光刻胶层的厚度值、所述第一临时基板与第二临时基板之间的间隙高度值；
根据所述第一临时基板与第二临时基板之间的间隙高度值确定所述光刻胶层的厚度值的修正值；
重复上述通过第一粘附层将衬底基板上的芯片晶圆样本转移至第一临时基板，根据所述光刻胶层的厚度值的修正值在所述芯片晶圆样本的第二表面上设置光刻胶层,直至确定所述光刻胶层的厚度值的修正值的步骤，得到所述光刻胶层的设定厚度值。
可选的，所述根据所述第一临时基板与第二临时基板之间的间隙高度值确定所述光刻胶层的厚度值的修正值的步骤包括：
获得当所述第一临时基板与第二临时基板之间的间隙高度值为预设高度阈值时所述光刻胶层的厚度值，并将获得的所述光刻胶的厚度值作为所述光刻胶层的厚度值的修正值。
可选的，本发明提供的发光芯片的转移方法还包括：
去除所述目标基板之上残留的第一粘附层或第二粘附层。
可选的，所述发光芯片的转移方法还包括：
对待涂覆光刻胶层所述芯片晶圆的第二表面的表面进行清洗，去除残留的所述第一粘附层。
可选的，所述去除各个所述发光芯片表面上的光刻胶层的步骤包括：
通过乙醇胺与二甲基亚砜溶剂的混合溶液去除光刻胶层。
可选的，所述发光芯片的高度与所述光刻胶层的厚度之和大于第一粘附层与第二粘附层处于各个所述发光芯片间隙的厚度和处于所述光刻胶层的光刻图案间隙中的厚度之和。
本实施例还提供了一种显示装置，其中，所述显示装置包括固定有发光芯片的显示基板，显示基板包括目标基板以及设置在所述目标基板之上的发光芯片，所述发光芯片采用上述任一项所述的发光芯片的转移方法进行转移。
可选的，所述显示基板还包括驱动阵列以及封装层，所述驱动阵列设置在所述目标基板之上，所述发光芯片设置在所述驱动阵列之上，所述发光芯片与所述驱动阵列电连接，所述封装层覆盖所述发光芯片。
本发明提供了一种发光芯片的转移方法及显示装置，首先通过第一粘附层，将所述衬底基板上的芯片晶圆转移至第一临时基板，然后在所述芯片晶圆的表面上涂覆一层光刻胶，形成光刻胶层，再依次通过第二粘附层和光刻胶层将所述第一临时基板上的所述发光芯片经第二临时基板转移到目标基板上，最后去除所述发光芯片表面上的光刻胶层，实现发光芯片的转移。本实施例中通过在对芯片晶圆进行切割之前在芯片晶圆的表面上制作光刻胶层，利用所述光刻胶层防止发光芯片转移时第一临时基板和第二临时基板上的粘附层溢出的胶造成转移失败，从而提高了发光芯片转移的成功率。
附图说明
图1是本实施例所述发光芯片转移的方法的步骤流程示意图；
图2是本实施例中在衬底基板上形成芯片晶圆的结构示意图；
图3是本实施例中将芯片晶圆转移到第一临时基板的结构示意图；
图4是本实施例中在芯片晶圆的表面上涂覆光刻胶层的结构示意图；
图5是本实施例中将芯片晶圆切割后得到结构示意图；
图6是本实施例中将各个发光芯片转移到第二临时基板表面粘附层上的结构示意图；
图7是本实施例中光刻胶层的厚度与第一粘附层、第二粘附层、发光芯片高度之间的关系示意图；
图8是本实施例中将发光芯片转移到目标基板上的结构示意图；
图9是本实施例中去除光刻胶层之后得到结构示意图。
附件标记说明：
100-电极层；200-芯片晶圆；300-衬底基板；400-第一临时基板表面上的第一粘附层；500-第一临时基板；600-光刻胶层；700-发光芯片；800第二临时基板表面上的第二粘附层；900-第二临时基板；1000-目标基板。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
现有显示装置在生产过程中，需要对衬底基板上的发光芯片进行三次转移，这三次转移过程中需要用到光解胶或热解胶作为粘附层将发光芯片固定到临时基板上，由于这两种胶材具有一定厚度和流动性，而发光芯片厚度只有几微米，所以很容易发生粘附层上的溢胶将粘附在其表面上的发光芯片包裹，导致发光芯片转移失败。
为了克服上述问题，本发明实施例提供一种发光芯片的转移方法及显示装置，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
结合图1所示，本实施例公开了一种发光芯片的转移方法，包括步骤：
步骤S1、通过第一粘附层将衬底基板上的芯片晶圆转移至第一临时基板；所述第一粘附层设置在所述第一临时基板的表面上，且转移至所述第一临时基板上的所述芯片晶圆的第一表面与所述第一粘附层相粘合。
首先将衬底基板上形成的芯片晶圆转移至第一临时基板上，需要强调的是，在进行将衬底基板上的芯片晶圆转移至第一临时基板的步骤之前，并不对衬底基板上形成的芯片晶圆进行切割，而是将生长出的芯片晶圆整体转移第一临时基板上。
结合图2所示，提供一衬底基板300，在所述衬底基板300上形成芯片晶圆200，所述芯片晶圆200上设置有电极层100。具体实施时，本实施例中首先提供一衬底基板，所述衬底基板可以包括但不限于蓝宝石、碳化硅或硅等；然后在衬底基板21上进行刻蚀、电极生长、减薄、切割等多道工序，制备包含电极层100的芯片晶圆200。
结合图3所示，当在衬底基板300上形成芯片晶圆200后，将芯片晶圆200整体转移至第一临时基板500上，具体的，第一临时基板500的一个表面上涂覆有光解胶或热解胶组成的第一粘附层400，将芯片晶圆200整体转移到第一临时基板500的表面上，具体是将芯片晶圆200整体转移到第一临时基板500的第一粘附层400上，具体的是将芯片晶圆200的第一表面粘附到所述第一粘附层的表面上，实现芯片晶圆200粘附到第一临时基板500上。
步骤S2、剥离所述衬底基板，并在所述芯片晶圆的第二表面上设置光刻胶层。
当将芯片晶圆200整体转移至第一临时基板500上后，则通过激光照射衬底基板300，将所述衬底基板剥离所述芯片晶圆200，实现衬底基板300与LED芯片200相分离。
当将所述芯片晶圆200与所述衬底基板分离后，在芯片晶圆的另一个表面，也即与其第一表面相对的一侧的表面上涂覆光刻胶，涂覆的光刻胶在所述芯片晶圆200的表面形成光刻胶层600，该涂覆光刻胶层600的表面为之前粘附在衬底基板上的表面，由于衬底基板脱落而暴露在外面，该涂覆光刻胶的表面为所述芯片晶圆的第二表面，在该芯片晶圆200的第二表面进行光刻胶层600的涂覆，得到如图4所示的结构。
具体的，所述芯片晶圆的第一表面上设置有电极层，电极层包括分立的P电极和N电极，并且芯片晶圆中含有的各个膜层从上到下也不相同，因此第一表面和第二表面上对应的膜层也不相同。
本步骤还包括：在所述衬底基板剥离后的所述芯片晶圆的第二表面上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行图案化处理，得到设置有光刻图案的光刻胶层。具体的，是对芯片晶圆的第二表面上涂覆的光刻胶进行图案化处理，将光刻胶处理为光刻图案，从而得到表面上设置有光刻图案的芯片晶圆。
步骤S3、对所述芯片晶圆进行切割，得到多个表面上设置有光刻胶层的发光芯片。
在将芯片晶圆200转移至第二临时基板800上之前，还包括：通过曝光、显影、蚀刻对所述光刻胶层和所述芯片晶圆进行同步切割，得到独立的表面上涂覆有光刻胶层的各个发光芯片。
本步骤仅实现对所述芯片晶圆进行蚀刻，即进行切割，分割出独立的各个发光芯片700，不含有剥离光刻胶层600的步骤，具体的，是将光刻胶层600与芯片晶圆200同时进行曝光、显影和刻蚀，因此切割后的发光芯片700的表面上依然涂覆有光刻胶层600。
步骤S4、通过第二粘附层将各个所述发光芯片转移到第二临时基板；所述第二粘附层设置在所述第二临时基板的表面上，且所述光刻胶层粘附在所述第二粘附层的表面上。
本步骤中，将各个发光芯片转移到第二临时基板上，具体的是，通过第二临时基板上的第二粘附层与各个发光芯片表面的光刻胶层相粘合，实现将所述发光芯片转移至第二临时基板上。
当通过第二粘附层将所述发光芯片转移至第二临时基板上时，将第一临时基板与所述发光芯片分离，该分离为通过热解或光解的方式将第一粘附层脱离所述发光芯片，或通过热解或光解的方式直接将第一粘附层分解为气体或粉末，由于发光芯片的表面可能会残留一部分的粘胶，则再使用清洗液对发光芯片的表面进行清洗、或进行等离子清洗，以清除残留的粘胶。
步骤S5、将转移至所述第二临时基板上的各个所述发光芯片转移至目标基板上。
通过热解或光解的方式，将所述第一粘附层上的所述发光芯片经第二临时基板转移到目标基板上。
本步骤中经过两次热解或光解的方式，通过两次转移，将粘附在第一粘附层上的发光芯片转移至目标基板上。具体的，所述通过热解或光解的方式，将所述第一粘附层上的所述发光芯片经第二临时基板转移到目标基板上的步骤包括：通过热解或光解的方式，将所述第一粘附层上的所述发光芯片转移至第二临时基板的第二粘附层上，再次，通过热解或光解的方式，将所述第二粘附层上的所述发光芯片转移至所述目标基板上。
可选的，所述光刻胶层的厚度、所述发光芯片的厚度之和大于所述第一粘附层中溢胶的厚度与第二粘附层中溢胶的厚度之和。
如图6所示，当对芯片晶圆进行切割完成后，得到切割出的各个发光芯片，通过光刻胶层600将各个发光芯片转移至第二临时基板900，将即是通过热解或光解的方式，将发光芯片700转移至第二临时基板900上。具体的，所述第二临时基板900上设置有第二粘附层800，所述光刻胶层600直接粘贴到所述第二粘附层800的表面上。
如图7所示，由于光刻胶层600的存在，相当于加厚了Micro LED芯片，因此避免第二临时基板900上的第二粘附层800中溢出的胶与第一临时基板500表面上的第一粘附层400中溢出的胶相接触而发生粘连，导致发光芯片转移失败。因此结合图8所示，所述发光芯片的高度与所述光刻胶层的厚度之和大于第一粘附层与第二粘附层处于各个所述发光芯片间隙的溢胶厚度和处于所述光刻胶层的光刻图案间隙中的溢胶的厚度之和。
具体的，光刻胶层的厚度需满足：光刻胶层厚度h1与发光芯片的厚度h2之和大于第一临时基板上位于发光芯片间隙的第一粘附层上溢出的溢胶的厚度h3和第二临时基板表面上第二粘附层上溢出的溢胶的厚度h4，从而避免了第一粘附层中溢出的溢胶和第二粘附层中溢出的溢胶之间的粘附，保证了发光芯片的成功转移。
结合图8所示，当位于第一临时基板的第一粘附层表面上的发光芯片转移至所述第二临时基板的第二粘附层表面上的同时，去除第一临时基板以及与第一临时基板表面上的第一粘附层，当再次将粘附在第二粘附层表面上的发光芯片转移至目标基板1000上时，则去除第二临时基板以及粘附在第二临时基板上的第二粘附层。当发光芯片转移至目标基板1000上后，则发光芯片700与目标基板1000键合。
所述目标基板上设置有驱动阵列，所述发光芯片与所述目标基板上的驱动阵列相键合，实现发光芯片与驱动阵列的电连接。所述显示基板还包括封装层，所述驱动阵列设置在所述目标基板之上，所述发光芯片设置在所述驱动阵列之上，所述发光芯片与所述驱动阵列电连接，所述封装层覆盖所述发光芯片。
步骤S6、去除各个所述发光芯片表面上的光刻胶层，得到设置有多个所述发光芯片的目标基板。
结合图9所示，当去除了第一临时基板和第二临时基板后，得到结构中发光芯片的表面上还涂覆有光刻胶层，利用一定浓度范围的乙醇胺和一定浓度范围的二甲基亚砜溶剂调配成混合溶液去除光刻胶层，其中，乙醇胺的浓度范围是50％-80％，所述二甲基亚砜溶剂的浓度范围是10％-50％，在一种实施方式中，使用70％乙醇胺和30％二甲基亚砜溶剂组成的混合溶液去除光刻胶层。
可以理解的，所述去除所述发光芯片表面的光刻胶层的步骤之后，还包括：
去除所述发光芯片上残留的所述第二粘附层遗留的残胶。
由于在光刻胶层上还可能遗留有第二粘附层遗留下的残胶，因此在去除光刻胶层的同时，光刻胶层上有粘附的第二粘附层的残胶也会一并被清洗，从而得到最终转移到目标基板上的发光芯片结构。
具体的，所述光刻胶层为聚酰亚胺或基丙烯酸甲酯型光刻胶层。
具体的，在进行所述光刻胶层涂覆的步骤之前，需要预先设定涂覆光刻胶层的厚度，在一种实施方式中，所述光刻胶层的厚度基于以下步骤实现：
步骤S01、利用芯片晶圆样品重复上述通过第一粘附层将衬底基板上的芯片晶圆转移至第一临时基板，直至通过第二粘附层将各个所述发光芯片转移到第二临时基板的步骤.
为了得到较佳的光刻胶层的厚度值，本步骤中首先将芯片晶圆的样品通过第一粘附层转移至第一临时基板，在衬底基板脱落的衬底基板的芯片晶圆表面上涂覆光刻胶，再通过第二粘附层将所述切割后的各个发光芯片转移至第一临时基板和第二临时基板之间。
步骤S02、检测所述光刻胶层的厚度值、所述第一临时基板与第二临时基板之间的间隙高度值。
当发光芯片转移至第一临时基板和第二临时基板之间时，则检测当前光刻胶层的厚度值、第一临时基板和第二临时基板之间的间隙高度值。由于芯片晶圆和光刻胶层处于第一临时基板和第二临时基板之间，在发光芯片的高度固定的情况下，光刻胶层的厚度越大，则第一临时基板和第二临时基板之间的间隙高度值越大。具体的，所述第一临时基板和第二临时基板之间的间隙高度值具体的为第一临时基板上第一粘附层与第二临时基板啥能够的第二粘附层之间的最小距离值。基于第一粘附层和第二粘附层在各个发光芯片间隙之间的厚度值不同，因此第一粘附层与第二粘附层之间的间隙可能在对应各个发光芯片之间的间隙或光刻胶层之间的光刻图案之间的间隙的厚度不同，因此本实施例中，将第一粘附层与第二粘附层之间最小距离值作为第一临时基板和第二临时基板之间的间隙高度值，也即是两者之间存在间隙的最小高度值。
步骤S03、根据所述第一临时基板与第二临时基板之间的间隙高度值确定所述光刻胶层的厚度值的修正值。
由于光刻胶层的厚度与第一临时基板和第二临时基板之间的间隙高度值具有一定的关联，光刻胶层的厚度越高，则所述间隙高度值越高，因此当芯片晶圆样品转移至所述第一临时基板和第二临时基板之间时，则可以根据检测出的第一临时基板和第二临时基板之间间隙高度值调整光刻胶层的涂覆厚度，从而使得所述间隙高度值处于预设数值以上，避免第一粘附层中的溢胶与第二粘附层中的溢胶相粘连。
步骤S04、重复上述通过第一粘附层将衬底基板上的芯片晶圆样本转移至第一临时基板，根据所述光刻胶层的厚度值的修正值在所述芯片晶圆样本的第二表面上设置光刻胶层,直至确定所述光刻胶层的厚度值的修正值的步骤，得到所述光刻胶层的设定厚度值。
重复多次将芯片晶圆样品转移至第一临时基板，使用光刻胶层的修正值在释放了衬底基板的芯片晶圆样品表面涂覆光刻胶，最后将切割好的各个发光芯片转移至第一临时基板和第二临时基板之间，根据间隙高度值对光刻胶层的厚度值进行修正，从而最终得到光刻胶层的设定厚度值，该设定厚度值为光刻胶层厚度的经验值。
使用该光刻胶厚度值的设定厚度值执行步骤S2中涂覆光刻胶层的步骤，从而克服第一粘附层中的溢胶与第二粘附层中的溢胶相粘连的缺陷。
进一步的，上述所述根据所述第一临时基板与第二临时基板之间的间隙高度值确定所述光刻胶层的厚度值的修正值的步骤包括：
获得当所述第一临时基板与第二临时基板之间的间隙高度值为预设高度阈值时所述光刻胶层的厚度值，并将获得的所述光刻胶层的厚度值作为所述光刻胶层的厚度值的修正值。
在一具体实施方式中，所述步骤S1之前，还包括：
S21、在第一临时基板上涂覆或者贴覆第一粘附胶，则第一粘附胶形成第一粘附层；
S22、在第二临时基板上涂覆或着贴覆第二粘附胶，则第二粘附胶形成第二粘附层。
具体实施时，所述第一粘附层中含有的粘胶和所述第二粘附层中含有的粘胶包括但不限于光解胶、热解胶和冷解胶。
可以理解的，本发明的发光芯片可以是LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)芯片。
下面以本发明的具体应用实施例对本发明所述方法的步骤做进一步的解析。
步骤1，在蓝宝石、砷化镓基底生长制作芯片晶圆后(例如：生长有发光芯片或者微型发光芯片的芯片晶圆)，先不做切割；
步骤2,通过光激光照射衬底基板，将其上芯片晶圆整体转移至带有光解或热解胶的第一临时基板上；
步骤3,清洗芯片晶圆底部后，在其上涂覆一层聚酰亚胺(Polyimide，PI)或正型光刻胶层，所述光刻胶层的厚度需满足：光刻胶层厚度h1加上发光芯片的厚度h大于第一临时基板上位于发光芯片间隙之间的厚度和/或光刻胶层中光刻图案间隙之间的溢出胶的厚度h3加上第二临时基板上位于发光芯片间隙之间的溢胶的厚度和/或光刻胶层中光刻图案间隙之间的溢胶的厚度h4。
步骤4，曝光、显影、刻蚀后将每个发芯片光单独分开，本步骤不剥离光刻胶层，将光刻胶层与各个发芯片光同步进行蚀刻。
步骤5，通过热解或光解的方式释放临时基板1上的发芯片光，将其转移到第二临时基板，由于光刻胶层的存在，相当于加厚了发芯片光，避免第二临时基板上的胶层与第一临时基板上胶层接触而发生粘附。
步骤6，将临时基板2上发光芯片通过光解或热解方式释放，键合至目标基板上。
步骤7，使用70％乙醇胺溶剂与30％二甲基亚砜溶剂的混合溶液去除光刻胶(光刻胶上有第二粘附层和/或第一粘附层的残胶也会一并被光刻胶带走)。
在一具体实施方式中，本实施例中还提供了一种显示装置，所述显示装置包括固定有发光芯片的显示基板，所述显示基板包括目标基板以及设置在所述目标基板之上的发光芯片，所述发光芯片采用上述所述的发光芯片的转移方法进行转移。
由于上述发光芯片的转移方法对发光芯片进行转移前，在芯片晶圆的表面涂覆一层光刻胶，形成一层光刻胶层，由于光刻胶层的存在，增加了第一临时基板和第二临时基板在转移发光芯片时之间的间隙，从而有效防止处于第一临时基板和第二临时基板之间的粘附胶相粘连，提高了发光芯片转移成功率，降低了显示装置生产成本，提高了显示装置生产效率。
所述显示基板还包括驱动阵列以及封装层，所述驱动阵列设置在所述目标基板之上，所述发光芯片设置在所述驱动阵列之上，所述发光芯片与所述驱动阵列电连接，所述封装层覆盖所述发光芯片。
本发明提供了一种发光芯片的转移方法及显示装置，发光芯片的转移方法首先利用激光照射衬底基板，将所述衬底基板上芯片晶圆转移至第一临时基板表面的第一粘附层上，然后在所述芯片晶圆的表面上涂覆一层光刻胶，形成光刻胶层，对表面上涂覆有光刻胶层的芯片晶圆进行切割，得到各个发光芯片，再次通过热解或光解的方式，将所述第一粘附层上的各个所述发光芯片经第二临时基板转移到目标基板上，最后去除所述发光芯片表面上的光刻胶层，实现发光芯片的转移。本实施例中通过在对芯片晶圆进行切割之前在芯片晶圆上制作光刻胶层，利用所述光刻胶层的防止发光芯片转移时第一临时基板和第二临时基板上的粘附层溢出的胶造成转移失败，从而提高了发光芯片转移的成功率。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种发光芯片的转移方法，其特征在于，包括步骤：
通过第一粘附层将衬底基板上的芯片晶圆转移至第一临时基板；所述第一粘附层设置在所述第一临时基板的表面上，且转移至所述第一临时基板上的所述芯片晶圆的第一表面与所述第一粘附层相粘合；
剥离所述衬底基板，并在所述芯片晶圆的第二表面上设置光刻胶层；
对所述芯片晶圆进行切割，得到多个表面上设置有光刻胶层的发光芯片；
通过第二粘附层将各个所述发光芯片转移到第二临时基板；所述第二粘附层设置在所述第二临时基板的表面上，且所述光刻胶层粘附在所述第二粘附层的表面上；
将转移至所述第二临时基板上的各个所述发光芯片转移至目标基板上；
去除各个所述发光芯片表面上的光刻胶层，得到设置有多个所述发光芯片的目标基板。
2.根据权利要求1所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，在所述芯片晶圆的第二表面上设置光刻胶层的步骤包括：
在所述衬底基板剥离后的所述芯片晶圆的第二表面上涂覆光刻胶；
对所述光刻胶进行图案化处理，得到设置有光刻图案的光刻胶层。
3.根据权利要求1所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述通过第一粘附层将衬底基板上的所述芯片晶圆转移至第一临时基板的步骤之前，还包括：
利用芯片晶圆样品重复上述通过第一粘附层将衬底基板上的芯片晶圆转移至第一临时基板，直至通过第二粘附层将各个所述发光芯片转移到第二临时基板的步骤；
检测所述光刻胶层的厚度值、所述第一临时基板与第二临时基板之间的间隙高度值；
根据所述第一临时基板与第二临时基板之间的间隙高度值确定所述光刻胶层的厚度值的修正值；
重复上述通过第一粘附层将衬底基板上的芯片晶圆样本转移至第一临时基板，根据所述光刻胶层的厚度值的修正值在所述芯片晶圆样本的第二表面上设置光刻胶层,直至确定所述光刻胶层的厚度值的修正值的步骤，得到所述光刻胶层的设定厚度值。
4.根据权利要求3所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述根据所述第一临时基板与第二临时基板之间的间隙高度值确定所述光刻胶层的厚度值的修正值的步骤包括：
获得当所述第一临时基板与第二临时基板之间的间隙高度值为预设高度阈值时所述光刻胶层的厚度值，并将获得的所述光刻胶层的厚度值作为所述光刻胶层的厚度值的修正值。
5.根据权利要求1所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，还包括：
去除所述目标基板之上残留的第一粘附层或第二粘附层。
6.根据权利要求1所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，还包括：
对待涂覆光刻胶层所述芯片晶圆的第二表面的表面进行清洗，去除残留的所述第一粘附层。
7.根据权利要求1所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述去除各个所述发光芯片表面上的光刻胶层的步骤包括：
通过乙醇胺与二甲基亚砜溶剂的混合溶液去除光刻胶层。
8.根据权利要求1所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述发光芯片的高度与所述光刻胶层的厚度之和大于第一粘附层与第二粘附层处于各个所述发光芯片间隙的厚度和处于所述光刻胶层的光刻图案间隙中的厚度之和。
CN202010419240.0A 2020-05-18 2020-05-18 一种发光芯片的转移方法及显示装置 Active CN112967967B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010419240.0A CN112967967B (zh) 2020-05-18 2020-05-18 一种发光芯片的转移方法及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010419240.0A CN112967967B (zh) 2020-05-18 2020-05-18 一种发光芯片的转移方法及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112967967A CN112967967A (zh) 2021-06-15
CN112967967B true CN112967967B (zh) 2022-03-25

Family

ID=76270901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010419240.0A Active CN112967967B (zh) 2020-05-18 2020-05-18 一种发光芯片的转移方法及显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112967967B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113611786B (zh) * 2021-08-02 2022-09-27 东莞市中麒光电技术有限公司 剥离良率高且方便倒膜的led芯片巨量转移方法
CN115320271B (zh) * 2022-08-04 2023-06-16 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种半导体薄膜的转移印刷方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4097510B2 (ja) * 2002-11-20 2008-06-11 株式会社沖データ 半導体装置の製造方法
US8815706B2 (en) * 2012-01-20 2014-08-26 Infineon Technologies Ag Methods of forming semiconductor devices
CN110838503A (zh) * 2019-11-20 2020-02-25 广东省半导体产业技术研究院 微型led芯片制作方法、微型led显示器件制作方法和微型led显示器件

Also Published As

Publication number Publication date
CN112967967A (zh) 2021-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI639248B (zh) 用於準備氮化鎵及用於微組裝之相關材料之系統及方法
US8153475B1 (en) Back-end processes for substrates re-use
CN112967984B (zh) 微芯片的巨量转移方法及显示背板
CN112967967B (zh) 一种发光芯片的转移方法及显示装置
US8846499B2 (en) Composite carrier structure
US10186447B2 (en) Method for bonding thin semiconductor chips to a substrate
US9006896B2 (en) Chip package and method for forming the same
US9355881B2 (en) Semiconductor device including a dielectric material
JP2002185039A (ja) 素子の転写方法、素子保持基板の形成方法、及び素子保持基板
JP2004055684A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2019125723A (ja) 素子チップの製造方法
TW201227937A (en) Image sensor chip package and method for forming the same
JP4239974B2 (ja) 半導体素子の製造方法およびリング状補強部材
CN112968107B (zh) 弱化结构的制作方法、微器件的转移方法
US6974721B2 (en) Method for manufacturing thin semiconductor chip
US20210358792A1 (en) Method for Producing Optoelectronic Devices
JP2008300487A (ja) 貼り合わせ装置、接着剤の溶解を防ぐ方法、及び貼り合わせ方法
CN112768370B (zh) 微元件的转移方法及转移装置
JP2003347524A (ja) 素子の転写方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
JP2012156288A (ja) 半導体チップの製造方法および半導体チップの実装方法
JP6524554B2 (ja) 素子チップの製造方法
CN112968082B (zh) 一种发光器件结构制作方法、显示背板及显示装置
KR20170129342A (ko) 웨이퍼 레벨 칩 스케일 발광다이오드 패키지 및 그의 제조방법
JP2002314123A (ja) 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
WO2020258644A1 (zh) 一种microled芯片的转移方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant