JP2012156288A - 半導体チップの製造方法および半導体チップの実装方法 - Google Patents

Abstract

【課題】転写されたテープ上の個々の半導体チップ間の距離を一定に保つ。
【解決手段】半導体ウエハ切断工程により分割された半導体チップ１がダイシングテープ３１５に貼り付けられた状態で、テープ延伸装置のリングステージ３３５の上面に設置される（図７（ａ））。次に、押し上げステージ３３７が、ダイシングテープ３１５を押し上げるように矢印の方向に移動される（図７（ｂ））。すると、ダイシングテープ３１５は延伸され、半導体チップ１の相互の間に距離Ｗが発生する。そして、一方の面に接着剤（糊）が設けられた転写テープ３４１を、糊が設けられた面を半導体チップ１に接触させ、半導体チップ１の裏面と転写テープ３４１とが接着される（図７（ｃ））。その後、転写テープ３４１を剥がすとともに、半導体チップ１が転写テープ３４１に転写される（図７（ｄ））。
【選択図】図７

Description

本発明は、半導体チップの製造方法および半導体チップの実装方法に関する。

半導体デバイスは、まず、基板上に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定線によって区画された複数の領域に、電子回路、発光素子、受光素子などの半導体素子が形成された半導体ウエハとして製造される。そして、半導体ウエハを分割予定線に沿って切断することにより半導体素子が形成された領域が分割されて個々の半導体チップに分割されることで製造される。これらの半導体チップは、回路基板またはパッケージに実装され、半導体部品等として使用される。
このとき、半導体ウエハを半導体チップに分割する工程において、半導体ウエハは延伸性を有するテープ上に貼り付けられた後、半導体ウエハが個々の半導体チップに分割される。そして、延伸装置にセットされ、加熱、加圧によりテープを延伸することにより、隣接する半導体チップ間に空隙が設けられ、個々の半導体チップを取り上げ（ピックアップし）やすくしている。
さらに、プロセスによっては、半導体チップを別のテープに移し変える転写が行われる。このとき、移されるテープは、同じ延伸性を有するテープが用いられる。転写は、例えば半導体チップの表裏を反転させる（粘着面を変える）ためや、実装時にさらにテープを延伸させてピックアップを容易にするために行われる。
一般的な半導体のチップの実装方法は、実装装置が半導体チップを１個ずつ認識し、認識した半導体チップの裏面を突き上げピンによりテープを破り、半導体チップを押し上げることで半導体チップをテープに接着していた接着剤の粘着力を弱めた状態で、いわゆるコレットを用いて半導体チップを１個ずつピックアップする。
そして、半導体チップは、プリント基板（回路基板）、パッケージなどの所定の位置に設けられたダイボンド材（接着剤、銀ペースト等）の上に搭載され、固定される。その後、ワイヤボンドによる配線、樹脂封止工程等を経て半導体部品になる。

特許文献１には、張力付与手段を作動してフレーム保持手段に保持された環状のフレームに装着された粘着テープを拡張して、該粘着テープに貼着されている各デバイス間に所定の間隔を形成した状態で、粘着テープを第１のリングと第２のリングとによって挟持し、各デバイス間に所定の間隔を維持することで、次工程に搬送する際にデバイス同士が接触することはなく、デバイス同士が擦れることによるデバイスの損傷を防止するテープ拡張装置が記載されている。

特開２００８−１３５５１３号公報

ところで、延伸させたテープ上の半導体チップは、延伸させたテープから別のテープに一括して転写され、その転写されたテープから個々の半導体チップが取り上げられ（ピックアップされ）て実装される場合がある。
そのとき、転写されたテープ上の個々の半導体チップの間の空隙の幅（半導体チップ間の距離）が一定でないと、半導体チップ毎に位置および向きを検出したのちにピックアップすることが必要となる。これには、半導体チップの位置や向きを検出する画像認識装置により検出し、半導体チップの位置を微妙に調整することが必要となり、実装に時間がかかるという問題があった。
また、転写されたテープ上の半導体チップ間の距離が一定でないと、複数の半導体チップを同時にピックアップして、回路基板やパッケージに実装することができないという問題があった。
このため、転写されたテープ上の個々の半導体チップ間の距離を一定に保つことが求められている。

本発明は、転写されたテープ上の個々の半導体チップ間の距離を一定に保つこと、および、複数個の半導体チップを同時に取り上げて実装できることを目的とする。

本発明が適用される半導体ウエハの製造方法は、基板上に半導体素子が形成された半導体ウエハを第１のテープに貼り付け、半導体ウエハに設定された分割予定線に沿って複数の半導体チップに分割する分割工程と、第１のテープを延伸することにより、複数の半導体チップのそれぞれの半導体チップの間の距離を拡張する拡張工程と、複数の半導体チップのそれぞれの半導体チップの間の距離が拡張された状態において、複数の半導体チップを、第１のテープから、第１のテープに比べ引張り強さが大きい第２のテープに転写する転写工程とを含む。
このような半導体ウエハの製造方法において、転写工程は、拡張工程において第１のテープを延伸するために第１のテープに加えられた張力を保持した状態で行われることを特徴とすることができる。
また、転写工程は、拡張工程に用いられた第１のテープを延伸する延伸装置から、複数の半導体チップのそれぞれの半導体チップの間の距離を拡張した第１のテープを取り外すことなく、半導体チップの間の距離を拡張した状態を保持して行われることを特徴とすることができる。さらに、第１のテープは引張り強さが１０ＭＰａ以上且つ５０ＭＰａ以下であって、第２のテープは引張り強さが８０ＭＰａ以上であることを特徴とすることができる。そして、第１のテープはポリ塩化ビニルまたはポリオレフィンのいずれか一方で構成され、第２のテープはポリエステルで構成されることを特徴とすることができる。
さらに、このような半導体ウエハの製造方法において、転写工程は、第１のテープの複数の半導体チップを貼り付ける面に設けられた接着剤の粘着力を低下させる工程を含むことを特徴とすることができる。そして、第１のテープの接着剤の粘着力を低下させる工程は、加温または紫外線照射を含むことを特徴とすることができる。また、第１のテープの接着剤の粘着力を低下させる工程は、第１のテープを構成する基材の内部に紫外線を透過させることを含むことを特徴とすることができる。
また、このような半導体ウエハの製造方法において、分割工程は、半導体ウエハの基板の内部に集光されたレーザ光の照射によって、基板の内部にレーザ光が照射されない領域に比べて脆弱な領域を形成する脆弱領域形成工程と、脆弱な領域が起点となるように半導体ウエハにブレードを押圧することにより半導体ウエハを切断する切断工程とを含むことを特徴とすることができる。
さらにまた、基板は、紫外光を透過することを特徴とすることができる。そして、基板は、サファイアで構成されていることを特徴とすることができる。
このような半導体ウエハの製造方法が適用される複数の半導体チップのそれぞれの半導体チップは、フリップチップであることを特徴とすることができる。
そして、半導体素子は、発光素子または受光素子であることを特徴とすることができる。
また、他の観点から捉えると、本発明が適用される半導体チップの実装方法では、基板上に半導体素子が形成された半導体ウエハを第１のテープに貼り付け、半導体ウエハに設定された分割予定線に沿って複数の半導体チップに分割する分割工程と、第１のテープを延伸することにより、複数の半導体チップのそれぞれの半導体チップの間の距離を拡張する拡張工程と、複数の半導体チップのそれぞれの半導体チップの間の距離が拡張された状態において、複数の半導体チップを、第１のテープから、第１のテープに比べ引張り強さが大きい第２のテープに転写する転写工程を含む工程により製造された複数の半導体チップから、予め定められた複数個の半導体チップを取り上げ、複数個の半導体チップを実装する。

本発明によって、転写されたテープ上の個々の半導体チップ間の距離を一定に保つことができる。そして、転写されたテープ上の複数個の半導体チップを同時に取り上げて、実装することができる。

本実施の形態が適用される半導体チップ（発光チップ）の一例を説明する断面図である。 半導体チップ（発光チップ）の上面図である。 半導体チップ（発光チップ）の製造方法の一例を説明するフローチャートである。 半導体素子が形成された半導体ウエハの平面構成の一例を説明する図である。 ダイシングテープに貼り付けられた半導体ウエハを説明する図である。 脆弱領域形成工程および半導体ウエハ切断工程の一例を説明する図である。 半導体チップ間距離拡張工程および半導体チップ転写工程を説明する図である。 ダイシングテープが延伸された状態における半導体チップ（発光チップ）の状態を説明する図である。 半導体チップ実装工程を説明する図である。 複数のヘッド部を備えたコレットを説明する図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、添付図面では、半導体ウエハ、半導体チップなどを模式的に表しており、縮尺は正確ではない。
なお、本明細書では、基板上に複数の半導体素子を備えるものを半導体ウエハと呼び、それぞれが半導体素子を備えるように半導体ウエハを分割したものを半導体チップと呼ぶ。
半導体素子には、発光素子、受光素子、集積回路、機構系を電子回路とともに組み込んだＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）などが含まれる。また、半導体チップには、ワイヤボンドで配線する構造、および半導体チップをひっくり返して実装する、いわゆるフリップチップ構造などが含まれる。ここでは、半導体素子の一例としてワイヤボンドで配線する構造の発光素子で説明する。すなわち、半導体チップは発光チップとして説明する。
特に、照明用途では、複数の発光チップを等間隔でパッケージに実装する場合が多く、本発明の効果が大きい。また、品質面においても、透明基板（例えばサファイア）を用いるＧａＩｎＮの青色発光ダイオードでは、基板から取り出される光は、隣接する発光チップの影響を受けるため、発光チップが等しい距離で配列されていることが望ましい。

図１は本実施の形態が適用される半導体チップ１（発光チップ）の一例を説明する断面図である。なお、本実施の形態では、半導体チップ１の一例として発光チップで説明する。以下、半導体チップ１（発光チップ）と表記する。図２は半導体チップ１（発光チップ）の上面図である。
半導体チップ１（発光チップ）は化合物半導体にて構成されている。なお、半導体チップ１（発光チップ）を構成する化合物半導体としては、特に限定されるものではなく、例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体、ＩＶ−ＩＶ族化合物半導体等が挙げられる。本実施の形態では、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が好ましく、中でも、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体が好ましい。そして、以下では、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体を有する半導体チップ１（発光チップ）を例として説明する。なお、例として図１に示す半導体チップ１（発光チップ）は青色光を出力する。

基板１１０は、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体とは異なる材料から構成され、基板１１０上にＩＩＩ族窒化物化合物半導体結晶がエピタキシャル成長される。基板１１０を構成する材料としては、例えば、サファイア、炭化珪素（シリコンカーバイド：ＳｉＣ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、シリコン、ゲルマニウム、溶融石英（石英）などのガラス等が挙げられる。ここでは、基板１１０は、一例として、紫外光を含む光に対して透明で、良好な結晶が得られるサファイアであるとして説明する。なお、基板にエピタキシャル成長後、他の材質の基板を貼り付け、エピタキシャル成長させた基板を除去することで、他の材質の基板である貼り付けた基板を基板１１０とすることもできる。

この半導体チップ１（発光チップ）は、サファイア製の基板１１０と、基板１１０上に積層される中間層１２０と、中間層１２０上に積層される下地層１３０と、下地層１３０上に積層されるｎ型半導体層１４０と、ｎ型半導体層１４０上に積層される発光層１５０と、発光層１５０上に積層されるｐ型半導体層１６０とを備えている。
ここで、ｎ型半導体層１４０は、下地層１３０側に設けられるｎ型コンタクト層１４０ａと発光層１５０側に設けられるｎ型クラッド層１４０ｂとを有している。また、発光層１５０は、障壁層１５０ａと井戸層１５０ｂとが交互に積層され、２つの障壁層１５０ａによって１つの井戸層１５０ｂを挟み込んだ構造を有している。さらに、ｐ型半導体層１６０は、発光層１５０側に設けられるｐ型クラッド層１６０ａと最上層に設けられるｐ型コンタクト層１６０ｂとを有する。なお、以下の説明においては、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０およびｐ型半導体層１６０を、まとめて積層半導体層１００と表記する。

半導体チップ１（発光チップ）においては、ｐ型半導体層１６０のｐ型コンタクト層１６０ｂ上に透明正極１７０が積層され、さらにその上にｐ電極１９０ａが形成されている。さらに、ｎ型半導体層１４０のｎ型コンタクト層１４０ａに形成された半導体層露出面１４０ｃにｎ電極１９０ｂが積層されている。
さらにまた、半導体チップ１（発光チップ）は、ｐ電極１９０ａおよびｎ電極１９０ｂのそれぞれの表面の一部を除いて、透明正極１７０の表面、積層半導体層１００の表面および側面、下地層１３０および中間層１２０の側面を覆う保護層１８０を備える。
なお、基板１１０上の中間層１２０、下地層１３０、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０、ｐ型半導体層１６０、透明正極１７０、ｐ電極１９０ａ、ｎ電極１９０ｂおよび保護層１８０をまとめて半導体素子２００と表記する。発光層１５０は、発光効率の高いＧａＩｎＮからなることが望ましい。

この半導体チップ１（発光チップ）においては、図１に示したｐ電極１９０ａとｎ電極１９０ｂとを介して積層半導体層１００（より具体的にはｐ型半導体層１６０、発光層１５０およびｎ型半導体層１４０）に電流を流すことで、発光層１５０が青色光を出射するようになっている。なお、発光層１５０は、透明正極１７０側に加えて、基板１１０側および側方（発光層１５０の層方向）にも青色光を発する。

次に、半導体チップ１（発光チップ）の平面形状を説明する。
図２に示すように、半導体チップ１（発光チップ）の平面形状は、例えば３５０μｍ×３５０μｍの正方形である。なお、半導体チップ１（発光チップ）の平面形状は、正方形に限らず、長方形など、他の形状であってもよい。
半導体層露出面１４０ｃは、図２に示すように、半導体チップ１（発光チップ）の周縁を巡るように形成されている。なお、半導体層露出面１４０ｃは、正方形の１辺において、周縁から内側に向かって広がって設けられている。そして、ｎ電極１９０ｂは、この広がって設けられた半導体層露出面１４０ｃ上に設けられている。
一方、ｐ電極１９０ａは、ｐ型半導体層１６０の上面１６０ｃ上に設けられた透明正極１７０上に設けられている。半導体チップ１（発光チップ）は、発光層１５０から発光するため、透明正極１７０は面積が広いほど光量が大きくなる。よって、ｐ電極１９０ａは、透明正極１７０の一部に設けられている。
なお、ｐ電極１９０ａおよびｎ電極１９０ｂの形状および配置は、図２に示したものに限らず、他の形状および配置であってもよい。

［半導体チップの製造方法］
半導体チップ１（発光チップ）の製造方法を説明する。
図３は半導体チップ１（発光チップ）の製造方法の一例を説明するフローチャートである。
半導体チップ１（発光チップ）は、半導体素子形成工程（ステップ２０１）、脆弱領域形成工程（ステップ２０２）、半導体ウエハ切断工程（ステップ２０３）、半導体チップ間距離拡張工程（ステップ２０４）、半導体チップ転写工程（ステップ２０５）により製造される。そして、半導体チップ１（発光チップ）は、半導体チップ実装工程（ステップ２０６）により、回路基板またはパッケージに実装されて半導体部品等として使用される。
なお、図３に示す半導体チップの製造方法の一例を説明するフローチャートでは、半導体チップ実装工程（ステップ２０６）を加えて示している。
なお、半導体ウエハ切断工程を切断工程と、半導体チップ間距離拡張工程を拡張工程と、半導体チップ転写工程を転写工程と表記することがある。さらに、脆弱領域形成工程および半導体ウエハ切断工程をまとめて分割工程と表記することがある。

半導体素子形成工程（ステップ２０１）は、半導体チップ１が図１に示す発光チップである場合には、基板１１０上に中間層１２０、下地層１３０、積層半導体層１００、透明正極１７０、ｐ電極１９０ａ、ｎ電極１９０ｂ、保護層１８０を形成した半導体ウエハ３０（後述する図４参照）を製造する工程である。
一方、脆弱領域形成工程（ステップ２０２）は、半導体チップ１が図１に示すサファイアの基板１１０上に形成された発光チップである場合には、基板１１０を透過する波長のレーザ光を基板１１０内に焦点を結ぶように照射し、基板１１０内部に照射しない部分に比べて強度が低い脆弱領域３２１を半導体ウエハ３０の分割予定線（後述するＶ１〜Ｖ９、Ｈ１〜Ｈ９）に沿って形成する工程である（後述する図６（ａ）参照）。
なお、脆弱領域３２１は、ダイヤモンドポイントにより、半導体ウエハ３０の表面３０ａまたは裏面３０ｂに形成してもよい。
半導体ウエハ切断工程（ステップ２０３）は、第１のテープの一例であるダイシングテープ３１５（後述する図５参照）に貼り付けた半導体ウエハ３０の分割予定線（Ｖ１〜Ｖ９、Ｈ１〜Ｈ９）に沿って、ブレード３３１（後述する図６（ｂ）、（ｃ）参照）を押圧し、脆弱領域３２１を核として、半導体ウエハ３０を複数の半導体チップ１（発光チップ）に切断する工程である。なお、公知のダイヤモンドブレードによって機械的に切断してもよい。
半導体チップ間距離拡張工程（ステップ２０４）は、切断された半導体チップ１（発光チップ）を、ダイシングテープ３１５を延伸して（引き伸ばして）、ダイシングテープ３１５上において半導体チップ１（発光チップ）間の距離を拡張する工程である。
半導体チップ転写工程（ステップ２０５）は、間の距離が拡張された半導体チップ１（発光チップ）を、半導体チップ１（発光チップ）間の距離が拡張された状態のまま第２のテープの一例である転写テープ３４１（後述する図７（ｃ）、（ｄ）参照）に転写する工程である。
そして、半導体チップ実装工程（ステップ２０６）は、半導体チップ１（発光チップ）を、転写テープ３４１上から取り上げて、回路基板５００（後述する図９（ｃ）、（ｄ）参照）、パッケージ等に実装する工程である。

以下、各工程を詳細に説明する。
（半導体素子形成工程）
始めに、半導体チップ１として発光チップを例にして、半導体素子形成工程（図３のステップ２０１）を説明する。
まず、予め定められた直径と厚さとを有するサファイア製の基板１１０上に、スパッタリング装置にて、中間層１２０および下地層１３０を形成する。
続いて、下地層１３０が形成された基板１１０上に、ＭＯＣＶＤ装置により、ｎ型コンタクト層１４０ａを形成し、ｎ型コンタクト層１４０ａの上にｎ型クラッド層１４０ｂを形成する。さらに、ｎ型クラッド層１４０ｂの上に発光層１５０すなわち障壁層１５０ａと井戸層１５０ｂとを交互に形成し、発光層１５０の上にｐ型クラッド層１６０ａを形成し、ｐ型クラッド層１６０ａの上にｐ型コンタクト層１６０ｂを形成する。
さらに、ｐ型コンタクト層１６０ｂの上面１６０ｃ上に透明正極１７０を積層する。また、エッチング等を用いてｎ型コンタクト層１４０ａに半導体層露出面１４０ｃを形成する。そして、透明正極１７０上にｐ電極１９０ａを、半導体層露出面１４０ｃ上にｎ電極１９０ｂを形成する。
その後、基板１１０の下地層１３０の形成面とは反対の面を、予め定められた厚さになるまで研削および研磨する。
そして、基板１１０の厚さが調整されて、基板１１０上に半導体素子２００（本実施の形態では発光素子）が形成された半導体ウエハ３０が製造される。
なお、基板１１０上に結晶性に優れた下地層１３０が直接形成できる場合には、中間層１２０を設けなくともよい。

図４は、半導体素子２００が形成された半導体ウエハ３０の平面構成の一例を説明する図である。
半導体ウエハ３０には、結晶方位を示すとともに、自動制御により半導体ウエハ３０の位置を定めるために用いられるオリエンテーションフラット（ＯＦ）が設けられている。また、オリエンテーションフラットに代わって、切り込み（ノッチ）などが設けられる場合もある。
半導体ウエハ３０は、分割予定線Ｈ１〜Ｈ９、Ｖ１〜Ｖ９で区切られたそれぞれの領域（半導体チップ１（発光チップ）となる領域）に、半導体素子２００（本実施の形態では発光素子）が形成されている。半導体ウエハ３０は、分割予定線Ｈ１〜Ｈ９、Ｖ１〜Ｖ９で、半導体チップ１（発光チップ）に分割される。すなわち、分割予定線Ｈ１〜Ｈ９、Ｖ１〜Ｖ９は線として示しているが、半導体ウエハ３０の表面３０ａから裏面３０ｂ（後述する図６参照）に延びた面（分割予定面）で切断されることになる。よって、分割予定線Ｈ１〜Ｈ９、Ｖ１〜Ｖ９を分割予定面Ｈ１〜Ｈ９、Ｖ１〜Ｖ９とも表記することがある。
ここで、分割予定線Ｖ１〜Ｖ９は間隔ｐｘ、分割予定線Ｈ１〜Ｈ９は間隔ｐｙで設けられている。半導体チップ１（発光チップ）の平面形状が３５０μｍ角の正方形である場合、間隔ｐｘおよび間隔ｐｙはそれぞれ３５０μｍである。
なお、図４では、半導体ウエハ３０上に半導体チップ１（発光チップ）を一例として８×８（ただし、角の４個は設けていない。）に配列している。しかし、半導体ウエハ３０上の半導体チップ１（発光チップ）の個数は、半導体ウエハ３０の直径と、半導体チップ１（発光チップ）のサイズである間隔ｐｘおよび間隔ｐｙとによって決められる。
また、図４では間隔ｐｘおよび間隔ｐｙをそれぞれ分割予定線Ｖ１〜Ｖ９、Ｈ１〜Ｈ９の線間において等間隔として表記しているが、等間隔でなくともよい。

（脆弱領域形成工程）
次に、脆弱領域形成工程（図３のステップ２０２）を説明する。
半導体素子２００が形成された半導体ウエハ３０は、周囲にウエハリング３１６を備えるダイシングテープ３１５に、半導体素子２００が形成された半導体ウエハ３０の表面３０ａ側が貼り付けられる。
図５は、ダイシングテープ３１５に貼り付けられた半導体ウエハ３０を説明する図である。図５は、半導体ウエハ３０を半導体素子２００が形成された表面３０ａ側から見た図を示している。よって、図５は、半導体ウエハ３０をダイシングテープ３１５を通して見た図となっている。

ダイシングテープ３１５は、例えばポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリオレフィン（ＰＯ）などの樹脂による、柔軟性を有するとともに常温または加熱状態において延伸（引き伸ばすことが）できるシート状の基材と、基材の一方の面上に設けられ、半導体ウエハ３０およびウエハリング３１６を固定することができる接着剤（糊）とから構成されている。
ダイシングテープ３１５は、例えば、厚さ５０〜１５０μｍのポリ塩化ビニルテープが好適である。
接着剤（糊）は、紫外線（ＵＶ）照射によって、粘着力が照射前に比べ低下する性質を有するものが、作業効率が高いことおよび転写不良が発生しにくいことから望ましい。また、接着剤（糊）は、加温によって粘着力を制御できるものであってもよい。

ウエハリング３１６は、半導体ウエハ３０の直径より大きい内径を有する、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）から構成された板状の金属リングである。なお、ウエハリング３１６は、プラスチック材料で構成されていてもよい。
ウエハリング３１６は、ウエハリング３１６により半導体ウエハ３０の取り扱いを自動により行えるよう、外周の一部が直線状に加工されているとともに、外周の一部にくぼみが設けられている。なお、直線状の加工およびくぼみはなくてもよい。

ウエハリング３１６の一方の面は、ダイシングテープ３１５の糊が設けられた面３１５ａ（後述する図６（ａ）参照）と貼りあわされている。
そして、半導体素子２００が形成された半導体ウエハ３０の表面３０ａが、ダイシングテープ３１５の糊が設けられた面３１５ａに貼りあわされている。
よって、ダイシングテープ３１５に対して、半導体ウエハ３０およびウエハリング３１６は同じ側、すなわち糊が設けられた面３１５ａ上に貼り付けられている（後述する図６（ａ）参照）。ウエハリング３１６およびダイシングテープ３１５は、脆弱領域形成工程およびその後に引き続いて行われる半導体ウエハ切断工程において、半導体ウエハ３０の固定治具として働く。

図６は、脆弱領域形成工程（図３のステップ２０２）および半導体ウエハ切断工程（図３のステップ２０３）の一例を説明する図である。
脆弱領域形成工程では、半導体ウエハ３０の基板１１０内部に脆弱領域３２１を形成する。
図６（ａ）により、脆弱領域形成工程（ステップ２０２）を説明する。
脆弱領域形成工程では、ダイシング装置（不図示）が用いられる。ダイシング装置は、ダイシングテープ３１５に貼り付けられた半導体ウエハ３０およびウエハリング３１６を保持するステージ３１７と、例えばレンズなどの光学部材３２６を介してレーザ光３２５を基板１１０の内部に照射するレーザ光照射部（不図示）とを備えている。レーザ光３２５により脆弱領域３２１を基板１１０の内部に発生させる。一般的に、このような装置は、ステルスダイシング装置と呼ばれる。ステルスダイシングは、基板１１０の内部に欠陥（脆弱領域３２１）を形成しているため、半導体ウエハ３０の表面３０ａおよび裏面３０ｂに汚れが発生しない。このことにより、転写工程で不良が発生しにくい最適なプロセスである。
ダイシングテープ３１５、半導体ウエハ３０およびウエハリング３１６は、一体として、ダイシング装置のステージ３１７の上面に設置される。このとき、ダイシングテープ３１５の半導体ウエハ３０およびウエハリング３１６の糊が設けられていない面３１５ｂが、ステージ３１７の上面に接するように設置される。
図６（ａ）に示す、ダイシングテープ３１５、半導体ウエハ３０およびウエハリング３１６の部分は、半導体ウエハ３０等を示す図５のＶＩ−ＶＩ線での断面図である。よって、図６では、半導体ウエハ３０に設定された分割予定線Ｈ１〜Ｈ９が見えている。

ステージ３１７は半導体ウエハ３０等が設置される上面を含む面内において、前後、左右に移動できるとともに、さらに中心軸の周りに回転可能になっている。すなわち、Ｘ−Ｙ方向に移動し、θ方向に回転する。

図６（ａ）に示すように、半導体ウエハ３０の裏面３０ｂ側から、分割予定線Ｈ１〜Ｈ９およびＶ１〜Ｖ９に沿って、光学部材３２６により基板１１０の内部に焦点を結ぶように調整されたレーザ光３２５を照射する。図６（ａ）では、分割予定線Ｈ６に沿って、基板１１０の内部に脆弱領域３２１を形成するところを示している。
具体的には、レーザ光３２５を固定し、レーザ光３２５が分割予定面Ｈ１〜Ｈ９、Ｖ１〜Ｖ９に沿って照射されるように、ダイシング装置のステージ３１７を予め定められた速度で移動させる。これにより、分割予定線Ｖ１〜Ｖ９、Ｈ１〜Ｈ９に沿って、半導体ウエハ３０の基板１１０の内部に脆弱領域３２１が形成される。
このとき、Ｘ方向（図４、５参照）にステージ３１７を移動させながらレーザ光３２５を照射して、分割予定線Ｈ１に沿って脆弱領域３２１を形成した後、ステージ３１７をＹ方向（図４、５参照）に間隔ｐｙに相当する距離移動させて、分割予定線Ｈ２に沿って脆弱領域３２１を形成する。同様に、分割予定線Ｈ３〜Ｈ９に沿って、脆弱領域３２１を形成する。この後、Ｘ方向と同様にして、Ｙ方向（図４、５参照）の分割予定線Ｖ１〜Ｖ９に沿って脆弱領域３２１を形成する。
レーザ光３２５には、一般的なＹＡＧのパルスレーザ光を用いることができる。レーザ光３２５にパルスレーザ光を用いると、分割予定線Ｈ１〜Ｈ９、Ｖ１〜Ｖ９に沿って、基板１１０の内部に点状に脆弱領域３２１が形成される。

脆弱領域３２１は、半導体ウエハ３０の裏面３０ｂから距離の異なる複数の位置に設けられてもよい。この場合、先に裏面３０ｂから大きい距離に脆弱領域３２１を設けることが好ましい。もし、裏面３０ｂから小さい距離に脆弱領域３２１を設けた後、裏面３０ｂから大きい距離に脆弱領域３２１を設けると、裏面３０ｂから小さい距離に設けられた脆弱領域３２１により擾乱を受けて、レーザ光３２５の集光が妨げられ、裏面３０ｂから大きい距離に脆弱領域３２１を形成することが難しくなることがある。

（半導体ウエハ切断工程）
次に、半導体ウエハ切断工程（図３のステップ２０３）を説明する。
半導体ウエハ切断工程では、脆弱領域３２１を起点として、半導体ウエハ３０を半導体チップ１（発光チップ）に分割する。
図６（ｂ）および（ｃ）により、半導体ウエハ切断工程を説明する。
半導体ウエハ切断工程では、切断（ブレーキング）装置（不図示）が用いられる。ブレーキング装置は、ダイシングテープ３１５に貼り付けられた半導体ウエハ３０およびウエハリング３１６を保持するステージ３１８と、ステージ３１８上の半導体ウエハ３０に押しつけられる（押圧する）ブレード３３１とを備えている。
図６（ｂ）に示すように、脆弱領域３２１が形成された半導体ウエハ３０およびウエハリング３１６が貼り付けられたダイシングテープ３１５は、糊が設けられていない面３１５ｂをブレーキング装置（不図示）のステージ３１８の上面に設定される。
ブレーキング装置のステージ３１８は、リング状のリングステージ３１８ｃと、リングステージ３１８ｃの中央に設けられ、直線状の間隙（隙間）を隔てて配置された２つのサブステージ３１８ａおよび３１８ｂとから構成されている。サブステージ３１８ａ、３１８ｂおよびリングステージ３１８ｃのそれぞれの上面は、一平面内にあるように調整されている。
リングステージ３１８ｃは、ウエハリング３１６を保持する。リングステージ３１８ｃは、ステージ３１８の上面を含む面内において、前後、左右に移動可能であって、さらに中心軸の周りに回転可能となっている。すなわち、ステージ３１８は、ステージ３１８の上面を含む面内において、Ｘ−Ｙ方向に移動し、θ方向に回転する。
よって、リングステージ３１８ｃの移動または回転により、ウエハリング３１６が移動または回転し、ウエハリング３１６とともにダイシングテープ３１５に固定されている半導体ウエハ３０が移動または回転する。

そして、２つのサブステージ３１８ａと３１８ｂとの間隙に、分割予定線Ｈ１〜Ｈ９、Ｖ１〜Ｖ９のいずれかが対応するように半導体ウエハ３０を配置する。図６（ｂ）では、分割予定線Ｈ５が、２つのサブステージ３１８ａと３１８ｂとの間隙に配置されている。
そして、図６（ｂ）に示すように、半導体ウエハ３０の裏面３０ｂに、分割予定線Ｈ１〜Ｈ９、Ｖ１〜Ｖ９のいずれか（図６（ｂ）では分割予定線Ｈ５）に沿うように、ブレード３３１を近づけていく。
ブレード３３１は、例えば先端が６０°のナイフ状の部材であって、高硬度の超鋼またはジルコニアで製作されている。
図６（ｃ）に示すように、半導体ウエハ３０の裏面３０ｂに、ブレード３３１が押し当てられると、半導体ウエハ３０は、２つのサブステージ３１８ａと３１８ｂとの間隙に沈み込んで、脆弱領域３２１を起点として、分割予定線Ｈ１〜Ｈ９、Ｖ１〜Ｖ９のいずれか（図６（ｃ）では分割予定線Ｈ５）に沿って分割される。
他の分割予定線Ｈ１〜Ｈ４、Ｈ６〜Ｈ９、Ｖ１〜Ｖ９のそれぞれに対しても、ステージ３１８を移動させ、上記と同様にして半導体ウエハ３０を分割する。
ダイシングテープ３１５は、分割時（ブレード３３１に押された時）に少し変形する必要があり、ダイシングテープ３１５の引張り強さ（後述する半導体チップ転写工程で詳述する。）が小さいほうが望ましい。具体的には、５０Ｍｐａ以下が望ましく、４０Ｍｐａ以下がさらに望ましい。また、半導体ウエハ３０の分割後、ダイシングテープ３１５は変形した状態からから戻ることが望ましく、最小限の引張り強さが必要である。具体的には、１０ＭＰａ以上、望ましくは２０ＭＰａ以上である。変形した状態から戻らないと次の半導体チップ転写工程において、転写されるテープ（後述する図７（ｃ）、（ｄ）に示す転写テープ３４１）と半導体チップ１（発光チップ）との密着が不均一になり、転写不良が発生しやすくなる。
すべての分割予定線Ｈ１〜Ｈ９、Ｖ１〜Ｖ９に対して分割を行うことで、半導体ウエハ３０は、半導体チップ１（発光チップ）に分割される。

（半導体チップ間距離拡張工程）
次に、半導体チップ間距離拡張工程（図３に示すステップ２０４）について説明する。
図７は、半導体チップ間距離拡張工程および半導体チップ転写工程を説明する図である。
図７（ａ）および（ｂ）により、半導体チップ間距離拡張工程を説明する。半導体チップ間距離拡張工程では、ダイシングテープ３１５を延伸させて（引き伸ばして）、半導体チップ１（発光チップ）相互の間隔を拡張する。
半導体チップ間距離拡張工程では、テープ延伸装置（延伸装置と表記することがある。）（不図示）を用いる。テープ延伸装置は、リング状のリングステージ３３５と、リングステージ３３５に対応して設けられたリング状の固定リング３３６と、押し上げステージ３３７とを備えている。

図７（ａ）に示すように、半導体ウエハ切断工程により分割された半導体チップ１（発光チップ）とウエハリング３１６とがダイシングテープ３１５に貼り付けられた状態で、ダイシングテープ３１５の糊が設けられていない面３１５ｂを、テープ延伸装置のリングステージ３３５の上面に設定される。
そして、固定リング３３６が、ウエハリング３１６を挟み込むように、リングステージ３３５に押し付けられる。すなわち、固定リング３３６とリングステージ３３５とは組となって、ウエハリング３１６を挟み込んで固定する。
一方、押し上げステージ３３７の上面は、半導体ウエハ３０の面積より広く構成されている。
押し上げステージ３３７は、ウエハリング３１６が固定リング３３６とリングステージ３３５とで固定される際には、ダイシングテープ３１５を強く押し付けない位置に設定されている。すなわち、押し上げステージ３３７の上面は、ダイシングテープ３１５の糊が設けられていない面３１５ｂに接していなくともよく、軽く接触していてもよい。
なお、押し上げステージ３３７は、例えばアルミニウム等の金属から構成されていてもよい。また、ガラス等の紫外線に対して透明な材料で構成されていてもよい。

次に、図７（ｂ）に示すように、ウエハリング３１６をリングステージ３３５と固定リング３３６とで固定した状態で、押し上げステージ３３７が、ダイシングテープ３１５を押し上げるように矢印の方向に移動される。すると、ダイシングテープ３１５は、押し上げステージ３３７の動きに対応して延伸される。それにともなって、半導体チップ１（発光チップ）の相互の間に距離Ｗが発生する。
半導体チップ１（発光チップ）間の距離Ｗは、押し上げステージ３３７の押し上げ量によって設定される。また、半導体チップ１（発光チップ）間の距離Ｗは、ダイシングテープ３１５の伸び率、半導体チップ１（発光チップ）の平面形状（大きさ）に依存する。半導体チップ１（発光チップ）間の距離Ｗは、数μｍから数百μｍに設定でき、例えは、半導体チップ１（発光チップ）間の距離Ｗは、５０〜３００μｍになるまで拡張される。
なお、ここでは、押し上げステージ３３７を押し上げてダイシングテープ３１５を延伸したが、ウエハリング３１６を挟み込んで固定したリングステージ３３５および固定リング３３６を押し下げてダイシングテープ３１５を延伸してもよい。
また、ダイシングテープ３１５の延伸を促進するため、押し上げステージ３３７を加熱することが望ましい。加熱温度は、ダイシングテープ３１５の材質によるが、４０〜７０℃が好適である。また、ダイシングテープ３１５の厚さは、延伸の制御性から５０〜２００μｍが望ましい。薄すぎると、ダイシングテープ３１５の破れが発生しやすく、厚い場合は、延伸（伸び）が不均一になりやすい。

図８は、ダイシングテープ３１５が延伸された状態における半導体チップ１（発光チップ）の状態を説明する図である。なお、図８は、図６と同様に、ダイシングテープ３１５の糊が設けられていない面３１５ｂ側から半導体チップ１（発光チップ）を見た図である。すなわち、押し上げステージ３３７を通して見た図である。半導体チップ間距離拡張工程では、ダイシングテープ３１５は均等に延伸されるため、半導体チップ１（発光チップ）間の距離Ｗも均等になっている。

（半導体チップ転写工程）
次に、半導体チップ転写工程（図３に示すステップ２０５）について説明する。
図７（ｃ）および（ｄ）により、半導体チップ転写工程を説明する。半導体チップ転写工程では、延伸されたダイシングテープ３１５上の半導体チップ１（発光チップ）を一括して、第２のテープである転写テープ３４１に移す。このとき、転写テープ３４１は、ダイシングテープ３１５に比べて、引張り強さが大きく、伸び率が小さいものであればよい。よって、ダイシングテープ３１５にＰＶＣを用いた場合、転写テープ３４１としては、ポリエステル系のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリイミド、ナイロン、ポリカーボネートなどの樹脂、金属、ガラス、セラミックスの基材に接着剤（糊）を塗布したテープ（シート）などを用いることができる。
なお、ここで伸び率が小さいとは、ＪＩＳ−Ｃ−２１５１、ＪＩＳ−Ｃ−２３１８に規定されている引張り強さ（破断強度）が大きいことをいう。例えば、破断強度は、ダイシングテープ３１５に用いられる軟質ポリ塩化ビニルが３０〜４０ＭＰａであるのに対し、二軸延伸ポリエステル２１０ＭＰａ、二軸延伸ＰＰＳ２００ＭＰａ、ポリイミド１７０ＭＰａ、二軸延伸ナイロン２４０ＭＰａ、無延伸ナイロン１００ＭＰａ、ポリカーボネート１００ＭＰａである。
なお、第１のテープであるダイシングテープ３１５の引張り強さ（破断強度）は５０ＭＰａ以下であって、第２のテープである転写テープ３４１の引張り強さ（破断強度）は８０ＭＰａ以上が好ましい。

半導体チップ転写工程では、半導体チップ間距離拡張工程にて用いたテープ延伸装置を引き続いて用いる。すなわち、半導体チップ間距離拡張工程にて、ダイシングテープ３１５を延伸した状態を保持したまま、半導体チップ転写工程を行う。ダイシングテープ３１５は張力がかかった状態が保持されている。

まず、図７（ｃ）に示すように、一方の面に接着剤（糊）が設けられた転写テープ３４１を、糊が設けられた面を半導体チップ１（発光チップ）に接触させ、半導体チップ１（発光チップ）の裏面（基板１１０側）と転写テープ３４１とが接着される。
このとき、転写テープ３４１と半導体チップ１（発光チップ）との間に空気の泡（気泡）が発生しないように、半導体ウエハ３０の一端に配置された半導体チップ１（発光チップ）から、気泡を除去しつつ、転写テープ３４１を徐々に接着させていくのが好ましい。

次に、図７（ｄ）に示すように、転写テープ３４１を剥がすとともに、半導体チップ１（発光チップ）を転写テープ３４１に転写する。このときも、半導体ウエハ３０の一端に配置された半導体チップ１（発光チップ）の側から、徐々に転写テープ３４１を剥がしていくのが好ましい。

半導体チップ転写工程において、ダイシングテープ３１５から転写テープ３４１に半導体チップ１（発光チップ）が転写されるためには、転写テープ３４１に設けられた接着剤（糊）の粘着力が、ダイシングテープ３１５に設けられた接着剤（糊）の粘着力より大きいことが必要になる。
これには、ダイシングテープ３１５に設けられた接着剤（糊）と転写テープ３４１に設けられた接着剤（糊）とに、粘着力の異なる２種類の糊を用いればよい。
また、ダイシングテープ３１５に設けられた糊を紫外線（ＵＶ光）照射により粘着力が低下する接着剤（糊）とし、転写テープ３４１を剥がす前に、転写テープ３４１側から紫外線を照射することで、ダイシングテープ３１５に設けられた糊の粘着力を低下させてもよい。本実施の形態では、半導体チップ１（発光チップ）の基板１１０はサファイアとしているので、紫外線が基板１１０および半導体素子２００を透過して、ダイシングテープ３１５に設けられた糊に照射される。
なお、半導体チップ１（発光チップ）の基板１１０が紫外線を透過しない材料で構成されているときは、押し上げステージ３３７を紫外線が透過する材料で構成し、押し上げステージ３３７側から紫外線を照射してもよい。また、ダイシングテープ３１５に紫外線を導波させて、紫外線を照射してもよい。
一方、加温によりダイシングテープ３１５の糊の粘着力を低下させることもできる。例えば、ステージ３３７から熱を加えてダイシングテープ３１５の糊の粘着力を低下させてもよい。また、加熱と紫外線照射との併用も可能である。

本実施の形態では、半導体チップ間距離拡張工程における半導体チップ１（発光チップ）間の距離Ｗが均等な状態を保持して、半導体チップ１（発光チップ）を転写テープ３４１上に転写させているので、転写テープ３４１上においても、半導体チップ１（発光チップ）間の距離Ｗが均等な状態で維持される。

なお、押し上げステージ３３７（図７（ａ）参照）の上面に、取り外し可能なキャップ状の部材を配置し、延伸したダイシングテープ３１５の周囲をリング状の部材等でキャップ状の部材に固定することも行われている。この場合は、キャップ状の部材とともに延伸したダイシングテープ３１５を、テープ延伸装置から取り外す。しかし、ダイシングテープ３１５は伸びやすいので、ダイシングテープ３１５をリング状の部材でキャップ状の部材に固定する際に、ダイシングテープ３１５の一部が伸びて、半導体チップ１（発光チップ）間の距離Ｗに乱れが生じてしまう。このため、転写テープ３４１に転写した半導体チップ１（発光チップ）間の距離Ｗも乱れてしまう。
また、引用文献１に記載されたダイシングテープ３１５の周囲を互いに嵌合する２つのリング状の部材で固定する方法では、ダイシングテープ３１５の糊が設けられていない面３１５ｂが本実施の形態と異なり、押し上げステージ３３７等によって固定されていないので、転写テープ３４１に転写する際に、ダイシングテープ３１５の一部が伸びて半導体チップ１（発光チップ）間の距離Ｗが乱れが生じてしまう。このため、転写テープ３４１に転写した半導体チップ１（発光チップ）間の距離Ｗも乱れてしまう。
転写テープ３４１は、ダイシングテープ３１５に比べて、引張り強さが大きく、伸び率が小さいので、転写後の作業による変形が少なく、半導体チップ１（発光チップ）間の距離Ｗに乱れが生じない。一方、転写テープ３４１に伸び率の大きいＰＶＣ等を使用すると、取り外し作業、実装装置への装着作業などで、半導体チップ１（発光チップ）間の距離Ｗの乱れが発生しやすく、作業効率が著しく低下する。

（半導体チップ実装工程）
次に、半導体チップ１（発光チップ）の実装工程を説明する。
図９は、半導体チップ実装工程（図３のステップ２０６）を説明する図である。
ここでは、複数の半導体チップ１（発光チップ）を同時に取り上げて（ピックアップして）、回路基板５００またはパッケージに実装する。
図９（ａ）は、転写テープ３４１上に配列されている半導体チップ１（発光チップ）を、取り上げ（ピックアップ）部材であるコレット３５１によりピックアップする状態を説明する断面図である。コレット３５１は、凹部の周辺部で半導体チップ１（発光チップ）に接触するヘッド部３５１ａと、ヘッド部３５１ａの凹部に接続される管状のパイプ部３５１ｂと、複数のパイプ部３５１ｂを結合して真空ポンプに接続されるパイプ状の接続部３５１ｃとを備えている。すなわち、ヘッド部３５１ａの凹部は、接続部３５１ｃ、パイプ部３５１ｂを介して、真空ポンプにより減圧されるようになっている。

コレット３５１を下降（図９（ａ）の下方向に移動）させ、ヘッド部３５１ａ（の凹部の周辺部）を半導体チップ１（発光チップ）の周辺部に接触させる。そして、真空ポンプによりコレット３５１の内部を減圧すると、半導体チップ１（発光チップ）がヘッド部３５１ａに吸着される。
図９（ａ）で示すコレット３５１は、４個の半導体チップ１（発光チップ）を同時にピックアップできるように、半導体チップ１（発光チップ）と接触するヘッド部３５１ａが４個並列に設けられている。

図９（ｂ）に示すように、コレット３５１を上昇（図９（ｂ）の上方向に移動）させると、４個の半導体チップ１（発光チップ）を一括して（同時に）ピックアップできる。

次に、図９（ｃ）に示すように、コレット３５１とともに４個の半導体チップ１（発光チップ）を移動させ、半導体チップ１（発光チップ）に給電のための配線が設けられた回路基板５００上のダイボンド材（接着剤、銀ペーストなど）が塗布された所定の場所に配置する。そして、コレット３５１の内部を大気圧にして、４個の半導体チップ１（発光チップ）をヘッド部３５１ａから外す。

そして、図９（ｄ）に示すように、回路基板５００に配置された４個の半導体チップ１（発光チップ）は、例えばｐ電極１９０ａとｎ電極１９０ｂとがボンディングワイヤ５０１により直列接続されるとともに、回路基板５００上に設けられた配線パタンにボンディングワイヤ５０１を介して接続され、半導体部品として使用される。
また、それぞれの半導体チップ１（発光チップ）のｐ電極１９０ａおよびｎ電極１９０ｂと、回路基板５００の配線パタンとを直接配線することもできる。

本実施の形態では、転写テープ３４１上の半導体チップ１（発光チップ）は等間隔で配置されているので、複数のヘッド部３５１ａを備えるコレット３５１を使用することにより、複数の半導体チップ１（発光チップ）を一括してピックアップし、同時に回路基板５００またはパッケージ上に配置（実装）することができる。
なお、本実施の形態では、転写テープ３４１上の半導体チップ１（発光チップ）は等間隔で配置されているので、転写テープ３４１上の半導体チップ１（発光チップ）の位置とコレット３５１との相対的な位置関係を一度設定すれば、半導体チップ１（発光チップ）の取り上げ（ピックアップ）において、転写テープ３４１上の半導体チップ１（発光チップ）の位置とコレット３５１との相対的な位置関係を設定し直すことを要しない。

以上の説明において、コレット３５１は４個のヘッド部３５１ａが並列に設けられているとしたが、４個以上であってもよく、図９の紙面に対して垂直な方向にさらに複数のヘッド部３５１ａが並んでいてもよい。
また、図９では、コレット３５１の複数のヘッド部３５１ａは、接続部３５１ｃに接続され、コレット３５１の内部が一括して減圧されるとしたが、ヘッド部３５１ａ毎に減圧が制御されてもよい。

図１０は、複数のヘッド部３５１ａを備えたコレット３５１を説明する図である。
図１０（ａ）は、９個のヘッド部３５１ａが３×３にマトリクス状に配列され、隣接する３×３の半導体チップ１（発光チップ）を同時にピックアップすることができるコレット３５１を示している。図１０（ｂ）は、９個のヘッド部３５１ａが半導体チップ１（発光チップ）の配列に対して一つ置きに設けられたコレット３５１を示している。図１０（ａ）、（ｂ）では、コレット３５１は、ヘッド部３５１ａとパイプ部３５１ｂとを示している。図９（ａ）に示すように、すべてのパイプ部３５１ｂを接続した接続部３５１ｃを設け、真空ポンプに接続してもよく、個別に減圧できるようにしてもよい。
図１０（ｂ）に示すコレット３５１は、半導体チップ１（発光チップ）間の距離Ｗが狭く、図１０（ａ）に示すように、コレット３５１のヘッド部３５１ａを半導体チップ１（発光チップ）の配列に一致させて設けることができない場合に用いることができる。

本実施の形態では、実装工程においてワイヤボンドを用いたが、半導体チップ１（発光チップ）がフリップチップである場合でも、複数個の半導体チップ１（発光チップ）の同時実装が可能である。フリップチップでは、ｐ電極１９０ａおよびｎ電極１９０ｂが下側（コレット３５１と反対側）にあり、回路基板５００またはパッケージ等に形成された金バンプ、半田バンプ等の接続部と半導体チップ１（発光チップ）のｐ電極１９０ａおよびｎ電極１９０ｂとを接触させることで、半導体チップ１（発光チップ）の固定と、半導体チップ１（発光チップ）と回路基板５００またはパッケージ等の配線パタンとの接続とを同時に行うことができ、工程を簡略化できる。前述したバンプは、半導体チップ１（発光チップ）側に形成してもよい。フリップチップの実装では、半導体チップ１（発光チップ）のｐ電極１９０ａおよびｎ電極１９０ｂと、回路基板５００またはパッケージ等の配線パタンとの位置合わせ精度が重要であり、時間がかかる。本実施の形態では、半導体チップ１（発光チップ）間の距離Ｗが一定であって、複数個の半導体チップ１（発光チップ）が一括して（同時に）実装できるので望ましい。

本実施の形態では、ダイシング装置を、基板１１０の内部に焦点を設定したレーザ光３２５により脆弱領域３２１を形成するステルスダイシング装置として説明した。しかし、ダイヤモンド等の先端により半導体ウエハ３０の表面に傷を形成するスクライブ方式のダイシング装置であってもよく、円板状のダイシングソーを回転させて半導体ウエハ３０に溝を形成する方式のダイシング装置であってもよい。なお、ダイシングソーにより、溝の形成にとどまらず半導体ウエハ３０を切断する方式の場合には、ブレーキング装置による半導体ウエハ切断工程が不要となる。
また、本実施の形態では、ブレーキング装置として、ブレード３３１を半導体ウエハ３０に押圧する方式のブレーキング装置を説明した。ブレーキング装置としては、ローラを押し当てる方式のブレーキング装置であってもよい。

１…半導体チップ、３０…半導体ウエハ、１００…積層半導体層、１１０…基板、１２０…中間層、１３０…下地層、１４０…ｎ型半導体層、１５０…発光層、１６０…ｐ型半導体層、１７０…透明正極、１８０…保護層、１９０ａ…ｐ電極、１９０ｂ…ｎ電極、２００…半導体素子、３１５…ダイシングテープ、３１７、３１８、３３７…ステージ、３４１…転写テープ、３５１…コレット、５００…回路基板、Ｈ１〜Ｈ９、Ｖ１〜Ｖ９…分割予定線

Claims (14)

1. 基板上に半導体素子が形成された半導体ウエハを第１のテープに貼り付け、前記半導体ウエハに設定された分割予定線に沿って複数の半導体チップに分割する分割工程と、
   前記第１のテープを延伸することにより、前記複数の半導体チップのそれぞれの半導体チップの間の距離を拡張する拡張工程と、
   前記複数の半導体チップのそれぞれの半導体チップの間の距離が拡張された状態において、当該複数の半導体チップを、前記第１のテープから、当該第１のテープに比べ引張り強さが大きい第２のテープに転写する転写工程と
   を含む半導体チップの製造方法。
2. 前記転写工程は、前記拡張工程において前記第１のテープを延伸するために当該第１のテープに加えられた張力を保持した状態で行われることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップの製造方法。
3. 前記転写工程は、前記拡張工程に用いられた前記第１のテープを延伸する延伸装置から、前記複数の半導体チップのそれぞれの半導体チップの間の距離を拡張した当該第１のテープを取り外すことなく、当該半導体チップの間の距離を拡張した状態を保持して行われることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体チップの製造方法。
4. 前記第１のテープは引張り強さが１０ＭＰａ以上且つ５０ＭＰａ以下であって、前記第２のテープは引張り強さが８０ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体チップの製造方法。
5. 前記第１のテープはポリ塩化ビニルまたはポリオレフィンのいずれか一方で構成され、前記第２のテープはポリエステルで構成されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の半導体チップの製造方法。
6. 前記転写工程は、前記第１のテープの前記複数の半導体チップを貼り付ける面に設けられた接着剤の粘着力を低下させる工程を含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の半導体チップの製造方法。
7. 前記第１のテープの前記接着剤の粘着力を低下させる工程は、加温または紫外線照射を含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体チップの製造方法。
8. 前記第１のテープの前記接着剤の粘着力を低下させる工程は、当該第１のテープを構成する基材の内部に紫外線を透過させることを含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体チップの製造方法。
9. 前記分割工程は、前記半導体ウエハの前記基板の内部に集光されたレーザ光の照射によって、当該基板の内部に当該レーザ光が照射されない領域に比べて脆弱な領域を形成する脆弱領域形成工程と、当該脆弱な領域が起点となるように当該半導体ウエハにブレードを押圧することにより当該半導体ウエハを切断する切断工程とを含むことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の半導体チップの製造方法。
10. 前記基板は、紫外光を透過することを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の半導体チップの製造方法。
11. 前記基板は、サファイアで構成されていることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の半導体チップの製造方法。
12. 前記複数の半導体チップのそれぞれの半導体チップは、フリップチップであることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の半導体チップの製造方法。
13. 前記半導体素子は、発光素子または受光素子であることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の半導体チップの製造方法。
14. 基板上に半導体素子が形成された半導体ウエハを第１のテープに貼り付け、当該半導体ウエハに設定された分割予定線に沿って複数の半導体チップに分割する分割工程と、当該第１のテープを延伸することにより、当該複数の半導体チップのそれぞれの半導体チップの間の距離を拡張する拡張工程と、当該複数の半導体チップのそれぞれの半導体チップの間の距離が拡張された状態において、当該複数の半導体チップを、当該第１のテープから、当該第１のテープに比べ引張り強さが大きい第２のテープに転写する転写工程を含む工程により製造された当該複数の半導体チップから、予め定められた複数個の半導体チップを取り上げ、当該複数個の半導体チップを実装する半導体チップの実装方法。

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