CN114335260A - 一种led芯片转移方法、转移基板制备方法及显示器件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种LED芯片转移方法、转移基板制备方法及显示器件，属于LED显示领域。LED芯片转移方法，包括如下步骤：获取或制备承接板，在承接板上设置有LED芯片；获取或制备转移基板，将转移基板上的凸起与设置在承接板上的LED芯片贴合；将LED芯片从承接板上剥离，剥离后的LED芯片转移到凸起上；获取或制备转移头，将转移头上的凸台与转移到凸起上的LED芯片贴合，并将LED芯片转移到凸台上；将转移基板与转移头分离，LED芯片与凸起分离，并转移到转移头上。本发明提供的LED芯片转移方法，简化了LED芯片的转移步骤，提高了LED芯片的转移效率，从而降低了LED芯片的转移成本。

Description

一种LED芯片转移方法、转移基板制备方法及显示器件

技术领域

本发明涉及LED显示领域，尤其涉及一种LED芯片转移方法、转移基板制备方法及显示器件。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)由于其具有良好的稳定性，寿命长，以及具有低功耗、色彩饱和度高、反应速度快、对比度强等优点,故其被广泛地应用于显示器件中。而在LED显示器件的生产过程中，需要将已点亮的LED晶体薄膜无需封装直接搬运到显示背板上，在MiS3ro LED的生产上，要把数百万甚至数千万颗微米级的LED芯片正确且有效率的移动到显示背板上，这个过程被称为巨量转移。

在现有技术中，在通过巨量转移将微型LED芯片转移到显示背板上时，不仅需要消耗大量材料，而且还会额外增加转移成本，导致显示设备的生产成本较高。

因此，如何提供一种低成本转移方式是亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种LED芯片转移方法、转移基板制备方法及显示器件。

本发明提供如下技术方案：一种LED芯片转移方法，包括如下步骤：

S1，获取或制备承接板，在承接板上设置有LED芯片；

S2，获取或制备转移基板，将转移基板上的凸起与设置在承接板上的LED芯片贴合；

S3，将LED芯片从承接板上剥离，剥离后的LED芯片转移到凸起上；

S4，获取或制备转移头，将转移头上的凸台与转移到凸起上的LED芯片贴合，并将LED芯片转移到凸台上；

S5，将转移基板与转移头分离，LED芯片与凸起分离，并转移到转移头上；

S6，获取或制备转移头接收基板，转移头上的LED芯片电极与接收基板电极对准键合，转移头分离，完成LED芯片的转移。

在本发明的一些实施例中，在步骤S1中，所述承接板包括层叠的支撑层和释放层，所述LED芯片为多个，每一个所述LED芯片相间隔的设置在所述释放层远离所述支撑层的一侧。

进一步地，在步骤S2中，所述转移基板包括基板本体，沿所述基板本体厚度方向上的一侧设有多个相间隔的所述凸起。

进一步地，所述凸起远离所述转移基板的一侧到所述转移基板的垂直距离与所述凸起的宽度之间的比值不大于0.8。

进一步地，每一个所述凸起远离所述基板本体的一侧设有凹槽；

每一个所述凸起与任意相邻的两个所述凸起之间间隔，且任意相邻的两个所述凸起之间的间距不大于所述LED芯片的宽度。

进一步地，在步骤S3中，所述LED芯片在所述承接板所在平面的正投影至少覆盖一个所述凸起，且所述LED芯片在所述承接板所在平面的正投影还至少部分覆盖一个凸起。

进一步地，在步骤S4中，所述凸台为多个，多个所述凸台相间隔的设置在所述转移头的厚度方向上的一侧。

进一步地，在步骤S4中，所述凸台在所述LED芯片所在平面的正投影与所述LED的重叠区域大于所述凸起在所述LED芯片所在平面的正投影与所述LED的重叠区域。

进一步地，在步骤S5中，所述凸台与所述LED芯片之间的粘附力大于所述凸起与所述LED芯片之间的粘附力。

本发明的一些实施例还提供一种转移基板制备方法，包括如下步骤：

a，获取或制备转移基板模具；

b，获取PDMS溶剂，将PDMS溶剂与固化剂按照预设比值均匀混合，通过脱气处理，以形成PDMS混合溶剂；

c，将脱气处理后的PDMS混合溶剂倒入转移基板模具中，并放入烤箱烘烤定型；

d，待转移基板模具冷却后，切割转移基板磨具的基底，剥离PDMS转移头；

e，将剥离后的PDMS转移头玻璃键合形成所述的转移基板。

进一步地，在步骤b中，所述预设比值为1:8～12。

进一步地，所述预设比值为1:10。

本发明的一些实施例还提供一种显示器件，包括LED芯片和显示面板；

所述LED芯片通过所述的LED芯片转移方法设置在所述显示面板上。

本发明的实施例具有如下优点：通过选择性的将承接板上的LED芯片剥离，由转移基板上的凸起与LED芯片键合，使得LED芯片粘附在凸起上，并将转移头上的凸台与粘附在凸起上的LED芯片接触，通过凸台与LED芯片粘附，并将LED芯片与凸起分离，以实现对LED芯片的转移，通过转移头的粘附作用转移LED芯片，简化了LED芯片的转移步骤，提高了LED芯片的转移效率，从而降低了LED芯片的转移成本。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显和易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，做详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1示出了本发明的一些实施例提供的一种LED芯片转移方法的流程图；

图2示出了本发明的一些实施例提供的一种LED芯片转移方法的第一实施方式的一视角的结构示意图；

图3示出了图2中A-A部的剖视图；

图4示出了本发明的一些实施例提供的一种LED芯片转移方法的第二实施方式的一视角的结构示意图；

图5示出了本发明的一些实施例提供的一种LED芯片转移方法的第三实施方式的一视角的结构示意图；

图6示出了本发明的一些实施例提供的一种LED芯片转移方法的第四实施方式的一视角的结构示意图；

图7示出了本发明的一些实施例提供的一种转移基板制备方法的流程图。

主要元件符号说明：

100-承接板；110-支撑层；120-释放层；200-LED芯片；300-转移基板；310-基板本体；320-凸起；321-凹槽；400-转移头；410-凸台。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在模板的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1和图2所示，本发明的一些实施例提供一种LED芯片转移方法，主要应用于LED芯片的转移。LED芯片转移方法包括如下步骤：

S1，获取或制备承接板，在承接板上设置有LED芯片。

具体的，通过所述承接板100将LED芯片200进行固定，且LED芯片200层叠在所述承接板100上。

需要说明的是，所述LED芯片200的数量可以是大于数值二的任意数值的个数，可根据实际情况具体设定。

S2，获取或制备转移基板，将转移基板上的凸起与设置在承接板上的LED芯片贴合。

具体的，通过su-8光刻胶制备硅烷化模具，以形成su-8模具。

其次，将PDMS(PolydimethylsiloxS1ne，聚二甲基硅氧烷)与固化剂按照预设比例均匀混合。

需要说明的是，在PDMS和固化剂均匀混合的过程中，由于PDMS与固化剂强烈混合的作用，会出现大量的气泡，使用离心机或干燥器和真空泵来去除气泡，以形成PDMS溶剂。

然后，将PDMS溶剂倒入在先硅烷化处理的su-8模具中，并将盛有PDMS溶剂的su-8模具进行烘烤，待PDMS溶剂中的水分蒸发完成后，固化形成PDMS板。

最后，待su-8模具和固化成型后的PDMS板冷却后，将成型后的PDMS板从su-8模具中剥离，形成具有凸起320的转移基板300。

另外，将转移基板300与承接板100平行设置，同时将转移基板300上的凸起320朝向承接板100上粘附有LED芯片200的一侧，并使凸起320与LED芯片200键合。

S3，将LED芯片从承接板上剥离，剥离后的LED芯片转移到凸起上。

具体的，如图4所示，通过激光将LED芯片200从承接板100上剥离，剥离后的LED芯片200粘附在凸起320上，并通过转移基板300将从承接板100上剥离后的LED芯片200进行转移。

需要说明的是，可通过激光选择性的对粘附在承接板100上的LED芯片200进行剥离。

另外，对LED芯片200剥离的位置和数量均可根据实际情况具体确定。

S4，获取或制备转移头，将转移头上的凸台与转移到凸起上的LED芯片贴合，并将LED芯片转移到凸台上。

如图5所示，在本发明的一些实施例中，所述转移头400和凸台410的材质均为PDMS材质。具体的，沿转移头400厚度方向上的一侧设有凸台410，且所述凸台410为多个。通过凸台410与凸起320上的LED芯片200贴合，将转移基板300上的LED芯片200与凸台410粘附，并将凸起320上的LED芯片200与凸起320分离。

其中，每一个凸台410在所述LED芯片200所在平面的正投影覆盖于一个所述LED芯片200。

需要说明的是，凸台410对LED芯片200的粘附力大于凸起320对LED芯片200的粘附力。

另外，还可通过增大LED芯片200与凸台410的接触面积，以提高凸台410对LED芯片200的粘附力，从而提高对LED芯片200的转移效率。

S5，将转移基板与转移头分离，LED芯片与凸起分离，并转移到转移头上。

具体的，如图5和图6所示，当凸台410与位于转移基板300上的LED芯片200粘附时，转移基板300上的凸起320对LED芯片200的粘附力小于所述转移头400上的凸台410对LED芯片200的粘附力。

S6，获取或制备转移头接收基板，转移头上的LED芯片电极与接收基板电极对准键合，转移头分离，完成LED芯片的转移。

具体的，获取或制备转移头接收基板，并将转移头上的LED芯片电极与接收基板电极对准键合，当转移基板300与转移头400分离时，LED芯片200与凸起320分离，位于转移基板300上的LED芯片200的电极与接收基板电极对准键合，以完成LED芯片200的转移。

在本发明的一些实施例中，所述转移基板300和所述凸起320的材质均为PDMS材质。

需要说明的是，聚二甲基硅氧烷的化学状态二甲基硅油，根据相对分子质量的不同，外观由无色透明的挥发性液体至极高黏度的液体或硅胶，无味，透明度高，具有耐热性、耐寒性、黏度随温度变化小、防水性、表面张力小、具有导热性，透光性为透光率100％，二甲基硅油无毒无味，具有生理惰性、良好的化学稳定性。

另外，选择性剥离转移用于对一种颜色进行转移，通过重复步骤S1至S5以实现对另外两种颜色的转移，从而完成巨量转移，以实现全彩化。

如图2和图3所示，在本发明的一些实施例中，在所述步骤S1中，所述承接板100包括层叠的支撑层110和释放层120，所述LED芯片200为多个，且每一个所述LED芯片200相间隔的粘附在所述释放层120远离所述支撑层110的一侧。

具体的，每一个所述LED芯片200层叠在所述释放层120远离所述支撑层110的一侧，并通过释放层120将LED芯片200进行固定。其中，所述LED芯片200的数量可根据实际情况具体设定。

另外，在本发明的一些实施例中，可根据实际情况对支撑板上的LED芯片200选择性剥离。

具体的，被选择性剥离的芯片中释放层120被分解与支撑层110失去黏性，LED芯片200与转移基板300上的凸起320粘附，而未被剥离的LED芯片200粘附力大于转移基板300的粘附力。

其中，未被剥离的LED芯片200仍然粘附在释放层120远离所述支撑层110的一侧，被剥离的LED芯片200则粘附在转移基板300的凸起320上，通过多个凸起320结构粘附一个LED芯片200，以提高LED芯片200在凸起320上粘附的稳定性。

需要说明的是，由于激光剥离的瞬间高温也会减弱PDMS的粘附力，但并不足以完全削弱PDMS转移凸起320结构的粘附力，在这一方面也为转移基板300对LED芯片200提供了更高的转移效率。

如图2和图3所示，在本发明的一些实施例中，在所述步骤S2中，所述转移基板300包括基板本体310，沿所述基板本体310厚度方向上的一侧设有多个相间隔的所述凸起320，所述凸起320为粘性材料，并通过凸起320对LED芯片200进行粘附或转移，以提高转移基板300对LED芯片200的转移效率。

其中，由于PDMS为柔性材料，为了提高凸起320在基板本体310上的稳定性，所述凸起320远离所述转移基板300的一侧到所述转移基板300的垂直距离与所述凸起320的宽度之间的比值不大于0.8。

可以理解的是，所述凸起320远离所述转移基板300的一侧到所述转移基板300的垂直距离与所述凸起320的宽度之间的比值等于0.8。或所述凸起320远离所述转移基板300的一侧到所述转移基板300的垂直距离与所述凸起320的宽度之间的比值小于0.8。可根据实际情况具体设定。

通过降低凸起320的高度与凸起320的宽度之间的比值，防止凸起320在基板本体310上发生偏移，从而提高凸起320在基板本体310上的稳定性。

需要说明的是，所述凸起320的高度是指凸起320远离所述转移基板300的一侧到所述转移基板300的垂直距离。所述凸起320的宽度是指，沿垂直于凸起320轴线方向上，凸起320相对的两侧之间的垂直距离。

如图3和图5所示，在本发明的一些实施例中，为了提高LED芯片200的转移效率，在每一个所述凸起320远离所述基板本体310的一侧设有凹槽321。

需要说明的是，通过在凸起320远离所述基板本体310的一侧设置凹槽321，减少凸起320与LED芯片200的接触面积，以降低凸起320对LED芯片200的粘附力，从而使得转移头400上的凸台410更容易将LED芯片200从转移基板300上进行转移。

其中，凸起320的形状可以是圆柱形、多棱柱形或锥形的任意一种，可根据实际情况具体设定。

另外，在本发明的一些实施例中，为了提高LED芯片200在凸起320上粘结的稳定性，每一个所述凸起320与任意相邻的两个所述凸起320之间的距离相等，任意相邻的两个所述凸起320之间的间距不大于所述LED芯片200的宽度。

需要说明的是，任意相邻的两个凸起320之间的间距是指，相邻的两个凸起320中，其中一个凸起320靠近另一个凸起320的一侧到另一个凸起320的垂直距离。

其中，所述芯片的宽度是指垂直于LED芯片200厚度方向上，LED芯片200相对的两侧之间的垂直距离。

如图3和图4所示，在本发明的一些实施例中，为了提高LED芯片200在凸位上的稳定性，在步骤S3中，所述LED芯片200在所述承接板100所在平面的正投影至少覆盖一个所述凸起320，且所述LED芯片200在所述承接板100所在平面的正投影还至少部分覆盖一个凸起320。

可以理解的是，LED芯片200在所述承接板100所在平面的正投影可以覆盖一个、两个或两个以上任意数值的凸起320，可根据实际情况而定。

另外，LED芯片200在所述承接板100所在平面的正投影至少部分覆盖凸起320的数量可以是一个、两个或两个以上任意数值的个数，可根据实际情况而定。

需要说明的是，在本发明的一些实施例中，多个凸起320通过阵列的方式排列在所述承接板100上，且任意相邻的两个所述凸起320之间的间距相等，以提高LED芯片200粘附在凸台410上的稳定性。

如图5和图6所示，在本发明的一些实施例中，为了提高对LED芯片200的转移效率，在步骤S4中，所述凸台410为多个，多个所述凸台410相间隔的设置在所述转移头400的厚度方向上的一侧，且所述凸台410为粘性材质。

其中，凸台410的数量可以是大于数值二的任意数值的个数，可根据实际情况具体设定。

另外，多个所述凸台410在转移头400上的排列方式可以是线性排列、阵列或异形排列中的任意一种，可根据实际情况具体限定。

在本发明的一些实施例中，多个所述凸台410在所述转移头400上的排列方式为阵列，以提高转移头400对LED芯片200的转移效率。

具体的，所述凸台410为粘性材质。在本发明的一些实施例中，所述凸台410的材质为PDMS材质。

如图5所示，在本发明的一些实施例中，为了提高凸台410对LED芯片200的粘附力，在步骤S4中，所述凸台410在所述LED芯片200所在平面的正投影与所述LED的重叠区域大于所述凸起320在所述LED芯片200所在平面的正投影与所述LED的重叠区域。

可以理解的是，凸台410与LED芯片200的接触面积大于凸起320与LED芯片200的接触面积。当单位面积的凸台410和单位面积的凸起320对LED芯片200的粘附力相同时，通过增大凸台410与LED芯片200的接触面积，以提高凸台410对LED芯片200的粘附力。

在本发明的一些实施例中，为了提高凸台410对LED芯片200的转移效率，在步骤S5中，所述凸台410与所述LED芯片200之间的粘附力大于所述凸起320与所述LED芯片200之间的粘附力。

其中，凸台410和凸起320均为具有粘性的材质，所述凸起320和所述凸台410的材质均为PDMS材质。由于凸台410与凸起320的材质相同，可通过调节凸台410和凸起320分别与LED芯片200的接触面积，以控制凸台410和凸起320对LED芯片200的粘附力，从而提高转移头400对LED芯片200的转移效率。

如图7所示，本发明的一些实施例还提供一种转移基板制备方法，包括如下步骤：

步骤a，获取或制备转移基板模具。

具体的，通过su-8光刻胶制备硅烷化模具，以形成转移基板模具。

需要说明的是，su-8光刻胶是一种环氧型的、近紫外光负光刻胶，基于环氧su-8树脂。

步骤b，获取PDMS溶剂，将PDMS溶剂与固化剂按照预设比值均匀混合，通过脱气处理，以形成PDMS混合溶剂。

具体的，由于强烈混合的作用，在制备PDMS混合溶剂的过程中，会出现大量的气泡。为了提高转移基板的质量，在本发明中，通过离心机或干燥器和真空泵来去除气泡。

步骤c，将脱气处理后的PDMS混合溶剂倒入转移基板模具中，并放入烤箱烘烤定型。

具体的，烘烤温度和烘烤时间可根据实际情况具体设定。

步骤d，待转移基板模具冷却后，切割转移基板磨具的基底，剥离PDMS转移头。

其中，冷却是指转移基板模具的温度不大于24℃。另外，切割转移基板的方式可根据实际情况具体确定，并将PDMS转移头从转移基板模具上剥离。

步骤e，将剥离后的PDMS转移头玻璃键合形成上述任意一项实施例中所述的转移基板。

具体的，玻璃键合指通过机械或化学方法将硅(单晶、多晶、多孔)与玻璃进行粘合后形成的层合材料。即通过机械或化学方法将剥离后的PDMS转移头与玻璃进行黏合后形成转移基板。

其中，在步骤b中，所述预设比值为1:8～12。可以理解的是，PDMS溶剂与固化剂之间的重量比可以是1:8、1:9、1:10、1:11、1:12中的任意比例，可根据实际情况具体设定。

为了提高转移基板的制备质量，所述预设比值为1:10，以提高PDMS溶剂与固化剂之间混合的均匀性，从而提高转移基板的制备质量。

需要说明的是，在本发明的一些实施例中，所述PDMS与固化剂的预设比值是指，PDMS与固化剂之间的重量比。

另外，本发明的一些实施例还提供一种显示器件，包括LED芯片200和显示面板；

需要说明的是，所述LED芯片200为多个，每一个所述LED芯片200通过上述任意一项实施例中所述的LED芯片转移方法安装在所述显示面板上。

在这里示出和描述的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制，因此，示例性实施例的其他示例可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种LED芯片转移方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，获取或制备承接板，在承接板上设置有LED芯片；

S2，获取或制备转移基板，将转移基板上的凸起与设置在承接板上的LED芯片贴合；

S3，将LED芯片从承接板上剥离，剥离后的LED芯片转移到凸起上；

S4，获取或制备转移头，将转移头上的凸台与转移到凸起上的LED芯片贴合，并将LED芯片转移到凸台上；

S5，将转移基板与转移头分离，LED芯片与凸起分离，并转移到转移头上；

S6，获取或制备转移头接收基板，转移头上的LED芯片电极与接收基板电极对准键合，转移头分离，完成LED芯片的转移。

2.根据权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，在步骤S1中，所述承接板包括层叠的支撑层和释放层，所述LED芯片为多个，每一个所述LED芯片相间隔的设置在所述释放层远离所述支撑层的一侧。

3.根据权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，在步骤S2中，所述转移基板包括基板本体，沿所述基板本体厚度方向上的一侧设有多个相间隔的所述凸起。

4.根据权利要求3所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述凸起远离所述转移基板的一侧到所述转移基板的垂直距离与所述凸起的宽度之间的比值不大于0.8。

5.根据权利要求3所述的LED芯片转移方法，其特征在于，每一个所述凸起远离所述基板本体的一侧设有凹槽；

每一个所述凸起与任意相邻的两个所述凸起之间间隔，且任意相邻的两个所述凸起之间的间距不大于所述LED芯片的宽度。

6.根据权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，在步骤S3中，所述LED芯片在所述承接板所在平面的正投影至少覆盖一个所述凸起，且所述LED芯片在所述承接板所在平面的正投影还至少部分覆盖一个凸起。

7.根据权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，在步骤S4中，所述凸台为多个，多个所述凸台相间隔的设置在所述转移头的厚度方向上的一侧。

8.根据权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，在步骤S4中，所述凸台在所述LED芯片所在平面的正投影与所述LED的重叠区域大于所述凸起在所述LED芯片所在平面的正投影与所述LED的重叠区域。

9.根据权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，在步骤S5中，所述凸台与所述LED芯片之间的粘附力大于所述凸起与所述LED芯片之间的粘附力。

10.一种转移基板制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

a，获取或制备转移基板模具；

b，获取PDMS溶剂，将PDMS溶剂与固化剂按照预设比值均匀混合，通过脱气处理，以形成PDMS混合溶剂；

c，将脱气处理后的PDMS混合溶剂倒入转移基板模具中，并放入烤箱烘烤定型；

d，待转移基板模具冷却后，切割转移基板磨具的基底，剥离PDMS转移头；

e，将剥离后的PDMS转移头玻璃键合形成如权利要求1至9任意一项所述的转移基板。

11.根据权利要求10所述的转移基板制备方法，其特征在于，在步骤b中，所述预设比值为1:8～12。

12.根据权利要求11所述的转移基板制备方法，其特征在于，所述预设比值为1:10。

13.一种显示器件，其特征在于，包括LED芯片和显示面板；

所述LED芯片通过权利要求1至9中任意一项所述的LED芯片转移方法设置在所述显示面板上。

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