JP2825387B2 - 発光素子 - Google Patents
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は発光素子に関し、更に
具体的には、表面実装用のチップ部品型ＬＥＤのごとく
液晶のバックライト、ファックス等の光源アレー、各種
操作パネルの表示用として使用される発光素子に関す
る。
具体的には、表面実装用のチップ部品型ＬＥＤのごとく
液晶のバックライト、ファックス等の光源アレー、各種
操作パネルの表示用として使用される発光素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】上述のチップ部品型ＬＥＤについては、
多様な形態で開発されているが、例えば、金属層を持つ
ガラエポ基板状にエポキシ樹脂成型したもの（Ｉタイ
プ）、リードフレームを用い、エポキシ樹脂をトランス
ファー成型したもの（IIタイプ）、あらかじめリードフ
レームにケースをインサート成型した、ＬＥＤチップを
実装後エポキシ樹脂封止したもの(IIIタイプ）、ガラエ
ポ基板状にケース部を形成し IIIタイプと同様にエポキ
シ樹脂封止したもの（IVタイプ）が挙げられ、更に特開
平１−２８３８８３号公報に提案されているごとく、射
出成型された樹脂に立体配線パターンを形成し、リード
フレームを用いず、ＬＥＤ（ランプ）を作成するものが
挙げられる。
多様な形態で開発されているが、例えば、金属層を持つ
ガラエポ基板状にエポキシ樹脂成型したもの（Ｉタイ
プ）、リードフレームを用い、エポキシ樹脂をトランス
ファー成型したもの（IIタイプ）、あらかじめリードフ
レームにケースをインサート成型した、ＬＥＤチップを
実装後エポキシ樹脂封止したもの(IIIタイプ）、ガラエ
ポ基板状にケース部を形成し IIIタイプと同様にエポキ
シ樹脂封止したもの（IVタイプ）が挙げられ、更に特開
平１−２８３８８３号公報に提案されているごとく、射
出成型された樹脂に立体配線パターンを形成し、リード
フレームを用いず、ＬＥＤ（ランプ）を作成するものが
挙げられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】まずＩタイプについて
は、ガラエポ基板（７〜１×１０-6／℃）とエポキシ樹
脂（４〜６×１０-5／℃）との線膨脹係数の差が大きい
ため、半田付け時等の熱が加わると、２種の界面に剥離
が生じやすい。また、ガラエポ基板は平面なのでＬＥＤ
ランプとしても反射ケース構造をもたないため、光度的
に不利である。
は、ガラエポ基板（７〜１×１０-6／℃）とエポキシ樹
脂（４〜６×１０-5／℃）との線膨脹係数の差が大きい
ため、半田付け時等の熱が加わると、２種の界面に剥離
が生じやすい。また、ガラエポ基板は平面なのでＬＥＤ
ランプとしても反射ケース構造をもたないため、光度的
に不利である。
【０００４】III・IVタイプは反射ケースを有するの
で、ＬＥＤチップの光が有効に上面に取り出される。し
かしいずれも、リードフレームとケース、あるいはガラ
エポ基板とケースとの密着性の問題があり、Ｉタイプと
同様半田耐熱性が低い。また IIIタイプではインサート
成形フレーム、IVタイプでは基板上へのケースの接着と
コスト的に高くなっている。
で、ＬＥＤチップの光が有効に上面に取り出される。し
かしいずれも、リードフレームとケース、あるいはガラ
エポ基板とケースとの密着性の問題があり、Ｉタイプと
同様半田耐熱性が低い。また IIIタイプではインサート
成形フレーム、IVタイプでは基板上へのケースの接着と
コスト的に高くなっている。
【０００５】IIタイプは、反射ケース構造をもたないた
め、ＬＥＤチップが発光した際、前方向へ光が散乱し、
上面への効率が低い。これらの問題に対して、特開平１
−２８３８８３号公報で示された形状では、ブロック状
でその上面の中央部に凹部を備えこの凹部の側面を傾斜
させた反射ケース部（絶縁性ブロック）と、このブロッ
クの凹部、上面、側面及び裏面の一部にわたって被覆形
成された１対の電極パターン部（メッキ層）とを備え、
反射ケース部と電極パターン部が一体化しており、上述
のリードフレームと反射ケースの密着不良は解決され、
コスト的にも低減できる。
め、ＬＥＤチップが発光した際、前方向へ光が散乱し、
上面への効率が低い。これらの問題に対して、特開平１
−２８３８８３号公報で示された形状では、ブロック状
でその上面の中央部に凹部を備えこの凹部の側面を傾斜
させた反射ケース部（絶縁性ブロック）と、このブロッ
クの凹部、上面、側面及び裏面の一部にわたって被覆形
成された１対の電極パターン部（メッキ層）とを備え、
反射ケース部と電極パターン部が一体化しており、上述
のリードフレームと反射ケースの密着不良は解決され、
コスト的にも低減できる。
【０００６】しかしながら、封止用のエポキシ樹脂を注
入する際、多数個取りの基板でその各凹部にエポキシ樹
脂を滴下するのであるが、凹部よりも少しでも樹脂があ
ふれると、基板表裏に電極を配している、化学メッキ上
必要なスルーホールに樹脂が漏れ、裏面にもエポキシ樹
脂がニジムこととなり製品として半田付けする際に、半
田ヌレ不良となってしまう。これを防ぐためには、エポ
キシ樹脂の凹部の容量を大きくすればよいのであるが、
チップ部品としては小型、薄型化しないと商品力がなく
なるため、常に限界の形状で商品化される。したがって
基板の各凹部毎に精度の高い樹脂注型が要求される。
入する際、多数個取りの基板でその各凹部にエポキシ樹
脂を滴下するのであるが、凹部よりも少しでも樹脂があ
ふれると、基板表裏に電極を配している、化学メッキ上
必要なスルーホールに樹脂が漏れ、裏面にもエポキシ樹
脂がニジムこととなり製品として半田付けする際に、半
田ヌレ不良となってしまう。これを防ぐためには、エポ
キシ樹脂の凹部の容量を大きくすればよいのであるが、
チップ部品としては小型、薄型化しないと商品力がなく
なるため、常に限界の形状で商品化される。したがって
基板の各凹部毎に精度の高い樹脂注型が要求される。
【０００７】また、ＬＥＤの発光強度を高めるために
は、凹部内側の傾斜面を、ゆるやかなもの（３０〜７０
℃）にする必要があるが、この時、凹部はさらに浅い形
状となりエポキシ樹脂はモレやすくなる（エポキシ樹脂
は熱硬化する際、１時的に粘度が下がるため、凹部壁面
よりも樹脂面が少しでも高い場合、必ずエポキシ樹脂が
周囲へ拡散する）。
は、凹部内側の傾斜面を、ゆるやかなもの（３０〜７０
℃）にする必要があるが、この時、凹部はさらに浅い形
状となりエポキシ樹脂はモレやすくなる（エポキシ樹脂
は熱硬化する際、１時的に粘度が下がるため、凹部壁面
よりも樹脂面が少しでも高い場合、必ずエポキシ樹脂が
周囲へ拡散する）。
【０００８】さらに、凹部が浅い形状であれば、エポキ
シ樹脂と下部ケース部の密着力が弱く、半田付けなどの
熱応力で界面からはがれやすくなる。すなわち、上記の
形状では、発光効率、製品品質ともに従来品よりも向上
が計られるが、製造プロセス上困難でありコストアップ
につながる。かくしてこの発明は、１）ＬＥＤチップの
周囲に効率のよい反射面をもつこと、２）半田付けなど
の熱応力に強いこと、３）部品点数が少なくコスト低減
ができること、４）製造プロセスが容易であることを併
せて満たす発光素子の提供を目的の一つとする。
シ樹脂と下部ケース部の密着力が弱く、半田付けなどの
熱応力で界面からはがれやすくなる。すなわち、上記の
形状では、発光効率、製品品質ともに従来品よりも向上
が計られるが、製造プロセス上困難でありコストアップ
につながる。かくしてこの発明は、１）ＬＥＤチップの
周囲に効率のよい反射面をもつこと、２）半田付けなど
の熱応力に強いこと、３）部品点数が少なくコスト低減
ができること、４）製造プロセスが容易であることを併
せて満たす発光素子の提供を目的の一つとする。
【０００９】
【課題を解決するための手段及び作用】この発明はブロ
ック状で、その上面の中央部に凹部及びこの凹部の底面
から下方に貫通したスルーホール部を備え、前記凹部を
上方に向って拡開させるべく凹部の側面を傾斜させた絶
縁性ブロック体と、このブロック体の凹部側面及び底
面、スルーホール部側面、裏面及び一部側面にわたって
被覆形成された１対の金属層部と、凹部底面に形成され
た一方の金属層部に電気的に接合されたＬＥＤチップ
と、このＬＥＤチップを凹部底面に形成された他方の金
属層部に電気的に接続した金属細線と、前記ブロック体
の凹部及びスルーホール部を充填封止した透光性樹脂部
とからなり、スルーホール部を、下方に向って拡開すべ
くスルーホール部の側面を傾斜させてなる発光素子であ
る。
ック状で、その上面の中央部に凹部及びこの凹部の底面
から下方に貫通したスルーホール部を備え、前記凹部を
上方に向って拡開させるべく凹部の側面を傾斜させた絶
縁性ブロック体と、このブロック体の凹部側面及び底
面、スルーホール部側面、裏面及び一部側面にわたって
被覆形成された１対の金属層部と、凹部底面に形成され
た一方の金属層部に電気的に接合されたＬＥＤチップ
と、このＬＥＤチップを凹部底面に形成された他方の金
属層部に電気的に接続した金属細線と、前記ブロック体
の凹部及びスルーホール部を充填封止した透光性樹脂部
とからなり、スルーホール部を、下方に向って拡開すべ
くスルーホール部の側面を傾斜させてなる発光素子であ
る。
【００１０】すなわち、この発明は、絶縁性ブロック体
の凹部の底面から下方へ貫通するスルーホール部を形成
し、凹部に形成されるべき１対の金属層部（反射・電極
用）を前記スルーホール部からブロック体の裏面及び一
部側面にまで延出形成することによって、金属層部の形
成上必要となるスルーホール部をブロック体内部に形設
し、それによって部品点数が少なく、注型を容易にする
ことができる。 更にスルーホール部が下方に向って拡
開するよう側面を傾斜させているので、ブロック体の凹
部の透光性樹脂部分とスルーホール部の透光性樹脂部分
とがくさび状にかみ合って相互に引き合い、それによっ
て絶縁性ブロック体と透光性樹脂部との良好な密着性が
保たれる。
の凹部の底面から下方へ貫通するスルーホール部を形成
し、凹部に形成されるべき１対の金属層部（反射・電極
用）を前記スルーホール部からブロック体の裏面及び一
部側面にまで延出形成することによって、金属層部の形
成上必要となるスルーホール部をブロック体内部に形設
し、それによって部品点数が少なく、注型を容易にする
ことができる。 更にスルーホール部が下方に向って拡
開するよう側面を傾斜させているので、ブロック体の凹
部の透光性樹脂部分とスルーホール部の透光性樹脂部分
とがくさび状にかみ合って相互に引き合い、それによっ
て絶縁性ブロック体と透光性樹脂部との良好な密着性が
保たれる。
【００１１】
【実施例】以下、図に示す実施例にもとづいて、この発
明を詳述する。なお、これによってこの発明が限定され
るものではない。図１にこの発明に係る発光素子の一実
施例としてのチップ部品型ＬＥＤの平面図を示す。図２
〜６は、図１の底面図、正面図、右側面図、Ａ−Ａ’端
面図、Ｂ−Ｂ’断面図である。
明を詳述する。なお、これによってこの発明が限定され
るものではない。図１にこの発明に係る発光素子の一実
施例としてのチップ部品型ＬＥＤの平面図を示す。図２
〜６は、図１の底面図、正面図、右側面図、Ａ−Ａ’端
面図、Ｂ−Ｂ’断面図である。
【００１２】図１〜６、特に図６において、チップ部品
型ＬＥＤ（Ｌ）は、絶縁性ブロック体（４）と、１対の
金属層部（１８）（１９）と、ＬＥＤチップ（１）と、
金属細線（３）と、透光性樹脂部（１１）とから主とし
てなる。絶縁性ブロック体（４）は、上面の中央部に形
成した凹部（２０）と、この凹部の底面から下方に貫通
したスルーホール部（２１）とを備え、凹部を上方に向
って拡開させるべく凹部の側面を傾斜させている。
型ＬＥＤ（Ｌ）は、絶縁性ブロック体（４）と、１対の
金属層部（１８）（１９）と、ＬＥＤチップ（１）と、
金属細線（３）と、透光性樹脂部（１１）とから主とし
てなる。絶縁性ブロック体（４）は、上面の中央部に形
成した凹部（２０）と、この凹部の底面から下方に貫通
したスルーホール部（２１）とを備え、凹部を上方に向
って拡開させるべく凹部の側面を傾斜させている。
【００１３】金属層部（１８）は、ブロック体（４）表
面の特定部分に一体に被覆形成されたメッキ層であり、
凹部（２０）の側面及び底面の部分（７）と、スルーホ
ール部（２１）の側面の部分（６）と、ブロック体
（４）の裏面及び一部側面の部分（５）とからなる。金
属層部（１９）は、金属層部（１８）とほぼ対称に（図
６では左側に）形成され、凹部（２０）の側面及び底面
の部分（８）と、スルーホール部（２１）の側面の部分
（９）と、ブロック体（４）の裏面及び一部側面の部分
（１０）とからなり、金属層部（１８）とは電気的に分
離されている。
面の特定部分に一体に被覆形成されたメッキ層であり、
凹部（２０）の側面及び底面の部分（７）と、スルーホ
ール部（２１）の側面の部分（６）と、ブロック体
（４）の裏面及び一部側面の部分（５）とからなる。金
属層部（１９）は、金属層部（１８）とほぼ対称に（図
６では左側に）形成され、凹部（２０）の側面及び底面
の部分（８）と、スルーホール部（２１）の側面の部分
（９）と、ブロック体（４）の裏面及び一部側面の部分
（１０）とからなり、金属層部（１８）とは電気的に分
離されている。
【００１４】ＬＥＤチップ（１）は凹部（２０）の一方
の底面の部分（８）上に導電ペースト（２）を介して装
着（電気的に接合）され、更に金属細線（３）によって
凹部（２０）の他方の底面の部分（７）に電気的に接続
されている。透光性樹脂部（１１）は、ＬＥＤチップ
（１）が１対の金属層部（１８）（１９）間に接続され
た後、凹部（２０）及びスルーホール部（２１）に充填
形成されている。
の底面の部分（８）上に導電ペースト（２）を介して装
着（電気的に接合）され、更に金属細線（３）によって
凹部（２０）の他方の底面の部分（７）に電気的に接続
されている。透光性樹脂部（１１）は、ＬＥＤチップ
（１）が１対の金属層部（１８）（１９）間に接続され
た後、凹部（２０）及びスルーホール部（２１）に充填
形成されている。
【００１５】次にチップ部品型ＬＥＤ（Ｌ）の構成を製
造過程に対応して簡単に説明する。まず、耐熱性のある
樹脂（具体的には液晶ポリマー，その他ＰＰＳ，ＰＥＳ
等通常この分野で使用されるものが使用できる）で絶縁
性ブロック体（４）を形成する。この絶縁性ブロック体
には、ＬＥＤチップ（１）をマウントする凹部（２０）
が形成され、凹部（２０）の底にはスルーホール部（２
１）があり、裏面と貫通している。
造過程に対応して簡単に説明する。まず、耐熱性のある
樹脂（具体的には液晶ポリマー，その他ＰＰＳ，ＰＥＳ
等通常この分野で使用されるものが使用できる）で絶縁
性ブロック体（４）を形成する。この絶縁性ブロック体
には、ＬＥＤチップ（１）をマウントする凹部（２０）
が形成され、凹部（２０）の底にはスルーホール部（２
１）があり、裏面と貫通している。
【００１６】続いてこのブロック体（４）に１対の金属
層部（１８）（１９）を形成する。例えば、チップマウ
ント側では、凹部（２０）の側面（反射面）及び底面
（チップマウント部）からスルーホール部（ａ）（２
１）の側面（９）を介して裏面及び側面（１０）をカバ
ーする連続した金属層部（１９）が形成される。同様に
して凹部（２０）の側面及び底面（７）からスルーホー
ル部（２１）の側面（６）を介して裏面及び一部側面
（５）にまで金属層部（１８）を形成する。
層部（１８）（１９）を形成する。例えば、チップマウ
ント側では、凹部（２０）の側面（反射面）及び底面
（チップマウント部）からスルーホール部（ａ）（２
１）の側面（９）を介して裏面及び側面（１０）をカバ
ーする連続した金属層部（１９）が形成される。同様に
して凹部（２０）の側面及び底面（７）からスルーホー
ル部（２１）の側面（６）を介して裏面及び一部側面
（５）にまで金属層部（１８）を形成する。
【００１７】１対の金属層部（１８）（１９）の形成
後、ＬＥＤチップ（１）を導電ペースト（２）でブロッ
ク体（４）の底部の金属層部（１９）に接着し、金属細
線（３）でもう片方の金属層部（１８）と接続される。
さらにエポキシ樹脂などの透光性樹脂で凹部（２０）及
びスルーホール部（２１）を封止するが、スルーホール
部（２１）より透光性樹脂がモレるのを防ぐために図６
のごとくガラスクロステープ（１２）などの耐熱性のあ
る粘着テープに本体を固定する。樹脂硬化後ガラスクロ
ステープ（１２）をはがして製品は完成する。
後、ＬＥＤチップ（１）を導電ペースト（２）でブロッ
ク体（４）の底部の金属層部（１９）に接着し、金属細
線（３）でもう片方の金属層部（１８）と接続される。
さらにエポキシ樹脂などの透光性樹脂で凹部（２０）及
びスルーホール部（２１）を封止するが、スルーホール
部（２１）より透光性樹脂がモレるのを防ぐために図６
のごとくガラスクロステープ（１２）などの耐熱性のあ
る粘着テープに本体を固定する。樹脂硬化後ガラスクロ
ステープ（１２）をはがして製品は完成する。
【００１８】エポキシ樹脂などの透光性樹脂部（１１）
が、凹部（２０）、特にＬＥＤチップ（１）近辺の反射
ケース部分からスルーホール部（２１）を介して製品裏
面まで連続的に構成され、しかも凹部（２０）の側面及
びスルーホール部（２１）のそれが逆方向に傾斜してい
るので次の効果を奏する。例えば絶縁性ブロック体
（４）に液晶ポリマー、透光性樹脂部（１１）にエポキ
シ樹脂をそれぞれ使用した場合、その膨脹係数は液晶ポ
リマー２〜４×１０-5／℃、エポキシ樹脂５〜７×１０
-5／℃でエポキシ樹脂の方が液晶ポリマーより膨脹率が
大きいので、図７中で示したようにＡ，Ｂの方向に力が
作用する。すなわち、Ａ方向の力を、スルーホール部
（２１）中の、上面に対してくさび状のエポキシ樹脂部
分のＢ方向の力で緩和するため、エポキシ樹脂部と液晶
ポリマー部の密着性は保たれる。このＢ方向の力がなけ
れば、製品に膨脹、収縮をくり返すことになり、エポキ
シ樹脂部と液晶ポリマー部の界面（７）（８）で剥離を
生じ、場合によっては分離し、金属細線（３）の断線に
至ることにもなる。
が、凹部（２０）、特にＬＥＤチップ（１）近辺の反射
ケース部分からスルーホール部（２１）を介して製品裏
面まで連続的に構成され、しかも凹部（２０）の側面及
びスルーホール部（２１）のそれが逆方向に傾斜してい
るので次の効果を奏する。例えば絶縁性ブロック体
（４）に液晶ポリマー、透光性樹脂部（１１）にエポキ
シ樹脂をそれぞれ使用した場合、その膨脹係数は液晶ポ
リマー２〜４×１０-5／℃、エポキシ樹脂５〜７×１０
-5／℃でエポキシ樹脂の方が液晶ポリマーより膨脹率が
大きいので、図７中で示したようにＡ，Ｂの方向に力が
作用する。すなわち、Ａ方向の力を、スルーホール部
（２１）中の、上面に対してくさび状のエポキシ樹脂部
分のＢ方向の力で緩和するため、エポキシ樹脂部と液晶
ポリマー部の密着性は保たれる。このＢ方向の力がなけ
れば、製品に膨脹、収縮をくり返すことになり、エポキ
シ樹脂部と液晶ポリマー部の界面（７）（８）で剥離を
生じ、場合によっては分離し、金属細線（３）の断線に
至ることにもなる。
【００１９】この様に、封止用のエポキシ樹脂が凹部
（２０）上面から底面、さらにスルーホール部（２１）
を通り液晶ポリマー部裏面まで連続的に形成され、か
つ、液晶ポリマー部に対しエポキシ樹脂がくさび状にか
み合う形状となっているので、熱応力に対して非常に安
定したものとなる。また、ＬＥＤランプ（Ｌ）として発
光強度を高めるためには凹部（２０）傾斜面（７）
（８）は９０°近辺よりも３０〜７０°とゆるやかにし
た方が前面（上面）への光度が高まることが知られてい
る。この傾斜角が小さくなればなる程エポキシ樹脂と、
液晶ポリマーの密着度はエポキシ樹脂が抜けやすくなる
ため、スルーホール部（２１）から裏面までのくさび部
が効果を奏することができる。
（２０）上面から底面、さらにスルーホール部（２１）
を通り液晶ポリマー部裏面まで連続的に形成され、か
つ、液晶ポリマー部に対しエポキシ樹脂がくさび状にか
み合う形状となっているので、熱応力に対して非常に安
定したものとなる。また、ＬＥＤランプ（Ｌ）として発
光強度を高めるためには凹部（２０）傾斜面（７）
（８）は９０°近辺よりも３０〜７０°とゆるやかにし
た方が前面（上面）への光度が高まることが知られてい
る。この傾斜角が小さくなればなる程エポキシ樹脂と、
液晶ポリマーの密着度はエポキシ樹脂が抜けやすくなる
ため、スルーホール部（２１）から裏面までのくさび部
が効果を奏することができる。
【００２０】図８にこの発明に係るＬＥＤランプの半田
付け時の概略図を示す。（１３）は表面実装する基板、
（１４）はその配線部、（１５）は半田部である。本製
品を半田付けする際、ブロック体（４）底面のみにしか
金属層がないと基板（１３）が反った場合、半田付け部
が脱落することがある。これらを防ぐため、ブロック体
（４）の側面の１部にまで金属層（５），（１０）を形
成させている。この（５），（１０）を側面全面にしな
いのは、後述するが、エポキシ樹脂封止時の樹脂漏れ防
止のプロセス上のためである。
付け時の概略図を示す。（１３）は表面実装する基板、
（１４）はその配線部、（１５）は半田部である。本製
品を半田付けする際、ブロック体（４）底面のみにしか
金属層がないと基板（１３）が反った場合、半田付け部
が脱落することがある。これらを防ぐため、ブロック体
（４）の側面の１部にまで金属層（５），（１０）を形
成させている。この（５），（１０）を側面全面にしな
いのは、後述するが、エポキシ樹脂封止時の樹脂漏れ防
止のプロセス上のためである。
【００２１】次にチップＬＥＤの製造プロセス上の効果
を示す。図９に本チップＬＥＤの基板例を示す。ＭＩＤ
（Molded Interconnection Device:モールド成形品に化
学メッキ等の方法で電気回路を形成したもの）技術を用
いた場合、射出成型で絶縁部（ブロック本体）を形成す
るため、１枚の基板に多数個の製品部を組み込むことが
可能で、後工程の各プロセスで一度に多数個処理が可能
で、製造コストの低減が可能である。この図９に示した
基板の各凹部（１個毎が製品部に相当）に、それぞれ導
電ペーストを用いてＬＥＤチップをマウントし、金属細
線で配線を行う。
を示す。図９に本チップＬＥＤの基板例を示す。ＭＩＤ
（Molded Interconnection Device:モールド成形品に化
学メッキ等の方法で電気回路を形成したもの）技術を用
いた場合、射出成型で絶縁部（ブロック本体）を形成す
るため、１枚の基板に多数個の製品部を組み込むことが
可能で、後工程の各プロセスで一度に多数個処理が可能
で、製造コストの低減が可能である。この図９に示した
基板の各凹部（１個毎が製品部に相当）に、それぞれ導
電ペーストを用いてＬＥＤチップをマウントし、金属細
線で配線を行う。
【００２２】次に樹脂封止する際、各スルーホール部か
ら下へ樹脂が漏れるのを防ぐため、ガラスクロステープ
などの耐熱性粘着テープを基板裏面に貼りつける。樹脂
の封止方法としては、各凹部毎にディスペンサー（樹脂
吐出機）で滴下していく方法が一般的である。しかし、
１枚の基板に対して複数のディスペンサーを使用したと
しても、各凹部毎に滴下する必要があり、多数個取り基
板となれば時間も必要となる。また、先に示した特開平
１−２８３８８３号公報で示された基板では、表裏にス
ルーホールが通じているため凹部への注入精度が悪けれ
ば裏面に樹脂が回り不良となる。また、注入後も熱硬化
までの間、傾けると漏れが生じるので取扱いに注意を要
す。
ら下へ樹脂が漏れるのを防ぐため、ガラスクロステープ
などの耐熱性粘着テープを基板裏面に貼りつける。樹脂
の封止方法としては、各凹部毎にディスペンサー（樹脂
吐出機）で滴下していく方法が一般的である。しかし、
１枚の基板に対して複数のディスペンサーを使用したと
しても、各凹部毎に滴下する必要があり、多数個取り基
板となれば時間も必要となる。また、先に示した特開平
１−２８３８８３号公報で示された基板では、表裏にス
ルーホールが通じているため凹部への注入精度が悪けれ
ば裏面に樹脂が回り不良となる。また、注入後も熱硬化
までの間、傾けると漏れが生じるので取扱いに注意を要
す。
【００２３】次にこの発明に係るチップＬＥＤ基板の樹
脂封止法を図１０に示す。ＬＥＤ基板（本図面例では４
×４＝１６個取り）の裏側をガラスクロステープで固着
した後、その基板側面四方をシリコンゴム基板（１６）
などで固定し、次にエポキシ樹脂を滴下する。この樹脂
の滴下は各凹部に精密に行う必要はなく、各凹部からあ
ふれる位に連続的に滴下してよい。その後、スキージ、
ヘラ（１７）などで、ＬＥＤ基板の表面を図中矢印方向
に操作し、各凹部に関し、あふれた個所は、減少させ、
少ない個所は補給をし、レベリングを行う。つまり全体
的に樹脂は多い目に設定し、１７のスキージで不要分量
をかき出すこととなる。すなわち従来の方式では各凹部
毎に精密注型が必要であるのに対し、本基板を用いれ
ば、時間的に早く精度よく注型できる。
脂封止法を図１０に示す。ＬＥＤ基板（本図面例では４
×４＝１６個取り）の裏側をガラスクロステープで固着
した後、その基板側面四方をシリコンゴム基板（１６）
などで固定し、次にエポキシ樹脂を滴下する。この樹脂
の滴下は各凹部に精密に行う必要はなく、各凹部からあ
ふれる位に連続的に滴下してよい。その後、スキージ、
ヘラ（１７）などで、ＬＥＤ基板の表面を図中矢印方向
に操作し、各凹部に関し、あふれた個所は、減少させ、
少ない個所は補給をし、レベリングを行う。つまり全体
的に樹脂は多い目に設定し、１７のスキージで不要分量
をかき出すこととなる。すなわち従来の方式では各凹部
毎に精密注型が必要であるのに対し、本基板を用いれ
ば、時間的に早く精度よく注型できる。
【００２４】また、低コスト化のため１基板あたりの取
り数を増やすことが望ましいが１基板あたりの取り数が
多ければ多い程、本方式は有利である。１例として、ス
キージ（１７）の前に樹脂吐出ノズルを設ければ、１回
の動作で注型、量補正ができ、従来のディスペンサー方
式より早く正確に注型が可能となる。
り数を増やすことが望ましいが１基板あたりの取り数が
多ければ多い程、本方式は有利である。１例として、ス
キージ（１７）の前に樹脂吐出ノズルを設ければ、１回
の動作で注型、量補正ができ、従来のディスペンサー方
式より早く正確に注型が可能となる。
【００２５】これら注型の終った基板を図１１の通り
（Ｃ方向、Ｄ方向）カットすれば、図６のチップＬＥＤ
の製品となる。
（Ｃ方向、Ｄ方向）カットすれば、図６のチップＬＥＤ
の製品となる。
【００２６】
【発明の効果】この発明によれば、絶縁性ブロック体の
凹部の底面から下方へ貫通するスルーホール部を形成
し、凹部に形成されるべき１対の金属層部（反射・電極
用）を前記スルーホール部からブロック体の裏面及び一
部側面にまで延出形成することによって、金属層部の形
成上必要となるスルーホール部をブロック体内部に形設
し、それによって部品点数が少なく、注型を容易にする
ことができる。更にスルーホール部が下方に向って拡開
するよう側面を傾斜させているので、絶縁性ブロック体
と、そのブロック体の凹部及びスルーホール部を充填封
止した透光性樹脂部との良好な密着性が保たれる。
凹部の底面から下方へ貫通するスルーホール部を形成
し、凹部に形成されるべき１対の金属層部（反射・電極
用）を前記スルーホール部からブロック体の裏面及び一
部側面にまで延出形成することによって、金属層部の形
成上必要となるスルーホール部をブロック体内部に形設
し、それによって部品点数が少なく、注型を容易にする
ことができる。更にスルーホール部が下方に向って拡開
するよう側面を傾斜させているので、絶縁性ブロック体
と、そのブロック体の凹部及びスルーホール部を充填封
止した透光性樹脂部との良好な密着性が保たれる。
【図１】この発明に係る発光素子の一実施例を示す平面
図である。
図である。
【図２】図１の底面図である。
【図３】図１の正面図である。
【図４】図１の右側面図である。
【図５】図１のＡ−Ａ’端面図である。
【図６】図１のＢ−Ｂ’断面図である。
【図７】エポキシ樹脂の熱応力の作用方向を説明する説
明図である。
明図である。
【図８】図１に示す実施例の半田付け状態を説明する説
明図である。
明図である。
【図９】図１に示す実施例の基板での配置図である。
【図１０】図９で示す基板での樹脂封止状態を説明する
説明図である。
説明図である。
【図１１】基板のカット・ラインを説明する説明図であ
る。
る。
１ ＬＥＤチップ ３ 金属細線 ４ 絶縁性ブロック体 １１ 透光性樹脂部 １８ 金属層部 １９ 金属層部 ２０ 凹部 ２１ スルーホール部
Claims (1)
- 【請求項１】 ブロック状で、その上面の中央部に凹部
及びこの凹部の底面から下方に貫通したスルーホール部
を備え、前記凹部を上方に向って拡開させるべく凹部の
側面を傾斜させた絶縁性ブロック体と、このブロック体
の凹部側面及び底面、スルーホール部側面、裏面及び一
部側面にわたって被覆形成された１対の金属層部と、凹
部底面に形成された一方の金属層部に電気的に接合され
たＬＥＤチップと、このＬＥＤチップを凹部底面に形成
された他方の金属層部に電気的に接続した金属細線と、
前記ブロック体の凹部及びスルーホール部を充填封止し
た透光性樹脂部とからなり、 スルーホール部を、下方に向って拡開すべくスルーホー
ル部の側面を傾斜させてなる 発光素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4028477A JP2825387B2 (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 発光素子 |
| DE4242842A DE4242842C2 (de) | 1992-02-14 | 1992-12-17 | Lichtemittierendes Bauelement zur Oberflächenmontage und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US07/998,746 US5298768A (en) | 1992-02-14 | 1992-12-30 | Leadless chip-type light emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4028477A JP2825387B2 (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226698A JPH05226698A (ja) | 1993-09-03 |
| JP2825387B2 true JP2825387B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=12249732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4028477A Expired - Fee Related JP2825387B2 (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2825387B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3311914B2 (ja) * | 1995-12-27 | 2002-08-05 | 株式会社シチズン電子 | チップ型発光ダイオード |
| JP3614776B2 (ja) | 2000-12-19 | 2005-01-26 | シャープ株式会社 | チップ部品型ｌｅｄとその製造方法 |
| JP2004260048A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Korai Kagi Kofun Yugenkoshi | マイクロタイプ発光装置 |
| JP4798000B2 (ja) * | 2007-01-15 | 2011-10-19 | パナソニック電工株式会社 | Ｌｅｄパッケージ |
| WO2010001300A1 (en) | 2008-07-03 | 2010-01-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A support module for a solid state light source, a lighting device comprising such a module, and a method for manufacturing such a lighting device |
-
1992
- 1992-02-14 JP JP4028477A patent/JP2825387B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05226698A (ja) | 1993-09-03 |
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