TWI731745B - 內埋式元件結構及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種內埋式元件結構，其包括線路板、電子元件、第一導電端子以及第二導電端子。線路板包括第一電性連接層以及第二電性連接層。第一電性連接層與第二電性連接層錯位配置。電子元件內埋於線路板內且包括第一接點以及第二接點。第一接點與第二接點分別與第一電性連接層與第二電性連接層位於同一側。第一導電端子與第二導電端子分別至少包覆部分第一接點與第二接點的頂面與側壁，且第一電性連接層與第二電性連接層分別藉由第一導電端子與第二導電端子與第一接點與第二接點電性連接。一種內埋式元件結構的製造方法亦被提出。

Description

內埋式元件結構及其製造方法
本發明是有關於一種電子元件及其製造方法，且特別是有關於一種內埋式元件結構及其製造方法。
近年來，電子產品內通常會藉由線路板承載電子元件。然而，電子元件配置於線路板上會造成承載面積增加。因此，如何設計內埋式元件，已成為當前的關鍵技術。進一步而言，在一般的內埋式元件中，接點的電性連接位置通常會設計在電子元件的上方或下方，如此一來，容易產生多餘的損耗，因此降低了電子產品的品質。
本發明提供一種內埋式元件結構及其製造方法，其可以有效提升電子產品的品質、在三維結構上的佈線靈活度以及良率與可靠度。
本發明的一種內埋式元件結構，包括線路板、電子元件、 第一導電端子以及第二導電端子。線路板包括第一電性連接層以及第二電性連接層。第一電性連接層與第二電性連接層錯位配置。電子元件內埋於線路板。電子元件包括第一接點以及第二接點。第一接點與第一電性連接層位於同一側。第二接點與第二電性連接層位於同一側。第一導電端子至少包覆部分第一接點的頂面與側壁，且第一電性連接層藉由第一導電端子與第一接點電性連接。第二導電端子至少包覆部分第二接點的頂面與側壁，且第二電性連接層藉由第二導電端子與第二接點電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的第一導電端子分別與第一接點與第一電性連接層直接接觸。第二導電端子分別與第二接點與第二電性連接層直接接觸。
在本發明的一實施例中，上述的線路板為多層結構，第一電性連接層與第二電性連接層位於線路板的不同層內。
在本發明的一實施例中，上述的第一電性連接層與第二電性連接層不互相對準。
在本發明的一實施例中，上述的第一電性連接層與第二電性連接層不共平面。
在本發明的一實施例中，上述的第一電性連接層與第二電性連接層沿凹穴的延伸方向排列。
在本發明的一實施例中，上述的另一部分的第一接點與第二接點不被第一導電端子與第二導電端子所包覆。
在本發明的一實施例中，上述的電子元件包括中心區與 中心區兩側的接點區。第一導電端子與第二導電端子分別往中心區延伸。
在本發明的一實施例中，上述的第一導電端子完全包覆第一接點的頂面與側壁。第二導電端子完全包覆第二接點的頂面與側壁。
在本發明的一實施例中，上述的電子元件為被動元件。
本發明的一種內埋式元件結構的製造方法至少包括以下步驟。提供具有凹穴的線路板。線路板包括多個電性連接層，其中多個電性連接層相互錯位配置。配置電子元件於凹穴內，其中電子元件包括暴露於凹穴外的多個接點。形成介電層以密封電子元件。移除第一部分介電層，以於多個接點旁形成具有第一尺寸的多個盲孔。移除第二部分所述介電層，以將多個盲孔由第一尺寸擴張至第二尺寸並至少暴露出部分多個接點的頂面與側壁以及所述多個電性連接層。形成多個導電端子於第二尺寸的多個盲孔內，且多個電性連接層藉由多個導電端子與多個接點電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的線路板包括多個埋孔，且多個埋孔的第三尺寸與第二尺寸的比例介於1比0.25至1比4之間或第二尺寸介於20微米至100微米之間。
在本發明的一實施例中，上述的移除第一部分介電層時，未暴露出多個接點的頂面與側壁與多個電性連接層。
在本發明的一實施例中，進行雷射鑽孔製程、電漿製程或噴砂製程移除上述的第一部分介電層。
在本發明的一實施例中，進行電漿製程與除膠渣製程移除上述的第二部分介電層。
在本發明的一實施例中，上述的電子元件以黏著層貼附於凹穴內。
在本發明的一實施例中，以俯視觀之，上述的多個盲孔的形狀為長條型。
在本發明的一實施例中，移除部分第二部分介電層，暴露出多個接點之間的區域。
在本發明的一實施例中，以俯視觀之，上述的多個盲孔的形狀為馬蹄型。
在本發明的一實施例中，上述的凹穴內具有多個導電材料層，且導電材料層位於凹穴的底部。
基於上述，本發明的內埋式元件結構改善了電子元件中接點電性連接位置的設計，使導電端子可以至少包覆部分接點的頂面與側壁，以避免多餘的損耗有效提升電子產品的品質，再者，藉由前述設計可以使電性連接層之間錯位配置，因此本發明的內埋式元件結構可以任意連接線路板中各層/方向上欲與接點進行電性連接的線路，有效提升在三維結構上的佈線靈活度。此外，本發明藉由分階段移除介電層，以使盲孔由第一尺寸擴張至第二尺寸而暴露出部分接點與電性連接層的製程方式可以避免一次性形成盲孔時，直接衝擊電子元件的接點(如用雷射轟擊等)而造成電子元件損壞進而降低良率與可靠度的情況發生，因此可以有效提升 內埋式元件結構的良率與可靠度。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
1:基底
10:黏著層
11:核心層
12:離型層
100、200、300:內埋式元件結構
110、210:線路板
110b:表面
110c:凹穴
1111、13、216:導電材料層
1112:介電材料層
112、1121、1122:電性連接層
114:埋孔
120:電子元件
122、1221、1222:接點
1221a、1222a:頂面
1221s、1222s:側壁
130、230:介電層
130t、130t1、230t:盲孔
140、1401、1402、240、2401、2402:導電端子
150、350、360:增層線路
A、B、C、D、E、F:區域
BS:底部
D1、D11:第一尺寸
D2、D21:第二尺寸
D3:第三尺寸
E:延伸方向
G:間隙
R1:中心區
R2:接點區
圖1A至圖1F是依據本發明一實施例的內埋式元件結構的部分製造方法的部分剖面示意圖。
圖1G是圖1D的區域A的俯視示意圖。
圖1H是圖1E的區域B的俯視示意圖。
圖1I是圖1F的區域C的俯視示意圖。
圖1J是圖1F的立體示意圖。
圖2A至圖2C是圖1A的線路板的一製造方法的部分剖面示意圖。
圖3A至圖3D是依據本發明一實施例的內埋式元件結構的部分製造方法的部分剖面示意圖。
圖3E是圖3B的區域D的俯視示意圖。
圖3F是圖3C的區域E的俯視示意圖。
圖3G是圖3D的區域F的俯視示意圖。
圖3H是圖3D的立體示意圖。
圖4是依據本發明另一實施例的內埋式元件結構的部分剖面示意圖。
有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之各實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。以下實施例中所提到的方向用語，例如：「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本發明。
各實施例的詳細說明中，「第一」、「第二」、「第三」等術語可以用於描述不同的元素。這些術語僅用於將元素彼此區分，但在結構中，這些元素不應被這些術語限制。例如，第一元素可以被稱為第二元素，並且，類似地，第二元素可以被稱為第一元素而不背離本發明構思的保護範圍。另外，在製造方法中，除了特定的製程流程，這些元件或構件的形成順續亦不應被這些術語限制。例如，第一元素可以在第二元素之前形成。或是，第一元素可以在第二元素之後形成。亦或是，第一元素與第二元素可以在相同的製程或步驟中形成。
並且，圖式中的層與區域的厚度會為了清楚起見而放大。相同或相似之參考號碼表示相同或相似之元件，以下段落將不再一一贅述。
圖1A至圖1F是依據本發明一實施例的內埋式元件結構的部分製造方法的部分剖面示意圖。圖1G是圖1D的區域A的俯視示意圖。圖1H是圖1E的區域B的俯視示意圖。圖1I是圖1F 的區域C的俯視示意圖。圖1J是圖1F的立體示意圖。在本實施例中，內埋式元件結構100的製造過程可以包括以下步驟。
請參照圖1A，提供具有凹穴(cavity)110c的線路板110。舉例而言，線路板110可以由多個圖案化導電材料層1111與多個介電材料層1112堆疊而成，其中圖案化導電材料層1111之間可以用多個埋孔114進行電性連接。此外，部分圖案化導電材料層1111可以作為後續用於跟接點122電性連接的多個電性連接層112。
在本實施例中，線路板110可以包括相互錯位配置的多個電性連接層112。舉例而言，多個電性連接層112可以包括第一電性連接層1121與第二電性連接層1122，且第一電性連接層1121與第二電性連接層1122可以錯位配置。在此，錯位配置即第一電性連接層1121與第二電性連接層1122可以不互相對準，換句話說，第一電性連接層1121與第二電性連接層1122可以是不共平面。
在一實施例中，若線路板110為多層結構，第一電性連接層1121與第二電性連接層1122可以位於線路板110的不同層內。舉例而言，第一電性連接層1121與第二電性連接層1122可以沿凹穴110c的延伸方向E排列，但本發明不限於此。應說明的是，本發明第一電性連接層1121與第二電性連接層1122不限制圖1A的配置方式，即不限制方向與所在的層數，只要第一電性連接層1121與第二電性連接層1122錯位配置皆屬於本發明的保護範圍。
另一方面，凹穴110c可以至少從第一電性連接層1121貫穿至第二電性連接層1122。也就是說，第一電性連接層1121與第二電性連接層1122可以是位於凹穴110c兩側而在結構及電性上彼此分離。
請參照圖1B，於凹穴110c內配置電子元件120，其中電子元件120包括暴露於凹穴110c外的多個接點122，因此，後續電子元件120可以內埋於線路板110。舉例而言，多個接點122可以包括第一接點1221與第二接點1222，其中第一接點1221與第二接點1222可以位於電子元件120的兩側。
在本實施例中，第一接點1221可以是與第一電性連接層1121位於電子元件120的同一側，而第二接點1222可以是與第二電性連接層1122位於電子元件120的同一側，因此第一接點1221後續可以與第一電性連接層1121進行電性連接，而第二接點1222後續可以與第二電性連接層1122進行電性連接。進一步而言，第一接點1221及第一電性連接層1121與第二接點1222及第二電性連接層1122可以是分別位於電子元件120的相對側壁上。
在一實施例中，電子元件120可以是以黏著層10貼附於凹穴110c內，因此可避免電子元件120以焊錫連接時介面金屬化合物(intermetallic compound,IMC)老化產生碎裂(crack)的問題，進而可以有效提升內埋式元件結構100的良率與可靠度。黏著層10的材料例如是光敏黏合劑。然而，本發明不限於此，電子元件120也可以以其他適宜的方式配置於凹穴110c內。
在一實施例中，電子元件120例如是被動元件，如電阻(resistor)、電容(capacitor)、電感(inductor)、濾波器(filter)或其他類似者，但本發明不限於此，電子元件120的種類可以視實際需求進行選擇。
在一實施例中，多個接點122與凹穴110c的側壁之間可以具有間隙G，換句話說，電子元件120的多個接點122可以不與凹穴110c的側壁直接接觸，但本發明不限於此。
請參照圖1C，形成介電層130以密封電子元件120。舉例而言，介電層130可以填入凹穴110c內並填滿電子元件120與線路板110之間的間隙G(如圖1B所示)。另一方面，在一實施例中，介電層130可以進一步形成於線路板110上相對於凹穴110c的表面110b上，以用於後續的增層線路。
在一些實施例中，介電層130例如可以將樹脂(如：環氧樹脂(epoxy)或其他類似的熱固性交聯樹脂)、矽烷(如：六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane,HMDSN)、四乙氧基矽烷(tetraethoxysilane,TEOS)、雙二甲基胺二甲基矽氮烷(bis(dimethylamino)dimethylsilane,BDMADMS))或其他適宜的介電材料，經由層壓製程(lamination process)所形成，但本發明不限於此。
請參照圖1D，移除第一部分介電層130，以於多個接點122旁形成具有第一尺寸D1的多個盲孔130t。進一步而言，例如是進行雷射鑽孔(laser drill)製程、電漿(plasma)製程或噴砂製程移 除第一部分介電層130。應說明的是，在此階段，移除第一部分介電層130時，可以是未暴露出多個接點122的頂面與側壁及多個電性連接層112，以有效保護電子元件120的接點122與電性連接層112。舉例而言，可以是未暴露出第一接點122的頂面1221a與側壁1221s、第二接點1222的頂面1222a與側壁1222s、第一電性連接層1121與第二電性連接層1122。另一方面，基於線路佈局需求，可以選擇性地進一步移除部分位於線路板110上相對於凹穴110c的表面110b上的介電層130，以形成另一盲孔130t1，但本發明不限於此。
此外，在本實施例中，如圖1G所示，以俯視觀之，多個盲孔130t的形狀為長條型，但本發明不限於此，在其他實施例中，多個盲孔130t可以具有其他適宜的形狀。
請同時參照圖1D至圖1E與圖1G至圖1H，移除第二部分介電層130，以將多個盲孔130t由所述第一尺寸D1擴張至第二尺寸D2並至少暴露出部分多個接點122的頂面與側壁以及多個電性連接層112。舉例而言，可以是至少暴露出部分第一接點122的頂面1221a與側壁1221s、第二接點1222的頂面1222a與側壁1222s、第一電性連接層1121與第二電性連接層1122。
在本實施例中，藉由分階段移除介電層130，以使盲孔130t由第一尺寸D1擴張至第二尺寸D2而暴露出部分接點122與電性連接層112的製程方式可以避免一次性形成盲孔時，直接衝擊電子元件的接點(如用雷射轟擊等)而造成電子元件損壞進而降 低良率與可靠度的情況發生，因此可以有效提升內埋式元件結構100的良率與可靠度。
在一些實施例中，多個埋孔114的第三尺寸D3與第二尺寸D2的比例介於1比0.25至1比4之間或第二尺寸D2介於20微米至100微米之間，即盲孔130t的第二尺寸D2可以近似於埋孔114的尺寸D3，以降低內埋式元件結構100中盲孔130t所占用的體積，提升內埋式元件結構100中的體積利用率，但本發明不限於此。盲孔130t的第二尺寸D2可以視實際設計上的需求而定。
應說明的是，前述盲孔130t的第一尺寸D1、第二尺寸D2與埋孔114的尺寸D3的定義可以是盲孔130t與埋孔114的最大寬度。
在一實施例中，例如是進行電漿製程與除膠渣(desmear)製程移除第二部分介電層130。一般而言，形成盲孔時通常會利用電漿製程與除膠渣製程以清除孔內的殘留物，因此本實施例可以不用使用額外的製程，直接在清除孔內的殘留物的同時使盲孔130t由第一尺寸D1擴張至第二尺寸D2，因此可以有效地簡化內埋式元件結構100的製程，但本發明不限於此。
請同時參照圖1F、圖1I與圖1J，於第二尺寸D2的多個盲孔130t內形成多個導電端子140，且多個電性連接層112藉由多個導電端子140與多個接點122電性連接。舉例而言，多個導電端子140可以包括第一導電端子1401與第二導電端子1402，其中第一導電端子1401可以至少包覆部分第一接點1221的頂面 1221a與側壁1221s，且第一電性連接層1121藉由第一導電端子1401與第一接點1221電性連接，而第二導電端子1402可以至少包覆部分第二接點1222的頂面1222a與側壁1222s，且第二電性連接層1122藉由第二導電端子1402與第二接點1222電性連接。
在本實施例中，內埋式元件結構100改善了電子元件120中接點122電性連接位置的設計，使導電端子140可以至少包覆部分接點122的頂面與側壁，以避免多餘的損耗有效提升電子產品的品質，再者，藉由前述設計可以使電性連接層112之間錯位配置，因此內埋式元件結構100可以任意連接線路板中各層/方向上欲與接點122進行電性連接的線路，有效提升在三維結構上的佈線靈活度。
此外，在本實施例中，另一部分接點122可以不被導電端子140所包覆。舉例而言，另一部分第一接點1221可以不被第一導電端子1401所包覆，而另一部分第二接點1222可以不被第二導電端子1402所包覆，換句話說，第一導電端子1401可以未完全包覆第一接點1221的頂面1221a與側壁1221s，而第二導電端子1402可以未完全包覆第二接點1222的頂面1222a與側壁1222s。在此，由圖1F與圖1J可以看出，第一導電端子1401未完全包覆第一接點1221的側壁1221s可以是第一導電端子1401僅完全覆蓋第一接點1221的其中一個側壁1221s(如左側的側壁1221s)而未完全覆蓋其他與其相連接的側壁1221s(如正面與背面的側壁1221s)，而第二導電端子1402未完全包覆第二接點1222 的側壁1222s可以是第二導電端子1402僅完全覆蓋第二接點1222的其中一個側壁1222s(如右側的側壁1222s)而未完全覆蓋其他與其相連接的側壁1222s(如正面與背面的側壁1222s)。然而，本發明不限於此，第一接點1221與第二接點1222的被包覆程度可以視實際設計上的需求而定，只要導電端子140可以至少包覆部分接點122的頂面與側壁皆屬於本發明的保護範圍。
在本實施例中，導電端子140可以分別與接點122與電性連接層112直接接觸，以構成電極連接部分。舉例而言，第一導電端子1401可以分別與第一接點1221與第一電性連接層1121直接接觸，而第二導電端子1402可以分別與第二接點1222與第二電性連接層1122直接接觸，以使第一接點1221、第一導電端子1401與第一電性連接層1121構成第一電極連接部分，而第二接點1222、第二導電端子1402與第二電性連接層1122構成第二電極連接部分。此外，在線路板110上相對於凹穴110c的表面110b上可以進一步形成增層線路150，但本發明不限於此。
經過上述製程後即可大致上完成本實施例之內埋式元件結構100的製作。本實施例的內埋式元件結構100包括線路板110、電子元件120、第一導電端子1401以及第二導電端子1402。線路板具有凹穴110c。線路板110包括第一電性連接層1121以及第二電性連接層1122。第一電性連接層1121與第二電性連接層1122錯位配置。電子元件120設置於凹穴110c內。電子元件120包括第一接點1221以及第二接點1222。第一接點1221與第一電 性連接層1121位於同一側。第二接點1222與第二電性連接層1122位於同一側。第一導電端子1401至少包覆部分第一接點1221的頂面1221a與側壁1221s，且第一電性連接層1121藉由第一導電端子1401與第一接點1221電性連接。第二導電端子1402至少包覆部分第二接點1222的頂面1222a與側壁1222s，且第二電性連接層1122藉由第二導電端子1402與第二接點1222電性連接，因此可以有效提升電子產品的品質、在三維結構上的佈線靈活度以及良率與可靠度。
圖2A至圖2C是圖1A的線路板的一製造方法的部分剖面示意圖。
請同時參照圖2A至圖2C，在一實施例中，例如是藉由以下步驟形成圖1A中的線路板110。
首先，如圖2A所示，提供基底1，其中基底1可以包括核心層11、離型層12以及導電材料層13，其中離型層12可以是形成於核心層11上，而導電材料層13可以是形成於離型層12上。舉例而言，離型層12與導電材料層13可以是同時形成於核心層11的上下表面上。
在一些實施例中，核心層11可以包括高分子玻璃纖維複合材料基板、玻璃基板、陶瓷基板、絕緣矽基板或聚醯亞胺(polyimide,PI)玻璃纖維複合基板。然而，本發明不限於此，只要在後續的製程中，核心層11只要可以適於承載形成於其上膜層或配置於其上的元件即可。另一方面，離型層12以及導電材料層13 可以是任何適宜的離型與導電材料。
接著，如圖2B與圖2C所示，將兩側的導電材料13上形成多個圖案化導電材料層1111與多個介電材料層1112，然後，移除核心層11與離型層12，以形成兩個線路板(圖中僅繪示一個示意)，其中於多個圖案化導電材料層1111之間形成多個埋孔114，以使多個圖案化導電材料層1111之間可以電性連接。在此，圖案化導電材料層1111、介電材料層1112、與埋孔114可以以適宜的材料與方法所形成，本發明不限於此。
接著可以於介電材料層1112中形成凹穴110c，以形成如圖1A所示的線路板110。在一實施例中，例如是藉由蝕刻製程以移除核心層11、剩餘的離型層12與導電材料層13，但本發明不限於此。
應說明的是，本發明不限制以前述方式形成線路板110，只要線路板110具有凹穴110c皆屬於本發明的保護範圍。
圖3A至圖3D是依據本發明一實施例的內埋式元件結構的部分製造方法的部分剖面示意圖。圖3E是圖3B的區域D的俯視示意圖。圖3F是圖3C的區域E的俯視示意圖。圖3G是圖3D的區域F的俯視示意圖。圖3H是圖3D的立體示意圖。
請參照圖3A，與圖1A類似，差異在於線路板210的凹穴110c內可以具有多個導電材料層216，導電材料層216可以位於凹穴110c的底部BS。舉例而言，多個導電材料層216可以是線路板210中的圖案化導電材料層1111的一部分，但本發明不限 於此。
請參照圖3B，與圖1D類似，差異在於移除第一部分介電層230之後，以俯視觀之，介電層230中的多個盲孔230t的形狀為馬蹄型，如圖3E所示，其中盲孔230t可以具有第一尺寸D11。另一方面，盲孔230t可以暴露出下方的導電材料層216，因此後續形成於盲孔230t內的導電端子240可以由導電材料層216延伸出來，以進一步提升導電端子240對接點122的包覆性。
請同時參照圖3C，與圖1E類似，差異在於移除第二部分介電層230，可以將多個盲孔230t由第一尺寸D11擴張至第二尺寸D21並暴露出多個接點122之間的區域。換句話說，電子元件120可以包括中心區R1與中心區R1兩側的接點區R2，移除第二部分介電層230可以完全暴露出接點區R2並進一部暴露出部分中心區R1。此外，如圖3F所示，馬蹄型的盲孔230t可以是等距擴張，但本發明不限於此。
請同時參照圖3D、圖3G與圖3H，於第二尺寸D21的多個盲孔230t內形成多個導電端子240，且多個電性連接層112藉由多個導電端子240與多個接點122電性連接，其中導電端子240往中心區R1延伸。舉例而言，可以是第一導電端子2401與第二導電端子2402分別往中心區R1延伸。換句話說，第一導電端子2401可以完全包覆第一接點1221的頂面1221a與側壁1221s，而第二導電端子2402可以完全包覆第二接點1222的頂面1222a與側壁1222s。因此，在本實施例中的內埋式元件結構200可以進一 步提升在三維結構上的佈線靈活度。
圖4是依據本發明另一實施例的內埋式元件結構的部分剖面示意圖。
請參照圖4，與圖1F類似，差異在於本實施例的內埋式元件結構300是於內埋式元件結構100的第一側100a上進一步形成增層線路350，而在相對於第一側100a的第二側100b上進一步形成增層線路360，以使內埋式元件結構300後續可以進一步進行其他電性連接。
綜上所述，本發明的內埋式元件結構改善了電子元件中接點電性連接位置的設計，使導電端子可以至少包覆部分接點的頂面與側壁，以避免多餘的損耗有效提升電子產品的品質，再者，藉由前述設計可以使電性連接層之間錯位配置，因此本發明的內埋式元件結構可以任意連接線路板中各層/方向上欲與接點進行電性連接的線路，有效提升在三維結構上的佈線靈活度。此外，本發明藉由多階段移除介電層，以使盲孔由第一尺寸擴張至第二尺寸而暴露出部分接點與電性連接層的製程方式可以避免一次性形成盲孔時，直接衝擊電子元件的接點(如用雷射轟擊等)而造成電子元件損壞進而降低良率的情況發生，因此可以有效提升內埋式元件結構的可靠度。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍 當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100:內埋式元件結構
110:線路板
112、1121、1122:電性連接層
120:電子元件
122、1221、1222:接點
1221a、1222a:頂面
1221s、1222s:側壁
140、1401、1402:導電端子

Claims (20)

  1. 一種內埋式元件結構，包括：線路板，包括：第一電性連接層；以及第二電性連接層，其中所述第一電性連接層與所述第二電性連接層錯位配置；電子元件，內埋於所述線路板，其中所述電子元件包括：第一接點，與所述第一電性連接層位於同一側；以及第二接點，與所述第二電性連接層位於同一側；第一導電端子，至少包覆部分所述第一接點的頂面與側壁，且所述第一電性連接層藉由所述第一導電端子與所述第一接點電性連接；以及第二導電端子，至少包覆部分所述第二接點的頂面與側壁，且所述第二電性連接層藉由所述第二導電端子與所述第二接點電性連接。
  2. 如請求項1所述的內埋式元件結構，其中：所述第一導電端子分別與所述第一接點與所述第一電性連接層直接接觸；以及所述第二導電端子分別與所述第二接點與所述第二電性連接層直接接觸。
  3. 如請求項1所述的內埋式元件結構，其中所述線路板為多層結構，所述第一電性連接層與所述第二電性連接層位於所述線路板的不同層內。
  4. 如請求項1所述的內埋式元件結構，其中所述第一電性連接層與所述第二電性連接層不互相對準。
  5. 如請求項1所述的內埋式元件結構，其中所述第一電性連接層與所述第二電性連接層不共平面。
  6. 如請求項1所述的內埋式元件結構，其中所述線路板具有凹穴，所述電子元件配置於所述凹穴內以內埋於所述線路板，所述第一電性連接層與所述第二電性連接層沿所述凹穴的延伸方向排列。
  7. 如請求項1所述的內埋式元件結構，其中另一部分的所述第一接點與所述第二接點不被所述第一導電端子與所述第二導電端子所包覆。
  8. 如請求項1所述的內埋式元件結構，其中：所述電子元件包括中心區與所述中心區兩側的接點區；以及所述第一導電端子與所述第二導電端子分別往所述中心區延伸。
  9. 如請求項8所述的內埋式元件結構，其中：所述第一導電端子完全包覆所述第一接點的所述頂面與所述側壁；以及所述第二導電端子完全包覆所述第二接點的所述頂面與所述 側壁。
  10. 如請求項1所述的內埋式元件結構，其中所述電子元件為被動元件。
  11. 一種內埋式元件結構的製造方法，包括：提供具有凹穴的線路板，其中所述線路板包括：多個電性連接層，其中所述多個電性連接層相互錯位配置；配置電子元件於所述凹穴內，其中所述電子元件包括暴露於所述凹穴外的多個接點；形成介電層以密封所述電子元件；移除第一部分所述介電層，以於所述多個接點旁形成具有第一尺寸的多個盲孔；移除第二部分所述介電層，以將所述多個盲孔由所述第一尺寸擴張至第二尺寸並至少暴露出部分所述多個接點的頂面與側壁以及所述多個電性連接層；以及形成多個導電端子於所述第二尺寸的所述多個盲孔內，且所述多個電性連接層藉由所述多個導電端子與所述多個接點電性連接。
  12. 如請求項11所述的內埋式元件結構的製造方法，其中所述線路板包括多個埋孔，且所述多個埋孔的第三尺寸與所述第二尺寸的比例介於1比0.25至1比4之間或所述第二尺寸介於20微米至100微米之間。
  13. 如請求項11所述的內埋式元件結構的製造方法，其中移除所述第一部分介電層時，未暴露出所述多個接點的所述頂面與所述側壁與所述多個電性連接層。
  14. 如請求項11所述的內埋式元件結構的製造方法，其中進行雷射鑽孔製程、電漿製程或噴砂製程移除所述第一部分介電層。
  15. 如請求項11所述的內埋式元件結構的製造方法，其中進行電漿製程與除膠渣製程移除所述第二部分介電層。
  16. 如請求項11所述的內埋式元件結構的製造方法，其中所述電子元件以黏著層貼附於所述凹穴內。
  17. 如請求項11所述的內埋式元件結構的製造方法，其中以俯視觀之，所述多個盲孔的形狀為長條型。
  18. 如請求項11所述的內埋式元件結構的製造方法，其中移除部分所述第二部分介電層，暴露出所述多個接點之間的區域。
  19. 如請求項18所述的內埋式元件結構的製造方法，其中以俯視觀之，所述多個盲孔的形狀為馬蹄型。
  20. 如請求項18所述的內埋式元件結構的製造方法，其中所述凹穴內具有多個導電材料層，且所述導電材料層位於所述凹穴的底部。
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