TWI731182B - 基板裝載系統 - Google Patents
基板裝載系統 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI731182B TWI731182B TW106135639A TW106135639A TWI731182B TW I731182 B TWI731182 B TW I731182B TW 106135639 A TW106135639 A TW 106135639A TW 106135639 A TW106135639 A TW 106135639A TW I731182 B TWI731182 B TW I731182B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- tray
- substrate
- top surface
- aperture
- manipulator
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
- H01L21/6779—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks the workpieces being stored in a carrier, involving loading and unloading
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67346—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
Abstract
一種用於基板轉移方法的方法、系統、及設備,包括以下步驟:將托盤操控器裝置定位於第一位置,其中i)第一托盤的孔隙的切口與基座平台的各別基座疊置,以及ii)基座的遠端延伸遠離第一托盤的頂表面;增加第一托盤的頂表面與基座平台的頂表面之間的距離,以將第一基板從基座轉移到由第一托盤的孔隙定義的突舌,同時將第二托盤操控器與第二托盤接合;以及增加第二托盤的頂表面與卡盤的底表面之間的距離,以將第二基板從卡盤轉移到由第二托盤定義的突舌。
Description
本申請案主張2016年11月3日提交的美國臨時申請案第62/416,916號的提交日期的權益。美國申請案第62/416,916號的內容藉由引用整體併入本文。
此發明係關於在涉及微影術與類似奈米製造技術的系統與方法中的基板(例如半導體晶圓)的裝載。
奈米製造包括具有約100奈米或更小的特徵的非常小的結構的製造。奈米製造具有相當大影響的一個應用係為積體電路的處理。半導體處理工業持續努力實現更大的生產量,同時增加在基板上形成的每單位面積的電路,因此,奈米製造變得越來越重要。奈米製造提供更大的處理控制,同時允許所形成結構的最小特徵尺寸持續降低。已經採用奈米製造的其他發展領域包括生物技術、光學技術、機械系統、及類似者。
然而,奈米製造系統的不同模組中的基板的運輸量會影響系統的產量。改善基板的運輸可以導致降低基板的裝載/卸載時間,並且可以期望增加產量。
本說明書所述之標的之創新態樣可以體現於包括以下動作的方法中:提供托盤操控器裝置,托盤操控器裝置包括與第二托盤操控器相對定位的第一托盤操控器;提供第一托盤與第二托盤,第一與第二托盤中之每一者定義孔隙,且每一者具有頂表面,每一孔隙定義至少二個切口與二個突舌;提供具有頂表面與底表面的基板卡盤;將第一托盤操控器與第一托盤接合;將托盤操控器裝置定位在第一位置,其中i)第一托盤的孔隙的切口與基座平台的各別基座疊置,以及ii)基座的遠端延伸遠離第一托盤的頂表面;增加第一托盤的頂表面與基座平台的頂表面之間的距離,以將第一基板從基座轉移到由第一托盤的孔隙定義的突舌,同時將第二托盤操控器與第二托盤接合;增加第二托盤的頂表面與基板卡盤的底表面之間的距離,以將第二基板從基板卡盤轉移到由第二托盤定義的突舌;將托盤操控器裝置從第一位置旋轉到第二位置,其中i)由第一托盤的孔隙定義的突舌與基板卡盤的各別通道疊置,以及ii)第二托盤的孔隙的切口與各別基座疊置;減少第一托盤的頂表面與基板卡盤的底表面之間的距離,以將第一基板從由第一托盤的孔隙定義的突舌轉移到基板卡盤的頂表面,而由第一托盤的孔隙定義的突舌係設置在基板卡盤的各別通道內;以及將第一托盤操控器與第一托盤解除接合,同時減少第二托盤的頂表面與基座平台的頂表面之間的距離,以將第二基板從由第二托盤的孔隙定義的突舌轉移到基座。
這些態樣的其他實施例包括相應系統及設備。
這些及其他實施例中之每一者可以可選擇地包括以下特徵中之一或更多者。舉例而言,移除位於基座上的第二基板;將第三基板定位於基座上;以及在將第一托盤操控器與第一托盤解除接合之後,在位於第一基板上的材料中形成圖案,而第一基板係位於基板卡盤上,且第一托盤係與基板卡盤耦接。在位於第一基板上的材料中形成圖案之後,將第一托盤操控器與第一托盤接合,同時增加第二托盤的頂表面與基座平台的頂表面之間的距離,以將第三基板從基座轉移到由第二托盤的孔隙定義的突舌。在將第一托盤操控器與第一托盤接合之後,增加第一托盤的頂表面與基板卡盤的底表面之間的距離,以將第一基板從基板卡盤轉移到由第一托盤定義的突舌。在增加第一托盤的頂表面與基板卡盤的底表面之間的距離之後,將托盤操控器裝置從第二位置旋轉到第一位置,其中第一托盤的孔隙的切口係與基座平台的各別基座疊置。減少第一托盤的頂表面與基座平台的頂表面之間的距離,以將第一基板從由第一托盤的孔隙定義的突舌轉移到基座。減少第二托盤的頂表面與基板卡盤的底表面之間的距離,以將第三基板從由第二托盤的孔隙定義的突舌轉移到基板卡盤的頂表面,而由第二托盤的孔隙定義的突舌係設置在基板卡盤的各別通道內。第二基板包括在將第二基板從基板卡盤轉移到由第二托盤定義的突舌之前定位於其上的圖案化層。
本說明書所述之標的之創新態樣可以體現於包括下列各者的系統中:基座平台的二或更多個基座;基板卡盤,具有頂表面與底表面,並包括通道;第一托盤與第二托盤,第一與第二托盤中之每一者定義孔隙,且每一者具有頂表面,每一孔隙定義至少二個切口與二個突舌;托盤操控器裝置,包括與第二托盤操控器相對定位的第一托盤操控器,第一托盤操控器可以與第一托盤接合,第二托盤操控器可以與第二托盤接合,托盤操控器可在第一與第二位置之間旋轉,第一位置具有i)第一托盤的孔隙的切口與基座平台的各別基座疊置,以及ii)基座的遠端延伸遠離第一托盤的頂表面,第二位置具有i)由第一托盤的孔隙定義的突舌與基板卡盤的各別通道疊置,以及ii)第二托盤的孔隙的切口與各別基座疊置;以及致動器系統,當托盤操控器裝置處於第一位置時,i)增加第一托盤的頂表面與基座平台的頂表面之間的距離,以將第一基板從基座轉移到由第一托盤的孔隙定義的突舌,同時將第二托盤操控器與第二托盤接合,以及ii)增加第二托盤的頂表面與基板卡盤的底表面之間的距離,以將第二基板從基板卡盤轉移到由第二托盤定義的突舌,以及當托盤操控器處於第二位置時,i)減少第一托盤的頂表面與基板卡盤的底表面之間的距離,以將第一基板從由第一托盤的孔隙定義的突舌轉移到基板卡盤的頂表面,而由第一托盤的孔隙定義的突舌係設置在基板卡盤的各別通道內,以及ii)減少第二托盤的頂表面與基座平台的頂表面之間的距離,以將第二基板從由第二托盤的孔隙定義的突舌轉移到基座,而第一托盤操控器係與第一托盤解除接合。
這些態樣的其他實施例包括相應方法。
這些及其他實施例中之每一者可以可選擇地包括以下特徵中之一或更多者。舉例而言,該系統包含旋轉系統,以將托盤操控器裝置在第一與第二位置之間旋轉。該系統包含圖案化系統,以在第一基板位於基板卡盤的頂表面上時,在第一基板中形成圖案。致動器系統包含第一致動器模組,當托盤操控器裝置處於第一位置時,第一致動器模組增加第一托盤的頂表面與基座平台的頂表面之間的距離,以將第一基板從基座轉移到由第一托盤的孔隙定義的突舌,同時將第二托盤操控器與第二托盤接合,以及當托盤操控器裝置處於第二位置時,第一致動器模組減少第一托盤的頂表面與基板卡盤的底表面之間的距離,以將第一基板從由第一托盤的孔隙定義的突舌轉移到基板卡盤的頂表面,而由第一托盤的孔隙定義的突舌係設置在基板卡盤的各別通道內。致動器系統包含第二致動器模組,當托盤操控器處於第一位置時,第二致動器模組增加第二托盤的頂表面與基板卡盤的底表面之間的距離,以將第二基板從基板卡盤轉移到由第二托盤定義的突舌,以及當托盤操控器處於第二位置時且當托盤操控器裝置處於第二位置時,第二致動器模組減少第二托盤的頂表面與基座平台的頂表面之間的距離,以將第二基板從由第二托盤的孔隙定義的突舌轉移到基座,而將第一托盤操控器與第一托盤解除接合。
可實施此說明書中所述之標的之特定實施方案,以實現以下優點中之一或更多者。本揭示的實施方案可以改善基板的運輸,而導致基板的裝載/卸載時間降低,並增加生產量。
此說明書中所述之標的之一或更多個實施例的細節係闡述於隨附圖式及以下說明中。藉由說明、圖式、及請求項,將更加理解標的之其他潛在特徵、態樣、及優點。
本文件描述提供將基板裝載至基座與基板卡盤以及從基座與基板卡盤卸載基板的方法及系統。具體而言,提供一種包括與第二托盤操控器相對定位的第一托盤操控器的托盤操控器裝置。提供第一托盤與第二托盤,第一與第二托盤中之每一者定義孔隙,且每一者具有頂表面,每一孔隙定義至少二個切口與二個突舌。提供具有頂表面與底表面的基板卡盤。第一托盤操控器係與第一托盤接合。托盤操控器裝置係定位在第一位置,其中i)第一托盤的孔隙的切口與基座平台的各別基座疊置,以及ii)基座的遠端延伸遠離第一托盤的頂表面。增加第一托盤的頂表面與基座平台的頂表面之間的距離,以將第一基板從基座轉移到由第一托盤的孔隙定義的突舌,同時將第二托盤操控器與第二托盤接合。增加第二托盤的頂表面與基板卡盤的底表面之間的距離,以將第二基板從基板卡盤轉移到由第二托盤定義的突舌。
托盤操控器裝置從第一位置旋轉到第二位置,其中i)由第一托盤的孔隙定義的突舌與基板卡盤的各別通道疊置,以及ii)第二托盤的孔隙的切口與各別基座疊置。減少第一托盤的頂表面與基板卡盤的底表面之間的距離,以將第一基板從由第一托盤的孔隙定義的突舌轉移到基板卡盤的頂表面,而由第一托盤的孔隙定義的突舌係設置在基板卡盤的各別通道內。將第一托盤操控器與第一托盤解除接合,同時減少第二托盤的頂表面與基座平台的頂表面之間的距離,以將第二基板從由第二托盤的孔隙定義的突舌轉移到基座。
第1圖圖示在基板102上形成浮雕圖案的壓印微影系統100。基板102可以耦接至基板卡盤104。在一些實例中,基板卡盤104可以包括真空卡盤、銷型卡盤、槽型卡盤、電磁卡盤、及/或類似者。在一些實例中,基板102與基板卡盤104可以進一步定位在空氣軸承106上。空氣軸承106提供環繞x軸、y軸、及/或z軸的運動。在一些實例中,基板102與基板卡盤104係位於工件台上。空氣軸承106、基板102、及基板卡盤104亦可定位於底座108上。在一些實例中,機器人系統110將基板102定位於基板卡盤104上。
壓印微影系統100進一步包括壓印微影柔性模板112,壓印微影柔性模板112取決於設計考慮而耦接至一或更多個輥114。輥114提供柔性模板112的至少一部分的移動。這種移動可以選擇性提供柔性模板112與基板102疊置的不同部分。在一些實例中,柔性模板112包括圖案化表面,圖案化表面包括複數個特徵,例如間隔開的凹部與突起。然而,在一些實例中,特徵的其他配置是可能的。圖案化表面可定義任何原始圖案,以形成將在基板102上形成的圖案的基礎。在一些實例中,柔性模板112可以耦接至模板卡盤,例如真空卡盤、銷型卡盤、槽型卡盤、電磁卡盤、及/或類似者。
壓印微影系統100可進一步包含流體分配系統120。流體分配系統120可用於將可聚合材料沉積於基板102上。可聚合材料可以使用例如液滴分配、旋塗、浸塗、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、薄膜沉積、厚膜沉積、及/或類似者的技術來定位於基板102上。在一些實例中,可聚合材料定位於基板102上,以作為複數個液滴。
參照第1圖與第2圖,壓印微影系統100可進一步包含能量源122,能量源122經耦接以將能量導引朝向基板102。在一些實例中,輥114與空氣軸承106經配置以將柔性模板112與基板102的期望部分定位於期望位置中。壓印微影系統100可以藉由與空氣軸承106、輥114、流體分配系統120、及/或能量源122通訊的處理器而調節,且可以在儲存在記憶體中的電腦可讀取程式上操作。
在一些實例中,輥114、空氣軸承106、或二者改變柔性模板112與基板102之間的距離,以在其間定義由可聚合材料填充的期望容積。舉例而言,柔性模板112接觸可聚合材料。在藉由可聚合材料填充期望容積之後,能量源122產生能量(例如寬頻紫外線輻射),而造成可聚合材料固化及/或交叉結合,而讓基板102的表面與柔性模板112的圖案化表面的部分的形狀一致,以在基板102上定義圖案化層150。在一些實例中,圖案化層150可包含殘餘層152以及顯示為突起154與凹陷156的複數個特徵。
第3圖圖示基板裝載系統302的透視圖。簡言之,基板裝載系統302有助於將基板裝載至一或更多個站點(例如,基座及/或基板卡盤)以及從一或更多個站點卸載基板。基板裝載系統302包括托盤操控器裝置304,托盤操控器裝置304包括與第二托盤操控器308相對定位的第一托盤操控器306。在一些實例中,第一托盤操控器306與第二托盤操控器308可以包括一或更多個臂309。
基板裝載系統302進一步包括第一托盤310與第二托盤312。第一托盤310與第二托盤312中之每一者分別具有頂表面314、316。此外,第一托盤310定義孔隙318a、318b、318c、318d(統稱為孔隙318),而第二托盤312定義孔隙320a、320b、320c、320d(統稱為孔隙320)。然而,第一托盤310與第二托盤312可以定義任何數量的孔隙。孔隙318、320中之每一者定義切口與突舌。具體而言,第4圖圖示包括切口322a、322b、322c、322d(統稱為切口322)與突舌324a、324b、324c、324d(統稱為突舌324)的孔隙318、320中之一者的頂視圖。然而,孔隙318、320中之每一者可以包括任何數量的切口322與突舌324。在一些實例中,突舌324包括位於其上的高摩擦材料,例如Viton®(可從The Chemours Company取得)、Kalrez®(可從DuPontTM取得)、或Simriz®(可從Freudenberg Sealing Technologies取得)。
基板裝載系統302進一步包括基板卡盤326a、326b、326c、326d(統稱為基板卡盤326);然而,基板裝載系統302可以包括任何數量的基板卡盤326。第5圖圖示基板卡盤326中之一者的側視圖。基板卡盤326包括與底表面330相對定位的頂表面328。基板卡盤326亦包括定位在每一基板卡盤326的周邊處的通道332。在一些實例中,對於特定孔隙318、320而言,通道332的數量係與特定孔隙318、320的突舌324的數量相匹配。如第6圖所示,基板裝載系統302進一步包括基座平台334,基座平台334包括從頂表面337延伸的複數個基座336。在一些實例中,基座336的第一子集可以與第一高度相關聯,而基座336的第二子集可以與第二高度相關聯。
參照第6圖,圖示基板裝載系統302的側視圖。基板裝載系統302進一步包括致動器系統340與旋轉系統342。在一些實例中,致動器系統340包括第一致動器模組341與第二致動器模組343。致動器系統340增加及/或減少托盤操控器裝置304的相對定位,而具體而言,第一托盤操控器306與第二托盤操控器308係相對於基板卡盤326與基座336。旋轉系統342讓托盤操控器裝置304相對於軸線344旋轉。基板裝載系統302進一步包
括空氣軸承350與支撐結構352。在一些實例中,空氣軸承350有助於基板卡盤326環繞支撐結構352的移動。
參照第7A圖至第7L圖,基板裝載系統302係展示為有助於將基板裝載至基座336與基板卡盤326以及從基座336與基板卡盤326卸載基板。具體而言,在一些實施方案中,如第7A圖所示,將第一托盤操控器306與第一托盤310接合。在一些實例中,將第一托盤操控器306與第一托盤310接合之步驟可以包括耦接第一托盤操控器306與第一托盤310。在一些實例中,第一托盤操控器306的臂309在第一托盤310的周邊處與第一托盤310接合。
在一些實施方案中,基板裝載系統302將托盤操控器裝置304定位於第一位置。在一些實例中,將托盤操控器裝置304定位於第一位置之步驟包括將第一托盤310的孔隙318中之每一者的切口322與基座平台334的各別基座336疊置。在一些實例中,將托盤操控器裝置304定位於第一位置之步驟包括基座336中之每一者的遠端354延伸離開第一托盤310的頂表面314。
在一些實施方案中,如第7B圖所示,第一致動器模組341增加第一托盤310的頂表面314與基座平台334的頂表面337之間的距離。在一些實例中,增加第一托盤310的頂表面314與基座平台334的頂表面337之間的距離之步驟包括將第一基板360從定位於基座336上轉移到由第一托盤310的孔隙318定義的突舌324。在
一些實例中,將第一基板360從定位於基座336上轉移到由第一托盤310的孔隙318定義的突舌324之步驟包括將第一基板360從定位於基座336上轉移到由第一托盤310的孔隙318定義的突舌324,而第二托盤操控器308與第二托盤312接合。在一些實例中,將第二托盤操控器308與第二托盤312接合之步驟可以包括耦接第二托盤操控器308與第二托盤312。在一些實例中,第二托盤操控器308的臂309在第二托盤312的周邊處與第二托盤312接合。
在一些實例中,藉由將第一基板360轉移到由第一托盤310的孔隙318定義的突舌324之步驟,而最小化與第一基板360的接觸。亦即,藉由將第一基板360僅與由第一托盤310的孔隙318定義的突舌324接觸,而最小化其間的接觸。藉由最小化與第一基板360的接觸(例如藉由突舌324),而最小化將缺陷引入第一基板360的可能,以及最小化托盤操控器裝置302對第一基板360的顆粒污染。
在一些實施方案中,如第7C圖所示,第二致動器模組343增加第二托盤312的頂表面316與基板卡盤326的底表面330之間的距離。在一些實例中,增加第二托盤312的頂表面316與基板卡盤326的底表面330之間的距離之步驟包括將第二基板362從定位於基板卡盤326上轉移到由第二托盤312的孔隙320定義的突舌324。在一些實例中,第二基板362包括在將第二基板
362從基板卡盤326轉移到由第二托盤312的孔隙320定義的突舌324之前定位於其上的圖案化層351。
在一些實施方案中,如第7D圖所示,旋轉系統342將托盤操控器裝置304從第一位置旋轉到第二位置。具體而言,旋轉系統342讓托盤操控器裝置304環繞軸線344旋轉,而使得托盤操控器裝置304處於第二位置。在一些實例中,將托盤操控器裝置304定位於第二位置之步驟包括將由第一托盤310的孔隙318定義的突舌324與基板卡盤326的通道332疊置。在一些實例中,將托盤操控器裝置304定位於第二位置之步驟包括將第二托盤312的孔隙320中之每一者的切口322與基座平台334的各別基座336疊置。
在一些實施方案中,如第7E圖所示,在旋轉系統342將托盤操控器裝置304從第一位置旋轉到第二位置之後,第一致動器模組341減少第一托盤310的頂表面314與基板卡盤326的底表面330之間的距離。在一些實例中,減少第一托盤310的頂表面314與基板卡盤326的底表面330之間的距離之步驟包括將第一基板360從由第一托盤310的孔隙318定義的突舌324轉移到基板卡盤326的頂表面328,而由第一托盤310的孔隙318定義的突舌324係設置於基板卡盤326的各別通道332內。
在一些實施方案中,如第7F圖所示,將第一托盤操控器306與第一托盤310解除接合。亦即,將第一托盤操控器306與第一托盤310解除接合之步驟可以包
括將第一托盤操控器306與第一托盤310解除耦接。在一些實例中,第一托盤操控器306的臂309在第一托盤310的周邊處與第一托盤310解除接合。在一些實例中,將第一托盤操控器306與第一托盤310解除接合,同時第二致動器模組343減少第二托盤312的頂表面316與基座平台334的頂表面337之間的距離。在一些實例中,減少第二托盤312的頂表面316與基座平台334的頂表面337之間的距離之步驟包括將第二基板362從定位於由第二托盤312的孔隙320定義的突舌324上轉移到基座336。
在一些實例中,在第一托盤操控器306與第一托盤310解除接合之後,圖案化系統(如第1圖所示)在第一基板360中(或者在定位於其上的層)形成圖案。具體而言,空氣軸承350有助於基板卡盤326環繞支撐結構352沿著遠離托盤操控器裝置304及朝向圖案化系統(未圖示)的方向移動。
在一些實施方案中,如第7G圖所示,機器人系統(未圖示)移除定位於基座336上的第二基板362。在一些實例中,機器人系統(未圖示)將第三基板364定位於基座336上。在一些實例中,在第一托盤操控器306與第一托盤310解除接合之後,圖案化系統(未圖示)形成位於第一基板360上的圖案化層370,而第一基板360係定位於基板卡盤326上,且第一托盤310耦接到基板卡盤326。
在一些實施方案中,如第7H圖所示,在圖案化系統(未圖示)形成位於第一基板360上的圖案化層370之後,第一托盤操控器306與第一托盤310接合。在一些實例中,將第一托盤操控器306與第一托盤310接合之步驟可以包括耦接第一托盤操控器306與第一托盤310。在一些實例中,第一托盤操控器306的臂309在第一托盤310的周邊處與第一托盤310接合。在一些實例中,將第一托盤操控器306與第一托盤310接合,同時第二致動器模組343增加第二托盤312的頂表面316與基座平台334的頂表面337之間的距離。在一些實例中,增加第二托盤312的頂表面316與基座平台334的頂表面337之間的距離之步驟包括將第三基板364從定位於基座336上轉移到由第二托盤312的孔隙320定義的突舌324。
在一些實施方案中,如第7I圖所示,在第一托盤操控器306與第一托盤310接合之後,第一致動器模組341增加第一托盤310的頂表面314與基板卡盤326的底表面330之間的距離。在一些實例中,增加第一托盤310的頂表面314與基板卡盤326的底表面330之間的距離之步驟包括將第一基板360從定位於基板卡盤326上轉移到由第一托盤310的孔隙318定義的突舌324。
在一些實施方案中,如第7J圖所示,在第一致動器模組341增加第一托盤310的頂表面314與基板卡盤326的底表面330之間的距離之後,旋轉系統342將
托盤操控器裝置304從第二位置旋轉到第一位置。具體而言,旋轉系統342讓托盤操控器裝置304環繞軸線344旋轉,而使得托盤操控器裝置304處於第一位置。在一些實例中,將托盤操控器裝置304定位於第一位置之步驟包括將第一托盤310的孔隙318的切口322與基座平台334的各別基座336疊置。
在一些實施方案中,如第7K圖所示,第一致動器模組341減少第一托盤310的頂表面314與基座平台334的頂表面337之間的距離。在一些實例中,減少第一托盤310的頂表面314與基座平台334的頂表面337之間的距離之步驟包括將第一基板360從定位於由第一托盤310的孔隙318定義的突舌324上轉移到基座336。
在一些實施方案中,如第7L圖所示,第二致動器模組343減少第二托盤312的頂表面316與基板卡盤326的底表面330之間的距離。在一些實例中,減少第二托盤312的頂表面316與基板卡盤326的底表面330之間的距離之步驟包括將第三基板364從由第二托盤312的孔隙320定義的突舌324轉移到基板卡盤326的頂表面328,而由第二托盤312的孔隙320定義的突舌324係設置於基板卡盤326的各別通道332內。
在一些實例中,第二基板362可以類似於上面關於第一基板360所述而處理,具體而言,第7A圖至第7L圖所述的處理可以應用於第二基板362。在一些實例
中,第7A圖至第7L圖的任何步驟可以依序或並行地發生。
為了簡化說明,圖示單一第一基板360、單一第二基板362、單一第三基板364、及單一基板卡盤326;然而,第7A圖至第7L圖的處理可以相對於複數個基板卡盤326而應用於複數個第一基板360、複數個第二基板362、及複數個第三基板364。亦即,複數個第一基板360、複數個第二基板362、及複數個第三基板364可以同時進行第7A圖至第7L圖的處理。在一些實例中,與基板的一個完整的交換循環相關聯的基板裝載系統302的第7A圖至第7L圖的處理係為5.3秒,而基板裝載系統302(具體而言,托盤操控器裝置304)在1.5秒中完成一個週期。在一些實例中,基板裝載系統302(具體而言,旋轉系統342)順時針及/或逆時針旋轉托盤操控器裝置304。
第8圖圖示用於將基板裝載至基座與基板卡盤以及從基座與基板卡盤卸載基板的示例性方法。處理800係圖示為佈置在邏輯流程圖中的參考動作的集合。描述動作的順序並不意欲視為限制,而任何數量的所描述動作可以利用其他順序及/或並行地組合,以實現處理。
提供托盤操控器裝置304(802)。在一些實例中,托盤操控器裝置304包括與第二托盤操控器308相對定位的第一托盤操控器306。提供第一托盤310與第二托盤312(804)。在一些實例中,第一托盤310定義孔
隙318,而第二托盤定義孔隙320。在一些實例中,第一托盤310具有頂表面314,而第二托盤具有頂表面316。在一些實例中,每一孔隙318、320定義至少二個切口322與二個突舌324。提供基板卡盤326(806)。在一些實例中,基板卡盤326包括頂表面328與底表面330。將第一托盤操控器306與第一托盤310接合(808)。
將托盤操控器裝置304定位於第一位置(810)。在一些實例中,將托盤操控器裝置304定位於第一位置之步驟包括將第一托盤310的孔隙318中之每一者的切口322與基座平台334的各別基座336疊置。在一些實例中,將托盤操控器裝置304定位於第一位置之步驟包括基座336中之每一者的遠端354延伸離開第一托盤310的頂表面314。
增加第一托盤310的頂表面314與基座平台334的頂表面337之間的距離(812)。舉例而言,第一致動器模組341增加第一托盤310的頂表面314與基座平台334的頂表面337之間的距離。在一些實例中,增加第一托盤310的頂表面314與基座平台334的頂表面337之間的距離之步驟包括將第一基板360從定位於基座336上轉移到由第一托盤310的孔隙318定義的突舌324。在一些實例中,將第一基板360從定位於基座336上轉移到由第一托盤310的孔隙318定義的突舌324之步驟包括將第一基板360從定位於基座336上轉移到由
第一托盤310的孔隙318定義的突舌324,而第二托盤操控器308與第二托盤312接合。
增加第二托盤312的頂表面316與基板卡盤326的底表面330之間的距離(814)。舉例而言,第二致動器模組343增加第二托盤312的頂表面316與基板卡盤326的底表面330之間的距離。在一些實例中,增加第二托盤312的頂表面316與基板卡盤326的底表面330之間的距離之步驟包括將第二基板362從定位於基板卡盤326上轉移到由第二托盤312的孔隙320定義的突舌324。
托盤操控器裝置304從第一位置旋轉到第二位置(816)。舉例而言,旋轉系統342將托盤操控器裝置304從第一位置旋轉到第二位置。在一些實例中,將托盤操控器裝置304定位於第二位置之步驟包括將由第一托盤310的孔隙318定義的突舌324與基板卡盤326的通道332疊置。在一些實例中,將托盤操控器裝置302定位於第二位置之步驟包括將第二托盤312的孔隙320中之每一者的切口322與基座平台334的各別基座336疊置。
減少第一托盤310的頂表面314與基板卡盤326的底表面330之間的距離(818)。舉例而言,第一致動器模組341減少第一托盤310的頂表面314與基板卡盤326的底表面330之間的距離。在一些實例中,減少第一托盤310的頂表面314與基板卡盤326的底表面330之間的距離之步驟包括將第一基板360從由第一托盤
310的孔隙318定義的突舌324轉移到基板卡盤326的頂表面328,而由第一托盤310的孔隙318定義的突舌324係設置於基板卡盤326的各別通道332內。
將第一托盤操控器306與第一托盤310解除接合(820)。在一些實例中,將第一托盤操控器306與第一托盤310解除接合,同時第二致動器模組343減少第二托盤312的頂表面316與基座平台334的頂表面337之間的距離。在一些實例中,減少第二托盤312的頂表面316與基座平台334的頂表面337之間的距離之步驟包括將第二基板362從定位於由第二托盤312的孔隙320定義的突舌324上轉移到基座336。
100:壓印微影系統
102:基板
104:基板卡盤
106:空氣軸承
108:底座
110:機器人系統
111:平坦表面
112:柔性模板
114:輥
120:流體分配系統
122:能量源
150:圖案化層
152:殘餘層
154:突起
156:凹陷
302:基板裝載系統
304:托盤操控器裝置
306:第一托盤操控器
308:第二托盤操控器
309:臂
310:第一托盤
312:第二托盤
314:頂表面
316:頂表面
318:孔隙
318a:孔隙
318b:孔隙
318c:孔隙
318d:孔隙
320:孔隙
320a:孔隙
320b:孔隙
320c:孔隙
320d:孔隙
322:切口
322a:切口
322b:切口
322c:切口
322d:切口
324:突舌
324a:突舌
324b:突舌
324c:突舌
324d:突舌
326:基板卡盤
326a:基板卡盤
326b:基板卡盤
326c:基板卡盤
326d:基板卡盤
328:頂表面
330:底表面
332:通道
334:基座平台
336:基座
337:頂表面
340:致動器系統
341:第一致動器模組
342:旋轉系統
343:第二致動器模組
344:軸線
350:空氣軸承
351:圖案化層
352:支撐結構
354:遠端
360:第一基板
362:第二基板
364:第三基板
370:圖案化層
800:處理
802:步驟
804:步驟
806:步驟
808:步驟
810:步驟
812:步驟
814:步驟
816:步驟
818:步驟
820:步驟
第1圖圖示微影系統的簡化側視圖。
第2圖圖示具有位於其上的圖案化層的基板的簡化側視圖。
第3圖圖示包括托盤操控器裝置的基板裝載系統的透視圖。
第4圖圖示托盤操控器裝置的一部分的頂視圖。
第5圖圖示基板卡盤的側視圖。
第6圖圖示基板裝載系統的側視圖。
第7A圖至第7L圖圖示包括將基板裝載至基座與基板卡盤以及從基座與基板卡盤卸載基板的基板裝載系統的簡化側視圖。
第8圖圖示用於將基板裝載至基座與基板卡盤以及從基座與基板卡盤卸載基板的示例性方法。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
302‧‧‧基板裝載系統
304‧‧‧托盤操控器裝置
306‧‧‧第一托盤操控器
308‧‧‧第二托盤操控器
309‧‧‧臂
310‧‧‧第一托盤
312‧‧‧第二托盤
314‧‧‧頂表面
316‧‧‧頂表面
318a‧‧‧孔隙
318b‧‧‧孔隙
318c‧‧‧孔隙
318d‧‧‧孔隙
320a‧‧‧孔隙
320b‧‧‧孔隙
320c‧‧‧孔隙
320d‧‧‧孔隙
326a‧‧‧基板卡盤
326b‧‧‧基板卡盤
326c‧‧‧基板卡盤
326d‧‧‧基板卡盤
336‧‧‧基座
Claims (13)
- 一種壓印微影基板轉移方法,包含以下步驟:提供一托盤操控器裝置,該托盤操控器裝置包括與一第二托盤操控器相對定位的一第一托盤操控器;提供一第一托盤與一第二托盤,該第一與該第二托盤中之每一者定義一孔隙,且每一者具有一頂表面,每一孔隙定義至少二個切口與二個突舌;提供具有一頂表面與一底表面的一基板卡盤;將該第一托盤操控器與該第一托盤接合;將該托盤操控器裝置定位在一第一位置,其中i)該第一托盤的該孔隙的該等切口與一基座平台的各別基座疊置,以及ii)該等基座的一遠端延伸遠離該第一托盤的該頂表面;增加該第一托盤的該頂表面與該基座平台的一頂表面之間的一距離,以將一第一基板從該等基座轉移到由該第一托盤的該孔隙定義的該等突舌,同時將該第二托盤操控器與該第二托盤接合;增加該第二托盤的該頂表面與該基板卡盤的該底表面之間的一距離,以將一第二基板從該基板卡盤轉移到由該第二托盤定義的該等突舌;將該托盤操控器裝置從該第一位置旋轉到一第二位置,其中i)由該第一托盤的該孔隙定義的該等突舌與 該基板卡盤的各別通道疊置,以及ii)該第二托盤的該孔隙的該等切口與各別基座疊置;減少該第一托盤的該頂表面與該基板卡盤的該底表面之間的一距離,以將該第一基板從由該第一托盤的該孔隙定義的該等突舌轉移到該基板卡盤的該頂表面,而由該第一托盤的該孔隙定義的該等突舌係設置在該基板卡盤的該等各別通道內;以及將該第一托盤操控器與該第一托盤解除接合,同時減少該第二托盤的該頂表面與該基座平台的該頂表面之間的一距離,以將該第二基板從由該第二托盤的該孔隙定義的該等突舌轉移到該等基座。
- 如請求項1所述之方法,進一步包含以下步驟:移除定位於該等基座上的該第二基板;將一第三基板定位於該等基座上;以及在將該第一托盤操控器與該第一托盤解除接合之後,在位於該第一基板上的一材料中形成一圖案,而該第一基板係位於該基板卡盤上,且該第一托盤係與該基板卡盤耦接。
- 如請求項2所述之方法,進一步包含以下步驟:在位於該第一基板上的該材料中形成該圖案之後, 將該第一托盤操控器與該第一托盤接合,同時增加該第二托盤的該頂表面與該基座平台的該頂表面之間的該距離,以將該第三基板從該等基座轉移到由該第二托盤的該孔隙定義的該等突舌。
- 如請求項3所述之方法,進一步包含以下步驟:在將該第一托盤操控器與該第一托盤接合之後,增加該第一托盤的該頂表面與該基板卡盤的該底表面之間的該距離,以將該第一基板從該基板卡盤轉移到由該第一托盤定義的該等突舌。
- 如請求項4所述之方法,進一步包含以下步驟:在增加該第一托盤的該頂表面與該基板卡盤的該底表面之間的該距離之後,將該托盤操控器裝置從該第二位置旋轉到該第一位置,其中該第一托盤的該孔隙的該等切口係與該基座平台的各別基座疊置。
- 如請求項5所述之方法,進一步包含以下步驟:減少該第一托盤的該頂表面與該基座平台的該頂表面之間的該距離,以將該第一基板從由該第一托盤的該孔隙定義的該等突舌轉移到該等基座。
- 如請求項6所述之方法,進一步包含以下步驟:減少該第二托盤的該頂表面與該基板卡盤的該底 表面之間的該距離,以將該第三基板從由該第二托盤的該孔隙定義的該等突舌轉移到該基板卡盤的該頂表面,而由該第二托盤的該孔隙定義的該等突舌係設置在該基板卡盤的該等各別通道內。
- 如請求項1所述之方法,其中該第二基板包括在將該第二基板從該基板卡盤轉移到由該第二托盤定義的該等突舌之前定位於其上的一圖案化層。
- 一種壓印微影系統,包含:一基座平台的二或更多個基座;一基板卡盤,具有一頂表面與一底表面,並包括通道;一第一托盤與一第二托盤,該第一與該第二托盤中之每一者定義一孔隙,且每一者具有一頂表面,每一孔隙定義至少二個切口與二個突舌;一托盤操控器裝置,包括與一第二托盤操控器相對定位的一第一托盤操控器,該第一托盤操控器可以與該第一托盤接合,該第二托盤操控器可以與該第二托盤接合,該托盤操控器裝置可在第一與第二位置之間旋轉,該第一位置具有i)該第一托盤的該孔隙的該等切口與該基座平台的各別基座疊置,以及ii)該等基座的一遠端延伸遠離該第一托盤的該頂表面,該第二位置具有i)由該第一托盤的該孔隙定義的該等突舌與 該基板卡盤的各別通道疊置,以及ii)該第二托盤的該孔隙的該等切口與各別基座疊置;以及一致動器系統,當該托盤操控器裝置處於該第一位置時,i)增加該第一托盤的該頂表面與該基座平台的一頂表面之間的一距離,以將一第一基板從該等基座轉移到由該第一托盤的該孔隙定義的該等突舌,同時將該第二托盤操控器與該第二托盤接合,以及ii)增加該第二托盤的該頂表面與該基板卡盤的該底表面之間的一距離,以將一第二基板從該基板卡盤轉移到由該第二托盤定義的該等突舌,以及當該托盤操控器處於該第二位置時,i)減少該第一托盤的該頂表面與該基板卡盤的該底表面之間的一距離,以將該第一基板從由該第一托盤的該孔隙定義的該等突舌轉移到該基板卡盤的該頂表面,而由該第一托盤的該孔隙定義的該等突舌係設置在該基板卡盤的該等各別通道內,以及ii)減少該第二托盤的該頂表面與該基座平台的該頂表面之間的一距離,以將該第二基板從由該第二托盤的該孔隙定義的該等突舌轉移到該等基座,而該第一托盤操控器係與該第一托盤解除接合。
- 如請求項9所述之系統,進一步包含用於在該第一與該第二位置之間旋轉該托盤操控器裝置的一旋轉系統。
- 如請求項9所述之系統,進一步包含一圖案化系統,以在該第一基板位於該基板卡盤的該頂表面上時,在該第一基板中形成一圖案。
- 如請求項9所述之系統,該致動器系統包含一第一致動器模組,當該托盤操控器裝置處於該第一位置時,該第一致動器模組增加該第一托盤的該頂表面與該基座平台的一頂表面之間的該距離,以將一第一基板從該等基座轉移到由該第一托盤的該孔隙定義的該等突舌,同時將該第二托盤操控器與該第二托盤接合,以及當該托盤操控器裝置處於該第二位置時,該第一致動器模組減少該第一托盤的該頂表面與該基板卡盤的該底表面之間的該距離,以將該第一基板從由該第一托盤的該孔隙定義的該等突舌轉移到該基板卡盤的該頂表面,而由該第一托盤的該孔隙定義的該等突舌係設置在該基板卡盤的該等各別通道內。
- 如請求項12所述之系統,該致動器系統包含一第二致動器模組,當該托盤操控器處於該第一位置時,該第二致動器模組增加該第二托盤的該頂表面與該基板卡盤的該底表面之間的一距離,以將一第二基板從該基板卡盤轉移到由該第二托盤定義的該等突舌,以及當該托盤操控器處於該第二位置時且當該托盤操控器裝置處於該第二位置時,該第二致動器模組 減少該第二托盤的該頂表面與該基座平台的該頂表面之間的該距離,以將該第二基板從由該第二托盤的該孔隙定義的該等突舌轉移到該等基座,而將該第一托盤操控器與該第一托盤解除接合。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662416916P | 2016-11-03 | 2016-11-03 | |
US62/416,916 | 2016-11-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201820513A TW201820513A (zh) | 2018-06-01 |
TWI731182B true TWI731182B (zh) | 2021-06-21 |
Family
ID=62021820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106135639A TWI731182B (zh) | 2016-11-03 | 2017-10-18 | 基板裝載系統 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10475685B2 (zh) |
EP (2) | EP3989269B1 (zh) |
JP (1) | JP6824400B2 (zh) |
KR (1) | KR102263614B1 (zh) |
CN (2) | CN115642115A (zh) |
AU (1) | AU2017353824B2 (zh) |
CA (1) | CA3041069A1 (zh) |
IL (2) | IL300011B2 (zh) |
TW (1) | TWI731182B (zh) |
WO (1) | WO2018084965A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2017353824B2 (en) | 2016-11-03 | 2021-04-22 | Molecular Imprints, Inc. | Substrate loading system |
JP7418241B2 (ja) * | 2020-02-27 | 2024-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 位置決め装置、処理システム及び位置決め方法 |
US20220035245A1 (en) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | Applied Materials, Inc. | Nano imprint stamps |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201330155A (zh) * | 2011-11-25 | 2013-07-16 | Shinetsu Eng Co Ltd | 基板搬送裝置及基板組裝線 |
TW201618226A (zh) * | 2014-11-14 | 2016-05-16 | Gigalane Co Ltd | 基板載置單元 |
US20160288403A1 (en) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and method of manufacturing article |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5510723A (en) * | 1994-03-01 | 1996-04-23 | Micron Custom Manufacturing, Inc. Usa | Diced semiconductor device handler |
DE19853092B4 (de) * | 1998-11-18 | 2004-10-21 | Leica Microsystems Lithography Gmbh | Übernahme- und Haltesystem für ein Substrat |
JP4518712B2 (ja) * | 2001-08-13 | 2010-08-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | トレイ式マルチチャンバー基板処理装置 |
US7179079B2 (en) * | 2002-07-08 | 2007-02-20 | Molecular Imprints, Inc. | Conforming template for patterning liquids disposed on substrates |
US7070405B2 (en) * | 2002-08-01 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment systems for imprint lithography |
WO2004051730A1 (ja) * | 2002-12-02 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 部品供給装置 |
JP3890026B2 (ja) * | 2003-03-10 | 2007-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
DE10343323A1 (de) * | 2003-09-11 | 2005-04-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Stempellithografieverfahren sowie Vorrichtung und Stempel für die Stempellithografie |
US20050155554A1 (en) * | 2004-01-20 | 2005-07-21 | Saito Toshiyuki M. | Imprint embossing system |
KR100972249B1 (ko) * | 2005-08-11 | 2010-07-26 | 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드 아시아 | 반도체 공작물 적재/이재 장치 및 적재/이재 방법 |
JP4361045B2 (ja) * | 2005-10-12 | 2009-11-11 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR101153118B1 (ko) * | 2005-10-12 | 2012-06-07 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 |
US7670530B2 (en) * | 2006-01-20 | 2010-03-02 | Molecular Imprints, Inc. | Patterning substrates employing multiple chucks |
DE602006002955D1 (de) * | 2006-03-08 | 2008-11-13 | Erich Thallner | Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und Apparat zur Prozessierung eines Substrats, sowie Substratträger |
JP2008251754A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Nikon Corp | 基板搬送方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
NL1036859A1 (nl) * | 2008-04-29 | 2009-10-30 | Asml Netherlands Bv | Support structure, inspection apparatus, lithographic apparatus and methods for loading and unloading substrates. |
JP5142818B2 (ja) * | 2008-05-20 | 2013-02-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のチャック高さ調整方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
JP5088335B2 (ja) | 2009-02-04 | 2012-12-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置及び基板処理システム |
KR101680295B1 (ko) * | 2009-03-18 | 2016-11-29 | 에바텍 어드벤스드 테크놀로지스 아크티엔게젤샤프트 | 진공처리 장치 |
KR20110137775A (ko) * | 2009-03-26 | 2011-12-23 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
US20110141448A1 (en) * | 2009-11-27 | 2011-06-16 | Nikon Corporation | Substrate carrier device, substrate carrying method, substrate supporting member, substrate holding device, exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
JP5485806B2 (ja) * | 2010-06-16 | 2014-05-07 | パスカルエンジニアリング株式会社 | 金型位置決め固定装置 |
WO2012016744A1 (en) * | 2010-08-05 | 2012-02-09 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
JP5550600B2 (ja) * | 2011-04-13 | 2014-07-16 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR101565535B1 (ko) * | 2013-12-06 | 2015-11-06 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP6303592B2 (ja) * | 2014-02-25 | 2018-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP6765503B2 (ja) * | 2016-07-29 | 2020-10-07 | モレキュラー インプリンツ, インコーポレイテッドMolecular Imprints,Inc. | マイクロリソグラフィにおける基板装填 |
AU2017353824B2 (en) | 2016-11-03 | 2021-04-22 | Molecular Imprints, Inc. | Substrate loading system |
-
2017
- 2017-09-27 AU AU2017353824A patent/AU2017353824B2/en active Active
- 2017-09-27 IL IL300011A patent/IL300011B2/en unknown
- 2017-09-27 CA CA3041069A patent/CA3041069A1/en active Pending
- 2017-09-27 EP EP21213772.3A patent/EP3989269B1/en active Active
- 2017-09-27 KR KR1020197015796A patent/KR102263614B1/ko active IP Right Grant
- 2017-09-27 WO PCT/US2017/053706 patent/WO2018084965A1/en active Application Filing
- 2017-09-27 JP JP2019522274A patent/JP6824400B2/ja active Active
- 2017-09-27 US US15/717,482 patent/US10475685B2/en active Active
- 2017-09-27 CN CN202211362894.XA patent/CN115642115A/zh active Pending
- 2017-09-27 EP EP17868146.6A patent/EP3535781B1/en active Active
- 2017-09-27 CN CN201780067080.4A patent/CN109923658B/zh active Active
- 2017-10-18 TW TW106135639A patent/TWI731182B/zh active
-
2019
- 2019-04-28 IL IL266272A patent/IL266272B2/en unknown
- 2019-11-08 US US16/677,919 patent/US11195739B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201330155A (zh) * | 2011-11-25 | 2013-07-16 | Shinetsu Eng Co Ltd | 基板搬送裝置及基板組裝線 |
TW201618226A (zh) * | 2014-11-14 | 2016-05-16 | Gigalane Co Ltd | 基板載置單元 |
US20160288403A1 (en) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and method of manufacturing article |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IL300011B1 (en) | 2023-11-01 |
US11195739B2 (en) | 2021-12-07 |
EP3989269A1 (en) | 2022-04-27 |
WO2018084965A1 (en) | 2018-05-11 |
IL300011A (en) | 2023-03-01 |
AU2017353824B2 (en) | 2021-04-22 |
US20200098596A1 (en) | 2020-03-26 |
EP3535781A4 (en) | 2020-07-29 |
IL266272B1 (en) | 2023-03-01 |
AU2017353824A1 (en) | 2019-05-02 |
IL266272A (en) | 2019-06-30 |
JP2019536263A (ja) | 2019-12-12 |
JP6824400B2 (ja) | 2021-02-03 |
TW201820513A (zh) | 2018-06-01 |
CN115642115A (zh) | 2023-01-24 |
IL266272B2 (en) | 2023-07-01 |
EP3989269B1 (en) | 2023-09-27 |
US10475685B2 (en) | 2019-11-12 |
EP3535781B1 (en) | 2022-01-05 |
EP3535781A1 (en) | 2019-09-11 |
IL300011B2 (en) | 2024-03-01 |
US20180122657A1 (en) | 2018-05-03 |
KR20190071811A (ko) | 2019-06-24 |
CN109923658A (zh) | 2019-06-21 |
KR102263614B1 (ko) | 2021-06-09 |
CN109923658B (zh) | 2022-11-04 |
CA3041069A1 (en) | 2018-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI731182B (zh) | 基板裝載系統 | |
TWI818942B (zh) | 接合裝置及接合方法 | |
US9915881B2 (en) | Lithography apparatus and article manufacturing method | |
TWI719228B (zh) | 微光刻中的基板加載 | |
KR20170074377A (ko) | 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 | |
JP6966845B2 (ja) | 温調装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 | |
JP2023098814A (ja) | 平坦化プロセス、装置及び物品の製造方法 |