JP6824400B2 - 基板装填システム - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 319
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 137
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229920002449 FKM Polymers 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000000203 droplet dispensing Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
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- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
- H01L21/6779—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks the workpieces being stored in a carrier, involving loading and unloading
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67346—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
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Description
本願は、米国仮出願第62/416,916号(2016年11月3日出願)の出願日の利益を主張する。米国仮出願第62/416,916号の内容は、その全体が参照により本明細書に引用される。
本発明は、マイクロリソグラフィおよび類似するナノ加工技法を伴うシステムならびに方法における、半導体ウエハ等の基板の装填に関する。
第1のトレイの上面と台座プラットフォームの上面との間の距離を減少させ、第1の基板を、第1のトレイの開口によって画定されるタブから台座に移す特徴;第2のトレイの開口によって画定されるタブが基板チャックのそれぞれのチャネル内に配置されている間に、第2のトレイの上面と基板チャックの底面との間の距離を減少させ、第3の基板を第2のトレイの開口によって画定されるタブから基板チャックの上面に移す特徴。第2の基板は、第2の基板の基板チャックから第2のトレイによって画定されるタブへの移動に先立って、その上に位置付けられたパターン形成された層を含む。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
(項目1)
インプリントリソグラフィ基板の移動方法であって、前記方法は、
第2のトレイハンドラの反対に位置付けられた第1のトレイハンドラを含むトレイハンドラデバイスを提供することと、
第1のトレイおよび第2のトレイを提供することであって、前記第1および前記第2のトレイの各々は、開口を画定し、各々は、上面を有し、各開口は、少なくとも2つのカットアウトと、2つのタブとを画定する、ことと、
上面と、底面とを有する基板チャックを提供することと、
前記第1のトレイハンドラを前記第1のトレイと係合させることと、
前記トレイハンドラデバイスを第1の位置に位置付けることであって、前記第1の位置において、i)前記第1のトレイの開口のカットアウトが、台座プラットフォームのそれぞれの台座と重なっており、ii)前記台座の遠位端が、前記第1のトレイの上面から離れて延びている、ことと、
前記第1のトレイの上面と前記台座プラットフォームの上面との間の距離を増加させ、第1の基板を前記台座から前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブに移しながら、同時に、前記第2のトレイハンドラを前記第2のトレイと係合させることと、
前記第2のトレイの上面と前記基板チャックの底面との間の距離を増加させ、第2の基板を前記基板チャックから前記第2のトレイによって画定される前記タブに移すことと、
前記トレイハンドラデバイスを前記第1の位置から第2の位置に回転させることであって、前記第2の位置において、i)前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブは、前記基板チャックのそれぞれのチャネルと重なっており、ii)前記第2のトレイの開口のカットアウトが、それぞれの台座と重なっている、ことと、
前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブが前記基板チャックの前記それぞれのチャネル内に配置されている間に、前記第1のトレイの上面と前記基板チャックの底面との間の距離を減少させ、前記第1の基板を前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブから前記基板チャックの上面に移すことと、
前記第1のトレイハンドラを前記第1のトレイから係合解除させながら、同時に、前記第2のトレイの上面と前記台座プラットフォームの上面との間の距離を減少させ、前記第2の基板を前記第2のトレイの開口によって画定される前記タブから前記台座に移すことと
を含む、方法。
(項目2)
前記第2の基板を、前記台座上に位置付けられた状態から除去することと、
第3の基板を前記台座上に位置付けることと、
前記第1のトレイハンドラを前記第1のトレイから係合解除した後、前記第1の基板が前記基板チャック上に位置付けられ、前記第1のトレイが前記基板チャックと結合されている間に、前記第1の基板上に位置付けられている材料にパターンを形成することと
をさらに含む、項目1に記載の方法。
(項目3)
前記第1の基板上に位置付けられている前記材料に前記パターンを形成した後、前記第1のトレイハンドラを前記第1のトレイと係合させながら、同時に、前記第2のトレイの上面と前記台座プラットフォームの上面との間の距離を増加させ、前記第3の基板を前記台座から前記第2のトレイの開口によって画定される前記タブに移すことをさらに含む、項目2に記載の方法。
(項目4)
前記第1のトレイハンドラを前記第1のトレイと係合させた後、前記第1のトレイの上面と前記基板チャックの底面との間の距離を増加させ、前記第1の基板を前記基板チャックから前記第1のトレイによって画定される前記タブに移すことをさらに含む、項目3に記載の方法。
(項目5)
前記第1のトレイの上面と前記基板チャックの底面との間の距離を増加させた後、前記トレイハンドラデバイスを前記第2の位置から前記第1の位置に回転させることをさらに含み、前記第1の位置において、前記第1のトレイの開口の前記カットアウトは、前記台座プラットフォームのそれぞれの台座と重なっている、項目4に記載の方法。
(項目6)
前記第1のトレイの上面と前記台座プラットフォームの上面との間の距離を減少させ、前記第1の基板を前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブから前記台座に移すことをさらに含む、項目5に記載の方法。
(項目7)
前記第2のトレイの開口によって画定される前記タブが前記基板チャックの前記それぞれのチャネル内に配置されている間に、前記第2のトレイの上面と前記基板チャックの底面との間の距離を減少させ、前記第3の基板を前記第2のトレイの開口によって画定される前記タブから前記基板チャックの上面に移すことをさらに含む、項目6に記載の方法。
(項目8)
前記第2の基板は、前記第2の基板の前記基板チャックから前記第2のトレイによって画定される前記タブへの移動に先立って、その上に位置付けられたパターン形成された層を含む、項目1に記載の方法。
(項目9)
インプリントリソグラフィシステムであって、前記システムは、
台座プラットフォームの2つ以上の台座と、
上面と底面とを有する基板チャックであって、前記基板チャックは、チャネルを含む、基板チャックと、
第1のトレイおよび第2のトレイであって、前記第1および前記第2のトレイの各々は、開口を画定し、各々は、上面を有し、各開口は、少なくとも2つのカットアウトと、2つのタブとを画定する、第1のトレイおよび第2のトレイと、
第2のトレイハンドラの反対に位置付けられた第1のトレイハンドラを含むトレイハンドラデバイスであって、前記第1のトレイハンドラは、前記第1のトレイと係合可能であり、前記第2のトレイハンドラは、前記第2のトレイと係合可能であり、前記トレイハンドラは、第1の位置と第2の位置との間で回転可能であり、
前記第1の位置は、i)台座プラットフォームのそれぞれの台座と重なっている前記第1のトレイの開口のカットアウトと、ii)前記第1のトレイの上面から離れて延びている前記台座の遠位端とを有し、
前記第2の位置は、i)前記基板チャックのそれぞれのチャネルと重なっている前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブと、ii)それぞれの台座と重なっている前記第2のトレイの開口のカットアウトとを有する、トレイハンドラデバイスと、
アクチュエータシステムと
を備え、
前記アクチュエータシステムは、
前記トレイハンドラデバイスが前記第1の位置にあるとき、i)前記第1のトレイの上面と前記台座プラットフォームの上面との間の距離を増加させ、第1の基板を前記台座から前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブに移しながら、同時に、前記第2のトレイハンドラを前記第2のトレイと係合させることと、ii)前記第2のトレイの上面と前記基板チャックの底面との間の距離を増加させ、第2の基板を前記基板チャックから前記第2のトレイによって画定される前記タブに移すこととを行い、
前記トレイハンドラが前記第2の位置にあるとき、i)前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブが前記基板チャックの前記それぞれのチャネル内に配置されている間に、前記第1のトレイの上面と前記基板チャックの底面との間の距離を減少させ、前記第1の基板を前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブから前記基板チャックの上面に移すことと、ii)前記第1のトレイハンドラが前記第1のトレイから係合解除されつつある間に、前記第2のトレイの上面と前記台座プラットフォームの上面との間の距離を減少させ、前記第2の基板を前記第2のトレイの開口によって画定される前記タブから前記台座に移すこととを行う、
システム。
(項目10)
前記トレイハンドラデバイスを前記第1の位置と前記第2の位置との間で回転させるための回転システムをさらに備えている、項目9に記載のシステム。
(項目11)
前記第1の基板が前記基板チャックの上面上に位置付けられているときに前記第1の基板にパターンを形成するためのパターン形成システムをさらに備えている、項目9に記載のシステム。
(項目12)
前記アクチュエータシステムは、第1のアクチュエータモジュールを備え、前記第1のアクチュエータモジュールは、前記トレイハンドラデバイスが前記第1の位置にあるとき、前記第1のトレイの上面と前記台座プラットフォームの上面との間の距離を増加させ、第1の基板を前記台座から前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブに移しながら、同時に、前記第2のトレイハンドラを前記第2のトレイと係合させ、前記トレイハンドラデバイスが前記第2の位置にあるとき、前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブが前記基板チャックの前記それぞれのチャネル内に配置されている間に、前記第1のトレイの上面と前記基板チャックの底面との間の距離を減少させ、前記第1の基板を前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブから前記基板チャックの上面に移す、項目9に記載のシステム。
(項目13)
前記アクチュエータシステムは、第2のアクチュエータモジュールを備え、前記第2のアクチュエータモジュールは、前記トレイハンドラが前記第1の位置にあるとき、前記第2のトレイの上面と前記基板チャックの底面との間の距離を増加させ、第2の基板を前記基板チャックから前記第2のトレイによって画定される前記タブに移し、前記トレイハンドラが前記第2の位置にあり、かつ前記トレイハンドラデバイスが前記第2の位置にあるとき、前記第1のトレイハンドラが前記第1のトレイから係合解除されつつある間に、前記第2のトレイの上面と前記台座プラットフォームの上面との間の距離を減少させ、前記第2の基板を前記第2のトレイの開口によって画定される前記タブから前記台座に移す、項目12に記載のシステム。
Claims (13)
- インプリントリソグラフィ基板の移動方法であって、前記方法は、
第2のトレイハンドラの反対に位置付けられた第1のトレイハンドラを含むトレイハンドラデバイスを提供することと、
第1のトレイおよび第2のトレイを提供することであって、前記第1および前記第2のトレイの各々は、開口を画定し、各々は、上面を有し、各開口は、少なくとも2つのカットアウトと、2つのタブとを画定する、ことと、
上面と、底面とを有する基板チャックを提供することと、
前記第1のトレイハンドラを前記第1のトレイと係合させることと、
前記トレイハンドラデバイスを第1の位置に位置付けることであって、前記第1の位置において、i)前記第1のトレイの開口のカットアウトが、台座プラットフォームのそれぞれの台座と重なっており、ii)前記台座の遠位端が、前記第1のトレイの上面から離れて延びている、ことと、
前記第1のトレイの上面と前記台座プラットフォームの上面との間の距離を増加させ、第1の基板を前記台座から前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブに移しながら、同時に、前記第2のトレイハンドラを前記第2のトレイと係合させることと、
前記第2のトレイの上面と前記基板チャックの底面との間の距離を増加させ、第2の基板を前記基板チャックから前記第2のトレイによって画定される前記タブに移すことと、
前記トレイハンドラデバイスを前記第1の位置から第2の位置に回転させることであって、前記第2の位置において、i)前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブは、前記基板チャックのそれぞれのチャネルと重なっており、ii)前記第2のトレイの開口のカットアウトが、それぞれの台座と重なっている、ことと、
前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブが前記基板チャックの前記それぞれのチャネル内に配置されている間に、前記第1のトレイの上面と前記基板チャックの底面との間の距離を減少させ、前記第1の基板を前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブから前記基板チャックの上面に移すことと、
前記第1のトレイハンドラを前記第1のトレイから係合解除させながら、同時に、前記第2のトレイの上面と前記台座プラットフォームの上面との間の距離を減少させ、前記第2の基板を前記第2のトレイの開口によって画定される前記タブから前記台座に移すことと
を含む、方法。 - 前記第2の基板を、前記台座上に位置付けられた状態から除去することと、
第3の基板を前記台座上に位置付けることと、
前記第1のトレイハンドラを前記第1のトレイから係合解除した後、前記第1の基板が前記基板チャック上に位置付けられ、前記第1のトレイが前記基板チャックと結合されている間に、前記第1の基板上に位置付けられている材料にパターンを形成することと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第1の基板上に位置付けられている前記材料に前記パターンを形成した後、前記第1のトレイハンドラを前記第1のトレイと係合させながら、同時に、前記第2のトレイの上面と前記台座プラットフォームの上面との間の距離を増加させ、前記第3の基板を前記台座から前記第2のトレイの開口によって画定される前記タブに移すことをさらに含む、請求項2に記載の方法。
- 前記第1のトレイハンドラを前記第1のトレイと係合させた後、前記第1のトレイの上面と前記基板チャックの底面との間の距離を増加させ、前記第1の基板を前記基板チャックから前記第1のトレイによって画定される前記タブに移すことをさらに含む、請求項3に記載の方法。
- 前記第1のトレイの上面と前記基板チャックの底面との間の距離を増加させた後、前記トレイハンドラデバイスを前記第2の位置から前記第1の位置に回転させることをさらに含み、前記第1の位置において、前記第1のトレイの開口の前記カットアウトは、前記台座プラットフォームのそれぞれの台座と重なっている、請求項4に記載の方法。
- 前記第1のトレイの上面と前記台座プラットフォームの上面との間の距離を減少させ、前記第1の基板を前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブから前記台座に移すことをさらに含む、請求項5に記載の方法。
- 前記第2のトレイの開口によって画定される前記タブが前記基板チャックの前記それぞれのチャネル内に配置されている間に、前記第2のトレイの上面と前記基板チャックの底面との間の距離を減少させ、前記第3の基板を前記第2のトレイの開口によって画定される前記タブから前記基板チャックの上面に移すことをさらに含む、請求項6に記載の方法。
- 前記第2の基板は、前記第2の基板の前記基板チャックから前記第2のトレイによって画定される前記タブへの移動に先立って、その上に位置付けられたパターン形成された層を含む、請求項1に記載の方法。
- インプリントリソグラフィシステムであって、前記システムは、
台座プラットフォームの2つ以上の台座と、
上面と底面とを有する基板チャックであって、前記基板チャックは、チャネルを含む、基板チャックと、
第1のトレイおよび第2のトレイであって、前記第1および前記第2のトレイの各々は、開口を画定し、各々は、上面を有し、各開口は、少なくとも2つのカットアウトと、2つのタブとを画定する、第1のトレイおよび第2のトレイと、
第2のトレイハンドラの反対に位置付けられた第1のトレイハンドラを含むトレイハンドラデバイスであって、前記第1のトレイハンドラは、前記第1のトレイと係合可能であり、前記第2のトレイハンドラは、前記第2のトレイと係合可能であり、前記トレイハンドラデバイスは、第1の位置と第2の位置との間で回転可能であり、
前記第1の位置は、i)前記台座プラットフォームのそれぞれの台座と重なっている前記第1のトレイの開口のカットアウトと、ii)前記第1のトレイの上面から離れて延びている前記台座の遠位端とを有し、
前記第2の位置は、i)前記基板チャックのそれぞれのチャネルと重なっている前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブと、ii)それぞれの台座と重なっている前記第2のトレイの開口のカットアウトとを有する、トレイハンドラデバイスと、
アクチュエータシステムと
を備え、
前記アクチュエータシステムは、
前記トレイハンドラデバイスが前記第1の位置にあるとき、i)前記第1のトレイの上面と前記台座プラットフォームの上面との間の距離を増加させ、第1の基板を前記台座から前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブに移しながら、同時に、前記第2のトレイハンドラを前記第2のトレイと係合させることと、ii)前記第2のトレイの上面と前記基板チャックの底面との間の距離を増加させ、第2の基板を前記基板チャックから前記第2のトレイによって画定される前記タブに移すこととを行い、
前記トレイハンドラが前記第2の位置にあるとき、i)前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブが前記基板チャックの前記それぞれのチャネル内に配置されている間に、前記第1のトレイの上面と前記基板チャックの底面との間の距離を減少させ、前記第1の基板を前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブから前記基板チャックの上面に移すことと、ii)前記第1のトレイハンドラが前記第1のトレイから係合解除されつつある間に、前記第2のトレイの上面と前記台座プラットフォームの上面との間の距離を減少させ、前記第2の基板を前記第2のトレイの開口によって画定される前記タブから前記台座に移すこととを行う、
システム。 - 前記トレイハンドラデバイスを前記第1の位置と前記第2の位置との間で回転させるための回転システムをさらに備えている、請求項9に記載のシステム。
- 前記第1の基板が前記基板チャックの上面上に位置付けられているときに前記第1の基板にパターンを形成するためのパターン形成システムをさらに備えている、請求項9に記載のシステム。
- 前記アクチュエータシステムは、第1のアクチュエータモジュールを備え、前記第1のアクチュエータモジュールは、前記トレイハンドラデバイスが前記第1の位置にあるとき、前記第1のトレイの上面と前記台座プラットフォームの上面との間の距離を増加させ、第1の基板を前記台座から前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブに移しながら、同時に、前記第2のトレイハンドラを前記第2のトレイと係合させ、前記トレイハンドラデバイスが前記第2の位置にあるとき、前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブが前記基板チャックの前記それぞれのチャネル内に配置されている間に、前記第1のトレイの上面と前記基板チャックの底面との間の距離を減少させ、前記第1の基板を前記第1のトレイの開口によって画定される前記タブから前記基板チャックの上面に移す、請求項9に記載のシステム。
- 前記アクチュエータシステムは、第2のアクチュエータモジュールを備え、前記第2のアクチュエータモジュールは、前記トレイハンドラが前記第1の位置にあるとき、前記第2のトレイの上面と前記基板チャックの底面との間の距離を増加させ、第2の基板を前記基板チャックから前記第2のトレイによって画定される前記タブに移し、前記トレイハンドラが前記第2の位置にあり、かつ前記トレイハンドラデバイスが前記第2の位置にあるとき、前記第1のトレイハンドラが前記第1のトレイから係合解除されつつある間に、前記第2のトレイの上面と前記台座プラットフォームの上面との間の距離を減少させ、前記第2の基板を前記第2のトレイの開口によって画定される前記タブから前記台座に移す、請求項12に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662416916P | 2016-11-03 | 2016-11-03 | |
US62/416,916 | 2016-11-03 | ||
PCT/US2017/053706 WO2018084965A1 (en) | 2016-11-03 | 2017-09-27 | Substrate loading system |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019536263A JP2019536263A (ja) | 2019-12-12 |
JP2019536263A5 JP2019536263A5 (ja) | 2020-11-12 |
JP6824400B2 true JP6824400B2 (ja) | 2021-02-03 |
Family
ID=62021820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019522274A Active JP6824400B2 (ja) | 2016-11-03 | 2017-09-27 | 基板装填システム |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10475685B2 (ja) |
EP (2) | EP3535781B1 (ja) |
JP (1) | JP6824400B2 (ja) |
KR (1) | KR102263614B1 (ja) |
CN (2) | CN115642115A (ja) |
AU (1) | AU2017353824B2 (ja) |
CA (1) | CA3041069A1 (ja) |
IL (2) | IL300011B2 (ja) |
TW (1) | TWI731182B (ja) |
WO (1) | WO2018084965A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018084965A1 (en) | 2016-11-03 | 2018-05-11 | Molecular Imprints, Inc. | Substrate loading system |
JP7418241B2 (ja) * | 2020-02-27 | 2024-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 位置決め装置、処理システム及び位置決め方法 |
US20220035245A1 (en) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | Applied Materials, Inc. | Nano imprint stamps |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5510723A (en) * | 1994-03-01 | 1996-04-23 | Micron Custom Manufacturing, Inc. Usa | Diced semiconductor device handler |
DE19853092B4 (de) * | 1998-11-18 | 2004-10-21 | Leica Microsystems Lithography Gmbh | Übernahme- und Haltesystem für ein Substrat |
JP4518712B2 (ja) * | 2001-08-13 | 2010-08-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | トレイ式マルチチャンバー基板処理装置 |
US7179079B2 (en) * | 2002-07-08 | 2007-02-20 | Molecular Imprints, Inc. | Conforming template for patterning liquids disposed on substrates |
US7070405B2 (en) * | 2002-08-01 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment systems for imprint lithography |
WO2004051730A1 (ja) | 2002-12-02 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 部品供給装置 |
JP3890026B2 (ja) * | 2003-03-10 | 2007-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
DE10343323A1 (de) * | 2003-09-11 | 2005-04-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Stempellithografieverfahren sowie Vorrichtung und Stempel für die Stempellithografie |
US20050155554A1 (en) * | 2004-01-20 | 2005-07-21 | Saito Toshiyuki M. | Imprint embossing system |
KR100972249B1 (ko) * | 2005-08-11 | 2010-07-26 | 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드 아시아 | 반도체 공작물 적재/이재 장치 및 적재/이재 방법 |
WO2007043528A1 (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、及びトレイ |
JP4361045B2 (ja) * | 2005-10-12 | 2009-11-11 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US7670530B2 (en) * | 2006-01-20 | 2010-03-02 | Molecular Imprints, Inc. | Patterning substrates employing multiple chucks |
EP1832933B1 (en) * | 2006-03-08 | 2008-10-01 | Erich Thallner | Device manufacturing method and substrate processing apparatus, and substrate support structure |
JP2008251754A (ja) | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Nikon Corp | 基板搬送方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
NL1036859A1 (nl) * | 2008-04-29 | 2009-10-30 | Asml Netherlands Bv | Support structure, inspection apparatus, lithographic apparatus and methods for loading and unloading substrates. |
JP5142818B2 (ja) * | 2008-05-20 | 2013-02-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のチャック高さ調整方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
JP5088335B2 (ja) | 2009-02-04 | 2012-12-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置及び基板処理システム |
KR102298893B1 (ko) * | 2009-03-18 | 2021-09-08 | 에바텍 아크티엔게젤샤프트 | 진공처리 장치 |
KR20110137775A (ko) * | 2009-03-26 | 2011-12-23 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
US20110141448A1 (en) * | 2009-11-27 | 2011-06-16 | Nikon Corporation | Substrate carrier device, substrate carrying method, substrate supporting member, substrate holding device, exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
JP5485806B2 (ja) * | 2010-06-16 | 2014-05-07 | パスカルエンジニアリング株式会社 | 金型位置決め固定装置 |
US9864279B2 (en) | 2010-08-05 | 2018-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
JP5550600B2 (ja) * | 2011-04-13 | 2014-07-16 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR101877600B1 (ko) * | 2011-11-25 | 2018-07-12 | 신에츠 엔지니어링 가부시키가이샤 | 기판 반송 장치 및 기판 조립 라인 |
KR101565535B1 (ko) * | 2013-12-06 | 2015-11-06 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP6303592B2 (ja) * | 2014-02-25 | 2018-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
KR101504880B1 (ko) * | 2014-11-14 | 2015-03-20 | 주식회사 기가레인 | 기판 안착유닛 |
US10248018B2 (en) * | 2015-03-30 | 2019-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and method of manufacturing article |
CN109804309B (zh) * | 2016-07-29 | 2022-09-02 | 分子印记公司 | 微光刻中的基板加载 |
WO2018084965A1 (en) | 2016-11-03 | 2018-05-11 | Molecular Imprints, Inc. | Substrate loading system |
-
2017
- 2017-09-27 WO PCT/US2017/053706 patent/WO2018084965A1/en active Application Filing
- 2017-09-27 US US15/717,482 patent/US10475685B2/en active Active
- 2017-09-27 CN CN202211362894.XA patent/CN115642115A/zh active Pending
- 2017-09-27 KR KR1020197015796A patent/KR102263614B1/ko active IP Right Grant
- 2017-09-27 AU AU2017353824A patent/AU2017353824B2/en active Active
- 2017-09-27 EP EP17868146.6A patent/EP3535781B1/en active Active
- 2017-09-27 CA CA3041069A patent/CA3041069A1/en active Pending
- 2017-09-27 EP EP21213772.3A patent/EP3989269B1/en active Active
- 2017-09-27 JP JP2019522274A patent/JP6824400B2/ja active Active
- 2017-09-27 CN CN201780067080.4A patent/CN109923658B/zh active Active
- 2017-09-27 IL IL300011A patent/IL300011B2/en unknown
- 2017-10-18 TW TW106135639A patent/TWI731182B/zh active
-
2019
- 2019-04-28 IL IL266272A patent/IL266272B2/en unknown
- 2019-11-08 US US16/677,919 patent/US11195739B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3535781A1 (en) | 2019-09-11 |
US20200098596A1 (en) | 2020-03-26 |
US20180122657A1 (en) | 2018-05-03 |
CN115642115A (zh) | 2023-01-24 |
WO2018084965A1 (en) | 2018-05-11 |
EP3535781A4 (en) | 2020-07-29 |
CN109923658B (zh) | 2022-11-04 |
IL266272B2 (en) | 2023-07-01 |
CA3041069A1 (en) | 2018-05-11 |
IL266272B1 (en) | 2023-03-01 |
EP3989269B1 (en) | 2023-09-27 |
AU2017353824B2 (en) | 2021-04-22 |
KR102263614B1 (ko) | 2021-06-09 |
TW201820513A (zh) | 2018-06-01 |
IL300011A (en) | 2023-03-01 |
US11195739B2 (en) | 2021-12-07 |
IL300011B2 (en) | 2024-03-01 |
AU2017353824A1 (en) | 2019-05-02 |
TWI731182B (zh) | 2021-06-21 |
EP3535781B1 (en) | 2022-01-05 |
IL300011B1 (en) | 2023-11-01 |
JP2019536263A (ja) | 2019-12-12 |
IL266272A (en) | 2019-06-30 |
CN109923658A (zh) | 2019-06-21 |
KR20190071811A (ko) | 2019-06-24 |
EP3989269A1 (en) | 2022-04-27 |
US10475685B2 (en) | 2019-11-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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