TWI730930B - R-t-b系永磁材料、原料組合物、製備方法、應用 - Google Patents

R-t-b系永磁材料、原料組合物、製備方法、應用 Download PDF

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Abstract

本發明公開了一種R-T-B系永磁材料、原料組合物、製備方法和應用。其中，R-T-B系永磁材料Ⅰ中包含R，T和X；其滿足以下關係式：（1）（Fe+Co）/B的原子比為12.5-13.5；（2）B/X的原子比為2.7-4.1；X為Al、Ga和Cu中的一種或多種，其包含R 2T 14B主相結晶顆粒、鄰接兩個R 2T 14B主相結晶顆粒間的二顆粒晶界相和富稀土相，二顆粒晶界相和富稀土相包含組成為R 6T 13X的相。本發明中的R-T-B系永磁材料Ⅰ中形成了R 6T 13X相，使得Hcj和力學性能實現了同步提升。

Description

R-T-B系永磁材料、原料組合物、製備方法、應用
本發明係有關一種R-T-B系永磁材料、原料組合物、製備方法、應用。
永磁材料作為支撐電子器件的關鍵材料被開發出來，發展方向向著高磁能積及高矯頑力的方向進行。R-T-B系永磁材料（R為稀土類元素中的至少一種）已知為永久磁鐵中性能最高的磁鐵，被用於硬碟驅動器的音圈電機（VCM）、電動車用（EV、HV、PHV等）電機、工業設備用電機等各種電機和家電製品等。
現有技術中，具有常規B含量的釹鐵硼無法生成R 6-T 13-X相，磁性能較差；在具有類似配方體系的前提下，若通過降低釹鐵硼成分中B含量（B含量大約在0.93wt.%以下），添加Ga、Cu、Al、Si、Ti使磁體中生成R 6-T 13-X相（X包括Ga、Cu、Al、Si等）來提升磁體性能，則由於B含量降低，磁體中極易形成R 2T 17、TiBx等雜相，使磁體的力學性能下降，材料更脆，不利於加工及高速電機中使用。
因此，亟需一種既能保證R-T-B系永磁材料磁性能，又能夠不降低材料力學性能的R-T-B永磁材料。
本發明要解決的技術問題是為了克服現有技術中通過生成R 6-T 13-X相提升R-T-B系永磁材料磁性能時，磁體的力學性能下降的缺陷，而提供一種R-T-B系永磁材料、原料組合物、製備方法、應用。
本發明是通過以下技術方案來解決上述技術問題的：
本發明提供一種R-T-B系永磁材料Ⅰ，所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中包含R，T和X；
所述R為至少包括Nd的稀土元素，且R包括RH；所述RH為重稀土元素；
所述RH至少包括Dy和/或Tb；
所述T至少包含Fe；
所述X為Al、Ga和Cu中的一種或多種，且所述X必須包括Al；
所述R-T-B系永磁材料Ⅰ滿足以下關係式：
（1）（Fe+Co）/B的原子比為12.5-13.5；
（2）B/X的原子比為2.7-4.1；
所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中包含R 2T 14B主相結晶顆粒、鄰接兩個R 2T 14B主相結晶顆粒間的二顆粒晶界相和富稀土相，所述二顆粒晶界相和所述富稀土相包含組成為R 6T 13X的相。
本發明中，上述關係式（1）（2）的建立依據為：發明人在研究R 6-T 13-X相的生成過程中發現，含有R 6-T 13-X相的磁體中存在富B貧X（X為Al、Ga和Cu中的一種或多種，且所述X必須包括Al）區域，由此推斷B與X有一定對應關係；而B含量少時，稀土量相對較高，從而Fe的比例也發生變化。因此，本發明通過提高X含量，調整稀土量，使Fe和B的比例發生變化，從而只需要常規B含量也能夠生成R 6-T 13-X相（X為Al、Ga和Cu中的一種或多種）。
本發明中，所述T包含Fe和Co。
本發明中，較佳地，所述R 6-T 13-X相中，X為Al和Cu，例如Nd為27.9at%，Dy為1.85 at%，Fe為64.25 at%，Co為0.77 at%，Al為4.63 at%，Cu為0.42 at%，at%是指所述R-T-B系永磁材料中各元素的原子含量所佔百分比。
本發明中，所述（Fe+Co）/B的原子比較佳地為12.8-13.39，例如12.5、12.86、12.88、12.89、12.9或13.9。
本發明中，所述B/X的原子比較佳地為2.8-4，例如2.8、2.9、3.2、3.6、3.8、3.9或4。
本發明中，較佳地，所述R-T-B系永磁材料Ⅰ，以質量百分比計，其包括：
R：31.0-32.5wt.%，且所述R中包含RH；
Cu：0.20-0.50wt.%；
Al：0.40-0.80wt.%；
Ga：0-0.30wt.%；
Nb：0.10-0.25wt.%；
Co：0.5-2.0wt.%；
B：0.97-1.03wt.%；
wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比；
所述R為至少包括Nd的稀土元素；
所述RH為重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或Tb；
餘量為Fe及不可避免的雜質。
其中，所述R中還可包括本領域常規的稀土元素，例如Pr。
其中，所述R的含量範圍較佳地為31.5-32.5wt.%，例如31 wt.%、31.5wt.%、32wt.%或32.5 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比。
其中，所述RH的含量範圍較佳地為0.8-2.2 wt.%，例如0.8 wt.%、1.5 wt.%或2wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比。
其中，所述Cu的含量範圍較佳地為0.2-0.4wt.%或0.3-0.5wt.%，例如0.2 wt.%、0.3wt.%、0.35wt.%、0.4 wt.%、0.45 wt.%或0.5 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比。
其中，所述Al的含量範圍較佳地為0.4-0.6wt.%或0.5-0.8wt.%，例如0.4 wt.%、0.5wt.%、0.51wt.%、0.6 wt.%、0.65 wt.%、0.7 wt.%或0.8 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比。
其中，所述Ga的含量範圍較佳地為0wt.%或0.3wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比。
其中，所述Nb的含量範圍較佳地為0.1-0.2wt.%或0.12-0.25wt.%，例如0.1 wt.%、0.12wt.%、0.15wt.%、0.2 wt.%或0.25 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比。
其中，所述Co的含量範圍較佳地為0.5-1.5wt.%或1-2wt.%，例如0.5 wt.%、1wt.%、1.2wt.%或1.5 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比。
其中，所述B的含量範圍較佳地為0.97-1wt.%或0.99-1.03wt.%，例如0.97wt.%、0.98wt.%、0.99wt.%、1wt.%或1.03 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅰ包括：R為31.0-32.5wt.%；RH為0.8-2.2wt.%；Cu為0.30-0.50wt.%；Al為0.50-0.70wt.%；Nb為0.10-0.25wt.%；Co為0.5-2.0wt.%；B為0.97-1.03wt.%；wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比；所述R為至少包括Nd的稀土元素；所述RH為重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或Tb；餘量為Fe及不可避免的雜質。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅰ包括：R為31.5-32.5wt.%，RH為0.8-2.2 wt.%；Cu為0.2-0.4wt.%；Al為0.4-0.6wt.%；Ga為0-0.3 wt.%；Nb為0.1-0.2wt.%；Co為0.5-1.5wt.%；B為0.97-1wt.%；wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比；所述R為至少包括Nd的稀土元素；所述RH為重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或Tb；餘量為Fe及不可避免的雜質。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅰ包括：PrNd為31wt.%，Tb為0.8wt.%，Cu為0.3wt.%，Al為0.5wt.%，Nb為0.1wt.%，Co為0.5wt.%，B為0.97wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅰ包括：PrNd為31wt.%，Dy為1.5wt.%，Cu為0.5wt.%，Al為0.7wt.%，Nb為0.25wt.%，Co為0.5wt.%，B為1.03wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅰ包括：PrNd為32wt.%，Dy為2wt.%，Cu為0.4wt.%，Al為0.6wt.%，Nb為0.2wt.%，Co為1wt.%，B為0.99wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅰ包括：PrNd為31.5wt.%，Dy為1.5wt.%，Cu為0.35wt.%，Al為0.51wt.%，Nb為0.15wt.%，Co為1.5wt.%，B為1wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅰ包括：Nd為32.5wt.%，Dy為2wt.%，Cu為0.45wt.%，Al為0.65wt.%，Nb為0.12wt.%，Co為1.2wt.%，B為0.98wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅰ包括：PrNd為32wt.%，Dy為2wt.%，Cu為0.2wt.%，Al為0.6wt.%，Nb為0.2wt.%，Co為1wt.%，B為0.99wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅰ包括：PrNd為32wt.%，Dy為2wt.%，Cu為0.5wt.%，Al為0.4wt.%，Nb為0.2wt.%，Co為1wt.%，B為0.99wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅰ包括：PrNd為32wt.%，Dy為2wt.%，Cu為0.2wt.%，Al為0.8wt.%，Nb為0.2wt.%，Co為1wt.%，B為0.99wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅰ包括：PrNd為32wt.%，Dy為2wt.%，Cu為0.4wt.%，Al為0.4wt.%，Ga為0.3 wt.%，Nb為0.2wt.%，Co為1wt.%，B為0.99wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比。
本發明還提供了一種R-T-B系永磁材料Ⅱ，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中包含R，T和X；
所述R為至少包括Nd的稀土元素，且R包括RH；所述RH為重稀土元素；
所述RH至少包括Dy和/或Tb；
所述T至少包含Fe；
所述X為Al、Ga和Cu中的一種或多種，且所述X必須包括Al；
所述R-T-B系永磁材料Ⅱ滿足以下關係式：
（1）（Fe+Co）/B的原子比為12.5-13.7；
（2）B/X的原子比為2.8-4.0。
本發明中，較佳地，所述T包含Fe和Co。
本發明中，所述（Fe+Co）/B的原子比較佳地為12.9-13，例如12.94、12.95、12.96、12.98、12.99或13。
本發明中，所述B/X的原子比較佳地為2.9-3.9，例如3.2、3.6或3.8。
本發明中，較佳地，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ包括以下組分：
R：30.5-32wt.%，且所述R中包含RH；
Cu：0.20-0.50wt.%；
Al：0.40-0.80wt.%；
Ga：0-0.30wt.%；
Nb：0.10-0.25wt.%；
Co：0.5-2.0wt.%；
B：0.97-1.03wt.%；
wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比；
所述R為至少包括Nd的稀土元素；
所述RH為重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或Tb；
餘量為Fe及不可避免的雜質。
其中，所述R中還可包括本領域常規的稀土元素，例如Pr。
其中，所述R的含量範圍較佳地為31-32wt.%，例如31 wt.%、31.5wt.%、或32wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比。
其中，所述RH的含量範圍較佳地為0.3-1.7 wt.%，例如0.3 wt.%、1wt.%或1.5 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比。
其中，所述Cu的含量範圍較佳地為0.2-0.4wt.%或0.3-0.5wt.%，例如0.2 wt.%、0.3wt.%、0.35wt.%、0.4 wt.%、0.45 wt.%或0.5 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比。
其中，所述Al的含量範圍較佳地為0.4-0.6wt.%或0.5-0.8wt.%，例如0.4 wt.%、0.5wt.%、0.51wt.%、0.6 wt.%、0.65 wt.%、0.7 wt.%或0.8 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比。
其中，所述Ga的含量範圍較佳地為0wt.%或0.3wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比。
其中，所述Nb的含量範圍較佳地為0.1-0.2wt.%或0.12-0.25wt.%，例如0.1 wt.%、0.12wt.%、0.15wt.%、0.2 wt.%或0.25 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比。
其中，所述Co的含量範圍較佳地為0.5-1.5wt.%或1-2wt.%，例如0.5 wt.%、1wt.%、1.2wt.%或1.5 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比。
其中，所述B的含量範圍較佳地為0.97-1wt.%或0.99-1.03wt.%，例如0.97wt.%、0.98wt.%、0.99wt.%、1wt.%或1.03 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ包括：R為30.5-32wt.%；RH為0.3-1.7wt.%；Cu為0.30-0.50wt.%；Al為0.50-0.70wt.%；Nb為0.10-0.25wt.%；Co為0.5-2.0wt.%；B為0.97-1.03wt.%；wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比；所述R為至少包括Nd的稀土元素；所述RH為重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或Tb；餘量為Fe及不可避免的雜質。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ包括：R為31-32wt.%，RH為0.3-1 wt.%；Cu為0.2-0.4wt.%；Al為0.4-0.6wt.%；Ga為0-0.3 wt.%；Nb為0.1-0.2wt.%；Co為0.5-1.5wt.%；B為0.97-1wt.%；wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比；所述R為至少包括Nd的稀土元素；所述RH為重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或Tb；餘量為Fe及不可避免的雜質。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ包括：PrNd為30.5wt.%，Tb為0.3wt.%，Cu為0.3wt.%，Al為0.5wt.%，Nb為0.1wt.%，Co為0.5wt.%，B為0.97wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ包括：PrNd為30.5wt.%，Dy為1wt.%，Cu為0.5wt.%，Al為0.7wt.%，Nb為0.25wt.%，Co為0.5wt.%，B為1.03wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ包括：PrNd為31.5wt.%，Dy為1.5wt.%，Cu為0.4wt.%，Al為0.6wt.%，Nb為0.2wt.%，Co為1wt.%，B為0.99wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ包括：PrNd為31wt.%，Dy為1wt.%，Cu為0.35wt.%，Al為0.51wt.%，Nb為0.15wt.%，Co為1.5wt.%，B為1wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ包括：Nd為32wt.%，Dy為1.5wt.%，Cu為0.45wt.%，Al為0.65wt.%，Nb為0.12wt.%，Co為1.2wt.%，B為0.98wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ包括：PrNd為31.5wt.%，Dy為1.5wt.%，Cu為0.2wt.%，Al為0.6wt.%，Nb為0.2wt.%，Co為1wt.%，B為0.99wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ包括：PrNd為31.5wt.%，Dy為1.5wt.%，Cu為0.5wt.%，Al為0.4wt.%，Nb為0.2wt.%，Co為1wt.%，B為0.99wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ包括：PrNd為31.5wt.%，Dy為1.5wt.%，Cu為0.2wt.%，Al為0.8wt.%，Nb為0.2wt.%，Co為1wt.%，B為0.99wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ包括：PrNd為31.5wt.%，Dy為1.5wt.%，Cu為0.4wt.%，Al為0.4wt.%，Ga為0.3 wt.%，Nb為0.2wt.%，Co為1wt.%，B為0.99wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比。
本發明還提供了一種R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物，以質量百分比計，其包括以下組分：
R：30.5-32wt.%，且所述R中包含RH；
Cu：0.20-0.50wt.%；
Al：0.40-0.80wt.%；
Ga：0-0.30wt.%；
Nb：0.10-0.25wt.%；
Co：0.5-2.0wt.%；
B：0.97-1.03wt.%；
wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比；
所述R為至少包括Nd的稀土元素；
所述RH為重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或Tb；
餘量為Fe及不可避免的雜質。
本發明中，所述R中還可包括本領域常規的稀土元素，例如Pr。
本發明中，所述R的含量範圍較佳地為31-32wt.%，例如31 wt.%、31.5wt.%、或32wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比。
本發明中，所述RH的含量範圍較佳地為0.3-1.7wt.%，例如0.3 wt.%、1wt.%或1.5 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比。
本發明中，所述Cu的含量範圍較佳地為0.2-0.4wt.%或0.3-0.5wt.%，例如0.2 wt.%、0.3wt.%、0.35wt.%、0.4 wt.%、0.45 wt.%或0.5 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比。
本發明中，所述Al的含量範圍較佳地為0.4-0.6wt.%或0.5-0.8wt.%，例如0.4 wt.%、0.5wt.%、0.51wt.%、0.6 wt.%、0.65 wt.%、0.7 wt.%或0.8 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比。
本發明中，所述Ga的含量範圍較佳地為0wt.%或0.3wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比。
本發明中，所述Nb的含量範圍較佳地為0.1-0.2wt.%或0.12-0.25wt.%，例如0.1 wt.%、0.12wt.%、0.15wt.%、0.2 wt.%或0.25 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比。
本發明中，所述Co的含量範圍較佳地為0.5-1.5wt.%或1-2wt.%，例如0.5 wt.%、1wt.%、1.2wt.%或1.5 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比。
本發明中，所述B的含量範圍較佳地為0.97-1wt.%或0.99-1.03wt.%，例如0.97wt.%、0.98wt.%、0.99wt.%、1wt.%或1.03 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物包括：R為30.5-32wt.%；RH為0.3-1.7wt.%；Cu為0.30-0.50wt.%；Al為0.50-0.70wt.%；Nb為0.10-0.25wt.%；Co為0.5-2.0wt.%；B為0.97-1.03wt.%；wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比；所述R為至少包括Nd的稀土元素；所述RH為重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或Tb；餘量為Fe及不可避免的雜質。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物包括：R為31-32wt.%，RH為0.3-1 wt.%；Cu為0.2-0.4wt.%；Al為0.4-0.6wt.%；Ga為0-0.3 wt.%；Nb為0.1-0.2wt.%；Co為0.5-1.5wt.%；B為0.97-1wt.%；wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比；所述R為至少包括Nd的稀土元素；所述RH為重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或Tb；餘量為Fe及不可避免的雜質。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物包括：PrNd為30.5wt.%，Tb為0.3wt.%，Cu為0.3wt.%，Al為0.5wt.%，Nb為0.1wt.%，Co為0.5wt.%，B為0.97wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物包括：PrNd為30.5wt.%，Dy為1wt.%，Cu為0.5wt.%，Al為0.7wt.%，Nb為0.25wt.%，Co為0.5wt.%，B為1.03wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物包括：PrNd為31.5wt.%，Dy為1.5wt.%，Cu為0.4wt.%，Al為0.6wt.%，Nb為0.2wt.%，Co為1wt.%，B為0.99wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物包括：PrNd為31wt.%，Dy為1wt.%，Cu為0.35wt.%，Al為0.51wt.%，Nb為0.15wt.%，Co為1.5wt.%，B為1wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物包括：Nd為32wt.%，Dy為1.5wt.%，Cu為0.45wt.%，Al為0.65wt.%，Nb為0.12wt.%，Co為1.2wt.%，B為0.98wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物包括：PrNd為31.5wt.%，Dy為1.5wt.%，Cu為0.2wt.%，Al為0.6wt.%，Nb為0.2wt.%，Co為1wt.%，B為0.99wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物包括：PrNd為31.5wt.%，Dy為1.5wt.%，Cu為0.5wt.%，Al為0.4wt.%，Nb為0.2wt.%，Co為1wt.%，B為0.99wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物包括：PrNd為31.5wt.%，Dy為1.5wt.%，Cu為0.2wt.%，Al為0.8wt.%，Nb為0.2wt.%，Co為1wt.%，B為0.99wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比。
在本發明一優選實施方式中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物包括：PrNd為31.5wt.%，Dy為1.5wt.%，Cu為0.4wt.%，Al為0.4wt.%，Ga為0.3 wt.%，Nb為0.2wt.%，Co為1wt.%，B為0.99wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比。
本發明還提供了一種R-T-B系永磁材料Ⅱ的製備方法，其包括下述步驟：將所述的R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物的熔融液經鑄造、破碎、粉碎、成形、燒結，即可。
本發明中，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物的熔融液可按本領域常規方法製得，例如：在高頻真空感應熔煉爐中熔煉，即可。所述熔煉爐的真空度可為5×10 -2Pa。所述熔煉的溫度可為1500℃以下。
本發明中，所述鑄造的工藝可為本領域常規的鑄造工藝，例如：在Ar氣氣氛中（例如5.5×10 4Pa的Ar氣氣氛下），以10 2℃/秒-10 4℃/秒的速度冷卻，即可。
本發明中，所述破碎的工藝可為本領域常規的破碎工藝，例如經吸氫、脫氫、冷卻處理，即可。
其中，所述吸氫可在氫氣壓力0.15MPa的條件下進行。
其中，所述脫氫可在邊抽真空邊升溫的條件下進行。
本發明中，所述粉碎的工藝可為本領域常規的粉碎工藝，例如氣流磨粉碎。
其中，較佳地，所述粉碎的工藝在氧化氣體含量100ppm以下的氣氛下進行。
所述氧化氣體指的是氧氣或水分含量。
其中，所述氣流磨粉碎的粉碎室壓力可為0.38MPa。
其中，所述氣流磨粉碎的時間可為3小時。
其中，所述粉碎後，可按本領域常規手段添加潤滑劑，例如硬脂酸鋅。所述潤滑劑的添加量可為混合後粉末重量的0.10~0.15%，例如0.12%。
本發明中，所述成形的工藝可為本領域常規的成形工藝，例如磁場成形法或熱壓熱變形法。
本發明中，所述燒結的工藝可為本領域常規的燒結工藝，例如，在真空條件下（例如在5×10 -3Pa的真空下），經預熱、燒結、冷卻，即可。
其中，所述預熱的溫度可為300-600℃。所述預熱的時間可為1~2h。優選地，所述預熱為在300℃和600℃的溫度下各預熱1h。
其中，所述燒結的溫度可為本領域常規的燒結溫度，例如900℃~1100℃，再例如1040℃。
其中，所述燒結的時間可為本領域常規的燒結時間，例如2h。
其中，所述冷卻前可通入Ar氣體使氣壓達到0.1MPa。
本發明還提供了一種採用上述方法製得的R-T-B系永磁材料Ⅱ。
本發明還提供了一種R-T-B系永磁材料Ⅰ的製備方法，將所述的R-T-B系永磁材料Ⅱ進行晶界擴散處理，即可。
所述晶界擴散處理中的重稀土元素包括Dy和/或Tb。
本發明中，所述晶界擴散處理可按本領域常規的工藝進行處理，例如Dy蒸汽擴散。
其中，所述擴散熱處理的溫度可為800~900℃，例如850℃。
其中，所述擴散熱處理的時間可為12~48h，例如24h。
其中，所述晶界擴散處理後，還可進行熱處理。所述熱處理的溫度可為450-550℃，例如500℃。所述熱處理的時間可為3h。
本發明還提供了一種採用上述方法製得的R-T-B系永磁材料Ⅰ。
本發明還提供了一種R-T-B系永磁材料作為電子元器件的應用。
其中，所述電子元器件可為本領域常規，例如馬達中的電子元器件。
其中，所述R-T-B系永磁材料可為上述R-T-B系永磁材料Ⅰ和/或R-T-B系永磁材料Ⅱ。
在符合本領域常識的基礎上，上述各優選條件，可任意組合，即得本發明各較佳實例。
本發明所用試劑和原料均市售可得。
本發明的積極進步效果在於：
（1）本發明的永磁材料力學性能保持良好：現有的低B永磁體，抗彎強度為270-300Mpa；而本發明的永磁材料的抗彎強度為370-402Mpa。
（2）本發明的永磁材料磁性能良好：Br≧13.20kGs，Hcj≧25.1kOe，實現了Br和Hcj的同步提升；並且最大磁能積（maximum energy product，簡稱BHmax）≧42.5MGOe。
下面通過實施例的方式進一步說明本發明，但並不因此將本發明限制在下述的實施例範圍之中。下述實施例中未註明具體條件的實驗方法，將按照常規方法和條件，或按照商品說明書進行選擇。
實施例及對比例中R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料配方如表1所示。在下述的表中，“/”表示未添加該元素，“Br”為殘留磁通密度，“Hcj”為內稟矯頑力（intrinsic coercivity），“BHmax”為最大磁能積，“BHH”為BHmax和Hcj的總和。
表1 R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物的組分和含量（wt.%）
Figure 02_image001
註：R是指總稀土含量，具體地，是指Nd、PrNd、Tb和Dy的總含量。
表2 R-T-B系永磁材料Ⅱ的組分和含量（wt.%）
Figure 02_image003
註：R是指總稀土含量，具體地，是指Nd、PrNd、Tb和Dy的總含量。
實施例2-9，以及對比例1-7中R-T-B系燒結磁鐵製備方法如下：
（1）熔煉過程：按表1所示配方，將配製好的原料放入氧化鋁製的坩堝中，在高頻真空感應熔煉爐中且在5×10 -2Pa的真空中，以1500℃以下的溫度進行真空熔煉。
（2）鑄造過程：在真空熔煉後的熔煉爐中通入Ar氣體，使氣壓達到5.5萬Pa後，進行鑄造，並以10 2℃/秒-10 4℃/秒的冷卻速度獲得急冷合金。
（3）氫破粉碎過程：在室溫下，將放置急冷合金的氫破用爐抽真空，然後向氫破用爐內通入純度為99.9%的氫氣，維持氫氣壓力0.15MPa；充分吸氫後，邊抽真空邊升溫，充分脫氫；然後進行冷卻，取出氫破粉碎後的粉末。
（4）微粉碎工序：在氧化氣體含量100ppm以下的氮氣氣氛下以及在粉碎室壓力為0.38MPa的條件下，對氫破粉碎後的粉末進行3小時的氣流磨粉碎，得到細粉。氧化氣體指的是氧或水分。
（5）在氣流磨粉碎後的粉末中添加硬脂酸鋅，硬脂酸鋅的添加量為混合後粉末重量的0.12%，再用V型混料機充分混合。
（6）磁場成形過程：使用直角取向型的磁場成型機，在1.6T的取向磁場中以及在0.35ton/cm 2的成型壓力下，將上述添加了硬脂酸鋅的粉末一次成形成邊長為25mm的立方體；一次成形後在0.2T的磁場中退磁。為了使一次成形後的成形體不接觸到空氣，將其進行密封，然後再使用二次成形機（等靜壓成形機），在1.3ton/cm 2的壓力下進行二次成形。
（7）燒結過程：將各成形體搬至燒結爐進行燒結，燒結在5×10 -3Pa的真空下以及分別在300℃和600℃的溫度下，各保持1小時；然後，以1040℃的溫度燒結2小時；然後通入Ar氣體使氣壓達到0.1MPa後，冷卻至室溫，得到R-T-B系永磁材料Ⅱ。
（8）晶界擴散處理過程：將金屬Dy以及R-T-B系永磁材料Ⅱ放置於爐內，並高溫加熱使得Dy金屬高溫蒸發，並且在外來稀有氣體的誘導下沉積在磁體表面，並沿著晶界向磁體內部擴散。
（9）熱處理過程：燒結體在高純度Ar氣中，以500℃溫度進行3小時熱處理後，冷卻至室溫後取出，得到R-T-B系永磁材料Ⅰ。
實施例1中R-T-B系燒結磁鐵製備方法如下：
按照按表1所示配方，以及實施例2的製備工藝製備實施例1釹鐵硼燒結磁鐵，不同之處在於：晶界擴散過程中，在磁鐵表面濺射附著Tb元素的金屬。
效果實施例
分別測定實施例1-9和對比例1-7製得的R-T-B系燒結磁鐵的磁性能、力學性能和成分，包括晶界擴散前的燒結磁鐵（也就是R-T-B系永磁材料Ⅱ）和晶界擴散後的燒結磁鐵（R-T-B系永磁材料Ⅰ），並通過FE-EPMA觀察其磁體的相組成。
（1）R-T-B系永磁材料Ⅰ的各成分使用高頻電感耦合等離子體發射光譜儀（ICP-OES）進行測定，其中R 6T 13X相根據FE-EPMA測試得到。下表3所示為成分檢測結果。
表3 R-T-B系永磁材料Ⅰ的組分和含量（wt.%）
Figure 02_image005
註：R是指總稀土含量，具體地，是指Nd、PrNd、Tb和Dy的總含量。
（2）磁性能評價：燒結磁鐵使用中國計量院的NIM-10000H型BH大塊稀土永磁無損測量系統進行磁性能檢測。
力學性能：在萬能試驗機設備上採用三點彎曲法進行測定，試樣尺寸為45mm×10mm×3mm，所測抗彎強度是斷口沿平行磁場取向方向的斷裂強度。
下表4所示為磁性能和力學性能檢測結果。
表4 R-T-B系永磁材料Ⅰ的性能
Figure 02_image007
由表4可知：
1）本申請中的R-T-B系永磁材料Ⅰ性能優異，Br≧13.20kGs，Hcj≧25.1kOe，實現了Br和Hcj的同步提升；並且最大磁能積≧42.5MGOe（實施例1-9）；
2）基於本申請的配方，無論是調高R和Al的含量，還是降低R和Al的含量，均不能生成R 6T 13X相，R-T-B系永磁材料Ⅰ的磁性能和抗彎強度均下降（對比例1和對比例3）；
3）基於本申請的配方，將B的含量調至常規含量，但是若其他組分含量不在本申請限定的範圍內，也無法生成R 6T 13X相，R-T-B系永磁材料Ⅰ的磁性能和抗彎強度均下降（對比例2）；
4）基於本申請的配方，若不能保證（Fe+Co）/B和B/X的比值在本申請限定的範圍內，即使生成了R 6T 13X相，R-T-B系永磁材料Ⅰ的磁性能和抗彎強度也不能得到同時的提升（對比例4~7）。
（3）FE-EPMA檢測：對燒結磁鐵的垂直取向面進行拋光，採用場發射電子探針顯微分析儀（FE-EPMA）（日本電子株式會社（JEOL），8530F）檢測。首先拍攝背散射圖像，然後對不同對比度的相進行定量分析確定相組成，測試條件為加速電壓15kV，探針束流50nA。
將實施例5和對比例3所製得的R-T-B系永磁材料Ⅰ進行FE-EPMA檢測，結果下表4、圖1和圖2所示。其中：
根據實施例5所製得的R-T-B系永磁材料Ⅰ的FE-EPMA背散射圖像（如圖1），結合表5中定量分析結果可知：灰白色區域1為R 6-T 13-X相，R為Nd和Dy，T主要為Fe和Co，X為Al和Cu，黑色區域2為R2Fe14B主相，亮白色區域3為其他富R相。
對比例3的FE-EPMA背散射結果主要為黑色區域的主相和亮白色的富R相，未檢測到R 6-T 13-X相（如圖2）。
表5
Figure 02_image009
無
圖1為實施例5的FE-EPMA背散射圖像。
圖2為對比例3的FE-EPMA背散射圖像。

Claims (10)

  1. 一種R-T-B系永磁材料Ⅰ，其特徵在於，所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中包含R、T和X； 所述R為至少包括Nd的稀土元素，且R包括RH；所述RH為重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或Tb； 所述T至少包含Fe； 所述X為Al、Ga和Cu中的一種或多種，且所述X必須包括Al； 所述R-T-B系永磁材料Ⅰ滿足以下關係式： （1）（Fe+Co）/B的原子比為12.5-13.5； （2）B/X的原子比為2.7-4.1； 所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中包含R 2T 14B主相結晶顆粒、鄰接兩個R 2T 14B主相結晶顆粒間的二顆粒晶界相和富稀土相，所述二顆粒晶界相和所述富稀土相包含組成為R 6T 13X的相； 較佳地，所述T包括Fe和Co； 較佳地，所述R 6-T 13-X相中，X為Al和Cu； 較佳地，所述（Fe+Co）/B的原子比為12.8-13.39，例如12.5、12.86、12.88、12.89、12.9或13.9； 較佳地，所述B/X的原子比為2.8-4，例如2.8、2.9、3.2、3.6、3.8、3.9或4。
  2. 如請求項1所述的R-T-B系永磁材料Ⅰ，其中，所述R-T-B系永磁材料Ⅰ，以質量百分比計，其包括： R：31.0-32.5wt.%，且所述R中包含RH； Cu：0.20-0.50wt.%； Al：0.40-0.80wt.%； Ga：0-0.30wt.%； Nb：0.10-0.25wt.%； Co：0.5-2.0wt.%； B：0.97-1.03wt.%； wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比； 所述R為至少包括Nd的稀土元素；所述RH為重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或Tb； 餘量為Fe及不可避免的雜質； 較佳地，所述R中還包括Pr元素； 較佳地，所述R的含量範圍為31.5-32.5wt.%，例如31 wt.%、31.5wt.%、32wt.%或32.5 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比； 較佳地，所述RH的含量範圍為0.8-2.2 wt.%，例如0.8 wt.%、1.5 wt.%或2wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比； 較佳地，所述Cu的含量範圍為0.2-0.4wt.%或0.3-0.5wt.%，例如0.2 wt.%、0.3wt.%、0.35wt.%、0.4 wt.%、0.45 wt.%或0.5 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比； 較佳地，所述Al的含量範圍為0.4-0.6wt.%或0.5-0.8wt.%，例如0.4 wt.%、0.5wt.%、0.51wt.%、0.6 wt.%、0.65 wt.%、0.7 wt.%或0.8 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比； 較佳地，所述Ga的含量範圍為0wt.%或0.3wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比； 較佳地，所述Nb的含量範圍為0.1-0.2wt.%或0.12-0.25wt.%，例如0.1 wt.%、0.12wt.%、0.15wt.%、0.2 wt.%或0.25 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比； 較佳地，所述Co的含量範圍為0.5-1.5wt.%或1-2wt.%，例如0.5 wt.%、1wt.%、1.2wt.%或1.5 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比； 較佳地，所述B的含量範圍為0.97-1wt.%或0.99-1.03wt.%，例如0.97wt.%、0.98wt.%、0.99wt.%、1wt.%或1.03 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的質量百分比。
  3. 一種R-T-B系永磁材料Ⅱ，其特徵在於，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中包含R、T和X； 所述R為至少包括Nd的稀土元素，且R包括RH；所述RH為重稀土元素； 所述RH至少包括Dy和/或Tb； 所述T至少包含Fe； 所述X為Al、Ga和Cu中的一種或多種，且所述X必須包括Al； 所述R-T-B系永磁材料Ⅱ滿足以下關係式： （1）（Fe+Co）/B的原子比為12.5-13.7； （2）B/X的原子比為2.8-4.0； 較佳地，所述T包括Fe和Co； 較佳地，所述（Fe+Co）/B的原子比為12.9-13，例如12.94、12.95、12.96、12.98、12.99或13； 較佳地，所述B/X的原子比為2.9-3.9，例如3.2、3.6或3.8。
  4. 如請求項3所述的R-T-B系永磁材料Ⅱ，其中，以質量百分比計，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ包括以下組分： R：30.5-32wt.%，且所述R中包含RH； Cu：0.20-0.50wt.%； Al：0.40-0.80wt.%； Ga：0-0.30wt.%； Nb：0.10-0.25wt.%； Co：0.5-2.0wt.%； B：0.97-1.03wt.%； wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比； 所述R為至少包括Nd的稀土元素； 所述RH為重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或Tb； 餘量為Fe及不可避免的雜質； 較佳地，所述R中還包括Pr元素； 較佳地，所述R的含量範圍為31-32wt.%，例如31 wt.%、31.5wt.%、或32wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比； 較佳地，所述RH的含量範圍為0.3-1.7wt.%，例如0.3 wt.%、1wt.%或1.5 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比； 較佳地，所述Cu的含量範圍為0.2-0.4wt.%或0.3-0.5wt.%，例如0.2 wt.%、0.3wt.%、0.35wt.%、0.4 wt.%、0.45 wt.%或0.5 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比； 較佳地，所述Al的含量範圍為0.4-0.6wt.%或0.5-0.8wt.%，例如0.4 wt.%、0.5wt.%、0.51wt.%、0.6 wt.%、0.65 wt.%、0.7 wt.%或0.8 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比； 較佳地，所述Ga的含量範圍為0wt.%或0.3wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比； 較佳地，所述Nb的含量範圍為0.1-0.2wt.%或0.12-0.25wt.%，例如0.1 wt.%、0.12wt.%、0.15wt.%、0.2 wt.%或0.25 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比； 較佳地，所述Co的含量範圍為0.5-1.5wt.%或1-2wt.%，例如0.5 wt.%、1wt.%、1.2wt.%或1.5 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比； 較佳地，所述B的含量範圍為0.97-1wt.%或0.99-1.03wt.%，例如0.97wt.%、0.98wt.%、0.99wt.%、1wt.%或1.03 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的質量百分比。
  5. 一種R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物，其特徵在於，以質量百分比計，其包括以下組分： R：30.5-32wt.%，且所述R中包含RH； Cu：0.20-0.50wt.%； Al：0.40-0.80wt.%； Ga：0-0.30wt.%； Nb：0.10-0.25wt.%； Co：0.5-2.0wt.%； B：0.97-1.03wt.%； wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比； 所述R為至少包括Nd的稀土元素； 所述RH為重稀土元素；所述RH至少包括Dy和/或Tb； 餘量為Fe及不可避免的雜質； 較佳地，所述R的含量範圍為31-32wt.%，例如31 wt.%、31.5wt.%、或32wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比； 較佳地，所述RH的含量範圍為0.3-1.7 wt.%，例如0.3 wt.%、1wt.%或1.5wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比； 較佳地，所述Cu的含量範圍為0.2-0.4wt.%或0.3-0.5wt.%，例如0.2 wt.%、0.3wt.%、0.35wt.%、0.4 wt.%、0.45 wt.%或0.5 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比； 較佳地，所述Al的含量範圍為0.4-0.6wt.%或0.5-0.8wt.%，例如0.4 wt.%、0.5wt.%、0.51wt.%、0.6 wt.%、0.65 wt.%、0.7 wt.%或0.8 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比； 較佳地，所述Ga的含量範圍為0wt.%或0.3wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比； 較佳地，所述Nb的含量範圍為0.1-0.2wt.%或0.12-0.25wt.%，例如0.1 wt.%、0.12wt.%、0.15wt.%、0.2 wt.%或0.25 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比； 較佳地，所述Co的含量範圍為0.5-1.5wt.%或1-2wt.%，例如0.5 wt.%、1wt.%、1.2wt.%或1.5 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比； 較佳地，所述B的含量範圍為0.97-1wt.%或0.99-1.03wt.%，例如0.97wt.%、0.98wt.%、0.99wt.%、1wt.%或1.03 wt.%，wt.%是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物中的質量百分比。
  6. 一種R-T-B系永磁材料Ⅱ的製備方法，其特徵在於，其包括下述步驟：將如請求項5所述的R-T-B系永磁材料Ⅱ的原料組合物的熔融液經鑄造、破碎、粉碎、成形、燒結，即可。
  7. 一種R-T-B系永磁材料Ⅱ，其特徵在於，所述R-T-B系永磁材料Ⅱ係如請求項6所述的R-T-B系永磁材料Ⅱ的製備方法製得的R-T-B系永磁材料Ⅱ。
  8. 一種R-T-B系永磁材料Ⅰ的製備方法，將如請求項3、4和7中任一項所述的R-T-B系永磁材料Ⅱ進行晶界擴散處理，即可。
  9. 一種R-T-B系永磁材料Ⅰ，其特徵在於，所述R-T-B系永磁材料Ⅰ係如請求項8所述的R-T-B系永磁材料Ⅰ的製備方法製得的R-T-B系永磁材料Ⅰ。
  10. 一種R-T-B系永磁材料作為電子元器件的應用，其特徵在於， 所述R-T-B系永磁材料為如請求項1、2和9任一項所述的R-T-B系永磁材料Ⅰ； 和/或，所述R-T-B系永磁材料為如請求項3、4和7中任一項所述的R-T-B系永磁材料Ⅱ。
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