TWI727648B - 移除具有缺陷之發光二極體的裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明涉及不良發光二極體去除裝置，上述不良發光二極體去除裝置用於在配置於發光二極體基板的多個發光二極體中去除不良發光二極體，上述不良發光二極體去除裝置包括：主載物台，用於設置上述發光二極體基板；雷射照射部，用於向存在於上述發光二極體基板的不良發光二極體照射雷射；發光二極體去除部，位於上述發光二極體基板與上述雷射照射部之間，用於吸附去除通過上述雷射加熱的不良發光二極體；以及連接管，連接在上述雷射照射部與上述發光二極體去除部之間，用於密封上述雷射照射部與上述發光二極體去除部之間的空間，具有柔韌性。
Description
本發明涉及不良發光二極體去除裝置，更詳細地，涉及可以執行在發光二極體修理工序中必須包括的不良發光二極體的去除工序的不良發光二極體去除裝置。
發光二極體(Light Emitting Diode)由電子多的N型半導體與空穴多的P型半導體相接而成，若向上述半導體施加順方向電壓，則電子和空穴將會進行移動來在接合部再結合，這種再結合能量變成光並被釋放。
發光二極體具有低的消耗電力、長的壽命、高效率、極小的尺寸、瞬間點亮、大的工作溫度範圍、高的耐衝擊及耐振動特性、不發生紫外線及紅外線、在沒有濾波器的情況下體現高的色彩度、不發生水銀等的固有優點，並且，在生產方面，與以往的液晶顯示器、有機發光二極體顯示器(Display)相比，結構方面得到很多簡化。
以往，這種發光二極體僅用成解析度並不高的戶外看板或照明，通過工序技術及超精密裝置可以生產極小的迷你(Mini)或微米(Micro)單位的超小型發光二極體晶片(Chip)，改善了品質問題且比以往使用的液晶
顯示器或有機發光二極體顯示器具有更多優點，從而，除顯示器之外，開發了更多應用產品。
雖然超小型發光二極體與有機發光二極體類似，卻使用無機質材料，且由於是自發光器件，因此，無需額外的背面光或液晶層、偏光板。並且，光變換效率高，從而，對於低電力顯示器的使用可能性高，與有機發光二極體的有機成分或傳統液晶顯示器的液晶層相比，無需擔心老化(burn-in)現象。並且，畫面的轉換速度也比以往的液晶顯示器、有機發光二極體顯示器卓越，小尺寸與超高解析度、超高速轉換速度相結合的超小型發光二極體適合於VR及AR耳機。
但是，即使存在上述優點，作為現有技術，如以往顯示器尺寸，為了生產多種產品而需要花費比以往顯示器更昂貴的費用。這是因為大量生產的工序或工廠尚未最優化。
在發光二極體板發生不良發光二極體的情況下，為了對其進行修理(repair)而必須伴隨去除相應不良發光二極體的工序。
但是，在以往的去除方法中，當進行不良發光二極體去除工序時，將熱風用為加熱源，由此，除不良發光二極體之外，熱損傷還施加到樣品發光二極體及印刷電路板(PCB，Printed Circuit Board)等不必要的部分，從而引發追加工序品質問題。
本發明的目的在於，提供如下的不良發光二極體去除裝置，即，將雷射使用為加熱源，由此，可以縮減工序時間以及將熱損傷最小化。
並且，本發明的再一目的在於，提供如下的不良發光二極體去除裝置，即，在雷射照射部與發光二極體去除部之間設置具有柔韌性的連接管，由此，當發光二極體去除部的位置變動時，可以維持密封狀態。
並且，本發明的另一目的在於，提供如下的不良發光二極體去除裝置，即，可利用圖像感測器來整列雷射照射部和發光二極體去除部。
本發明的不良發光二極體去除裝置用於在配置於發光二極體基板的多個發光二極體中去除不良發光二極體，上述不良發光二極體去除裝置可包括：主載物台，用於設置上述發光二極體基板；雷射照射部，用於向存在於上述發光二極體基板的不良發光二極體照射雷射；發光二極體去除部，位於上述發光二極體基板與上述雷射照射部之間，用於吸附去除通過上述雷射加熱的不良發光二極體；以及連接管，連接在上述雷射照射部與上述發光二極體去除部之間，用於密封上述激照射部與上述發光二極體去除部之間的空間，具有柔韌性。
並且，本發明的特徵在於，上述發光二極體去除部可包括：本體部，包括上端開口部及下端開口部；以及吸附噴嘴，與上述本體部的下端開口部相連接來吸附上述不良發光二極體，通過上述雷射照射部照射的雷射通過上述連接管的內部、上述本體部的上端開口部、下端開口部、吸附噴嘴到達上述不良發光二極體。
並且，上述發光二極體去除部還可包括透過部，上述透過部由上述雷射能夠透過的物質形成，位於上述上端開口部。
並且，本發明的特徵在於，上述不良發光二極體去除裝置還可包括圖像感測器，上述圖像感測器位於上述發光二極體去除部的下側，用於整
列上述雷射照射部和上述發光二極體去除部，上述發光二極體去除部為了與上述雷射照射部整列而移動。
並且，本發明的特徵在於，上述圖像感測器可位於上述主載物台或者位於額外的獨立空間。
並且，本發明的特徵在於，上述不良發光二極體去除裝置還可包括一對基板支撐部，上述一對基板支撐部形成於上述主載物台，用於放置上述發光二極體基板，在上述基板支撐部設置用於檢測是否放置有上述發光二極體基板的基板檢測感測器。
並且，本發明的特徵在於，上述一對基板支撐部的間隔可根據上述發光二極體基板的尺寸改變，設置有用於吸附固定所放置的發光二極體基板的吸附孔。
並且，本發明還可包括用於測定上述不良發光二極體的高度的高度測定感測器。
並且，本發明還可包括排氣罩，上述排氣罩用於捕集當進行上述不良發光二極體的去除工序時所產生的氣體及粉塵來排出。
並且，本發明還可包括用於調節上述發光二極體去除部的位置的位置調節部。
根據本發明，本發明可提供如下的不良發光二極體去除裝置，即，將雷射使用為加熱源，由此，可以縮減工序時間以及將熱損傷最小化。
並且，根據本發明，本發明可提供如下的不良發光二極體去除裝置，即，在雷射照射部與發光二極體去除部之間設置具有柔韌性的連接管，由此，當發光二極體去除部的位置變動時，可以維持密封狀態。
並且，根據本發明，本發明可提供如下的不良發光二極體去除裝置，即，可利用圖像感測器來整列雷射照射部和發光二極體去除部。
100:不良發光二極體去除裝置
101:第一本體部
102:第二本體部
104:第一移動部
106:第一連接部
108:第二移動部
110:主載物台
120:雷射照射部
121:基板支撐部
122:基板支撐部
123:基板檢測感測器
125:吸附孔
130:發光二極體去除部
131:本體部
132:吸附噴嘴
133:真空配管
150:連接管
160:高度測定感測器
201:圖像感測器
202:圖像感測器
210:排氣罩
220:第一托架
230:第二托架
250:位置調節部
251:第一載物台
252:第二載物台
253:旋轉部
310:上端開口部
320:下端開口部
330:內部空間
340:透過部
430:第三托架
450:位置調節部
500:發光二極體去除部
510:主體部
520:指狀部
521:第一指狀部
522:第二指狀部
50:發光二極體基板
51:發光二極體
52:導電性焊接材料
54:不良發光二極體
圖1為示出本發明一實施例的發光二極體基板的圖。
圖2為示出本發明一實施例的不良發光二極體去除裝置的圖。
圖3為示出本發明一實施例的雷射照射部、連接管及發光二極體去除部的圖。
圖4為示出圖3的剖面的圖。
圖5為示出本發明另一實施例的發光二極體去除部的圖。
圖6為示出本發明一實施例的主載物台及基板支撐部的圖。
圖7為示出本發明一實施例的雷射照射區域和吸附區域的圖。
圖8為示出本發明一實施例的位置調節部的圖。
圖9為示出本發明另一實施例的不良發光二極體去除裝置的圖。
圖10為示出本發明另一實施例的發光二極體去除部的圖。
圖11為示出本發明又一實施例的不良發光二極體去除裝置的圖。
以下，在圖中例示與本發明有關的實施例並通過詳細的說明對其進行具體說明。但是，本發明並不局限於以下揭示的實施例，而是可以體現為多種不同形態，且包括在本發明的思想及技術範圍中的所有變更、等同技術方案或代替技術方案。
在說明本發明的結構要素的過程中，可以使用第一、第二、A、B、(a)、(b)等的術語。這種術語僅用於區分兩種結構要素，對應結構要素的本質或順次或順序等並不局限於這種術語。並且，在本說明書中，在記載為一個結構要素與其他結構要素“連接”、“結合”或“聯接”的情況下，這種結構要素與其他結構要素直接連接或聯接，也可以在各個結構要素之間“連接”、“結合”或“聯接”其他結構要素。在“連接”、“結合”或“聯接”的情況下，可以為物理“連接”、“結合”或“聯接”，根據需要，也可以為電“連接”、“結合”或“聯接”。
在本說明書中記載的“-部(單元)、“-器”、“件”、“-模組”等的術語意味著處理至少一個功能的單位，這可以體現為硬體、軟體或硬體及軟體的結合。並且，只要沒有特殊相反的記載，則在本說明書中記載的“包括”、“構成”或“具有”等的術語可以內置對應結構要素，因此，並非排除其他結構要素，而是可以包括其他結構要素。
而且，對於在本說明書中的結構部的區分只不過是按各個結構部所擔當的主要功能區分。即，以下說明的2個以上的結構部合併為一個結構部或者一個結構部按更加細分的功能分為2個以上。而且，以下說明的結構部除自己擔當的主要功能之外還可以追加執行其他結構部擔當的功能中的一部分或全部功能，結構部所擔當的主要功能中的一部分功能也可以由其他結構部負責執行。
以下，參照與本發明的實施例有關的圖，說明本發明實施例的不良發光二極體去除裝置。
圖1為示出本發明一實施例的發光二極體基板的圖。
參照圖1，在發光二極體基板50可配置多個發光二極體51。多個發光二極體51分別體現為晶片(Chip)形態，可通過導電性焊接材料52附著於發光二極體基板50。
導電性焊接材料52可由具有導電性的焊接材料形成，例如，可以將各向異性導電膜(ACF，Anisotropically Conductive Film)、各向異性導電膠(ACA，Anisotropically Conductive Adhesive)、焊料(solder)、糊劑(paste)、樹脂(resin)等用為導電性焊接材料52。
在此情況下，可通過額外的工序，在多個發光二極體51中的一部分可以被檢測為不良發光二極體54，為了對發生不良的發光二極體基板50進行修理而需要必須伴隨去除相應不良發光二極體54的工序。
例如，與正常發光二極體相比，不良發光二極體54有可能具有異常亮度。在此情況下，異常亮度可以為低於基準亮度的亮度，也包括發光二極體不發光而呈現出暗點的情況。
圖2為示出本發明一實施例的不良發光二極體去除裝置的圖。圖3為示出本發明一實施例的雷射照射部、連接管及發光二極體去除部的圖。圖4為示出圖3的剖面的圖。
不良發光二極體去除裝置100用於去除在配置於發光二極體基板50的多個發光二極體51中的不良發光二極體54。
參照圖2至圖4，本發明一實施例的不良發光二極體去除裝置100可包括主載物台110、雷射照射部120、發光二極體去除部130、連接管150、高度測定感測器160、圖像感測器201、202及排氣罩210。
主載物台110可設置於第一本體部101，以便可以沿著第一方向(例如，X軸方向)及第二方向(例如，Y軸方向)移動，並且，可在維持水準狀態的情況下進行旋轉。
在上述主載物台110上可設置發光二極體基板50。
例如，發光二極體基板50可通過額外的移送機器人(未圖示)等從執行不良發光二極體54的檢測的額外的檢查裝置(未圖示)被移送到不良發光二極體去除裝置100的主載物台110。
並且，在主載物台110上可形成用於幫助發光二極體基板50的放置及固定的一對基板支撐部121、122。
基板支撐部121、122以規定距離隔開而成，以使發光二極體基板50的兩末端可分別放置及固定。
若發光二極體基板50位於主載物台110，則雷射照射部120可以向存在於發光二極體基板50的不良發光二極體54照射雷射。
在此情況下，從雷射照射部120發生的雷射通過位於下側的連接管150及發光二極體去除部130向不良發光二極體54的上部面入射。
由此，不良發光二極體54可通過雷射的熱能被加熱，位於不良發光二極體54的下側的導電性焊接材料52可通過從不良發光二極體54傳遞的熱量熔融。即，不良發光二極體54的導電性焊接材料52通過基於雷射照射部120的加熱工序處於消除固化的狀態，因此，發光二極體去除部130可輕鬆去除不良發光二極體54。
根據介質，雷射的種類可分為固體(紅寶石雷射(Ruby Laser、Nd：YAG雷射、Ti：Sapphire雷射及光纖維雷射燈)、氣體(碳酸氣體雷射、
氦氖雷射、氬離子雷射、准分子雷射等)、其他(色素雷射、自由電子雷射)，根據振盪種類，可分為連續波雷射、脈衝波雷射。並且，根據波長的種類、可分為可視光線、紫外線、紅外線及X射線。
在基於雷射照射部120的加熱工序中，根據物件的特性及必要能量的量，可選擇具有特定波長範圍及能量的雷射來使用。
並且，雷射照射部120可包括發生雷射的光源，還可包括用於向不良發生區域局部照射在上述光源中發生的雷射的光學頭部。在光學頭部的情況下，根據不良發生區域或產品的形狀、工序的特殊性，可以將雷射光束(LASER Beam)的形狀變形成圓形或矩形等多種形狀，由此，可以防止不必要的部分受損，將能量的使用極大化並提高工序效率。並且，根據不良發生區域、產品的形狀或工序的特殊性，光學頭部可設置一個或多個來與多種工序條件對應。
發光二極體去除部130位於發光二極體基板50與雷射照射部120之間，從而可以吸附並去除通過雷射照射部120的雷射加熱的不良發光二極體54。
例如，發光二極體去除部130可利用從檢查裝置接收的不良發光二極體54的位置資訊來把握不良發光二極體54的位置，由此，可以向不良發光二極體54的上側移動。並且，發光二極體去除部130向不良發光二極體54側下降來與不良發光二極體54的上部面相接觸，並可以向不良發光二極體54提供吸附力。之後，發光二極體去除部130在吸附不良發光二極體54的狀態下上升，由此，可以從發光二極體基板50去除上述不良發光二極體54。
這種發光二極體去除部130可包括本體部131及吸附噴嘴132。
本體部131可呈包括上端開口部310和下端開口部320的桶形狀。
在本體部131形成真空配管133，從而可以形成用於向吸附噴嘴132賦予吸附力的真空壓。並且，在本體部131可追加形成用於去除真空的額外的配管，真空的去除或吹掃(pudge)可以使用閥開閉方式或壓縮空氣方式。
另一方面，在發光二極體去除部130中所使用的真空壓可通過中央吸塵系統(house vacuum)或真空發生器(vacuum ejector)體現。
吸附噴嘴132可以與本體部131的下端開口部320相連接來具有基於真空的吸附力，由此可以吸附不良發光二極體54。
吸附噴嘴132的形狀及大小可根據產品的形狀、雷射光束的形狀等改變，可以具有用於避免與雷射發生干擾的結構。
作為一例，從雷射照射部120提供的雷射通過本體部131的上端開口部310、內部空間330及下端開口部320，並經過吸附噴嘴132的內部最終到達不良發光二極體54。
連接管150可以與雷射照射部120和發光二極體去除部130之間連接來對雷射照射部120與發光二極體去除部130之間的空間進行密封。
即，在雷射照射部120與發光二極體去除部130之間不具有連接管150的情況下，不會實現發光二極體去除部130的真空狀態，因此，為了正常的發光二極體去除部130的驅動，優選地，需要設置用於對雷射照射部120與發光二極體去除部130之間的空間進行密封的連接管150。
並且，發光二極體去除部130為了與雷射照射部120的整列(alignment)而可以微細調節位置，優選地，連接管150具有柔韌性(flexibility)。
作為一例，連接管150可以由合成樹脂或金屬(metal)材質形成，並且，可體現為具有皺紋的皺紋管形態或風箱(bellows)形態。
因此，從雷射照射部120提供的雷射可通過連接管150的內部來向發光二極體去除部130提供，如上所述，對應雷射可通過發光二極體去除部130到達不良發光二極體54。
雷射照射部120和發光二極體去除部130可設置於第二本體部102，以可向第一方向(例如，X軸方向)及協力廠商向(例如，Z軸方向)移動，以便可以向發光二極體基板50上移動來執行對應工序。
例如，在第二本體部102可設置能夠沿著第一方向移動的第一移動部104，第一移動部104可以與第一連接部106相結合。並且，在第一連接部106可設置能夠沿著協力廠商向移動的第二移動部108，在上述第二移動部108可設置雷射照射部120和發光二極體去除部130。
在雷射照射部120與第二移動部108之間可設置用於固定設置雷射照射部120的第一托架220。
並且，在發光二極體去除部130與位置調節部250之間可設置第二托架230。
位置調節部250可用於調節發光二極體去除部130的位置，作為一例，可以執行第一方向(例如，X軸方向)、第二方向(例如，Y軸方向)及旋轉移動。
第二托架230可以與位置調節部250的移動對應地移動，由此，發光二極體去除部130的位置得到調節。
例如，位置調節部250可設置於第一托架220和/或第二移動部108。
高度測定感測器160可用於測定發光二極體基板50和/或不良發光二極體54的高度。
在雷射照射部120的情況下，向不良發光二極體54的上側移動來照射雷射，由此可以執行加熱工序。在此情況下，在基於雷射照射部120的加熱工序中，雷射照射部120與不良發光二極體54之間的垂直距離極為重要。只有準確控制雷射照射部120與不良發光二極體54之間的垂直距離，才可以防止除不良發光二極體54之外的其他發光二極體51受損。
為此，高度測定感測器160可以測定不良發光二極體54的高度，雷射照射部120可以在位於從通過高度測定感測器160測定的不良發光二極體54的高度相隔已設定的基準距離的位置的狀態下執行加熱動作。
並且，發光二極體去除部130也可以參照通過高度測定感測器160測定的不良發光二極體54的高度來下降，由此可以準確地吸附不良發光二極體54。
並且，上述高度測定感測器160可設置於第二本體部102，以向第一方向(例如，X軸方向)及協力廠商向(例如，Z軸方向)移動，以便高度測定感測器160向發光二極體基板50上移動來測定發光二極體基板50的高度。在此情況下，高度測定感測器160的設置方式可以與雷射照射部120及發光二極體去除部130相同。
高度測定感測器160可通過能夠測定距離的多種方式體現，例如，可使用如紅外線等的光學方式、超聲波方式等，可使用通常的距離測定感測器或高度測定感測器等。
另一方面，不良發光二極體去除裝置100還可包括排氣罩210，排氣罩210通過捕集當進行不良發光二極體54的去除工序時所產生的氣體及粉塵來排出。
排氣罩210可覆蓋雷射照射部120、連接管150及發光二極體去除部130的至少一部分，可以包括用於排出氣體及粉塵等的排氣配管220。
圖5為示出本發明另一實施例的發光二極體去除部的圖。
參照圖5，本發明另一實施例的發光二極體去除部130還可追加包括透過部340。
透過部340可設置於本體部131的上端開口部310來執行對上端開口部310的密封。
只是，優選地，在此情況下，從雷射照射部120釋放的雷射需要透過透過部340到達不良發光二極體54，因此，上述透過部340由雷射可透過的物質形成。
例如，透過部340可以由玻璃或石英(quartz)材質形成，但並不局限於此。即，透過部340可以由雷射可透過的具有規定的透明度的多種材質形成。
在發光二極體去除部130追加包括透過部340的情況下，可具有與連接管150一同雙重密封的效果，根據需要，可以省略連接管150的設置，從而可將不良發光二極體去除裝置100的結構更加簡化。
圖6為示出本發明一實施例的主載物台及基板支撐部的圖。
參照圖6，基板支撐部121、122可具有根據發光二極體基板50的大小改變基板支撐部121、122之間的間隔D的結構，以可放置多種大小的發光二極體基板50。
例如，隨著在基板支撐部121、122中的至少一個進行移動，上述間隔D可以改變。
並且，在基板支撐部121、122的各個上端部可追加設置用於檢測是否放置有發光二極體基板50的基板檢測感測器123及用於吸附固定發光二極體基板50的吸附孔125。
即，不良發光二極體去除裝置100可通過基板檢測感測器123檢測在基板支撐部121、122上是否存在發光二極體基板50，在檢測到發光二極體基板50的情況下，可通過吸附孔125吸入空氣來吸附固定發光二極體基板50。
在基板檢測感測器123的情況下，可設置於一對基板支撐部121、122或者僅設置於一對基板支撐部121、122中的一個。
並且，基板檢測感測器123可通過多種方式體現，可使用機械方式、光學方式、聲波方式、電磁方式等，可使用通常的接近感測器或接觸感測器等。
優選地，在吸附孔125的情況下，為了全部固定發光二極體基板50的兩端而設置於基板支撐部121、122，根據發光二極體基板50的大小，在基板支撐部121、122可形成多個吸附孔125。
並且，在不良發光二極體去除裝置100可設置用於通過吸附孔125吸入空氣的額外的空氣泵或真空泵。
圖7為示出本發明一實施例的雷射照射區域和吸附區域的圖。圖8為示出本發明一實施例的位置調節部的圖。
參照圖7，通過雷射照射部120釋放的雷射可向不良發光二極體54的雷射照射區域R1照射。
在此情況下，雷射照射區域R1的形態可以呈圓形(參照圖7的(a)部分)或矩形(參照圖7的(b)部分)。
發光二極體去除部130的吸附噴嘴132可以向不良發光二極體54的吸附區域R2提供規定的吸附力。在此情況下，吸附區域R2的形態可以根據吸附噴嘴132的末端形狀不同地體現，可以呈圓形(參照圖7的(a)部分)或矩形(圖7的(b)部分)等多種形狀。
並且，與雷射照射區域R1相比，吸附區域R2的尺寸更大。
通過雷射弱化導電性焊接材料52的粘結力之後，再次復原的時間相當短，因此，同時進行雷射照射工序和發光二極體去除工序來更加穩定地去除不良發光二極體54。
另一方面，雷射照射區域R1與吸附區域R2的中心相同，從而可以提高不良發光二極體去除工序的準確度。
為此，優選地，進行用於雷射照射部120和發光二極體去除部130的整列的對準工序，用於對應工序的至少一個圖像感測器201、202可設置於發光二極體去除部130的下側。
例如，第一圖像感測器201可設置於主載物台110上，在發光二極體基板50不位於主載物台110的狀態下拍攝發光二極體去除部130的吸附噴嘴
132，由此，可以檢測從雷射照射部120釋放的雷射是否位於吸附噴嘴132的中心。
並且，第二圖像感測器202可設置於額外的獨立空間，而並非設置於主載物台110，在雷射照射部120和發光二極體去除部130向第二圖像感測器202的上側移動的狀態下拍攝發光二極體去除部130的吸附噴嘴132，由此，可檢測從雷射照射部120釋放的雷射是否位於吸附噴嘴132的中心。
可通過圖像感測器201、202測定雷射的中心與吸附噴嘴132的中心之間的誤差，因此，不良發光二極體去除裝置100為了去除對應誤差而可通過控制位置調節部250的移動量來調節發光二極體去除部130的位置。
圖2中，為了說明的便利，同時顯示了2個圖像感測器201、202，第一圖像感測器201和第二圖像感測器202並非必須設置，根據需要，僅可以設置一個圖像感測器。
如上所述，位置調節部250可以調節發光二極體去除部130的位置。參照圖8，位置調節部250可體現為精密驅動載物台。
精密驅動載物台250為對引線框(lead frame)、掩膜(mask)、半導體電路等的半導體部件和光學設備、電器、電子設備、各種機械要素精密地微細調節傾斜角度或移動位置來確定位置的裝置。
例如，精密驅動載物台250可包括：第一載物台251，可以沿著第一方向(例如，X軸方向)移動；第二載物台252，可沿著第二方向(例如，Y軸方向)移動；以及可旋轉的旋轉部253。
與發光二極體去除部130相連接的第二托架230可通過這種精密驅動載物台250向第一方向、第二方向及旋轉移動，由此，可以精密地調節發光二極體去除部130的位置。
圖9為示出本發明另一實施例的不良發光二極體去除裝置的圖。圖10為示出本發明另一實施例的發光二極體去除部的圖。
以下，說明本發明實施例的不良發光二極體去除裝置100'，以與上述實施例不同的結構為中心進行說明。
參照圖9及圖10，本發明另一實施例的不良發光二極體去除裝置100'可包括夾子(Gripper)方式的發光二極體去除部500。
發光二極體去除部500可包括主體部510和指狀部520。在此情況下，主體部510可以與位置調節部450相連接，位置調節部450可固定設置於第三托架430。
第三托架430可以具有從第二移動部108向下側方向傾斜的形態並延伸，在上述第三托架430的末端部可設置位置調節部450。
位置調節部450用於調節發光二極體去除部500的位置，可具有與上述說明的位置調節部250相同的功能及結構。
主體部510可以與位置調節部450相連接，並可執行對指狀部520進行支撐的本體的作用。
在本實施例中，第三托架430、位置調節部450及主體部510呈傾斜的形態，並且，從主體部510延伸的指狀部520也可呈傾斜的形態。
指狀部520執行夾住(clamping)不良發光二極體54來舉起的作用，一對指狀部520分別緊貼於不良發光二極體54的兩側。
若向不良發光二極體54上的雷射照射區域R1照射雷射而導致不良發光二極體54的導電性焊接材料52的粘結力弱化，則發光二極體去除部500通過指狀部520把持不良發光二極體54，在把持不良發光二極體54的狀態下將會上升，由此，可以從發光二極體基板50去除不良發光二極體54。
並且，指狀部520可分別由第一指狀部521和第二指狀部522形成，上述第一指狀部521和第二指狀部522具有不同寬度。
第一指狀部521為與不良發光二極體54相接觸的部分，其寬度d1可小於配置於發光二極體基板50的發光二極體51的間隔，第二指狀部522為用於對第一指狀部521進行支撐的部分，其寬度d2大於第一指狀部521的寬度。
雖然省略了額外的圖示，在本實施例中，也可以設置排氣罩210，通過捕集當進行不良發光二極體54的去除工序時所產生的氣體及粉塵來排出。
圖11為示出本發明又一實施例的不良發光二極體去除裝置的圖。
參照圖11，在本發明又一實施例的不良發光二極體去除裝置100"中，第三托架430'可以從第二移動部108沿著水準方向延伸。由此，位置調節部450'和發光二極體去除部500'的主體部510'也可以沿著水準方向設置。
並且，第二指狀部522'也可以從主體部510'沿著水準方向延伸，第一指狀部521'可以從第二指狀部522'沿著下側方向延伸。
由此，發光二極體去除部500'通過在不良發光二極體54的兩側沿著水準方向配置的一對第一指狀部521'對不良發光二極體54進行把持，且在把
持不良發光二極體54的狀態下上升，由此，可以從發光二極體基板50去除不良發光二極體54。
在本實施例中，第一指狀部521'和第二指狀部522'的寬度可不同，作為一例，第一指狀部521'的寬度小於配置於發光二極體基板50的發光二極體51的間隔，第二指狀部522'的寬度可大於第一指狀部521'的寬度。
在上述說明的實施例中，在第一托架220和第三托架430、430'中的一個或全部可以上下移動，在此情況下，可以調節雷射照射部120與發光二極體去除部500、500'的位置，從而可以一直穩定地進行工序。
本發明所屬技術領域的普通技術人員在不變更技術思想或必要特徵的情況下可將本發明實施成其他具體形態。因此，以上記述的實施例在所有方面均是例示性實施例，而並非用於限定本發明。本發明的範圍通過後述的發明要求保護範圍體現，而並非通過上述詳細說明體現，發明要求保護範圍的含義及範圍以及從其等同概念匯出的所有變更或變形的形態屬於本發明的範圍。
100:不良發光二極體去除裝置
101:第一本體部
102:第二本體部
104:第一移動部
106:第一連接部
108:第二移動部
110:主載物台
120:雷射照射部
121:基板支撐部
122:基板支撐部
130:發光二極體去除部
160:高度測定感測器
201:圖像感測器
202:圖像感測器
210:排氣罩
220:第一托架
Claims (10)
- 一種不良發光二極體去除裝置，用於在配置於發光二極體基板的多個發光二極體中去除不良發光二極體，其包括： 主載物台，用於設置上述發光二極體基板； 雷射照射部，用於向存在於上述發光二極體基板的不良發光二極體照射雷射； 發光二極體去除部，位於上述發光二極體基板與上述雷射照射部之間，用於吸附去除通過上述雷射加熱的不良發光二極體；以及 連接管，連接在上述雷射照射部與上述發光二極體去除部之間，用於密封上述雷射照射部與上述發光二極體去除部之間的空間，具有柔韌性。
- 根據請求項1所述的不良發光二極體去除裝置，其中， 上述發光二極體去除部包括： 本體部，包括上端開口部及下端開口部；以及 吸附噴嘴，與上述本體部的下端開口部相連接來吸附上述不良發光二極體， 通過上述雷射照射部照射的雷射通過上述連接管的內部、上述本體部的上端開口部、下端開口部、吸附噴嘴到達上述不良發光二極體。
- 根據請求項2所述的不良發光二極體去除裝置，其中，上述發光二極體去除部還包括透過部，上述透過部由上述雷射能夠透過的物質形成，位於上述上端開口部。
- 根據請求項1所述的不良發光二極體去除裝置，其中， 上述不良發光二極體去除裝置還包括圖像感測器，上述圖像感測器位於上述發光二極體去除部的下側，用於整列上述雷射照射部和上述發光二極體去除部， 上述發光二極體去除部為了與上述雷射照射部整列而移動。
- 根據請求項4所述的不良發光二極體去除裝置，其中，上述圖像感測器位於上述主載物台或者位於額外的獨立空間。
- 根據請求項1所述的不良發光二極體去除裝置，其中， 上述不良發光二極體去除裝置還包括一對基板支撐部，上述一對基板支撐部形成於上述主載物台，用於放置上述發光二極體基板， 在上述基板支撐部設置用於檢測是否放置有上述發光二極體基板的基板檢測感測器。
- 根據請求項6所述的不良發光二極體去除裝置，其中，上述一對基板支撐部的間隔根據上述發光二極體基板的尺寸改變，設置有用於吸附固定所放置的發光二極體基板的吸附孔。
- 根據請求項1所述的不良發光二極體去除裝置，其中，還包括用於測定上述不良發光二極體的高度的高度測定感測器。
- 根據請求項1所述的不良發光二極體去除裝置，其中，還包括排氣罩，上述排氣罩用於捕集當進行上述不良發光二極體的去除工序時所產生的氣體及粉塵來排出。
- 根據請求項4所述的不良發光二極體去除裝置，其中，還包括用於調節上述發光二極體去除部的位置的位置調節部。
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