TWI725526B - 在基板邊緣處的層的部分去除 - Google Patents

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Abstract

一般來說，本說明書所述的實例係關於用於處理基板的系統和方法，且更具體地係關於用於從基板的邊緣去除邊緣珠粒或其他污染源。一個實例是處理系統，該處理系統包括腔室、腔室內的基板處置器以及腔室內的輻射產生器。基板處置器經配置固定基板。基板處置器可操作以將基板的邊緣表面定位，使得來自輻射產生器傳播的輻射被引導到基板的邊緣表面，且基板處置器可操作以將垂直於邊緣表面且沿著邊緣表面之基板的沉積表面的周邊區域定位，使得來自輻射產生器傳播的輻射被引導到周邊區域。

Description

在基板邊緣處的層的部分去除
本說明書所述的實例大體係關於用於處理基板的系統和方法，且更特定言之係關於去除基板的邊緣處之邊緣珠粒或層的其他部分。
可靠地生產半導體元件取決於橫跨不同基板（如晶圓）和橫跨每個個別基板的製程的均勻性。已知一些處理在基板上產生不均勻性。更具體地，一些沉積製程可能在基板的邊緣處引起沉積層的積聚，這通常被稱為邊緣珠粒（edge bead）。這種不均勻性可能會對後續處理有不利影響，這接著可能會對可靠地生產半導體元件的能力有不利影響。
一個實例是處理系統。處理系統包括腔室、基板處置器和輻射產生器。基板處置器位於腔室內。基板處置器經配置固定基板。輻射產生器在腔室內。基板處置器可進一步操作以將基板的邊緣表面定位，使得來自輻射產生器傳播的輻射被引導到基板的邊緣表面，且基板處置器可操作以將垂直於邊緣表面且沿著邊緣表面之基板的沉積表面的周邊區域定位，使得來自輻射產生器傳播的輻射被引導到沉積表面的周邊區域。
一個實例是處理基板的方法。在第一定向上，基板的沉積表面的周邊區域相對於輻射產生器定位，以使來自輻射產生器的輻射被引導到周邊區域。沉積表面在其上沉積有一層。當周邊區域在第一定向上時，輻射從輻射產生器被引導到周邊區域。在第二定向上，基板的邊緣表面相對於輻射產生器定位，以使來自輻射產生器的輻射被引導到邊緣表面。邊緣表面垂直於沉積表面。當邊緣表面在第二定向上時，輻射從輻射產生器被引導到邊緣表面。
又一個實例是處理基板的方法。光阻劑沉積在矩形基板上的工作層上。圖案化光阻劑。在矩形基板邊緣處的垂直表面上的光阻劑的部分被暴露於輻射。在將光阻劑的該等部分暴露於輻射之後，蝕刻工作層，蝕刻工作層的步驟包含以下步驟：使用該圖案化的光阻劑作為遮罩。
一般來說，本說明書所述的實例係關於用於處理基板的系統和方法。基板可以具有沉積在其上的各種層，該等各種層可隨後被蝕刻以形成結構或在用於某些目的之後被去除，如用作遮罩。可能不均勻地沉積某些層，特別是在基板的邊緣處。在基板邊緣處的層的堆積可以產生邊緣珠粒。已經嘗試藉由使用濕式製程去除邊緣珠粒。然而，這種濕式製程可能在後續處理中引起不利影響。例如，當處理光遮罩時，用於去除邊緣珠粒的濕式製程可能導致光遮罩背面的污染，這會不利地影響光遮罩用於圖案化光阻劑的效用。本說明書所述的實例提供了使用乾式處理從基板邊緣去除邊緣珠粒或其他污染源的系統和方法。這種處理可以減少基板上的污染，可以是對環境良性的、可以易於使用，且可以是低成本的。
本揭示案描述的實施例可以廣泛適用於各種基板和各種層。本揭示案描述的一些實例是在用於處理光遮罩的矩形基板（如，方形基板）上沉積的光阻劑的情境下。其他實例考慮用於任何層，如任何金屬層、介電層、光阻劑等，其可在基板的邊緣處具有待去除的部分。例如，在光遮罩的情境中，實例可以去除吸收層、多層結構、背側層等的部分。此外，其他實例考慮使用任何基板幾何形狀，例如圓形基板（如晶圓）、矩形基板（如方形基板）等。本發明所屬領域中具有通常知識者將容易理解本揭示案所述之實例的各種修改，其可適應不同的層和/或不同的基板。
如具體設想的，可以在處理光遮罩的情境下實現示例。可針對二元強度遮罩（BIM）、相移遮罩（PSM）（其包括嵌入式衰減PSM（EAPSM）和交替孔PSM（AAPSM））和極紫外線（EUV）遮罩實施實例。
以下描述各種不同的實例。儘管可在處理流程或系統中一起描述不同實例的多個特徵，但是多個特徵可以各自單獨地或個別地和/或在不同的處理流程或不同的系統中實現。另外，描述各種處理流程按順序施行；其他實例可以以不同的順序以及/或以更多或更少的操作來實施處理流程。
圖1繪示根據本揭示案的一些實例的示例性基板處置器（handler）100。基板處置器100大體可操作以固定基板（如針對光遮罩），以及以x、y和/或z平移與以俯仰（pitch）、擺動（yaw）和/或滾動旋轉方式來移動基板。圖1繪示固定光遮罩基板102以供參考的基板處置器100。
基板處置器100包括基部104、第一可移動台106、第二可移動台108和可旋轉台110。例如，基部104可以附接或固定在處理系統的腔室中。基部104支撐第一可移動台106，且第一可移動台106可操作以沿著基部104且相對於基部104移動。第一可移動台106可沿x方向（如圖1中所示的參考XYZ軸所示）移動。基部104和/或第一可移動台106可包括軌道和引導件（如，磁軌和引導件），軌道和引導件將第一可移動台106耦接到基部104並且允許第一可移動台106相對於基部104移動。可使用允許第一可移動台106相對於基部104移動的任何其他機構，如螺絲致動器和/或類似物。
第一可移動台106支撐第二可移動台108，且第二可移動台108可操作以沿著第一可移動台106並相對於第一可移動台106移動。第二可移動台108可操作（相對於第一可移動台106）沿著一方向移動，該方向垂直於第一可移動台106可操作（相對於基部104）移動所沿的方向。第二可移動台108可沿y方向移動（如圖1中所示的參考XYZ軸所示）。第一可移動台106和/或第二可移動台108可以包括軌道和引導件（如磁軌和引導件），軌道和引導件將第二可移動台108耦接到第一可移動台106並且允許第二可移動台108相對於第一可移動台106移動。可使用允許第二可移動台108相對於第一可移動台移動的任何其他機構，如螺絲致動器和/或類似物。
第二可移動台108支撐可旋轉台110，且可旋轉台110可操作以繞垂直於平行平面的一軸旋轉，其中第一可移動台106和第二可移動台108可操作以在該平行平面中移動。如上所述，第一可移動台106可沿x方向移動，及第二可移動台108可沿y方向移動。因此，第一可移動台106和第二可移動台108可移動以在相應的x-y平面上平移。可旋轉台110可操作以繞z軸（如圖1中所示的參考XYZ軸所示）旋轉方式移動，該z軸垂直於x-y平面，其中第一可移動台106和第二可移動台可操作以在該x-y平面中移動。可旋轉台110可藉由馬達或其他致動器移動。
基板處置器100進一步包括由可旋轉台110支撐的機器人臂。機器人臂包括連桿、可旋轉接頭、腕部（wrist）和固持器。第一可旋轉接頭112由可旋轉台110支撐並且耦接到可旋轉台110。第一連桿114在第一連桿114的第一端處耦接到第一可旋轉接頭112。第二可旋轉接頭116在第一連桿114的（與第一端相對的）第二端處耦接到第一連桿114。第二連桿118在第二連桿118的第一端處耦接到第二可旋轉接頭116。腕部（未特別標識）在第二連桿118的（與第一端相對的）第二端處耦接到第二連桿118。基板固持器120耦接到腕部。
第一可旋轉接頭112和第二可旋轉接頭116中的各者可在至少一個方向上旋轉，該方向可繞垂直於第一連桿114所延伸的平面的一軸。例如，如圖1所示，第一可旋轉接頭112和第二可旋轉接頭116可以繞x-y平面中的相應軸旋轉，這些軸可以是平行的。腕部可以在兩個方向上旋轉。腕部可以繞一軸旋轉，該軸平行於第一可旋轉接頭112和第二可旋轉接頭116的旋轉軸。此外，腕部可以繞垂直於第一可旋轉接頭112和第二可旋轉接頭116的平行旋轉軸的一軸旋轉。作為實例，假設適當的定向，腕部可以繞平行於x軸的一軸以及繞平行於y軸的一軸旋轉。例如，第一可旋轉接頭112、第二可旋轉接頭116和腕部可以藉由馬達或其他致動器移動。各種接頭和腕部可以繞任何軸旋轉，以達成基板的移動，例如本說明書所述。
基板固持器（holder）120可以是夾具或包括夾具。基板固持器120包括鉗頭122。鉗頭122中的一個或兩個可以是可移動的以夾緊並固定光遮罩基板102。鉗頭122可以藉由致動器或其他機構移動。在其他實例中，基板固持器120可以是靜電卡盤或包括靜電卡盤。在其他實例中，基板固持器120可以是具有穿過其中的孔的支撐板或包括具有穿過其中的孔的支撐板，其中孔流體地耦接到真空系統，使得可以將吸力施加到設置在支撐板上的基板以固定基板。在其他實例中，基板固持器120可以是另一種機構。
基板處置器100能夠固定光遮罩基板102並移動光遮罩基板102，其包括藉由平移（translation）和旋轉的方式移動。根據運動的範圍、其他部件的接近程度和/或其他部件的定向，可省去在圖1中所示和所述的基板處置器100的一些可移動部件，以及/或可在基板處置器100中包括額外的可移動部件。
圖2繪示根據本揭示案的一些實例的處理系統的簡化示例性腔室200。腔室200包括圖1的基板處置器100。腔室200具有由側壁、頂板和底板所界定的內部空間。基板處置器100設置在腔室200的內部空間內。內部空間可與腔室200外部的周圍環境密封隔離開（seal from）或可不與腔室200外部的周圍環境密封隔離開。如果內部空間與周圍環境密封隔離開，則內部空間可在低壓或高壓狀態（相對於周圍環境）操作和/或可在其中具有惰性氣體的環境。在一些實例中，內部空間未與周圍環境密封隔離開，這可允許如來自製造設施的空氣在內部空間中以及流入內部空間或自內部空間流出。
基板台202設置在腔室200的內部空間中並且靠近腔室200的側壁中的腔室門204。基板台202定位在腔室門204附近，以接受來自例如移送機器人的基板（如光遮罩），移送機器人從一聯接腔室（adjoining chamber）或裝載閘延伸穿過腔室門204。在一些實例中，基板台202不可移動。在其他實例中，基板台202可操作以繞一軸旋轉，該軸垂直於接收基板的基板台202的表面。基板處置器100經定位並定向在腔室200的內部空間中，以藉由基板固持器120接收並固定來自基板台202的基板。
暴露設備亦設置在腔室200的內部空間中。暴露設備包括抽取器殼體，該抽取器殼體包括壁206和透明窗208。壁206可以包括任何材料或可以為任何材料，如陶瓷、金屬或類似物。透明窗208可以包括石英、熔融石英或其他透明材料或者可以是石英、熔融石英或其他透明材料。抽取器殼體的內部空間的開口由壁206界定，且與透明窗208相對。抽取器殼體的內部空間如經由出口（如導管210）流體連接到泵212。泵212可操作以從抽取器殼體的內部空間泵送抽出氣體。
暴露設備進一步包括輻射產生器214。輻射產生器214可操作以產生輻射，如紫外線（UV）雷射、電子束（e-beam）或能夠去除污染源的任何其他輻射。輻射產生器214相對於抽取器殼體定位，以將由輻射產生器214產生的輻射（如UV雷射或電子束）引導通過透明窗208進入抽取器殼體的內部空間。在一些實例中，固定輻射產生器214使得引導到抽取器殼體的內部空間之輻射的傳播方向是固定的且沒有移動。在其他實例中，輻射產生器214可以是可移動的且/或輻射傳播的方向可沿著一方向改變，使得由輻射產生器214產生的輻射可以沿著一方向移動（如掃描）。
一般來說，在操作中，基板處置器100接收來自基板台202的基板並將基板輸送到抽取器殼體附近。基板具有光阻劑材料或沉積在其上的其他層。可以顯影（developed）或未顯影（undeveloped）光阻劑。基板處置器100將基板的邊緣定位在抽取器殼體的開口附近。輻射產生器214將輻射（如UV雷射或電子束）引導通過透明窗208到基板邊緣處的任何光阻劑或其他層。泵212可以抽取任何副產物、煙（fumes）等或排出任何副產物、煙等，該等副產物、煙等係由於將光阻劑或層暴露於輻射而產生。泵212可以使空氣或其他氣體通過抽取器殼體的開口流到靠近基板的邊緣流動並進入抽取器殼體的內部，如此可以允許泵212抽取或排出任何副產物、煙等。
如當腔室200用於處理在其上具有顯影的光阻劑或的其他層的基板時，一些實例包括抽取器殼體和泵212。在其他實例中，如當腔室200用於處理在其上具有未顯影的光阻劑的基板時，可省去抽取器殼體和泵212。
圖3A和3B分別繪示基板300的頂視圖和截面圖，以表示本揭示案的各種實例。如圖3A的頂視圖所示，基板300大體是矩形形狀（如方形基板），其可在角落（corner）處包括凹口（notch）。基板300具有沉積表面302（如頂表面），在沉積表面302上沉積光阻劑304。為清楚起見，在圖3A的頂視圖中未明確示出光阻劑304。周邊區域306（在虛線和基板300的相應邊緣之間標識）係沿著沉積表面302的外邊緣。基板300具有邊緣表面308a、308b、308c和308d。邊緣表面308a和308b在基板300的相對側上，且邊緣表面308c和308d位於在300的相對側上。邊緣表面308a、308b、308c和308d垂直於沉積表面302。假想的分界線310（以虛線表示）將基板300一分為二，以便於在此描述。對於穿過線310的部件，線的一側上的該組件的一部分可藉由附於部件數字編號的「-1」或「-2」來指代。例如，邊緣表面308a-1指的是圖3A和3B中的「1」所表示的線310一側上的邊緣表面308a的部分，且邊緣表面308a-2指的是圖3A和3B中的「2」所表示的邊緣表面308a的部分。
如圖3B所示，光阻劑304沉積在基板300的沉積表面302上，並且沿著靠近沉積表面302之基板300的邊緣表面308a、308b、308c、308d的部分沉積。由於用於沉積光阻劑304的旋轉塗佈製程，光阻劑304可沉積在邊緣表面308a、308b、308c、308d上。如果沒有去除，則周邊區域306上和邊緣表面308a、308b、308c、308d上的光阻劑304可能是一污染源，其在蝕刻製程期間可能具有不利影響。因此，一些示例性製程和處理系統係關於沿著基板的周邊區域和邊緣表面去除光阻劑。
圖4是根據本揭示案的一些實例的用於從基板的邊緣去除部分光阻劑的方法400。將在圖5至8的上下文中描述方法400作為示例。
在操作402中，基板台202接收基板300(其上沉積有光阻劑)。如圖5所示，基板300由基板台202所接收及支撐。在操作404中，基板處置器100將基板固持器120移動到基板300並藉由基板固持器120固定基板300。基板處置器100可以例如藉由以下方式施行任何移動以將基板固持器120移動到基板300：藉由第一可移動台106和/或第二可移動台108的任何平移，及/或可旋轉台110、第一可旋轉接頭112、第二可旋轉接頭116和/或腕部的任何旋轉。在基板固持器120定位在基板300處的情況下，致動鉗頭122以在基板300的邊緣表面308a-2和308b-2上提供相反的力，從而固定基板300。在基板300由基板固持器120固定的情況下，基板處置器100可以例如在腔室200內移動基板300。
在操作406中，基板300的沉積表面302的周邊區域306-1上的光阻劑304的一部分暴露於來自輻射產生器214的輻射。參照圖6，在基板固持器120經由邊緣表面308a-2和308b-2固定基板300的情況下，基板處置器100將沉積表面302在一平面上定向，該平面垂直於輻射產生器214所產生的輻射的傳播方向。然後，基板處置器100將基板300定位並移動，使得由輻射產生器214所產生並從輻射產生器214傳播的輻射602（如UV雷射或電子束）沿著邊緣表面308a-1、308c和308b-1入射在沉積表面302的周邊區域306-1上的光阻劑304上。在圖6至8中沒有明確地示出光阻劑304，以避免混淆該等圖示中所示的特徵；本發明所屬領域中具有通常知識者將容易理解光阻劑304的存在。在一些實例中，如將UV雷射用於光遮罩。在這樣的實例中，用於光遮罩的基板可以是透明的，且UV雷射器可不損壞基板。在其他實例中，UV雷射可能對不透明基板造成一些損壞。
在一些實例中，輻射602的傳播方向是固定的。在這樣的實例中，基板處置器100可操作以在x和y方向上平移基板300，以沿著邊緣表面308a-1、308c和308b-1掃描周邊區域306-1上的光阻劑304上的輻射602-1。例如，從輻射602入射在周邊區域306-1上的光阻劑304上的初始位置，第一可移動台106和第二可移動台108在x和y方向上移動，從而使基板300在x和y方向上平移。
在一些實例中，輻射602的傳播方向可沿著一方向移動。在這樣的實例中，基板處置器100可操作以定位基板300，使得待暴露的周邊區域306-1的一部分與輻射602的傳播方向的移動（movement）方向對齊（align）。然後，在基板處置器100和基板300不動（immobile）的情況下，輻射602沿邊緣表面308a-1、308c和308b-1中的相應一個邊緣表面沿著待入射（to be incident）在周邊區域306-1上的光阻劑304上的方向掃描。然後，基板處置器100將基板300重新定位，以使周邊區域306-1的另一部分與輻射602的傳播方向的移動方向對齊，且當基板300不動時，輻射602沿著該方向掃描。可以重複這些操作，直到沿著邊緣表面308a-1、308c和308b-1的周邊區域306-1上的光阻劑304暴露於輻射602。
在另外的實例中，當周邊區域306-1上的光阻劑304的一部分暴露時，可以固定輻射602的傳播方向，以及當周邊區域306-1上的光阻劑304的其他部分暴露時，輻射602的傳播方向可以係可移動的。 可以組合暴露操作的各種特徵以暴露周邊區域306-1上的光阻劑304。
在一些實例中，實施抽取器殼體以去除因暴露所產生的副產物、煙等。在一些實例中，在暴露之前，使光阻劑304顯影。在這樣的實例中，暴露使顯影的光阻劑304磨損（ablate），如此而產生副產物、煙等。基板300經定位靠近抽取器殼體的開口，該開口由壁206所界定。打開泵212以產生壓差，該壓差使得氣體的（如，腔室200的內部空間中的空氣或其他氣體）流604從靠近正在暴露的周邊區域306-1上的光阻劑304，進入抽取器殼體的內部，以及從抽出器殼體和腔室200經由導管210出去。此流604可以排出副產物、煙等，如果不去除這些副產物、煙等，這些副產物、煙等可能是基板300上的污染源。此外，在實施抽取器殼體的情況下，在輻射602入射到光阻劑304上之前，輻射602從輻射產生器214傳播通過透明窗208和抽取器殼體的內部空間。在其他實例中，當暴露基板300時，抽取器可以藉由導管（如管道（pipe）或軟管（hose）實施，導管具有靠近基板300的開口。導管可以產生氣體流以排出副產物、煙等。
在其他實例中，可以省去抽取器殼體。在一些實例中，光阻劑304是在暴露之前不顯影的正光阻劑。光阻劑304的暴露使得光阻劑304的暴露部分可溶於顯影劑。藉由這種暴露可以減少或避免副產物和煙的產生。當顯影光阻劑304時，可以接著去除光阻劑304的暴露部分。
在操作408中，基板300的邊緣表面308a、308b、308c、308d（如邊緣表面308a-1、308b-1、308c）上的光阻劑的一部分暴露於來自輻射產生器214的輻射。參照圖7，在基板固持器120經由邊緣表面308a-2和308b-2固定基板300的情況下，基板處置器100將邊緣表面308a在一平面上定向，該平面垂直於輻射產生器214所產生的輻射的傳播方向。然後，基板處置器100定位基板300，使得由輻射產生器214產生並從輻射產生器214傳播的輻射602（如UV雷射或電子束）入射在邊緣表面308a-1上的光阻劑304上。
在一些實例中，輻射602的傳播方向是固定的。在這樣的實例中，基板處置器100可操作以在x方向上平移基板300，如圖所示，以掃描光阻劑304邊緣表面308a-1上的輻射602。例如，從輻射602入射在邊緣區域308a-1上的光阻劑304上的初始位置，第一可移動台106和/或第二可移動台108在x方向上移動，從而使基板300在x方向上平移。在一些實例中，輻射602的傳播方向可沿著一方向移動。在這樣的實例中，基板處置器100可操作以定位基板300，使得邊緣表面308a-1與輻射602的傳播方向的移動方向對齊。然後，在基板處置器100和基板300不動的情況下，輻射602沿著待入射在邊緣表面308a-1上的光阻劑304上的方向（例如，如圖所示的x方向）掃描。在另外的實例中，當在邊緣表面308a-1上的光阻劑304暴露時，可以移動輻射602和基板處置器100兩者的傳播方向。
在暴露邊緣表面308a-1上的光阻劑304之後，基板處置器100將邊緣表面308b在一平面上定向以及將基板300定位，使得輻射入射在邊緣表面308b-1上的光阻劑304上，該平面垂直於輻射產生器214所產生的輻射的一傳播方向。例如，基板處置器100如藉由旋轉基板處置器100的腕部以繞x軸旋轉基板300。然後，邊緣表面308b-1上的光阻劑304可以如上相對於邊緣表面308a-1上的光阻劑304所述那樣暴露。
在暴露邊緣表面308b-1上的光阻劑之後，參考圖8，基板處置器100將邊緣表面308c在一平面上定向以及將基板300定位，使得輻射入射在邊緣表面308c上的光阻劑304上，該平面垂直於輻射產生器214所產生的輻射的一傳播方向。例如，基板處置器100如藉由旋轉基板處置器100的各式接頭和/或腕部以繞y軸旋轉基板300。然後，邊緣表面308c上的光阻劑304可以如上相對於邊緣表面308a-1上的光阻劑304所述那樣暴露。
在暴露邊緣表面308a-1、308b-1和308c上的光阻劑304期間，可如上相對於暴露周邊區域306-1上的光阻劑304那樣來實施或省去抽取器殼體。
在操作410中，基板處置器100將基板300放置在基板台202上以及釋放基板300。基板300可以類似於圖5中所示放置在基板台202上。基板處置器100可以藉由致動鉗頭122來釋放基板300，以釋放在基板300的邊緣表面308a-2和308b-2上的相反的力。
接著，重複操作404到410。參考操作404，基板處置器100將基板固持器120移動到基板300並藉由基板固持器120固定基板300。基板處置器100將基板固持器120從基板固持器120之前抓住基板300的一側移動到基板300的相對側。在基板固持器120定位在基板300處的情況下，致動鉗頭122以在基板300的邊緣表面308a-1和308b-1上提供相反的力，從而固定基板300。在其他實例中，基板台202可旋轉，使得在沒有顯著移動的情況下，基板固持器120定位在邊緣表面308a-1和308b-1處以固定基板300。
在操作406中，基板300的沉積表面302的周邊區域306-2上的光阻劑304的一部分暴露於來自輻射產生器214的輻射，類似於先前暴露周邊區域306-1的部分。在操作408中，基板300的邊緣表面308a、308b、308c、308d（如邊緣表面308a-2、308b-2、308d）上的光阻劑304的一部分暴露於來自輻射產生器214的輻射，類似於先前暴露邊緣表面308a、308b、308c、308d的一部分（如邊緣表面308a-1、308b-1、308c）。在操作410中，基板處置器100將基板300放置在基板台202上以及釋放基板300。然後可以從腔室200移除基板300以用於後續處理。
儘管將前述方法400描述為藉由不同操作來暴露不同部分，但是可以發生藉由各種操作來暴露某些重疊（some overlap of exposures）。例如，在暴露周邊區域306-1期間，也可以暴露周邊區域306-2的部分，反之亦然。再者，以上僅作為實例描述各種序列的暴露，且可實施任何序列的暴露。
圖9是根據本揭示案的一些實例的用於處理基板的方法900。在操作902中，將光阻劑沉積在基板上的工作層上。工作層可以是任何待蝕刻的層。例如，對於光遮罩，工作層可以是吸收層。可以藉由旋轉塗佈或其他沉積技術來沉積光阻劑。在操作904中，將光阻劑暴露於電磁輻射（如光）以圖案化光阻劑，以及在操作906中，使光阻劑顯影以圖案化光阻劑。在操作908中，基板邊緣上的光阻劑的部分暴露於輻射，例如以上關於圖4的方法400所描述的。在操作908中的暴露光阻劑的部分之步驟使暴露的部分磨損以去除暴露的部分。在操作910中，使用圖案化的光阻劑來蝕刻工作層。蝕刻可以是乾式、各向異性（anisotropic）製程，如反應離子蝕刻（RIE）或其他蝕刻製程。去除基板邊緣上的光阻劑的部分至少去除了一些污染源，這可以藉由工作層中的蝕刻製程來改善複製（replicating）圖案。在操作912中，例如藉由濕式剝離（wet stripping）或灰化（ashing）去除圖案化的光阻劑。
圖10是根據本揭示案的一些實例的用於處理基板的方法1000。在操作1002中，將光阻劑沉積在基板上的工作層上。工作層可以是任何待蝕刻的層。例如，對於光遮罩，工作層可以是吸收層。可以藉由旋轉塗佈或其他沉積技術沉積光阻劑。在操作1004中，基板邊緣上的光阻劑的部分暴露於輻射，例如以上關於圖4的方法400所描述的。在操作1004中的暴露光阻劑的部分之步驟可去除暴露的部分或可不去除暴露的部分，但是在操作1004中的暴露光阻劑的部分之步驟可使光阻劑可溶於顯影劑，例如當光阻劑是正光阻劑時。在操作1006中，將光阻劑暴露於電磁輻射（如光）以圖案化光阻劑，以及在操作1008中，使光阻劑顯影以圖案化光阻劑。在操作1008中使光阻劑顯影的步驟可以去除在操作1004中所暴露的基板邊緣上的光阻劑的部分。在操作1010中，使用圖案化的光阻劑來蝕刻工作層。蝕刻可以是乾式、各向異性製程，如RIE或其他蝕刻製程。去除基板邊緣上的光阻劑的部分至少去除了一些污染源，這可以藉由工作層中的蝕刻製程來改善複製圖案。在操作1012中，例如藉由濕式剝離或灰化去除圖案化的光阻劑，。
圖11是表示根據本揭示案的一些實例的說明性處理系統1100的頂視圖。示例性基板1102所示在處理系統1100附近且在處理系統1100內。處理系統1100包括裝載閘腔室1104、移送腔室1106、移送腔室1106內的移送（如工具和材料處置）機器人1108以及處理腔室1110、1112、1114、1116、1118。處理腔室1110、1112、1114、1116、1118中的至少一個是圖2中所示的腔室200。處理腔室1110、1112、1114、1116、1118中的其他處理腔室各自可以是任何適當的處理腔室，如用於沉積製程（如光阻劑旋轉塗佈、原子層沉積（ALD）、物理氣相沉積（PVD）等）、蝕刻製程（如反應離子蝕刻（RIE）、遠端電漿處理等）、清洗製程或類似製程。處理腔室1110、1112、1114、1116、1118可以是圓形、矩形或其他形狀，其可以是待處理基板的形狀和其他處理規格所要求的。
移送腔室1106包括在與裝載閘腔室1104和處理腔室1110、1112、1114、1116、1118相鄰的側壁中的狹縫閥開口1121、1123、1125、1127、1129、1131。移送機器人1108經定位和配置而能夠通過每個狹縫閥開口1121、1123、1125、1127、1129、1131插入一個或多個工具（如基板處置葉片）並進入相鄰的腔室。也就是說，移送機器人可以經由狹縫閥開口1121、1123、1125、1127、1129、1131將工具插入裝載閘腔室1104和處理腔室1110、1112、1114、1116、1118中，狹縫閥開口1121、1123、1125、1127、1129、1131在鄰近其他腔室中的各者之移送腔室1106的壁中。用狹縫閥開口1121、1123、1125、1127、1129、1131來選擇性地打開與關閉狹縫閥1120、1122、1124、1126、1128、1130，以當基板、遮罩、工具、其他物品待插入相鄰腔室中的一者或待自相鄰腔室中的一者移除時，允許進出相鄰腔室的內部。相應的狹縫閥1120、1122、1124、1126、1128或1130可以對應作為腔室200之處理腔室1110、1112、1114、1116或1118的腔室門204。
移送腔室1106、裝載閘腔室1104和處理腔室1110、1112、1114、1116、1118包括與真空系統（如真空泵）流體連通的一個或多個孔（未圖示）。孔為各種腔室內的氣體提供排出口。在一些實施例中，腔室各自連接到分開且獨立的真空系統。在其他實施例中，該等腔室的部分腔室共用真空系統，而其他腔室具有分開且獨立的真空系統。真空系統可包括真空泵（未圖示）和節流閥（未圖示），以調節通過各種腔室的氣流。
處理系統1100包括一個或多個製程控制器（未圖示），每個製程控制器可以是電腦或電腦系統或者每個製程控制器可包括電腦或電腦系統。每個製程控制器可以包括處理器，處理器執行儲存在有形的非暫態媒介（如隨機存取記憶體（RAM）、唯讀記憶體（ROM）等）上的程式碼指令，以施行和/或控制本說明書所述的各種操作。製程控制器（或相應的製程控制器）可以控制裝載閘腔室1104的操作。製程控制器（或另一個相應的製程控制器）可以控制移送腔室1106的操作（如移送機器人1108的操作）、狹縫閥1120、1122、1124、1126、1128、1130等的打開和關閉。製程控制器（或其他相應的製程控制器）可以控制處理腔室1110、1112、1114、1116、1118的操作，以根據個別的配方施行各種處理條件。例如，製程控制器可以控制暴露設備和基板處置器100的操作，如本說明書所述。如果實施多個製程控制器，則製程控制器可各自與一個或多個其他製程控制器通信以協調各種操作。
如圖所示，處理系統1100包括五個處理腔室和一個裝載閘。在其他實例中，處理系統可以包括任何數量的處理腔室和裝載閘。例如，處理系統可以包括四個處理腔室和兩個裝載閘。可以實施其他數量的處理腔室和裝載閘。
在更進一步的實例中，處理系統可以實施具有裝載閘或作為獨立處理系統的其他製造設施介面之腔室200，而無需其他處理腔室。鑑於前面的描述，本發明所屬領域中具有通常知識者將容易理解這種處理系統。
雖然前面所述係針對本揭示案的實例，但在不背離本揭示案的基本範圍下，可設計本揭示案的其他與進一步的實施例，且本揭示案的範圍由以下專利申請範圍所界定。
100:基板處置器 102:光遮罩基板 104:基部 106:第一可移動台 108:第二可移動台 110:可旋轉台 112:第一可旋轉接頭 114:第一連桿 116:第二可旋轉接頭 118:第二連桿 120:基板固持器 122:鉗頭 200:腔室 202:基板台 204:腔室門 206:壁 208:透明窗 210:導管 212:泵 214:雷射產生器 300:基板 302:沉積表面 304:光阻劑 306:周邊區域 308a、308b、308c、308d:邊緣表面 310:假想的分界線 400:方法 402:操作 404:操作 406:操作 408:操作 410:操作 602:雷射 604:流 900:方法 902:操作 904:操作 906:操作 908:操作 910:操作 912:操作 1000:方法 1002:操作 1004:操作 1006:操作 1008:操作 1010:操作 1012:操作 1100:處理系統 1102:基板 1104:裝載閘腔室 1106:移送腔室 1108:移送機器人 1110:處理腔室 1112:處理腔室 1114:處理腔室 1116:處理腔室 1120:狹縫閥 1121:狹縫閥開口 1122:狹縫閥 1123:狹縫閥開口 1124:狹縫閥 1125:狹縫閥開口 1126:狹縫閥 1127:狹縫閥開口
本揭示案之特徵已簡要概述於前，並在以下有更詳盡之討論，可藉由參考實例以作瞭解，部分的實例繪示於所附圖式中。然而，值得注意的是，所附圖式僅繪示了一些實例，且因此不應視為限制其範圍，因為本揭示案可允許其他等效的實例。
圖1是根據本揭示案的一些實例的示例性基板處置器。
圖2是根據本揭示案的一些實例的處理系統的示例性腔室。
圖3A和3B分別是基板的頂視圖和截面圖，以繪示本揭示案的一些實例。
圖4是根據本揭示案的一些實例的用於從基板的邊緣去除光阻劑的部分之方法。
圖5是根據本揭示案的一些實例的基板台（substrate stage）所支撐基板的截面圖，基板上具有光阻劑。
圖6是根據本揭示案的一些實例之在暴露基板的周邊區域上的光阻劑期間基板的定向的示意圖。
圖7是根據本揭示案的一些實例的在暴露基板的邊緣表面上的光阻劑期間基板的定向的示意圖。
圖8是根據本揭示案的一些實例的在暴露基板的另一邊緣表面上的光阻劑期間基板的定向的示意圖。
圖9是根據本揭示案的一些實例的用於處理基板的方法。
圖10是根據本揭示案的一些實例的用於處理基板的另一種方法。
圖11是根據本揭示案的一些實例的示例性處理系統的頂視圖。
為便於理解，在可能的情況下，使用相同的數字編號代表圖示中相同的元件。
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國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:基板處置器
104:基部
106:第一可移動台
108:第二可移動台
110:可旋轉台
112:第一可旋轉接頭
114:第一連桿
116:第二可旋轉接頭
118:第二連桿
120:基板固持器
122:鉗頭
200:腔室
202:基板台
204:腔室門
206:壁
208:透明窗
210:導管
212:泵
214:雷射產生器

Claims (15)

  1. 一種處理系統，包括：一腔室；一基板處置器(handler)，該基板處置器在該腔室內，該基板處置器經配置固定一基板；及一輻射產生器，該輻射產生器在該腔室內，該基板處置器可進一步操作以定位該基板的一邊緣表面，使得來自該輻射產生器傳播的輻射被引導到該基板的該邊緣表面，且可操作以將垂直於該邊緣表面且沿著該邊緣表面之該基板的一沉積表面的一周邊區域定位，使得來自該輻射產生器傳播的輻射被引導到該沉積表面的該周邊區域。
  2. 如請求項1所述之處理系統，進一步包括一抽取器(extractor)殼體，該抽取器殼體包含：界定一內部空間和一開口的側壁，該內部空間流體地耦接到一出口；及一透明窗，該透明窗設置在與該開口相對的該等側壁上，該輻射產生器經定位引導輻射通過該透明窗、該內部空間和該開口。
  3. 如請求項1所述之處理系統，其中該基板處置器包括一第一可移動台和一第二可移動台，該第一可移動台可沿一第一方向橫向移動，該第二可移動台 可沿垂直於該第一方向的一第二方向橫向移動。
  4. 如請求項1所述之處理系統，其中該基板處置器包含：一可旋轉台；一第一可旋轉接頭，該第一可旋轉接頭由該可旋轉台支撐；一第一連桿，該第一連桿附接於該第一可旋轉接頭；一第二可旋轉接頭，該第二可旋轉接頭附接於該第一連桿；一第二連桿，該第二連桿附接於該第二可旋轉接頭；一腕部，該腕部附接於該第二連桿；及一夾具，該夾具附接於該腕部，該夾具經配置在該基板的相對邊緣表面處使用相反的力來固定該基板。
  5. 如請求項1所述之處理系統，其中該基板處置器可操作以在不同時間定位該基板的每個邊緣表面，使得來自該輻射產生器傳播的輻射被引導到該基板的該相應邊緣表面，且可操作以在不同時間將垂直於每個邊緣表面且沿著每個邊緣表面的該周邊區域定位，使得來自該輻射產生器傳播的輻射被引導到該沉積表面的該周邊區域。
  6. 如請求項1所述之處理系統，其中該輻射產生器是一紫外線(UV)雷射產生器。
  7. 如請求項1所述之處理系統，其中該輻射產生器是一電子束(e-beam)產生器。
  8. 一種處理一基板的方法，該方法包括以下步驟：在一第一定向上，將該基板的一沉積表面的周邊區域相對於一輻射產生器定位，以使來自該輻射產生器的輻射被引導到該周邊區域，該沉積表面具有沉積在其上的一層；當該周邊區域在該第一定向上時，將來自該輻射產生器的輻射引導到該周邊區域；在一第二定向上，將該基板的一邊緣表面相對於該輻射產生器定位，以使來自該輻射產生器的輻射被引導到該邊緣表面，該邊緣表面垂直於該沉積表面；及當該邊緣表面在該第二定向上時，將來自該輻射產生器的輻射引導到該邊緣表面。
  9. 如請求項8所述之方法，其中將輻射引導到該周邊區域以及引導到該邊緣表面的步驟使該周邊區域和該邊緣表面上的該層的一部分磨損(ablate)。
  10. 如請求項8所述之方法，其中該層是一正光阻劑(positive photoresist)，且該方法進一 步包括以下步驟：在將輻射引導到該周邊區域和該邊緣表面之後，使該正光阻劑顯影(develop)。
  11. 如請求項8所述之方法，其中該基板是一光遮罩。
  12. 如請求項8所述之方法，其中：當該周邊區域在該第一定向上時，將輻射引導到該周邊區域的步驟包括以下步驟：在該第一定向上平移該基板，其中當在該第一定向上平移該基板時，該輻射沿該周邊區域掃描；及當該邊緣表面在該第二定向上時，將輻射引導到該邊緣表面的步驟包含以下步驟：在該第二定向上平移該基板，其中當在該第二定向上平移該基板時，該輻射沿該邊緣表面掃描。
  13. 如請求項8所述之方法，其中：當該周邊區域在該第一定向上時，將輻射引導到該周邊區域的步驟包括以下步驟：當該基板不動(immobile)時，移動該輻射的一傳播方向，以沿該周邊區域掃描；及當該邊緣表面在該第二定向上時，將輻射引導到該邊緣表面的步驟包含以下步驟：當該基板不動時，移動該輻射的一傳播方向，以沿該邊緣區域掃描。
  14. 如請求項8所述之方法，其中： 在該第一定向上，將該周邊區域相對於該輻射產生器定位的步驟包括以下步驟：將該周邊區域定位在一抽取器殼體的一開口附近；將輻射引導到該周邊區域的步驟包括以下步驟：將輻射通過該抽取器殼體的一透明窗引導到該周邊區域；及從該抽取器殼體排出一氣體；及在該第二定向上，將該邊緣表面相對於該輻射產生器定位的步驟包括以下步驟：將該邊緣表面定位在該抽取器殼體的該開口附近；將輻射引導到該邊緣表面的步驟包括以下步驟：將輻射通過該抽取器殼體的該透明窗引導到該邊緣表面；及從該抽取器殼體排出一氣體。
  15. 如請求項8所述之方法，其中將輻射引導到該周邊區域和該邊緣表面的步驟包括以下步驟：將一紫外線(UV)雷射或電子束(e-beam)引導於該周邊區域和該邊緣表面處。
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