TW201823295A - 有機層組成物、有機層以及形成圖案的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種有機層組成物、一種有機層以及一種形成圖案的方法。所述有機層組成物包含芳香族環化合物、在所述結構中包含全氟烷基的添加劑及溶劑，其中其中以所述添加劑的總重量100重量%計，以大於0重量%且小於或等於30重量%的量包含所述添加劑中所包含的氟（F）基，且根據條件1所量測的所述添加劑的表面張力減小率為0.1%至30%。條件1的定義與在說明書中所定義的相同。

Description

有機層組成物、有機層以及形成圖案的方法
本發明揭露一種有機層組成物、一種自所述有機層組成物製造的有機層、以及一種使用所述有機層組成物來形成圖案的方法。
近來，根據電子裝置的小型化（微型化）及複雜度而進行的高積體設計已加速了更先進的材料及其相關製程的發展，且因此，使用傳統光阻劑的微影術亦需要新型圖案化材料及技術。
在圖案化製程中，可將被稱為硬遮罩層的有機層形成為硬中間層以將光阻劑的精細圖案向下轉移至基板上的足夠深度而不使其塌陷。
硬遮罩層發揮中間層的作用以藉由選擇性蝕刻製程而將光阻劑的精細圖案轉移至材料層。因此，硬遮罩層需要具有在邊緣處較少層離的層，即平面化層。
本發明實施例提供一種能夠達成具有較少邊緣珠粒移除隆起（edge bead removal hump）的層的有機層組成物。
另一實施例提供一種具有改善的層平面性的有機層。
再一實施例提供一種使用所述有機層組成物形成圖案的方法。
根據實施例，一種有機層組成物包含芳香族環化合物、在結構中包含全氟烷基的添加劑及溶劑，其中以所述添加劑的總重量100重量%計，以大於0重量%且小於或等於30重量%的量包含所述添加劑中所包含的氟（F）基，且根據條件1所量測的所述添加劑的表面張力減小率（surface tension decrease rate）為0.1%至30%。
[條件1]
S1：製備包含混合有環己酮的所述添加劑的溶液。在本文中，以100重量%100重量%的所述溶液計，所述添加劑的量為2重量%。
S2：在25℃下量測所述溶液的表面張力。
S3：根據方程式1來計算所述添加劑的表面張力減小率。
方程式1 添加劑的表面張力減小率（%）=（（1-（在25℃下所量測的添加劑的表面張力））/（在25°C下所量測的環己酮的表面張力））´ 100
添加劑的表面張力減小率可為1%至25%。
以所述添加劑的總重量100重量%計，可以0.001重量%至20重量%的量包含所述添加劑中所包含的所述氟（F）基。
所述全氟烷基的碳數可為4至24。
所述添加劑可為全氟烷基醇（perfluoroalkyl alcohol）、全氟烷基羧酸、全氟烷基磺酸、全氟丙烯酸酯、全氟醚、或其組合。
以所述有機層組成物的總量計，可以0.001重量%至25重量%的量包含所述添加劑。
所述有機層組成物可具有根據條件2所量測的為10%至100%的邊緣撓曲減小率（edge flexure decrease rate）。
[條件2]
S1：以1,500轉/分鐘（rpm）的速度將有機層組成物旋塗於圖案化的12英吋矽晶圓上。隨後，在400℃下執行熱處理達120秒以形成薄層，且藉由薄層厚度量測設備來量測所述薄層的厚度。
薄層的邊緣部分被界定為自經塗佈薄層的邊緣至中心間隔開600微米的部分。在本文中，對薄層的所述中心的塗佈厚度及薄層邊緣部分處的最大隆起的塗佈厚度進行量測，且將所述兩個厚度的差值稱為邊緣撓曲厚度。
S2：製備相對於S1的所述有機層組成物而言不包含所述添加劑的組成物，且重複與S1相同的製程以量測邊緣撓曲厚度。
S3：根據方程式2來計算邊緣撓曲減小率。
方程式2 邊緣撓曲減小率（%）=（1 ̶ 自有機層組成物製造的薄層的邊緣撓曲厚度）/（自不包含添加劑的組成物製造的薄層的邊緣撓曲厚度）´ 100
所述芳香族環化合物可在所述芳香族環化合物的結構中包含二或更多個經取代或未經取代的苯環。
所述芳香族環化合物可在所述結構中包含群組1的多個部分中的一者。
[群組1]
在群組1中， M為經取代或未經取代的C1至C5伸烷基、–O-、-S-、-SO2 -或羰基。
所述芳香族環化合物可為重量平均分子量為500至200,000的聚合物。
所述芳香族環化合物可為分子量為500至1,300的單分子。
所述溶劑可為選自由以下組成的群組中的一或多者：丙二醇、二乙酸丙二醇酯、甲氧基丙二醇、二乙二醇、二乙二醇丁醚、三(乙二醇)單甲醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、環己酮、乳酸乙酯、γ-丁內酯、N,N-二甲基甲醯胺、N,N二甲基乙醯胺、甲基吡咯啶酮、乙醯丙酮及3-乙氧基丙酸乙酯。
以所述有機層組成物的總量計，可以0.1重量%至30重量%的量包含所述芳香族環化合物。
根據另一實施例，一種自所述有機層組成物製造的有機層提供具有根據條件2所量測的為10%至100%的邊緣撓曲減小率的有機層。
再根據另一實施例，一種形成圖案的方法包括：在基板上形成材料層，將所述有機層組成物施加於所述材料層上，對所述有機層組成物進行熱處理以形成硬遮罩層，在所述硬遮罩層上形成含矽的薄層，對光阻劑層進行曝光及顯影以形成光阻劑圖案使用所述光阻劑圖案來選擇性地移除所述含矽的薄層及所述硬遮罩層以暴露出所述材料層的一部分，以及對所述材料層的被暴露部分進行蝕刻。
所述施加所述有機層組成物可利用旋塗方法來執行。
所述方法可更包括在形成所述光阻劑層之前形成底部減反射塗層（bottom antireflective coating，BARC）。
本發明提供一種能夠藉由包含預定添加劑而達成具有較少邊緣珠粒移除隆起的層的有機層組成物。
一種自所述有機層組成物製造的有機層可藉由在多重圖案化製程中使對另一層的品質的影響最小化來使層的缺陷最小化。
本發明的示範性實施例將在以下進行詳細闡述，且可由相關技術中具有通常知識者輕易地執行。然而，本揭露內容可實施為諸多不同形式，且不應被解釋為僅限於本文所述的示例性實施例。
在本說明書中，當不另外提供定義時，「經取代」是指化合物的氫被以下者置換：鹵素原子（F、Br、Cl或I）、羥基、烷氧基、硝基、氰基、胺基、疊氮基、脒基、肼基、腙基、羰基、胺甲醯基、硫醇基、酯基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸或其鹽、C1至C20烷基、C2至C20烯基、C2至C20炔基、C6至C30芳基、C7至C30芳基烷基、C1至C30烷氧基、C1至C20雜烷基、C2至C20雜芳基、C3至C20雜芳基烷基、C3至C30環烷基、C3至C15環烯基、C6至C15環炔基、C2至C30雜環烷基、及其組合。
在本說明書中，當不另外提供定義時，「雜」是指包含選自N、O、S及P中的1至3個雜原子。
以下，闡述根據實施例的有機層組成物。
根據實施例的有機層組成物包含芳香族環化合物、在結構中包含全氟烷基的添加劑及溶劑。
以所述添加劑的總重量100重量%計，以大於0重量%且小於或等於30重量%的量包含所述添加劑中的氟基，且根據條件1所量測的所述添加劑的表面張力減小率為0.1%至30%。
[條件1]
S1：製備包含混合有環己酮的所述添加劑的溶液。在本文中，以100重量%100重量%的所述溶液計，所述添加劑的量為2重量%。
S2：在25℃下量測所述溶液的表面張力。
S3：根據方程式1來計算所述添加劑的表面張力減小率。
方程式1 添加劑的表面張力減小率（%）=（（1 ̶（在25℃下所量測的添加劑的表面張力））/（在25℃下所量測的環己酮的表面張力））´ 100
一般而言，當將有機層組成物塗佈於基板上時，可容易出現基板的邊緣珠粒移除隆起。在將有機層組成物塗佈於基板上之後，對邊緣部分進行洗滌（邊緣珠粒移除（Edge Bead Removal，EBR））。在本文中，在藉由沖洗溶劑洗掉表面處的經塗佈有機層組成物的同時，可吸收沖洗溶劑。在本文中，沖洗溶劑的吸收量根據沖洗溶劑的表面張力而變大，且因此可能出現邊緣珠粒移除隆起。
根據實施例的有機層組成物包含預定添加劑，所述預定添加劑以所述添加劑的總重量100重量%計，以大於0重量%且小於或等於30重量%的量包含（i）氟基，且滿足（ii）根據條件1所量測的表面張力減小率，並且因此可確保所述組成物的塗佈性質且可改善層的邊緣珠粒移除隆起（撓曲）。
所述添加劑可藉由在其結構中以小於或等於30重量%的量包含氟（F）基來改善層的邊緣珠粒移除隆起。舉例而言，當所述添加劑以大於30重量%的量包含氟（F）基時，可導致表面偏差（surface deviation），且可在組成物塗佈期間造成晶圓表面塗佈缺陷。
舉例而言，所述添加劑的表面張力減小率可為1%至30%，但並非僅限於此。
另一方面，所述添加劑的全氟烷基的碳數可為例如4至24、4至20或5至15，但並非僅限於此。
所述添加劑可為全氟烷基醇、全氟烷基羧酸、全氟烷基磺酸、全氟酯、全氟丙烯酸酯、全氟醚、或其組合，但並非僅限於此。
以可考慮到層的塗佈性質及平面性來調整的所述有機層組成物的總量計，可以1重量%至30重量%的量包含所述添加劑。
另一方面，所述有機層組成物可具有根據條件2所量測的為10%至100%的邊緣撓曲減小率。
[條件2]
S1：以1,500轉/分鐘（rpm）的速度將化合物含量為5重量%的有機層組成物旋塗於圖案化的12英吋矽晶圓上。隨後，在400℃下執行熱處理達120秒以形成薄層，且藉由ST5000薄層厚度量測設備K-MAC來量測所述薄層的厚度。
接著，使用表面輪廓儀（surface profiler）（KLA-天可（Tencor）P-16+）設備將薄層的邊緣部分界定為自經塗佈薄層的邊緣朝向中心間隔開600微米的部分。
在本文中，對所述薄層的中心的塗佈厚度及薄層邊緣部分處的最大隆起的塗佈厚度進行量測，且將所述兩個塗佈厚度的差值稱為邊緣撓曲厚度。
S2：製備相對於S1的所述有機層組成物而言不包含所述添加劑的組成物，且重複與S1相同的製程以量測邊緣撓曲厚度。
S3：根據方程式2來計算邊緣撓曲減小率。
方程式2 邊緣撓曲減小率（%）=（（1 （自有機層組成物製造的薄層的邊緣撓曲厚度）/（自不包含添加劑的組成物製造的薄層的邊緣撓曲厚度））´ 100
在本文中，可使用表面輪廓儀（KLA-天可P-16+）設備來量測經塗佈薄層的邊緣部分。
由於邊緣撓曲減小率為小，因此自有機層組成物形成的層的平面性可增加。所述有機層組成物表現出1%至30%的邊緣撓曲減小率，且當使用此種組成物來形成有機層時，可確保在層的邊緣部分以及層的中心處的優異的平面性。
以下，闡述有機層組成物中所包含的芳香族環化合物。
芳香族環化合物可在所述芳香族環化合物的結構中包含至少一個經取代或未經取代的苯環，例如在所述芳香族環化合物的結構中包含二或更多個經取代或未經取代的苯環。
舉例而言，該些苯環可具有稠合形式。
舉例而言，芳香族環化合物可在所述結構中包含群組1的多個部分中的一者，但並非僅限於此。
[群組1]
在群組1中， M為經取代或未經取代的C1至C5伸烷基、–O-、-S-、-SO2 -或羰基。
芳香族環化合物可為單分子或聚合物。舉例而言，此時芳香族環化合物為分子量為500至1,300的單分子，且舉例而言，芳香族環化合物可為重量平均分子量為500至200,000的聚合物，但並非僅限於此。
舉例而言，芳香族環化合物可為由化學式1-1至化學式1-6中的一者表示的單分子，但並非僅限於此。
[化學式1-1]
在化學式1-1中， A為經取代或未經取代的芳香族環基， X1 、X2 及X3 獨立地為自經取代或未經取代的吲哚衍生出的單價基， Y1 、Y2 及Y3 獨立地為羥基、亞硫醯基、硫醇基、氰基、經取代或未經取代的胺基、經取代或未經取代的C1至C30烷基、經取代或未經取代的C1至C20烷基胺基、或者經取代或未經取代的C1至C30烷氧基，且 m1 、m2 、m3 、n1 、n2 及n3 獨立地為0或1。
m1 、m2 及m3 中的至少一者為1，當m1 為0、n1 為0，且m2 為0時，n2 為0，且m3 為0，n3 為0。
[化學式1-2]
在化學式1-2中， T為三嗪或三嗪衍生物， R1 、R2 及R3 獨立地為包括以下中的一或多者的基：羥基、經取代或未經取代的胺基、鹵素原子、含鹵素的基、氧原子、經取代或未經取代的芳基、經取代或未經取代的雜芳基、或其組合。
R1 、R2 及R3 中的至少一者包含經取代或未經取代的芳基。
[化學式1-3]
在化學式1-3中， A0 、A1 、A2 、A3 及A4 獨立地為經取代或未經取代的芳香族環基， X1 及X2 獨立地為羥基、經取代或未經取代的胺基、鹵素原子、或含鹵素的基， Y1 及Y2 獨立地為-O-、-S-、-NH-或–Se-， M1 及M2 為氰基， k及l獨立地為0或1且滿足1≤k+l≤2， m及n為滿足0≤m≤3且0≤n≤3的整數，當k=1時，m為1或大於1的整數，而當l=1時，n為1或大於1的整數，且 p及q獨立地為1或大於1的整數，且滿足1≤p+q≤（A0 的取代基的最大數目）。
[化學式1-4]
在化學式1-4中， A1 為脂肪族環狀基或芳香族環基， A2 至A4 分別為苯基， X1 至X3 獨立地為羥基、亞硫醯基、硫醇基、氰基、經取代或未經取代的胺基、經取代或未經取代的C1至C30烷基、經取代或未經取代的C1至C20烷基胺基、或者經取代或未經取代的C1至C30烷氧基， M為CRa 、SiRb 、N、P、PRc Rd 或PRe ， n為介於1至4範圍內的整數， 在M中，Ra 、Rb 、Rc 及Rd 獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C10烷基、鹵素原子、含鹵素的基、或其組合，且 Re 為氧（O）或硫（S）。
[化學式1-5]
在化學式1-5中， A1 至A3 獨立地為脂肪族環狀基或芳香族環基， X1 至X3 獨立地為羥基、經取代或未經取代的胺基、鹵素原子、含鹵素的基、或其組合， n為介於3至5範圍內的整數，且 m為介於1至3範圍內的整數。
[化學式1-6]
在化學式1-6中， A0 及A1 獨立地為經取代或未經取代的脂肪族環狀基或芳香族環基， X為羥基、經取代或未經取代的胺基、鹵素原子、含鹵素的基、經取代或未經取代的芳基、或其組合， L0 為單鍵或者經取代或未經取代的C1至C6伸烷基， Y為含硼（B）的基，且 n為介於1至5範圍內的整數。
舉例而言，芳香族環化合物可為包含由化學式2表示的結構單元的聚合物，但並非僅限於此。
[化學式2]
在化學式2中， A1 為包含至少一個經取代或未經取代的苯環的二價環狀基， B1 為二價有機基，且 *為連接點。
另一方面，有機層組成物中所包含的溶劑無特別限制，只要所述溶劑對所述芳香族環化合物具有足夠的可溶性或可分散性，且可為例如選自由以下組成的群組中的一或多者：丙二醇、二乙酸丙二醇酯、甲氧基丙二醇、二乙二醇、二乙二醇丁醚、三(乙二醇)單甲醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、環己酮、乳酸乙酯、γ-丁內酯、N,N-二甲基甲醯胺、N,N二甲基乙醯胺、甲基吡咯啶酮、乙醯丙酮及3-乙氧基丙酸乙酯。
以所述有機層組成物的總量計，可以約0.1重量%至50重量%或約0.1重量%至30重量%的量包含所述芳香族環化合物。當包含處於所述範圍內的芳香族環化合物時，可對有機層的厚度、表面粗糙度及平面化進行控制。
有機層組成物可更包含以下添加劑：熱酸產生劑或塑化劑。
熱酸產生劑可為例如酸性化合物，例如對甲苯磺酸、三氟甲磺酸、吡啶鎓對甲苯磺酸、水楊酸、磺基水楊酸、檸檬酸、苯甲酸、羥基苯甲酸、萘甲酸等或/及2,4,4,6-四溴環己二烯酮、安息香甲苯磺酸酯、2-硝基苯甲基甲苯磺酸酯、其他有機磺酸烷基酯等，但並非僅限於此。
根據另一實施例，提供一種使用所述有機層組成物製造的有機層。所述有機層可例如藉由將有機層組成物塗佈於基板上並對其進行熱處理以固化而形成，且可包括例如用於電子裝置的硬遮罩層、平面化層、犧牲層、填料等。
所述有機層可具有根據條件2所量測的例如為10%至100%的邊緣撓曲減小率。當所述邊緣撓曲減小率處於所述範圍內時，可藉由在多重圖案化製程中使對另一層的品質的影響最小化來使缺陷產生最小化
以下，闡述一種使用有機層組成物來形成圖案的方法。
根據實施例的形成圖案的方法包括：在基板上提供材料層，將所述有機層組成物施加於所述材料層上，對所述有機層組成物進行熱處理以形成硬遮罩層，在所述硬遮罩層上形成含矽的薄層，對光阻劑層進行曝光及顯影以形成光阻劑圖案，使用所述光阻劑圖案來選擇性地移除所述含矽的薄層及所述硬遮罩層以暴露出所述材料層的一部分，以及對所述材料層的被暴露部分進行蝕刻。
基板可為例如矽晶圓、玻璃基板或聚合物基板。
材料層為待最終進行圖案化的材料，舉例而言，例如鋁層及銅層等金屬層、例如矽層等半導體層、或例如氧化矽層及氮化矽層等絕緣層。材料層可藉由例如化學氣相沈積（chemical vapor deposition，CVD）製程等方法來形成。
有機層組成物與上述相同，且可藉由旋塗以溶液形式施加。在本文中，有機層組成物的厚度無特別限制，但可為例如約50埃至10,000埃。
可例如在約100℃至500℃下對有機層組成物執行熱處理約10秒至1小時。
含矽的薄層可由例如SiCN、SiOC、SiON、SiOCN、SiC及/或SiN等材料形成。
所述方法可更包括在形成光阻劑層之前，在含矽的薄層上形成底部減反射塗層（BARC）。
可使用例如ArF、KrF或EUV對光阻劑層執行曝光。在曝光之後，可在約100℃至500℃下執行熱處理。
可藉由使用蝕刻氣體的乾式蝕刻製程對材料層的被暴露部分執行蝕刻製程，且蝕刻氣體可為例如CHF3 、CF4 、Cl2 、BCl3 及其混合氣體，但不受限制。
經蝕刻材料層可被形成為多個圖案，且所述多個圖案可為金屬圖案、半導體圖案、絕緣圖案等，例如半導體積體電路裝置的各種各樣的圖案。
以下，參考實例更詳細地說明本揭露。然而，該些實例為示範性的，且本揭露並非僅限於此。實例：有機層組成物的製備 1. 芳香族環化合物的製備 聚合例 1
將50.0克（0.143莫耳）9,9’-雙(4-羥苯基)茀、23.7克（0.143莫耳）1,4-雙(甲氧基甲基)苯及50克丙二醇單甲醚乙酸酯添加至燒瓶中來製備溶液。向所述溶液中添加了1.10克（7.13毫莫耳）硫酸二乙酯並接著在100℃下攪拌了24小時。在聚合完成之後， 在甲醇中對生成物進行了沈澱以移除單體及低分子量材料並獲得包含由化學式3表示的結構單元的聚合物。
[化學式3] 2. 添加劑的製備
以下添加劑是由迪愛生公司（DIC Corporation）來製備。
（氟系添加劑） 添加劑1（F560）、添加劑2（R40）、添加劑3（F554）、添加劑4（R41）、添加劑5（R94）
（非氟系添加劑） 添加劑6（DL50）、添加劑7（L31）、添加劑8（L64）、添加劑9（LE3）
氟系添加劑是指在其結構中包含全氟烷基的添加劑，且非氟系添加劑是指在其結構中不包含全氟烷基的添加劑。
氟系添加劑在其結構中的氟（F）基的含量是使用離子層析法（ion chromatography，IC）來確認。結果示於表1中。
[表1] 3. 有機層組成物的製備
將聚合例1的聚合物及添加劑溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯（propylene glycol monomethyl ether acetate，PGMEA）與環己酮的混合溶劑（7:3（v/v））中，並進行了過濾以製備硬遮罩組成物。
以硬遮罩組成物的總重量計，端視所期望的厚度而將聚合物的重量控制成處於5.0重量%的範圍內。
以固體含量（即，聚合物的量與添加劑的量的和）計，添加劑的量為1重量%。如表2所示來充填添加劑的種類以製備各硬遮罩組成物。評估 1 ：添加劑的表面張力減小率
使用設備（科侶斯張力計（KRUSS Tensiometer）K11）根據條件1對添加劑1至添加劑8的表面張力減小率進行了評估。
[條件1]
S1：製備包含混合有環己酮的所述添加劑的溶液。在本文中，以100重量%100重量%的所述溶液計，所述添加劑的量為2重量%。
S2：在25℃下量測所述溶液的表面張力。
S3：根據方程式1來計算所述添加劑的表面張力減小率。
方程式1 添加劑的表面張力減小率（%）=（（1-（在25℃下所量測的添加劑的表面張力））/（在25℃下所量測的環己酮的表面張力））´ 100
結果示於表2中。
[表2]
參考表2，添加劑1至添加劑5的表面張力減小率處於0.1%至30%範圍內。評估 2 ：邊緣撓曲減小率
根據條件2對根據實例1至實例5以及比較例1至比較例5的有機層組成物的邊緣撓曲減小率進行了評估。
[條件2]
S1：以1,500轉/分鐘（rpm）的速度將固體含量為5重量%的有機層組成物旋塗於圖案化的12英吋矽晶圓上。隨後，在400℃下執行熱處理達120秒以形成薄層，且藉由ST5000薄層厚度量測設備K-MAC來量測所述薄層的厚度。
接著，使用表面輪廓儀（KLA-天可P-16+）設備將薄層的邊緣部分界定為自經塗佈薄層的邊緣朝向中心間隔開600微米的部分。
在本文中，對所述薄層的中心的塗佈厚度及薄層邊緣部分處的最大隆起的塗佈厚度進行量測，且將所述兩個塗佈厚度的差值稱為邊緣撓曲厚度。
S2：製備相對於S1的所述有機層組成物而言不包含所述添加劑的組成物，且重複與S1相同的製程以量測邊緣撓曲厚度。
S3：根據方程式2來計算邊緣撓曲減小率。
方程式2 邊緣撓曲減小率（%）=（（1 ̶（自有機層組成物製造的薄層的邊緣撓曲厚度）/（自不包含添加劑的組成物製造的薄層的邊緣撓曲厚度））´ 100
圖1為用於闡釋邊緣撓曲減小率的參考視圖。在圖1中，自左至右的方向為自層的邊緣至層的中心的方向。在圖1中，垂直箭頭指示邊緣撓曲厚度（即，隆起厚度（hump thickness））。在圖1中，水平箭頭指示薄層的邊緣部分。
結果示於表3中。
[表3]
參考表3，根據實例1至實例8的有機層組成物表現出大於或等於50%的邊緣撓曲減小率。
自上述結果，預期使用包含預定添加劑的有機層組成物製造的有機層具有較少的邊緣珠粒移除隆起。
儘管本發明已結合目前視為實用的示例性實施例加以闡述，然而應理解本發明不限於所揭露的實施例，而是相反地旨在涵蓋包含在隨附申請專利範圍的精神及範圍內的各種潤飾及等效配置。
無
圖1為用於闡釋邊緣撓曲減小率的參考圖。

Claims (17)

  1. 一種有機層組成物，包含 芳香族環化合物， 添加劑，在所述添加劑的結構中包含全氟烷基，以及 溶劑 其中以所述添加劑的總重量100重量%計，以大於0重量%且小於或等於30重量%的量包含所述添加劑中所包含的氟（F）基，且 根據條件1所量測的所述添加劑的表面張力減小率為0.1%至30%： [條件1] S1：製備包含混合有環己酮的所述添加劑的溶液。其中，以100重量%100重量%的所述溶液計，所述添加劑的量為2重量%， S2：在25℃下量測所述溶液的表面張力，且 S3：根據方程式1來計算所述添加劑的表面張力減小率， 方程式1 添加劑的表面張力減小率（%）=（（1-（在25℃下所量測的添加劑的表面張力））/（在25℃下所量測的環己酮的表面張力））´ 100。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的有機層組成物，其中所述添加劑的所述表面張力減小率為1%至25%。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的有機層組成物，其中以所述添加劑的總重量100重量%計，以0.001重量%至20重量%的量包含所述添加劑中所包含的所述氟（F）基。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的有機層組成物，其中所述全氟烷基的碳數為4至24。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的有機層組成物，其中所述添加劑為全氟烷基醇、全氟烷基羧酸、全氟烷基磺酸、全氟丙烯酸酯、全氟醚、或其組合。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的有機層組成物，其中以所述有機層組成物的總量計，以0.001重量%至25重量%的量包含所述添加劑。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的有機層組成物，其中所述有機層組成物具有根據條件2所量測的為10%至100%的邊緣撓曲減小率： [條件2] S1：以1,500轉/分鐘的速度將有機層組成物旋塗於圖案化的12英吋矽晶圓上， 在400℃下執行熱處理達120秒以形成薄層，且藉由薄層厚度量測設備來量測所述薄層的厚度， 薄層的邊緣部分被界定為自經塗佈薄層的邊緣朝向中心間隔開600微米的部分， 其中，對薄層的所述中心的塗佈厚度及薄層邊緣部分處的最大隆起的塗佈厚度進行量測，且將所述兩個塗佈厚度的差值稱為邊緣撓曲厚度， S2：製備相對於S1的所述有機層組成物而言不包含所述添加劑的組成物，且重複與S1相同的製程以量測邊緣撓曲厚度， S3：根據方程式2來計算邊緣撓曲減小率， 方程式2 邊緣撓曲減小率（%）=（1 ̶ 自有機層組成物製造的薄層的邊緣撓曲厚度）/（自不包含添加劑的組成物製造的薄層的邊緣撓曲厚度）´ 100。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的有機層組成物，其中所述芳香族環化合物在所述芳香族環化合物的結構中包含二或更多個經取代或未經取代的苯環。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的有機層組成物，其中所述芳香族環化合物在所述結構中包含群組1的多個部分中的一者： [群組1]其中，在群組1中， M為經取代或未經取代的C1至C5伸烷基、–O-、-S-、-SO2 -或羰基。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的有機層組成物，其中所述芳香族環化合物為重量平均分子量為500至200,000的聚合物。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的有機層組成物，其中所述芳香族環化合物為分子量為500至1,300的單分子。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的有機層組成物，其中所述溶劑為選自由以下組成的群組中的一或多者：丙二醇、二乙酸丙二醇酯、甲氧基丙二醇、二乙二醇、二乙二醇丁醚、三(乙二醇)單甲醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、環己酮、乳酸乙酯、γ-丁內酯、N,N-二甲基甲醯胺、N,N二甲基乙醯胺、甲基吡咯啶酮、乙醯丙酮及3-乙氧基丙酸乙酯。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的有機層組成物，其中以所述有機層組成物的總量計，以0.1重量%至30重量%的量包含所述芳香族環化合物。
  14. 一種有機層，自如申請專利範圍第1項至第13項中任一項所述的有機層組成物製造，且具有根據條件2所量測的為10%至100%的邊緣撓曲減小率： [條件2] S1：以1,500轉/分鐘的速度將有機層組成物旋塗於圖案化的12英吋矽晶圓上， 在400℃下執行熱處理達120秒以形成薄層，且藉由薄層厚度量測設備來量測所述薄層的厚度， 薄層的邊緣部分被界定為自經塗佈薄層的邊緣朝向中心間隔開600微米的部分， 其中，對薄層的所述中心的塗佈厚度及薄層邊緣部分處的最大隆起的塗佈厚度進行量測，且將所述兩個塗佈厚度的差值稱為邊緣撓曲厚度， S2：製備相對於S1的所述有機層組成物而言不包含所述添加劑的組成物，且重複與S1相同的製程以量測邊緣撓曲厚度， S3：根據方程式2來計算邊緣撓曲減小率， 方程式2 邊緣撓曲減小率（%）=（1 ̶ 自有機層組成物製造的薄層的邊緣撓曲厚度）/（自不包含添加劑的組成物製造的薄層的邊緣撓曲厚度）´ 100。
  15. 一種形成圖案的方法，包括： 在基板上形成材料層， 將如申請專利範圍第1項至第13項中任一項所述的有機層組成物施加於所述材料層上， 對所述有機層組成物進行熱處理以形成硬遮罩層， 在所述硬遮罩層上形成含矽的薄層， 對所述光阻劑層進行曝光及顯影以形成光阻劑圖案， 使用所述光阻劑圖案來選擇性地移除所述含矽的薄層及所述硬遮罩層以暴露出所述材料層的部分，以及 對所述材料層的被暴露部分進行蝕刻。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的形成圖案的方法，其中所述施加所述有機層組成物是利用旋塗方法來執行。
  17. 如申請專利範圍第15項所述的形成圖案的方法，其中所述方法更包括在形成所述光阻劑層之前形成底部減反射塗層（BARC）。
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