KR20190038111A - 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴 형성 방법 - Google Patents

중합체, 유기막 조성물, 및 패턴 형성 방법 Download PDF

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Abstract

하기 화학식 1로 표현되는 구조단위를 포함하는 중합체, 상기 중합체를 포함하는 유기막 조성물, 및 상기 유기막 조성물을 사용하는 패턴형성방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure pat00020

상기 화학식 1의 정의는 명세서 내에 기재한 바와 같다.

Description

중합체, 유기막 조성물, 및 패턴 형성 방법{POLYMER, ORGANIC LAYER COMPOSITION, ORGANIC LAYER, AND METHOD OF FORMING PATTERNS}
신규한 중합체, 상기 중합체를 포함하는 유기막 조성물, 그리고 상기 유기막 조성물을 사용하는 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
최근 반도체 산업은 수백 나노미터 크기의 패턴에서 수 내지 수십 나노미터 크기의 패턴을 가지는 초미세 기술로 발전하고 있다. 이러한 초미세 기술을 실현하기 위해서는 효과적인 리쏘그래픽 기법이 필수적이다.
전형적인 리쏘그래픽 기법은 반도체 기판 위에 재료층을 형성하고 그 위에 포토레지스트 층을 코팅하고 노광 및 현상을 하여 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 재료층을 식각하는 과정을 포함한다.
근래, 형성하고자 하는 패턴의 크기가 감소함에 따라 상술한 전형적인 리쏘그래픽 기법만으로는 양호한 프로파일을 가진 미세 패턴을 형성하기 어렵다. 이에 따라 식각하고자 하는 재료층과 포토레지스트 층 사이에 일명 하드마스크 층(hardmask layer)이라고 불리는 유기막을 형성하여 미세 패턴을 형성할 수 있다.
하드마스크 층은 선택적 식각 과정을 통하여 포토레지스트의 미세 패턴을 재료 층으로 전사해주는 중간막으로서 역할을 한다. 　따라서 하드마스크 층은 다중 식각 과정 동안 견딜 수 있도록 내열성 및 내식각성의 특성이 필요하다.
한편, 근래 하드마스크 층은 화학기상증착 방법 대신 스핀-온 코팅(spin-on coating) 방법으로 형성하는 것이 제안되었다. 스핀-온 코팅 방법은 공정이 용이할 뿐만 아니라 갭-필(gap-fill) 특성 및 평탄화 특성을 개선할 수 있다. 미세 패턴을 실현하기 위해서는 다중 패턴 형성이 필수적인데 이때 패턴 안을 공극 없이 막으로 매립하는 매립 특성이 필요하게 된다. 또한, 피가공 기판에 단차가 있는 경우나 패턴 밀집 부분 및 패턴이 없는 영역이 웨이퍼 상에 함께 존재하는 경우, 하층막에 의해서 막 표면을 평탄화시킬 필요가 있다.
상술한 하드마스크 층에 요구되는 특성들을 만족할 수 있는 유기막 재료가 요구된다.
일 구현예는 내식각성이 우수할 뿐만 아니라 용해성도 함께 확보할 수 있는 신규한 중합체를 제공한다.
다른 구현예는 내식각성이 우수하면서도 하부 막질과의 결합력이 우수하여 평탄한 유기막을 형성할 수 있는 유기막 조성물을 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 유기막 조성물을 사용한 패턴 형성 방법을 제공한다.
일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표현되는 구조단위를 포함하는 중합체를 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서,
A는 하기 화학식 2로 표현되는 모이어티이고,
B는 적어도 4개의 벤젠 고리가 융합된 고리기이고,
X는 수소결합 가능기이고,
k는 1 내지 4인 정수이고,
*는 연결지점이다:
[화학식 2]
Figure pat00002
상기 화학식 2에서,
Ar은 치환 또는 비치환된 사각 고리, 치환 또는 비치환된 오각 고리, 치환 또는 비치환된 육각 고리, 또는 이들의 융합 고리(fused ring)이고,
Ra는 수소, 히드록시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
Za는 각각 독립적으로 히드록시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
m은 0 또는 1이다.
상기 수소결합 가능기는 -OR1, -NR2R3 또는 -SR4이고, 여기서 상기 R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 화학식 1에서 B는 하기 그룹 1에 나열된 치환 또는 비치환된 고리기들 중 어느 하나일 수 있다.
[그룹 1]
Figure pat00003
상기 화학식 2에서 Ar은 치환 또는 비치환된 벤젠 모이어티를 적어도 하나 포함할 수 있다.
상기 중합체의 중량평균분자량은 500 내지 200,000일 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상술한 중합체, 그리고 용매를 포함하는 유기막 조성물을 제공한다.
상기 중합체는 상기 유기막 조성물의 총 함량에 대하여 0.1 중량% 내지 30 중량%로 포함될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 기판 위에 재료 층을 형성하는 단계, 상기 재료 층 위에 상술한 중합체 및 용매를 포함하는 유기막 조성물을 적용하는 단계, 상기 유기막 조성물을 열처리하여 하드마스크 층을 형성하는 단계, 상기 하드마스크 층 위에 실리콘 함유 박막층을 형성하는 단계, 상기 실리콘 함유 박막층 위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 실리콘 함유 박막층 및 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계, 그리고 상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.
상기 유기막 조성물을 적용하는 단계는 스핀-온 코팅 방법으로 수행할 수 있다.
상기 포토레지스트 층을 형성하는 단계 전에 바닥 반사 방지 층(BARC)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 구현예에 따른 중합체는 내식각성이 우수하면서도 용해성을 확보할 수 있다. 중합체를 유기막 재료로 사용할 경우 막 밀도 및 내식각성이 우수하면서도 평탄성을 만족할 수 있는 유기막을 제공할 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '치환된'이란, 화합물 중의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1 내지 C30 알킬기, C2 내지 C30 알케닐기, C2 내지 C30 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C1 내지 C30 알콕시기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15 사이클로알키닐기, C3 내지 C30 헤테로사이클로알킬기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '헤테로'란, N, O, S 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유한 것을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '*'는 화합물 또는 화합물 부분(moiety)의 연결 지점을 가리킨다.
이하 일 구현예에 따른 중합체를 설명한다.
일 구현예에 따른 중합체는 하기 화학식 1로 표현되는 구조단위를 포함한다.
[화학식 1]
Figure pat00004
상기 화학식 1에서,
A는 하기 화학식 2로 표현되는 모이어티이고,
B는 적어도 4개의 벤젠 고리가 융합된 고리기이고,
X는 수소결합 가능기이고,
k는 1 내지 4인 정수이고,
*는 연결지점이다:
[화학식 2]
Figure pat00005
상기 화학식 2에서,
Ar은 치환 또는 비치환된 사각 고리, 치환 또는 비치환된 오각 고리, 치환 또는 비치환된 육각 고리, 또는 이들의 융합 고리(fused ring)이고,
Ra는 수소, 히드록시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
Za는 각각 독립적으로 히드록시기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
m은 0 또는 1이다.
상기 중합체는 상기 화학식 1로 표현되는 구조 단위를 포함하며, 여기서 상기 구조 단위의 개수 및 배열은 한정되지 않는다.
상기 화학식 1로 표현되는 구조 단위는 A 부분에 상기 화학식 2로 표현되는 피롤(pyrrole) 고리를 함유하는 헤테로 고리기를 포함한다.
상기 화학식 2에서, Ar은 치환 또는 비치환된 사각 고리, 치환 또는 비치환된 오각 고리, 치환 또는 비치환된 육각 고리, 또는 이들의 융합 고리(fused ring)를 나타내며, 상기 융합 고리는 예컨대 벤젠 고리가 2개, 3개 또는 4개 융합된 형태일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 화학식 2에서 Ar은 치환 또는 비치환된 벤젠 모이어티를 적어도 하나 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1로 표현되는 구조단위는 B 부분에 적어도 4개의 벤젠 고리가 융합된 고리기를 포함하는데, 상기 고리기는 수소결합 가능기에 의해 치환되어 있다. 여기서 '수소결합 가능기'란 수소결합이 가능한 작용기로서, 예컨대 -OR1, -NR2R3 또는 -SR4일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다 (여기서 상기 R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 이들의 조합을 의미함).
예를 들어, 상기 화학식 1에서 B는 하기 그룹 1에 나열된 치환 또는 비치환된 고리기들 중 어느 하나일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 1]
Figure pat00006
상기 그룹 1에서 각 고리기가 화학식 1에 연결되는 위치는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 그룹 1에 나타낸 고리기들이 치환된 형태일 경우, 상기 고리기 내의 하나의 적어도 하나의 수소가 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 또는 이들의 조합에 의해 치환된 형태일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 중합체는 상기 구조 단위 내의 A부분(화학식 2)에 피롤 고리를 포함하는 다환 헤테로 고리기를 포함하고, 상기 구조 단위 내의 B부분에 적어도 4개의 벤젠 고리가 융합된 고리기를 포함함으로써, 우수한 내식각성을 확보할 수 있다.
특히, 상기 중합체는 상기 화학식 1로 표현되는 구조 단위 내에 A 부분(화학식 2)을 포함함으로써, 질소 원자(N)가 포함된 오각 고리 부분의 한쪽은 고리(ring)에 의해 막힌(융합된) 구조를 가지고 다른 한쪽은 고리에 의해 융합되지 않고 열린 구조를 가진다(즉, 상기 화학식 2에서 오각 고리의 한쪽은 Ar과 융합되어 있으나, 다른 한쪽은 그렇지 않음). 이에 따라, 질소 원자가 포함된 오각 고리 부분이 모두 막힌 카바졸 계열과 비교하여 베이크 시 상대적으로 중합체 내부 혹은 중합체 간의 결합을 촉진하여 탄소 함량의 증가 효과를 가질 수 있고, 이에 따라 내식각성이 더욱 향상될 수 있다.
또한, 상기 중합체는 상기 구조 단위 내의 B로 표현되는 고리기가 적어도 하나의 수소결합 가능기(X)에 의해 치환됨으로써 용해성도 확보할 수 있다.
이에 따라, 상기 중합체를 유기막 재료로 사용할 경우 내식각성이 우수하면서도 하부 막질과의 결합이 양호하여 평탄성이 우수한 박막을 형성할 수 있다. 상기 수소결합 가능기는 1개 내지 4개 치환될 수 있으며, 중합체의 용해성을 고려하여 치환 개수를 적절히 선택할 수 있다.
한편, 상기 화학식 1로 표현되는 구조 단위 내의 탄소는 '3차 탄소'에 해당한다. 여기서, 3차 탄소란 탄소에 결합된 4개의 수소 중 3개 자리가 수소 이외의 다른 기로 치환된 형태의 탄소를 의미한다.
상기 중합체는 화학식 1로 표현되는 구조 단위에 3차 탄소를 포함함으로써, 중합체의 링 파리미터(ring parameter)가 극대화되어 내식각성을 더욱 강화시킬 수 있다. 또한, 이러한 형태의 탄소를 포함하는 중합체를 유기막 조성물에 사용할 경우 하드마스크 층의 용해성이 향상될 수 있어 스핀-온 코팅 방법에 적용하기 유리하다.
상기 중합체는 약 500 내지 200,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다. 보다 구체적으로 상기 중합체는 약 1,000 내지 200,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다. 상기 범위의 중량평균분자량을 가짐으로써 상기 중합체를 포함하는 유기막 조성물(예컨대, 하드마스크 조성물)의 탄소 함량 및 용매에 대한 용해도를 조절하여 최적화할 수 있다.
상기 중합체를 유기막 재료로서 사용할 경우, 베이크 공정 중 핀-홀 및 보이드의 형성이나 두께 산포의 열화 없이 균일한 박막을 형성할 수 있을 뿐만 아니라 하부 기판 (혹은 막)에 단차가 존재하는 경우 혹은 패턴을 형성하는 경우 우수한 갭-필 및 평탄화 특성을 제공할 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상술한 중합체, 그리고 용매를 포함하는 유기막 조성물을 제공한다.
상기 용매는 상기 중합체에 대한 충분한 용해성 또는 분산성을 가지는 것이면 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜 디아세테이트, 메톡시 프로판디올, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜 부틸에테르, 트리(에틸렌글리콜)모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 사이클로헥사논, 에틸락테이트, 감마-부티로락톤, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 메틸피롤리돈, 메틸피롤리디논, 아세틸아세톤및 에틸 3-에톡시프로피오네이트에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 중합체는 상기 유기막 조성물의 총 함량에 대하여 약 0.1 내지 50 중량%, 약 0.1 내지 30 중량%, 또는 약 0.1 내지 15 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위로 중합체가 포함됨으로써 유기막의 두께, 표면 거칠기 및 평탄화 정도를 조절할 수 있다.
상기 유기막 조성물은 추가적으로 계면활성제, 가교제, 열산 발생제, 가소제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 계면활성제는 예컨대 플루오로알킬계 화합물, 알킬벤젠설폰산 염, 알킬피리디늄 염, 폴리에틸렌글리콜, 제4 암모늄 염 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 가교제는 예컨대 멜라민계, 치환요소계, 또는 이들 폴리머계 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 적어도 2개의 가교 형성 치환기를 갖는 가교제로, 예를 들면, 메톡시메틸화 글리코루릴, 부톡시메틸화 글리코루릴, 메톡시메틸화 멜라민, 부톡시메틸화 멜라민, 메톡시메틸화 벤조구아나민, 부톡시메틸화 벤조구아나민, 메톡시메틸화요소, 부톡시메틸화요소, 메톡시메틸화 티오요소, 또는 부톡시메틸화 티오요소 등의 화합물을 사용할 수 있다.
또한, 상기 가교제로는 내열성이 높은 가교제를 사용할 수 있다. 내열성이 높은 가교제로는 분자 내에 방향족 고리(예를 들면 벤젠 고리, 나프탈렌 고리)를 가지는 가교 형성 치환기를 함유하는 화합물을 사용할 수 있다.
상기 열산발생제는 예컨대 p-톨루엔술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 피리디늄p-톨루엔술폰산, 살리실산, 술포살리실산, 구연산, 안식향산, 하이드록시안식향산, 나프탈렌카르본산 등의 산성 화합물 또는/및 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디에논, 벤조인토실레이트, 2-니트로벤질토실레이트, 그 밖에 유기술폰산알킬에스테르 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 첨가제는 상기 유기막 조성물 100 중량부에 대하여 약 0.001 내지 40 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함함으로써 유기막 조성물의 광학적 특성을 변경시키지 않으면서 용해도를 향상시킬 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상술한 유기막 조성물을 사용하여 제조된 유기막을 제공한다. 상기 유기막은 상술한 유기막 조성물을 예컨대 기판 위에 코팅한 후 열처리 과정을 통해 경화된 형태일 수 있으며, 예컨대 하드마스크 층, 평탄화 막, 희생막, 충진제 등 전자 디바이스에 사용되는 유기 박막을 포함할 수 있다.
이하 상술한 유기막 조성물을 사용하여 패턴을 형성하는 방법에 대하여 도 1을 참고하여 설명한다.
도 1은 일 구현예에 따른 패턴 형성 방법을 설명하는 흐름도이다.
일 구현예에 따른 패턴 형성 방법은 기판 위에 재료 층을 형성하는 단계(S1), 상기 재료 층 위에 상술한 중합체 및 용매를 포함하는 유기막 조성물을 적용하는 단계(S2), 상기 유기막 조성물을 열처리하여 하드마스크 층을 형성하는 단계(S3), 상기 하드마스크 층 위에 실리콘 함유 박막층을 형성하는 단계(S4), 상기 실리콘 함유 박막층　위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계(S5), 상기 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계(S6), 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 실리콘 함유 박막층 및 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계(S7), 그리고 상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계(S8)를 포함한다.
상기 기판은 예컨대 실리콘 웨이퍼, 유리 기판 또는 고분자 기판일 수 있다.
상기 재료 층은 최종적으로 패턴하고자 하는 재료이며, 예컨대 알루미늄, 구리 등과 같은 금속층, 실리콘과 같은 반도체 층 또는 산화규소, 질화규소 등과 같은 절연층일 수 있다. 상기 재료 층은 예컨대 화학기상증착 방법으로 형성될 수 있다.
상기 유기막 조성물은 전술한 바와 같으며, 용액 형태로 제조되어 스핀-온　코팅 방법으로 도포될 수 있다. 이 때 상기 유기막 조성물의 도포 두께는 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 약 50 내지 200,000 Å 두께로 도포될 수 있다.
상기 유기막 조성물을 열처리하는 단계는 예컨대 약 100 내지 700℃에서 약 10초　내지 1시간　동안 수행할 수 있다.
상기 실리콘 함유 박막층은 예컨대 SiCN, SiOC, SiON, SiOCN, SiC, SiO 및/또는 SiN 등의 물질로 형성할 수 있다.
또한 상기 포토레지스트 층을 형성하는 단계 전에 상기 실리콘 함유 박막층 상부에　바닥 반사방지 층(bottom anti-reflective coating, BARC)을 더 형성할 수도 있다.
상기 포토레지스트 층을 노광하는 단계는 예컨대 ArF, KrF 또는 EUV 등을 사용하여 수행할 수 있다. 또한 노광 후 약 100 내지 700℃에서 열처리 공정을 수행할 수 있다.
상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계는 식각 가스를 사용한 건식 식각으로 수행할 수 있으며, 식각 가스는 예컨대 CHF3, CF4, Cl2, BCl3　및 이들의 혼합 가스를 사용할 수 있다.
상기 식각된 재료 층은 복수의 패턴으로 형성될 수 있으며, 상기 복수의 패턴은 금속 패턴, 반도체 패턴, 절연 패턴 등 다양할 수 있으며, 예컨대 반도체 집적 회로 디바이스 내의 다양한 패턴으로 적용될 수 있다.
이하 실시예를 통하여 상술한 본 발명의 구현예를 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
합성예
합성예 1
기계교반기와 냉각관을 구비한 500ml 2구 플라스크에 히드록시피렌카르복살데히드 105.8g(0.43몰), 인돌 76.5g(0.43몰), 및 메탄설포닐산 (Methanesulfonic acid) 41.0g(0.43몰)을 223g의 1,4-다이옥산(1,4-Dioxane)에 담고 잘 저어준다. 그 후 온도를 100℃로 올려 24시간 동안 교반한다. 반응 종료 후 내부 온도를 60~70℃로 낮춘 다음 테트라하이드로퓨란 300g을 넣어 화합물이 굳지 않게 만들고 난 후에 7%의 소듐바이카보네이트 수용액(Sodium bicarbonate)으로 화합물의 pH를 5~6까지로 조정하였다. 그리고 나서 에틸아세테이트 1000ml를 부어 계속 교반한 후에 분별깔때기를 이용하여 유기층만 추출해 내었다. 다시 물을 500ml를 분별깔때기에 넣고 흔들어서 남아있는 산과 소듐염을 제거하는 과정을 3번 이상 반복하고 난 후에 유기층을 최종적으로 추출해 내었다. 이어서, 유기 용액을 증발기로 농축하였고, 얻어진 화합물에 테트라하이드로퓨란 1L을 첨가하여 용액을 얻었다. 상기 용액을 교반되고 있는 헥산 5L가 들어있는 비커에 천천히 적가하여 침전을 형성하여 화학식 1a에 나타낸 구조 단위를 포함하는 중합체를 얻었다.
겔 투과 크로마토그래피(Gel permeation chromatography: GPC)를 사용하여 얻어진 중합체의 중량평균분자량(Mw) 및 다분산도(Polydispersity, PD)를 측정한 결과, 중량평균분자량(Mw)은 1,340이고, 다분산도(Polydispersity, PD)는 1.30이었다.
[화학식 1a]
Figure pat00007
합성예 2
기계교반기와 냉각관을 구비한 500ml 2구 플라스크에 1-니트로페난트렌 60g(0.27몰)을 500g의 THF에 녹인 후 -40℃에서 교반한다. 이후 비닐마그네슘 브로마이드 106g(0.81몰)을 넣어 1시간 교반시킨다. 이후 암모늄 클로라이드 수용액을 이용하여 반응을 종료시킨 후, 에틸아세테이트로 유기층을 추출한다. 이후 컬럼 크로마토 그래피를 이용하여 3H-나프토[1,2-g]인돌 32g을 얻었다.
기계교반기와 냉각관을 구비한 500ml 2구 플라스크에 히드록시피렌카르복살데히드 105.8g(0.43몰)과 3H-나프토[1,2-g]인돌 93.3g(0.43몰), 및 메탄설포닐산 (Methanesulfonic acid) 41.0g(0.43몰)을 481g의 1,4-다이옥산(1,4-Dioxane)에 담고 잘 저어준다. 그 후 온도를 100℃로 올려 24시간 동안 교반한다. 이후 합성예 1과 같은 과정을 거쳐서 화학식 1b에 나타낸 구조 단위를 포함하는 중합체를 얻었다.
겔 투과 크로마토그래피(Gel permeation chromatography: GPC)를 사용하여 얻어진 중합체의 중량평균분자량(Mw) 및 다분산도(Polydispersity, PD)를 측정한 결과, 중량평균분자량(Mw)은 1,520이고, 다분산도(Polydispersity, PD)는 1.27이었다.
[화학식 1b]
Figure pat00008
합성예 3
기계교반기와 냉각관을 구비한 500ml 2구 플라스크에 2-메톡시-5-크리센카르복시알데하이드 123g(0.43몰)과 1H-벤즈[f]인돌 72g(0.43몰), 및 메탄설포닐산 (Methanesulfonic acid) 41.0g(0.43몰)을 470g의 1,4-다이옥산(1,4-Dioxane)에 담고 잘 저어준다. 그 후 온도를 100℃로 올려 24시간 동안 교반한다. 이후 합성예 1과 같은 과정을 거쳐서 화학식 1c에 나타낸 구조 단위를 포함하는 중합체를 얻었다.
겔 투과 크로마토그래피(Gel permeation chromatography: GPC)를 사용하여 얻어진 중합체의 중량평균분자량(Mw) 및 다분산도(Polydispersity, PD)를 측정한 결과, 중량평균분자량(Mw)은 1,743이고, 다분산도(Polydispersity, PD)는 1.43이었다.
[화학식 1c]
Figure pat00009
합성예 4
기계교반기와 냉각관을 구비한 500ml 2구 플라스크에 10-아미노-9-페난트렌카르복시알데하이드 95.1g(0.43몰)과 1H-벤즈[g]인돌 72g(0.43몰), 및 메탄설포닐산 (Methanesulfonic acid) 41.0g(0.43몰)을 416g의 1,4-다이옥산(1,4-Dioxane)에 담고 잘 저어준다. 그 후 온도를 100℃로 올려 24시간 동안 교반한다. 이후 합성예 1과 같은 과정을 거쳐서 화학식 1d에 나타낸 구조 단위를 포함하는 중합체를 얻었다.
겔 투과 크로마토그래피(Gel permeation chromatography: GPC)를 사용하여 얻어진 중합체의 중량평균분자량(Mw) 및 다분산도(Polydispersity, PD)를 측정한 결과, 중량평균분자량(Mw)은 1,312이고, 다분산도(Polydispersity, PD)는 1.31이었다.
[화학식 1d]
Figure pat00010
합성예 5
기계교반기와 냉각관을 구비한 500ml 2구 플라스크에 2-메톡시-5-크리센카르복시알데하이드 123g(0.43몰)과 4H-플루오레노[9,1-fg]인돌 103.8g(0.43몰), 및 메탄설포닐산 (Methanesulfonic acid) 41.0g(0.43몰)을 530g의 1,4-다이옥산(1,4-Dioxane)에 담고 잘 저어준다. 그 후 온도를 100℃로 올려 24시간 동안 교반한다. 이후 합성예 1과 같은 과정을 거쳐서 화학식 1e에 나타낸 구조 단위를 포함하는 중합체를 얻었다.
겔 투과 크로마토그래피(Gel permeation chromatography: GPC)를 사용하여 얻어진 중합체의 중량평균분자량(Mw) 및 다분산도(Polydispersity, PD)를 측정한 결과, 중량평균분자량(Mw)은 1,412이고, 다분산도(Polydispersity, PD)는 1.38이었다.
[화학식 1e]
Figure pat00011
비교합성예 1
합성예 1에서 히드록시피렌카르복살데히드 대신 피렌카르복살데히드를, 인돌 대신 톨루엔을 사용한 것을 제외하고 같은 방법을 사용하여 하기 화학식 Y1로 표현되는 구조단위를 포함하는 중합체를 얻었다. 얻어진 중합체의 중량평균분자량(Mw)은 1,730이고, 다분산도(Polydispersity, PD)는 1.28이었다.
[화학식 Y1]
Figure pat00012
비교합성예 2
히드록시피렌카르복살데히드 대신 퍼릴렌카르복살데히드를 사용한 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 동일한 방법으로 제조하였으며, 겔 투과 크로마토그래피로 측정한 중합체의 중량평균분자량은 2312이고, 다분산도는 1.42이었다.
[화학식 Y2]
Figure pat00013
하드마스크 조성물의 제조
실시예 1
합성예 1에서 얻은 중합체를 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(propylene glycol monomethyl ether acetate, PGMEA)와 사이클로헥사논(cyclohexanone)(7:3(v/v))의 혼합 용매에 녹인 후 0.1㎛의 테플론 필터로 여과하여 하드마스크 조성물을 제조하였다. 목적하고자 하는 두께에 따라 상기 중합체의 중량은 상기 하드마스크 조성물의 총 중량에 대하여 5.0 중량% 내지 20.0 중량%로 조절하였다.
실시예 2
합성예 1에서 얻은 중합체 대신 합성예 2에서 얻은 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
실시예 3
합성예 1에서 얻은 화합물 대신 합성예 3에서 얻은 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
실시예 4
합성예 1에서 얻은 중합체 대신 합성예 4에서 얻은 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
실시예 5
합성예 1에서 얻은 중합체 대신 합성예 5에서 얻은 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
비교예 1
합성예 1에서 얻은 중합체 대신 비교합성예 1에서 얻은 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
비교예 2
합성예 1에서 얻은 중합체 대신 비교합성예 2에서 얻은 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
평가
평가 1: 내식각성
실리콘 웨이퍼 위에 실시예 1 내지 5와 비교예 1 내지 2에 따른 하드마스크 조성물을 스핀-온 코팅한 후 핫플레이트 위에서 400℃로 120초간 열처리하여 박막을 형성한 후 K-MAC社의 ST5000 박막두께측정기로 박막의 두께를 측정하였다.
이어서 상기 박막에 CHF3/CF4 혼합 가스(100mT / 600W / 42CF4 / 600Ar / 15O2) 및 N2/O2 혼합 가스(50mT/ 300W/ 10O2/ 50N2)를 사용하여 각각 120초 및 60초 동안 건식 식각한 후 박막의 두께를 다시 측정하였다. 건식 식각 전후의 박막의 두께와 식각 시간으로부터 하기 계산식 1에 의해 식각율(bulk etch rate, BER)을 계산하였다.
[계산식 1]
(초기 박막 두께 - 식각 후 박막 두께)/식각 시간(Å/sec)
그 결과는 표 1 및 표 2와 같다.
CHF3/CF4 혼합가스
Bulk etch rate
(Å/sec)
실시예 1 24.5
실시예 2 25.2
실시예 3 25.7
실시예 4 24.8
실시예 5 24.6
비교예 1 30.1
N2/O2 혼합가스
Bulk etch rate
(Å/sec)
실시예 1 20.1
실시예 2 20.5
실시예 3 20.4
실시예 4 20.5
실시예 5 20.3
비교예 1 24.7
비교예 2 25.1
표 1 내지 2를 참고하면, 실시예 1 내지 5에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 박막은 비교예 1 내지 2에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 박막과 비교하여 식각 가스에 대한 충분한 내식각성이 있어서 벌크 에치 특성이 향상됨을 확인할 수 있다.
평가 2: 접촉 각 특성
실리콘 웨이퍼 위에 실시예 1 내지 5와 비교예 1 내지 2에 따른 하드마스크 조성물을 스핀-온 코팅하고 핫 플레이트 위에서 400℃에서 120초간 열처리하여 하드마스크 박막을 형성시키고, 형성된 박막 위에 물방울을 떨어트린 후 필름과 물방울 사이의 각도(접촉각, contact angle)를 측정하였다.
그 결과는 표 3과 같다.
Contact Angle
(°)
실시예 1 45
실시예 2 43
실시예 3 48
실시예 4 44
실시예 5 48
비교예 1 52
비교예 2 53
표 3을 참고하면, 실시예 1 내지 5에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 박막이 비교예 1 내지 2에 따른 박막과 비교하여 작은 값의 접촉 각을 가지므로 하부 막질과의 결합 특성이 우수할 것임을 예상할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.

Claims (14)

  1. 하기 화학식 1로 표현되는 구조단위를 포함하는 중합체:
    [화학식 1]
    Figure pat00014

    상기 화학식 1에서,
    A는 하기 화학식 2로 표현되는 모이어티이고,
    B는 적어도 4개의 벤젠 고리가 융합된 고리기이고,
    X는 수소결합 가능기이고,
    k는 1 내지 4인 정수이고,
    *는 연결지점이다:
    [화학식 2]
    Figure pat00015

    상기 화학식 2에서,
    Ar은 치환 또는 비치환된 사각 고리, 치환 또는 비치환된 오각 고리, 치환 또는 비치환된 육각 고리, 또는 이들의 융합 고리(fused ring)이고,
    Ra는 수소, 히드록시기, 할로겐 기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
    Za는 각각 독립적으로 히드록시기, 할로겐 기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
    m은 0 또는 1이다.
  2. 제1항에서,
    상기 수소결합 가능기는 -OR1, -NR2R3 또는 -SR4이고, 여기서 상기 R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 이들의 조합인 중합체.
  3. 제1항에서,
    상기 화학식 1에서 B는 하기 그룹 1에 나열된 치환 또는 비치환된 고리기들 중 어느 하나인 중합체:
    [그룹 1]
    Figure pat00016
  4. 제1항에서,
    상기 화학식 2에서 Ar은 치환 또는 비치환된 벤젠 모이어티를 적어도 하나 포함하는 중합체.
  5. 제1항에서,
    중량평균분자량이 500 내지 200,000인 중합체.
  6. 제1항에서,
    하기 화학식 1로 표현되는 구조단위를 포함하는 중합체, 그리고
    용매
    를 포함하는
    유기막 조성물:
    [화학식 1]
    Figure pat00017

    상기 화학식 1에서,
    A는 하기 화학식 2로 표현되는 모이어티이고,
    B는 적어도 4개의 벤젠 고리가 융합된 고리기이고,
    X는 수소결합 가능기이고,
    k는 1 내지 4인 정수이고,
    *는 연결지점이다:
    [화학식 2]
    Figure pat00018

    상기 화학식 2에서,
    Ar은 치환 또는 비치환된 사각 고리, 치환 또는 비치환된 오각 고리, 치환 또는 비치환된 육각 고리, 또는 이들의 융합 고리(fused ring)이고,
    Ra는 수소, 히드록시기, 할로겐 기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
    Za는 각각 독립적으로 히드록시기, 할로겐 기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
    m은 0 또는 1이다.
  7. 제6항에서,
    상기 수소결합 가능기는 -OR1, -NR2R3 또는 -SR4이고, 여기서 상기 R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 이들의 조합인 유기막 조성물.
  8. 제6항에서,
    상기 화학식 1에서 B는 하기 그룹 1에 나열된 치환 또는 비치환된 고리기들 중 어느 하나인 유기막 조성물:
    [그룹 1]
    Figure pat00019
  9. 제6항에서,
    상기 화학식 2에서 Ar은 치환 또는 비치환된 벤젠 모이어티를 적어도 하나 포함하는 유기막 조성물.
  10. 제6항에서,
    상기 중합체의 중량평균분자량이 500 내지 200,000인 유기막 조성물.
  11. 제6항에서,
    상기 중합체는 상기 유기막 조성물의 총 함량에 대하여 0.1 중량% 내지 30 중량%로 포함되어 있는 유기막 조성물.
  12. 기판 위에 재료 층을 제공하는 단계,
    상기 재료 층 위에 제6항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 유기막 조성물을 적용하는 단계,
    상기 유기막 조성물을 열처리하여 하드마스크 층을 형성하는 단계,
    상기 하드마스크 층 위에 실리콘 함유 박막층을 형성하는 단계,
    상기 실리콘 함유 박막층　위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계,
    상기 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계
    상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 실리콘 함유 박막층 및 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계, 그리고
    상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계
    를 포함하는 패턴 형성 방법.
  13. 제12항에서,
    상기 유기막 조성물을 적용하는 단계는 스핀-온 코팅 방법으로 수행하는 패턴 형성 방법.
  14. 제12항에서,
    상기 포토레지스트 층을 형성하는 단계 전에 바닥 반사 방지 층(BARC)을 형성하는 단계를 더 포함하는 패턴 형성 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160145480A (ko) * 2015-06-10 2016-12-20 삼성에스디아이 주식회사 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법
KR20170037441A (ko) * 2015-09-25 2017-04-04 삼성에스디아이 주식회사 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법
KR20170047977A (ko) * 2015-10-26 2017-05-08 삼성에스디아이 주식회사 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법
KR20170072035A (ko) * 2015-12-16 2017-06-26 삼성에스디아이 주식회사 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160145480A (ko) * 2015-06-10 2016-12-20 삼성에스디아이 주식회사 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법
KR20170037441A (ko) * 2015-09-25 2017-04-04 삼성에스디아이 주식회사 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법
KR20170047977A (ko) * 2015-10-26 2017-05-08 삼성에스디아이 주식회사 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법
KR20170072035A (ko) * 2015-12-16 2017-06-26 삼성에스디아이 주식회사 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11099419B2 (en) 2019-07-25 2021-08-24 Samsung Display Co., Ltd. Display device

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