KR101850890B1 - 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법 - Google Patents

유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101850890B1
KR101850890B1 KR1020150139229A KR20150139229A KR101850890B1 KR 101850890 B1 KR101850890 B1 KR 101850890B1 KR 1020150139229 A KR1020150139229 A KR 1020150139229A KR 20150139229 A KR20150139229 A KR 20150139229A KR 101850890 B1 KR101850890 B1 KR 101850890B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
formula
independently
Prior art date
Application number
KR1020150139229A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160123950A (ko
Inventor
강선혜
남연희
김민수
도미니아 라뜨웰
박유정
송현지
양선영
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to US14/952,269 priority Critical patent/US9908990B2/en
Priority to TW104141615A priority patent/TWI627227B/zh
Priority to CN201510919236.XA priority patent/CN106046695B/zh
Publication of KR20160123950A publication Critical patent/KR20160123950A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101850890B1 publication Critical patent/KR101850890B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

치환 또는 비치환된 플루오렌 구조를 포함하는 중합체, 화학식 1로 표현되는 첨가제, 그리고 용매를 포함하는유기막 조성물, 상기 유기막 조성물로부터 제조된 유기막, 및 상기 유기막 조성물을 사용하는 패턴형성방법에 관한 것이다.
상기 화학식 1의 정의는 명세서 내에 기재한 바와 같다.

Description

유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법{POLYMER, ORGANIC LAYER COMPOSITION, ORGANIC LAYER, AND METHOD OF FORMING PATTERNS}
유기막 조성물, 상기 유기막 조성물로부터 제조된 유기막, 그리고 상기 유기막 조성물을 사용하는 패턴형성방법에 관한 것이다.
최근 일렉트로닉 디바이스의 소형화(miniaturation) 및 복잡화 (complexity)에 따른 고집적 설계는 더욱 진보된 소재와 관련 공정의 개발을 가속화하고 있으며, 이에 따라 기존 포토레지스트를 이용한 리소그래피 역시 새로운 패터닝 소재와 기법들을 필요로 하게 되었다.
패터닝 공정에서 포토레지스트의 미세 패턴을 붕괴 현상 없이 충분한 깊이로 기판에 전사시키기 위하여 단단한 중간막인 일명 하드마스크 층(hardmask layer)이라고 불리는 유기막을 형성할 수 있다.
하드마스크 층은 선택적 식각 과정을 통하여 포토레지스트의 미세 패턴을 재료 층으로 전사해주는 중간막으로서 역할을 한다. 　따라서 하드마스크 층은 다중 식각 과정 동안 견딜 수 있도록 내열성 및 내식각성 등의 특성이 필요하다.
한편, 근래 하드마스크 층은 화학기상증착 방법 대신 스핀-온 코팅(spin-on coating) 방법으로 형성하는 것이 제안되었다. 스핀-온 코팅 방법은 공정이 용이할 뿐만 아니라 갭-필(gap-fill) 특성 및 평탄화 특성을 개선할 수 있다.
일반적으로, 내열성 및 내식각성은 스핀-온 특성과 상충관계에 있어 이들 물성을 모두 만족할 수 있는 유기막 재료가 요구된다.
일 구현예는 내식각성뿐만 아니라 갭-필 특성 및 평탄화 특성이 우수한 유기막 조성물을 제공한다.
또 다른 구현예는 내식각성과 막 평탄도가 우수한 유기막을 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 유기막 조성물을 사용한 패턴 형성 방법을 제공한다.
일 구현예에 따르면, 치환 또는 비치환된 플루오렌 구조를 포함하는 중합체, 하기 화학식 1로 표현되는 첨가제, 그리고 용매를 포함하는 유기막 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112015095741343-pat00001
상기 화학식 1에서,
k, m 및 n는 각각 독립적으로 0 또는 1이되 k, m 및 n의 합은 2 또는 3이고,
k+m+n=3일 때 X는 -CH- 또는 질소(N)이고,
k+m+n=2일 때 X는 직접결합, -(CqH2q)-, -(CtRw 2t)-, 산소(O), 황(S), 또는 -S(O2)-이고, 여기서 q 및 t는 각각 독립적으로 1 내지 5인 정수이고 Rw는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합이고,
R, R′및 R"는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 1가의 고리기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 1가의 선형기 또는 이들의 조합이다.
상기 첨가제는 하기 화학식 2-1 또는 2-2로 표현될 수 있다.
[화학식 2-1]
Figure 112015095741343-pat00002
상기 화학식 2-1에서,
Xa는 -CH- 또는 질소(N)이고,
R1a 내지 R15a는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 또는 하기 화학식 A 내지 C 중 어느 하나로 표시되는 기이다.
단, 상기 R1a 내지 R5a 중 적어도 하나, R6a 내지 R10a 중 적어도 하나, 그리고 R11a 내지 R15a 중 적어도 하나는 각각 독립적으로 하기 화학식 A 내지 C 중 어느 하나로 표시되는 기이다.
[화학식 A]
*-(CH2)a-Y0-Y1
[화학식 B]
Figure 112015095741343-pat00003
[화학식 C]
*-CRxRyRz
상기 화학식 A 내지 C에서,
a 및 b는 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수이고,
c 및 d는 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
Y0는 산소, 황, 또는 -S(O2)-이고,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합이고,
Rx 내지 Rz는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 이들의 조합이고,
*는 연결지점이다.
[화학식 2-2]
Figure 112015095741343-pat00004
상기 화학식 2-2에서,
Xa는 -CH- 또는 질소(N)이고,
R1 내지 R3는 각각 독립적으로 상기 화학식 A, 화학식 B 또는 화학식 C로 표현되는 기이다.
상기 화학식 2-1에서 상기 R1a 내지 R5a 중 적어도 하나, R6a 내지 R10a 중 적어도 하나, 그리고 R11a 내지 R15a 중 적어도 하나는 각각 독립적으로 상기 화학식 A로 표시되는 기일 수 있다.
상기 화학식 A에서 상기 a는 1이고 상기 Y0는 산소이고, 상기 Y1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 첨가제는 하기 화학식 3-1 또는 3-2으로 표현될 수 있다.
[화학식 3-1]
Figure 112015095741343-pat00005
상기 화학식 3-1에서,
Xb는 직접결합, -(CqH2q)-, -(CtRw 2t)-, 산소(O), 황(S), 또는 -S(O2)-이고 여기서 q 및 t는 각각 독립적으로 1 내지 5인 정수이고 Rw는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합이고,
R1b 내지 R10b는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 또는 하기 화학식 A 내지 C 중 어느 하나로 표시되는 기이다.
[화학식 A]
*-(CH2)a-Y0-Y1
[화학식 B]
Figure 112015095741343-pat00006
[화학식 C]
*-CRxRyRz
상기 화학식 A 내지 C에서,
a 및 b는 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수이고,
c 및 d는 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
Y0는 산소, 황, 또는 -S(O2)-이고,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합이고,
Rx 내지 Rz는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 이들의 조합이고,
*는 연결지점이다.
[화학식 3-2]
R1-Xb-R2
상기 화학식 3-2에서,
Xb는 직접결합, -(CqH2q)-, -(CtRw 2t)-, 산소(O), 황(S), 또는 -S(O2)-이고 여기서 q 및 t는 1 내지 5인 정수이고 Rw는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 상기 화학식 A, 화학식 B 또는 화학식 C로 표현되는 기이다.
상기 화학식 3-1에서, 상기 R1b 내지 R5b 중 적어도 하나, 그리고 상기 R6b 내지 R10b 중 적어도 하나는 각각 독립적으로 상기 화학식 A로 표시되는 기일 수 있다.
상기 화학식 A에서 상기 a는 0 또는 1이고, 상기 Y0는 산소이고, 상기 Y1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 화학식 3-1에서, 상기 Xb는 산소이고, 상기 R1b 내지 R5b 중 적어도 하나, 그리고 상기 R6b 내지 R10b 중 적어도 하나는 각각 독립적으로 상기 화학식 C로 표현되는 기일 수 있다.
상기 화학식 C에서 상기 Rx 내지 Rz 중 적어도 하나는 히드록시기일 수 있다.
상기 첨가제는 하기 화학식 1A 내지 1G 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 1A]
Figure 112015095741343-pat00007
[화학식 1B]
Figure 112015095741343-pat00008
[화학식 1C]
Figure 112015095741343-pat00009
[화학식 1D]
Figure 112015095741343-pat00010
[화학식 1E]
Figure 112015095741343-pat00011
[화학식 1F]
Figure 112015095741343-pat00012
[화학식 1G]
Figure 112015095741343-pat00013
상기 화학식 1A 내지 1G에서,
R33 내지 R88는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합이고,
e, f, g 및 h 는 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수이다.
상기 중합체는 하기 화학식 4로 표현되는 부분을 포함할 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112015095741343-pat00014
상기 화학식 4에서,
A1 및 A2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 고리기이고,
B1은 하기 그룹 1에서 선택된 하나이며,
Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 할로겐 원자, 또는 이들의 조합이고,
o 및 p는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,
*는 연결지점이다.
[그룹 1]
Figure 112015095741343-pat00015
상기 그룹 1에서 Me는 메틸기이다.
상기 화학식 4에서 상기 A1 및 A2는 각각 독립적으로 하나 또는 2 이상의 벤젠 고리를 포함하는 기일 수 있다.
상기 화학식 4에서 상기 A1 및 A2는 각각 독립적으로 적어도 하나의 수소가 히드록시기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기로 치환된 기일 수 있다.
상기 화학식 4에서 상기 A1 및 A2는 각각 독립적으로 하기 그룹 2에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.
[그룹 2]
Figure 112015095741343-pat00016
상기 그룹 2에서,
M1 및 M2는 각각 독립적으로 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 또는 이들의 조합이다.
상기 첨가제는 150 내지 50,000의 분자량을 가질 수 있다.
상기 첨가제는 상기 유기막 조성물의 총 함량에 대하여 0.1 중량% 내지 50 중량%로 포함될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상술한 유기막 조성물이 경화되어 형성되는 유기막을 제공한다.
상기 유기막은 하드마스크 층을 포함할 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 기판 위에 재료 층을 제공하는 단계, 상기 재료 층 위에 상기 유기막 조성물을 적용하는 단계, 상기 유기막 조성물을 열처리하여 하드마스크 층을 형성하는 단계, 상기 하드마스크 층 위에 실리콘 함유 박막층을 형성하는 단계, 상기 실리콘 함유 박막층　위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 실리콘 함유 박막층 및 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계, 그리고 상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.
상기 유기막 조성물을 적용하는 단계는 스핀-온 코팅 방법으로 수행할 수 있다.
상기 포토레지스트 층을 형성하는 단계 전에 바닥 반사 방지 층(BARC)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
소정의 중합체와 소정의 첨가제를 포함함으로써 내식각성과 용해도를 동시에 향상시킬 수 있는 유기막 조성물을 제공한다.
이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, ′치환된′이란, 화합물 중의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 히드록시기, 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C1 내지 C30 알콕시기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C2 내지 C20 헤테로아릴기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15 사이클로알키닐기, C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, ′헤테로′란, N, O, S 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유한 것을 의미한다.
이하 일 구현예에 따른 유기막 조성물을 설명한다.
일 구현예에 따른 유기막 조성물은 치환 또는 비치환된 플루오렌 구조를 포함하는 중합체, 하기 화학식 1로 표현되는 첨가제, 그리고 용매를 포함한다.
[화학식 1]
Figure 112015095741343-pat00017
상기 화학식 1에서,
k, m 및 n는 각각 독립적으로 0 또는 1이되 k, m 및 n의 합은 2 또는 3이고,
k+m+n=3일 때 X는 -CH- 또는 질소(N)이고,
k+m+n=2일 때 X는 직접결합, -(CqH2q)-, -(CtRw 2t)-, 산소(O), 황(S), 또는 -S(O2)-이고, 여기서 q 및 t는 각각 독립적으로 1 내지 5인 정수이고 Rw는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합이고,
R, R′및 R"는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 1가의 고리기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 1가의 선형기 또는 이들의 조합이다.
여기서 상기 탄소수 3 내지 30의 1가 의 고리기란 예컨대 지환족 고리기 또는 방향족 고리기일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 탄소수 1 내지 30의 1가의 선형기는 1 내지 30개의 탄소를 함유하는 고리기를 제외한 1가의 기이면 되고, 구체적인 구성원소나 구조가 제한되는 것은 아니다.
상기 유기막 조성물은 소정 구조의 중합체 및 첨가제를 함께 포함함으로써 내식각성 및 갭-필 특성을 동시에 확보할 수 있다. 이에 따라 상기 유기막 조성물로부터 형성된 유기막은 막 밀도 및 평탄화 특성이 우수하다.
상기 중합체는 치환 또는 비치환된 플루오렌 구조를 포함하며, 상기 중합체는 예컨대 하기 화학식 4로 표현되는 부분을 포함할 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112015095741343-pat00018
상기 화학식 4에서,
A1 및 A2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 고리기이고,
B1은 하기 그룹 1에서 선택된 하나이며,
Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 할로겐 원자, 또는 이들의 조합이고,
o 및 p는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,
*는 연결지점이다.
[그룹 1]
Figure 112015095741343-pat00019
상기 그룹 1에서 Me는 메틸기이다.
예를 들어, 상기 화학식 4에서, 상기 A1 및 A2는 각각 독립적으로 하나 또는 2 이상의 벤젠 고리를 포함하는 기일 수 있고, 또한 상기 A1 및 A2는 각각 독립적으로 적어도 하나의 수소가 히드록시기 또는 C1 내지 C20 알콕시기로 치환된 기일 수 있다.
예를 들면 상기 A1 및 A2는 각각 독립적으로 하기 그룹 2에서 선택되는 어느 하나일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 2]
Figure 112015095741343-pat00020
상기 그룹 2에서,
M1 및 M2는 각각 독립적으로 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 또는 이들의 조합이다.
이와 같이 상술한 유기막 조성물은 플루오렌 구조를 포함하는 특정 구조의 중합체를 포함함으로써 단단한(rigid) 특성을 가질 수 있다.
상기 중합체는 상기 화학식 4로 표현되는 부분을 복수 개 포함할 수 있으며, 상기 복수 개의 부분들은 서로 같은 구조를 가져도 되고 서로 다른 구조를 가져도 된다.
한편, 상기 유기막 조성물은 상기 화학식 1로 표현되는 첨가제를 포함한다. 상기 첨가제는 상기 화학식 1로 표현되는 부분을 복수 개 포함할 수 있으며, 상기 복수 개의 부분들은 서로 같은 구조를 가져도 되고 서로 다른 구조를 가져도 된다.
상기 화학식 1로 표현되는 첨가제는 상기 X로 표현되는 코어에 2개 또는 3개의 벤젠링의 치환기가 연결된 구조를 가진다. 상기 화학식 1로 표현되는 첨가제가 3개의 치환기를 가지는 경우 상기 코어는 탄소 또는 질소이고 2개의 치환기를 가지는 경우 상기 코어는 직접결합, 탄소, 산소, 황, 또는 -S(O2)-이다.
예를 들어, 상기 첨가제는 코어에 3개의 치환기가 연결된 구조를 가질 경우 하기 화학식 2-1 또는 2-2로 표현될 수 있다.
[화학식 2-1]
Figure 112015095741343-pat00021
상기 화학식 2-1에서,
Xa는 -CH- 또는 질소(N)이고,
R1a 내지 R15a는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 또는 하기 화학식 A 내지 C 중 어느 하나로 표시되는 기이다.
단, 상기 R1a 내지 R5a 중 적어도 하나, R6a 내지 R10a 중 적어도 하나, 그리고 R11a 내지 R15a 중 적어도 하나는 각각 독립적으로 하기 화학식 A 내지 C 중 어느 하나로 표시되는 기이다.
[화학식 A]
*-(CH2)a-Y0-Y1
[화학식 B]
Figure 112015095741343-pat00022
[화학식 C]
*-CRxRyRz
상기 화학식 A 내지 C에서,
a 및 b는 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수이고,
c 및 d는 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
Y0는 산소, 황, 또는 -S(O2)-이고,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합이고,
Rx 내지 Rz는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 이들의 조합이고,
*는 연결지점이다.
[화학식 2-2]
Figure 112015095741343-pat00023
상기 화학식 2-2에서,
Xa는 -CH- 또는 질소(N)이고,
R1 내지 R3는 각각 독립적으로 상기 화학식 A, 화학식 B 또는 화학식 C로 표현되는 기이다.
예를 들어, 상기 화학식 2-1에서 상기 R1a 내지 R5a 중 적어도 하나, R6a 내지 R10a 중 적어도 하나, 그리고 R11a 내지 R15a 중 적어도 하나는 각각 독립적으로 상기 화학식 A로 표시되는 기일 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 상기 화학식 A에서 상기 a는 1이고 상기 Y0는 산소이고, 상기 Y1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
한편, 상기 첨가제는 코어에 2개의 치환기가 연결된 구조를 가질 경우 하기 화학식 3-1 또는 3-2로 표현될 수 있다.
[화학식 3-1]
Figure 112015095741343-pat00024
상기 화학식 3-1에서,
Xb는 직접결합, -(CqH2q)-, -(CtRw 2t)-, 산소(O), 황(S), 또는 -S(O2)-이고 여기서 q 및 t는 각각 독립적으로 1 내지 5인 정수이고 Rw는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합이고,
R1b 내지 R10b는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 또는 하기 화학식 A 내지 C 중 어느 하나로 표시되는 기이다.
[화학식 A]
*-(CH2)a-Y0-Y1
[화학식 B]
Figure 112015095741343-pat00025
[화학식 C]
*-CRxRyRz
상기 화학식 A 내지 C에서,
a 및 b는 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수이고,
c 및 d는 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
Y0는 산소, 황, 또는 -S(O2)-이고,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합이고,
Rx 내지 Rz는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 이들의 조합이고,
*는 연결지점이다.
[화학식 3-2]
R1-Xb-R2
상기 화학식 3-2에서,
Xb는 직접결합, -(CqH2q)-, -(CtRw 2t)-, 산소(O), 황(S), 또는 -S(O2)-이고 여기서 q 및 t는 각각 독립적으로 1 내지 5인 정수이고 Rw는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 상기 화학식 A, 화학식 B 또는 화학식 C로 표현되는 기이다.
예를 들어, 상기 화학식 3-1에서, 상기 R1b 내지 R5b 중 적어도 하나, 그리고 상기 R6b 내지 R10b 중 적어도 하나는 각각 독립적으로 상기 화학식 A로 표시되는 기일 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 상기 R1b 내지 R5b 중 적어도 하나, 그리고 상기 R6b 내지 R10b 중 적어도 하나가 각각 독립적으로 상기 화학식 A 로 표현되는 경우, 상기 a는 0 또는 1이고, 상기 Y0는 산소이고, 상기 Y1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
또한 예를 들어, 상기 화학식 3-1에서, 상기 Xb는 산소이고, 상기 R1b 내지 R5b 중 적어도 하나, 그리고 상기 R6b 내지 R10b 중 적어도 하나는 각각 독립적으로 상기 화학식 C로 표현되는 기일 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 상기 화학식 C에서 상기 Rx 내지 Rz 중 적어도 하나는 히드록시기일 수 있고, 상기 Rx 내지 Rz 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 첨가제는 하기 화학식 1A 내지 1G 중 어느 하나로 표시될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 1A]
Figure 112015095741343-pat00026
[화학식 1B]
Figure 112015095741343-pat00027
[화학식 1C]
Figure 112015095741343-pat00028
[화학식 1D]
Figure 112015095741343-pat00029
[화학식 1E]
Figure 112015095741343-pat00030
[화학식 1F]
Figure 112015095741343-pat00031
[화학식 1G]
Figure 112015095741343-pat00032
상기 화학식 1A 내지 1G에서,
R33 내지 R88는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합이고,
e, f, g 및 h 는 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수이다.
상기 화학식 1E는 예컨대 하기 화학식 1E′로 표현될 수 있고, 상기 화학식 1F는 예컨대 하기 화학식 1F′로 표현될 수 있고, 상기 화학식 1G는 예컨대 하기 화학식 1G′로 표현될 수 있으나, 이는 예시일 뿐 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 1E′]
Figure 112015095741343-pat00033
[화학식 1F′]
Figure 112015095741343-pat00034
[화학식 1G′]
Figure 112015095741343-pat00035
상기 유기막 조성물은 이와 같은 구조의 첨가제를 포함함으로써 상기 플루오렌 구조를 포함하는 중합체의 가교 부위를 증가시킬 수 있고, 이에 따라 유기막 조성물의 점도가 감소하여 제조되는 유기막의 초기 평탄도를 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 중합체는 약 500 내지 20,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다. 상기 범위의 중량평균분자량을 가짐으로써 상기 중합체를 포함하는 유기막 조성물 (예컨대, 하드마스크 조성물)의 탄소 함량 및 용매에 대한 용해도를 조절하여 최적화할 수 있다. 또한 예를 들어, 상기 첨가제는 약 150 내지 50,000의 분자량을 가질 수 있다.
상기 유기막 조성물에 포함되는 용매는 상기 중합체에 대한 충분한 용해성 또는 분산성을 가지는 것이면 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜 디아세테이트, 메톡시 프로판디올, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜 부틸에테르, 트리(에틸렌글리콜)모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 사이클로헥사논, 에틸락테이트, 감마-부티로락톤, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 메틸피롤리돈, 메틸피롤리디논, 아세틸아세톤 및 에틸 3-에톡시프로피오네이트에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 중합체는 상기 유기막 조성물의 총 함량에 대하여 약 0.1 내지 50 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위로 중합체가 포함됨으로써 유기막의 두께, 표면 거칠기 및 평탄화 정도를 조절할 수 있다.
상기 첨가제는 상기 유기막 조성물의 총 함량에 대하여 약 0.1 내지 50 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위로 첨가제가 포함됨으로써 제조되는 유기막의 초기 평탄화도를 향상시킬 수 있다.
상기 유기막 조성물은 추가적으로 계면활성제, 열산 발생제, 또는 가소제를 더 포함할 수 있다.
상기 계면활성제는 예컨대 알킬벤젠설폰산 염, 알킬피리디늄 염, 폴리에틸렌글리콜, 제4 암모늄 염 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 열산발생제는 예컨대 p-톨루엔술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 피리디늄 p-톨루엔술폰산, 살리실산, 술포살리실산, 구연산, 안식향산, 하이드록시안식향산, 나프탈렌카르본산 등의 산성 화합물 또는/및 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디에논, 벤조인토실레이트, 2-니트로벤질토실레이트, 그 밖에 유기술폰산알킬에스테르 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 따르면, 상술한 유기막 조성물을 사용하여 제조된 유기막을 제공한다. 상기 유기막은 상술한 유기막 조성물을 예컨대 기판 위에 코팅한 후 열처리 과정을 통해 경화된 형태일 수 있으며, 예컨대 하드마스크 층, 평탄화 막, 희생막, 충진제, 등 전자 디바이스에 사용되는 유기 박막을 포함할 수 있다.
이하 상술한 유기막 조성물을 사용하여 패턴을 형성하는 방법에 대하여 설명한다.
일 구현예에 따른 패턴 형성 방법은 기판 위에 재료 층을 제공하는 단계, 상기 재료 층 위에 상술한 중합체 및 용매를 포함하는 유기막 조성물을 적용하는 단계, 상기 유기막 조성물을 열처리하여 하드마스크 층을 형성하는 단계, 상기 하드마스크 층 위에 실리콘 함유 박막층을 형성하는 단계, 상기 실리콘 함유 박막층　위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 실리콘 함유 박막층 및 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계,　그리고 상기 재료 층의 노출된 부분을　식각하는 단계를 포함한다.
상기 기판은 예컨대 실리콘웨이퍼, 유리 기판 또는 고분자 기판일 수 있다.
상기 재료 층은 최종적으로 패턴하고자 하는 재료이며, 예컨대 알루미늄, 구리 등과 같은 금속층, 실리콘과 같은 반도체 층 또는 산화규소, 질화규소 등과 같은 절연층일 수 있다. 상기 재료 층은 예컨대 화학기상증착 방법으로 형성될 수 있다.
상기 유기막 조성물은 전술한 바와 같으며, 용액 형태로 제조되어 스핀-온　코팅 방법으로 도포될 수 있다. 　이 때 상기 유기막 조성물의 도포 두께는 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 약 50 내지 10,000Å 두께로 도포될 수 있다.
상기 유기막 조성물을 열처리하는 단계는 예컨대 약 100 내지 500℃에서 약 10초　내지 1시간　동안 수행할 수 있다.
상기 실리콘 함유 박막층은 예컨대 SiCN, SiOC, SiON, SiOCN, SiC 및/또는 SiN 등의 물질로 형성할 수 있다.
또한 상기 포토레지스트 층을 형성하는 단계 전에 상기 실리콘 함유 박막층 상부에　바닥 반사방지 층(bottom anti-reflective coating, BARC)을 더 형성할 수도 있다.
상기 포토레지스트 층을 노광하는 단계는 예컨대 ArF, KrF 또는 EUV 등을 사용하여 수행할 수 있다. 　또한 노광 후 약　100　내지 500℃에서 열처리　공정을 수행할 수 있다.
상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계는 식각 가스를 사용한 건식 식각으로 수행할 수 있으며,　식각　가스는 예컨대 CHF3, CF4, Cl2, BCl3　및 이들의 혼합 가스를 사용할 수 있다.
상기 식각된 재료 층은 복수의 패턴으로 형성될 수 있으며, 상기 복수의 패턴은 금속 패턴, 반도체 패턴, 절연 패턴 등 다양할 수 있으며, 예컨대 반도체 집적 회로 디바이스 내의 다양한 패턴으로 적용될 수 있다.
이하 실시예를 통하여 상술한 본 발명의 구현예를 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
중합체 합성
합성예 1a
온도계, 콘덴서 및 기계교반기를 구비한 500ml 플라스크에 9,9-비스(4-메톡시페닐)-9H-플루오렌 (9,9-bis(4-methoxyphenyl)-9H-fluorene) (21.6 g, 0.057 mol) 및 1,4-비스(메톡시메틸)벤젠 9.6g (0.057mol)을 순차적으로 넣고 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 51 g에 녹였다. 그 후, 디에틸 설파이트 0.15g (0.001 mol)을 투입한 후, 90 내지 120℃에서 5 내지 10 시간 정도 교반하였다. 이에 따라 얻어진 중합 반응물로부터 1시간 간격으로 시료를 취하여, 그 시료의 중량평균 분자량이 1,800 내지 2,300 때 반응을 완료하였다.
*중합반응이 완료되고 이어서 상온으로 냉각한 후, 반응물을 증류수 40g 및 메탄올 400g에 투입하여 강하게 교반 후 정치시켰다. 상등액을 제거하고 침전물을 플로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 80 g에 녹인 후 메탈올 40 g, 물 40g을 이용하여 강하게 교반 후 정치시켰다(1차). 이 때 얻어지는 상등액을 다시 제거하고 침전물을 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 40 g에 녹였다(2차). 상기 1차 및 2차 공정을 1회 정제공정이라 하고, 이 정제 공정을 총 3회 실시하였다. 정제가 끝난 중합체를 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 80 g에 녹인 후, 감압 하에 용액에 남아있는 메탄올 및 증류수를 제거하여 하기 화학식 1a로 표현되는 화합물을 얻었다 (중량평균분자량(Mw)= 2500).
[화학식 1a]
Figure 112015095741343-pat00036
첨가제 합성
합성예 1b
플라스크에 트리페닐아민(Triphenylamine) (5　g, 20.38　mmol)을 디메틸포름아미드(Dimethylformamide, DMF) (30g)에 녹인 후 N-브로모숙신이미드 (N-Bromosuccinimide) (11.97g, 67.23mmol)을 적가한 후, 실온에서 12시간 동안 교반한다. 디클로로메탄(dichloromethane, DCM)으로 추출하고 용매를 제거한 후 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 하기 화합물 S1을 얻었다.
Figure 112015095741343-pat00037
[화합물 S1]
플라스크에 상기 화합물 S1 (0.5g, 1.04mmol)을 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran, THF) (5mL)에 녹이고, 이어서 -78℃에서 n-BuLi 1.6M in hexane(2.3mL, 3.64mmol)을 천천히 적가하였다. 이어서 브로모메틸메틸에테르(Bromomethyl methyl ether) (0.65g, 5.2 mmol)를 적가한 후 천천히 승온하며 1시간 30분 동안 교반하였다. NH4Cl 용액을 이용하여 퀀치(quench) 하고, EtOAc로 추출한 후 용매를 제거한 후, 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 하기 화학식 1b로 표현되는 화합물을 얻었다.
[화학식 1b]
Figure 112015095741343-pat00038
합성예 2b
3,3′,5,5′-Tetrakis(methoxymethyl)-[1,1′-Biphenyl]-4,4′-diol (3g, 8.27mmol)을 DMF (30g)에 녹인 후, NaH 60% in mineral oil (0.83g, 20.75mmol)을 0℃에서 적가한 후, MeI (2.93g, 20.64mmol)를 추가로 적가하였다. 12시간동안 실온에서 교반한 후, NH4Cl 용액을 첨가하고 EtOAc로 추출한 후 용매를 제거하였다. 생성물을 컬럼크로마토그래피 분리하여 하기 화학식 2b로 표현되는 화합물을 얻었다.
[화학식 2b]
Figure 112015095741343-pat00039
합성예 3b
1,1′-Oxybis[4-methoxy-benzene] (3g, 13.02mmol)를 DCM (50mL)에 녹인 후, 0℃에서 AlCl3 (8g, 60mmol)를 적가하였다. 그 후, 아세틸 클로라이드(Acetyl chloride)(4.71g, 60mmol)을 추가로 적가하고 실온에서 12시간 동안 교반하였다. HCl 용액을 첨가하고 DCM으로 추출하여 용매를 제거하였다. 생성물을 컬럼크로마토그래피로 정제하여 하기 화합물 S2를 얻었다.
Figure 112015095741343-pat00040
[화합물 S2]
상기 화합물 S2 (3g, 7.52mmol)를 무수(anhydrous) THF(50g)에 녹인 후, 0℃에서 리튬 알루미늄 하이드라이드(Lithium aluminium hydride) (1.138g, 30 mmol)을 적가하고 실온에서 2시간 동안 교반하였다. 6N NaOH를 첨가하고 EtOAc로 추출한 후 용매를 제거하였다. 생성물을 컬럼크로마토그래피로 정제하여 하기 화학식 3b로 표현되는 화합물을 얻었다.
[화학식 3b]
Figure 112015095741343-pat00041
합성예 4b
3,3′,5,5′-Tetrakis(methoxymethyl)-[1,1′-Biphenyl]-4,4′-diol (3g, 8.27mmol)을 DMF (30g)에 녹인 후, NaH 60% in mineral oil (0.83g, 20.75mmol)을 0℃에서 적가한 후, Allyl bromide (2.50g, 20.69mmol)를 추가로 적가하였다. 12시간동안 실온에서 교반한 후, NH4Cl 용액을 첨가하고 EtOAc로 추출한 후 용매를 제거하였다. 생성물을 컬럼크로마토그래피로 정제하여 하기 화학식 4b로 표현되는 화합물을 얻었다.
[화학식 4b]
Figure 112015095741343-pat00042
합성예 5b
3,3′,5,5′-Tetrakis(methoxymethyl)-[1,1′-Biphenyl]-4,4′-diol (3g, 8.27mmol)을 DMF (30g)에 녹인 후, NaH 60% in mineral oil (0.83g, 20.75mmol)을 0℃에서 적가한 후, Diethylene tosylate buthyl ether (8.55g, 27.02mmol)를 추가로 적가하였다. 12시간동안 실온에서 교반한 후, NH4Cl 용액을 첨가하고 EtOAc로 추출한 후 용매를 제거하였다. 생성물을 컬럼크로마토그래피로 정제하여 하기 화학식 5b로 표현되는 화합물을 얻었다.
[화학식 5b]
Figure 112015095741343-pat00043
하드마스크 조성물의 제조
실시예 1
합성예 1a에서 얻어진 중합체, 합성예 1b에서 얻어진 첨가제 및 열산 발생제인 p-톨루엔술폰산(p-Toluene Sulfonic Acid)를 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트(propylene glycol monomethyl ether acetate, PGMEA) 용매에 녹인 후 여과하여 하드마스크 조성물을 제조하였다.
상기 중합체, 상기 첨가제 및 상기 열산발생제의 함량은 상기 하드마스크 조성물의 총중량에 대하여 각각 약 70 중량%, 약 29.9 중량% 및 약 0.1 중량%로 하였다.
실시예 2
합성예 1b에서 얻은 첨가제 대신 합성예 2b에서 얻은 첨가제를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
실시예 3
합성예 1b에서 얻은 첨가제 대신 합성예 3b에서 얻은 첨가제를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
실시예 4
합성예 1b에서 얻은 첨가제 대신 합성예 4b에서 얻은 첨가제를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
실시예 5
합성예 1b에서 얻은 첨가제 대신 합성예 5b에서 얻은 첨가제를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
실시예 6
합성예 1b에서 얻은 첨가제 대신 하기 화학식 6b로 표현되는 첨가제(TMOM-BP, SAMCHUN Pure chemical co. LTD)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
[화학식 6b]
Figure 112015095741343-pat00044
비교예 1
첨가제를 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
평가 1: 평탄화 특성 평가
패턴화된 실리콘웨이퍼에 실시예 1 내지 6과 비교예 1에 따른 하드마스크 조성물을 스핀-온 코팅하고 400℃에서 2분 동안 열처리하여 박막을 형성하였다. 이어서 형성된 박막을 주사형 전자 현미경 (Scanning Electron Microscope, SEM)을 이용하여 평탄화 특성을 관찰하였다.
박막의 패턴 형상이 직사각형인 경우에는 「A」로, 직사각형 이외의 형상인 경우에는 「B」로 평가하였다.
중합체 첨가제 평탄화
실시예 1 화학식 1a 화학식 1b A
실시예 2 화학식 1a 화학식 2b A
실시예 3 화학식 1a 화학식 3b A
실시예 4 화학식 1a 화학식 4b A
실시예 5 화학식 1a 화학식 5b A
실시예 6 화학식 1a 화학식 6b A
비교예 1 화학식 1a 없음 B
표 1을 참고하면, 실시예 1 내지 6에 따른 하드마스크 조성물을 사용한 경우 비교예 1에 따른 하드마스크 조성물을 사용한 경우와 비교하여 갭-필이 잘 이루어져 형성된 박막의 평탄화 특성이 우수함을 알 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.

Claims (21)

  1. 치환 또는 비치환된 플루오렌 구조를 포함하는 중합체,
    하기 화학식 2-1, 2-2, 3-1 또는 3-2로 표현되는 첨가제, 그리고
    용매
    를 포함하는
    유기막 조성물:
    [화학식 2-1]
    Figure 112017115978463-pat00061

    상기 화학식 2-1에서,
    Xa는 -CH- 또는 질소(N)이고,
    R1a 내지 R15a는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 또는 하기 화학식 A 또는 화학식 B로 표시되는 기이다.
    단, 상기 R1a 내지 R5a 중 적어도 하나, R6a 내지 R10a 중 적어도 하나, 그리고 R11a 내지 R15a 중 적어도 하나는 각각 독립적으로 하기 화학식 A 또는 화학식 B로 표시되는 기이다.
    [화학식 A]
    *-(CH2)a-Y0-Y1
    [화학식 B]
    Figure 112017115978463-pat00062

    상기 화학식 A 및 B에서,
    a 및 b는 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수이고,
    c 및 d는 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
    Y0는 산소, 황, 또는 -S(O2)-이고,
    Y1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합이고,
    Y2는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합이고,
    *는 연결지점이다.
    [화학식 2-2]
    Figure 112017115978463-pat00063

    상기 화학식 2-2에서,
    Xa는 -CH- 또는 질소(N)이고,
    R1 내지 R3는 각각 독립적으로 상기 화학식 A 또는 화학식 B로 표현되는 기이다.
    [화학식 3-1]
    Figure 112017115978463-pat00064

    상기 화학식 3-1에서,
    Xb는 -(CqH2q)-, -(CtRw 2t)-, 산소(O), 황(S), 또는 -S(O2)-이고 여기서 q 및 t는 각각 독립적으로 1 내지 5인 정수이고 Rw는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합이고,
    R1b 내지 R10b는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 또는 상기 화학식 A 또는 화학식 B로 표시되는 기이다.
    [화학식 3-2]
    R1-Xb-R2
    상기 화학식 3-2에서,
    Xb는 직접결합, -(CqH2q)-, -(CtRw 2t)-, 산소(O), 황(S), 또는 -S(O2)-이고 여기서 q 및 t는 1 내지 5인 정수이고 Rw는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합이고,
    R1 및 R2는 각각 독립적으로 상기 화학식 A 또는 화학식 B로 표현되는 기이다.
  2. 삭제
  3. 제1항에서,
    상기 화학식 2-1에서 상기 R1a 내지 R5a 중 적어도 하나, R6a 내지 R10a 중 적어도 하나, 그리고 R11a 내지 R15a 중 적어도 하나는 각각 독립적으로 상기 화학식 A로 표시되는 기인 유기막 조성물.
  4. 제3항에서,
    상기 화학식 A에서 상기 a는 1이고 상기 Y0는 산소이고, 상기 Y1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합인 유기막 조성물.
  5. 삭제
  6. 제1항에서,
    상기 화학식 3-1에서, 상기 R1b 내지 R5b 중 적어도 하나, 그리고 상기 R6b 내지 R10b 중 적어도 하나는 각각 독립적으로 상기 화학식 A로 표시되는 기인 유기막 조성물.
  7. 제6항에서,
    상기 화학식 A에서 상기 a는 0 또는 1이고, 상기 Y0는 산소이고, 상기 Y1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합인 유기막 조성물.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제1항에서,
    상기 첨가제는 하기 화학식 1A, 1D 및 1F 중 어느 하나로 표시되는 유기막 조성물:
    [화학식 1A]
    Figure 112017115978463-pat00051

    [화학식 1D]
    Figure 112017115978463-pat00054

    [화학식 1F]
    Figure 112017115978463-pat00056

    상기 화학식 1A, 1D 및 1F에서,
    R33 내지 R88는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬 에테르기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌 에테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 또는 이들의 조합이고,
    e, f, g 및 h 는 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수이다.
  11. 제1항에서,
    상기 중합체는 하기 화학식 4로 표현되는 부분을 포함하는 유기막 조성물:
    [화학식 4]
    Figure 112015095741343-pat00058

    상기 화학식 4에서,
    A1 및 A2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 고리기이고,
    B1은 하기 그룹 1에서 선택된 하나이며,
    Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 할로겐 원자, 또는 이들의 조합이고,
    o 및 p는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,
    *는 연결지점이다.
    [그룹 1]
    Figure 112015095741343-pat00059

    상기 그룹 1에서 Me는 메틸기이다.
  12. 제11항에서,
    상기 화학식 4에서 상기 A1 및 A2는 각각 독립적으로 하나 또는 2 이상의 벤젠 고리를 포함하는 기인 유기막 조성물.
  13. 제12항에서,
    상기 화학식 4에서 상기 A1 및 A2는 각각 독립적으로 적어도 하나의 수소가 히드록시기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기로 치환된 기인 유기막 조성물.
  14. 제13항에서,
    상기 화학식 4에서 상기 A1 및 A2는 각각 독립적으로 하기 그룹 2에서 선택되는 어느 하나인 유기막 조성물:
    [그룹 2]
    Figure 112015095741343-pat00060

    상기 그룹 2에서,
    M1 및 M2는 각각 독립적으로 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 또는 이들의 조합이다.
  15. 제1항에서,
    상기 첨가제는 150 내지 50,000의 분자량을 가지는 유기막 조성물.
  16. 제1항에서,
    상기 첨가제는 상기 유기막 조성물의 총 함량에 대하여 0.1 중량% 내지 50 중량%로 포함되어 있는 유기막 조성물.
  17. 제1항, 제3항, 제4항, 제6항, 제7항, 및 제10항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 유기막 조성물이 경화되어 형성되는 유기막.
  18. 제17항에서,
    상기 유기막은 하드마스크 층을 포함하는 유기막.
  19. 기판 위에 재료 층을 제공하는 단계,
    상기 재료 층 위에 제1항, 제3항, 제4항, 제6항, 제7항, 및 제10항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 유기막 조성물을 적용하는 단계,
    상기 유기막 조성물을 열처리하여 하드마스크 층을 형성하는 단계,
    상기 하드마스크 층 위에 실리콘 함유 박막층을 형성하는 단계,
    상기 실리콘 함유 박막층　위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계,
    상기 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계
    상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 실리콘 함유 박막층 및 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계, 그리고
    상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계
    를 포함하는 패턴 형성 방법.
  20. 제19항에서,
    상기 유기막 조성물을 적용하는 단계는 스핀-온 코팅 방법으로 수행하는 패턴 형성 방법.
  21. 제19항에서,
    상기 포토레지스트 층을 형성하는 단계 전에 바닥 반사 방지 층(BARC)을 형성하는 단계를 더 포함하는 패턴 형성 방법.
KR1020150139229A 2015-04-17 2015-10-02 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법 KR101850890B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/952,269 US9908990B2 (en) 2015-04-17 2015-11-25 Organic layer composition, organic layer, and method of forming patterns
TW104141615A TWI627227B (zh) 2015-04-17 2015-12-11 有機層組合物、有機層以及形成圖案的方法
CN201510919236.XA CN106046695B (zh) 2015-04-17 2015-12-11 有机层组合物、有机层以及形成图案的方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20150054584 2015-04-17
KR1020150054584 2015-04-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160123950A KR20160123950A (ko) 2016-10-26
KR101850890B1 true KR101850890B1 (ko) 2018-05-31

Family

ID=57251853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150139229A KR101850890B1 (ko) 2015-04-17 2015-10-02 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101850890B1 (ko)
TW (1) TWI627227B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190139594A (ko) * 2018-06-08 2019-12-18 삼성에스디아이 주식회사 반도체 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101940655B1 (ko) * 2016-11-22 2019-01-21 동우 화인켐 주식회사 하드마스크용 조성물
KR102047538B1 (ko) * 2017-02-03 2019-11-21 삼성에스디아이 주식회사 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
KR102067081B1 (ko) * 2017-11-01 2020-01-16 삼성에스디아이 주식회사 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
KR102662053B1 (ko) * 2020-05-02 2024-04-29 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 방향족 하층

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10377734B2 (en) * 2013-02-08 2019-08-13 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resist composition, method for forming resist pattern, polyphenol derivative for use in the composition

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190139594A (ko) * 2018-06-08 2019-12-18 삼성에스디아이 주식회사 반도체 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102211158B1 (ko) 2018-06-08 2021-02-01 삼성에스디아이 주식회사 반도체 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TWI627227B (zh) 2018-06-21
KR20160123950A (ko) 2016-10-26
TW201638207A (zh) 2016-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101852460B1 (ko) 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법
KR101821734B1 (ko) 중합체, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법
KR101788091B1 (ko) 중합체, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법
KR102289697B1 (ko) 유기막 조성물 및 패턴형성방법
KR101747229B1 (ko) 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
KR101829750B1 (ko) 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법
KR101850890B1 (ko) 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법
KR101962419B1 (ko) 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법
KR101413071B1 (ko) 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
KR101804257B1 (ko) 중합체, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법
KR101988997B1 (ko) 유기막 조성물 및 패턴형성방법
KR101895908B1 (ko) 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법
KR101848345B1 (ko) 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법
KR101774479B1 (ko) 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법
KR101994367B1 (ko) 중합체, 하드마스크 조성물 및 패턴형성방법
WO2017115978A1 (ko) 유기막 조성물 및 패턴형성방법
KR102116294B1 (ko) 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴 형성 방법
KR101862711B1 (ko) 화합물, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법
US9908990B2 (en) Organic layer composition, organic layer, and method of forming patterns
KR101848343B1 (ko) 중합체, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법
KR101940167B1 (ko) 유기막 조성물, 유기막 및 패턴형성방법
KR20190081972A (ko) 화합물, 유기막 조성물, 유기막 및 패턴 형성 방법
KR20180138405A (ko) 유기막 조성물, 중합체 및 패턴 형성 방법
KR101994366B1 (ko) 중합체, 유기막 조성물 및 패턴형성방법
KR20180065652A (ko) 화합물, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant