TWI717628B - 金屬污染評價方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之係用以高精度地測定且評價高速熱處理裝置中對於矽晶圓的金屬污染量。本發明係具有：獲得藉由柴可斯基法以1.0mm/分以下的拉伸速度育成且氧濃度為1.3×1018/cm3以下的單晶矽的步驟；從前述單晶矽中之從頭部起往中央側40mm與從尾部起往中央側40mm除外的區域切出矽晶圓的步驟；藉由高速熱處理裝置將前述矽晶圓熱處理而使來自爐內構件的污染物質熱轉印至前述矽晶圓的步驟；以及對於被轉印了污染物質的前述矽晶圓測定生命期的步驟。
Description
本發明係有關於一種金屬污染評價方法，尤其有關於一種可在將矽晶圓(silicon wafer)高速加熱處理的高速熱處理裝置(RTP(Rapid thermal processing)裝置)中高精度地評價爐內的金屬污染的金屬污染評價方法。
在矽晶圓的製造過程或器件(device)的製造工序中，若晶圓被金屬雜質等污染則會對製品性能產生不良影響。因此，減低金屬污染是極為重要的課題。
對於此課題，例如於專利文獻1(日本特開2013-84840號公報)、專利文獻2(日本特開2009-302337號公報)已揭示有：藉由於熱處理爐中處理高電阻的矽晶圓而使金屬污染轉印至該矽晶圓，之後藉由以SPV法(Surface Photovoltage method；表面光電壓法)進行的Fe-B濃度檢測、以μ PCD(Microwave PhotoConductivity Decay；微波光導電衰減)法進行的生命期(lifetime)測定而進行金屬雜質的檢測。
在此，如專利文獻1、2所揭示，為了確認爐內的金屬雜質的影響，必須以在熱處理中使金屬雜質於矽晶圓中充分地擴散的方式而以預定的溫度耗費時間。
然而，尤其在熱處理爐為高速熱處理裝置(RTP裝置)
的情形中，由於會產生不是起因於金屬污染而是起因於空孔的生命期的降低，故使得正確評價金屬雜質的污染一事變得困難。
另外，於生命期的測定中會發生因表面再結合所致的生命期的降低。為了抑制該降低而需要在表面形成作為保護膜的鈍化(passivation)膜。就具體的鈍化手法而言，已知主要有熱氧化、HF(hydrofluoric acid；氫氟酸)鈍化手法。熱氧化係藉由加熱而於矽表面形成矽氧化膜(熱氧化膜)，藉由導入良好的Si-SiO2界面而獲得表面鈍化之功效。另外，HF鈍化手法係使用了HF(氫氟酸)水溶液的化學鈍化。
然而，使用熱氧化之前述手法中，由於考慮到來自用以形成熱氧化膜的熱處理爐的污染，故存有無法使用於作為目的的RTP裝置的污染管理的課題。
另外，若為HF鈍化，則雖不會造成熱歷程(thermal history)，但由於表面再結合速度為20cm/s至40cm/s，故難以獲得長生命期，就污染管理而言在感度之點存有問題。
本發明係有鑑於前述事情之狀況下而研發，目的為提供一種金屬污染評價方法，可高精度地測定且評價高速熱處理裝置中對於矽晶圓的金屬污染量。
為了解決前述課題而研發的本發明之金屬污染評價方法係用以測定高速熱處理裝置中對於矽晶圓的金屬污染量，前述金屬污染評價方法之特徵係具有：獲得藉由柴可斯基(Czochralski method)法以1.0mm/分以下的拉伸速度育成且
氧濃度為1.3×1018/cm3以下的單晶矽(silicon single crystal)的步驟；從前述單晶矽中之從頭部起往中央側40mm與從尾部起往中央側40mm除外的區域切出矽晶圓的步驟；藉由高速熱處理裝置將前述矽晶圓熱處理而使來自爐內構件的污染物質熱轉印至前述矽晶圓的步驟；以及對於被轉印了污染物質的前述矽晶圓測定生命期的步驟。
此外，較佳為在藉由高速熱處理裝置將前述矽晶圓熱處理而使來自爐內構件的污染物質熱轉印至前述矽晶圓的步驟中，在氧化性氣體下以1100℃以上至矽融點以下的溫度保持1秒至60秒後，以5℃/秒至150℃/秒的速度降溫處理，於前述矽晶圓上形成膜厚2nm以上的氧化膜。
另外，較佳為在對於被轉印了前述污染物質的前述矽晶圓測定生命期的步驟中，在對於前述矽晶圓將電暈充電作為鈍化使用後測定生命期。
另外，較佳為在對於被轉印了前述污染物質的前述矽晶圓測定生命期的步驟中，使用微波光導電衰減裝置測定生命期。
另外，較佳為在獲得藉由前述柴可斯基法以1.0mm/分以下的拉伸速度育成且氧濃度為1.3×1018/cm3以下的單晶矽的步驟中，將摻雜濃度設為5×1014atoms/cm3以下。
另外，較佳為在對於被轉印了前述污染物質的前述矽晶圓測定生命期的步驟之後，具有：若將金屬雜質的濃度設為y，將生命期值設為x，則於數學式y=(-3.74E07)‧x+(2.42E11)中的x代入所測定的前述生命期值並求得金屬
雜質的濃度y的步驟。
依據如上所述的方法，可減少由晶圓內部的氧、晶格缺陷(lattice defect)所致的起因於空孔型的生命期降低，而可高精度地評價由金屬雜質所致的生命期降低的影響。
依據本發明，可提供一種能高精度地測定且評價高速熱處理裝置中對於矽晶圓的金屬污染量的金屬污染評價方法。
10:單晶錠
10a:頭肩
10b:直本體部
10b1:位置
10b2:位置
10c:尾錐
圖1係顯示本發明之金屬污染評價方法的工序的流程圖。
圖2係顯示將在本發明之金屬污染評價方法所使用的矽晶圓切出的單晶部位之區域的單晶的側面圖。
圖3係顯示本發明之金屬污染評價方法的實施例1的結果的分布圖。
圖4係顯示本發明之金屬污染評價方法的實施例2的結果的分布圖。
圖5係顯示本發明之金屬污染評價方法的實施例3的結果的分布圖。
圖6係顯示本發明之金屬污染評價方法的實施例4以及比較例1、比較例2的結果的線圖。
圖7係顯示本發明之金屬污染評價方法的實施例5以及比較例3的結果的線圖。
圖8係顯示本發明之金屬污染評價方法的實施例6的結果的線圖。
圖9係顯示本發明之金屬污染評價方法的實施例7至實施例11的結果的線圖。
圖10係顯示藉由演算式而得的生命期值與Fe濃度之間之相關的線圖。
以下，針對本發明之金屬污染評價方法進行說明。
本發明的金屬污染評價方法係用以評價高速熱處理裝置(以下亦稱為RTP裝置)中的金屬污染的方法。具體而言，從藉由預定的育成條件所拉伸的單晶矽切出矽晶圓，藉由在RTP裝置中在預定的溫度之氧化性環境氣體下進行熱處理而在晶圓上形成RTO(rapidthermal oxidation；急速熱氧化)膜。
然後，使來自構成RTP裝置的構件的污染物質熱轉印至晶圓，對於該晶圓進行使用了電暈充電的鈍化處理。藉由測定如上所述而得的晶圓的生命期而進行爐內的金屬污染檢測。
更具體而言，成為如圖1所示的流程圖。
首先，育成用以切出金屬污染評價用的矽晶圓的單晶矽(圖1的步驟S1)。
亦即，前述單晶係藉由柴可斯基法而以氧濃度為1.3×1018atoms/cm3(oldASTM(American Society for Testing and Materials；舊美國材料與試驗協會))以下、摻雜濃度5×1014atoms/cm3以下、拉伸速度1mm/分以下的條件拉伸。
此外，當摻雜濃度為5×1014atoms/cm3以下時，亦即基
板電阻高時，則生命期評價中，由於多數載體在晶圓表面的再結合影響容易顯現，故難以獲得生命期的真值。然而，若為本發明的金屬污染評價方法，則由於表面再結合的影響小，故即使摻雜濃度為5×1014atoms/cm3以下仍可高精度地評價金屬污染。
然後，如圖2所示，在所拉伸的單晶錠(single crystal ingot)10中，從下述區域(使用的區域)切出矽晶圓(圖1的步驟S2)，該區域(使用的區域)係指：從長時間受到低溫之熱歷程的直本體部10b的頭肩10a側起至往中央側40mm的位置10b1為止除外以及從尾錐10c側起至往中央側40mm的位置10b2為止除外的區域。
該區域外無法適用的理由如下：因在該區域外結晶中的熱係從錠的上下散熱(結晶易於冷卻)且以V濃度(空位(vacancy)(空孔)濃度)保持高的狀態進入至空孔型缺陷的形成溫度帶，因此就結果而言空孔型缺陷的濃度變高且生命期降低。
另外，除了前述結晶部位的限制以外，如上述般的氧濃度、拉伸速度等的限制亦為引起生命期降低的空孔型缺陷之形成影響所致。空孔型缺陷的實體雖仍未明朗，但作為形態可推想為VO、VO2(V：空位(空孔)、O：氧)等的複合體。另外，如上所述的空孔型缺陷的形成溫度帶係可推想在結晶的冷卻過程中的1000℃至800℃附近。
另外，柴可斯基結晶的固液界面中，以熱平衡濃度取入至結晶中的V(空孔)與I(晶格間Si)係在結晶的冷卻過程
中成對消滅且逐漸降低濃度。雖為了避免起因於空孔型缺陷的生命期降低而有降低V濃度的必要，但在拉伸速度超過1mm/分時，由於會在保持V濃度高的狀態下進入空孔型缺陷的形成溫度帶，故就結果而言空孔型缺陷的濃度變高且生命期降低。
另外，由於氧濃度高則會助長空孔型缺陷的形成，故氧濃度較佳為1.3×1018atoms/cm3(oldASTM)以下。
接下來，藉由RTP裝置對前述矽晶圓在氧化性環境氣體下以1100℃以上至矽融點以下保持1秒至60秒。之後，以5℃/秒至150℃/秒進行降溫處理，於矽晶圓上形成膜厚2nm以上的氧化膜(RTO膜)(圖1的步驟S3)。
於該RTP處理裝置中，藉由以較高溫度使用而促進於構成裝置的構件所存在的金屬雜質的外方向擴散。藉此，可將爐內金屬雜質充分地轉印至晶圓。
此外，一般而言，由於晶圓內的氧、空孔藉由RTP處理而成為電性的活性狀態，故會成為使生命期降低的要因。然而，依據藉由前述步驟S1的條件所得的矽晶圓，則由於大致沒有氧以及/或者空孔而可抑制起因於空孔型的生命期的降低，而可僅測定因金屬雜質導致的生命期降低。
然後，將前述矽晶圓藉由作為鈍化而使用電暈充電的μ PCD法測定生命期(圖1的步驟S4)。
於前述電暈充電處理中，在大氣中產生、控制電荷。藉由該電暈充電處理，可控制且均一化矽晶圓表面的電荷狀態。
作為μ PCD測定裝置，例如使用KOBELCO科研公司製的LTA-2200EP，以雷射波長904nm、載體注入量5×1013/cm3、4mm節距(pitch)測定生命期。於該μ PCD法中，藉由對於矽晶圓脈衝照射雷射光而生成過剩載體(excess carrier)，過剩載體藉由再結合而消滅且回到原本的平衡狀態。此時的過剩載體密度的變化係成為光照射區域的電阻率(resistivity)的指數函數性的變化，反射微波的功率亦隨之變化。光脈衝的照射前與剛照射後的反射微波功率的差係對應於電阻率的差，亦即對應於載體密度的差，根據載體密度的差的時間變化可求得生命期。
如以上所述，依據本發明之實施形態，使用從藉由氧濃度1.3×1018atoms/cm3(oldASTM)以下、拉伸速度1mm/分以下的條件所育成的單晶矽切出的晶圓，且藉由在氧化性環境氣體下實施1100℃以上融點以下的高溫下的RTP處理而形成RTO膜，使來自RTP裝置構件的污染物質熱轉印至晶圓，將該晶圓電暈充電鈍化處理且藉由μ PCD法測定生命期。
藉此，減少因晶圓內部的氧以及/或者晶格缺陷所致的空孔型起因的生命期降低，而可評價因金屬雜質所致的生命期降低之影響。
另外，依據本發明的方法，由於無關於摻雜濃度而可進行高精度的測定，故即使在會顯現多數載體在晶圓表面的再結合之影響的摻雜濃度5×1014atoms/cm3以下的情形亦有效。
此外，在前述實施形態中，雖於鈍化使用了電暈充電，但本發明的金屬污染評價方法係不被此所限定，亦可適用於進行了其他的鈍化手法的矽晶圓。
另外，於生命期測定中雖使用了μ PCD裝置，但本發明係不被此所限定，亦可藉由其他手法測定生命期。
對於本發明之金屬污染評價方法，根據實施例而進一步說明。於本實施例中，根據前述實施形態而進行以下的實驗。
(實驗1)
實驗1中，使用育成條件不同的晶圓進行本實施形態所示的生命期測定。
實施例1中，使用以氧濃度0.8×1018atoms/cm3、摻雜(硼)濃度7.8×1014atoms/cm3、拉伸速度0.6mm/分的條件育成的P型、電阻17Ω．cm的晶圓。
實施例2中，使用以氧濃度0.8×1018atoms/cm3、摻雜(硼)濃度3.7×1014atoms/cm3、拉伸速度1.5mm/分的條件育成的P型、電阻36Ω．cm的晶圓。
實施例3中，使用以氧濃度0.9×1018atoms/cm3、摻雜(磷)濃度3.0×1013atoms/cm3、拉伸速度1.5mm/分的條件育成的N型、電阻142Ω．cm的晶圓。
實施例1至實施例3中，RTP處理條件係相同，以1350℃×30秒處理後，以降溫率120℃/秒處理至600℃為止，形成RTO膜。
另外，皆使用μ PCD測定裝置(KOBELCO科研公司製
LTA-2200EP)，以雷射波長904nm、載體注入量5×1013/cm3、4mm節距測定生命期。
將實施例1至實施例3的生命期測定結果分別示於圖3、圖4、圖5。圖3、圖4、圖5係將晶圓面內的生命期值以顏色區分的分布圖。
實施例1的結果，生命期平均值成為1280μ秒，如圖3所示，可確認到局部污染或外周的污染。可推想此乃因在RTP處理時將晶圓背面的外周部以SiC(碳化矽)環保持故來自SiC環的污染。亦即，在使用實施例1的條件的晶圓的情形中，可確認可以高精度地把握金屬污染的分布。
另外，實施例2、實施例3的結果，生命期平均值皆成為1080μ秒，如圖4、圖5分別所示，可確認到起因於空孔型缺陷的生命期降低。該起因於空孔型缺陷的生命期降低雖於晶圓全面皆有影響，但越中心部則影響越大。推想此乃因實施例2、實施例3皆為拉伸速度1.5mm/分而過快之故。
(實驗2)
於實驗2中，對於鈍化方法不同的實施例4(RTO膜+電暈充電)、比較例1(熱氧化膜)、比較例2(HF鈍化)驗證了相對於電阻率的生命期測定值以及表面再結合速度之間的關係。
圖6的線圖顯示了實施例4、比較例1、比較例2的結果。圖6的線圖中，縱軸為生命期值、橫軸為P型晶圓的電阻值。另外，於圖中顯示有表面再結合速度S=5cm/s、
10cm/s、20cm/s、40cm/s的曲線。
另外，表面再結合速度係在熱氧化中成為S=20cm/s，在HF鈍化中成為S=20cm/s至40cm/s左右。相對於此，於實施例4中，可以獲得表面再結合速度接近S=0cm/s且接近真的表體(bulk)值的長生命期值。
(實驗3)
於實驗3中，對於生命期值與Fe-B濃度之間的相關進行驗證。
於實施例5中，使用p型晶圓(氧濃度0.8×1018atoms/cm3、摻雜濃度7.8×1014atoms/cm3、拉伸速度0.6mm/分)，依循本實施形態進行RTO膜形成、電暈充電鈍化且測定生命期，藉由SPV法而求得Fe-B濃度。
作為比較例3，將以同條件切出的p型晶圓進行HF鈍化而測定生命期，藉由SPV法而求得Fe-B濃度。
將實施例5以及比較例3的結果顯示於圖7的線圖。於圖7的線圖中，縱軸係生命期值、橫軸係Fe-B濃度。
如圖7的線圖所示，於實施例5中，可觀察到生命期值與Fe-B濃度之間的強相關。另一方面，於比較例3中，由於無法獲得長生命期值，故成為弱相關。
(實驗4)
實驗4中，與實驗3相比係改變所使用的晶圓條件，針對生命期值與Fe-B濃度之間的相關進行驗證。
於實施例6中，使用p型晶圓(氧濃度0.8×1018atoms/cm3、摻雜(硼)濃度3.7×1014atoms/cm3、拉伸速度1.5mm/分)，依
循本實施形態進行RTO膜形成、電暈充電鈍化而測定生命期，藉由SPV法而求得Fe-B濃度。
將實施例6的結果顯示於圖8的線圖。圖8的線圖中，縱軸為生命期值，橫軸為Fe-B濃度。
如圖8的線圖所示，實施例6中，沒有確認到生命期值與Fe-B濃度之間有相關。另外，成為起因於氧、空孔的生命期降低，推想此乃因單晶拉伸速度為1.5mm/分而過快之故。
(實驗5)
實驗5中，驗證了是否可藉由本發明所進行的生命期測定而檢測因熱處理溫度之不同所致的對晶圓轉印的金屬污染量的差異。
本實驗中使用n型晶圓(氧濃度1.2×1018atoms/cm3、摻雜(磷)濃度1×1014atoms/cm3、拉伸速度0.5mm/分)。RTP裝置中，實施例7中以1100℃×30秒、實施例8中以1150℃×30秒、實施例9中以1200℃×30秒、實施例10中以1250℃×30秒、實施例11中以1275℃×30秒進行熱處理，形成RTO膜。之後，進行電暈充電鈍化，藉由μ PCD裝置進行生命期測定。
將實施例7至實施例11的結果顯示於圖9的條狀圖。從該圖可知，確認了可藉由生命期測定而檢測因熱處理溫度之不同所致的對晶圓轉印的金屬污染量的差異。
另外，根據實施例7至實施例11的結果，將生命期值與Pe-B濃度之間的相關使用下述的式(1)至式(3)求出。
n 1=n i e (Et-Ei)/κT p 1=n i e -(Et-Ei)/κT τ p =(σ p υ th N t )-1 τ n =(σ n υ th N t )-1
τ s =τ dif +τ sr ‧‧‧‧‧(3)
此外，式(1)中，若計算的生命期值為τ，則τb為表體生命期，τs為表面再結合生命期。
另外，求出表體生命期τb的式(2)係使用肖克萊-里德-霍爾(Shockly-Reed-Hall)的演算式。在此，n0與p0為平衡時的電子與電洞的載體濃度，△n與△p為注入的載體濃度，νth為載體的熱速度，ni為真性載體濃度，Ei為真性能階，σn與σp為相對於雜質的電子與電洞的捕獲剖面積，Nt為雜質載體濃度，Et為雜質能階，k為波茲曼常數(Boltzmann constant)，T為溫度。
假設雜質為Fe，假設準位(Et)為0.4eV、捕獲剖面積σn為3.6×10-15cm2。另外，假設晶圓的摻雜(磷)濃度n0為1×1014atoms/cm3、溫度(T)為300K。平衡狀態中的載體濃度由於可以下式p0‧n0=ni2表示，故決定p0。注入載體△n與
△p係在標準模式下實行以μ PCD裝置所進行的生命期測定時，由於使用904nm的雷射注入5×1013/cm2，故成為將該數值以晶圓厚度(t=775μm)除算後的值。
S係表面再結合速度。在可求得表面再結合生命期τs的式(3)中，以對表面再結合生命期的表面以及背面的擴散項(τdif)與在表面以及背面的再結合之項(τsr)表現。假設D為少數載體的擴散係數、t為晶圓厚度、表面再結合速度S為6cm/秒。
於圖10之線圖顯示使用上述式(1)至式(3)所求得的結果(計算值)。圖10中，縱軸(y軸)為Fe濃度(atoms/cm3)、橫軸(x軸)為生命期(μ秒)。
根據該線圖，於屬於金屬雜質的Fe之濃度(y軸)與生命期值(x軸)之間可求得下述相關式(4)。
y=(-3.74E07)‧x+(2.42E11)‧‧‧‧(4)
亦即，確認可藉由本發明之金屬污染評價方法求得生命期的實測值，藉此可高精度地求得Fe污染濃度。
(實驗6)
實驗6中，針對切出用於本發明之金屬污染評價方法的矽晶圓的單晶的育成條件進一步驗證。具體而言，針對合適的拉伸速度之範圍與氧濃度之範圍驗證。
本實驗中，針對實施例12至實施例26，將單晶拉伸速度與氧濃度的條件如表1所示地設定，進行RTO膜形成、電暈充電鈍化，進行由μ PCD裝置所執行的生命期測定。
實施例12至實施例26中，設為P型36Ω．cm、摻雜
濃度硼3.7×1014/cm3、切出晶圓的結晶部位是全長1000mm以上的結晶的中央部、RTP裝置的條件是氧環境氣體下的1350℃×30秒、至600℃為止的降溫速度是120℃/s。
另外，依據摻雜濃度推定的生命期理論值(亦稱為τSRH)為3800μ秒，當從各條件的實施例獲得的晶圓面內的生命期平均值(生命期面內平均值)未滿τSRH的50%(1900μ秒)時為不合格(表1中的判定×)，當為50%以上時為合格(表1中的判定○)。
如表1所示，當拉伸速度為1.0mm/分以下、氧濃度為1.3×1018/cm3以下時則獲得良好結果。
(實驗7)
實驗7中，為了特定從單晶切出晶圓的位置而在實施例27至實施例35中設定切出位置的條件，與實驗6同樣地針對生命期面內平均值進行評價。於表2顯示實施例27至實施例35的條件以及實驗結果。拉伸速度為0.6mm/分、氧濃度為1.2×1018/cm3，其他的條件則與實驗6相同。
[表2]
如表2所示，結晶部位係在單晶錠中之從頭部起40mm除外與從尾部起40mm除外的區域切出的晶圓獲得良好的結果。
依據以上的實施例的結果，可以確認當單晶矽的拉伸速度為1.0mm/分以下、氧濃度為1.3×1018/cm3以下、切出晶圓的結晶部位為將離頭部40mm除外與將離尾部40mm除外的區域時，抑制起因於空孔型的生命期降低，且可藉由依據金屬污染進行的生命期測定而高精度地評價金屬污染量。
Claims (6)
- 一種金屬污染評價方法，係用以測定高速熱處理裝置中對於矽晶圓的金屬污染量，前述金屬污染評價方法係具有：獲得藉由柴可斯基法以1.0mm/分以下的拉伸速度育成且氧濃度為1.3×1018/cm3以下的單晶矽的步驟；從前述單晶矽中之從頭部起往中央側40mm與從尾部起往中央側40mm除外的區域切出矽晶圓的步驟；藉由高速熱處理裝置將前述矽晶圓熱處理而使來自爐內構件的污染物質熱轉印至前述矽晶圓的步驟；以及對於被轉印了污染物質的前述矽晶圓測定生命期的步驟。
- 如請求項1所記載之金屬污染評價方法，其中在藉由高速熱處理裝置將前述矽晶圓熱處理而使來自爐內構件的污染物質熱轉印至前述矽晶圓的步驟中，在氧化性氣體下以1100℃以上至矽融點以下的溫度保持1秒至60秒後，以5℃/秒至150℃/秒的速度降溫處理，於前述矽晶圓上形成膜厚2nm以上的氧化膜。
- 如請求項1或2所記載之金屬污染評價方法，其中在對於被轉印了前述污染物質的前述矽晶圓測定生命期的步驟中，在對於前述矽晶圓將電暈充電作為鈍化使用後測定生命期。
- 如請求項1或2所記載之金屬污染評價方法，其中在 對於被轉印了前述污染物質的前述矽晶圓測定生命期的步驟中，使用微波光導電衰減裝置測定生命期。
- 如請求項1或2所記載之金屬污染評價方法，其中在獲得藉由前述柴可斯基法以1.0mm/分以下的拉伸速度育成且氧濃度為1.3×1018/cm3以下的單晶矽的步驟中，將摻雜濃度設為5×1014atoms/cm3以下。
- 如請求項1或2所記載之金屬污染評價方法，其中在對於被轉印了前述污染物質的前述矽晶圓測定生命期的步驟之後，具有：若將金屬雜質的濃度設為y，將生命期值設為x，則於數學式y=(-3.74E07)‧x+(2.42E11)中的x代入所測定的前述生命期值並求得金屬雜質的濃度y的步驟。
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|---|---|---|---|---|
| JP2021127278A (ja) * | 2020-02-14 | 2021-09-02 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
| CN112908876A (zh) * | 2021-01-18 | 2021-06-04 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 硅片金属污染测试方法及装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201239144A (en) * | 2011-01-19 | 2012-10-01 | Sumco Corp | Inspection method and fabricating method for silicon single crystal |
| US20140191370A1 (en) * | 2013-01-08 | 2014-07-10 | Woo Young Sim | Silicon single crystal wafer, manufacturing method thereof and method of detecting defects |
| TW201445013A (zh) * | 2012-08-08 | 2014-12-01 | Siltronic Ag | 單晶矽半導體晶圓及其製造方法 |
| US20150020728A1 (en) * | 2012-03-16 | 2015-01-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing silicon single crystal wafer |
| TW201639036A (zh) * | 2015-02-19 | 2016-11-01 | Shinetsu Handotai Kk | 矽晶圓的製造方法 |
| TW201720972A (zh) * | 2015-12-11 | 2017-06-16 | 世創電子材料公司 | 由單晶矽製成的半導體晶圓及其製備方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0216184D0 (en) * | 2002-07-12 | 2002-08-21 | Aoti Operating Co Inc | Detection method and apparatus |
| US7244306B2 (en) | 2002-10-18 | 2007-07-17 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Method for measuring point defect distribution of silicon single crystal ingot |
| JP4200845B2 (ja) * | 2002-10-18 | 2008-12-24 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | シリコン単結晶インゴットの点欠陥分布を測定する方法 |
| KR100500712B1 (ko) * | 2002-12-16 | 2005-07-11 | 주식회사 실트론 | 실리콘웨이퍼의 금속 불순물 농도 측정 방법 |
| JP2009266835A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-12 | Sumco Corp | シリコン単結晶の金属汚染評価方法 |
| JP5439752B2 (ja) | 2008-06-13 | 2014-03-12 | 信越半導体株式会社 | 汚染検出用モニターウェーハ、汚染検出方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US8252700B2 (en) | 2009-01-30 | 2012-08-28 | Covalent Materials Corporation | Method of heat treating silicon wafer |
| JP5410769B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2014-02-05 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
| EP2421029A4 (en) * | 2009-04-13 | 2015-01-07 | Shinetsu Handotai Kk | ANNEAL WAFER, METHOD FOR MANUFACTURING ANNEAL WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE |
| JP5467923B2 (ja) * | 2010-05-06 | 2014-04-09 | 信越半導体株式会社 | 金属汚染評価用シリコンウエーハの製造方法 |
| JP5590002B2 (ja) * | 2011-10-12 | 2014-09-17 | 信越半導体株式会社 | 金属汚染評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP2013105914A (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長装置の清浄度評価方法 |
| JP5742742B2 (ja) * | 2012-02-08 | 2015-07-01 | 信越半導体株式会社 | 金属汚染評価方法 |
| JP2014058414A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-04-03 | Jnc Corp | 評価用シリコン単結晶の製造方法 |
| EP2779220B1 (en) * | 2013-03-12 | 2017-10-25 | GLobalWafers Japan Co., Ltd. | Saturation voltage estimation method and silicon epitaxial wafer manufaturing method |
| JP5885305B2 (ja) * | 2013-08-07 | 2016-03-15 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハ及びその製造方法 |
| JP6555103B2 (ja) * | 2015-11-30 | 2019-08-07 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの評価方法およびその利用 |
-
2017
- 2017-12-22 JP JP2017246190A patent/JP7057122B2/ja active Active
-
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201239144A (en) * | 2011-01-19 | 2012-10-01 | Sumco Corp | Inspection method and fabricating method for silicon single crystal |
| US20150020728A1 (en) * | 2012-03-16 | 2015-01-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing silicon single crystal wafer |
| TW201445013A (zh) * | 2012-08-08 | 2014-12-01 | Siltronic Ag | 單晶矽半導體晶圓及其製造方法 |
| US20140191370A1 (en) * | 2013-01-08 | 2014-07-10 | Woo Young Sim | Silicon single crystal wafer, manufacturing method thereof and method of detecting defects |
| TW201639036A (zh) * | 2015-02-19 | 2016-11-01 | Shinetsu Handotai Kk | 矽晶圓的製造方法 |
| TW201720972A (zh) * | 2015-12-11 | 2017-06-16 | 世創電子材料公司 | 由單晶矽製成的半導體晶圓及其製備方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US11538721B2 (en) | 2022-12-27 |
| US20210082774A1 (en) | 2021-03-18 |
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| CN111480219A (zh) | 2020-07-31 |
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