TWI711899B - 圖形描寫裝置及圖形描寫方法 - Google Patents
圖形描寫裝置及圖形描寫方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI711899B TWI711899B TW105122329A TW105122329A TWI711899B TW I711899 B TWI711899 B TW I711899B TW 105122329 A TW105122329 A TW 105122329A TW 105122329 A TW105122329 A TW 105122329A TW I711899 B TWI711899 B TW I711899B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- pattern
- imaging unit
- center
- optical head
- coordinate difference
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 122
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 75
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2053—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a laser
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70681—Metrology strategies
- G03F7/70683—Mark designs
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706835—Metrology information management or control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
- G03F9/7015—Reference, i.e. alignment of original or workpiece with respect to a reference not on the original or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7019—Calibration
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7046—Strategy, e.g. mark, sensor or wavelength selection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本發明係以能高精確度地檢測相對於設計值的位置偏移作為目的,以
形成於機架且作為描寫位置基準之對準標記的讀取位置為基準,來控制載置該機架之工作台與該光學頭間的相對移動量。本發明係具備:第一成像單元,讀取該對準標記,並讀取位置偏移檢測用的第一圖形的圖像;第二成像單元,讀取該第一圖形的圖像,並於進行該工作台與該光學頭間的相對移動時,一邊藉由該光學頭的照射光來讀取描寫後之位置偏移檢測用的第二圖形的圖像;以及位置偏移檢測部,基於該第一成像單元的讀取圖像來求得該第一成像單元的視野中心與該第一圖形中心之間的第一座標差,並基於該第二成像單元的讀取圖像來求得該第一圖形中心與該第二圖形特定位置之間的第二座標差。
Description
本發明係關於一種圖形描寫裝置及圖形描寫方法,其係將來自光學頭的雷射照射至作為載置於機架工作台機架之基板上的感光材料,並描寫配線圖形等。
就此種圖形描寫裝置而言,通常,於實際描寫階段時考慮到構成要件間的位置關係變得與設計值不同的情形,並事先檢測該位置偏移,來將描寫位置進行修正。
舉例來說,專利文獻1揭示一種圖形描寫裝置,其係藉由檢測用於讀取作為形成於基板上位置調整用的基準之對準標記(以下,稱為AM)的AM相機與位置偏移檢測用的校正圖形間的位置偏移,以及藉由檢測光學頭的脈衝光與校正圖形間的位置偏移,來檢測相對於設定值之AM用相機與光學頭間的位置偏移。
位置偏移的檢測動作係期望在相近於實際描寫動作之狀態下進行,若否,即使是該檢測時期的不同亦會產生位置偏移。具體而言,其係代表相對於機架工作台的光學頭之相對移動動作與雷射照射系統中照射時機的時間偏移成為位置偏移。於要求更高精確度圖形描寫的情況下,雖然變得不能無視該位置偏移,但就專利文獻1的位置偏移檢測方法而言,完全沒有針對這種問題進行考慮。
[專利文獻1] 日本特開2008-65034號公報
因此,本發明係以能高精確度地檢測相對
於設計值的位置偏移作為目的,提供一種以形成於機架且作為描寫位置基準之對準標記的讀取位置為基準,來控制載置該機架之工作台與該光學頭間的相對移動量之圖形描寫方法。
在本案所揭示的發明中,具代表性的圖形描寫裝置係具有光學頭並以形成於機架且作為描寫位置基準之對準標記的讀取位置為基準,來控制載置該機架之工作台與該光學頭間的相對移動量,並藉由該光學頭針對該機架來描寫圖形之圖形描寫裝置,且該圖形描寫裝置包含:第一成像單元,讀取該對準標記,並讀取位置偏移檢測用的第一圖形的圖像;第二成像單元,讀取該第一圖形的圖像,並於進行該工作台與該光學頭間的相對移動時,一邊藉由該光學頭的照射光來讀取描寫後之位置偏移檢測用的第二圖形的圖像;以及位置偏移檢測部,基於該第一成像單元的讀取圖像來求得該第一成像單元的視野中心與該第一圖形中心之間的第一座標差,並基於該第二成像單元的讀取圖像來求得該第一圖形中心與該第二圖形特定位置之間的第二座標差。
同時,在本案所揭示的發明中,具代表性的圖形描寫方法係以形成於機架且作為描寫位置基準之對準標記的讀取位置為基準,來控制載置該
機架之工作台與該光學頭間的相對移動量,並藉由該光學頭針對該機架來描寫圖形之圖形描寫方法,且該圖形描寫方法包含:第一步驟,藉由讀取該對準標記的第一成像單元,並藉由讀取位置偏移檢測用的第一圖形的圖像,來求得該第一成像單元的視野中心與該第一圖形中心之間的第一座標差;第二步驟,藉由於進行該工作台與該光學頭間的相對移動時,一邊藉由該光學頭的照射光來描寫位置偏移檢測用的第二圖形;以及第三步驟,基於讀取該第一圖形與該第二圖形的圖像之該第二成像單元的讀取圖像,來求得該第一圖形中心與該第二圖形特定位置之間的第二座標差。
根據本發明,能在以形成於機架且作為描寫位置基準之對準標記的讀取位置為基準,並控制載置該機架之工作台與該光學頭間的相對移動量之圖形描寫方法中,高精確度地檢測相對於設計值的位置偏移。
1:基板
2:工作台
3:光學頭用相機
4:光學部
5:光學頭用相機台
7:閘門
8:光學頭單元
9,12:AM
10:AM用相機
11:安裝用部材
21,51:校正圖形
22:校正圖形形成板
23,52:穿透部
24:遮光部
25:反射鏡
26:台座
27:分隔物
31,32:位置偏移檢測用描寫圖形
41:光學頭用相機控制部
42:AM用相機控制部
43:工作台驅動控制部
44:光學頭控制部
45:全體控制部
46:描寫控制部
47:位置偏移檢測部
54:AM用相機的視野
55:AM用相機的視野中心
56:校正圖形的中心
62:光學頭用相機的視野
63:光學頭用相機的視野中心
65,67:位置偏移檢測用描寫圖形
66:位置偏移檢測用描寫圖形的中心
68:位置偏移檢測用描寫圖形的環之內側部分
69:位置偏移檢測用描寫圖形的環之內側部分的中心
81~88:步驟
[圖1]圖1係用於說明本發明的位置偏移檢測之圖。
[圖2]圖2係本發明的一實施例中圖形描寫裝置之概略平面圖。
[圖3]圖3係用於說明本發明的一實施例中光學頭用相機台的上部構造之圖。
[圖4]圖4係顯示本發明的一實施例中校正圖形之圖。
[圖5]圖5係用於說明本發明的一實施例中圖形描寫裝置的控制系統之流程圖。
[圖6]圖6係用於說明本發明的一實施例中AM用相機的讀取圖像之圖。
[圖7]圖7係用於說明本發明的一實施例中光學頭用相機的讀取圖像之圖。
[圖8]圖8係顯示本發明的一實施例中位置偏移檢測用描寫圖形之圖。
[圖9]圖9係用於說明本發明的一實施例中在相異於圖7的時點下光學頭用相機的讀取圖像之圖。
[圖10]圖10係用於說明本發明的一實施例中的動作之流程圖。
[圖11]圖11係顯示本發明中校正圖形的其他例子之圖。
[圖12]圖12係顯示本發明中位置偏移檢測用描寫圖形的其他例子之圖。
[圖13]圖13係用於說明在使用圖12所示之位置偏移檢測用描寫圖形的情況下,相當於圖9的光學頭用相機的讀取圖像之圖。
以下,使用圖1~8來說明本發明的實施型態。
圖2係本發明的一實施例中圖形描寫裝置之概略平面圖。於圖2中,1係作為應進行圖形描寫的機架之基板,且被載置於可朝X方向與Y方向移動的機架工作台2上。搭載有光學頭用相機3與光學部4的光學頭用相機台5係被安裝於工作台2之上,並藉由工作台2朝X方向的移動,使該光學頭用相機台5能通過「U」字形的閘門7之下。
於閘門7的前方,安裝有包含複數個光學頭的光學頭單元8,且將雷射光照射於因應光學頭單元8而相對移動的基板1上,並進行所欲圖形的描寫。透過安裝用部材11將用於讀取形成於基板1的AM9之同軸照明型AM用相機10安裝於該光學頭單元8。
光學頭單元8中各光學頭係使用配置有矩陣狀可動微鏡的數位微鏡裝置(DMD),且可藉由控制手段的On、Off訊號來控制各可動微鏡的傾角。舉例來說,此種光學頭係可為揭示於日本特開2009-80324號公報之物品。
圖3係用於說明光學頭用相機台5的上部構造之圖。於圖3中,將形成有校正圖形21之校正圖形形成板22配置在搭載於光學頭用相機台5上光學部4的最高部分。校正圖形形成板22係具有透光性的平板部材,且校正圖形21係如圖4所示般,以中心部分殘留有圓形的穿透部23之四角形的遮光部24來構成。於該校正圖形21中,將穿透部23的中心作為校正圖形21的中心。於校正圖形形成板22下方,配置了保持用於反射通過穿透部23的光之反射鏡25的台座26,以及配置了筒狀的分隔物27,其係將校正圖形形成板22以相對於台座26的方式來設置給定間隔並安裝。光學頭用相機3係配置於接受來自反射鏡25的光之受光位置。
再者,相對於遮光部24,雖然穿透部23的尺寸非常小,但於圖3與圖4中,為了容易辨別而畫得較大。
圖5係用於說明圖形描寫裝置的控制系統之流程圖。於圖5中,41係控制光學頭用相機3的讀取動作之光學頭用相機控制部、42係控制AM用相機10的讀取動作之AM用相機控制部、43係控制工作台2朝向X方向與Y方向的移動之工作台驅動控制部、44係用於控制光學頭單元8中各光學頭的動作並產生控制光學頭DMD內各可動微鏡傾角的On、Off訊號之光學頭控制部。45係控制全體裝置的動作之全體控制部。
於全體控制部45中,將應描寫之圖形的圖像訊息儲存在儲存設備,並控制工作台驅動控制部43與光學頭控制部44,同時,設置了控制描寫所
欲圖形於基板1的描寫控制部46,以及設置了根據本發明來檢測位置偏移的位置偏移檢測部47。
舉例來說,全體控制部45係依據程式控制的處理裝置來實現,且除了設置於全體控制部45外側的功能要件中之光學頭用相機3與AM用相機10之外,亦可部分或全部於全體控制部45的內部實行。
再者,於圖5中,主要是為了說明本實施例而顯示被認為必要的各構成要件或連接線,並非顯示作為圖形描寫裝置之全部要件。
於該圖形描寫裝置中,於將所欲圖形描寫於基板1的實際情況下,在全體控制部45的控制下進行如下的動作。
於圖2中,將工作台2朝X方向及/或Y方向移動,並將形成於基板1的AM9的位置對齊,使其能使用AM用相機10讀取。之後,將被讀取後的AM9之檢測位置作為基準,並根據含有位置訊息的描寫訊息,一邊將工作台2朝X方向及/或Y方向移動,一邊將來自光學頭單元8中光學頭的照射光照射至基板1,並描寫所欲的圖形。
同時,於進行位置偏移檢測動作的情況下,在全體控制部45的控制下進行如下的動作。圖10係用於說明該位置偏移檢測動作的流程圖。
於圖2及圖3中,首先,基於後述的位置訊息A,並藉由使工作台2朝X方向及Y方向移動,來將光學部4上的校正圖形21對齊,使其能使用AM用相機10讀取(圖10流程圖的步驟81,以下僅記載步驟號碼),之後,使用AM用相機10讀取校正圖形21(步驟82)。
圖6係用於說明AM用相機10此時的讀取圖像之圖。於圖6中,51係校正圖形、52係校正圖形51的穿透部、54係AM用相機10的視野、55係視
野54的中心、56係穿透部52的中心。校正圖形51僅於穿透部52變得微暗,而其周邊係變得明亮。
圖5的位置偏移檢測部47係基於AM用相機10的讀取圖像,並藉由例如求得穿透部52的面積中心之方法,來求得其中心56,且求得該中心56與AM用相機10中視野54的中心55之座標差(△X1、△Y1)(△X1係X方向的座標差,△Y1係Y方向的座標差,以下以相同方式記載)(步驟83)。再者,該情況下的中心55係藉由AM用相機10中視野的縱軸與橫軸之像素數各自的1/2位置來預先求得的。
再者,上述的位置訊息A係基於設計值,來使AM用相機10中視野54的中心55與作為校正圖形51的中心之穿透部52的中心56互相一致時之位置訊息。
接著,在基於上述位置訊息A對齊後的狀態下,使用光學頭用相機3來讀取校正圖形21(步驟84)。
圖7係用於說明光學頭用相機3此時的讀取圖像之圖。於圖7中,51係校正圖形、52係校正圖形51的穿透部、56係穿透部52的中心、62係光學頭用相機3的視野,63係視野62的中心。穿透部52變得明亮,而其周邊係變得昏暗。
圖5的位置偏移檢測部47係基於光學頭用相機3的讀取圖像,並藉由例如求得面積中心之方法,來求得穿透部52的中心56,且求得該中心56與光學頭用相機3中視野62的中心63之座標差(△X2、△Y2)(步驟85)。再者,該情況下視野62的中心63係藉由光學頭用相機3中視野的縱軸與橫軸之像素數各自的1/2位置來預先求得的。
接著,藉由後述的方法,一邊描寫如圖8所示之圓形的圖形(以下,稱為位置偏移檢測用描寫圖形)31於光學頭用相機3的視野中,一邊使用光學頭用相機3來讀取其圖像(步驟86)。再者,圖8中網格部分係描寫區域。
圖9係用於說明光學頭用相機3此時的讀取圖像之圖。於圖9中,65係描寫後之位置偏移檢測用描寫圖形,且該位置偏移檢測用描寫圖形65變得明亮。另一方面,雖然圖示了校正圖形51包含穿透部52,但因為變得昏暗而無法識別。62係光學頭用相機3的視野,63係視野62的中心。
圖5中位置偏移檢測部47係基於光學頭用相機3的讀取圖像,並藉由例如求得面積中心之方法,來求得位置偏移檢測用描寫圖形65的中心66,且求得該中心66與光學頭用相機3中視野62的中心63之座標差(△X3、△Y3)(步驟87)。再者,該情況下視野62的中心63係藉由光學頭用相機3中視野的縱軸與橫軸之像素數各自的1/2位置來預先求得的。
再者,如下述般進行圖8所示之位置偏移檢測用描寫圖形31的描寫。
基於設計值並於光學頭用相機3的視野中,與通常的描寫動作相同地,一邊將工作台2移動,一邊設計成作為含於光學頭單元8中複數個光學頭的描寫位置基準之光學頭,舉例來說,一邊使在光學頭單元8的Y方向所見之位於邊緣的光學頭(以下,稱為基準光學頭)中,DMD內所選擇之可動微鏡作動並描寫。於此情況下,以位置偏移檢測用描寫圖形31的中心與光學頭用相機3的視野中心一致地的方式來描寫。
舉例來說,此係首先將位置偏移檢測用描寫圖形31的圖像訊息輸入於描寫控制部46內的儲存設備,並預先決定將其中心設為特定位置。描寫控制部46係將該儲存設備內的圖像訊息,與通常的描寫動作相同地,將來自儲存設備中的座標系統朝向工作台2中的座標系統展開,並使圖像訊息的中心與光學頭用相機3之視野62的中心一致。
再者,於此情況下,即使相對於設計值有很大的位置偏移,於圖9中,也能有餘裕地,來設定必要參數,例如位置偏移檢測用描寫圖形31或光學頭用相機3的視野尺寸,而使位置偏移檢測用描寫圖形65不離開光學頭用相機3的視野中。
最後,圖5的位置偏移檢測部47係將求得之各座標差(△X1、△Y1)、(△X2、△Y2)、(△X3、△Y3)加總,並將該合計的座標差(△XA、△YA)作為修正值來儲存(步驟88)。各座標差(△X1、△Y1)、(△X2、△Y2)、(△X3、△Y3)及(△XA、△YA)的相互關係如圖1所示。
於給予含有位置訊息的描寫訊息之基板1實際地描寫的情況下,於圖1中,雖然將AM用相機10的AM檢測位置作為基準,但於實際地描寫所欲圖形的情況下,在基於設定值所決定的位置與實際地描寫的位置之間顯示了產生(△XA、△YA)的位置偏移。
回到於基板1實際地描寫所欲圖形之情況下的說明,圖5中全體控制部47的描寫控制部46係以AM9的檢測位置為基準,並根據含有位置訊息的描寫訊息,來控制工作台2之朝向X方向與Y方向的移動。此時,使用儲存於位置偏移檢測部47之作為修正值的座標差(△XA、△YA),來
將工作台2移動的目標位置進行修正。藉此,可於原本的位置描寫所欲之圖形。
根據以上的實施例,於進行位置偏移檢測動作時,因為係於光學頭並以實際的描寫態樣來描寫位置偏移檢測用圖形,且使用該位置偏移檢測用圖形的讀取圖像來進行位置偏移檢測,故可基於工作台2之相對於光學頭的相對移動動作與雷射照射系統中照射時機的時間偏移來一併檢測位置偏移,並可提升相對於設計值的位置偏移檢測精確度。
以上,雖然主要說明了本發明的一實施例,但實施例係為了更容易理解本發明之例,藉由實施例中各種構成要件的置換或者添加別的要件,可為各種的變化,故本發明並非限定於實施例。
舉例來說,就以上的實施例而言,雖然揭示首先使用AM用相機10來讀取校正圖形21,接著使用光學頭用相機3來讀取校正圖形21或位置偏移檢測用描寫圖形,但順序亦可相反。
同時,就以上的實施例而言,雖然係於位置偏移檢測部47求得作為3個座標差的加總值之座標差(△XA、△YA)並作為修正值來儲存,但亦可於位置偏移檢測部47中,僅求得各座標差(△X1、△Y1)、(△X2、△Y2)、(△X3、△Y3)並將其各自儲存,再於修正時,於描寫控制部46求得該加總值。
同時,就以上的實施例而言,雖然形成於校正圖形形成板22的校正圖形21係以中心部分殘留有圓形的穿透部23之四角形的遮光部24來構成,但藉由處理光學頭用相機3與AM用相機10之校正圖形的讀取圖像,只要能得到其中心座標,校正圖形亦可為其他形狀。舉例來說,如圖11的(a)、(b)、(c)所示般,穿透部23與遮光部24可為四角形或圓形。
同時,就以上的實施例而言,於圖9中,以位置偏移檢測用描寫圖形65的中心66與光學頭用相機3的視野62中心一致的方式來描寫位置偏移檢測用描寫圖形65。
然而,亦可基於設計值來描寫,舉例來說,亦可僅基於自光學頭用相機3的視野中心所偏移的位置(△Xp、△Yp)來描寫,並定位了位置偏移檢測用描寫圖形65的中心66。
於此情況下,因為於使用上述的方法所檢測的座標差(△XA、△YA)中亦包含了對應上述偏移(△Xp、△Yp)的部分,故位置偏移檢測部47計算了(△X1、△Y1)+(△X2、△Y2)+(△X3、△Y3)-(△Xp、△Yp),並將該結果之座標差作為修正值(△XB、△YB)來儲存,描寫控制部46亦可於修正前進行該計算。
同時,就以上的實施例而言,使基準光學頭中DMD內選擇後之可動微鏡作動並描寫位置偏移檢測用描寫圖形。然而,因為基準光學頭以外的光學頭內之可動微鏡的位置,係可將基準光學頭的位置作為基準並辨別,故可藉由基準光學頭以外的光學頭內之選擇後可動微鏡來描寫位置偏移檢測用描寫圖形。
同時,就以上的實施例而言,使用基準光學頭來描寫的位置偏移檢測用描寫圖形係為圓形。然而,並不必然要求為圓形,只要是可藉由處理其讀取圖像來求得位置偏移檢測用描寫圖形的特定位置,亦可為其他形狀。舉例來說,形狀是四角形,且使四個角部分中左下的角部分作為特定位置。
同時,就以上的實施例而言,基於光學頭用相機3的讀取圖像,來個別求得光學頭用相機3的視野62中心63與穿透部52的中心56間的
座標差(△X2、△Y2),以及光學頭用相機3的視野62中心63與位置偏移檢測用描寫圖形65的中心66間的座標差(△X3、△Y3)。
然而,如圖1所示,只要是能一併檢測出座標差(△X2、△Y2)與(△X3、△Y3)的加總值,意即座標差(△X4、△Y4),即不需要如上述般個別地求出作為座標差(△X4、△Y4)的成分之座標差(△X2、△Y2)與(△X3、△Y3)。
舉例來說,座標差(△X4、△Y4)係能如下述般來一併求得。就為此之位置偏移檢測用描寫圖形32而言,如圖12所示,使用環狀物。再者,圖12中網格部分係描寫區域。
圖13係用於說明在使用圖12所示位置偏移檢測用描寫圖形32之情況下,相當於圖9的光學頭用相機3的讀取圖像之圖。於圖13中,67係藉由基準光學頭之描寫後的位置偏移檢測用描寫圖形,且於穿透部52中,雖然可辨別變暗的環之內側部分68以及變亮的殘餘部分,但其他部分變得太暗,故無法辨別。
再者,於此情況下,即使相對於設計值有很大的位置偏移,也能有餘裕地來設定必要參數,例如位置偏移檢測用描寫圖形的環之內徑或外徑、穿透部的尺寸,而使得位置偏移檢測用描寫圖形67的環之內側部分68自穿透部52突出,且穿透部52係不自描寫圖形67的環之外側部分突出。
於使用圖12的位置偏移檢測用描寫圖形32之情況下,圖5的位置偏移檢測部47係基於光學頭用相機3的讀取圖像,並藉由例如求得面積中心的方法,來求得穿透部52的中心56,同時,藉由例如求得面積中心的方法,檢測出位置偏移檢測用描寫圖形67的環之內側部分68的中心69,並求得兩者的座標差(△X4、△Y4)。再者,位置偏移檢測用描寫圖形67的環之內側部分68的中心69亦為位置偏移檢測用描寫圖形67的中心。
接著,於此情況下,圖5的位置偏移檢測部47亦將座標差(△X1、△Y1)與座標差(△X4、△Y4)加總,並將合計的座標差(△XA、△YA)作為修正值來儲存,且亦可僅於位置偏移檢測部47求得各座標差(△X1、△Y1)、(△X4、△Y4)並各自儲存,再於修正時,於描寫控制部46加總。
同時,就以上的實施例而言,雖然光學頭單元8中各光學頭係使用配置有矩陣狀之多數可動微鏡的數位微鏡裝置,但亦可為使用與DMD相同的空間光調製元件,例如柵狀光閥(GLV:登錄商標)之光學頭。
同時,就以上而言,雖然僅說明了形成於基板1的AM9係為一個,但實際上係複數個AM形成於基板1。舉例來說,於圖2中,雖然顯示了另一個之AM12,但藉由檢測複數個AM,可檢測基板1的回轉方向等偏移,且使其修正變得可能。
52:穿透部
55:AM用相機的視野中心
56:校正圖形的中心
62:光學頭用相機的視野
63:光學頭用相機的視野中心
66:位置偏移檢測用描寫圖形的中心
Claims (10)
- 一種圖形描寫裝置,其係具有光學頭,並以形成於機架且作為描寫位置基準之對準標記的讀取位置為基準,來控制載置該機架之工作台與該光學頭間的相對移動量,並藉由該光學頭針對該機架來描寫圖形,且該圖形描寫裝置包含:第一成像單元,讀取該對準標記,並讀取位置偏移檢測用的第一圖形的圖像;第二成像單元,讀取該第一圖形的圖像,並於進行該工作台與該光學頭間的相對移動時,一邊藉由該光學頭的照射光來讀取描寫後之位置偏移檢測用的第二圖形的圖像;以及位置偏移檢測部,基於該第一成像單元的讀取圖像來求得該第一成像單元的視野中心與該第一圖形中心之間的第一座標差,並基於該第二成像單元的讀取圖像來求得該第二成像單元的該讀取圖像的該第一圖形中心與該第二圖形特定位置之間的第二座標差;該第一成像單元係經由安裝用部件而被安裝於該光學頭;該第一圖形係形成於被配置在光學部的透光性部件;該光學部及該第二成像單元係被搭載於被安裝在工作台上的平台;該第二成像單元係被配置於接受通過該第一圖形的光之受光位置; 該第一成像單元係基於位置訊息讀取對齊後狀態下的該第一圖形;該位置訊息係基於設計值,來使該第一成像單元的視野中心與該第一圖形的中心互相一致時之訊息;該第二成像單元係基於該位置訊息並在對齊後狀態下,讀取該第一圖形;及以使該第二圖形的中心與該第二成像單元的視野中心一致的方式來描寫該第二圖形。
- 如請求項1所述之圖形描寫裝置,其中,該位置偏移檢測部係藉由求得作為該第二座標差的成分之該第二成像單元的視野中心與該第一圖形中心之間的第三座標差,以及藉由求得該第二成像單元的視野中心與該第二圖形特定位置之間的第四座標差,來求得該第二座標差。
- 如請求項1所述之圖形描寫裝置,其中,基於該第一座標差與該第二座標差來修正,以該對準標記的讀取位置作為基準的相對移動量。
- 如請求項2所述之圖形描寫裝置,其中,基於該第一座標差、第三座標差與該第四座標差來修正,以該對準標記的讀取位置作為基準的相對移動量。
- 如請求項1所述之圖形描寫裝置,其中,藉由作為複數光學頭內的描寫位置基準之光學頭來描寫第二圖形。
- 一種圖形描寫方法,其係以形成於機架且作為描寫位置基準之對準標記的讀取位置為基準,來控制載置該機架之工作台與光學頭間的相對移動量,並藉由該光學頭針對該機架來描寫圖形,且該圖形描寫方法包含:第一步驟,藉由讀取該對準標記的第一成像單元並藉由讀取位置偏移檢測用的第一圖形的圖像,來求得該第一成像單元的視野中心與該第一圖形中心之間的第一座標差;第二步驟,藉由於進行該工作台與該光學頭間的相對移動時,一邊藉由該光學頭的照射光來描寫位置偏移檢測用的第二圖形;以及第三步驟,基於讀取該第一圖形與該第二圖形的圖像之該第二成像單元的讀取圖像,來求得該第二成像單元的該讀取圖像的該第一圖形中心與該第二圖形特定位置之間的第二座標差;其中,該第一成像單元係經由安裝用部件而被安裝於該光學頭;該第一圖形係形成於被配置在光學部的透光性部件;該光學部及該第二成像單元係被搭載於被安裝在工作台上的平台;該第二成像單元係被配置於接受通過該第一圖形的光之受光位置;該第一成像單元係基於位置訊息讀取對齊後狀態下的該第一圖形; 該位置訊息係基於設計值,來使該第一成像單元的視野中心與該第一圖形的中心互相一致時之訊息;該第二成像單元係基於該位置訊息並在對齊後狀態下,讀取該第一圖形;及以使該第二圖形的中心與該第二成像單元的視野中心一致的方式來描寫該第二圖形。
- 如請求項6所述之圖形描寫方法,其中,該第三步驟係藉由求得作為該第二座標差的成分之該第二成像單元的視野中心與該第一圖形中心之間的第三座標差,以及藉由求得該第二成像單元的視野中心與該第二圖形特定位置之間的第四座標差,來求得該第二座標差。
- 如請求項6所述之圖形描寫方法,還包含第四步驟,基於該第一座標差與該第二座標差來修正,以該對準標記的讀取位置作為基準的相對移動量。
- 如請求項7所述之圖形描寫方法,還包含第四步驟,基於該第一座標差、第三座標差與該第四座標差來修正,以該對準標記的讀取位置作為基準的相對移動量。
- 如請求項6所述之圖形描寫方法,其中,藉由作為複數光學頭內的描寫位置基準之光學頭來描寫第二圖形。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016104816A JP6925783B2 (ja) | 2016-05-26 | 2016-05-26 | パターン描画装置及びパターン描画方法 |
JP2016-104816 | 2016-05-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201741783A TW201741783A (zh) | 2017-12-01 |
TWI711899B true TWI711899B (zh) | 2020-12-01 |
Family
ID=60417801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW105122329A TWI711899B (zh) | 2016-05-26 | 2016-07-15 | 圖形描寫裝置及圖形描寫方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10067429B2 (zh) |
JP (1) | JP6925783B2 (zh) |
KR (1) | KR102542241B1 (zh) |
CN (1) | CN107436537B (zh) |
TW (1) | TWI711899B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7463154B2 (ja) * | 2020-03-24 | 2024-04-08 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置、データ処理装置、描画方法、および描画データ生成方法 |
EP3926403A1 (en) * | 2020-06-17 | 2021-12-22 | Mycronic Ab | Maskless second layer alignment method and apparatus |
JP7458950B2 (ja) * | 2020-09-23 | 2024-04-01 | 株式会社Screenホールディングス | 描画システム |
JP2023141515A (ja) * | 2022-03-24 | 2023-10-05 | 株式会社Screenホールディングス | 指示用プログラム、プログラムセットおよび描画システム |
TWI803339B (zh) * | 2022-06-07 | 2023-05-21 | 國立成功大學 | 光點陣列掃描系統及其方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5093561A (en) * | 1988-12-01 | 1992-03-03 | Asahi Kogaku Kogyo K.K. | Drawing surface adjusting mechanism for scanning pattern drawing apparatus |
TW200821763A (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-16 | Dainippon Screen Mfg | Pattern drawing apparatus |
US20140049759A1 (en) * | 2006-08-31 | 2014-02-20 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100377887B1 (ko) * | 1994-02-10 | 2003-06-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 정렬방법 |
SG93267A1 (en) * | 1996-11-28 | 2002-12-17 | Nikon Corp | An exposure apparatus and an exposure method |
JP3548428B2 (ja) * | 1998-07-03 | 2004-07-28 | キヤノン株式会社 | 位置計測装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP4076341B2 (ja) * | 2001-11-29 | 2008-04-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | レーザ描画方法とその装置 |
JP2004235354A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2004296921A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Canon Inc | 位置検出装置 |
WO2006025386A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Nikon Corporation | 位置合わせ方法、処理システム、基板の投入再現性計測方法、位置計測方法、露光方法、基板処理装置、計測方法及び計測装置 |
JP2006332480A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Nikon Corp | 位置計測方法、露光方法、デバイスの製造方法及び位置計測装置並びに露光装置 |
JP2006337878A (ja) | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Fujifilm Holdings Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP2008065034A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 描画装置およびアライメント方法 |
KR20080065034A (ko) | 2007-01-08 | 2008-07-11 | 엘지전자 주식회사 | 공기조화기의 제어방법 |
JP2008233638A (ja) | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 描画装置および描画方法 |
JP5253916B2 (ja) * | 2008-03-10 | 2013-07-31 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | マスクレス露光方法 |
JP2010231062A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 描画装置および描画方法 |
US8493547B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-07-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP2011232851A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Ricoh Co Ltd | 対象物検出方法及び対象物検出プログラム |
JP5496041B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2014-05-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 変位算出方法、描画データの補正方法、描画方法および描画装置 |
JP5525421B2 (ja) * | 2010-11-24 | 2014-06-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 画像撮像装置および画像撮像方法 |
JP2012208237A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Ibiden Co Ltd | 描画装置の検査装置、描画装置、プログラム、描画装置の検査方法、及びプリント配線板の製造方法 |
JP2012242630A (ja) * | 2011-05-20 | 2012-12-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法、並びに露光装置の検査方法 |
JP5941704B2 (ja) * | 2012-02-28 | 2016-06-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン寸法測定装置、及びコンピュータプログラム |
KR102120893B1 (ko) * | 2012-12-14 | 2020-06-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 노광장치, 그 제어방법 및 노광을 위한 정렬방법 |
WO2015107976A1 (ja) * | 2014-01-16 | 2015-07-23 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP6712260B2 (ja) * | 2015-03-10 | 2020-06-17 | 株式会社Fuji | 実装装置、撮像処理方法及び撮像ユニット |
JP2017090817A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置、及び物品の製造方法 |
KR102454206B1 (ko) * | 2016-03-14 | 2022-10-12 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 정렬 마크 및 웨이퍼 정렬 마크의 오차 측정 방법 |
-
2016
- 2016-05-26 JP JP2016104816A patent/JP6925783B2/ja active Active
- 2016-07-15 TW TW105122329A patent/TWI711899B/zh active
- 2016-08-05 KR KR1020160100144A patent/KR102542241B1/ko active IP Right Grant
- 2016-08-08 CN CN201610640932.1A patent/CN107436537B/zh active Active
- 2016-08-09 US US15/231,842 patent/US10067429B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5093561A (en) * | 1988-12-01 | 1992-03-03 | Asahi Kogaku Kogyo K.K. | Drawing surface adjusting mechanism for scanning pattern drawing apparatus |
US20140049759A1 (en) * | 2006-08-31 | 2014-02-20 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
TW200821763A (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-16 | Dainippon Screen Mfg | Pattern drawing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10067429B2 (en) | 2018-09-04 |
TW201741783A (zh) | 2017-12-01 |
CN107436537A (zh) | 2017-12-05 |
JP6925783B2 (ja) | 2021-08-25 |
KR102542241B1 (ko) | 2023-06-12 |
JP2017211508A (ja) | 2017-11-30 |
US20170343907A1 (en) | 2017-11-30 |
KR20170134151A (ko) | 2017-12-06 |
CN107436537B (zh) | 2020-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI711899B (zh) | 圖形描寫裝置及圖形描寫方法 | |
KR102129103B1 (ko) | 적어도 3개의 이산 평면에 따른 머신 비젼 카메라의 보정을 위한 시스템 및 방법 | |
TWI734111B (zh) | 標記位置檢測裝置、描繪裝置以及標記位置檢測方法 | |
TWI691812B (zh) | 曝光裝置、曝光裝置之調正方法以及電腦可讀取的儲存媒體 | |
TW200400422A (en) | Pattern writing apparatus and pattern writing method | |
CN105388707B (zh) | 描绘装置 | |
JP6516453B2 (ja) | 画像測定装置及び測定装置 | |
KR20120083854A (ko) | 조정 장치, 레이저 가공 장치 및 조정 방법 | |
JP3453818B2 (ja) | 基板の高さ位置検出装置及び方法 | |
US20230296990A1 (en) | Sub-nanoscale high-precision lithography writing field stitching method, lithography system, wafer, and electron beam drift determination method | |
US20170233861A1 (en) | Multi-mask alignment system and method | |
KR101588946B1 (ko) | 묘화 장치 및 묘화 방법 | |
KR20190095269A (ko) | 광-민감성 층을 노광하기 위한 디바이스 및 방법 | |
JP2011049232A (ja) | 露光装置、露光方法及び半導体装置の製造方法 | |
CN109690408A (zh) | 基板角位置确定方法 | |
JP2005331542A (ja) | 露光装置、露光方法、及び基板製造方法 | |
JP2001274058A (ja) | マーク検出方法、並びに露光方法及び露光装置 | |
CN112684679A (zh) | 一种双面数字化光刻系统上下图形对准的标定方法 | |
JP6879484B2 (ja) | 画像取得装置、露光装置、及び画像取得方法 | |
JP6483536B2 (ja) | パターン描画装置及びパターン描画方法 | |
JP3914938B2 (ja) | プロジェクタの台形歪み補正装置と該台形歪み補正装置を備えたプロジェクタ | |
TWI807622B (zh) | 描繪裝置、描繪方法以及程式產品 | |
JP7458950B2 (ja) | 描画システム | |
CN105992997B (zh) | 图案描画装置用的gui装置、图案描画系统、作业单更新方法及记录介质 | |
KR102721896B1 (ko) | 기판 위치 검출 방법, 묘화 방법, 기판 위치 검출 장치 및 묘화 장치 |