TWI691812B - 曝光裝置、曝光裝置之調正方法以及電腦可讀取的儲存媒體 - Google Patents

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Abstract

在配設有多數圖案的基板中，亦迅速且正確地進 行調正。

本發明之曝光裝置係包括：調正所使用的攝 影機29及DMD22，可按照FO-WLP來形成圖案的曝光裝置，將複數半導體晶片SC收在視野而同時攝影，由該畫像抽出半導體晶片SC各個的輪廓，將抽出成為標記的連接焊墊CP的比較對象區域TA的畫像與模板畫像進行比較，且檢測各晶片的位置偏移量。

Description

曝光裝置、曝光裝置之調正方法以及電腦可讀取的儲存媒體
本發明係關於在基板等形成圖案的曝光裝置，尤其關於對列列有多數圖案的基板的調正。
近年來活用一種在1塊基板描繪多數電路圖案(半導體晶片圖案等)的曝光方法。例如，在晶圓狀態下進行IC封裝製程的晶圓級封裝體(WLP)中，已知一種扇出型晶圓級封裝(FO-WLP)。
因此，作成使由晶圓切出的半導體晶片多數排列在支持基板者(稱為擬似晶圓)，在半導體晶片的間隙，藉由圖案曝光形成再配線之後，切斷擬似晶圓而獲得封裝體(將如上所示之製程稱為Mold first(Chip-first)型的FO-WLP)。
在FO-WLP中，為了將半導體晶片埋設在具延展性的樹脂製支持基板，在各個半導體晶片產生隨機的固有位置偏移，必須藉由調正來補正再配線圖案的位置。
以調正方法而言，使攝像範圍配合藉由光調變元件陣列(DMD等)所得之投影區域的掃描頻寬(頻寬)而使攝影機掃描，且取得將該等畫像相連的全體廣域畫像。接著，檢測形成在各晶片的調正標記或端子焊墊等的位置而以模板匹配方式檢測各晶片的位置偏移量(參照專利文獻1)。
另一方面，在藉由重疊成複數層進行圖案化而形成多層基板的情形下，亦在下層圖案(first layer)重疊電路圖案進行曝光，因此必須進行調正。以檢測位置偏移量的方法而言，例如可利用調正標記或晶片形狀(晶粒形狀)來檢測位置偏移(參照專利文獻2)。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2013-58520號公報
【專利文獻2】日本特表2013-520828號公報
在不同於晶圓等的大型樹脂基板中，圖案數極端多(例如1萬以上)，一邊對沿著掃描帶的區域進行攝像一邊取得全體的廣域畫像，耗費時間，且有其限度。結果，調正計算亦需要時間，基板的生產性降低。另一方面，若進行按每層的圖案對位，若在晶片等形狀本身不具特徵，難以正確檢測位置偏移量。
因此，在配設有多數圖案的基板中，亦必須迅速且正確地進行調正。
本發明之曝光裝置係可在多數圖案(以下稱為下層圖案)進行排列的基板圖案化的曝光裝置，例如，可對根據FO-WLP所成形的支持基板，進行再配線的圖案化。尤其，本 發明之曝光裝置係可對更為龐大的數量(例如1萬以上)的下層圖案遍及全體而排列成矩陣狀的矩形狀基板調整調正。在此的下層圖案係包含有半導體封裝體(晶片)，此外，亦包含使玻璃基板或印刷基板等規則式排列的電路圖案。
本發明之曝光裝置係包括：攝像部；計測部，其係計測各下層圖案位置；及補正部，其係藉由模板匹配，算出各下層圖案的位置偏移量，且補正描繪資料。例如，攝像部係包括：可沿著主掃描方向等移動的攝影機，藉由將攝影機進行驅動控制，可對基板，間歇性或連續性掃描攝像區域。
在本發明中，攝像部藉由調整成像倍率等，以在多數下層圖案之中，以在視野內掌握複數下層圖案的方式進行攝像。例如，若以大於因光調變元件陣列所致之掃描頻寬的視野框進行攝像即可。此外，可沿著主掃描方向、副掃描方向，以複數下層圖案排列的數量收納在視野框。
接著，計測部係根據被抽出屬於下層圖案各個的至少一部分區域的特徵標記的比較對象畫像，進行模板匹配，且檢測位置偏移。複數下層圖案被同時攝影，並且將下層圖案的至少一部分區域作為模板匹配的比較對象，形成為將形成在該處的連接焊墊等作為特徵標記所抽出的比較對象畫像，藉此可進行迅速的調正補正。
在配線圖案複雜的下層圖案中，難以由收納在視野框的鄰接下層圖案之中，個別辦識下層圖案。因此計測部亦可在檢測下層圖案各個的輪廓之後，再抽出比較對象畫像。
若在1個下層圖案隨機存在多數特徵標記，在特 徵標記抽出處理需要時間。因此計測部亦可構成為可任意設定比較對象畫像的區域。例如，亦可將下層圖案的區域的一部分設定為比較對象畫像。
計測部係針對無法進行位置偏移檢測的下層圖案，為了抑制調正調整時間，若參照鄰接的下層圖案的位置偏移量即可。藉此亦可一定程度進行用以作為鄰接下層圖案的資訊而為有效的調正調整。或者，關於計測部無法進行位置偏移檢測的下層圖案，亦可按照根據操作員的操作的下層圖案輪廓的抽出，決定下層圖案的位置偏移量。例如，可藉由輪廓檢測輔助功能，對操作員，在畫面上支持輪廓檢測，據此檢測位置偏移量。
對由2個以上的下層圖案所構成的多封裝體區域，計測部在該區域內的下層圖案全部攝像結束後，若檢測該區域內的下層圖案的位置偏移量即可。
本發明之曝光裝置之調正方法係多數下層圖案進行排列的基板圖案化的曝光裝置的調正方法，其在多數下層圖案之中，以在視野內掌握複數下層圖案的方式進行攝像，計測各下層圖案位置，藉由模板匹配算出各下層圖案的位置偏移量，補正描繪資料的曝光方法，根據被抽出屬於下層圖案各個的至少一部分區域的特徵標記的比較對象畫像，進行模板匹配，且檢測位置偏移。
本發明之程式係將在多數下層圖案進行排列的基板圖案化的曝光裝置，在多數下層圖案之中，以在視野內掌握複數下層圖案的方式進行攝像的攝像手段；計測各下層圖案位 置的計測手段；作為藉由模板匹配，算出各下層圖案的位置偏移量，且補正描繪資料的補正手段來發揮功能，以根據被抽出屬於下層圖案各個的至少一部分區域的特徵標記的比較對象畫像，進行模板匹配，且檢測位置偏移的方式，作為計測手段來發揮功能。
藉由本發明，對形成有多數圖案的基板，亦可迅速且適當地進行調正調整。
10‧‧‧曝光裝置
12‧‧‧描繪平台
15‧‧‧平台驅動機構
18‧‧‧曝光頭
20:光源
21:光源驅動部
22:DMD
23:成像光學系
24:DMD驅動電路
26:光柵轉換電路
27:計測電路
29:攝影機
30:控制器
31:曝光控制部
32:記憶體
BA:帶區域
CP:連接焊墊
PC:輪廓
RM:樹脂模具區域
SC:半導體封裝體
TA:比較對象區域
TA1:比較對象區域
TI:畫像
VF:攝影機視野
W:基板
第1圖係本實施形態之曝光裝置的區塊圖。
第2圖係顯示在FO-WLP中被成形的支持基板(臨時基板)之一例的圖。
第3圖係顯示調正調整及描繪處理的流程圖的圖。
第4圖係顯示攝影機的攝像範圍的圖。
第5圖係顯示半導體晶片的特徵抽出的圖。
第6圖係設定半導體晶片的一部分區域作為比較對象區域的圖。
第7圖係顯示再配線形成時的資料補正的圖。
第8圖係顯示多晶片的圖。
以下參照圖示，說明本發明之實施形態。
第1圖係本實施形態之曝光裝置的區塊圖。
曝光裝置10係可藉由對基板W照射光來形成電路 圖案的無遮罩曝光裝置，包括設有DMD(Digital Micro-mirror Device，數位微鏡裝置)22的曝光頭18。基板W係被裝載在描繪平台12，在描繪平台12上係沿著主掃描方向(X方向)、副掃描方向(Y方向)而規定X-Y座標系。
曝光頭18係連同DMD22包括照明光學系及成像光學系(在此未圖示)。由曝光裝置10所配備的光源20(雷射或放電燈等)所放射的光係藉由照明光學系被導引至DMD22。
DMD22係使微小的矩形狀微鏡(在此為數μm~數十μm)以矩陣狀作2次元排列的光調變元件陣列，例如由1024×768的微鏡所構成。各微鏡係以使來自光源20的光束朝向基板W的曝光面方向反射的第1姿勢(ON狀態)、及朝曝光面外的方向反射的第2姿勢(OFF狀態)任一姿勢作定位，按照控制訊號(曝光資料)來切換姿勢。
在DMD22中，各微鏡選擇性被ON/OFF控制，在ON狀態的微鏡上反射的光係透過成像光學系而照射在基板W。因此，被照射在基板W的光係由在各微鏡被選擇性反射的光的光束所構成，成為對應應形成在曝光面上的電路圖案的圖案光。
若所有微鏡為ON狀態，在基板W上係規定成為具有預定尺寸的矩形狀投影區域的曝光區域。例如，若成像光學系23的倍率為1倍，曝光區域的尺寸與DMD22的尺寸相一致。一邊藉由平台驅動機構15，使描繪平台12朝X方向移動，一邊使曝光區域在基板W上相對移動(掃描)，藉此曝光在 基板W。
其中，曝光頭18係以藉由DMD22所得之曝光區域相對掃描方向以預定的微小角度傾斜的方式作配置。結果，沿著主掃描方向作排列的微鏡的微小投影區域的軌跡係沿著副掃描方向以微小距離偏移。
關於曝光動作，由於進行多重曝光，因此以各微鏡的微小投影區域彼此重疊的方式設定曝光間距(曝光動作時間間隔)。結果，曝光區域以微小距離由主掃描方向偏移而移動，藉此在1個微小投影區域(單元(cell))內，分布曝光拍攝時的微小投影區域中心點(曝光點)。結果，藉由單元尺寸以下的解析度，形成圖案。
伴隨曝光區域沿著主掃描方向(X方向)在基板W上連續性或間歇性作相對移動，圖案沿著主掃描方向形成在基板W。若沿著1個掃描帶的多重曝光動作從基板W之一端至一端結束時，進行沿著接下來的掃描帶的多重曝光動作。藉由將基板W全體曝光，描繪處理即結束。
與外部的工作站(未圖示)相連接的控制器30係控制描繪處理，且對DMD驅動電路24、讀出位址控制電路(未圖示)、光源驅動部21等輸出控制訊號。控制曝光動作的程式係預先被儲存在控制器30內的ROM(未圖示)。
由工作站作為CAD/CAM資料被傳送的圖案資料係作為座標資料的向量資料，光柵轉換電路26係將向量資料轉換成光柵資料。藉由1或0的2值資料所表示的光柵資料係將各微鏡的位置決定為ON狀態或OFF狀態。所生成的光柵資 料係配合曝光動作而被送至DMD驅動電路24。光柵資料讀出、寫入時序係藉由讀出位址控制電路予以控制。
由於在基板W發生熱變形等，因此在執行多重曝光之前進行調正調整。攝影機29係以對位於描繪平台12上的基板W進行攝像的方式作配置，可藉由內置的聚焦透鏡來改變攝像對象的成像倍率。攝影機29中的成像倍率、AF處理、光圈調整等曝光控制係藉由曝光控制部31予以執行。
控制器30係在藉由攝影機29對基板W進行攝像的期間，控制平台驅動機構15來控制掃描速度等。計測電路27係根據藉由攝影機29所攝像到的畫像資料，檢測調正標記等特徵點的位置。其中，亦可將複數攝影機以預定間隔排列而在調正調整時一邊使其平行移動一邊進行攝影。
控制器30係根據被檢測到的特徵點的位置、與理想上(設計上)的基準位置的差亦即位置偏移量，進行調正調整。具體而言，將圖案的描繪位置(描繪時序)，按照被算出的位置偏移量進行補正。
第2圖係顯示在FO-WLP中被成形之支持基板(臨時基板)之一例的圖。
在支持基板(以下設為與第1圖相同的符號W)係以矩陣狀以預定間距排列有半導體封裝體(以下稱為半導體晶片)SC，在此係顯示在125×160的半導體晶片SC被埋設在樹脂製支持基板W的狀態下進行排列者，但是實際上亦有排列2萬以上的半導體晶片SC的情形。在支持基板W係例如5mm以下的半導體晶片SC以間距10mm以下進行排列。
在FO-WLP中，必須對抵碰到鄰接的半導體晶片SC的間隙的樹脂部分，將再配線進行圖案形成。但是，半導體晶片SC由於樹脂延展性而各個具有隨機的位置偏移量，若半導體晶片SC的連接焊墊的實際位置與設計上的位置偏移，在圖案形成時，產生樹脂部分的配線未與半導體晶片SC相連接的狀態。
因此，在描繪前進行調正調整來補正描繪資料。在本實施形態中，當檢測龐大數量的半導體晶片SC各個的位置偏移量時，藉由利用大範圍視野所為之攝像及模板匹配來進行。以下說明此。
第3圖係顯示調正調整及描繪處理的流程圖的圖。第4圖係顯示攝影機的攝像範圍的圖。第5圖係顯示半導體晶片的特徵抽出的圖。
若基板W被裝載在描繪平台12，控制攝影機29的成像倍率等，並且使描繪平台12間歇性移動，藉此進行攝影機掃描(S101)。此時，以複數半導體晶片SC收在攝影機視野VF的方式設定成像倍率。
在第4圖中，以可對6個半導體晶片SC進行攝像作為晶片全體的方式設定成像倍率。該攝影機視野VF係不同於成為DMD22之曝光區域的掃描區域的帶區域BA的範圍，比帶區域BA的寬幅為更大。若對6個半導體晶片SC的攝像結束，將接下來的6個半導體晶片SC一度攝像，且反覆此。此外，依圖案的複雜度來調整掃描速度。
一邊使描繪平台12移動來進行攝影機掃描，一邊 取得由攝影機29被送來的畫像資料，抽出在模板匹配中作對比的區域，並且如第5圖所示，抽出半導體晶片SC內成為圓形狀的連接焊墊CP作為標記。連接焊墊CP的抽出(畫像認識)係藉由周知的畫像辨識處理被執行(S102、S103)。此時，抽出收在攝影機視野VF內的半導體晶片SC的輪廓之後，抽出模板匹配對象的區域(以下稱為比較對象區域)TA。
在第5圖中，係描繪半導體晶片SC的輪廓PC，但是輪廓PC僅為支持基板W之與樹脂部分的交界線，因此以被送至計測電路27的畫像資料而言，無法判斷是形成有配線的線、還是晶片邊緣。因此，根據預先被輸入的晶片尺寸資訊等，藉由邊緣檢測等，抽出半導體晶片SC的輪廓線。
接著，設定該半導體晶片尺寸的連接焊墊CP被抽出作為標記的比較對象區域TA的畫像TI作為模板匹配的比較對象。其中，為了提升調正處理速度，可抽出該一部分區域作為比較對象區域。
第6圖係將其一部分區域設定為比較對象區域的圖。在此係以將比較對象區域TA的右角部分的畫像作為對象來進行模板匹配的方式，設定有比較對象區域TA1。因比較對象區域TA1的尺寸小，連接焊墊CP的個數減少，可縮短模板匹配的處理時間。控制器30係可藉由操作員的輸入操作等，對應圖案的複雜度，任意設定比較對象區域TA1的尺寸、位置。
若被抽出呈現連接焊墊CP的彼此位置關係的比較對象區域TA(或TA1)，根據預先備妥的半導體晶片SC的模板圖案，執行周知的模板匹配處理，由連接焊墊CP的位置偏 移量算出半導體晶片SC的位置偏移量(S104、S105)。
以位置偏移量而言，在此係檢測X、Y軸方向的位移及旋轉量，且被保存在記憶體32。若位置偏移量被檢測，配合各半導體晶片SC的位置來補正圖案資料(S106)。若產生無法檢測位置偏移量的半導體晶片，參照鄰接的圖案而求出位置偏移量。
此外，以產生無法檢測位置偏移量的半導體晶片之情形的其他處理方法而言，亦可由曝光裝置的操作員藉由人工操作決定位置偏移量。操作員一邊觀看被顯示在外部的監測畫面的畫像資料，一邊使用控制器30所提供的輪廓檢測輔助功能，對計測電路27教導無法檢測位置偏移量的半導體晶片的輪廓。計測電路27係由被輸入的輪廓，計測無法檢測位置偏移量的半導體晶片的位置偏移量。該處理亦可在基板的全部半導體晶片的位置偏移檢測(S105)結束之後，針對無法檢測位置偏移量的半導體晶片，彙總執行。
第7圖係顯示再配線形成時的資料補正的圖。由於半導體晶片SC位於隨機旋轉的位置，因此連接焊墊的位置亦由設計上的位置偏移。因此，對晶片的間隙，如第7圖所示進行分割而算出樹脂部分的位置偏移量，配合其來補正圖案位置，藉此連接配線與連接焊墊CP。藉由將攝影機掃描及圖案資料補正並列處理，若支持基板W全體的調正調整結束，即執行描繪處理(S107)。其中，在攝影機掃描中，對不具圖案的區間，若提高掃描速度即可。
如上所示藉由本實施形態，將複數半導體晶片SC 收在視野內同時攝影，由該畫像抽出半導體晶片SC各個的輪廓，將抽出成為標記的連接焊墊CP的比較對象區域TA的畫像與模板畫像進行比較，且檢測各晶片的位置偏移量。一度對複數晶片進行攝像來進行各晶片的模板匹配，因此對裝載有龐大數量的晶片的基板，亦可迅速地執行調正處理。
其中，在本實施形態中，係說明在1個封裝體裝載1個半導體晶片的單晶片類型的調正方法，但是對在1個封裝體裝載複數半導體晶片的多晶片，亦可同樣地進行調正。
第8圖係顯示多晶片的圖。若為多晶片，檢測形成1個封裝體圖案的全部半導體晶片的位置偏移量之後，算出該封裝體全體的調正補正量。因此，若一度無法進行構成多晶片的半導體晶片的攝像時，結束全部晶片的攝像之後，再算出位置偏移量。此外，在調正補正時，關於晶片間的樹脂模具區域RM，算出資料補正量。
在本實施形態中，係顯示對在FO-WLP中被使用的基板的調正處理，但是亦在使圖案積層的情形下亦為有效。此外，以在模板匹配時為所需的特徵標記而言，亦可為連接焊墊以外的要素、零件、配線等。

Claims (11)

  1. 一種曝光裝置，在多數下層圖案進行排列的基板圖案化，其特徵為包括：攝像部，其係在前述多數下層圖案之中，以在視野內掌握複數下層圖案的方式進行攝像；計測部，其係計測各下層圖案位置；及補正部，其係藉由模板匹配，算出各下層圖案的位置偏移量，且補正描繪資料，前述計測部根據被抽出屬於下層圖案各個的至少一部分區域的特徵標記的比較對象畫像，進行模板匹配，且檢測位置偏移。
  2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，前述計測部檢測下層圖案各個的輪廓之後，抽出比較對象畫像。
  3. 如申請專利範圍第2項之曝光裝置，其中，前述計測部可任意設定前述比較對象畫像的區域。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之曝光裝置，其中，前述計測部針對無法檢測位置偏移的下層圖案，參照鄰接的下層圖案的位置偏移量。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之曝光裝置，其中，前述計測部針對無法檢測位置偏移的下層圖案，按照根據操作員的操作的下層圖案輪廓的抽出，決定下層圖案的位置偏移量。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之曝光裝置，其中，前述計測部對由2個以上的下層圖案所成之多封裝體區 域，在該區域內的下層圖案全部的攝像結束後，檢測該區域內的下層圖案的位置偏移量。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之曝光裝置，其中，前述計測部抽出連接焊墊作為特徵標記。
  8. 如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其中，前述基板為矩形狀，多數下層圖案被排列在整個基板。
  9. 如申請專利範圍第8項之曝光裝置，其中，前述基板為根據扇出型晶圓級封裝(FO-WLP)被成形的支持基板。
  10. 一種曝光裝置之調正方法，在多數下層圖案進行排列的基板圖案化，其特徵為：在前述多數下層圖案之中，以在視野內掌握複數下層圖案的方式進行攝像，計測各下層圖案位置，藉由模板匹配算出各下層圖案的位置偏移量，補正描繪資料的曝光方法，根據被抽出屬於下層圖案各個的至少一部分區域的特徵標記的比較對象畫像，進行模板匹配，且檢測位置偏移。
  11. 一種電腦可讀取的儲存媒體，儲存了程式，其特徵為：該電腦執行該程式，使得在多數下層圖案進行排列的基板圖案化的曝光裝置作為以下手段來發揮功能：攝像手段，其係在前述多數下層圖案之中，以在視野內掌握複數下層圖案的方式進行攝像；計測手段，其係計測各下層圖案位置；及 補正手段，其係藉由模板匹配，算出各下層圖案的位置偏移量，且補正描繪資料，且以根據被抽出屬於下層圖案各個的至少一部分區域的特徵標記的比較對象畫像，進行模板匹配，且檢測位置偏移的方式，作為前述計測手段來發揮功能。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10678150B1 (en) * 2018-11-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Dynamic generation of layout adaptive packaging
JP7229637B2 (ja) * 2019-02-28 2023-02-28 株式会社オーク製作所 露光装置および露光方法
KR102026163B1 (ko) * 2019-07-02 2019-09-27 김복문 반도체 패키지의 배선 보정방법
JP7365262B2 (ja) * 2020-02-21 2023-10-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 配線パターン生成装置、描画システム、配線パターン生成方法および配線パターン生成プログラム
CN113692215A (zh) * 2021-07-30 2021-11-23 广州佳帆计算机有限公司 一种贴片元件位置可调整系统、方法及装置
CN114137799B (zh) * 2021-10-25 2024-01-16 合肥众群光电科技有限公司 一种激光直接成像设备内层靶标标定方法
TWI795211B (zh) * 2022-02-15 2023-03-01 友達光電股份有限公司 控制電路裝置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101630623A (zh) * 2003-05-09 2010-01-20 株式会社荏原制作所 基于带电粒子束的检查装置及采用了该检查装置的器件制造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0420574A3 (en) * 1989-09-26 1992-04-22 Canon Kabushiki Kaisha Alignment system
JP2785141B2 (ja) * 1989-09-26 1998-08-13 キヤノン株式会社 アライメント装置
JP3001282B2 (ja) * 1991-04-17 2000-01-24 オリンパス光学工業株式会社 パターン位置検出方法
JP2005167002A (ja) * 2003-12-03 2005-06-23 Nikon Corp マーク検出方法とその装置、及び、露光方法とその装置
JP5441633B2 (ja) * 2009-11-16 2014-03-12 富士フイルム株式会社 マーク認識装置
CN102985878B (zh) 2010-02-26 2016-06-29 密克罗尼克麦达塔公司 用于执行图案对准的方法和装置
JP5637771B2 (ja) * 2010-08-17 2014-12-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 直接描画方法および直接描画装置
JP2013058520A (ja) * 2011-09-07 2013-03-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置、データ補正装置、再配線層の形成方法、および、データ補正方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101630623A (zh) * 2003-05-09 2010-01-20 株式会社荏原制作所 基于带电粒子束的检查装置及采用了该检查装置的器件制造方法
CN1820346B (zh) * 2003-05-09 2011-01-19 株式会社荏原制作所 基于带电粒子束的检查装置及采用了该检查装置的器件制造方法

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