TWI711102B

TWI711102B - 用於校準粒子束的垂直度的方法以及應用於半導體製造製程的系統

Info

Publication number: TWI711102B
Application number: TW108145911A
Authority: TW
Inventors: 陳廣甸; 陳金星; 蔡正義
Original assignee: 大陸商長江存儲科技有限責任公司
Priority date: 2019-10-30
Filing date: 2019-12-16
Publication date: 2020-11-21
Also published as: JP7176131B2; CN110945641A; TW202117879A; WO2021081804A1; US20210132174A1; EP3915130A1; KR102623888B1; US11112482B2; CN113363197A; KR20210127994A; EP3915130A4; JP2022528332A; CN113363197B; CN110945641B

Abstract

本發明提供了一種用於校準粒子束的垂直度的方法。方法包括：提供具有第一感測器和第二感測器的底座；將粒子束從發射器發射至底座的第一感測器，使得在第一感測器接收到粒子束時，收集第一資料；將粒子束從發射器發射至底座的第二感測器，使得在第二感測器接收到粒子束時，收集第二資料；基於第一資料和第二資料來計算第一校準資料；以及如果第一校準資料處於第一預定範圍外，則基於第一校準資料來調整底座或發射器。

Description

用於校準粒子束的垂直度的方法以及應用於半導體製造製程的系統

本發明涉及用於校準粒子束的垂直度的方法以及有關系統，並且更具體而言，涉及用於校準在粒子束與底座（baseplate）之間的垂直關係的方法以及有關系統。

在半導體製造製程當中，可以採用粒子束（例如，電子束）來檢測半導體基底上的缺陷。例如，在物件（例如，晶圓）被電子束照射時，將從物件的表面結構產生二次電子，並且可以對二次電子進行收集和分析，以獲得表面結構的照片，以便檢測物件的該表面結構上的缺陷。然而，如果粒子束不是相對於被配置為支撐物件的底座垂直發射的，則檢測可能受到影響並且檢測的準確度降低。因此，半導體製造製程需要針對上文提及的問題進行改進。

本發明所要解決的技術問題是提供用於校準粒子束的垂直度的方法和有關系統，以便提高所製造的半導體的品質。

為了解決上述問題，本發明提供了用於校準粒子束的垂直度的方法。所述方法包括：提供具有第一感測器和第二感測器的底座；將粒子束從發射器發射至底座中的第一感測器，使得在第一感測器接收到粒子束時，收集第一資料；將粒子束從發射器發射至底座中的第二感測器，使得在第二感測器接收到粒子束時，收集第二資料；基於第一資料和第二資料來計算第一校準資料；以及如果第一校準資料處於第一預定範圍外，則基於第一校準資料來調整底座或發射器。

為了解決上述問題，本發明還提供了一種應用於半導體製造製程的系統。所述系統包括發射器、底座和處理器。發射器被配置為發射粒子束。底座包括板體（plate body）、第一感測器和第二感測器。板體具有表面。第一感測器和第二感測器設置在板體的表面之下並且面向板體的表面，其中，第一感測器和第二感測器被配置為接收粒子束。處理器電連接至第一感測器、第二感測器和發射器，其中，處理器被配置為確定粒子束相對於底座的板體的表面的垂直度。

本發明提供了用於校準粒子束的垂直度的方法和系統。粒子束的垂直度可以是基於在底座的感測器中收集的資料來確定的，使得如果前進方向不垂直於底座，則能夠基於資料來調整底座和/或發射器。作為結果，能夠提高在底座上製造的產品的品質。

對於本領域普通技術人員而言，在閱讀了下文對透過各幅附圖例示的優選實施例的詳細描述之後，本發明的這些和其他目標無疑將變得顯而易見。

儘管討論了具體配置和佈置，但是應當理解該討論只是為了說明性目的。本領域技術人員將認識到可以使用其他配置和佈置而不脫離本公開的精神和範圍。對本領域技術人員顯而易見的是：也可以將本公開內容用到各種其他應用當中。

應當指出，在說明書中對“一個實施例”、“實施例”、“示例實施例”、“一些實施例”等引用可以指示：所描述的實施例可以包括特定的特徵、結構或特性，但未必每個實施例都包括該特定特徵、結構或特性。此外，這樣的短語未必是指相同實施例。此外，在結合實施例描述特定特徵、結構或特性時，結合明確或未明確描述的其他實施例實現這樣的特徵、結構或特性處於本領域技術人員的知識範圍之內。

一般而言，可以至少部分地由上下文的使用來理解術語。例如，至少部分地取決於上下文，本文中採用的詞語“一個或複數個”可以用於從單數的意義上描述任何特徵、結構或特點，或者可以用於從複數的意義上描述特徵、結構或特點的組合。類似地，還可以將詞語“一（a）”、“一個（an）”或“該（the）”理解為傳達單數用法或者傳達複數用法，其至少部分地取決於上下文。

應當容易地理解，應當按照最寬的方式解釋本公開內容中的“在……上”、“在……以上”和“在……之上”，使得“在……上”不僅意味著直接處於某物上，還包含在某物上並且其間具有中間特徵或層的含義，並且“在……以上”或者“在……之上”不僅包含在某物以上或之上的含義，而且還包含在某物以上或之上並且其間沒有中間特徵或層的含義（即，直接處於某物上）。

此外，文中為了便於說明可以採用空間相對術語，例如，“下面”、“以下”、“下方”、“以上”、“上方”等，以描述一個元件或特徵與其他元件或特徵的如圖所示的關係。空間相對術語意在包含除了附圖所示的取向之外的處於使用或操作中的裝置的不同取向。裝置可以具有其他取向（旋轉90度或者處於其他取向上），並且相似地可以相應解釋文中採用的空間相對描述詞。

文中使用的，術語“基底”是指在上面添加後續材料層的材料。能夠對基底本身圖案化。添加到基底上面的材料可以被圖案化，或者可以保持不被圖案化。此外，基底可以包括很寬範圍內的半導體材料，例如，矽、鍺、砷化鎵、磷化銦等。替代地，基底可以由非導電材料（例如，玻璃、塑膠或者藍寶石晶圓）形成。

如文中使用的，術語“層”可以指包括具有一定厚度的區域的材料部分。層可以在整個的下層結構或上覆結構之上延伸，或者可以具有比下層結構或上覆結構的範圍小的範圍。此外，層可以是均勻或者非均勻的連續結構的、具有小於該連續結構的厚度的厚度的區域。例如，層可以位於連續結構的頂表面和底表面之間的任何水平面的對之間，或者位於頂表面和底表面處。層可以水準延伸、垂直延伸和/或沿錐形表面延伸。基底可以是層，可以在其中包含一個或複數個層，和/或可以具有位於其上、其以上和/或其以下的一個或複數個層。層可以包括複數個層。例如，互連層可以包括一個或複數個導體和接觸層（在其中形成觸點、互連線和/或通孔）以及一個或複數個電介質層。

如文中所使用的，術語“標稱/標稱地”是指在產品或製程的設計階段期間設置的元件或製程操作的特徵或參數的預期或目標值連同高於和/或低於預期值的某一值範圍。值範圍可能歸因於製造製程或容限的略微變化。如文中所使用的，術語“大約”指示：給定量的值，其能夠基於與物件半導體裝置相關聯的特定技術節點發生變動。基於特定技術節點，術語“大約”可以指示給定量的值，其在例如該值的10~30%（例如，該值的±10%、±20%或者30%）內發生變動。

參考圖1和圖2，圖1是示出了根據本發明的實施例的系統的示意圖，以及圖2是示出了根據本發明的實施例的底座的頂視圖的示意圖。注意，該實施例的系統可以應用於半導體製造製程，但不限於此。在另一實施例中，系統可以應用於任何其他適當的製造製程。如圖1和圖2所示，該實施例的系統100包括發射器120、底座110和處理器130。發射器120被配置為發射粒子束122。在該實施例中，粒子束122可以包括電子束，但不限於此。在另一實施例中，發射器120可以包括任何其他適當粒子束。

在製造製程中，底座110被配置為支撐物件。換言之，物件設置在底座110上，並且可以對物件執行製造製程，以製造裝置或產品。由於該實施例的系統100被應用於半導體製造製程，因此底座110被配置為支撐基底。例如，基底可以包括很寬範圍的半導體材料（諸如矽、鍺、砷化鎵、磷化銦等）或非導電材料（例如，玻璃、塑膠或藍寶石晶圓等），但不限於此。在一些實施例中，底座110被配置為支撐晶圓（諸如半導體晶圓或非導電材料晶圓），但不限於此。

在一些實施例中，可以在製造製程中在基底上形成如3D記憶體件的電子裝置，但不限於此。在一些實施例中，可以在基底上形成任何其他適當裝置。注意，術語“3D記憶體件”是指以下半導體裝置：其具有在橫向取向的基底上的垂直取向的存儲單元電晶體串（即，在本文中稱為“存儲串”），使得存儲串相對於基底沿垂直方向延伸。

底座110包括板體112和複數個感測器114。板體112具有支撐表面112a，其中，在製造製程中，當物件被放置到板體112上時，支撐表面112a是最接近對象（例如，晶圓）的表面，其中，支撐表面112a與物件直接接觸。板體112可以包括任何適當材料。例如，板體112可以由一種或多種剛性材料形成，但不限於此。感測器114設置在板體112中。換言之，感測器114設置在板體112的支撐表面之下並且面向板體112的支撐表面112a。

如圖1和圖2所示，感測器114可以包括第一感測器114a和第二感測器114b。可選地，感測器114可以進一步包括第三感測器114c、第四感測器114d、第五感測器114e、第六感測器114f、第七感測器114g和第八感測器114h，但不限於此。感測器114的數量可以是基於要求來設計的。如圖2所示，在頂視圖中，第一感測器114a和第二感測器114b相對於底座110的中心112b對稱，第三感測器114c和第四感測器114d相對於底座110的中心112b對稱，第五感測器114e和第六感測器114f相對於底座110的中心112b對稱，並且第七感測器114g和第八感測器114h相對於底座110的中心112b對稱，但不限於此。此外，在圖2中，透過第一感測器114a和第二感測器114b確定的（或者透過第七感測器114g和第八感測器114h確定的）假想連接線L12不平行於透過第三感測器114c和第四感測器114d確定的假想連接線L34或者透過第五感測器114e和第六感測器114f確定的假想連接線L56，並且假想連接線L34不平行於假想連接線L56，但不限於此。此外，假想連接線L12、假想連接線L34和假想連接線L56不相互垂直。感測器114的佈置可以是基於要求來設計的。

感測器114被配置為接收粒子束122（即，該實施例中的電子束）。在一些實施例中，感測器114中的每個感測器感測到感測器114接收粒子束122的時刻和/或粒子束122的能量強度，但不限於此。

如本文所使用的，術語“垂直度”是指在元素與底座110的支撐表面112a之間的垂直程度（或正交程度）。即，在下文中，“粒子束的垂直度”是指在粒子束122或粒子束122的前進方向與底座110的支撐表面112a之間的垂直程度。也就是說，“粒子束的垂直度”表示在底座110的支撐表面112a與粒子束122之間的垂直關係。此外，由於底座110的支撐表面112a的正交方向垂直於底座110的支撐表面112a，所以底座110的支撐表面112a的正交方向具有最大垂直度。

處理器130被配置為確定粒子束122相對於底座110的支撐表面112a的垂直度。在圖1中，處理器130電連接至感測器114和發射器120，使得處理器130可以從感測器114收集資料。在該實施例中，處理器130可以基於從感測器114收集的資料來計算至少一項校準資料，並且校準資料與粒子束122的垂直度有關。從感測器114收集的資料可以包括但不限於：粒子束122從發射器120到感測器114的傳輸時間（transmitting time）和/或由感測器114接收到的粒子束122的能量強度。在下文的內容當中將描述對粒子束122的垂直度的確定。

此外，在該實施例中，處理器130可以控制發射器120，諸如發射器120的位置、粒子束122的發射能量和/或發射器120的任何其他重要參數。此外，處理器130可以是包含計算功能的裝置。例如，處理器130可以是電腦或者積體電路，但不限於此。

更確切地來講，當處理器130確定粒子束122的前進方向不垂直於底座110的支撐表面112a時，可以調整底座110的斜率和/或發射器120的發射方向。在實施例中，處理器130可以直接調整底座110和/或發射器120，但不限於此。在另一實施例中，系統100可以進一步包括電連接至處理器130的調整元件，並且在處理器130確定粒子束122的前進方向不垂直於支撐表面112a時，可以透過調整元件來調整底座110和/發射器120。

如圖3所示，圖3是示出了根據本發明的實施例的用於校準粒子束的垂直度的方法的流程圖。應當認識到，圖3所示的流程圖是示例性的。在一些實施例中，可以同時或者按照與圖3所示的不同的順序來執行步驟中的一些步驟。在一些實施例中，可以在方法200中，在方法200的現有步驟中的一個步驟之前或之後添加任何其他適當步驟。關於下文的內容，將參考圖3描述方法200。然而，方法200不限於這些示例實施例。

為了更清楚地解釋方法200，進一步參考圖4和圖5。圖4是示出了根據本發明的第一實施例的處於一種條件下的校準方法的過程的示意圖，以及圖5是示出了根據本發明的第一實施例的處於另一種條件下的校準方法的過程的流程圖，其中，在圖4和圖5中，僅示出了所有感測器114中的第一感測器114a和第二感測器114b，以使得圖4和圖5簡單並且清楚，而圖4和圖5描述了第一實施例的校準方法。

在步驟210中，如圖3所示，提供了具有感測器114的底座110，其中，感測器114包括第一感測器114a和第二感測器114b。該實施例的感測器114可選地包括在圖4和圖5中未示出的第三感測器114c、第四感測器114d、第五感測器114e、第六感測器114f、第七感測器114g和第八感測器114h（圖2所示）。

在步驟220中，如圖3所示，粒子束122被從發射器120發射至底座110中的第一感測器114a，使得在第一感測器114a接收到粒子束122時，收集第一資料，其中，處理器130從第一感測器114a收集第一資料。在步驟230中，如圖3所示，粒子束122被從發射器120發射至底座110中的第二感測器114b，使得在第二感測器114b接收到粒子束122時，收集第二資料，其中，處理器130從第二感測器114b收集第二資料。

如圖4和圖5所示，在步驟220中，發射器120可以位於對應於第一感測器114a的位置P1處（如圖4和圖5中的粗線所示）並且對應地向第一感測器114a發射粒子束122（圖4和圖5中的粗箭頭）。當第一感測器114a接收到粒子束122時，處理器130從第一感測器114a收集第一資料。然後，發射器120可以位於對應於第二感測器114b的位置P2處（如圖4和圖5中的細線所示），並且對應地向第二感測器114b發射粒子束122（圖4和圖5中的細箭頭）。當第二感測器114b接收到粒子束122時，處理器130從第二感測器114b收集第二資料。此外，在步驟220和步驟230之間，方法200進一步包括用於將發射器120從對應於第一感測器114a的位置P1移動到對應於第二感測器114b的位置P2的步驟。

在該實施例中，第一資料可以包括粒子束122從在位置P1處的發射器120到第一感測器114a的傳輸時間，並且第二資料可以包括粒子束122從在位置P2處的發射器120到第二感測器114b的傳輸時間，但不限於此。

可選地，在該實施例中，發射器120可以移動到分別對應於第三、第四、第五、第六、第七和第八感測器114c-114h的位置，並且在對應的位置上分別向第三、第四、第五、第六、第七和第八感測器114c-114h發射粒子束122。類似地，處理器130在第三感測器114c接收到粒子束122時收集第三資料，處理器130在第四感測器114d接收到粒子束122時收集第四資料，處理器130在第五感測器114e接收到粒子束122時收集第五資料，處理器130在第六感測器114f接收到粒子束122時收集第六資料，處理器130在第七感測器114g接收到粒子束122時收集第七資料，以及處理器130在第八感測器114h接收到粒子束122時收集第八資料。在該實施例中，資料的每個資料可以包括粒子束122從發射器120到對應感測器114的傳輸時間。

注意，感測器114接收發射器120的發射的順序在本發明中不受限制。在一些實施例中，可以基於感測器114的佈置來設計順序，但不限於此。

在步驟240中，如圖3所示，基於第一資料和第二資料來計算第一校準資料，其中，第一校準資料是透過處理器130計算的。由於第一校準資料與粒子束122的垂直度有關，並且第一感測器114a和第二感測器114b確定假想連接線L12，因此可以透過第一校準資料，在平行於假想連接線L12的方向上對粒子束122的垂直度進行評估。

在該實施例中，由於第一資料包括粒子束122從發射器120到第一感測器114a的傳輸時間，並且第二資料包括粒子束122從發射器120到第二感測器114b的傳輸時間，因此如果分別包含在第一資料和第二資料中的兩個傳輸時間相等或者彼此接近，則在平行於假想連接線L12的方向上評估的粒子束122的垂直度足夠高。相反，如果兩個傳輸時間不相等或者不彼此接近，則在平行於假想連接線L12的方向上評估的粒子束122的垂直度不夠高，並且在該條件下製造的產品的品質可能較低。

關於基於第一資料和第二資料來計算的第一校準資料，如果第一校準資料處於第一預定範圍內，則在平行於假想連接線L12的方向上評估的粒子束122的垂直度足夠高；如果第一校準資料處於第一預定範圍之外，則在平行於假想連接線L12的方向上評估的粒子束122的垂直度不夠高。在該實施例中，第一校準資料是在第一資料和第二資料之間的差，但不限於此。在一些實施例中，第一預定範圍可以在第一資料或第二資料的5%到-5%、1%到-1%、0.5%到-0.5%、0.1%到-0.1%、0.05%到-0.05%或者0.01%到-0.01%的範圍內變動，但不限於此。在一些實施例中，由於第一校準資料是兩個傳輸時間的差，因此第一預定範圍可以處於兩個預定毫秒或兩個預定微秒的範圍內，但不限於此。

在圖4中，由於分別包含在第一資料和第二資料中的兩個傳輸時間相等或彼此接近，因此第一校準資料處於第一預定範圍內，並且在平行於假想連接線L12的方向上評估的粒子束122的垂直度足夠高。在圖5中，由於由發射器120發射的粒子束122的前進方向不垂直於底座112的支撐表面112a，因此在第一資料中包含的傳輸時間可能與第二資料中包含的傳輸時間有很大不同。例如，在圖5中，在第一資料中包含的傳輸時間明顯大於在第二資料中包含的傳輸時間，第一校準資料處於第一預定範圍之外，並且在平行於假想連接線L12的方向上評估的粒子束122的垂直度不夠高。

類似地，在該實施例中，可以基於第三資料和第四資料來計算第二校準資料，可以基於第五資料和第六資料來計算第三校準資料，以及可以基於第七資料和第八資料來計算第四校準資料。可以透過第二校準資料，在平行於假想連接線L34的方向上對粒子束122的垂直度進行評估，可以透過第三校準資料，在平行於假想連接線L56的方向上對粒子束122的垂直度進行評估，以及可以透過第四校準資料，在平行於假想連接線L12的方向上對粒子束122的垂直度進行評估。由於第二校準資料、第三校準資料和第四校準資料的計算方法、評估方法和範圍確定方法（即，確定第二預定範圍、第三預定範圍和第四預定範圍）與第一校準資料的類似，因此將不再對其進行多餘的描述。

在步驟250中，如圖3所示，如果第一校準資料處於第一預定範圍之外，則可以基於第一校準資料來調整底座110或發射器120。換言之，當在平行於假想連接線L12的方向上評估的粒子束122的垂直度不夠高時，可以對底座110和發射器120進行調整，使得提升粒子束122的垂直度。可以透過處理器130或者額外的調整元件來對底座110的斜率和/或發射器120的發射方向進行調整。

在圖4中，由於第一校準資料處於第一預定範圍內，因此不需要調整底座110和發射器120來提升在平行於假想連接線L12的方向上評估的粒子束122的垂直度。在圖5中，由於第一校準資料處於第一預定範圍之外，因此需要對底座110和/或發射器120進行調整，以用於提升在平行於假想連接線L12的方向上評估的粒子束122的垂直度。

類似地，如果第二校準資料處於第二預定範圍之外，則可以基於第二校準資料來對底座110和/或發射器120進行調整；如果第三校準資料處於第三預定範圍之外，則可以基於第三校準資料來對底座110和/或發射器120進行調整；如果第四校準資料處於第四預定範圍之外，則可以基於第四校準資料來對底座110和/或發射器120進行調整。

具體而言，在該實施例的方法200中，可以在分別平行於假想連接線L12、L34、L56的三個方向上評估粒子束122的垂直度。因此，可以更多地提升粒子束122的垂直度。作為結果，在執行方法200之後，粒子束122可以實質上垂直於底座110的支撐表面112a。在另一實施例中，可以在不相互平行的兩個或多於兩個的方向上評估粒子束122的垂直度。

此外，由於該實施例的第一感測器114a和第二感測器114b相對於底座110的中心112b可以是對稱的，因此基於第一資料和第二資料來計算的第一校準資料可以明確地表示在平行於假想連接線L12的方向上粒子束122的垂直度。類似地，由於第三感測器114c和第四感測器114d的對稱關係，基於第三資料和第四資料來計算的第二校準資料可以明確地表示在平行於假想連接線L34的方向上粒子束122的垂直度。本發明不限於上文。在另一個實施例中，感測器114關於底座110的中心112b可以不是對稱的。

參考圖6和圖7，圖6是示出了根據本發明的第二實施例的處於一種條件下的校準方法的過程的示意圖，以及圖7是示出了根據本發明的第二實施例的處於另一種條件下的校準方法的過程的示意圖，其中，在圖6和圖7中，僅以第一感測器114a和第二感測器114b對感測器進行了例示，以使圖6和圖7簡單並且清楚。如圖6和圖7所示，描述了第二實施例的校準方法200。在第一實施例和該實施例之間的差異在於：從對應感測器114收集的資料可以包括由對應的感測器114接收到的粒子束122的能量強度。也就是說，在圖6和圖7中，第一資料可以包括由第一感測器114a接收到的粒子束122的能量強度，以及第二資料可以包括由第二感測器114b接收到的粒子束122的能量強度。

在該實施例中，如果分別包含在第一資料和第二資料中的兩個能量強度相等或者彼此接近，則在平行於假想連接線L12的方向上評估的粒子束122的垂直度足夠高。在該條件下，第一校準資料處於第一預定範圍內。相反，如果兩個能量強度不相等或者不彼此接近，則在平行於假想連接線L12的方向上評估的粒子束122的垂直度不夠高，並且在該條件下製造的產品的品質可能較低。在該條件下，第一校準資料處於第一預定範圍之外。

在圖6中，由於分別包含在第一資料和第二資料中的兩個能量強度相等或彼此接近，因此第一校準資料處於第一預定範圍內，使得不需要對底座110和發射器120進行調整來提升在平行於假想連接線L12的方向上評估的粒子束122的垂直度。在圖7中，由於由發射器120發射的粒子束122的前進方向不垂直於底座112的支撐表面112a，因此在第一資料中包含的能量強度可以與在第二資料中包含的能量強度有很大不同。例如，在圖7中，在第一資料中包含的能量強度明顯大於在第二資料中包含的能量強度，第一校準資料處於第一預定範圍之外，並且需要調整底座110和/或發射器120來提升在平行於假想連接線L12的方向上評估的粒子束122的垂直度。

此外，由於圖6中的粒子束122按照正交入射的方式照射感測器114，以及圖7中的粒子束122按照傾斜入射的方式照射感測器114，因此圖6中的第一資料和第二資料的能量強度大於圖7中的第一資料和第二資料的能量強度。相應地，如果能量強度小於預定值，則粒子束122的垂直度不夠高。

此外，在該實施例中，感測器114可以可選地包括準直器150。因此，如果粒子束122按照傾斜入射的方式照射感測器114（如圖7所示），則根據粒子束122的入射角以及在發射器120和準直器150之間的位置關係，粒子束122可能相應地被準直器150阻擋，使得由感測器114接收到的能量強度可能基於粒子束122的入射角而明顯不同。作為結果，可以基於這些不同資料來準確地檢測粒子束122的垂直度。在另一實施例中，感測器114可以不包括準直器150。

總之，本發明提供了用於校準粒子束的垂直度的方法和系統。粒子束的垂直度可以是基於在底座的感測器中收集的資料來確定的，使得如果前進方向不垂直於底座，則能夠基於資料來調整底座和發射器。作為結果，能夠提高在底座上製造的產品的品質。

上文對具體實施例的描述將充分揭示本公開內容的概括性質，使得本領域技術人員不需要過多的試驗就能夠透過應用本領域的技能內的知識來容易地針對各種應用修改和/或調整這樣的具體實施例，而不脫離本公開內容的一般原理。因此，基於文中提供的教導和指引這樣的調整和修改旨在落在所公開的實施例的含義以及等價方案的範圍內。應當理解，文中的措辭或術語是為了達到描述而非限定目的，使得本領域技術人員應當根據教導和指引對本說明書的術語或措辭進行解釋。

上文借助於用於說明所指定的功能及其關係的實現方式的功能方塊，已經描述了本公開的實施例。為了描述的方便起見，任意地定義了這些功能方塊的邊界。可以定義替代邊界，只要適當地執行指定功能及其關係。

發明內容部分和摘要部分可以闡述了發明人設想的本公開內容的一個或複數個示範性實施例，而非全部的示範性實施例，並且因此，不意在透過任何方式對本公開內容和所附申請專利範圍構成限制。

本公開內容的寬度和範圍不應由上述示例性實施例中的任何示例性實施例限制，而是應該僅根據所附申請專利範圍及其等同物來界定。

100:系統 110:底座 112:板體 112a:支撐表面 114:感測器 114a:第一感測器 114b:第二感測器 114c:第三感測器 114d:第四感測器 114e:第五感測器 114f:第六感測器 114g:第七感測器 114h:第八感測器 120:發射器 122:粒子束 130:處理器 150:準直器 200:方法 210、220、230、240、250:步驟 L12、L34、L56:假想連接線 P1、P2:位置

圖1是示出了根據本發明的實施例的系統的示意圖。圖2是示出了根據本發明的實施例的底座的頂視圖的示意圖。圖3是示出了根據本發明的實施例的用於校準粒子束的垂直度的方法的流程圖。圖4是示出了根據本發明的第一實施例的處於一種條件下的校準方法的過程的示意圖。圖5是示出了根據本發明的第一實施例的處於另一種條件下的校準方法的過程的示意圖。圖6是示出了根據本發明的第二實施例的處於一種條件下的校準方法的過程的示意圖。圖7是示出了根據本發明的第二實施例的處於另一種條件下的校準方法的過程的示意圖。

100:系統

110:底座

112:板體

112a:支撐表面

114:感測器

114a:第一感測器

114b:第二感測器

114g:第七感測器

114h:第八感測器

120:發射器

122:粒子束

130:處理器

Claims

一種用於校準粒子束的垂直度的方法，所述方法包括：提供具有第一感測器和第二感測器的底座；將所述粒子束從發射器發射至所述底座中的所述第一感測器，使得在所述第一感測器接收到所述粒子束時，收集第一資料；將所述粒子束從所述發射器發射至所述底座中的所述第二感測器，使得在所述第二感測器接收到所述粒子束時，收集第二資料；基於所述第一資料和所述第二資料來計算第一校準資料；以及如果所述第一校準資料處於第一預定範圍外，則基於所述第一校準資料來調整所述底座或所述發射器。
如請求項1所述的方法，其中，所述第一資料包括所述粒子束從所述發射器到所述第一感測器的傳輸時間，並且所述第二資料包括所述粒子束從所述發射器到所述第二感測器的傳輸時間。
如請求項1所述的方法，其中，所述第一資料包括由所述第一感測器接收的所述粒子束的能量強度，並且所述第二資料包括由所述第二感測器接收的所述粒子束的能量強度。
如請求項1所述的方法，其中，在將所述粒子束發射至所述第一感測器的步驟以及將所述粒子束發射至所述第二感測器的步驟之間，所述方法還包括：將所述發射器從對應於所述第一感測器的位置移動到對應於所述第二感測器的位置。
如請求項1所述的方法，其中，所述第一校準資料是所述第一資料和所述第二資料之間的差。
如請求項1所述的方法，其中，所述第一感測器和所述第二感測器相對於所述底座的中心是對稱的。
如請求項1所述的方法，其中，所述底座還具有第三感測器和第四感測器，並且所述方法還包括：將所述粒子束從所述發射器發射至所述底座中的所述第三感測器，使得在所述第三感測器接收到所述粒子束時，收集第三資料；將所述粒子束從所述發射器發射至所述底座中的所述第四感測器，使得在所述第四感測器接收到所述粒子束時，收集第四資料；以及基於所述第三資料和所述第四資料來計算第二校準資料，其中，在調整所述底座或所述發射器的步驟中，如果所述第二校準資料處於第二預定範圍之外，則所述底座或所述發射器是進一步基於所述第二校準資料來調整的。
如請求項7所述的方法，其中，透過所述第一感測器和所述第二感測器確定的假想連接線不平行於透過所述第三感測器和所述第四感測器確定的假想連接線。
如請求項1所述的方法，其中，所述第一感測器和所述第二感測器個別地包括準直器。
如請求項1所述的方法，其中，所述底座被配置為支撐晶圓。
如請求項1所述的方法，其中，所述粒子束包括電子束。
一種應用於半導體製造製程的系統，包括：發射器，其被配置為發射粒子束；底座，其包括：具有表面的板體；以及設置在所述板體的所述表面之下並且面向所述板體的所述表面的第一感測器和第二感測器，其中，所述第一感測器和所述第二感測器被配置為接收所述粒子束；以及處理器，其電連接至所述第一感測器、所述第二感測器和所述發射器，其中，所述處理器被配置為確定所述粒子束相對於所述底座的所述板體的所述表面的垂直度。
如請求項12所述的系統，其中，所述第一感測器和所述第二感測器相對於所述底座的中心是對稱的。
如請求項13所述的系統，其中，所述底座還包括設置在所述板體的所述表面之下並且面向所述板體的所述表面的第三感測器和第四感測器，其中，所述第三感測器和所述第四感測器相對於所述底座的所述中心是對稱的。
如請求項14所述的系統，其中，透過所述第一感測器和所述第二感測器確定的假想連接線不平行於透過所述第三感測器和所述第四感測器確定的假想連接線。
如請求項12所述的系統，其中，所述第一感測器和所述第二感測器個別地包括準直器。
如請求項12所述的系統，其中，所述底座被配置為支撐晶圓。
如請求項12所述的系統，其中，所述粒子束包括電子束。