KR100885182B1 - 에미션 분석 장치 및 불량 분석 방법 - Google Patents

에미션 분석 장치 및 불량 분석 방법 Download PDF

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Abstract

에미션 분석 장치 및 불량 분석 방법을 제공한다. 이 장치는 챔버와, 상기 챔버 내에 설치되어 검사 대상가 놓여지는 스테이지를 포함한다. 상기 챔버에는 상기 검사 대상의 이미지를 획득하는 주사전자현미경(SEM; Scanning Electron Microscope) 컬럼 및 상기 검사 대상의 발광을 검출하는 에미션 검출기(emission detector) 컬럼이 설치되어 있다. 이 방법에 따르면, 고배율의 에미션 분석이 가능하고, 검사 대상에서 에미션 포인트를 정확하게 찾을 수 있다. 또한, 검사 대상에서 에미션 포인트의 물리적 구조를 분석할 수 있어 결함 분석을 위한 시간을 단축할 수 있다.
에미션, 주사전자현미경, 불량분석

Description

에미션 분석 장치 및 불량 분석 방법{EMISSION DETECTING ANALYSIS SYSTEM AND METHOD OF DETECTING EMISSION ON AN OBJECT}
도 1 및 도 2는 종래기술에 따른 에미션 분석 장치를 설명하기 위한 도면.
도 3 및 도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 에미션 분석 장치를 나타낸 도면.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 에미션 분석 과정을 설명하기 위한 이미지.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 에미션 분석 방법을 설명하기 위한 흐름도.
본 발명은 불량 분석 장치 및 불량 분석 방법에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 에미션 분석 장치 및 불량 분석 방법에 관한 것이다.
에미션 분석 방법은 검사 대상으로부터 방출되는 광자를 검출하여 검사 대상의 결함 위치를 찾는 것으로서, 전자 회로에서 배선의 비정상적 단락 및 단선에서 전하의 이동 또는 집중으로 인해 발생되는 광자를 검출하여 결함의 위치를 찾아낼 수 있다.
도 1에 도시된 것과 같이, 종래의 에미션 분석 장치는 검사 대상(12)이 놓여지는 스테이지(10)와, 스테이지(10) 상부에 설치되어 검사 대상(12)을 확대하는 광학현미경(14)와, 광학 현미경(14)에 연결되어 검사 대상(12)의 이미지를 획득하는 CCD카메라(16), 및 검사 대상(12)으로부터 방출되는 광자를 검출하는 에미션 검출기(18)로 구성된다.
검사 대상(12)에 형성된 배선에 소정의 전류를 흘려주면, 단락 또는 단선된 부분에서 전류의 누설이 발생되어 그 지점에서 소량의 광자가 방출된다. 이 때 방출되는 광자를 에미션 검출기(18)를 사용하여 검출하여 에미션 포인트를 찾아내고, CCD카메라(16)에서 얻어진 이미지에 오버랩하여 결함의 위치를 알아낼 수 있다.
도 2는 종래기술에 따른 에미션 분석 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 2를 참조하면, 검사 대상에서 획득된 이미지(20)은 복잡한 구조물, 예컨대 배선 패턴(22)을 보여준다. 이에 비해, 에미션 검출기에서 획득된 불량 이미지(30)는 주변(34)과 다른 밝기의 에미션 포인트(32)를 보여준다. 이들 두 이미지를 결합(superimpose)하여 CCD카메라로 촬영된 대상물의 이미지(20)에 에미션 포인트(32)가 표시된 결과물을 얻을 수 있다.
종래에는 검사 대상의 이미지 및 에미션 이미지를 광학현미경을 통해 얻을 수 있기 때문에 광학현미경의 배율 한계로 인해 미세회로의 불량 위치에 대한 해상도가 낮은 문제가 있다. 이로 인해, 반도체 장치 등의 미세회로에서 에미션 포인트를 찾아내고, 검사 대상을 따로 설치된 주사전자현미경으로 옮겨 불량 위치를 다시 찾아야하는 어려움이 있다. 또한, 광학적 분해능의 한계로 인해 검출된 결함위치가 패턴의 어느 부분인지 판단하기 어려운 문제점 및 에미션 포인트 측정과 결함 분석 장비가 별개로 설치되어 있어 결함 분석 장비에서 에미션 포인트의 위치를 찾아내는 것이 어려운 점 등이 있다.
본 발명의 기술적 과제는 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 고배율의 에미션 분석이 가능한 에미션 분석 장치 및 에미션 분석 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 기술적 과제는 검사 대상에서 에미션 포인트를 정확하게 찾을 수 있고, 검사 대상에서 에미션 포인트의 물리적 구조를 분석할 수 있는 에미션 분석 장치 및 에미션 분석 방법을 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제들을 달성하기 위하여 본 발명은 주사전자현미경과 에미션 검출기가 결합된 에미션 분석 장치를 제공한다. 이 장치는 챔버와, 상기 챔버 내에 설치되어 검사 대상이 놓여지는 스테이지를 포함한다. 상기 챔버에는 상기 검사 대상의 이미지를 획득하는 주사전자현미경(SEM; Scanning Electron Microscope) 컬럼 및 상기 검사 대상의 발광을 검출하는 에미션 검출기(emission detector) 컬럼이 설치되어 있다.
본 발명에서 상기 스테이지는 수평 이동 및 회전 이동이 가능한 구조로 설치될 수 있고, 상기 주사전자현미경 컬럼 및 상기 에미션 검출기 컬럼은 그 축이 상 기 스테이지에 대해 다른 각도로 배치되어 서로 기울어져 설치될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 챔버에는 집속이온빔(FIB)컬럼이 더 설치될 수 있다. 상기 집속이온빔 컬럼의 축은 상기 주사현미경 컬럼 및 상기 에미션 검출기 컬럼의 축과 기울어져 설치될 수 있다.
상기 기술적 과제들을 달성하기 위하여 본 발명은 주사전자현미경 이미지와 에미션 이미지를 결합하여 에미션 포인트를 검출하는 에미션 분석 방법을 제공한다. 이 방법은 검사 대상의 SEM 이미지를 획득하는 단계와, 에미션 검출기를 사용하여 검사 대상에서 검출된 에미션 포인트가 표시된 불량 이미지를 획득하는 단계 및 상기 불량 이미지와 상기 SEM 이미지를 오버랩하여 SEM 이미지에 에미션 포인트를 표시하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 에미션 분석 장치를 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 제 1 실시예에 따른 에미션 분석 장치(100)은 챔버(90)과, 상기 챔버(90) 내에 설치되어 검사 대상(112)이 놓여지는 스테이지(110)와, 상기 스테이지(110) 전방에 상기 챔버(90)에 설치된 주사전자현미경 컬럼(114) 및 에미션 검출기 컬럼(118)을 포함한다. 상기 주사전자현미경 컬럼(114)의 축(A1)과 상기 에미션 검출기 컬럼(118)의 축(A2)은 소정 각도 기울어져 설치된다.
상기 에미션 검출기 컬럼(118)은 배율이 다른 복수개의 대물 렌즈(116)를 포함하는 대물 렌즈 유닛을 포함한다. 상기 스테이지(110)은 스테이지면에 평행한 회전축(A3) 및 스테이지면에 수직한 회전축(A4)을 가지고 회전 가능한 구조를 가진다. 또한, 상기 스테이지(110)은 스테이지면의 직교 좌표 축(D1, D2)을 따라 평행 이동이 가능한 구조를 가진다.
상기 스테이지(110)은 주사전자현미경 이미지를 획득하는 단계에서, 상기 주사전자현미경 컬럼의 축(A1)과 스테이지면이 수직으로 배치될 수 있고, 축(A3)을 중심으로소정각도 회전된 스테이지(110')의 스테이지면은 에미션 검출 시에 상기 에미션 검출기 컬럼의 축(A2)과 수직으로 배치될 수 있다. 주사전자현미경 이미지 획득 및 에미션 검출시 상기 스테이지(110)는 각각 스테이지면과 평행한 방향(D1, D2)으로 평행 이동할 수 있고, 축(A4)을 중심으로 회전하여 검사 대상의 위치를 변경할 수 있다.
본 발명에서, 상기 에미션 검출기 컬럼(118)에는 에미션이 검출된 불량 이미지를 확대하거나 축소하는 이미지 프로세서(120)과 에미션이 검출된 포인트의 정확도를 높이기 위해서 소정 레벨 이상의 강도, 즉 에미션 포인트의 밝기 이하를 필터링하여 제거하는 이미지 필터(130)을 구비하고 있고, 이미지 필터(130)에서 필터링이 된 최종 불량 이미지와 상기 주사전자현미경 컬럼(114)에서 획득된 이미지를 오버랩하여 에미션 포인트를 주사전자현미경 이미지에 표시하는 결합기(superimposor; 140)이 구비되어 있다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예예 따른 에미션 분석 장치를 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 제 2 실시예에 따른 에미션 분석 장치(200)은 챔버(190)과, 상기 챔버(190) 내에 설치되어 검사 대상(212)이 놓여지는 스테이지(210)와, 상기 스테이지(210) 전방에 상기 챔버(190)에 설치된 주사전자현미경 컬럼(214), 에미션 검출기 컬럼(218) 및 집속이온빔(FIB) 컬럼(222)을 포함한다. 상기 주사전자현미경 컬럼(214)의 축(A1), 상기 에미션 검출기 컬럼(218)의 축(A2) 및 상기 집속이온빔 컬럼(222)의 축(A3)은 소정 각도 기울어져 설치된다.
상기 에미션 검출기 컬럼(218)은 배율이 다른 복수개의 대물 렌즈(216)를 포함하는 대물 렌즈 유닛을 포함한다. 상기 스테이지(210)은 스테이지면에 평행한 회전축(A3) 및 스테이지면에 수직한 회전축(A4)을 가지고 회전 가능한 구조를 가진다. 또한, 상기 스테이지(210)은 스테이지면의 직교 좌표 축(D1, D2)을 따라 평행 이동이 가능한 구조를 가진다.
상기 스테이지(210)은 주사전자현미경 이미지를 획득하는 단계에서, 상기 주사전자현미경 컬럼의 축(A1)과 스테이지면이 수직으로 배치될 수 있고, 축(A3)을 중심으로 소정각도 회전된 스테이지(210')의 스테이지면은 에미션 검출 시에 상기 에미션 검출기 컬럼의 축(A2)과 수직으로 배치될 수 있다. 또한, 축(A3)을 중심으로 다른 각도로 회전된 스테이지(210")의 스테이지면은 집속이온빔 식각시 상기 집속이온빔의 축(A3)에 수직으로 배치될 수 있다. 주사전자현미경 이미지 획득, 에미션 검출 및 집속이온빔 식각시 상기 스테이지(210, 210', 210")는 각각 스테이지면 과 평행한 방향(D1, D2, D3)으로 평행 이동할 수 있고, 축(A4)을 중심으로 회전하여 검사 대상의 위치를 변경할 수 있다.
본 발명에서, 상기 에미션 검출기 컬럼(218)에는 에미션이 검출된 불량 이미지를 확대하거나 축소하는 이미지 프로세서(220)과 에미션이 검출된 포인트의 정확도를 높이기 위해서 소정 레벨 이상의 강도, 즉 에미션 포인트의 밝기 이하를 필터링하여 제거하는 이미지 필터(230)을 구비하고 있고, 이미지 필터(230)에서 필터링이 된 최종 불량 이미지와 상기 주사전자현미경(214)에서 획득된 이미지를 오버랩하여 에미션 포인트를 주사전자현미경 이미지에 표시하는 결합기(superimposor; 2240)이 구비되어 있다. 또한, 주사전자현미경 이미지에서 표시된 에미션 포인트를 검사 대상에서 찾아내어 집속이온빔 식각을 제어하는 집속이온빔 제어부(250)가 구비되어 있다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 에미션 분석 방법을 설명하기 위한 이미지이다.
도 8 은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 에미션 분석 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 8을 참조하면, 도 5에 도시된 것과 같이 검사대상의 주사전자현미경(SEM)이미지(320)을 획득한다(S1 단계). 주사전자현미경은 광학현미경에 비해 분해능이 좋아 높은 배율로 확대된 이미지를 얻을 수 있다. 주사전자현미경 이미지와 별개로 검사대상으로부터 검출된 에미션 포인트(332)가 표시된 불량이미지(도 5의 330)를 에미션 검출기에서 획득한다(S2 단계). 이 때, 에미션 검출기 컬럼에 설치된 대물 렌즈들 중 배율을 선택하여 불량이미지를 획득할 수 있다. 불량이미지는 검사 대상에서 방출되는 광자 또는 열을 감지하여 에미션 포인트(332)가 주변의 다른 부분(334)과 다른 밝기를 갖는다. 계속해서, 상기 불량 이미지(330)와 상기 주사전자현미경 이미지(320)를 오버랩하여 도 6에 도시된 것과 같이 주사전자현미경 이미지에 에미션 포인트를 표시한다(S3 단계). 본 발명에서 주사전자현미경 이미지(320)를 획득할 때에는 검사 대상이 놓여진 스테이지면이 주사전자현미경 컬럼의 축에 수직하도록 배치하고, 스테이지면이 에미션 검출기 컬럼의 축에 수직하도록 스테이지를 회전하여 불량 이미지를 획득할 수 있다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 에미션 분석 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 9를 참조하면, 제 2 실시예에 따른 에미션 분석 방법은 제 1 실시예와 마찬가지로 검사 대상의 주사전자현미경 이미지(320)을 획득하는 단계(S11 단계)를 포함한다. 주사전자현미경 이미지와 별개로 검사대상으로부터 검출된 에미션 포인트(332)가 표시된 불량이미지(도 5의 330)를 에미션 검출기에서 획득한다(S12 단계). 이 때, 에미션 검출기 컬럼에 설치된 대물 렌즈의 배율을 선택하여 불량 이미지를 획득할 수 있다. 불량이미지는 검사 대상에서 방출되는 광자 또는 열을 감지하여 에미션 포인트(332)가 주변의 다른 부분(334)과 다른 밝기를 갖는다.
주사전자현미경은 에미션 검출기에 비해 높은 배율을 가질 수 있다. 따라서, 주사전자현미경 이미지(320)은 불량 이미지(330)에 비해 배율이 높을 수 있다. 본 발명은 상기 주사전저현미경 이미지(320)과 상기 불량 이미지(330)의 배율이 동일 하도록, 상기 불량 이미지(330)를 처리하여 불량 이미지(330)를 확대하는 단계(S13 단계)를 더 포함할 수 있다. 이 때, 확대된 불량 이미지에서 에미션 포인트가 확대되어 그 위치를 정확성이 떨어질 수 있다. 따라서, 이를 보정하기 위하여 확대된 에미션 포인트를 필터링하여 에미션 포인트의 정밀도를 높이는 단계(S14 단계)를 포함하는 것이 바람직하다. 에미션 포인트는 방출되는 광자 및 열의 강도에 따라 밝기가 다르기 때문에, 확대된 에미션 포인트에서 소정 강도(소정 밝기) 이하의 부분을 필터링하여 제거함으로써 정밀도를 높일 수 있다. 계속해서, 상기 불량 이미지(330)와 상기 주사전자현미경 이미지(320)를 오버랩하여 도 6에 도시된 것과 같이 주사전자현미경 이미지에 에미션 포인트를 표시한다(S15 단계). 본 발명에서 주사전자현미경 이미지(320)를 획득할 때에는 검사 대상이 놓여진 스테이지면이 주사전자현미경 컬럼의 축에 수직하도록 배치하고, 스테이지면이 에미션 검출기 컬럼의 축에 수직하도록 스테이지를 회전하여 불량 이미지를 획득할 수 있다.
도 10은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 에미션 분석 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예는 상술한 제 1 및 제 2 실시예에 따라, 검사 대상의 주사전자현미경 이미지를 획득하는 단계(S21 단계), 에미션 검출기에서 검사 대상에서 검출된 에미션 포인트가 표시된 불량 이미지를 획득하는 단계(S22 단계), 불량 이미지와 주사전자현미경 이미지를 오버랩하여 주사전자현미경 이미지에 발광 포인트를 표시하는 단계(S23 단계)를 포함한다.
상기 주사전자현미경 이미지와 불량 이미지가 오버랩된 이미지를 참고하여 검사 대상에서 에미션 포인트를 찾는다(S24). 상기 검사 대상의 에미션 포인터를 FIB를 이용하여 식각함으로써 도 7에 도시된 것과 같이 결함(342)의 물리적 구조를 분석할 수 있다(S25).
본 발명에서, FIB를 이용하여 에미션 포인트를 식각한 후 본 발명의 에미션 분석 장치에 설치된 주사전자현미경을 사용하여 식각된 부분의 이미지를 획득하여 물리적 구조를 분석할 수 있다. 또한, 상기 스테이지를 소정 각도로 회전하여 FIB 식각 단면의 구조까지 분석할 수 있다.
상술한 것과 같이 본 발명에 따르면, 고배율의 에미션 분석이 가능하고, 검사 대상에서 에미션 포인트를 정확하게 찾을 수 있다.
또한, 검사 대상에서 에미션 포인트의 물리적 구조를 분석할 수 있어 결함 분석을 위한 시간을 단축할 수 있다.

Claims (19)

  1. 진공챔버;
    상기 챔버 내에 설치되어 검사 대상이 놓여지는 스테이지;
    상기 챔버에 설치되어 상기 검사 대상의 이미지를 획득하는 주사전자현미경(SEM; Scanning Electron Microscope) 컬럼; 및
    상기 챔버에 설치되어 상기 검사 대상의 발광을 검출하는 에미션 검출기(emission detector) 컬럼을 포함하는 에미션 분석 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 스테이지는 스테이지면에 평행한 회전축을 가지며 소정 각도 회전 가능한 것을 특징으로 하는 에미션 분석 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 SEM 컬럼 및 상기 에미션 검출기 컬럼은 상기 스테이지 전방에 배치되고, 상기 에미션 검출기 컬럼의 축은 상기 SEM 컬럼의 축에 대해 소정 각도 기울어져 설치된 것을 특징으로 하는 에미션 분석 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 스테이지는 소정 각도 회전 가능하여, 상기 SEM 컬럼의 축 및 상기 에 미션 검출기 컬럼의 축에 대한 스테이지면의 각도 조절이 가능하는 것을 특징으로 하는 에미션 분석 장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 스테이지는 스테이지면에 수직한 회전축을 가지며 소정 각도 회전 가능한 것을 특징으로 하는 에미션 분석 장치.
  6. 청구항 1 내지 5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스테이지는 스테이지면에 평행한 직교 좌표 축을 따라 평행 이동이 가능한 것을 특징으로 하는 에미션 분석 장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 에미션 검출기 컬럼은 대물렌즈 유닛을 포함하되, 상기 대물렌즈 유닛은 배율이 다른 복수개의 대물 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 에미션 분석 장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 에미션 검출기에서 검출된 에미션 이미지를 처리하여 배율을 조정하는 이미지 프로세서;
    확대된 에미션 이미지를 필터링하여 에미션 포인트의 정밀도를 높이는 이미 지 필터; 및
    SEM 이미지와 에미션 이미지를 결합하여 SEM 이미지에 에미션 포인트를 표시하는 결합기(superimposor)를 더 포함하는 에미션 분석 장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 챔버에 설치되어 에미션 포인트를 식각하는 집속이온빔(FIB; Focussed Ion Beam) 컬럼을 더 포함하는 에미션 분석 장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 FIB 컬럼은 상기 스테이지 전방에 설치되고, 상기 FIB 컬럼의 축은 상기 SEM 컬럼의 축 및 상기 에미션 검출기 컬럼의 축에 대해 소정 각도 기울어진 것을 특징으로 하는 에미션 분석 장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 스테이지는 소정 각도 회전 가능하여, 상기 FIB 컬럼의 축, 상기 SEM 컬럼의 축 및 상기 에미션 검출기 컬럼의 축에 대한 스테이지면의 각도 조절이 가능하는 것을 특징으로 하는 에미션 분석 장치.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 스테이지는 스테이지면에 평행한 회전축 및 스테이지면에 직교한 회전 축을 가지며 회전 가능하고, 스테이지면에 평행한 직교 좌표축을 따라 평행 이동이 가능한 것을 특징으로 하는 에미션 분석 장치.
  13. 검사 대상의 SEM 이미지를 획득하는 단계;
    에미션 검출기를 사용하여 검사 대상에서 검출된 에미션 포인트가 표시된 불량 이미지를 획득하는 단계; 및
    상기 불량 이미지와 상기 SEM 이미지를 오버랩하여 SEM 이미지에 에미션 포인트를 표시하는 단계를 포함하는 에미션 분석 방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    검사 대상이 놓여지는 스테이지 전방에 SEM 컬럼과 에미션 검출기 컬럼을 소정 각도 기울여 설치하고,
    상기 SEM 컬럼의 축과 스테이지면이 직교되도록 상기 스테이지의 각도를 조절하여 SEM 이미지를 획득하고, 상기 에미션 검출기 컬럼의 축과 스테이지면이 직교되도록 상기 스테이지 각도를 조절하여 에미션 포인트를 검출하는 것을 특징으로 하는 에미션 분석 방법.
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 검사 대상에 대한 SEM 이미지의 배율과 동일한 배율이 되도록 상기 불량 이미지의 배율을 조정하는 단계를 더 포함하되,
    상기 불량 이미지와 상기 SEM 이미지를 오버랩하여 SEM 이미지에 불량 포인트를 표시하는 것을 특징으로 하는 에미션 분석 방법.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 에미션 검출기에서 획들된 불량 이미지보다 배율이 확대 조정된 불량 이미지의 에미션 포인트를 필터링하여 발광 포인트의 위치 정밀도를 높이는 단계를 더 포함하는 에미션 분석 방법.
  17. 청구항 16에서,
    상기 확대된 발광 포인트의 밝기를 측정하여 소정 밝기 이하 부분을 필터링하여 제거하는 것을 특징으로 하는 에미션 분석 방법.
  18. 청구항 13에 있어서,
    상기 검사 대상의 에미션 포인트를 FIB를 사용하여 식각하여 결함의 물리적 구조를 분석하는 단계를 더 포함하는 에미션 분석 방법.
  19. 청구항 18에 있어서,
    검사 대상이 놓여지는 스테이지 전방에 FIB 컬럼, SEM 컬럼 및 에미션 검출기 컬럼을 소정 각도 기울여 설치하고,
    상기 SEM 컬럼의 축과 스테이지면이 직교되도록 상기 스테이지의 각도를 조절하여 SEM 이미지를 획득하고, 상기 에미션 검출기 컬럼의 축과 스테이지면이 직교되도록 상기 스테이지 각도를 조절하여 에미션 포인트를 검출하고,
    상기 FIB 컬럼의 축과 스테이지면이 직교되도록 상기 스테이지 각도를 조절하여 상기 검사 대상을 식각하는 것을 특징으로 하는 에미션 분석 방법.
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