JP2000058626A - ウエハの処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置の製造技術などに使用されている
ウエハ処理装置におけるウエハの処理方法において、ウ
エハをウエハハンドリングアームによって取り扱う際
に、ウエハの表面に堆積する異物を防止できるウエハの
処理方法を提供する。 【解決手段】 ウエハ処理装置を使用したウエハの処理
方法であって、ウエハ１の表面が鉛直下向きになるよう
にウエハキャリア２にウエハ１をセットし、ウエハキャ
リア２からウエハ１をウエハハンドリングアーム３によ
り取り除いたり、ウエハキャリア２にウエハ１をウエハ
ハンドリングアーム３によりセットする場合、ウエハ１
の裏面をウエハハンドリングアーム３に吸着してウエハ
１をウエハハンドリングアーム３によって移動させるも
のである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハの処理方法
に関し、特に、半導体装置の製造技術に使用されている
ウエハ処理装置におけるウエハの処理方法であって、ウ
エハをウエハハンドリングアームによって取り扱う際
に、ウエハの表面に堆積する異物を防止できるウエハの
処理方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】本発明者は、半導体装置の製造技術に使
用されているウエハ処理装置におけるウエハの処理方法
について検討した。以下は、本発明者によって検討され
た技術であり、その概要は次のとおりである。

【０００３】すなわち、半導体装置の製造技術に使用さ
れている例えばウエハの検査装置は、ウエハの表面が鉛
直（垂直）上向きになるようにセットしたウエハキャリ
アをロードアンロード部分にセットし、ウエハハンドリ
ングアームによりウエハの裏面を吸着してウエハをウエ
ハキャリアから抜き出し、ウエハを試料台にセットして
いる。

【０００４】その後、試料台にセットされているウエハ
の検査を行った後、ウエハハンドリングアームによりウ
エハの裏面を吸着してウエハを試料台から取り除いて、
ウエハキャリアにウエハをセットしている。

【０００５】また、前述したウエハの検査装置のウエハ
の処理の他の態様として、ウエハの表面が鉛直上向きに
なるようにセットしたウエハキャリアをロード側とアン
ロード側の２つのウエハキャリアがセットされているも
のがある。

【０００６】この場合、ロード側のウエハキャリアから
ウエハをウエハハンドリングアームにより取り出す際
は、最下段のスロット（細長いみぞ）から順次上に進
め、アンロード側のウエハキャリアにウエハをウエハハ
ンドリングアームによりセットする際は、最上段のスロ
ットから順次下に進める方法が採用されている。

【０００７】なお、ウエハの検査装置について記載され
ている文献としては、例えば１９９１年９月２８日、日
刊工業新聞社発行の「半導体製造装置用語辞典」ｐ４３
に記載されているものがある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前述したウ
エハの検査装置について、以下に記載するような種々の
問題点があることを本発明者が見い出した。

【０００９】すなわち、前述したウエハの検査装置にお
いては、ウエハをウエハキャリアからウエハハンドリン
グアームを用いて試料台にセットしたり、ウエハを試料
台からウエハハンドリングアームを用いてウエハキャリ
アにセットしている際に、ウエハの表面が鉛直上向きに
なるようにセットしたウエハキャリアがロードアンロー
ド部分にセットされていることにより、ウエハハンドリ
ングアームのウエハ裏面着脱時に発生する塵埃が下のウ
エハに落下するので、ウエハの表面に堆積する異物が多
く出現するという問題点が発生している。

【００１０】また、前述したウエハの検査装置のウエハ
の処理の他の態様として、ウエハの表面が鉛直上向きに
なるようにセットしたウエハキャリアをロード側とアン
ロード側の２つのウエハキャリアがセットされている場
合、ウエハキャリアにあるウエハをウエハハンドリング
アームを用いて抜き取る際に、落下異物によって生じる
下のウエハの不良を防ぐことを完全に実施しょうとする
と、ハンドリングの必要のないウエハまで動かすことが
必要となることにより、ウエハの不良のポテンシャルが
高くなり、しかも無駄な処理時間が多くなることにより
処理時間も多くなるという問題点が発生している。

【００１１】本発明の目的は、半導体装置の製造技術な
どに使用されているウエハ処理装置におけるウエハの処
理方法において、ウエハをウエハハンドリングアームに
よって取り扱う際に、ウエハの表面に堆積する異物を防
止できるウエハの処理方法を提供することにある。

【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１４】すなわち、本発明のウエハの処理方法は、
ウエハ処理装置を使用したウエハの処理方法であって、
ウエハの表面が鉛直下向きになるようにウエハキャリア
にウエハをセットし、ウエハキャリアからウエハをウエ
ハハンドリングアームにより取り除いたり、ウエハキャ
リアにウエハをウエハハンドリングアームによりセット
する場合、ウエハの裏面をウエハハンドリングアームに
吸着してウエハをウエハハンドリングアームによって移
動させるものである。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、重複説明は省略する。

【００１６】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１であるウエハの処理方法に使用されているウエハ
の検査装置を一部断面化して示す概略側面図である。図
２は、図１におけるウエハキャリアを拡大して示す概略
斜視図である。図３は、図２におけるＡ−Ａ矢視断面を
示す模式的断面図である。

【００１７】図１に示すように、本実施の形態のウエハ
の検査装置（ウエハ処理装置）は、例えばＬＳＩ（Larg
e Scale Integrated Circuit）などの半導体装置の製造
技術に使用されているウエハ処理装置であり、ウエハ１
がセットされるウエハキャリア２がロードアンロード部
に設置されている。また、ウエハキャリア２の近傍にウ
エハハンドリングアーム３が配置されている。

【００１８】ウエハキャリア２には、ウエハ１を搭載す
る機能を有するスロット（細長いみぞ）２ａが複数個形
成されている。

【００１９】ウエハハンドリングアーム３は、ウエハ１
を搬送するための機能を有するものであり、ウエハハン
ドリングアーム３を左右および上下に移動したり、回転
を行うことができる機能を有する搬送アーム駆動体４に
設置されている。

【００２０】本実施の形態のウエハの検査装置は、ウエ
ハキャリア２およびウエハハンドリングアーム３が設置
されていることが特徴であり、それ以外の構成要素は従
来のウエハの検査装置の構成要素と同様なものであり、
種々の形態の構成要素を有するウエハの検査装置を適用
することができる。

【００２１】図１において、５はウエハの検査装置の内
壁であり、６はゲートバルブである。また、７は、試料
台（ステージ）であり、その上に、ウエハ１がセットさ
れるものである。

【００２２】また、試料台７の上方には、電子ビーム８
を放出する電子線源（電子銃）９が設置されている。電
子線源９と試料台７との間には、対物レンズや偏向器な
どが含まれている電子光学部１０が設けられている。こ
の場合、電子線源９から放射された電子ビーム８は、電
子光学部１０によりウエハ１の表面に焦点合わせが行わ
れる。

【００２３】また、試料台７にセットされているウエハ
１の近傍に配置されているマーク位置検出器１１が制御
機能を有するコンピュータ１２に電気的に接続されてい
る。

【００２４】なお、本実施の形態のウエハの検査装置
は、前述したウエハの検査装置の構造以外の種々の構造
を有するウエハの検査装置を適用することができる。

【００２５】次に、本実施の形態のウエハの処理方法に
ついて説明する。

【００２６】まず、図４に示すように、ウエハキャリア
２を、スロット２ａが水平方向に向くように設置する。
その後、ウエハキャリア２にウエハ１の表面が鉛直下向
きになるようにセットする。この場合、ウエハキャリア
２にウエハ１の表面が鉛直下向きになるようにセットさ
れているウエハキャリア２を、スロット２ａが水平方向
に向くように設置する態様を適用することができる。な
お、図４において、１３は、鉛直上方を示している。ま
た、ウエハ１の表面部を斜視線によって図示化してい
る。

【００２７】次に、ウエハハンドリングアーム３を用い
て、ウエハ１の裏面をウエハハンドリングアーム３に吸
着する（図４）。その後、ウエハ１をウエハキャリア２
から引き出す（図５）。

【００２８】次に、ウエハハンドリングアーム３をウエ
ハハンドリングアーム３の中心線を軸に回転して、ウエ
ハ１の表面を鉛直上向きに移動させる（図６）。なお、
図６において、ウエハ１の表面部に形成されている半導
体装置のチップを図示している。

【００２９】次に、ウエハハンドリングアーム３を試料
台７の上に移動させる（図７）。次に、ウエハハンドリ
ングアーム３を下方向に移動させた後、ウエハハンドリ
ングアーム３をウエハ１から引き出して（取り除い
て）、ウエハ１を試料台７にセットする（図８）。

【００３０】次に、電子線源９から電子ビーム８を放射
し、放射された電子ビーム８を電子光学部１０によりウ
エハ１の表面に焦点合わせを行って、ウエハ１の表面に
電子ビーム８を照射する。そして、ウエハ１の表面から
得られた反射電子をマーク位置検出部１１にて受容し、
コンピュータ１２によって、ウエハ１に形成されている
スルーホールなどの検出座標を検出する。この場合、ウ
エハ１に形成されているスルーホールなどの検出座標を
検出することにより、スルーホールの距離を測定するな
どの検出を行っているが、ウエハ１のレジスト膜などの
種々の形態またはチップにおける半導体装置の電気的な
特性などを検出する態様を適用することができる。

【００３１】次に、ウエハ１の検出を終了した後、前述
したウエハ１のハンドリング操作の逆の順序のウエハ１
のハンドリング操作を行って、ウエハキャリア２にウエ
ハ１の表面が鉛直下向きになるようにセットする。

【００３２】前述した本実施の形態のウエハの処理方法
によれば、ウエハキャリア２を、スロット２ａが水平方
向に向くように設置し、ウエハキャリア２にウエハ１の
表面が鉛直下向きになるようにセットしている。また、
ウエハハンドリングアーム３を用いて、ウエハ１の裏面
をウエハハンドリングアーム３に吸着した状態で、ウエ
ハハンドリングアーム３によって、ウエハ１をハンドリ
ングしている。さらに、ウエハ１の検査を行った後、ウ
エハキャリア２にウエハ１の表面が鉛直下向きになるよ
うにセットしている。

【００３３】したがって、本実施の形態のウエハの処理
方法によれば、ウエハハンドリングアーム３のウエハ１
の裏面への着脱が下のウエハ１の裏面の上方で行われて
いることにより、ウエハハンドリングアーム３のウエハ
１に対しての着脱時に塵埃などの異物が発生しても、発
生した異物をウエハ１の表面に落下するのを防止でき、
ウエハ１の表面に異物が堆積することが防止できる。

【００３４】その結果、本実施の形態のウエハの処理方
法によれば、ウエハハンドリングアーム３のウエハ１に
対しての着脱時に塵埃などの異物が発生しても、発生し
た異物をウエハ１の表面に落下するのを防止でき、ウエ
ハ１の表面に異物が堆積することが防止できることによ
り、ウエハ１の検査などの処理を高精度でしかも高特性
および高信頼度をもって行うことができる。

【００３５】本実施の形態のウエハの処理方法によれ
ば、１つのウエハキャリア２にウエハ１をロードしたり
アンロードしたりしていることにより、ロード側のウエ
ハキャリアとアンロード側のウエハキャリアとを有する
２つのウエハキャリアをセットしている従来のウエハの
処理方法に比較して、ウエハ１の不良のポテンシャルが
極めて低くすることができ、しかも無駄な処理時間を低
減化できるので、処理時間を極めて少なくすることがで
きる。

【００３６】本実施の形態のウエハの処理方法の他の態
様として、例えばＬＳＩなどの半導体装置の製造技術に
使用されている露光装置、エッチング装置、薄膜形成装
置などのウエハ１を加工する処理を行うウエハ処理装置
を用いてウエハの処理方法とすることができ、そのウエ
ハの処理方法として、ウエハハンドリングアーム３のウ
エハ１に対しての着脱時に塵埃などの異物が発生して
も、発生した異物をウエハ１の表面に落下するのを防止
でき、ウエハ１の表面に異物が堆積することが防止でき
ることにより、ウエハ１の加工などの処理を高精度でし
かも高特性および高信頼度をもって行うことができる。
また、異物がウエハ１に付着する現象を低減することが
できることにより、ウエハ１の加工工程などの処理工程
を備えている半導体装置の製造歩留りの低減化を防止す
ることができる。

【００３７】（実施の形態２）図９は、本発明の実施の
形態２であるウエハの処理方法に使用されているウエハ
の検査装置におけるウエハキャリアを示す模式的断面図
である。なお、本実施の形態のウエハキャリア２は、前
述した実施の形態１のウエハの処理方法に使用されてい
るウエハの検査装置におけるウエハキャリア２に取り替
えられているものであり、ウエハキャリア２以外の構成
要素は、前述した実施の形態１のウエハの処理方法に使
用されているウエハの検査装置と同様である。

【００３８】図９に示すように、本実施の形態のウエハ
キャリア２の配置は、より上方のウエハ１ｂ（ウエハ１
ａに対するウエハ１ｂ）から鉛直下向きに下ろした全て
の線が下のウエハ１ａ（ウエハ１ｂに対するウエハ１
ａ）の表面と交わらない条件となるように配置されてい
る。

【００３９】この場合、本発明者の検討の結果、前記の
条件は、ウエハキャリア２のスロット２ａのスロット間
隔をｄとし、ウエハ１のウエハ直径をｗとした時、スロ
ット２ａの水平面から反時計回りに測った角度は、９０
度＋0.５×arcsin（２ｄ／ｗ）度以下とされている。こ
の場合、arcsin（２ｄ／ｗ）は、sin ^-1（２ｄ／ｗ）で
ある。

【００４０】次に、本実施の形態のウエハの処理方法に
ついて説明する。

【００４１】まず、より上方のウエハ１ｂから鉛直下向
きに下ろした全ての線が下のウエハ１ａの表面と交わら
ない条件となるようにウエハキャリア２を配置する。そ
の後、ウエハキャリア２にウエハ１の表面がスロット２
ａの上向きになるようにセットする。この場合、ウエハ
キャリア２にウエハ１の表面がスロット２ａの上向きに
なるようにセットされているウエハキャリア２を、より
上方のウエハ１ｂから鉛直下向きに下ろした全ての線が
下のウエハ１ａの表面と交わらない条件となるようにウ
エハキャリア２を配置する態様を適用することができ
る。

【００４２】次に、ウエハハンドリングアーム３を用い
て、ウエハ１の裏面をウエハハンドリングアーム３に吸
着する。その後、ウエハ１をウエハキャリア２から引き
出す。

【００４３】次に、ウエハハンドリングアーム３の向き
を水平にした後、ウエハハンドリングアーム３をウエハ
ハンドリングアーム３の中心線を軸に回転して、ウエハ
１の表面を鉛直上向きに移動させる。

【００４４】次に、ウエハハンドリングアーム３を試料
台７の上に移動させる。

【００４５】次に、ウエハハンドリングアーム３を下方
向に移動させた後、ウエハハンドリングアーム３をウエ
ハ１から引き出して（取り除いて）、ウエハ１を試料台
７にセットする。

【００４６】次に、電子線源９から電子ビーム８を放射
し、放射された電子ビーム８を電子光学部１０によりウ
エハ１の表面に焦点合わせを行って、ウエハ１の表面に
電子ビーム８を照射する。そして、ウエハ１の表面から
得られた反射電子をマーク位置検出部１１にて受容し、
コンピュータ１２によって、ウエハ１に形成されている
スルーホールなどの検出座標を検出する。この場合、ウ
エハ１に形成されているスルーホールなどの検出座標を
検出することにより、スルーホールの距離を測定するな
どの検出を行っているが、ウエハ１のレジスト膜などの
種々の形態またはチップにおける半導体装置の電気的な
特性などを検出する態様を適用することができる。

【００４７】次に、ウエハ１の検出を終了した後、前述
したウエハ１のハンドリング操作の逆の順序のウエハ１
のハンドリング操作を行って、ウエハキャリア２にウエ
ハ１の表面がスロット２ａの上向きになるようにセット
する。

【００４８】前述した本実施の形態のウエハの処理方法
によれば、より上方のウエハ１ｂから鉛直下向きに下ろ
した全ての線が下のウエハ１ａの表面と交わらない条件
となるようにウエハキャリア２を配置している。また、
ウエハキャリア２にウエハ１の表面がスロット２ａの上
向きになるようにセットしている。また、ウエハハンド
リングアーム３を用いて、ウエハ１の裏面をウエハハン
ドリングアーム３に吸着した状態で、ウエハハンドリン
グアーム３によって、ウエハ１をハンドリングしてい
る。さらに、ウエハ１の検査を行った後、ウエハキャリ
ア２にウエハ１の表面がスロット２ａの上向きになるよ
うにセットしている。

【００４９】したがって、本実施の形態のウエハの処理
方法によれば、より上方のウエハ１ｂから鉛直下向きに
下ろした全ての線が下のウエハ１ａの表面と交わらない
条件となるようにウエハキャリア２を配置していること
により、ウエハハンドリングアーム３のウエハ１に対し
ての着脱時に塵埃などの異物が発生しても、発生した異
物をウエハ１の表面に落下するのを防止でき、ウエハ１
の表面に異物が堆積することが防止できる。

【００５０】その結果、本実施の形態のウエハの処理方
法によれば、ウエハハンドリングアーム３のウエハ１に
対しての着脱時に塵埃などの異物が発生しても、発生し
た異物をウエハ１の表面に落下するのを防止でき、ウエ
ハ１の表面に異物が堆積することが防止できることによ
り、ウエハ１の検査などの処理を高精度でしかも高特性
および高信頼度をもって行うことができる。

【００５１】本実施の形態のウエハの処理方法によれ
ば、前述した実施の形態１のウエハの処理方法における
効果と同様な効果を得ることができる。

【００５２】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。

【００５３】例えば、本発明のウエハの処理方法は、前
述した実施の形態１のウエハの処理方法と実施の形態２
のウエハの処理方法とを組み合わせて、ウエハキャリア
２のスロット２ａの水平面に対するウエハキャリア２の
設置角度が、０度（実施の形態１のウエハキャリア２の
スロット２ａの水平面に対するウエハキャリア２の設置
角度である０度）から９０度＋0.５×arcsin（２ｄ／
ｗ）度以下（実施の形態２のウエハキャリア２のスロッ
ト２ａの水平面に対するウエハキャリア２の設置角度で
ある９０度＋0.５×arcsin（２ｄ／ｗ）度以下）までの
間の全ての角度にウエハキャリア２を設置した態様のウ
エハ処理装置を用いたウエハの処理方法を他の実施の形
態とすることができる。この場合、実施の形態１および
実施の形態２のウエハの処理方法と同様な効果を得るこ
とができる。

【００５４】また、本発明のウエハの処理方法における
ウエハとして、半導体装置の製造技術における半導体素
子を形成するウエハを使用でき、半導体基板またはＳＯ
Ｉ（Silicon on Insulator）基板などからなるウエハを
適用することができる。そして、それらのウエハに、Ｍ
ＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳＦＥＴおよびバイポーラトランジ
スタなどの種々の半導体素子を組み合わせた態様の半導
体集積回路装置を製造する態様のウエハの処理方法に適
用することができる。

【００５５】さらに、本発明のウエハの処理方法は、半
導体装置の製造技術に使用されているウエハを適用で
き、ＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳＦＥＴ、ＢｉＣＭＯＳＦＥ
Ｔなどを構成要素とするＤＲＡＭ（Dynamic Random Acc
ess Memory）、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memor
y ）などのメモリ系、あるいはロジック系などを有する
種々の半導体集積回路装置の製造する態様のウエハの処
理方法に適用することができる。

【００５６】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００５７】（１）．本発明のウエハの処理方法によれ
ば、ウエハキャリアを、スロットが水平方向に向くよう
に設置し、ウエハキャリアにウエハの表面が鉛直下向き
になるようにセットしている。また、ウエハハンドリン
グアームを用いて、ウエハの裏面をウエハハンドリング
アームに吸着した状態で、ウエハハンドリングアームに
よって、ウエハをハンドリングしている。さらに、ウエ
ハの検査や加工などの処理を行った後、ウエハキャリア
にウエハの表面が鉛直下向きになるようにセットしてい
る。

【００５８】したがって、本発明のウエハの処理方法に
よれば、ウエハハンドリングアームのウエハの裏面への
着脱が下のウエハの裏面の上方で行われていることによ
り、ウエハハンドリングアームのウエハに対しての着脱
時に塵埃などの異物が発生しても、発生した異物をウエ
ハの表面に落下するのを防止でき、ウエハの表面に異物
が堆積することが防止できる。

【００５９】（２）．本発明のウエハの処理方法によれ
ば、より上方のウエハから鉛直下向きに下ろした全ての
線が下のウエハの表面と交わらない条件となるようにウ
エハキャリアを配置している。また、ウエハキャリアに
ウエハの表面がスロットの上向きになるようにセットし
ている。また、ウエハハンドリングアームを用いて、ウ
エハの裏面をウエハハンドリングアームに吸着した状態
で、ウエハハンドリングアームによって、ウエハをハン
ドリングしている。さらに、ウエハの検査や加工などの
処理を行った後、ウエハキャリアにウエハの表面がスロ
ットの上向きになるようにセットしている。

【００６０】したがって、本発明のウエハの処理方法に
よれば、より上方のウエハから鉛直下向きに下ろした全
ての線が下のウエハの表面と交わらない条件となるよう
にウエハキャリアを配置していることにより、ウエハハ
ンドリングアームのウエハに対しての着脱時に塵埃など
の異物が発生しても、発生した異物をウエハの表面に落
下するのを防止でき、ウエハの表面に異物が堆積するこ
とが防止できる。

【００６１】（３）．本発明のウエハの処理方法によれ
ば、ウエハハンドリングアームのウエハに対しての着脱
時に塵埃などの異物が発生しても、発生した異物をウエ
ハの表面に落下するのを防止でき、ウエハの表面に異物
が堆積することが防止できることにより、ウエハの検査
などの処理を高精度でしかも高特性および高信頼度をも
って行うことができる。

【００６２】（４）．本発明のウエハの処理方法によれ
ば、１つのウエハキャリアにウエハをロードしたりアン
ロードしたりしていることにより、ロード側のウエハキ
ャリアとアンロード側のウエハキャリアとを有する２つ
のウエハキャリアをセットしている従来のウエハの処理
方法に比較して、ウエハの不良のポテンシャルが極めて
低くすることができ、しかも無駄な処理時間を低減化で
きるので、処理時間を極めて少なくすることができる。

【００６３】（５）．本発明のウエハの処理方法によれ
ば、例えばＬＳＩなどの半導体装置の製造技術に使用さ
れている露光装置、エッチング装置、薄膜形成装置など
のウエハを加工する処理を行うウエハ処理装置を用いて
ウエハの処理方法とすることができ、そのウエハの処理
方法として、ウエハハンドリングアームのウエハに対し
ての着脱時に塵埃などの異物が発生しても、発生した異
物をウエハの表面に落下するのを防止でき、ウエハの表
面に異物が堆積することが防止できることにより、ウエ
ハの加工などの処理を高精度でしかも高特性および高信
頼度をもって行うことができる。また、異物がウエハに
付着する現象を低減することができることにより、ウエ
ハの加工工程などの処理工程を備えている半導体装置の
製造歩留りの低減化を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１であるウエハの処理方法
に使用されているウエハの検査装置を一部断面化して示
す概略側面図である。

【図２】図１におけるウエハキャリアを拡大して示す概
略斜視図である。

【図３】図２におけるＡ−Ａ矢視断面を示す模式的断面
図である。

【図４】本発明の実施の形態１であるウエハの処理方法
を説明するための概略側面図である。

【図５】本発明の実施の形態１であるウエハの処理方法
を説明するための概略側面図である。

【図６】本発明の実施の形態１であるウエハの処理方法
を説明するための概略平面図である。

【図７】本発明の実施の形態１であるウエハの処理方法
を説明するための概略側面図である。

【図８】本発明の実施の形態１であるウエハの処理方法
を説明するための概略側面図である。

【図９】本発明の実施の形態２であるウエハの処理方法
に使用されているウエハの検査装置におけるウエハキャ
リアを示す模式的断面図である。

【符号の説明】

１ ウエハ １ａ ウエハ（ウエハ１ｂに対する下方のウエハ） １ｂ ウエハ（ウエハ１ａに対する上方のウエハ） ２ ウエハキャリア ２ａ スロット ３ ウエハハンドリングアーム ４ 搬送アーム駆動体 ５ 内壁 ６ ゲートバルブ ７ 試料台 ８ 電子ビーム ９ 電子線源 １０ 電子光学部 １１ マーク位置検出器 １２ コンピュータ １３ 鉛直上方 ｄ スロット間隔 ｗ ウエハ直径

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウエハ処理装置を使用したウエハの処理
   方法であって、ウエハの表面が鉛直下向きになるように
   ウエハキャリアに前記ウエハをセットし、前記ウエハキ
   ャリアから前記ウエハをウエハハンドリングアームによ
   り取り除いたり、前記ウエハキャリアに前記ウエハを前
   記ウエハハンドリングアームによりセットする場合、前
   記ウエハの裏面を前記ウエハハンドリングアームに吸着
   して前記ウエハを前記ウエハハンドリングアームによっ
   て移動させることを特徴とするウエハの処理方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載のウエハの処理方法であっ
   て、前記ウエハキャリアを、スロットが水平方向に向く
   ように設置することを特徴とするウエハの処理方法。
3. 【請求項３】 ウエハ処理装置を使用したウエハの処理
   方法であって、ウエハキャリアの配置を、より上方のウ
   エハから鉛直下向きに下ろした全ての線が下のウエハの
   表面と交わらない条件となるように配置し、前記ウエハ
   キャリアから前記ウエハをウエハハンドリングアームに
   より取り除いたり、前記ウエハキャリアに前記ウエハを
   前記ウエハハンドリングアームによりセットする場合、
   前記ウエハの裏面を前記ウエハハンドリングアームに吸
   着して前記ウエハを前記ウエハハンドリングアームによ
   って移動させることを特徴とするウエハの処理方法。
4. 【請求項４】 請求項３記載のウエハの処理方法であっ
   て、前記の条件は、前記ウエハキャリアのスロットのス
   ロット間隔をｄとし、前記ウエハのウエハ直径をｗとし
   た時、スロットの水平面から反時計回りに測った角度
   は、９０度＋0.５×arcsin（２ｄ／ｗ）度以下とされて
   いることを特徴とするウエハの処理方法。
5. 【請求項５】 ウエハ処理装置を使用したウエハの処理
   方法であって、ウエハキャリアのスロットの水平面に対
   するウエハキャリアの設置角度が、０度から９０度＋0.
   ５×arcsin（２ｄ／ｗ）度以下までの間の全ての角度に
   前記ウエハキャリアを設置し、前記ウエハキャリアから
   前記ウエハをウエハハンドリングアームにより取り除い
   たり、前記ウエハキャリアに前記ウエハを前記ウエハハ
   ンドリングアームによりセットする場合、前記ウエハの
   裏面を前記ウエハハンドリングアームに吸着して前記ウ
   エハを前記ウエハハンドリングアームによって移動させ
   ることを特徴とするウエハの処理方法。
6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載のウ
   エハの処理方法であって、前記ウエハ処理装置として、
   ウエハの検査装置を使用して、ウエハの検査を行うこと
   を特徴とするウエハの処理方法。
7. 【請求項７】 請求項１〜５のいずれか１項に記載のウ
   エハの処理方法であって、前記ウエハ処理装置として、
   露光装置、エッチング装置、薄膜形成装置などのウエハ
   を加工する処理を行うウエハ処理装置を使用し、ウエハ
   の加工を行うことを特徴とするウエハの処理方法。
8. 【請求項８】 請求項６または７記載のウエハの処理方
   法であって、前記ウエハ処理装置は、ＬＳＩなどの半導
   体装置の製造技術に使用されているウエハ処理装置であ
   ることを特徴とするウエハの処理方法。