TWI710620B - 發光裝置、波長轉換層及用於製造發光裝置的方法 - Google Patents

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清水　健太郎
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Abstract

本發明揭示一種波長轉換層，其包含大小為50nm至500nm且囊封於無鈰YAG殼體中之複數個磷光體顆粒及黏結該複數個磷光體顆粒之一黏結劑材料，該波長轉換層具有附接至發光表面之5微米至20微米之一厚度。

Description

發光裝置、波長轉換層及用於製造發光裝置的方法
精密控制燈光應用可需要生產及製造發光二極體(LED)像素系統。歸因於像素之較小大小及系統之間之小通路(lane)空間，製造此等LED像素系統可需要準確地沈積材料。用於此等LED像素系統之組件之小型化可能導致較大LED像素系統中不存在之非預期效應。
包含LED、諧振腔發光二極體(RCLED)、垂直腔雷射二極體(VCSEL)及邊緣發射雷射之半導體發光裝置係當前可用之最有效率光源之一。當前在製造能夠跨可見光譜操作之高亮度發光裝置時所關注之材料系統包含III-V族半導體，尤其是鎵、鋁、銦及氮之二元、三元及四元合金，其等亦被稱為III族氮化物材料。通常，藉由透過金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)、分子束磊晶(MBE)或其他磊晶技術在一藍寶石、碳化矽、III族氮化物、複合物或其他適合基板上磊晶地生長不同組合物及摻雜物濃度之半導體層之一堆疊而製造III族氮化物發光裝置。堆疊通常包含形成於基板上方之摻雜有例如Si之一或多個n型層、形成於一或多個n型層上方之一作用區中之一或多個發光層、及形成於作用區上方之摻雜有例如Mg之一或多個p型層。電接觸件形成於n型區及p型區上。
III族氮化物裝置通常形成為倒轉或覆晶裝置，其中n接觸件及p接觸件兩者形成於半導體結構之相同側上，且自半導體結構之與接觸件相對之側提取大多數光。
本發明揭示一種波長轉換層，其包含大小為50nm至500nm且囊封於無鈰YAG殼體中之複數個磷光體顆粒及黏結該複數個磷光體顆粒之一黏結劑材料，該波長轉換層具有附接至發光表面之5微米至20微米之一厚度。
110:發光二極體(LED)陣列
111:像素
113:通路
214:腔
215:網格壁
300:車輛前照燈系統
302:車輛電源
304:資料匯流排
305:功率模組/AC/DC轉換器
306:連接性及控制模組
307:感測器模組
318:發光二極體(LED)裝置附接區
331:主動前照燈
400A:發光二極體(LED)系統
410:發光二極體(LED)陣列
412:AC/DC轉換器電路/AC/DC轉換器/AC轉DC轉換器
415:調光器介面電路
418A:跡線
418B:跡線
418C:跡線
550:系統
552:發光二極體(LED)系統
554:次級光學器件
556:發光二極體(LED)系統
558:次級光學器件
560:應用平台
561:光束
561a:箭頭
561b:箭頭
562:光束
562a:箭頭
562b:箭頭
565:線
1000:發光二極體(LED)陣列
1010:像素
1011:磊晶層
1012:p型區
1013:SiO2層
1014:SiO2層
1015:接觸件
1016:金屬層
1017:p接觸件
1019:鈍化層
1020:像素
1021:作用區
1022:初級光學器件
1030:像素
1040:n型接觸件/n接觸件
1041:分離區段
1050:波長轉換層
1060:次級光學器件
1062:波導
1064:透鏡
1100:發光二極體(LED)陣列
1110:n-GaN半導體層
1111:作用區
1112:p-GaN半導體層
1113:p接觸件
1114:基板
1115:鈍化層
1117:波長轉換層
1130:溝槽
1140:n接觸件
1200:發光二極體(LED)裝置/像素陣列
1220:波長轉換層
1230:光學隔離材料
1240:光學隔離器材料
1250:GaN層
1260:圖案藍寶石基板(PSS)圖案
1270:發光裝置
1275:像素
1280:焊料
1290:作用區
1310:發光裝置
1320:波長轉換層
1330:磷光體顆粒
1331:無鈰YAG殼體
1340:黏結劑
1400:程序
1410:步驟/發光表面
1420:步驟
D1:距離
w1:寬度
w2:寬度
w5:寬度
自結合隨附圖式藉由實例給出之以下描述可獲得一更詳細理解，其中：圖1A係一3×3像素矩陣之一俯視圖；圖1B係一10×10像素矩陣之一俯視圖；圖1C係一藍寶石基板上之一3×3像素矩陣之一圖；圖1D係一LED陣列之一橫截面視圖；圖1E係一發光裝置之一橫截面視圖；圖1F係一網格壁之一俯視圖；圖1G係圖1F之網格壁之一橫截面視圖；圖1H係沈積至一發光裝置上之具有由無鈰YAG殼體囊封之磷光體顆粒的一5微米至20微米厚波長轉換層之一橫截面視圖；圖1I係用於沈積一波長轉換層之一流程圖；圖2A係一項實施例中之具有在LED裝置附接區處附接至基板之LED陣列的電子器件板之一俯視圖； 圖2B係具有安裝於一電路板之兩個表面上之電子組件的一雙通道整合LED燈光系統之一項實施例之一圖；圖2C係一例示性車輛前照燈系統；及圖3展示一例示性照明系統。
下文中將參考隨附圖式更充分地描述不同光照明系統及/或發光二極體(「LED」)實施方案之實例。此等實例並不互斥，且在一個實例中發現之特徵可與在一或多個其他實例中發現之特徵組合以達成額外實施方案。因此，將瞭解，在隨附圖式中展示之實例僅經提供用於闡釋性目的且其等不意欲以任何方式限制本發明。在各處，相同元件符號指代相同元件。
將瞭解，儘管本文中可使用術語第一、第二、第三等來描述各種元件，然此等元件不應受此等術語限制。此等術語可用來區分一個元件與另一元件。例如，一第一元件可被稱為一第二元件且一第二元件可被稱為一第一元件而不脫離本發明之範疇。如本文中所使用，術語「及/或」可包含相關聯所列品項之一或多者之任何及全部組合。
將瞭解，當諸如一層、區或基板之一元件被稱為「在另一元件上」或延伸「至另一元件上」時，其可直接在該另一元件上或直接延伸至該另一元件上，或亦可存在中介元件。相比之下，當一元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接延伸至另一元件上」時，可不存在中介元件。亦將瞭解，當一元件被稱為「連接」或「耦合」至另一元件時，其可直接連接或耦合至該另一元件及/或經由一或多個中介元件連接或耦合至該另一元件。相比之下，當一元件被稱為「直接連接」或「直接耦合」至 另一元件時，該元件與該另一元件之間不存在中介元件。將瞭解，除圖中描繪之任何定向以外，此等術語亦意欲涵蓋元件之不同定向。
本文中可使用諸如「下方」、「上方」、「上」、「下」、「水平」或「垂直」之相對術語來描述如圖中繪示之一個元件、層或區與另一元件、層或區之一關係。將瞭解，除圖中描繪之定向以外，此等術語亦意欲涵蓋裝置之不同定向。
半導體發光裝置(LED)或光功率發射裝置(諸如發射紫外線(UV)或紅外線(IR)光功率之裝置)係當前可用之最有效率光源之一。此等裝置(下文中，「LED」)可包含發光二極體、諧振腔發光二極體、垂直腔雷射二極體、邊緣發射雷射或類似者。LED例如歸因於其等緊緻大小及較低功率需求而可為許多不同應用之有吸引力的候選者。例如，其等可用作手持式電池供電裝置(諸如相機及行動電話)之光源(例如，閃光燈及相機閃光燈)。其等亦可用於例如汽車燈光、抬頭顯示器(HUD)燈光、園藝燈光、街道燈光、用於視訊之手電筒、一般照明(例如，家庭、商店、辦公室及工作室燈光、劇院/舞臺燈光及建築燈光)、擴增實境(AR)燈光、虛擬實境(VR)燈光、作為顯示器之背光及IR光譜術。一單一LED可提供不如一白熾光源明亮之光，且因此可使用多接面裝置或LED陣列(諸如單體LED陣列、微型LED陣列等)用於其中期望或需要更大亮度之應用。
根據所揭示標的物之實施例，LED陣列(例如，微型LED陣列)可包含如圖1A、圖1B及/或圖1C中展示之一像素陣列。LED陣列可用於任何應用，諸如要求精密控制LED陣列片段之應用。一LED陣列中之像素可個別定址、可按群組/子集定址或可能無法定址。在圖1A中，展示具有像素111之一LED陣列110之一俯視圖。圖1A中亦展示LED陣列110之一 3×3部分之一展開圖。如3×3部分展開圖中展示，LED陣列110可包含具有大約100μm或更小(例如，40μm)之一寬度w1之像素111。像素之間之通路113可分離達大約20μm或更小(例如，5μm)之一寬度w2。通路113可提供像素之間之一氣隙或可含有其他材料，如圖1B及圖1C中展示且在本文中進一步揭示。自一個像素111之中心至一相鄰像素111之中心的距離D1可為大約120μm或更小(例如，45μm)。將瞭解，本文中提供之寬度及距離僅為實例，且實際寬度及/或尺寸可變化。
將瞭解，儘管圖1A、圖1B及圖1C中展示配置成一對稱矩陣之矩形像素，然任何形狀及配置之像素可應用於本文中揭示之實施例。例如，圖1A之LED陣列110可包含呈任何適用配置(諸如一100×100矩陣、一1200×50矩陣、一對稱矩陣、一非對稱矩陣或類似者)之超過10,000個像素。亦將瞭解，多組像素、矩陣及/或板可以任何適用格式配置以實施本文中揭示之實施例。
圖1B展示一例示性LED陣列1000之一橫截面視圖。如所展示，像素1010、1020及1030對應於一LED陣列內之三個不同像素，使得分離區段1041及/或n型接觸件1040將像素彼此分離。根據一實施例，像素之間之空間可由一氣隙佔據。如所展示，像素1010包含一磊晶層1011，磊晶層1011可生長於可自磊晶層1011移除之任何適用基板上，舉例而言，諸如一藍寶石基板。遠離接觸件1015之生長層之一表面可為大致平面的或可經圖案化。一p型區1012可定位成靠近一p接觸件1017。一作用區1021可安置成鄰近於n型區及一p型區1012。或者，作用區1021可介於一半導體層或n型區與p型區1012之間，且可接收一電流使得作用區1021發射光束。p接觸件1017可與SiO2層1013及1014以及經鍍覆金屬(例如， 鍍銅)層1016接觸。n型接觸件1040可包含一適用金屬，諸如Cu。金屬層1016可與一接觸件1015接觸，接觸件1015可為反射性的。
值得注意地，如圖1B中展示，n型接觸件1040可沈積至在像素1010、1020及1030之間產生之溝槽1130中且可延伸超過磊晶層。分離區段1041可分離一波長轉換層1050之全部(如所展示)或部分。將瞭解，可在無此等分離區段1041之情況下實施一LED陣列，或分離區段1041可對應於一氣隙。分離區段1041可為n型接觸件1040之延伸部，使得分離區段1041係由與n型接觸件1040相同之材料(例如，銅)形成。或者，分離區段1041可由不同於n型接觸件1040之一材料形成。根據一實施例，分離區段1041可包含反射材料。分離區段1041及/或n型接觸件1040中之材料可以任何適用方式沈積，舉例而言，諸如應用包含或容許n型接觸件1040及/或分離區段1041之沈積之一網格結構。波長轉換層1050可具有類似於圖1D之波長轉換層1220之特徵/性質。如本文中所述，一或多個額外層可塗覆分離區段1041。此一層可為一反射層、一散射層、一吸收層或任何其他適用層。一或多個鈍化層1019可將n接觸件1040與磊晶層1011完全或部分分離。
磊晶層1011可由在被激發時發射光子之任何適用材料(包含藍寶石、SiC、GaN、聚矽氧)形成，且更明確言之可由以下各者形成：一III-V族半導體，包含但不限於AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb；II-VI族半導體，包含但不限於ZnS、ZnSe、CdSe、CdTe；IV族半導體，包含但不限於Ge、Si、SiC；及其等之混合物或合金。此等例示性半導體在其等存在於其中之LED之典型發射波長下可具有在自約2.4至約4.1之範圍內的折射率。舉例而言，諸 如GaN之III族氮化物半導體在500nm下可具有約2.4之折射率，且諸如InGaP之III族磷化物半導體在600nm下可具有約3.7之折射率。耦合至LED裝置1200之接觸件可由一焊料形成，諸如AuSn、AuGa、AuSi或SAC焊料。
n型區可生長於一生長基板上且可包含具有不同組合物及摻雜物濃度之一或多個半導體材料層，包含例如製備層(諸如緩衝層或成核層)及/或經設計以有利於移除生長基板之層。此等層可為n型或未經有意摻雜，或甚至可為p型裝置層。可針對發光區有效率地發射光所期望之特定光學、材料或電氣性質來設計該等層。類似地，p型區1012可包含具不同組合物、厚度及摻雜物濃度之多個層，包含未有意摻雜之層或n型層。可引起一電流流過p-n接面(例如，經由接觸件)且像素可產生至少部分由材料之帶隙能量判定之一第一波長之光。一像素可直接發射光(例如，規則或直接發射LED)或可將光發射至一波長轉換層1050中(例如，磷光體轉換LED「PCLED」等)，波長轉換層1050用於進一步修改發射光之波長以輸出一第二波長之光。
儘管圖1B展示具有呈一例示性配置之像素1010、1020及1030的一例示性LED陣列1000，然將瞭解，可以若干配置之任一者提供一LED陣列中之像素。例如，像素可呈一覆晶結構、一垂直注入薄膜(VTF)結構、一多接面結構、一薄膜覆晶(TFFC)、橫向裝置等。例如，一橫向LED像素可類似於一覆晶LED像素，但其可能未上下翻轉以將電極直接連接至一基板或封裝。一TFFC亦可類似於一覆晶LED像素，但其可移除生長基板(使薄膜半導體層不受支撐)。相比之下，可包含生長基板或其他基板作為一覆晶LED之部分。
波長轉換層1050可在由作用區1021發射之光之路徑中，使得由作用區1021發射之光可穿過一或多個中間層(例如，一光子層)。根據實施例，波長轉換層1050或者可不存在於LED陣列1000中。波長轉換層1050可包含任何發光材料，舉例而言，諸如一透明或半透明黏結劑或基質中之磷光體粒子或一陶瓷磷光體元件，其吸收一個波長之光且發射一不同波長之光。可基於所使用之材料或針對其配置LED陣列1000或個別像素1010、1020及1030之應用/波長來判定一波長轉換層1050之厚度。例如，一波長轉換層1050可為大約20μm、50μm或1200μm。波長轉換層1050可提供於各個別像素上(如所展示)，或可放置於一整個LED陣列1000上方。
初級光學器件1022可在一或多個像素1010、1020及/或1030上或上方，且可容許光自作用區1021及/或波長轉換層1050行進穿過初級光學器件。經由初級光學器件之光一般可基於一朗伯(Lambertian)分佈型樣發射，使得經由初級光學器件1022發射之光之發光強度在從一理想漫射輻射體觀察時與介於入射光之方向與表面法線之間之角度的餘弦成正比。將瞭解，可修改初級光學器件1022之一或多個性質以產生不同於朗伯分佈型樣之一光分佈型樣。
可為像素1010、1020及/或1030提供包含透鏡1064及波導1062之一或兩者之次級光學器件1060。將瞭解，儘管次級光學器件1060根據圖1B中展示之實例論述為具有多個像素，然次級光學器件1060可經提供用於單一像素。次級光學器件1060可用於散佈進入光(發散光學器件)或將進入光聚集成一準直光束(準直光學器件)。波導1062可用由一介電材料、一金屬化層或類似者塗覆且可經提供以反射或重新引導入射光。在替 代實施例中，一燈光系統可不包含以下各者之一或多者：波長轉換層1050；初級光學器件1022；波導1062；及透鏡1064。
透鏡1064可由任何適用透明材料形成，諸如但不限於SiC、氧化鋁、金剛石或類似者或其等之一組合。透鏡1064可用於修改待輸入至透鏡1064中之一光束，使得來自透鏡1064之一輸出射束將有效率地滿足一所要光度規格。另外，透鏡1064可諸如藉由判定多個LED裝置之一照亮及/或未照亮外觀而用於一或多個審美目的。
圖1C展示一LED陣列1100之一三維視圖之一橫截面。如所展示，LED陣列1100中之像素可藉由經填充以形成n接觸件1140之溝槽分離。像素可生長於一基板1114上且可包含一p接觸件1113、一p-GaN半導體層1112、一作用區1111及一n-GaN半導體層1110。將瞭解，此結構僅提供為一實例，且可添加、移除、或部分添加或移除一或多個半導體或其他適用層以實施本文中提供之本發明。一波長轉換層1117可沈積於半導體層1110(或其他適用層)上。
鈍化層1115可形成於溝槽1130內且n接觸件1140(例如，銅接觸件)可沈積於溝槽1130內，如所展示。鈍化層1115可將n接觸件1140之至少一部分與半導體之一或多個層分離。根據一實施方案，溝槽內之n接觸件1140或其他適用材料可延伸至波長轉換層1117中，使得n接觸件1140或其他適用材料提供像素之間之完全或部分光學隔離。
典型LED波長轉換層(特別是發射紅光之LED波長轉換層)可包含發射明亮紅光之一發光鈰化合物(例如，摻雜Ce之化合物，舉例而言，諸如CaSiN2：Ce3+)。歸因於化學置換之發射/激發帶位移，此一基於鈰之化合物可用於白光應用以例如作為UV LED中之紅色磷光體外加三個 RGB磷光體設置，或直接作為具有一460nm波長發射LED之一黃色磷光體而提高基於具有一黃色/綠色磷光體之一藍色LED的系統之光品質。然而，鈰之存在可對一LED裝置施加限制，包含例如物理性質、尺寸、化學性質或類似者。
圖1D展示根據本文中揭示之技術製造之一例示性像素陣列1200可包含發光裝置1270，發光裝置1270包含一GaN層1250、作用區1290、焊料1280及圖案藍寶石基板(PSS)圖案1260。波長轉換層1220可根據本文中揭示之技術安置至發光裝置1270上以產生像素1275。
光學隔離材料1230可施用於波長轉換層1220。一波長轉換層可經由一圖案藍寶石基板(PSS)圖案1260安裝至一GaN層1250上。GaN層1250可接合至一作用區1290或生長於作用區1290上方，且發光裝置1270可包含一焊料1280。光學隔離器材料1240亦可施用於GaN層1250之側壁。
作為一實例，圖1D之像素1275可對應於圖1A之像素111。當啟動像素111或1275時，像素之各自作用區1290可產生一光。光可行進穿過波長轉換層1220且實質上可自波長轉換層1220之表面發射。
圖1E展示在將波長轉換層1220放置於發光裝置1270上之前圖1D之像素陣列之組件。
根據所揭示標的物之一實施方案，圖1F展示一俯視圖，且圖1G展示可在製造圖1D之LED陣列時產生以提供用於圖1D之一波長轉換層1220之一結構的一網格壁215之一橫截面視圖。網格壁215可含有對應於發光裝置1270之腔214，使得網格壁被隔開使得腔214與發光裝置1270空間對準。網格壁可使用一奈米壓印(NIL)微影程序或一接觸印刷程序形 成。一NIL程序可用於藉由將一網格壁材料沈積至一表面上且將一奈米壓印模具施用至材料上而產生網格壁。可使用熱固化或使用UV光來固化網格壁材料，且可自網格壁材料移除奈米壓印模具。所得網格壁可沈積至LED陣列上以為一波長轉換層1220之沈積建立支撐。或者，可經由接觸印刷光子柱用例如犧牲PMMA或UV可固化材料產生網格膜。
根據一實施例，一波長轉換層可使用電泳沈積(EPD)沈積至發光裝置上。一像素可包含具有介於5微米與50微米之間之一厚度的一波長轉換層。聚合性韌化添加劑可施用於波長轉換層且可減少特別是因膜之薄度所致之波長轉換層之破裂或損壞。根據本文中揭示之實施例之一波長轉換層無鈰且可含有經組態以轉換光之一或多個性質之材料。波長轉換層可轉換光之一性質，諸如但不限於其波長、其相位或類似者。一波長轉換層可基於進入光藉由一波長轉換層中之一或多個粒子的吸收其後接著一光子釋放而轉換光之一性質。一波長轉換層可含有適用發光或光學散射粒子，諸如由或未由稀土離子活化之磷光體顆粒。
波長轉換層可含有複數個發光或光學散射粒子，諸如大小為50nm至500nm之磷光體顆粒。可能需要大小為50nm至500nm之磷光體顆粒，此係因為例如30微米寬之一像素可能無法以較大粒子(諸如大小為1微米至5微米之粒子)有效率地起作用。此等較大粒子可並非有效率的，此係因為自一發光層發射之光之一大於最佳的部分可由此等大粒子吸收。另外，具有此等大粒子之一波長轉換層可能過大而不容許一像素之有效操作。因此，轉換器膜可含有大小為50nm至500nm之粒子。
諸如大小為50nm至500nm之磷光體顆粒之粒子傳統上可引起磷光體粒子之量子效率之降級。此降級可導致含有此大小之粒子之一 像素之一整體降低的效率。
根據本文中揭示之標的物，可將摻雜Ce(III)之石榴石磷光體顆粒囊封於無鈰釔鋁石榴石(YAG)殼體中。無鈰YAG殼體可降低波長轉換層之非輻射重組率(non-radiative recombination rate)。非輻射重組係其中電荷載子在未釋放光子之情況下重組之一過程。非輻射重組可產生一非預期副產物，諸如熱或振動。明確言之，當傳導帶中或一局部活化劑激發態上之一電子與價帶中之一電洞或一局部活化劑基態重組且發射過剩能量時，可發生非輻射重組。非輻射重組可增加臨限電流且可降低一像素之效能及/或效率。
藉由將無鈰YAG殼體施用於摻雜Ce(III)之石榴石磷光體顆粒且降低非輻射重組率，磷光體粒子之量子效率對於具有含有此等磷光體粒子之波長轉換層之一像素的最佳操作可為足夠的。作為一特定實例，作為使用無鈰YAG殼體之結果，波長轉換層之非輻射重組率可小於3μs-1且更佳小於2μs-1(內部QE>88%)。作為一比較，例如，對於100%內部QE發光，YAG：Ce之衰變時間可為~70ns，其中一輻射重組率為~14μs-1。可藉由在一水性懸浮液中將一含釔及鋁之層均勻沈澱至石榴石磷光體顆粒上、其後接著乾燥經塗覆粒子且進行煅燒以獲得具有無鈰YAG殼體之摻雜Ce(III)之石榴石粒子而施用無鈰YAG殼體。殼體厚度可在1.5nm至400nm、較佳3nm至200nm之範圍內，或甚至更佳在10nm至100nm之範圍內。
一波長轉換層中之磷光體顆粒可為均質的，使得全部顆粒係一特定形狀及/或類型，或其等可為異質的，使得波長轉換層中之磷光體顆粒之間存在一定程度之變動。作為均質磷光體顆粒之一實例，一波長 轉換層中之全部磷光體顆粒之大小可介於300nm與320nm之間。作為異質磷光體顆粒之一實例，一波長轉換層中之一或多個磷光體顆粒之大小可介於300nm與400nm之間，且波長轉換層中之一或多個磷光體顆粒之大小可小於100nm。磷光體顆粒可為盤狀的、球形的或可為非球形的。另外，磷光體之類型可相同或可跨波長轉換層變化。
根據所揭示標的物之一實施方案，可提供一或多種類型之散射粒子。散射粒子可包含於一波長轉換層中或可在波長轉換層外部，舉例而言，諸如在自一作用層發射之光之一路徑中。散射粒子可包含矽石、二氧化鈦、氧化鋯粒子或類似者。散射粒子之大小可在自10nm至1μm之範圍內。散射粒子可使光散射使得一像素中之轉換量增加。散射粒子可具有一高密度或一低密度(例如，一多孔材料)。替代地或另外，散射粒子可為具有一非填充核心之一殼體。散射粒子可藉由提高波長轉換之效率而減小一波長轉換層之總厚度。其亦可促成較大磷光體粒子之應用。亦可在將磷光體粉末沈積至發光裝置上之前藉由例如化學接合將散射粒子附接至磷光體粒子。
磷光體顆粒可藉由一黏結劑黏結，該黏結劑經組態以將磷光體顆粒黏結在適當位置。為提高具有50nm至500nm磷光體顆粒之一波長轉換層之量子效率，黏結劑可具有1.65或更大之一折射率。高折射率可容許光更有效率地行進穿過波長轉換層且因此提供一高光提取。黏結劑材料可為任何適用材料，諸如但不限於一玻璃、聚合物(諸如丙烯酸酯或硝基纖維素)、環氧樹脂、矽氧烷、聚矽氮烷-矽氧烷混合材料、一溶膠-凝膠材料或類似者。黏結劑之折射率可實質上與無鈰YAG殼體之折射率匹配以改良波長轉換層之效率。
量子點材料可併入於一波長轉換層之表面內或上以改良波長轉換層之效率。量子點可在UV、可見光及IR之一或多者中發光(在由適合輻射(諸如UV輻射)激發時)。量子點可由諸如硒化鎘、硫化鎘、砷化銦及磷化銦之二元合金製成。或者，量子點可由諸如硒硫化鎘之三元合金製成。量子點在量子點體積內可含有少至100個至100,000個原子，其直徑為10個至50個原子。此可對應於約2nm至10nm。
光學隔離材料可施用於波長轉換層之側壁。光學隔離材料可包含但不限於分佈式布拉格(Bragg)反射體(DBR)層、反射材料、吸收材料或類似者。
如圖1D中展示，波長轉換層1220可至少與該層所附接之發光裝置1270之表面寬度相同。根據一實施例，波長轉換層1220可比波長轉換層所附接之發光裝置1270之表面寬。
可使用電泳沈積(EPD)來將波長轉換層沈積至一發光裝置上。磷光體顆粒或奈米粒子可分散於一電子浴中使得其等被吸引至一電荷。發光裝置之一表面可帶電且磷光體顆粒或奈米粒子可沈積至帶電表面上，使得其等歸因於電荷而被特別地吸引至發光裝置之表面。如本文中揭示之一黏結劑可沈積至磷光體顆粒或奈米粒子上以產生波長轉換層。可應用一固化程序來固化黏結劑，使得波長轉換層維持其形狀。
使用EPD技術可藉由將電壓施加至需要經圖案化具有一給定波長轉換層之一像素系統中的像素而容許像素之複雜圖案化。可藉由將一電壓施加至一第一組像素而將一第一波長轉換層沈積於第一組像素上，且接著可進行黏結及固化。隨後，可藉由將一電壓施加至一第二組像素而將一波長轉換層沈積於第二組像素上，且接著可進行黏結及固化。
如圖1H中展示，一波長轉換層1320可附接至一發光裝置1310。波長轉換層之寬度w5可介於5微米與20微米之間。展示磷光體顆粒1330之一展開圖。磷光體顆粒1330可圍封於一無鈰YAG殼體1331中，無鈰YAG殼體1331可降低波長轉換層1320中之非輻射重組效應。磷光體顆粒1330可分散於一電子浴中且沈積至發光裝置1310之表面上。可將一電壓施加至發光裝置1310之表面。磷光體顆粒1330可因來自施加電壓之電荷而被吸引至發光裝置之表面且可分散於發光裝置1310之表面上。可將一黏結劑1340沈積至磷光體顆粒1330及發光裝置1310之表面上且可進行固化。黏結劑之折射率可大於1.65且可實質上與無鈰YAG殼體1331之折射率匹配。
圖1I展示根據本文中揭示之標的物之用於製造一波長轉換層之一例示性程序1400。如所展示，在步驟1410，可提供一發光表面。發光表面1410可對應於一發光裝置1270或更明確言之與對應於發光裝置1270之一基板或半導體層對應。發光表面可經處理(例如，經圖案化、經化學處理等)使得其準備好接收一波長轉換層。在步驟1420，可經由一電泳沈積程序將一波長轉換層沈積至發光表面上，如本文中所揭示。波長轉換層可包含囊封於無鈰YAG殼體中之複數個磷光體顆粒且亦可包含一黏結劑，如本文中所揭示。
圖2A係一項實施例中之具有在LED裝置附接區318處附接至一基板之一LED陣列410的一電子器件板之一俯視圖。電子器件板連同LED陣列410一起表示一LED系統400A。另外，功率模組312在Vin處接收一電壓輸入且經由跡線418B自連接性及控制模組316接收控制信號，且經由跡線418A將驅動信號提供至LED陣列410。LED陣列410經由來自功率 模組312之驅動信號開啟及關閉。在圖2A中展示之實施例中，連接性及控制模組316經由跡線418C自感測器模組314接收感測器信號。
圖2B繪示具有安裝於一電路板499之兩個表面上之電子組件的一雙通道整合LED燈光系統之一項實施例。如圖2B中展示，一LED燈光系統400B包含一第一表面445A，第一表面445A具有用於接收調光器信號及AC功率信號之輸入端及安裝於其上之一AC/DC轉換器電路412。LED系統400B包含一第二表面445B，第二表面445B具有安裝於其上之調光器介面電路415、DC轉DC轉換器電路440A及440B、具有一微控制器472之一連接性及控制模組416(在此實例中，一無線模組)及一LED陣列410。藉由兩個獨立通道411A及411B驅動LED陣列410。在替代實施例中，可使用一單一通道來將驅動信號提供至一LED陣列，或可使用任何數目之多個通道來將驅動信號提供至一LED陣列。
LED陣列410可包含兩個群組之LED裝置。在一實例實施例中，群組A之LED裝置電耦合至一第一通道411A且群組B之LED裝置電耦合至一第二通道411B。兩個DC轉DC轉換器440A及440B之各者可分別經由單一通道411A及411B提供一各自驅動電流用於驅動LED陣列410中之一各自LED群組A及B。LED之群組之一者中之LED可經組態以發射具有與第二群組之LED中之LED不同之一色點的光。可藉由控制由個別DC/DC轉換器電路440A及440B分別經由一單一通道411A及411B施加之電流及/或作用時間循環而在一範圍內調諧對由LED陣列410發射之光之複合色點的控制。儘管圖2B中展示之實施例不包含一感測器模組(如圖2A中描述)，然一替代實施例可包含一感測器模組。
所繪示LED燈光系統400B係一整合系統，其中LED陣列 410及用於操作LED陣列410之電路提供於一單一電子器件板上。電路板499之相同表面上之模組之間之連接可經電耦合以藉由表面或子表面互連(諸如跡線431、432、433、434及435或金屬化(未展示))在模組之間交換例如電壓、電流及控制信號。電路板499之相對表面上之模組之間之連接可藉由貫穿板互連(諸如通孔及金屬化(未展示))電耦合。
根據實施例，可提供其中一LED陣列在與驅動器及控制電路分離之一電子器件板上之LED系統。根據其他實施例，一LED系統可使LED陣列以及一些電子器件在與驅動器電路分離之一電子器件板上。例如，一LED系統可包含定位於與LED陣列分離之一電子器件板上的一功率轉換模組及一LED模組。
根據實施例，一LED系統可包含一多通道LED驅動器電路。例如，一LED模組可包含嵌入式LED校準及設定資料及例如三個群組之LED。一般技術者將認知，可使用與一或多個應用一致之任何數目個群組之LED。各群組內之個別LED可串聯或並聯配置且可提供具有不同色點之光。例如，可藉由一第一群組之LED提供暖白光，可藉由一第二群組之LED提供一冷白光，且可藉由一第三群組提供一中性白光。
圖2C展示包含一車輛電源302且包含一資料匯流排304之一例示性車輛前照燈系統300。一感測器模組307可連接至資料匯流排304以提供與環境條件(例如，環境光條件、溫度、時間、雨、霧等)、車輛狀況(停放、運動中、速度、方向)、其他車輛、行人、物件之存在/定位或類似者有關之資料。感測器模組307可與圖2A之感測器模組314類似或相同。AC/DC轉換器305可連接至車輛電源302。
圖2C之功率模組312(AC/DC轉換器)可與圖2B之AC/DC 轉換器412相同或類似且可自車輛電源302接收AC功率。其可將AC功率轉換成DC功率，如圖2B中針對AC轉DC轉換器412描述。車輛前照燈系統300可包含一主動前照燈331，其接收由AC/DC轉換器305、連接性及控制模組306及/或感測器模組307提供或基於其等之一或多個輸入。作為一實例，感測器模組307可偵測到使得一行人未被充分照亮(此可能降低一駕駛員看見行人之可能性)之行人之存在。基於此感測器輸入，連接性及控制模組306可使用自AC/DC轉換器305提供之功率將資料輸出至主動前照燈331，使得輸出資料啟動主動前照燈331內所含之一LED陣列中之LED之一子集。LED陣列中之LED之子集在被啟動時可沿感測器模組307感測到存在行人之方向發射光。在感測器模組207提供確認行人不再處於包含車輛前照燈系統之車輛之一路徑中的更新資料之後，可撤銷啟動LED之此等子集或可以其他方式修改其等之光束方向。
圖3展示包含一應用平台560、LED系統552及556以及光學器件554及558之一例示性系統550。LED系統552產生光束561，光束561展示為在箭頭561a與561b之間。LED系統556可產生光束562，光束562在箭頭562a與562b之間。在圖3中展示之實施例中，自LED系統552發射之光行進穿過次級光學器件554，且自LED系統556發射之光行進穿過次級光學器件558。在替代實施例中，光束561及562未行進穿過任何次級光學器件。次級光學器件可為或可包含一或多個光導。一或多個光導可為邊緣照亮式或可具有界定光導之一內部邊緣之一內部開口。LED系統552及/或556可插入於一或多個光導之內部開口中，使得其等將光注入至一或多個光導之內部邊緣中(內部開口光導)或外部邊緣中(邊緣照亮式光導)。LED系統552及/或556中之LED可圍繞作為光導之部分之一基底的圓周配置。 根據一實施方案，基底可為導熱的。根據一實施方案，基底可耦合至安置於光導上方之一散熱元件。散熱元件可經配置以經由導熱基底接收由LED產生之熱且散逸所接收之熱。一或多個光導可容許以一所要方式整形由LED系統552及556發射之光，舉例而言，諸如使其具有一梯度、一倒角分佈、一窄分佈、一寬分佈、一角分佈或類似者。
在實例實施例中，系統550可為具一相機閃光燈系統之一行動電話、室內住宅或商用燈光、室外燈(諸如街道燈光)、一汽車、一醫用裝置、AR/VR裝置及機器人裝置。圖2A中展示之LED系統400A及圖2C中展示之車輛前照燈系統300繪示實例實施例中之LED系統552及556。
應用平台560可經由一功率匯流排經由線565或其他適用輸入端將功率提供至LED系統552及/或556，如本文中論述。此外，應用平台560可經由線565提供輸入信號用於LED系統552及LED系統556之操作，該輸入可基於一使用者輸入/偏好、一感測讀取、一預程式化或自主判定之輸出或類似者。一或多個感測器可在應用平台560之外殼內部或外部。替代地或另外，如圖2A之LED系統400A中展示，各LED系統552及556可包含其自身之感測器模組、連接性及控制模組、功率模組、及/或LED裝置。
在實施例中，應用平台560感測器及/或LED系統552及/或556感測器可收集資料，諸如視覺資料(例如，LIDAR資料、IR資料、經由一相機收集之資料等)、音訊資料、基於距離之資料、移動資料、環境資料、或類似者或其等之一組合。資料可與一實物或實體(諸如一物件、一個體、一車輛等)有關。例如，感測設備可收集物件近接性資料用於一基於ADAS/AV之應用，該應用可基於偵測到一實物或實體而對偵測及後 續動作進行優先級排序。可基於藉由例如LED系統552及/或556發射一光信號(諸如一IR信號)且基於經發射光信號收集資料而收集資料。可藉由與發射光信號用於資料收集之組件不同的一組件收集資料。繼續該實例，感測設備可定位於一汽車上且可使用一垂直腔面發射雷射(VCSEL)發射一射束。一或多個感測器可感測對經發射射束或任何其他適用輸入之一回應。
在實例實施例中，應用平台560可表示一汽車且LED系統552及LED系統556可表示汽車頭燈。在各項實施例中，系統550可表示具有可操縱光束之一汽車，其中LED可選擇性地啟動以提供可操縱光。例如，可使用一LED陣列來定義或投影一形狀或圖案或僅照明一道路之選定區段。在一實例實施例中，LED系統552及/或556內之紅外相機或偵測器像素可為識別需要照明之一場景(道路、人行橫道等)之部分之感測器(例如，類似於圖2A之感測器模組314及圖2C之感測器模組307)。
儘管上文以特定組合描述特徵及元件，然一般技術者將明白，各特徵或元件可單獨使用或以與其他特徵及元件之任何組合使用。另外，本文中描述之方法可在併入於一電腦可讀媒體中以由一電腦或處理器執行之一電腦程式、軟體或韌體中實施。電腦可讀媒體之實例包含電子信號(其等經由有線或無線連接傳輸)及電腦可讀儲存媒體。電腦可讀儲存媒體之實例包含但不限於一唯讀記憶體(ROM)、一隨機存取記憶體(RAM)、一暫存器、快取記憶體、半導體記憶體裝置、磁性媒體(諸如內部硬碟及可抽換磁碟)、磁光媒體、及光學媒體(諸如CD-ROM光碟及數位多功能光碟(DVD))。
214:腔

Claims (20)

  1. 一種發光裝置，其包括：一發光層；及一波長轉換層，其在該發光層上方且具有5微米至20微米之一厚度，該波長轉換層包括：複數個磷光體顆粒，其等之大小為50nm至500nm且囊封於無鈰(cerium free)YAG殼體中；及一黏結劑材料，其黏結該複數個磷光體顆粒。
  2. 如請求項1之裝置，其中該黏結劑材料具有大於1.65之一RI。
  3. 如請求項1之裝置，其中該波長轉換層之一非輻射重組率小於3μs-1。
  4. 如請求項1之裝置，其中該波長轉換層藉由經由一電泳程序將該複數個磷光體顆粒沈積至該波長轉換層上而形成。
  5. 如請求項1之裝置，其中該複數個磷光體顆粒之一第一磷光體顆粒係一第一磷光體類型且該複數個磷光體顆粒之一第二磷光體顆粒係一第二磷光體類型。
  6. 如請求項5之裝置，其中該第一磷光體顆粒之大小為300nm至400nm且該第二磷光體顆粒之大小小於100nm。
  7. 如請求項1之裝置，其中該無鈰YAG殼體之折射率實質上與該黏結劑之折射率匹配。
  8. 如請求項1之裝置，其中該波長轉換層進一步包括聚合性韌化添加劑。
  9. 如請求項1之裝置，其進一步包括附接至該波長轉換層之一側壁之一光學隔離材料，該光學隔離材料選自一DBR、一反射材料及一吸收材料之一者。
  10. 如請求項1之裝置，其進一步包括與該波長轉換層接觸之量子點材料。
  11. 如請求項1之裝置，其中附接至發光表面之該波長轉換層之一第一側的表面積大於該發光表面之表面積。
  12. 如請求項1之裝置，其進一步包括散射粒子。
  13. 一種波長轉換層，其包括：複數個磷光體顆粒，其等之大小為50nm至500nm且囊封於無鈰YAG殼體中；及一黏結劑材料，其黏結該複數個磷光體顆粒，該波長轉換層具有附 接至發光表面之5微米至20微米之一厚度。
  14. 如請求項13之波長轉換層，其中該黏結劑材料具有大於1.65之一RI。
  15. 如請求項13之波長轉換層，其中該複數個磷光體顆粒之一第一磷光體顆粒係一第一磷光體類型且該複數個磷光體顆粒之一第二磷光體顆粒係一第二磷光體類型。
  16. 如請求項13之波長轉換層，其中該波長轉換層進一步包括聚合性韌化添加劑。
  17. 一種製造一發光裝置的方法，其包括：提供一發光表面；經由電泳沈積將一波長轉換層沈積於該發光表面上方，該波長轉換層包括：複數個磷光體顆粒，其等之大小為50nm至500nm且囊封於無鈰YAG殼體中；及一黏結劑材料，其黏結該複數個磷光體顆粒，該波長轉換層具有附接至該發光表面之5微米至20微米之一厚度。
  18. 如請求項17之方法，其中該黏結劑材料具有大於1.65之一RI。
  19. 如請求項17之方法，其中該複數個磷光體顆粒之一第一磷光體顆粒係一第一磷光體類型且該複數個磷光體顆粒之一第二磷光體顆粒係一第二磷光體類型。
  20. 如請求項17之方法，其中該波長轉換層進一步包括聚合性韌化添加劑。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10879431B2 (en) 2017-12-22 2020-12-29 Lumileds Llc Wavelength converting layer patterning for LED arrays
JP7479006B2 (ja) * 2020-03-26 2024-05-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 セラミクス複合体
JPWO2022080359A1 (zh) * 2020-10-12 2022-04-21
TWI746321B (zh) * 2020-12-18 2021-11-11 天虹科技股份有限公司 具有氮化鋁氧化物薄膜的發光二極體的製作方法
US20240084999A1 (en) * 2021-01-26 2024-03-14 Signify Holding B.V. Pixelated laser phosphor comprising ceramic phosphor tiles surrounded by phosphor particles in a medium
CN112940710B (zh) * 2021-02-09 2023-03-28 东北大学 一种白光照明用光转换材料及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200901514A (en) * 2007-02-26 2009-01-01 Philips Lumileds Lighting Co LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
TW201300506A (zh) * 2010-12-02 2013-01-01 Intematix Corp 具光致發光波長轉換之固態發光裝置及標牌以及其所用之光致發光組件
CN103865535A (zh) * 2012-12-12 2014-06-18 有研稀土新材料股份有限公司 一种具有核壳结构的白光led用荧光体及其制备方法
CN105400516A (zh) * 2015-11-09 2016-03-16 南京邮电大学 新型核壳结构光温传感材料及其制备方法

Family Cites Families (115)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6410942B1 (en) 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
WO2001041225A2 (en) 1999-12-03 2001-06-07 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements
US6576488B2 (en) * 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
US6870311B2 (en) * 2002-06-07 2005-03-22 Lumileds Lighting U.S., Llc Light-emitting devices utilizing nanoparticles
JP2004107572A (ja) 2002-09-20 2004-04-08 Sharp Corp 蛍光体およびそれを含む照明装置と表示装置
US7256483B2 (en) * 2004-10-28 2007-08-14 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package-integrated thin film LED
EP1854831A4 (en) * 2005-02-23 2014-11-19 Mitsubishi Chem Corp SEMICONDUCTOR ELECTROLUMINESCENT COMPONENT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND LIGHT EMITTING COMPONENT USING THE SAME
US7341878B2 (en) 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
DE102007015492B4 (de) 2007-01-30 2011-03-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Beleuchtungsvorrichtung für eine Bilderfassungseinrichtung am distalen Ende eines Endoskops
US20100291374A1 (en) 2007-06-12 2010-11-18 Ajjer Llc Composites Comprising Nanoparticles
US20080311380A1 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Ajjer Llc High refractive index materials and composites thereof
US7791093B2 (en) * 2007-09-04 2010-09-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color
DE102007053285A1 (de) * 2007-11-08 2009-05-14 Merck Patent Gmbh Verfahren zur Herstellung von beschichteten Leuchtstoffen
KR100942526B1 (ko) * 2007-12-11 2010-02-12 포항공과대학교 산학협력단 광변환 발광소자 및 그 제조방법
JP2009164117A (ja) 2007-12-12 2009-07-23 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法
EP2297278A1 (en) * 2008-06-02 2011-03-23 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting apparatus and light source apparatus using the same
TWI671811B (zh) 2009-05-12 2019-09-11 美國伊利諾大學理事會 用於可變形及半透明顯示器之超薄微刻度無機發光二極體之印刷總成
WO2010137384A1 (ja) 2009-05-29 2010-12-02 コニカミノルタエムジー株式会社 放射線検出装置及びその製造方法
GB0916699D0 (en) 2009-09-23 2009-11-04 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle-based materials
JP5427709B2 (ja) * 2010-06-29 2014-02-26 日東電工株式会社 蛍光体層転写シートおよび発光装置
WO2012042452A2 (en) * 2010-09-29 2012-04-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength converted light emitting device
KR101227350B1 (ko) * 2010-10-18 2013-02-07 한국광기술원 코어-쉘 구조의 복합 형광체 및 이를 포함하는 발광소자
JP5895844B2 (ja) 2010-11-19 2016-03-30 Jsr株式会社 カラーフィルタの製造方法、表示素子およびカラーフィルタ
KR101235180B1 (ko) * 2011-03-24 2013-02-22 부산대학교 산학협력단 형광 터치 패널 및 그의 제조방법
US8384984B2 (en) * 2011-03-28 2013-02-26 Lighting Science Group Corporation MEMS wavelength converting lighting device and associated methods
KR101244926B1 (ko) 2011-04-28 2013-03-18 피에스아이 주식회사 초소형 ｌｅｄ 소자 및 그 제조방법
US8860056B2 (en) 2011-12-01 2014-10-14 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Structure and method for LED with phosphor coating
JP2013033916A (ja) * 2011-06-28 2013-02-14 Sharp Corp 発光装置及びその製造方法
JP5809756B2 (ja) * 2011-10-20 2015-11-11 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 量子ドットを有する光源
KR101299242B1 (ko) * 2011-10-20 2013-08-22 한국기계연구원 에어로졸 분사를 이용한 양자점 및 무기물 보호층을 포함하는 복합입자의 제조방법
US8816371B2 (en) 2011-11-30 2014-08-26 Micron Technology, Inc. Coated color-converting particles and associated devices, systems, and methods
MY167573A (en) * 2011-12-13 2018-09-20 Toray Industries Laminate and method for producing light-emitting diode provided with wavelength conversion layer
US9599293B2 (en) * 2012-04-05 2017-03-21 Koninklijke Philips N.V. Full spectrum light emitting arrangement
US9634201B2 (en) * 2012-05-14 2017-04-25 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with nanostructured phosphor
WO2013190962A1 (ja) * 2012-06-18 2013-12-27 シャープ株式会社 半導体発光装置
DE102012215705B4 (de) 2012-09-05 2021-09-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Gehäuse für ein optisches bauelement, baugruppe, verfahren zum herstellen eines gehäuses und verfahren zum herstellen einer baugruppe
DE102012217957B4 (de) 2012-10-01 2014-10-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer Mikro-LED-Matrix
DE102012109460B4 (de) 2012-10-04 2024-03-07 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays und Leuchtdioden-Display
CN104755966B (zh) * 2012-10-19 2019-09-24 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司 折射率匹配的复合材料和包含其的光源
JP5897234B1 (ja) 2012-12-21 2016-03-30 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 組成物、インプリンティング・インクおよびインプリンティング方法
DE102013101262A1 (de) 2013-02-08 2014-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Leuchtmodul, optoelektronische Leuchtvorrichtung und Kfz-Scheinwerfer
EP2976409B1 (en) * 2013-03-20 2017-05-10 Koninklijke Philips N.V. Encapsulated quantum dots in porous particles
KR20140118466A (ko) 2013-03-29 2014-10-08 서울반도체 주식회사 발광 디바이스 및 이를 포함하는 조명장치
JPWO2014163041A1 (ja) 2013-04-05 2017-02-16 東レ株式会社 転写フィルムおよび凹凸構造付基板
TW201440262A (zh) * 2013-04-11 2014-10-16 Genesis Photonics Inc 發光裝置
CN111628062A (zh) 2013-04-11 2020-09-04 亮锐控股有限公司 顶发射式半导体发光器件
US9496465B2 (en) 2013-04-17 2016-11-15 Nichia Corporation Light emitting device
DE202014011392U1 (de) 2013-05-13 2020-02-21 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED-Gehäuse; Fahrzeuglampe sowie Hintergrundbeleuchtung mit diesem
WO2014209042A1 (en) 2013-06-26 2014-12-31 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Baffled micro-optical elements for thin liquid crystal display backlight units
CN111509112B (zh) * 2013-07-08 2024-04-02 亮锐控股有限公司 波长转换的半导体发光器件
EP3081612B1 (en) 2013-12-13 2018-11-14 Cemedine Co., Ltd. Photocurable composition having adhesive properties
DE102014102848A1 (de) 2013-12-19 2015-06-25 Osram Gmbh Konversionselement, Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements, optoelektronisches Bauelement umfassend ein Konversionselement
KR102299238B1 (ko) * 2014-01-08 2021-09-07 루미리즈 홀딩 비.브이. 파장 변환 반도체 발광 디바이스
KR20150092801A (ko) 2014-02-05 2015-08-17 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
CN110010750B (zh) 2014-06-18 2021-11-09 艾克斯展示公司技术有限公司 微组装led显示器
DE102014112769A1 (de) * 2014-09-04 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
JP6446951B2 (ja) 2014-09-26 2019-01-09 日亜化学工業株式会社 素子の実装方法及び発光装置の製造方法
JP6511766B2 (ja) * 2014-10-15 2019-05-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9722160B2 (en) 2014-10-31 2017-08-01 Nichia Corporation Light emitting device and adaptive driving beam headlamp system
US10323803B2 (en) 2014-11-18 2019-06-18 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and vehicular lamp comprising same
GB201420452D0 (en) 2014-11-18 2014-12-31 Mled Ltd Integrated colour led micro-display
US9653642B1 (en) 2014-12-23 2017-05-16 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable RGB display based on thin film gallium and nitrogen containing light emitting diodes
JP6224016B2 (ja) 2015-02-02 2017-11-01 富士フイルム株式会社 波長変換層用組成物、波長変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置
JP6669432B2 (ja) 2015-02-05 2020-03-18 旭化成株式会社 位置合わせ方法、インプリント方法、及びインプリント装置
DE102015101888A1 (de) 2015-02-10 2016-08-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
EP3262465B1 (en) 2015-02-27 2019-05-15 Merck Patent GmbH A photosensitive composition and color converting film
WO2016144732A1 (en) * 2015-03-06 2016-09-15 Koninklijke Philips N.V. Method for attaching ceramic phosphor plates on light-emitting device (led) dies using a dicing tape, method to form a dicing tape, and dicing tape
US10018325B2 (en) 2015-03-31 2018-07-10 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light device of vehicle
CN113130725A (zh) 2015-03-31 2021-07-16 科锐Led公司 具有包封的发光二极管和方法
KR102454413B1 (ko) 2015-05-26 2022-10-18 서울반도체 주식회사 발광 장치 및 이를 포함하는 차량용 램프
EP4178317A1 (en) 2015-07-23 2023-05-10 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus
KR102328594B1 (ko) 2015-08-10 2021-11-26 엘지전자 주식회사 발광 다이오드를 구비한 디스플레이 장치
DE102015115810A1 (de) 2015-09-18 2017-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und 3D-Drucker
EP3356888B1 (en) 2015-09-29 2021-03-03 Merck Patent GmbH A photosensitive composition and color converting film
EP3357097B1 (en) 2015-10-01 2020-12-16 Cree, Inc. Low optical loss flip chip solid state lighting device
DE102015219789A1 (de) 2015-10-13 2017-04-13 Osram Gmbh Leuchtdichteregulierung an Randbereichen
KR101627365B1 (ko) 2015-11-17 2016-06-08 피에스아이 주식회사 편광을 출사하는 초소형 led 전극어셈블리, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 led 편광램프
TWI643901B (zh) 2015-12-16 2018-12-11 財團法人工業技術研究院 光壓印樹脂組成物、光壓印樹脂膜以及圖案化製程
DE102016106841B3 (de) 2015-12-18 2017-03-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Konverter zur Erzeugung eines Sekundärlichts aus einem Primärlicht, Leuchtmittel, die solche Konverter enthalten, sowie Verfahren zur Herstellung der Konverter und Leuchtmittel
WO2017116136A1 (ko) 2015-12-31 2017-07-06 서울반도체주식회사 디스플레이 장치
US10930626B2 (en) 2016-02-22 2021-02-23 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus including a micro light-emitting diode
WO2017146476A1 (ko) 2016-02-26 2017-08-31 서울반도체주식회사 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
WO2017146477A1 (ko) 2016-02-26 2017-08-31 서울반도체주식회사 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
EP3902006A1 (en) 2016-04-01 2021-10-27 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display device
KR102483955B1 (ko) 2016-04-11 2023-01-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR101987196B1 (ko) 2016-06-14 2019-06-11 삼성디스플레이 주식회사 픽셀 구조체, 픽셀 구조체를 포함하는 표시장치 및 그 제조 방법
JP6729025B2 (ja) 2016-06-14 2020-07-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102608419B1 (ko) 2016-07-12 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
JP6619098B2 (ja) 2016-07-19 2019-12-11 本田技研工業株式会社 車両用ライトの放熱構造
KR102553434B1 (ko) 2016-07-22 2023-07-12 제트카베 그룹 게엠베하 차량용 램프
WO2018039866A1 (zh) 2016-08-29 2018-03-08 赵莹颖 自动室内空气净化机
KR102552298B1 (ko) 2016-08-31 2023-07-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그의 구동방법
US10606121B2 (en) 2016-09-12 2020-03-31 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus
KR20180055021A (ko) 2016-11-15 2018-05-25 삼성디스플레이 주식회사 발광장치 및 그의 제조방법
DE102016122237A1 (de) 2016-11-18 2018-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Multipixel-LED-Bauteil und Verfahren zum Betreiben eines Multipixel-LED-Bauteils
US10804251B2 (en) 2016-11-22 2020-10-13 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, components and methods
DE102016223972A1 (de) 2016-12-01 2018-06-07 Osram Gmbh Primäroptik, sekundäroptik, modul, anordnung, fahrzeugscheinwerfer und scheinwerfersystem
KR20180065162A (ko) 2016-12-07 2018-06-18 서울바이오시스 주식회사 디스플레이 장치 및 그의 전극 연결 방법
WO2018112267A1 (en) 2016-12-16 2018-06-21 Tesoro Scientific, Inc. Light emitting diode (led) test apparatus and method of manufacture
KR102605174B1 (ko) 2016-12-19 2023-11-22 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 디스플레이 장치
KR102618811B1 (ko) 2017-01-23 2023-12-28 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
WO2018136970A1 (en) 2017-01-23 2018-07-26 Tesoro Scientific, Inc. Light emitting diode (led) test apparatus and method of manufacture
TWI678411B (zh) 2017-01-26 2019-12-01 南韓商Ｌｇ化學股份有限公司 微型led以及包含此微型led的顯示器
KR20180090006A (ko) 2017-02-02 2018-08-10 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 유닛
DE102017103320A1 (de) 2017-02-17 2018-08-23 Osram Gmbh Fahrzeugscheinwerfer
WO2018159977A1 (ko) 2017-02-28 2018-09-07 서울반도체주식회사 디스플레이 장치, 백라이트 유닛, 발광모듈 및 렌즈
US10937768B2 (en) 2017-03-13 2021-03-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Method of manufacturing display device
TWI699496B (zh) 2017-03-31 2020-07-21 億光電子工業股份有限公司 發光裝置和照明模組
KR102146549B1 (ko) 2017-04-10 2020-08-20 주식회사 엘지화학 마이크로 발광 다이오드 구조체
CN107170876A (zh) 2017-05-27 2017-09-15 南方科技大学 一种Micro LED显示器件的制备方法
KR101989101B1 (ko) 2017-05-29 2019-06-13 엘지전자 주식회사 차량용 램프 및 차량
KR101970249B1 (ko) 2017-05-29 2019-04-18 엘지전자 주식회사 차량용 램프 및 차량
TWI793131B (zh) * 2017-06-02 2023-02-21 法商奈科斯多特股份公司 包括經包覆之奈米粒子之發光粒子及其用途
KR101989100B1 (ko) 2017-06-09 2019-09-24 엘지전자 주식회사 차량용 램프 및 차량
US10879431B2 (en) 2017-12-22 2020-12-29 Lumileds Llc Wavelength converting layer patterning for LED arrays

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200901514A (en) * 2007-02-26 2009-01-01 Philips Lumileds Lighting Co LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
TW201300506A (zh) * 2010-12-02 2013-01-01 Intematix Corp 具光致發光波長轉換之固態發光裝置及標牌以及其所用之光致發光組件
CN103865535A (zh) * 2012-12-12 2014-06-18 有研稀土新材料股份有限公司 一种具有核壳结构的白光led用荧光体及其制备方法
CN105400516A (zh) * 2015-11-09 2016-03-16 南京邮电大学 新型核壳结构光温传感材料及其制备方法

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