TWI643901B - 光壓印樹脂組成物、光壓印樹脂膜以及圖案化製程 - Google Patents
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Abstract
一種光壓印樹脂組成物、光壓印樹脂膜以及圖案化製程。所述光壓印樹脂組成物包括酚醛樹脂、具有壓克力基團的單體、具有壓克力基團的聚合物或其混合物以及自由基型光聚合起始劑。酚醛樹脂具有介於500至50000的重量平均分子量,且酚醛樹脂不與具有壓克力基團的單體以及具有壓克力基團的聚合物發生反應。
Description
本揭露是有關於一種光壓印樹脂組成物、光壓印樹脂膜與圖案化製程。
在積體電路蓬勃發展的今日,元件縮小化與積集化是必然之趨勢,也是各界積極發展的重要課題。微影蝕刻製程在積體電路製程中扮演重要角色。然而,在傳統微影蝕刻製程中,通常使用光微影方式透過光罩進行曝光、顯影,將光阻製作成蝕刻遮罩,再進行蝕刻製程,將線路或特定結構轉寫到元件上。然而,由於利用光阻微影方式製作的蝕刻遮罩,其結構的尺寸與深寬比存在光學極限,因此在以蝕刻處理來形成具有高深寬比的微奈米結構時可能出現瓶頸。此外,隨著更精細圖案製作的需求,光微影製程所使用的曝光機台,價格往往十分昂貴。
相較於傳統的光微影製程,光壓印製程具有生產速度較
快的優點。此外,針對基板尺寸增大與應用元件圖案精細化的要求,光壓印製程的機台調整亦較具彈性,因此可望成為未來的主流技術。值得注意的是,光壓印製程中所使用的光壓印膠為製程的關鍵材料,其對於壓印成型品質、壓印殘餘層的降低以及製作良率均具有一定程度的影響。
本揭露提供一種光壓印樹脂組成物,其含有酚醛樹脂以及具有壓克力基團的單體、具有壓克力基團的聚合物或其混合物。
本揭露提供一種圖案化製程,其使用上述光壓印樹脂組成物來形成蝕刻遮罩。
本揭露提供一種光壓印樹脂膜,其包括上述光壓印樹脂組成物。
本揭露的光壓印樹脂組成物包括酚醛樹脂、具有壓克力基團的單體、具有壓克力基團的聚合物或其混合物以及自由基型光聚合起始劑。酚醛樹脂具有介於500至50000的重量平均分子量,且酚醛樹脂不與具有壓克力基團的單體以及具有壓克力基團的聚合物發生反應。
在本揭露的光壓印樹脂組成物的一實施例中,上述的酚醛樹脂包括至少一個由式1表示的重複單元,
,其中R為氫原子或甲基。
在本揭露的光壓印樹脂組成物的一實施例中,上述的酚醛樹脂包括由式2表示的結構,
,其中R為氫原子或甲基,且n為介於4至400之間的整數。
在本揭露的光壓印樹脂組成物的一實施例中,其中以100重量份的酚醛樹脂計,上述的具有壓克力基團的單體、聚合物或其組合的含量例如介於10重量份至1000重量份之間。
在本揭露的光壓印樹脂組成物的一實施例中,其中以100重量份的酚醛樹脂計,上述的自由基型光聚合起始劑的含量例如介於1重量份至80重量份之間。
在本揭露的光壓印樹脂組成物的一實施例中,上述的自由基型光聚合起始劑例如為苯乙酮系化合物、醯基氧化膦(acyl phosphine oxide)系化合物、肟酯系化合物或其組合。
在本揭露的光壓印樹脂組成物的一實施例中,上述的具有壓克力基團的單體例如為異冰片丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸苯乙酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸1-萘酯或(甲基)丙烯酸2-萘酯、(甲基)丙烯酸1-萘基甲酯或(甲基)丙
烯酸2-萘基甲酯、(甲基)丙烯酸1-萘基乙酯或者(甲基)丙烯酸2-萘基乙酯、(甲基)丙烯酸1-萘氧基乙酯或者(甲基)丙烯酸2-萘氧基乙酯、二乙二醇單乙醚(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基二環戊烷二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸化異三聚氰酸酯、1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、烯丙氧基聚乙二醇丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、雙酚F二(甲基)丙烯酸酯、六氫鄰苯二甲酸二丙烯酸酯、羥基特戊酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、己內酯改質羥基特戊酸酯新戊二醇、硬脂酸改質季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、鄰苯二甲酸二(甲基)丙烯酸酯、聚(乙二醇-四亞甲基二醇)二(甲基)丙烯酸酯、聚(丙二醇-四亞甲基二醇)二(甲基)丙烯酸酯、聚酯二丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、矽酮二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙三醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、鄰苯二甲基二(甲基)丙烯酸酯(o-xylylene di(meth)acrylate)、間苯二甲基二(甲基)丙烯酸酯、對苯二甲基二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二異戊
四醇六丙烯酸酯或其組合。
在本揭露的光壓印樹脂組成物的一實施例中,上述的具有壓克力基團的聚合物例如為聚酯丙烯酸酯(polyester acrylate)、環氧丙烯酸酯(epoxy acrylate)、聚醚丙烯酸酯(polyether acrylate)、聚氨酯丙烯酸酯(urethane acrylate)、聚芴丙烯酸酯(fluorene acrylate)或其組合。
在本揭露的光壓印樹脂組成物的一實施例中,更包括溶劑。
在本揭露的光壓印樹脂組成物的一實施例中,其中以100重量份的酚醛樹脂計,上述的溶劑的含量例如介於50重量份至5000重量份之間。
在本揭露的光壓印樹脂組成物的一實施例中,上述的溶劑例如為丙二醇單甲醚乙酸酯(propylene glycol monomethyl ether acetate,PGMEA)、丙二醇甲醚(propylene glycol propyl ether)、苯甲醚(anisole)、碳酸丙烯酯(propylene carbonate)或其組合。
本揭露的圖案化製程包括以下步驟。將上述的光壓印樹脂組成物塗佈於基材上。使用模具對光壓印樹脂組成物進行壓印製程,以形成圖案化的光壓印樹脂膜。對圖案化的光壓印樹脂膜進行固化處理。移除模具。以固化的圖案化的光壓印樹脂膜為遮罩,對基材進行蝕刻處理。
在本揭露的圖案化製程的一實施例中,上述的壓印製程例如為常溫壓印或升溫壓印。
在本揭露的圖案化製程的一實施例中,上述的固化處理例如為照光固化處理。
本揭露的光壓印樹脂膜包括上述的光壓印樹脂組成物。
基於上述,本揭露的光壓印樹脂組成物同時含有酚醛樹脂與具有壓克力基團的單體、具有壓克力基團的聚合物或其混合物,因此所形成的光壓印樹脂膜與純酚醛樹脂相比可具有良好的壓印成型性,同時耐乾蝕刻性較一般壓克力系光壓印樹脂優異。
為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
100‧‧‧基材
100a‧‧‧圖案化的基材
110‧‧‧光壓印樹脂組成物塗層
110a、110b、110c‧‧‧圖案化的光壓印樹脂膜
120‧‧‧壓印模具
圖1A至圖1D為依照本揭露實施例所繪示的圖案化製程的流程剖面示意圖。
本揭露的實施例的光壓印樹脂組成物包括重量平均分子量介於500至50000的酚醛樹脂、具有壓克力基團的單體、具有壓克力基團的聚合物或其混合物以及自由基型光聚合起始劑。特別是,在本揭露的實施例的光壓印樹脂組成物中,酚醛樹脂不會與具有壓克力基團的單體、具有壓克力基團的聚合物發生反應。以下將分別對本揭露的實施例的光壓印樹脂組成物的各組成成分做詳細說明。
在本揭露的實施例的光壓印樹脂組成物中,酚醛樹脂具有介於500至50000的重量平均分子量。在一實施例中,酚醛樹脂包含至少一個由式1表示的重複單元,
,其中R為氫原子或甲基。舉例來說,本揭露的實施例的酚醛樹脂可包括由式2表示的結構,
,其中R為氫原子或甲基,且n為介於4至400之間的整數。
由於本揭露的實施例的光壓印樹脂組成物中含有上述酚醛樹脂,因此由本揭露的實施例的光壓印樹脂組成物所形成的光壓印樹脂膜可具有良好的耐蝕刻性。如此一來,在以本揭露的實施例的光壓印樹脂膜做為蝕刻遮罩進行蝕刻製程時,可以更精確地形成所需的圖案結構。
此外,在本揭露的實施例的光壓印樹脂組成物中還包含有具有壓克力基團的單體、具有壓克力基團的聚合物或其混合物。詳細地說,本揭露的實施例的光壓印樹脂組成物中可包含具有壓克力基團的單體或具有壓克力基團的聚合物,或者同時包含具有壓克力基團的單體與具有壓克力基團的聚合物。
具有壓克力基團的單體可為:單官能單體,例如異冰片
丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸苯乙酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸1-萘酯或(甲基)丙烯酸2-萘酯、(甲基)丙烯酸1-萘基甲酯或(甲基)丙烯酸2-萘基甲酯、(甲基)丙烯酸1-萘基乙酯或者(甲基)丙烯酸2-萘基乙酯、(甲基)丙烯酸1-萘氧基乙酯或(甲基)丙烯酸2-萘氧基乙酯;或多官能基單體,例如二乙二醇單乙醚(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基二環戊烷二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸化異三聚氰酸酯、1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、烯丙氧基聚乙二醇丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、雙酚F二(甲基)丙烯酸酯、六氫鄰苯二甲酸二丙烯酸酯、羥基特戊酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、己內酯改質羥基特戊酸酯新戊二醇、硬脂酸改質季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、鄰苯二甲酸二(甲基)丙烯酸酯、聚(乙二醇-四亞甲基二醇)二(甲基)丙烯酸酯、聚(丙二醇-四亞甲基二醇)二(甲基)丙烯酸酯、聚酯二丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、矽酮二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇改質三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙三醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、鄰苯二甲基二(甲基)
丙烯酸酯(o-xylylene di(meth)acrylate)、間苯二甲基二(甲基)丙烯酸酯、對苯二甲基二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯或二異戊四醇六丙烯酸酯。上述的這些單體可以單獨使用或是以至少二種單體混合使用。
具有壓克力基團的聚合物例如是聚酯丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯或聚芴丙烯酸酯。上述的這些聚合物可以單獨使用或是以至少二種聚合物混合使用。在本揭露的實施例的光壓印樹脂組成物中,以100重量份的所述酚醛樹脂計,具有壓克力基團的單體、具有壓克力基團的聚合物或具有壓克力基團的單體與具有壓克力基團的聚合物的混合物的含量例如是介於10重量份至1000重量份之間。特別一提的是,上述的具有壓克力基團的單體與具有壓克力基團的聚合物皆不會與酚醛樹脂發生反應,亦即具有壓克力基團的單體和/或具有壓克力基團的聚合物以及酚醛樹脂是以混合物的形式個別穩定地存在於本揭露的實施例的光壓印樹脂組成物中。
由於本揭露的實施例的光壓印樹脂組成物中含有上述具有壓克力基團的單體、具有壓克力基團的聚合物或具有壓克力基團的單體與具有壓克力基團的聚合物的混合物,因此由本揭露的實施例的光壓印樹脂組成物所形成的光壓印樹脂膜可具有良好的壓印成型性而利於進行壓印處理,且在進行壓印處理後能夠利用照光處理來固化。如此一來,能夠以較快速且低成本的方式來形
成蝕刻製程中所使用的蝕刻遮罩。
另外,在本揭露的實施例的光壓印樹脂組成物中還包含自由基型光聚合起始劑。自由基型光聚合起始劑例如為苯乙酮系化合物、醯基氧化膦系化合物或肟酯系化合物。上述的這些自由基型光聚合起始劑可以單獨使用或是以至少二種自由基型光聚合起始劑混合使用。
苯乙酮系化合物的實例可以為:羥基苯乙酮系化合物,例如汽巴(Ciba)公司商品Irgacure 2959(1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮)、Irgacure 184(1-羥基環己基苯基酮)、Irgacure 500(1-羥基環己基苯基酮/二苯甲酮)或Darocur 1173(2-羥基-2-甲基-1-苯基-1-丙烷-1-酮);二烷氧基苯乙酮(dialkoxy acetophenone)系化合物,例如汽巴公司商品Irgacure 651(2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮);或胺基苯乙酮系化合物,例如汽巴公司商品Irgacure 369(2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)丁酮-1)或Irgacure 907(2-甲基-1-[4-甲基硫代苯基]-2-嗎啉基丙烷-1-酮)。
醯基氧化膦系化合物的實例可以為:汽巴公司商品Irgacure 819(雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦)、Irgacure 1800(雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基-戊基氧化膦)、巴斯夫公司商品Lucirin TPO(2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦)或Lucirin TPO-L(2,4,6-三甲基苯甲醯基苯基乙氧基氧化膦)。
肟酯系化合物的實例可以為:巴斯夫公司商品Irgacure
OXE01(1,2-辛二酮-1-[4-(苯基硫代)苯基]-2-(O-苯甲醯基肟))或Irgacure OXE02(乙酮-1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟))。
自由基型光聚合起始劑可使所形成的光壓印樹脂膜中的具有壓克力基的單體或聚合物經照光後產生交聯固化,其可改善光壓印樹脂膜易脆裂或壓印模具沾黏的問題,且亦能提升光壓印樹脂膜的耐蝕刻性。
在本揭露的實施例的光壓印樹脂組成物中可選擇性地含有溶劑,以使酚醛樹脂、具有壓克力基團的單體及/或聚合物以及自由基型光聚合起始劑能夠均勻溶解分散。上述的溶劑例如是丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇甲醚、苯甲醚或碳酸丙烯酯。上述的這些溶劑可以單獨使用或是以至少二種溶劑混合使用。在本揭露的實施例的光壓印樹脂組成物中,溶劑的含量例如介於50重量份至5000重量份之間。特別一提的是,藉由溶劑的選擇以及調配還可以調整光壓印樹脂組成物的黏度與塗佈性。
在本揭露的實施例的光壓印樹脂組成物中可選擇性地含有添加劑。上述的添加劑例如為光酸產生劑、界面活性劑、光增感劑或其組合。光酸產生劑可提升所形成的光壓印樹脂膜的可剝除性。界面活性劑可調整光壓印樹脂組成物的塗佈性與所形成的光壓印樹脂膜的離模性。光增感劑可調整所形成的光壓印樹脂膜照光固化特性,提高照光固化效率。
以下對使用本揭露的光壓印樹脂組成物的圖案化製程進
行說明。
圖1A至圖1D為依照本揭露實施例所繪示的圖案化製程的流程剖面示意圖。首先,請參照圖1A,將本揭露實施例的光壓印樹脂組成物塗佈於基材100上,以形成光壓印樹脂組成物塗層110。基材100例如是半導體基材、金屬氧化物半導體基材、金屬基材或是已經形成有特定元件層的基材。塗佈光壓印樹脂組成物的方法例如是旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、線棒塗佈法、凹版塗佈法或狹縫塗佈法。此外,當所使用的光壓印樹脂組成物中含有溶劑時,還可以進行烘烤處理,以去除光壓印樹脂組成物中的溶劑。上述的烘烤處理例如是利用熱對流法、紅外線輻射法或熱傳導法,其溫度例如是介於50℃至150℃之間。
然後,請參照圖1B,以壓印模具120對壓印樹脂組成物塗層110進行壓印製程,以形成圖案化的光壓印樹脂膜110a。壓印模具120具有所需的壓印圖案,其例如是導線圖案或是特定元件的圖案。壓印模具120的材料例如聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane,PDMS)、環烯烴聚合物、聚碳酸脂、聚甲基丙烯酸脂、其他高分子材料、石英玻璃、陶瓷材料、金屬或高分子與氧化矽、氧化鋁、氧化鈦或氧化鋯組成的複合材料。為了提高光壓印樹脂組成物與模具表面的剝離性,可以選擇性地使用矽系矽烷偶合劑或氟系矽烷偶合劑對模具進行表面處理。此外,上述的壓印製程例如是常溫壓印或升溫壓印。
接著,請參照圖1C,對圖案化的光壓印樹脂膜110a進行
固化處理,使圖案化的光壓印樹脂膜110a固化,以形成固化的圖案化的光壓印樹脂膜110b。在本實施例中,固化處理例如是照光固化處理。照光固化處理使用的光源並無特別限定,例如為紫外線螢光燈、低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、氙燈、碳弧燈、LED燈等。而後,請參照圖1D,移除壓印模具120。之後,以固化的圖案化的光壓印樹脂膜110b為蝕刻遮罩,對基材100進行蝕刻處理來移除部分基材100,以形成圖案化的基材100a。之後,移除圖案化的固化光壓印樹脂薄膜110c。特別一提的是,在進行蝕刻處理的過程中,一部分的固化的圖案化的光壓印樹脂膜110b也會被同時移除而形成圖案化的光壓印樹脂膜110c。上述的蝕刻處理例如是非等向性蝕刻處理。
實施例
以下列舉實施例來對本發明進一步進行具體說明。以下實施例中所示的材料、使用量、比例、處理內容、處理順序等只要不脫離本揭露的主旨,則可適當變更。因此,本揭露的範圍並不限定於以下所示的實施例。
壓克力型光壓印樹脂的製備(比較例1至比較例3)
上述表格之組成說明如下,PET 100為聚氨酯丙烯酸酯樹脂、M 7400為環氧丙烯酸酯樹脂、EA-0200為聚芴丙烯酸酯,TPGDA為二丙烯酸三丙二醇脂,Irgacure 819為汽巴公司光反應起始劑商品,ITX為異丙基硫雜蒽酮,其中各組成之比例以重量比表示,製備方式為將表中之壓克力樹脂、壓克力單體、光反應起始劑與增感劑加入溶劑丙二醇單甲醚乙酸酯中,經充分混合攪拌後,以0.1μm的四氯乙烯材質過濾器加以過濾,完成上述比較例的製備。
酚醛樹脂液的製備(比較例4至比較例6)
上述表格之組成說明如下,酚醛樹脂A、酚醛樹脂B、酚醛樹脂C皆為由甲醛與二甲基苯酚和甲基苯酚聚合而得之多甲酚酚醛樹脂,其重量平均分子量分別約為3400、2500與2000,分子量分佈指數(polydispersity index;PDI)則分別約為2.69、1.60與1.46,其中各組成之比例以重量比表示,製備方式為將表中之酚醛樹脂加入溶劑丙二醇單甲醚乙酸酯中,經充分混合攪拌後,以0.1μm的四氯乙烯材質過濾器加以過濾,完成上述比較例的製備。
含有酚醛樹脂與具有壓克力基團的單體、具有壓克力基團的聚合物的光壓印樹脂製備(實施例1至實施例6)
實施例1至實施例6的光壓印樹脂是由比較例1至比較例3之壓克力型光壓印樹脂與比較例4至比較例6之酚醛樹脂液依上表之組合,其中各組成之比例以重量比表示,製備方式將二
者混合攪拌均,再以0.1μm的四氯乙烯材質過濾器加以過濾,完成上述實施例的製備。
光壓印特性測試比較
在壓印特性的比較上,將比較例與實施例的壓印樹脂使用旋轉塗佈方式,以3000rpm轉速旋轉塗佈於2吋藍寶石晶片上,將塗膜以120℃加熱板預烤120秒,以移除組成中的溶劑,壓印測試使用具有圓形洞穴圖案的聚二甲基矽氧烷模具進行,其中圓形洞穴的直徑為2μm,深度為3.5±0.5μm,比較例1至比較例3以常溫壓印,壓印壓力0.5Kgf,持壓時間120秒,使用365nm LED以600mJ能量照射固化,比較例4至比較例6及實施例1至實施例6,使用升溫壓印,壓印溫度80℃,壓印壓力2Kgf,持壓時間180秒,使用365nm LED以600mJ能量照射固化,測試結果如表4。
壓印特性的評估是將壓印試片切割裂片,以電子顯微鏡觀察與量測壓印圖案圓柱的高度,來評估壓印成型的優劣,其中比較例4至比較例6,因壓印成型性差,壓印結構複製很淺,因此無法量得壓印柱高,且模具脫模後,有局部沾黏的現象,而實施例1至實施例4與未添加酚醛樹脂的比較例1、實施例5與未添加酚醛樹脂的比較例2、實施例6與未添加酚醛樹脂的比較例3分別比較,結果顯示實施例1至實施例6仍具有優異的壓印成型性,且無模具沾黏的現象發生。
光壓印樹脂膜耐乾蝕刻性測試
將光壓印樹脂組成比較例1至比較例3與實施例1至實施例6的壓印試片,一半以藍寶石晶片覆蓋,保護其壓印結構在蝕刻過程不受到蝕刻氣體的侵蝕與轟擊,然後以功率50W的氧電漿進行光壓印樹脂膜蝕刻製程,蝕刻時間3分鐘,完成後移除覆蓋之晶片,以電子顯微鏡對試片進行剖面分析,量測晶片覆蓋區域的壓印柱狀結構高度與無晶片覆蓋區域的壓印膠結構高度,將晶片覆蓋區的壓印膠結構高度減去無晶片覆蓋區的壓印膠結構高
度,除以蝕刻時間,求得壓印膠之蝕刻速度,並將各實施例的蝕刻速度量測結果顯示在下方表5中。
由上表測試結果顯示,比較例1與實施例1至實施例4比較、比較例2與實施例5比較、比較例3與實施例6比較,相較於由不含有酚醛樹脂的光壓印樹脂組成物所形成的光壓印樹脂膜(比較例1至比較例3),由同時含有酚醛樹脂以及具有壓克力基團的單體和聚合物的光壓印樹脂組成物所形成的光壓印樹脂膜(實施例1至實施例6,本揭露的光壓印樹脂組成物)在蝕刻製程中具有較低的蝕刻速率,亦即本揭露的光壓印樹脂膜具有較佳的耐蝕刻性。
雖然本揭露已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本揭露,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本揭露的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
Claims (14)
- 一種光壓印樹脂組成物,包括:酚醛樹脂,具有介於500至50000的重量平均分子量;具有壓克力基團的單體、具有壓克力基團的聚合物或所述具有壓克力基團的單體與所述具有壓克力基團的聚合物的混合物;以及自由基型光聚合起始劑,其中所述酚醛樹脂不與所述具有壓克力基團的單體以及所述具有壓克力基團的聚合物發生反應,且所述酚醛樹脂包括至少一個由式1表示的重複單元,
- 如申請專利範圍第1項所述的光壓印樹脂組成物,其中所述酚醛樹脂包括由式2表示的結構,
- 如申請專利範圍第1項所述的光壓印樹脂組成物,其中以100重量份的所述酚醛樹脂計,所述具有壓克力基團的單體、所述具有壓克力基團的聚合物或所述具有壓克力基團的單體與所述具有壓克力基團的聚合物的混合物的含量介於10重量份至1000重量份之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的光壓印樹脂組成物,其中以100重量份的所述酚醛樹脂計,所述自由基型光聚合起始劑的含量介於1重量份至80重量份之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的光壓印樹脂組成物,其中所述自由基型光聚合起始劑包括苯乙酮系化合物、醯基氧化膦系化合物、肟酯系化合物或其組合。
- 如申請專利範圍第1項所述的光壓印樹脂組成物,其中所述具有壓克力基團的單體包括異冰片丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸苯乙酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸1-萘酯或(甲基)丙烯酸2-萘酯、(甲基)丙烯酸1-萘基甲酯或(甲基)丙烯酸2-萘基甲酯、(甲基)丙烯酸1-萘基乙酯或者(甲基)丙烯酸2-萘基乙酯、(甲基)丙烯酸1-萘氧基乙酯或者(甲基)丙烯酸2-萘氧基乙酯、二乙二醇單乙醚(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基二環戊烷二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸化異三聚氰酸酯、1,3-丁二醇二(甲 基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、烯丙氧基聚乙二醇丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、雙酚F二(甲基)丙烯酸酯、六氫鄰苯二甲酸二丙烯酸酯、羥基特戊酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、己內酯改質羥基特戊酸酯新戊二醇、硬脂酸改質季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、鄰苯二甲酸二(甲基)丙烯酸酯、聚(乙二醇-四亞甲基二醇)二(甲基)丙烯酸酯、聚(丙二醇-四亞甲基二醇)二(甲基)丙烯酸酯、聚酯二丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、矽酮二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇改質三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙三醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、鄰苯二甲基二(甲基)丙烯酸酯、間苯二甲基二(甲基)丙烯酸酯、對苯二甲基二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯或二異戊四醇六丙烯酸酯或其組合。
- 如申請專利範圍第1項所述的光壓印樹脂組成物,其中所述具有壓克力基團的聚合物包括聚酯丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚芴丙烯酸酯或其組合。
- 如申請專利範圍第1項所述的光壓印樹脂組成物,更包括溶劑。
- 如申請專利範圍第8項所述的光壓印樹脂組成物,其中以100重量份的所述酚醛樹脂計,所述溶劑的含量介於50重量份至5000重量份之間。
- 如申請專利範圍第8項所述的光壓印樹脂組成物,其中所述溶劑包括丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇甲醚、苯甲醚、碳酸丙烯酯或其組合。
- 一種圖案化製程,包括:將如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的光壓印樹脂組成物塗佈於基材上;使用模具對所述光壓印樹脂組成物進行壓印製程,以形成圖案化的光壓印樹脂膜;對所述圖案化的光壓印樹脂膜進行固化處理;移除所述模具;以及以固化的所述圖案化的光壓印樹脂膜為遮罩,對所述基材進 行蝕刻處理。
- 如申請專利範圍第11項所述的圖案化製程,其中所述壓印製程包括常溫壓印或升溫壓印。
- 如申請專利範圍第11項所述的圖案化製程,其中所述固化處理包括照光固化處理。
- 一種光壓印樹脂膜,包括如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的光壓印樹脂組成物。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW104142230A TWI643901B (zh) | 2015-12-16 | 2015-12-16 | 光壓印樹脂組成物、光壓印樹脂膜以及圖案化製程 |
CN201610084845.2A CN106886127B (zh) | 2015-12-16 | 2016-02-15 | 光压印树脂组合物、光压印树脂膜以及图案化制程 |
US15/085,569 US10048582B2 (en) | 2015-12-16 | 2016-03-30 | Photo-imprinting resin composition, photo-imprinting resin film and patterning process |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW104142230A TWI643901B (zh) | 2015-12-16 | 2015-12-16 | 光壓印樹脂組成物、光壓印樹脂膜以及圖案化製程 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201723074A TW201723074A (zh) | 2017-07-01 |
TWI643901B true TWI643901B (zh) | 2018-12-11 |
Family
ID=59066916
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104142230A TWI643901B (zh) | 2015-12-16 | 2015-12-16 | 光壓印樹脂組成物、光壓印樹脂膜以及圖案化製程 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10048582B2 (zh) |
CN (1) | CN106886127B (zh) |
TW (1) | TWI643901B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10879431B2 (en) * | 2017-12-22 | 2020-12-29 | Lumileds Llc | Wavelength converting layer patterning for LED arrays |
TWI656629B (zh) * | 2018-03-31 | 2019-04-11 | 律勝科技股份有限公司 | 柔性顯示裝置覆蓋基板及使用其之柔性顯示裝置 |
US11975478B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-05-07 | Illumina Cambridge Limited | Flow cells |
CN113637442B (zh) * | 2021-08-12 | 2023-09-22 | 太仓申威新材料科技有限公司 | 一种微棱镜反光膜用紫外光固化转印胶组合物及其制备方法和应用 |
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2015
- 2015-12-16 TW TW104142230A patent/TWI643901B/zh active
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---|---|
TW201723074A (zh) | 2017-07-01 |
CN106886127A (zh) | 2017-06-23 |
US20170176852A1 (en) | 2017-06-22 |
CN106886127B (zh) | 2020-09-01 |
US10048582B2 (en) | 2018-08-14 |
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